TWI576929B - 封裝結構及其製法 - Google Patents

Description

封裝結構及其製法

本發明係有關一種封裝結構及其製法，尤指一種可發光的封裝結構及其製法。

隨著低碳時代的來臨，發光二極體(Light Emitting Diode，簡稱LED)因具有壽命長、體積小、耐震性高及耗電量低等優點，故廣泛地應用於照明需求之電子產品中。於工業上、各式電子產品、及生活家電之應用日趨普及。

第1圖係揭示一種習知LED封裝件之剖面圖，該LED封裝件1包括有：一透光件16；一螢光層12結合於透光件16上；一發光元件13設置於螢光層12上；一包覆層14設置於螢光層12上，且覆蓋發光元件13的側面。

惟，習知LED封裝件中，該發光元件13透出螢光層12的部分光線可能自該螢光層12的側邊外洩出，甚至於當包覆層14為透光材質時，更容易造成大量的光線漏失，導致發光效率不佳等問題。

因此，如何克服習知技術中之問題，實已成目前亟欲解決的課題。

鑑於上述習知技術之缺失，本發明提供一種封裝結構之製法，係包括：提供複數間隔排列之發光元件，該些發光元件具有相對之第一表面與第二表面，且該第一表面上具有複數電極墊；於該些發光元件之間隔中形成包覆層，其中該包覆層之高度低於或齊平該些發光元件之第一表面之高度；於該些發光元件間隔之包覆層中形成複數溝槽；於該包覆層上與該些溝槽中形成反射層。

前述之製法中，復包括形成有一結合該些發光元件之螢光層，其中該些發光元件之第二表面與該螢光層接觸。

前述之製法中，復包括提供一離型層，該螢光層形成於該離型層上。

前述之製法中，復包括移除該離型層。

前述之製法中，該些溝槽貫穿該包覆層與該螢光層。

前述之製法中，復包括沿該些溝槽進行切單製程。

本發明復提供一種封裝結構，係包括：發光元件，係具有相對之第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面之側面，其中該第一表面上具有複數電極墊；包覆層，係形成於該發光元件之側面上，且該包覆層之高度低於或齊平該些發光元件之第一表面之高度；以及反射層，係形成於該發光元件之側面，且包覆該包覆層。

前述之結構中，復包括螢光層，係形成於該包覆層與該發光元件之第二表面上。

前述之製法與結構中，該反射層覆蓋該發光元件之第 一表面且外露出該電極墊。

前述之製法與結構中，該包覆層係為透光材質所形成者，該反射層係為白膠。

由上可知，本發明之封裝結構及其製法係藉由在複數發光元件間隔之包覆層中形成溝槽，再於該包覆層上與該些溝槽中形成包覆該包覆層之反射層，隨後沿該些溝槽之中線作為切割路徑進行切單製程，其中，由於該包覆層之高度低於或齊平發光元件之第一表面，同時反射層係形成於該發光元件之側面且包覆該包覆層，故可有效減少傳統LED發光組件光線從覆層的側邊洩出之問題。

1‧‧‧LED封裝件

12,22‧‧‧螢光層

13,23‧‧‧發光元件

14,24‧‧‧包覆層

16‧‧‧透光件

2,2’,2”‧‧‧封裝結構

21‧‧‧離型層

23a‧‧‧第一表面

23b‧‧‧第二表面

23c‧‧‧側面

231‧‧‧電極墊

25‧‧‧溝槽

26‧‧‧反射層

S‧‧‧切割路徑

h,h’‧‧‧包覆層之高度

第1圖係為習知LED封裝件之剖面圖；以及第2A至2E圖係為本發明之封裝結構之製法之剖面示意圖，其中第2B’、2D’、2E’及2E”圖係為對應第2 B、2D與2E圖之另一實施態樣。

以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功 效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。

請參閱第2A至2E圖，係為本發明之封裝結構及其製法之實施例的剖面示意圖。

如第2A圖所示，提供一離型層21，於該離型層21上形成一螢光層22，並於螢光層22上設置複數間隔排列之發光元件23，該些發光元件23具有相對之第一表面23a、第二表面23b及鄰接該第一表面23a與該第二表面23b之側面23c，其中該些發光元件23之第一表面23a上具有複數電極墊231。

於本實施例中，該些發光元件23係為發光二極體，並透過該第二表面23b以供該些發光元件23結合於螢光層22上。

另外，亦可選擇以例如玻璃等透光件取代該離型層，以供該螢光層及發光元件設置其上。

如第2B圖所示，於該些發光元件間之該螢光層22上形成包覆層24，且該包覆層24之高度h低於該些發光元件23之第一表面23a高度。於本實施例中，該包覆層24係為透光材質所形成者，例如透明膠層(如透明矽膠)，當然亦可為非透明膠層(如白膠等非透光材質所形成)，且 該包覆層24係以充填方式或模封(molding)方式形成。

請參閱第2B’圖，係為對應第2B圖之另一實施態樣。本實施態樣與前述大致相同，主要差異在於該包覆層24之高度h’齊平該些發光元件23之第一表面23a，其餘部分同前所述，故不再贅述相同製程部分。

如第2C圖所示，形成複數溝槽25於該些發光元件23間隔之包覆層24中，其中該些溝槽25貫穿包覆層24與螢光層22，而形成複數溝槽25之方式可為雷射切割或刀具切割。另該構槽25之斷面形狀可例如為本圖式之矩形，亦或其它形狀(例如V型，以藉由形成於該V型斷面之兩側斜面提升發光元件之出光率)。

如第2D圖所示，形成反射層26於該包覆層24上與該些溝槽25中。於本實施例中，該反射層26係為不透光之反射材質所形成者，例如白膠。該反射層26係以充填方式或模封(molding)方式形成。

如第2E圖所示，沿如第2D圖所示之切割路徑S(即沿該些溝槽25之中線)進行切單製程並移除該離型層21，以外露該反射層26與螢光層22，進而製得複數個發光式封裝結構2。

請參閱第2D’與2E’圖，係為對應第2D與2E圖之另一實施態樣。本實施態樣與前述大致相同，主要差異在於該反射層26覆蓋該些發光元件23之第一表面23a，但外露出該些電極墊231。

請參閱第2E”圖，係為對應第2B’圖進行前述製程 後所得之發光式封裝結構2”。本實施態樣之發光式封裝結構2”與前述大致相同，主要差異在於該包覆層24之高度齊平該些發光元件23之第一表面23a。另外，該反射層26係可選擇覆蓋該些發光元件23之第一表面23a(未圖示)，但外露出該些電極墊231。

本發明復提供一種封裝結構2,2’,2”，係包括：一螢光層22、一發光元件23、一電極墊231、一包覆層24以及一反射層26。

所述之發光元件23係為發光二極體，其具有相對之第一表面23a與第二表面23b、及鄰接該第一表面23a與該第二表面23b之側面23c，其中該些發光元件23之第一表面23a上具有複數電極墊231。

該包覆層24係形成於該發光元件23之側面上，且該包覆層24之高度h低於或齊平該些發光元件23之第一表面23a。在本實施例中，包覆層24係為透光材質所形成者，例如透明膠層(如透明矽膠)當然亦可為非透明膠層(如白膠)。

該螢光層22係形成於該包覆層24與該發光元件23之第二表面23b上。

該反射層26係形成於該發光元件23之側面，並包覆該包覆層24，且遮蓋住該螢光層22之側邊。於本實施例中，該反射層26係為不透光之反射材質所形成者，例如白膠。

在一些實施例中，該反射層26覆蓋該發光元件23之 第一表面23a且外露出該電極墊231。

透過前述說明可知，本發明之封裝結構及其製法係藉由在複數發光元件23間隔之包覆層24中形成溝槽25，再於該包覆層24上與該些溝槽25中形成包覆該包覆層24之反射層26，隨後沿該些溝槽25之中線作為切割路徑S進行切單製程，其中，由於該包覆層24之高度低於或齊平發光元件23之第一表面23a，同時反射層26係形成於該發光元件23之側面且包覆該包覆層24，並可遮蓋住該螢光層22之側邊，因此能有效減少傳統LED發光組件光線從螢光層22的側邊亦或包覆層24的側邊洩出之問題。

上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

2‧‧‧封裝結構

22‧‧‧螢光層

23‧‧‧發光元件

231‧‧‧電極墊

24‧‧‧包覆層

26‧‧‧反射層

Claims (14)

1. 一種封裝結構之製法，係包括：提供複數間隔排列之發光元件，各該發光元件具有相對之第一表面與第二表面，且該第一表面上具有複數電極墊；於任二相鄰之該發光元件之間隔中形成包覆層，其中該包覆層之高度低於或齊平各該發光元件之第一表面之高度；於形成在任二相鄰之該發光元件之間隔中的包覆層形成溝槽；以及於該包覆層上與該溝槽中形成反射層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構之製法，其中，該反射層覆蓋該些發光元件之第一表面，並外露出該電極墊。
3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構之製法，復包括形成有一結合該些發光元件之螢光層，其中該些發光元件之第二表面與該螢光層接觸。
4. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構之製法，復包括提供一離型層，供該螢光層形成於該離型層上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之封裝結構之製法，復包括移除該離型層。
6. 如申請專利範圍第3項所述之封裝結構之製法，其中該溝槽貫穿該包覆層與該螢光層。
7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構之製法，其中， 該包覆層係為透光或非透光材質所形成者。
8. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構之製法，其中，該反射層係為白膠。
9. 如申請專利範圍第1項所述之封裝結構之製法，復包括沿該溝槽進行切單製程。
10. 一種封裝結構，係包括：發光元件，係具有相對之第一表面與第二表面、及鄰接該第一表面與該第二表面之側面，其中，該第一表面上具有複數電極墊；包覆層，係形成於該發光元件之側面上，且該包覆層之高度低於或齊平各該發光元件之第一表面之高度；以及反射層，係形成於該發光元件之側面，且包覆該包覆層。
11. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該反射層覆蓋該發光元件之第一表面且外露出該電極墊。
12. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，復包括螢光層，係形成於該包覆層與該發光元件之第二表面上。
13. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該包覆層係為透光或非透光材質所形成者。
14. 如申請專利範圍第10項所述之封裝結構，其中，該反射層係為白膠。