TWI571193B - Method for manufacturing multilayer printed wiring board and base substrate - Google Patents
Method for manufacturing multilayer printed wiring board and base substrate Download PDFInfo
- Publication number
- TWI571193B TWI571193B TW102135979A TW102135979A TWI571193B TW I571193 B TWI571193 B TW I571193B TW 102135979 A TW102135979 A TW 102135979A TW 102135979 A TW102135979 A TW 102135979A TW I571193 B TWI571193 B TW I571193B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- layer
- shaped carrier
- wiring board
- printed wiring
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 164
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 164
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 90
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 78
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- -1 decane compound Chemical class 0.000 claims description 63
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 59
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 53
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 53
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 47
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 42
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 34
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 32
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 28
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 27
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 17
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 16
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 12
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 claims description 10
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 336
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 24
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 22
- 239000000047 product Substances 0.000 description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 14
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 10
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 9
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 5
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- WREDNSAXDZCLCP-UHFFFAOYSA-N methanedithioic acid Chemical compound SC=S WREDNSAXDZCLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropane Chemical compound COCC(C)C ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMAZOIVUIWQRKU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C1(=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC WMAZOIVUIWQRKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 3
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 3
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 3
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKCXIJLUMAOOHX-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC DKCXIJLUMAOOHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTJTVYQUGMECJC-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical group C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C LTJTVYQUGMECJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWMOELHTLYQZAK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC)(OC)OC Chemical group C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC)(OC)OC NWMOELHTLYQZAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IDSNHSOYZUDTCG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical group C1(=CC=CC=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC IDSNHSOYZUDTCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZKBIVOXIFYDRI-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC PZKBIVOXIFYDRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRLROCCHAWUFAK-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical group CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 NRLROCCHAWUFAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 Chemical group CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 Chemical group CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019440 Mg(OH) Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- DYHSMQWCZLNWGO-UHFFFAOYSA-N di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound CC(C)O[AlH]OC(C)C DYHSMQWCZLNWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARJRUFOOUOQJFU-UHFFFAOYSA-N dialuminum propan-2-olate Chemical compound [Al+3].CC([O-])C.CC([O-])C.[Al+3] ARJRUFOOUOQJFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWTZUGLUHPPGQT-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)alumane Chemical group CC[O-].CC[O-].[Al+2]C1=CC=CC=C1 JWTZUGLUHPPGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-N disulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OS(O)(=O)=O VFNGKCDDZUSWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHTVKYGGDBORAK-UHFFFAOYSA-N ethanolate propan-2-ylaluminum(2+) Chemical compound CC[O-].CC[O-].CC(C)[Al++] VHTVKYGGDBORAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;zirconium Chemical compound [Zr].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N trimethoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VJNSCINLGYURMF-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2-methyldecane Chemical compound CCCCCCCCC(C)C(Cl)(Cl)Cl VJNSCINLGYURMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUDDNLUUVBCSJZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-4-(trimethoxymethyl)undecane Chemical compound FC(CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC)(F)F BUDDNLUUVBCSJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANBBCZAIOXDZPV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trimethoxy-2-methyldecane Chemical compound CC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC ANBBCZAIOXDZPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanedithiol Chemical compound SCCS VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZLWSRCQCPAUDP-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4,6-triamine;urea Chemical class NC(N)=O.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JZLWSRCQCPAUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDXOZZNUOVLNGO-UHFFFAOYSA-N 12-sulfanyldodecan-3-ol Chemical compound OC(CCCCCCCCCS)CC IDXOZZNUOVLNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKYGQQHIWMWBOJ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl(dimethoxy)alumane Chemical compound C(C(C)(C)C)[Al](OC)OC ZKYGQQHIWMWBOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMNLXDDJGGTIPL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=C(S)C(C)=C1 AMNLXDDJGGTIPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFCRSKBAFJBQQS-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-11-sulfanylundecanoic acid Chemical compound C(=O)(O)C(CCCCCCCCCS)CC GFCRSKBAFJBQQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940054266 2-mercaptobenzothiazole Drugs 0.000 description 1
- IIEWMRPKJCXTAD-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethoxymethyl)undecane Chemical compound C(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC IIEWMRPKJCXTAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 4-(trimethoxymethyl)dodecane Chemical compound C(CCCCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCC GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCDSVWRUXWCYFN-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenethiol Chemical compound NC1=CC=C(S)C=C1 WCDSVWRUXWCYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLHCBQAPPJAULW-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=C(S)C=C1 WLHCBQAPPJAULW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MEGXDQPBFCOWNX-UHFFFAOYSA-L Br[Ti](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound Br[Ti](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 MEGXDQPBFCOWNX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NZWUKTQPVORZQC-UHFFFAOYSA-N C(C(C)(C)C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(C(C)(C)C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC NZWUKTQPVORZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQIAXALHVCHSRQ-UHFFFAOYSA-N C(C(C)(C)C)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound C(C(C)(C)C)[Ti](OC)(OC)OC BQIAXALHVCHSRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBDYQYNPUNIQNB-UHFFFAOYSA-N C(C(C)(C)C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C(C)(C)C)[Zr](OC)(OC)OC RBDYQYNPUNIQNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USVBOGGVFRZJKP-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC USVBOGGVFRZJKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWFVNYYIDHXXBH-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC VWFVNYYIDHXXBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMXYZKNCFHIWMJ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC UMXYZKNCFHIWMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGRAEKAAYUVLU-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C CRGRAEKAAYUVLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVZLFDBGOHYOBU-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical group C(C)(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC PVZLFDBGOHYOBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APDXQBWLTXFUPB-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC APDXQBWLTXFUPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWDKVIUUINUYAI-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC AWDKVIUUINUYAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNHZFCNKXYRWIK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC KNHZFCNKXYRWIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFNLUYRPANEYJZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC LFNLUYRPANEYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULEIPMLVJOGGLK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ULEIPMLVJOGGLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHTDCHMSSLFPLZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC QHTDCHMSSLFPLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REPJEOHVYFVHAQ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC REPJEOHVYFVHAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEYMLSDWUUKDND-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC UEYMLSDWUUKDND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POEFGHYTWCMXHI-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Zr](OCC)OCC.[Zr] Chemical group C(C)O[Zr](OCC)OCC.[Zr] POEFGHYTWCMXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVVMUZZOUZGJAV-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Zr](OCC)OCC.[Zr].CCCCC Chemical group C(C)O[Zr](OCC)OCC.[Zr].CCCCC WVVMUZZOUZGJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTUMRIWHELOPKY-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VTUMRIWHELOPKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)[Zr](OC)(OC)OC DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUKHINYNBHFUFN-UHFFFAOYSA-N C(CC)CCCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C(CC)CCCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC GUKHINYNBHFUFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDAJSLMSQSSYML-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C(CCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC RDAJSLMSQSSYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNFHPNQJIIRBKD-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical group C(CCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C JNFHPNQJIIRBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMKWYHVTQUABQM-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CCCC)[Ti](OCC)(OCC)OCC FMKWYHVTQUABQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCQHGSBNCJWXOB-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C BCQHGSBNCJWXOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWYGWLBJWDIRJK-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)C(C(C)(O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)CCCCCCCC)OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical group C(CCCCC)C(C(C)(O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)CCCCCCCC)OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C GWYGWLBJWDIRJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEMNUNHFISSEER-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C PEMNUNHFISSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMRRCDCXJAMKIP-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(CCCCC)[Zr](OC)(OC)OC MMRRCDCXJAMKIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZMTEYVJVJULA-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C(CCCCCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC XGZMTEYVJVJULA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGOQLEBJALBEQN-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C XGOQLEBJALBEQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDMJYEOLJSCXIZ-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical group C(CCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC RDMJYEOLJSCXIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEVUICGDJISMI-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCCCCCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC IKEVUICGDJISMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDEQNDCZULOGLM-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical group C(CCCCCCCCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC UDEQNDCZULOGLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBHMVOOKFCKQS-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical group C(CCCCCCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C CEBHMVOOKFCKQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVDJPBNRSKTJM-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Ti](OC)(OC)OC Chemical group C(CCCCCCCCC)[Ti](OC)(OC)OC RFVDJPBNRSKTJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCJKJDVJEDOBLD-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical group C(CCCCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC DCJKJDVJEDOBLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BICFFZVJJIYRCJ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=C(C=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC)C Chemical compound C1(=CC=C(C=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC)C BICFFZVJJIYRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQGGNSFBZLGMOO-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(Cl)(Cl)Cl)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(Cl)(Cl)Cl)CCCCCCCC SQGGNSFBZLGMOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBZVKYXSFJSFT-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC Chemical class C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC ZMBZVKYXSFJSFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRYINPYEUHTHMY-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=C(C(=C(C=2CC3=CC=CC=C3C12)Br)Br)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(C(=C(C=2CC3=CC=CC=C3C12)Br)Br)C1=CC=CC=C1 HRYINPYEUHTHMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGKBCLBYORVNBC-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1[Zr]C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Zr]C1=CC=CC=C1 HGKBCLBYORVNBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWDOWHSHCUJBJ-UHFFFAOYSA-N CC(C(Br)(Br)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(Br)(Br)C)CCCCCCCC LLWDOWHSHCUJBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFUYDYUQFXMKFB-UHFFFAOYSA-N CC(C(Cl)(Cl)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(Cl)(Cl)C)CCCCCCCC UFUYDYUQFXMKFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQIOHQXBQGFYQL-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Zr](C)(C)OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Zr](C)(C)OC(C)C UQIOHQXBQGFYQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQBSPSZMRYBLLZ-UHFFFAOYSA-N CC(CCCCCCCCCCl)(C)C Chemical compound CC(CCCCCCCCCCl)(C)C ZQBSPSZMRYBLLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWUSPSJNJXNANA-UHFFFAOYSA-N CC(CCCCCCCCCF)(C)C Chemical compound CC(CCCCCCCCCF)(C)C UWUSPSJNJXNANA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVOMBUJFOXFINT-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C NVOMBUJFOXFINT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUTOYRKOTJJZBH-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC)(OC)OC XUTOYRKOTJJZBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNSHNSSIEYQVJW-UHFFFAOYSA-N CCCCCC[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound CCCCCC[Ti](OC)(OC)OC FNSHNSSIEYQVJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCKJLCIZGYHWCU-UHFFFAOYSA-N CCCCCC[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound CCCCCC[Ti](OCC)(OCC)OCC JCKJLCIZGYHWCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQEOFGRIWOQMLE-UHFFFAOYSA-N CCCC[Ti](CCCC)CCCC Chemical compound CCCC[Ti](CCCC)CCCC GQEOFGRIWOQMLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYAWAUCIDXKRJS-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](C)(C)OCC Chemical compound CCO[Ti](C)(C)OCC AYAWAUCIDXKRJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](C)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Ti](C)(OCC)OCC ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJDCQWLPDJCAA-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](CC)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Ti](CC)(OCC)OCC ATJDCQWLPDJCAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POFPFCXEHIUVHR-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](C)(C)OCC Chemical compound CCO[Zr](C)(C)OCC POFPFCXEHIUVHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWESBPXAEDNEJI-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](C)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Zr](C)(OCC)OCC IWESBPXAEDNEJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](CC)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Zr](CC)(OCC)OCC XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEYPUVOBWLBTKR-UHFFFAOYSA-N CC[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound CC[Ti](OC)(OC)OC XEYPUVOBWLBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](C)(C)OC Chemical compound CO[Ti](C)(C)OC GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEGBJNYTBSSBKH-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)OC.CO[Ti](OC)(OC)OC.[Ti] Chemical compound CO[Ti](OC)OC.CO[Ti](OC)(OC)OC.[Ti] PEGBJNYTBSSBKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNVHPBRQCJGAEL-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](C)(C)OC Chemical compound CO[Zr](C)(C)OC RNVHPBRQCJGAEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKZKLABUTFRSJN-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](C)(OC)OC Chemical compound CO[Zr](C)(OC)OC WKZKLABUTFRSJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWYXPVSPNUBGO-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](OC)OC.[Ce] Chemical group CO[Zr](OC)OC.[Ce] UMWYXPVSPNUBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLJRMOSEXHZJU-UHFFFAOYSA-L C[Ti](C)(Br)Br Chemical compound C[Ti](C)(Br)Br LBLJRMOSEXHZJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZSURQIOGCDFZDR-UHFFFAOYSA-M C[Ti](C)(C)Cl Chemical compound C[Ti](C)(C)Cl ZSURQIOGCDFZDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OMYCCIOHKJQZRU-UHFFFAOYSA-N C[Zr+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] Chemical compound C[Zr+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OMYCCIOHKJQZRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZGWUFQVIHZQRK-UHFFFAOYSA-L C[Zr](C)(Br)Br Chemical compound C[Zr](C)(Br)Br YZGWUFQVIHZQRK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GYOKZAWZKPAQEX-UHFFFAOYSA-M C[Zr](C)(C)Cl Chemical compound C[Zr](C)(C)Cl GYOKZAWZKPAQEX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BTBWBLQKMKYGIX-UHFFFAOYSA-L C[Zr](F)(F)C Chemical compound C[Zr](F)(F)C BTBWBLQKMKYGIX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBDFYFHSUDRILU-UHFFFAOYSA-K Cl[Ti](Cl)(Cl)c1ccccc1 Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)c1ccccc1 WBDFYFHSUDRILU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HANBKTXNGOJAII-UHFFFAOYSA-K Cl[Zr](Cl)(Cl)c1ccccc1 Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)c1ccccc1 HANBKTXNGOJAII-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017868 Cu—Ni—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVBCJFLGVJOMSN-UHFFFAOYSA-N FC(CCC(C(OC)(OC)OC)O[Ti](OCC)(OCC)C(C(C(C(C(CCC(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F.[Ti] Chemical compound FC(CCC(C(OC)(OC)OC)O[Ti](OCC)(OCC)C(C(C(C(C(CCC(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F.[Ti] KVBCJFLGVJOMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNKVDECLDGEJIW-UHFFFAOYSA-N FC(CCC(C(OC)(OC)OC)O[Zr](OCC)(OCC)C(C(C(C(C(CCC(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F.[Zr] Chemical compound FC(CCC(C(OC)(OC)OC)O[Zr](OCC)(OCC)C(C(C(C(C(CCC(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F.[Zr] LNKVDECLDGEJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000779819 Syncarpia glomulifera Species 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XWMCJIOSNAXGAT-UHFFFAOYSA-L [Cl-].[Cl-].C[Ti+2]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].C[Ti+2]C XWMCJIOSNAXGAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PVRIRQFFAWJTPS-UHFFFAOYSA-L [Cl-].[Cl-].C[Zr+2]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].C[Zr+2]C PVRIRQFFAWJTPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCVWSVWRFCCSNL-UHFFFAOYSA-K [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Zr+3]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Zr+3]C HCVWSVWRFCCSNL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LMZWAJYABPXUHR-UHFFFAOYSA-L [F-].[F-].C[Ti+2]C Chemical compound [F-].[F-].C[Ti+2]C LMZWAJYABPXUHR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N benzenecarbothioic s-acid Chemical compound SC(=O)C1=CC=CC=C1 UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WNJVNPGSANNOKM-UHFFFAOYSA-N decyl(diethoxy)alumane Chemical group C(CCCCCCCCC)[Al](OCC)OCC WNJVNPGSANNOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGXBZJHPDDGPQB-UHFFFAOYSA-N decyl(dimethoxy)alumane Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Al](OC)OC DGXBZJHPDDGPQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 1
- DLRHRQTUCJTIIV-UHFFFAOYSA-N diethoxy(ethyl)alumane Chemical compound CC[O-].CC[O-].CC[Al+2] DLRHRQTUCJTIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJPUZKVKWVCCET-UHFFFAOYSA-N diethoxy(pentyl)alumane Chemical group C(CCCC)[Al](OCC)OCC WJPUZKVKWVCCET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZVIOPULJMXGOB-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)alumane Chemical compound FC(CC[Al](OC)OC)(F)F BZVIOPULJMXGOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQCQVANPVQMMKW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(4-methylphenyl)alumane Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Al](OC)OC FQCQVANPVQMMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJYACKPVJCHPFH-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C[Al+]C.CC(C)[O-] HJYACKPVJCHPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGMHEOLLTWPGQX-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;bromide Chemical compound C[Al](C)Br ZGMHEOLLTWPGQX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- AWZNNSIUJBVSTJ-UHFFFAOYSA-M diphenylalumanylium;bromide Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Al](Br)C1=CC=CC=C1 AWZNNSIUJBVSTJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLWCNZQVNYRELK-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCS YLWCNZQVNYRELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- BLFCDSUFXJPVAS-UHFFFAOYSA-N ethanolate;(4-methylphenyl)aluminum(2+) Chemical compound CC[O-].CC[O-].CC1=CC=C([Al+2])C=C1 BLFCDSUFXJPVAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKDMRHPZWJTSLH-UHFFFAOYSA-N ethanolate;hexylaluminum(2+) Chemical group CC[O-].CC[O-].CCCCCC[Al+2] KKDMRHPZWJTSLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXVBWSROJSOQFU-UHFFFAOYSA-N ethanolate;methylaluminum(2+) Chemical compound CCO[Al](C)OCC JXVBWSROJSOQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UABOHUHCGKGGOJ-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethoxy)alumane Chemical compound [O-]C.[O-]C.CC[Al+2] UABOHUHCGKGGOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- GNTRBBGWVVMYJH-UHFFFAOYSA-M fluoro(dimethyl)alumane Chemical compound [F-].C[Al+]C GNTRBBGWVVMYJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- YCSJJCRCOUGEPI-UHFFFAOYSA-N hexyl(dimethoxy)alumane Chemical compound CCCCCC[Al](OC)OC YCSJJCRCOUGEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005921 isopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKUIXLPCCDROFD-UHFFFAOYSA-N methanolate;methylaluminum(2+) Chemical compound [O-]C.[O-]C.[Al+2]C DKUIXLPCCDROFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFSZFUWOFXCOQU-UHFFFAOYSA-N methanolate;propan-2-ylaluminum(2+) Chemical compound [O-]C.[O-]C.CC(C)[Al+2] OFSZFUWOFXCOQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical group [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- BQBCXNQILNPAPX-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)alumane Chemical compound [O-]C.C[Al+]C BQBCXNQILNPAPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000005484 neopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- BPQPJXCUBLCZIB-UHFFFAOYSA-L phenylaluminum(2+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Al+2]C1=CC=CC=C1 BPQPJXCUBLCZIB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000001739 pinus spp. Substances 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBHBDZQAQRNXRB-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;titanium(3+) Chemical compound [Ti+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] KBHBDZQAQRNXRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UZLGSAUVSUOWGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(diethoxy)alumane Chemical group C(C)(C)(C)[Al](OCC)OCC UZLGSAUVSUOWGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N thiocarboxylic acid group Chemical group C(=S)O AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003566 thiocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940036248 turpentine Drugs 0.000 description 1
- 210000002700 urine Anatomy 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4682—Manufacture of core-less build-up multilayer circuits on a temporary carrier or on a metal foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0147—Carriers and holders
- H05K2203/0152—Temporary metallic carrier, e.g. for transferring material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
- H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本發明係關於一種多層印刷配線基板之製造方法及基底基材。
關於多層印刷配線基板，自先前以來不斷進行各種開發。例如專利文獻1中揭示有採用預浸體作為銅箔之載體，並於預浸體上可剝離地積層有銅箔之構成。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-256125號公報
多層印刷配線基板通常包含在樹脂製之基底基板上積層有包含1層以上之配線層與1層以上之絕緣層之增層的構成，但若使樹脂製之基底基板變薄，則存在多層印刷配線板於製造步驟中彎曲而變形，或產生翹曲，導致產生安裝步驟上之故障之情況。本案發明係鑒於該方面，其目的在於提供一種於製造與先前不同構成之薄型多層印刷配線板時發揮作為支撐體之功能之基底基材。
本發明之多層印刷配線基板之製造方法包含：第1步驟，其係準備於金屬製之板狀載體之至少一主面上介隔脫模劑層而積層有樹脂層之基底基材；及第2步驟，其係於上述基底基材之上述樹脂層上積層1層以上之增層。
較佳為上述板狀載體之基板厚度為5μm以上1600μm以下。
較佳為上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
較佳為於220℃進行3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後之上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
較佳為進而包含第3步驟，其係將積層有上述增層之上述樹脂層與上述板狀載體分離。
較佳為於將上述樹脂層設為第1樹脂層之上述多層印刷配線基板之製造方法中，進而包含第4步驟，其係於藉由上述第3步驟所獲得之上述多層印刷配線基板上積層與上述第1樹脂層不同之第2樹脂層、及進一步增層。
較佳為上述樹脂層為預浸體。
較佳為上述樹脂層具有120~320℃之玻璃轉移溫度Tg。
較佳為上述增層包含1層以上之絕緣層與1層以上之配線層。
較佳為上述增層所包含之1層以上之配線層為經圖案化或
未經圖案化之金屬箔。
較佳為上述增層所包含之1層以上之絕緣層為預浸體。
較佳為上述增層包含單面或兩面覆金屬積層板。
較佳為上述增層係使用減成法或全加成法、或者半加成法中之至少一種方法而形成。
較佳為進而包含第5步驟，其係對在上述基底基材上積層有上述增層之積層體實施切割處理。
較佳為藉由上述切割處理，而於在上述基底基材上積層有上述增層之上述積層體形成1個以上之凹槽，可藉由該凹槽而將上述增層單片化。
較佳為進而包含第6步驟，其係對上述增層所包含之1層以上之絕緣層形成通孔配線。
較佳為上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基)。
較佳為上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
較佳為上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
較佳為脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
較佳為上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
較佳為上述配線層係由銅或銅合金構成。
本發明之多層印刷配線基板係藉由上述任一項中所記載之多層印刷配線基板之製造方法而製造者。
本發明之基底基材係用於多層印刷配線基板之製造方法者，並且具備金屬製之板狀載體、形成於上述板狀載體之至少一主面上之脫模劑層、及介隔上述脫模劑層而積層於上述板狀載體上之樹脂層，上述樹脂層與上述板狀載體可剝離。
較佳為上述板狀載體之基板厚度為5μm以上1600μm以下。
較佳為上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
較佳為於220℃進行3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後之上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
較佳為上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
較佳為上述樹脂層係由預浸體構成。
較佳為上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基)。
較佳為上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
較佳為上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦
酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
較佳為脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
本發明之積層體係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基)。
本發明之積層體係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積
層有脫模劑層者，上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
本發明之積層體係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
較佳為上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
根據本發明，可於積層增層之後將金屬製之板狀載體與增層分離，可有效率地製造薄型多層印刷配線基板。
100‧‧‧基底基材
10‧‧‧板狀載體
20‧‧‧脫模劑層
30‧‧‧預浸體
110‧‧‧增層
圖1係本發明之第1實施形態之基底基材的概略截面圖。
圖2係表示本發明之第1實施形態之於基底基材上積層有增層之狀態的概略步驟圖。
圖3係示意性地表示本發明之第1實施形態之將多層印刷配線基板與板狀載體剝離之步驟的步驟圖。
圖4係本發明之第2實施形態之基底基材的概略截面圖。
圖5係表示本發明之第2實施形態之於基底基材之兩面上積層有增層之狀態的概略截面圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。各實施形態並非為各自獨立者，無需進行過度地說明，本領域人員可進行適當地組合，亦可理解掌握藉由該組合所獲得之協同效果。原則上省略實施形態間之重複說明。
<第1實施形態>
參照圖1至圖3，對第1實施形態進行說明。圖1係基底基材之概略截面圖。圖2係表示於基底基材上積層有增層之狀態之步驟圖。圖3係示意性地表示剝離多層印刷配線基板與板狀載體之步驟之步驟圖。
如圖1所示，基底基材100具備特定厚度之金屬製之板狀載體10、積層於板狀載體10之上表面(主面)上之脫模劑層20、介隔脫模
劑層20而積層於板狀載體10之上表面之作為樹脂層之一例的預浸體30，係依順序積層有板狀載體10、脫模劑層20、及預浸體30的積層體。再者，無需於板狀載體10之上表面之整個面形成脫模劑層20，同樣地，無需於脫模劑層20之上表面之整個面積層預浸體30。板狀載體10或預浸體30之俯視形狀不僅限於矩形，亦可為圓形等其他形狀。預浸體30典型為應構成多層印刷配線基板之最底層之層。換言之，預浸體30等同於構成增層110之絕緣層40。該方面內容亦可根據下述說明而明瞭。
關於基底基材100之構成層之積層順序為任意，例如亦可首先準備板狀載體10，其後於板狀載體10之上表面(主面)上積層脫模劑層20，繼而，介隔脫模劑層20而積層預浸體30。或者，亦可於預浸體30之下表面(主面)上積層脫模劑層20，將預浸體30與脫模劑層20之積層體積層於板狀載體10上。脫模劑層20可應用通常之塗佈技術而於預浸體30或板狀載體10上成膜。板狀載體10或預浸體30之厚度可藉由任意公知之手段、方法進行調整。
如圖2及圖3所示，於基底基材100之預浸體30上積層包含1層以上之絕緣層40與1層以上之配線層50之增層110。增層110係1層之絕緣層40與1層之配線層50之積層體，圖2中，對亦包含預浸體30在內之2層構成之增層110加以圖示。增層110之絕緣層40適宜為由樹脂層構成，更適宜為由含有熱硬化性樹脂之預浸體構成。增層110之配線層50適宜為經圖案化或未經圖案化之金屬層、適宜為金屬箔或金屬鍍層。增層110係藉由依順序反覆積層絕緣層40與配線層50而形成。於基底基材100上積層有增層110後，自基底基材100分離增層110，藉此，可適宜地
以薄型多層印刷配線基板之形式獲得增層110。
於以此種方式所製造之多層印刷配線基板中，不包含使用於增層110之積層之基底基材100。在此種意義上，可認為本實施形態之多層印刷配線基板為「薄型」構成。所謂「薄型」，例如係指多層印刷配線基板之厚度為400μm以下，較佳為200μm以下，更佳為100μm以下。但是，於多層印刷配線基板之功能上，配線層之層數極多之情形(例如為10層以上)、或需要比100μm厚之絕緣層或配線層之情形時，亦可存在多層印刷配線基板之厚度超過400μm之情況。
於增層之積層步驟中，基底基材100本身亦被加熱或者經物理或化學處理，視情況浸漬於化學藥液。於經此種步驟後亦確保圖3所示意性地表示之多層印刷配線基板、直接而言是多層印刷配線基板之最底層之預浸體30與板狀載體10間之剝離性。適宜為脫模劑層20殘存於板狀載體10側，但未必限定於此。
絕緣層40與配線層50之構成材料或層厚為任意，1個配線層50亦可由積層1層以上之導電層而構成，1個絕緣層40亦可由積層1層以上之絕緣層而構成。配線層50例如係由1個以上之金屬箔構成。絕緣層40係由1層以上之樹脂層構成，適宜為熱硬化性樹脂層。配線層50可無需進行圖案化，又，亦可無需與其他配線層電性連接。存在如下情況：設置浮動之配線層50於控制配線層間所產生之靜電電容或調整多層印刷配線基板之機械強度等時有效。
增層110之具體構成為任意。例如增層110包含1層以上之絕緣層40與1層以上之配線層50。例如增層110所包含之1層以上之配線
層50為經圖案化或未經圖案化之金屬箔。例如增層110所包含之1層以上之絕緣層40為預浸體。例如增層110包含單面或兩面覆金屬積層板。
板狀載體10為金屬製、適宜為銅或銅合金製之平板，取決於其大小而亦可具備稍許之可撓性，理想為具備可確保作為支撐基板之功能之程度之剛性。板狀載體10可使用典型為具有5μm以上、更適宜為具有10μm以上、30μm以上、35μm以上、50μm以上、65μm以上、70μm以上、80μm以上、100μm以上之厚度的金屬箔。又，板狀載體10可使用典型為具有1600μm以下、更適宜為具有1500μm以下、1350μm以下、1000μm以下、800μm以下、500μm以下、400μm以下、300μm以下、105μm以下之厚度之金屬箔。又，板狀載體10適宜為可使用銅箔或銅合金箔。
關於板狀載體10，作為一例，可為藉由銅材之壓延所製造之平板，亦可為積層多層銅材而成之平板，於該情形時，該平板亦可具有1600μm以上之厚度。亦可將藉由電解所獲得之銅箔等銅材應用於板狀載體10。作為板狀載體10之構成材料，亦可應用銅合金。藉由應用銅合金，可提高板狀載體10之硬度。作為銅合金，可例示：將選自Ni、Si、Zn、Sn、Ti、P、Cr、B、Ag、Mg、Fe、V、Au、Pd、Co、Mn、鈹(Be)或鎘(Cd)之元素群中之一種以上之元素以合計添加有0質量%以上~80質量%以下之銅合金。又，作為板狀載體10之材料，只要為金屬則並無特別限制，例如可列舉：銅、金、銀、鐵、鎳、鋁、鉻、鈦、鋅、鎂等。亦可為銅合金、鐵合金等使用該等之合金。
作為銅，典型為可列舉JIS H0500所特定之磷脫氧銅、無氧
銅及精銅等純度為99.90質量%以上之銅。亦可製成以合計含有0.001~4.0質量%之Sn、Ag、Au、Co、Cr、Fe、In、Ni、P、Si、Te、Ti、Zn及Zr中之一種以上之銅或銅合金。
作為銅合金，進而可列舉：鈦銅、磷青銅、卡遜(corson)合金、紅黃銅、黃銅、白銅等。
鈦銅典型為含有Ti：0.5~5.0質量%，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。鈦銅亦可進而以合計含有2.0質量%以下之Fe、Co、V、Nb、Mo、B、Ni、P、Zr、Mn、Zn、Si、Mg及Cr中之1種以上。
磷青銅典型為如下所述：所謂磷青銅，係指以銅作為主成分並含有Sn及低於其質量之P而成之銅合金。作為一例，磷青銅含有3.5~11質量%之Sn、0.03~0.35質量%之P，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。磷青銅亦可以合計含有1.0質量%以下之Ni、Zn等元素。
卡遜合金典型係指添加與Si形成化合物之元素(例如Ni、Co及Cr中之任一種以上)，以第二相粒子之形式於母相中析出之銅合金。作為一例，卡遜合金含有1.0~4.0質量%之Ni、0.2~1.3質量%之Si，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。作為另一例，卡遜合金含有1.0~4.0質量%之Ni、0.2~1.3質量%之Si、0.03~0.5質量%之Cr，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。作為又一例，卡遜合金含有1.0~4.0質量%之Ni、0.2~1.3質量%之Si、0.5~2.5質量%之Co，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。作為又一例，卡遜合金含
有1.0~4.0質量%之Ni、0.2~1.3質量%之Si、0.5~2.5質量%之Co、0.03~0.5質量%之Cr，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。作為又一例，卡遜合金含有0.2~1.3質量%之Si、0.5~2.5質量%之Co，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。亦可於卡遜合金中任意地添加其他元素(例如Mg、Sn、B、Ti、Mn、Ag、P、Zn、As、Sb、Be、Zr、Al及Fe)。該等其他元素通常添加以總計為至2.0質量%左右。例如作為又一例，卡遜合金含有1.0~4.0質量%之Ni、0.2~1.3質量%之Si、0.01~2.0質量%之Sn、0.01~2.0質量%之Zn，具有剩餘部分由銅及不可避免之雜質所構成之組成。
所謂黃銅，係指銅與鋅之合金，尤其是含有20質量%以上之鋅之銅合金。鋅之上限並無特別限定，為60質量%以下，較佳為45質量%以下或40質量%以下。
所謂紅黃銅，係指銅與鋅之合金，含有1~20質量%之鋅、更佳為含有1~10質量%之鋅之銅合金。又，紅黃銅亦可包含0.1~1.0質量%之錫。
所謂白銅，係指以銅作為主成分，含有60質量%至75質量%之銅、8.5質量%至19.5質量%之鎳、10質量%至30質量%之鋅之銅合金。
作為鋁及鋁合金，例如可使用包含99質量%以上之Al者。具體而言，可使用JIS H 4000中所記載之以合金編號1085、1080、1070、1050、1100、1200、1N00、1N30為代表之Al為99.00質量%以上之鋁或其合金等。
作為鎳及鎳合金，例如可使用包含99質量%以上之Ni者。具體而言，可使用JIS H 4551中所記載之以合金編號NW2200、NW2201為
代表之Ni為99.0質量%以上之鎳或其合金等。
作為鐵合金，例如可使用不鏽鋼、軟鋼、鐵鎳合金等。不鏽鋼可使用SUS 301、SUS 304、SUS 310、SUS 316、SUS 430、SUS 631(均為JIS標準)等。軟鋼可使用碳為0.15質量%以下者，可使用JIS G 3141中所記載之軟鋼等。鐵鎳合金包含35~85質量%之Ni，剩餘部分由Fe及不可避免之雜質構成，具體而言，可使用JIS C 2531中所記載之鐵鎳合金。又，板狀載體亦可使用鋁、鋁合金、鎳、鎳合金、鐵、鐵合金、不鏽鋼等公知之金屬。
板狀載體10之維氏硬度(HV)典型為30~100(F/N)/(d/mm)2，適宜為50~80(F/N)/(d/mm)2。理想為確保作為板狀載體10之銅或銅合金製之平板之充分之硬度。
亦可對板狀載體10實施表面處理。例如可列舉：以賦予耐熱性為目的之金屬鍍敷(鍍Ni、Ni-Zn合金鍍敷、Cu-Ni合金鍍敷、Cu-Zn合金鍍敷、鍍Zn、Cu-Ni-Zn合金鍍敷、Co-Ni合金鍍敷等)、用以賦予防銹性或耐變色性之鉻酸鹽處理(包含鉻酸鹽處理液中含有1種以上之Zn、P、Ni、Mo、Zr、Ti等合金元素之情況)、用以調整表面粗糙度之粗化處理(例如電鍍銅粒或利用Cu-Ni-Co合金鍍敷、Cu-Ni-P合金鍍敷、Cu-Co合金鍍敷、Cu-Ni合金鍍敷、Cu-As合金鍍敷、Cu-As-W合金鍍敷等銅合金鍍敷所得者)。當然粗化處理會對板狀載體10與脫模劑層20之剝離強度造成影響，而鉻酸鹽處理亦會造成較大影響。鉻酸鹽處理係就防銹性或耐變色性之觀點而言較為重要，但發現其使剝離強度顯著上升之傾向，故而作為剝離強度之調整手段亦有意義。
例如亦可對銅材之光澤面實施根據下述條件之鎳-鋅(Ni-Zn)合金鍍敷處理及鉻酸鹽(Cr-Zn鉻酸鹽)處理。
(鎳-鋅合金鍍敷)
Ni濃度 17g/L(以NiSO4添加)
Zn濃度 4g/L(以ZnSO4添加)
pH值 3.1
液體溫度 40℃
電流密度 0.1~10 A/dm2
鍍敷時間 0.1~10秒
(鉻酸鹽處理)
Cr濃度 1.4g/L(以CrO3或K2CrO7添加)
Zn濃度 0.01~1.0g/L(以ZnSO4添加)
Na2SO4濃度 10g/L
pH值 4.8
液體溫度 55℃
電流密度 0.1~10 A/dm2
鍍敷時間 0.1~10秒
脫模劑層20較佳為自對板狀載體10相對較強地固著、對預浸體30相對較弱地固著之任意材料中加以選擇。存在如上述般於增層110之積層步驟中加熱基底基材100而進行化學或物理處理之情況。就此種觀點而言，理想為即便作為脫模劑層20亦具有耐熱性及耐化學品性，不會容易地變質或因化學品而受到腐蝕。脫模劑層20可利用旋轉塗佈、浸漬塗佈、
噴霧塗佈、印刷等任意方法而形成於板狀載體10上，但並未特別限定於此。
形成脫模劑層20之板狀載體10之上表面可為粗糙面(M面)或光澤面(S面)中之任一者，但與粗糙面相比，理想為設為光澤面。若使用壓延金屬箔、更適宜使用壓延銅箔作為板狀載體，則兩面成為光澤面，故而於板狀載體之兩面形成脫模劑層20之情形時更為理想。藉此，可抑制積層有脫模劑層20之板狀載體10之上表面之粗糙度不均，實現基底基材100之品質穩定化。脫模劑層20之層厚典型為0.001~10μm，適宜為0.001~0.1μm。
(1)矽烷化合物
脫模劑層20之構成材料不應限定於本案中所揭示或目前可獲得者，例如較佳為將下述化學式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨應用或組合複數種應用於脫模劑層20。
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基)
該矽烷化合物必須具有至少一個烷氧基。於不存在烷氧基而僅以選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之
氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基構成取代基之情形時，有脫模劑層20與板狀載體10表面之密接性過度降低之傾向。又，該矽烷化合物必須具有至少一個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基。其原因在於：於不存在該烴基之情形時，有脫模劑層20與板狀載體10表面之密接性上升之傾向。再者，本案發明之烷氧基亦包含一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之烷氧基。
較佳為將板狀載體10與預浸體30(或包含預浸體30之增層110)間之剝離強度調節在下述較佳之範圍內，在此基礎上，該矽烷化合物具有三個烷氧基、一個上述烴基(包含一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之烴基)。若以上述式論述此，則R3及R4兩者為烷氧基。
作為烷氧基並無限定，可列舉：甲氧基、乙氧基、正或異丙氧基、正、異或第三丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷氧基。作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作為烷基並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
作為環烷基並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
作為芳基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例如甲苯
基、二甲苯基)、1-萘基或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基。
該等烴基之一個以上之氫原子可經鹵素原子取代，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳之矽烷化合物之例，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或第三丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；烷基取代苯基三甲氧基矽烷(例如對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或第三丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、烷基取代苯基三乙氧基矽烷(例如對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合物等。該等之中，就易獲得性之觀點而言，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
(2)分子內具有2個以下之巰基之化合物
亦可代替上述矽烷化合物而將分子內具有2個以下之巰基之化合物應用於脫模劑層20。作為該例，可列舉：硫醇、二硫醇、硫羧酸或其鹽、二硫羧酸或其鹽、硫磺酸或其鹽、及二硫磺酸或其鹽，可使用選自該等中之至少一種。
硫醇係分子內具有一個巰基者，例如以R-SH表示。此處，R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇係分子內具有兩個巰基者，例如以R(SH)2表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，兩個巰基可分別與相同之碳鍵結，或亦可相互與不同之碳或氮鍵結。
硫羧酸係有機羧酸之羥基被取代為巰基而成者，例如以R-CO-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫羧酸亦可以鹽之形態使用。再者，亦可使用具有兩個硫羧酸基之化合物。
二硫羧酸係有機羧酸之羧基中之2個氧原子被取代為硫原子而成者，例如以R-(CS)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，二硫羧酸亦可以鹽之形態使用。再者，亦可使用具有兩個二硫羧酸基之化合物。
硫磺酸係有機磺酸之羥基被取代為巰基而成者，例如R(SO2)-SH表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫磺酸亦可以鹽之形態使用。
二硫磺酸係有機二磺酸之兩個羥基被分別取代為巰基而成者，例如以R-((SO2)-SH)2表示。R表示可包含羥基或胺基之脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，兩個硫磺酸基可分別與相同之碳鍵結，或亦可相互與不同之碳鍵結。又，二硫磺酸亦可以鹽之形態使用。
此處，作為R之較佳之脂肪族系烴基，可列舉烷基、環烷基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
又，作為烷基並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
又，作為環烷基並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
又，作為R之較佳之芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例如甲苯基、二甲苯基)、1-萘基或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
又，作為R之較佳之雜環基，可列舉：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
作為分子內具有2個以下之巰基之化合物之較佳例，可列舉：3-巰基-1,2-丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫醇、3-巰基-1,2,4三唑、2-巰基-苯并噻唑。該等之中，就水溶性與廢棄物處理上之觀點而言，較佳為3-巰基-1,2-丙二醇。
(3)金屬烷氧化物
藉由單獨使用或混合使用複數種之具有下述式所示之結構之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、或其水解生成物質、或該水解生成物質之縮合物(以下，僅記作金屬烷氧化物)，將板狀載體10與預浸體30貼合，而可適度地降低密接性，將剝離強度調節在如下述般之範圍內。
(R1)m-M-(R2)n
式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基。再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4。
該金屬烷氧化物必須至少具有一個烷氧基。於不存在烷氧基而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基構成取代基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密接性過度降低之傾向。又，該金屬烷氧化物必須具有0~2個選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基。其原因在於：於具有3個以上該烴基之情形時，有板狀載體與金屬箔表面之密接性過度降低之傾向。再者，本案發明之烷氧基亦包含一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之烷氧基。較佳為將板狀載體10與預浸體30(或包含預浸體30之增層110)之剝離強度調節在下述範圍內，在此基礎上，該金屬烷氧化物具有兩個以上烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之烴基)。
又，作為烷基並無限定，可列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或分支狀之碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5之烷基。
又，作為環烷基並無限定，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7之環烷基。
又，作為R2之較佳之芳香族烴基，可列舉：苯基、經烷基取代之苯基(例如甲苯基、二甲苯基)、1-萘基或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14之芳基，該等烴基亦可包含羥基與胺基中之任一者或兩者。
該等烴基之一個以上之氫原子可經鹵素原子取代，例如可經氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳之鋁酸酯化合物之例，可列舉：三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或第三丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；烷基取代苯基二甲氧基鋁(例如對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、烷基取代苯基二乙氧基鋁(例如對(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、烷基取代苯基二異丙氧基鋁(例如對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、二氯化甲基鋁、氯化二甲基鋁、二氯化苯基鋁、氟化二甲基鋁、溴化二甲基鋁、溴化二苯基鋁、該等之水解產物、及該等
之水解產物之縮合物等。該等之中，就易獲得性之觀點而言，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
作為較佳之鈦酸酯化合物之例，可列舉：四甲氧基鈦、甲基三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或第三丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；烷基取代苯基三甲氧基鈦(例如對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、烷基取代苯基三乙氧基鈦(例如對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、烷基取代苯基三異丙氧基鈦(例如對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鈦、及十三氟辛基三乙氧基鈦、三氯化甲基鈦、二氯化二甲基鈦、氯化三甲基鈦、三氯化苯基鈦、二氟化二甲基鈦、二溴化二甲基鈦、二溴化二苯基鈦、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合物等。該等之中，就易獲得性之觀點而言，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
作為較佳之鋯酸酯化合物之例，可列舉：四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或第三丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三
甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；烷基取代苯基三甲氧基鋯(例如對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、烷基取代苯基三乙氧基鋯(例如對(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三異丙氧基鋯、正、異或第三丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、烷基取代苯基三異丙氧基鋯(例如對(甲基)苯基三異丙氧基鋯)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、及十三氟辛基三乙氧基鋯、三氯化甲基鋯、二氯化二甲基鋯、氯化三甲基鋯、三氯化苯基鋯、二氟化二甲基鋯、二溴化二甲基鋯、二溴化二苯基鋯、該等之水解產物、及該等之水解產物之縮合物等。該等之中，就易獲得性之觀點而言，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
基底基材100可將板狀載體10與預浸體30利用熱壓而密接來製造。例如可藉由於板狀載體10及/或預浸體30之貼合面塗佈處理上述分子內之上述金屬烷氧化物，在此基礎上對板狀載體10熱壓積層B階段之樹脂製之預浸體30，從而進行製造。
金屬烷氧化物可以水溶液之形態使用。為了提高對水之溶解性，亦可添加甲醇或乙醇等醇。醇之添加尤其是於使用疏水性較高之金屬烷氧化物時有效。
金屬烷氧化物於水溶液中之濃度較高有板狀載體10與預浸
體30(或包含預浸體30之增層110)之剝離強度降低之傾向，可藉由調整金屬烷氧化物濃度而調整剝離強度。並無限定，可將金屬烷氧化物於水溶液中之濃度設為0.001~1.0mol/L，典型為可設為0.005~0.2mol/L。
金屬烷氧化物之水溶液之pH值並無特別限制，可利用酸性側亦可利用鹼性側之pH值。例如可以3.0~10.0之範圍內之pH值使用。就無需特別調整pH值之觀點而言，較佳為設為中性附近之5.0~9.0之範圍內之pH值，更佳為設為7.0~9.0之範圍內之pH值。
(4)由樹脂塗膜所構成之脫模材
藉由使用由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜，將板狀載體10與預浸體30貼合，而可適度地降低密接性，將剝離強度調節在如下述般之範圍內。
用以實現此種密接性之剝離強度之調節係如下述般藉由使用由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜而進行。其原因在於：藉由對此種樹脂塗膜進行如下述特定條件之焙燒處理，並使用於板狀載體與金屬箔之間並進行熱壓而貼合，從而可適度地降低密接性，將剝離強度調節在下述範圍內。
作為環氧系樹脂，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、胺型環氧樹脂、可撓性環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、苯氧基樹脂、溴化苯氧基樹脂等。
作為三聚氰胺系樹脂，可列舉：甲醚化三聚氰胺樹脂、丁基化尿素三聚氰胺樹脂、丁基化三聚氰胺樹脂、甲基化三聚氰胺樹脂、丁醇改質三聚氰胺樹脂等。又，三聚氰胺系樹脂亦可為上述樹脂與丁基化尿
素樹脂、丁基化苯并胍胺樹脂等之混合樹脂。
再者，較佳為環氧系樹脂之數量平均分子量為2000~3000，三聚氰胺系樹脂之數量平均分子量為500~1000。藉由具有此種數量平均分子量，可進行樹脂之塗料化並且變得易將樹脂塗膜之接著強度調整在特定範圍內。
又，作為氟樹脂，可列舉：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯等。
作為聚矽氧，可列舉：甲基苯基聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、改質二甲基聚矽氧烷、該等之混合物等。此處，所謂改質，例如可列舉：環氧改質、烷基改質、胺基改質、羧基改質、醇改質、氟改質、烷基芳烷基聚醚改質、環氧聚醚改質、聚醚改質、烷基高級醇酯改質、聚酯改質、醯氧基烷基改質、鹵代烷基醯氧基烷基改質、鹵代烷基改質、胺基二醇改質、巰基改質、含羥基之聚酯改質等。
關於樹脂塗膜，若膜厚過小，則樹脂塗膜過薄而難以形成，故而生產性易降低。又，即便膜厚超過固定之大小，亦未發現樹脂塗膜之剝離性之進一步提高，而易增大樹脂塗膜之製造成本。就此種觀點而言，樹脂塗膜之膜厚較佳為0.1~10μm，進而較佳為0.5~5μm。又，樹脂塗膜之膜厚係藉由於下述程序，以特定塗佈量塗佈樹脂塗料而達成。
於樹脂塗膜中，聚矽氧發揮作為樹脂塗膜之脫模劑之功能。因此，若環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計量過多於聚矽氧，則存在板狀載體10與預浸體30(或包含預浸體30之增層110)之間樹脂塗膜所賦予之剝離強度增大，故而樹脂塗膜之剝離性降低，變得無法利用人工操
作容易地剝離之情況。另一方面，若環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計量過少，則存在上述剝離強度縮小，故而於搬送時或加工時剝離之情況。就該觀點而言，較佳為相對於聚矽氧100質量份，以環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計為10~1500質量份之量包含，進而較佳為以20~800重量份之量包含。
又，氟樹脂與聚矽氧同樣地具有發揮作為脫模劑之功能，提高樹脂塗膜之耐熱性之效果。若氟樹脂過多於聚矽氧，則存在上述剝離強度縮小，故而於搬送時或加工時剝離之情況，此外，下述焙燒步驟中所需之溫度升高，故而變得不經濟。就該觀點而言，較佳為氟樹脂相對於聚矽氧100質量份，較佳為0~50質量份，進而較佳為0~40質量份。
樹脂塗膜含有聚矽氧、及環氧樹脂及/或三聚氰胺樹脂、及視需要之氟樹脂，此外亦可進而含有選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中之1種以上之表面粗化粒子。藉由樹脂塗膜含有表面粗化粒子，樹脂塗膜之表面成為凹凸。藉由該凹凸，塗佈有樹脂塗膜之板狀載體或金屬箔之表面成為凹凸，而成為消光表面。表面粗化粒子之含量只要使樹脂塗膜凹凸化，則並無特別限定，相對於聚矽氧100質量份較佳為1~10質量份。
表面粗化粒子之粒徑較佳為15nm~4μm。此處，粒徑意指根據掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)照片等所測定之平均粒徑(最大粒徑與最小粒徑之平均值)。藉由使表面粗化粒子之粒徑在上述範圍，變得易調整樹脂塗膜之表面之凹凸量，結果易調整板狀載體或金屬箔之表面之凹凸量。具體而言，板狀載體或金屬箔之表面之凹凸量係以JIS標準之最大高度粗糙度Ry計成為4.0μm左右。
此處，針對於基底基材100之製造方法進行說明。基底基材100係經由具有下述步驟之程序而獲得：於塗佈對象物(板狀載體10及預浸體30中之至少一者)之表面塗佈上述樹脂塗膜之步驟；及使該經塗佈之樹脂塗膜硬化之焙燒步驟。以下，對各步驟進行說明。
(塗佈步驟)
塗佈步驟係於塗佈對象物(板狀載體10及預浸體30中之至少一者)塗佈由作為主劑之聚矽氧、作為硬化劑之環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及視需要之作為脫模劑之氟樹脂所構成之樹脂塗料，而形成樹脂塗膜之步驟。樹脂塗料係於醇等有機溶劑溶解有環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、氟樹脂及聚矽氧而成者。又，樹脂塗料中之調配量(添加量)係較佳為相對於聚矽氧100質量份，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂之合計為10~1500質量份。又，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份為0~50質量份。
作為塗佈步驟中之塗佈方法，只要可形成樹脂塗膜則並無特別限定，可使用凹版塗佈法、棒式塗佈法、輥式塗佈法、淋幕式塗佈法、使用靜電塗佈機之方法等，就樹脂塗膜之均勻性、及操作之簡便性之方面而言，較佳為凹版塗佈法。又，作為塗佈量，以使樹脂塗膜成為較佳之膜厚：0.5~5μm之方式，作為樹脂量較佳為1.0~2.0g/m2。
凹版塗佈法係藉由將充滿於輥表面所設置之凹部(微胞)之樹脂塗料轉印至塗佈對象物，而於塗佈對象物之表面形成樹脂塗膜之方法。具體而言，將表面設置有微胞之下側輥之下部浸漬於樹脂塗料中，藉由下側輥之旋轉而使微胞內汲取樹脂塗料。並且，於下側輥與配置於下側輥之上側之上側輥之間配置塗佈對象物，一面利用上側輥將塗佈對象物壓
抵至下側輥一面使下側輥及上側輥旋轉，藉此，搬送塗佈對象物並且將汲取於微胞內之樹脂塗料轉印(塗佈)至塗佈對象物之單面。
又，藉由以與下側輥之表面接觸之方式於塗佈對象物之送入側配置刮刀，而去除於微胞以外之輥表面所汲取之過量之樹脂塗料，從而於塗佈對象物之表面塗佈特定量之樹脂塗料。再者，於微胞之尺度(大小及深度)較大之情形、或樹脂塗料之黏度較高之情形時，形成於塗佈對象物之單面之樹脂塗膜難以變得平滑。因此，亦可於塗佈對象物之送出側配置平滑輥而維持樹脂塗膜之平滑度。
再者，於塗佈對象物之兩面形成樹脂塗膜之情形時，於塗佈對象物之單面形成樹脂塗膜後，翻轉塗佈對象物，再次配置於下側輥與上側輥之間。並且，與上述同樣地將下側輥之微胞內之樹脂塗料轉印(塗佈)至塗佈對象物之背面。
(焙燒步驟)
焙燒步驟係於125~320℃(焙燒溫度)對利用塗佈步驟所形成之樹脂塗膜實施0.5~60秒(焙燒時間)之焙燒處理之步驟。如此，對利用特定調配量之樹脂塗料所形成之樹脂塗膜實施特定條件之焙燒處理，藉此，將由樹脂塗膜所賦予者(例如板狀載體10)與另一者(例如預浸體30)之間之剝離強度控制在特定範圍內。於本發明，焙燒溫度為預浸體30之極限溫度。又，作為焙燒處理所使用之加熱手段，使用先前公知之裝置。
於焙燒成為不充分之條件、例如焙燒溫度未達125℃、或焙燒時間未達0.5秒之情形時，樹脂塗膜成為硬化不足，上述剝離強度超過200gf/cm，剝離性降低。又，於焙燒過度之條件、例如焙燒溫度超過320℃
之情形時，樹脂塗膜劣化，上述剝離強度超過200gf/cm，剝離時之操作性變差。或者存在板狀載體因高溫而變質之情況。又，於焙燒時間超過60秒之情形時，生產性變差。
於基底基材100之製造方法，上述塗佈步驟之樹脂塗料亦可為由作為主劑之聚矽氧、作為硬化劑之環氧樹脂、三聚氰胺系樹脂、作為脫模劑之氟樹脂、及選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中之1種以上表面粗化粒子所構成者。
具體而言，樹脂塗料為於上述聚矽氧添加樹脂溶液進而添加有表面粗化粒子而成者。藉由於樹脂塗料進而添加此種表面粗化粒子，樹脂塗膜之表面成為凹凸，藉由該凹凸而使板狀載體10成為凹凸，成為消光表面。並且，為了獲得具有此種消光表面之板狀載體10，樹脂塗料中之表面粗化粒子之調配量(添加量)較佳為相對於聚矽氧100質量份為1~10質量份。又，表面粗化粒子之粒徑進而較佳為15nm~4μm。
本發明之製造方法係如上所說明般，但於實施本發明時，在不會對上述各步驟造成不良影響之範圍內，亦可於上述各步驟之間或前後包含其他步驟。例如亦可於塗佈步驟前進行清洗板狀載體之表面之清洗步驟。
預浸體30為構成多層印刷配線基板之基礎層之樹脂層之一例。預浸體30為任意基材與任意填充材料之複合體，典型為於使不織布、織物等基材含浸於合成樹脂等填充材料之狀態將填充材料自液體固體化而獲得。預浸體30具有較高絕緣性，並且具有所需之機械強度。作為預浸體30之構成材料之樹脂，例示為酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、天然橡
膠、松脂等，但並不限定於此。於板狀載體10上安裝前之預浸體30較佳為處於B階段之狀態者，藉此，可確保充分之強度。
預浸體30理想為具有較高之玻璃轉移溫度Tg。預浸體30之玻璃轉移溫度Tg例如為120~320℃，較佳為170~240℃。再者，玻璃轉移溫度Tg係指藉由DSC(Differential Scanning Calorimetry，示差掃描熱量測定法)所測定之值。
預浸體30係於板狀載體10上之形成有脫模劑層20之上表面上藉由熱壓處理等進行熱壓接而積層固定。作為熱壓之條件，較佳為於壓力30~40kg/cm2、比預浸體30之玻璃轉移溫度高之溫度進行熱壓。於預浸體30之積層固定時與預浸體30接觸之壓製構件之表面溫度理想為140~320℃。
預浸體30之厚度並無特別限制，係設定為具有可撓性程度之厚度或不具可撓性程度之厚度。但是，理想為在積層增層110之基礎上，預浸體30亦具有機械強度與剛性，故而使其極薄並不適當。又，若預浸體30極厚，則有變得難以產生經由預浸體30之熱傳導，故而熱壓時會於預浸體30之平面內產生不均勻之熱分佈，難以達成充分之熱壓之虞。鑒於該方面，將預浸體30之厚度設為50~900μm，更佳為設為100~400μm。
於增層110之積層步驟，將預浸體30充分固定至板狀載體10上，另一方面，於增層110之積層步驟後確保預浸體30與板狀載體10間之易剝離性，基於該觀點，理想為設定板狀載體10與預浸體30(或包含預浸體30之增層110)間之剝離強度。再者，剝離強度之調節可藉由上述脫模劑層20之材料或厚度之設定而進行調整，又，可藉由板狀載體10或預
浸體30之表面處理而進行調整。
於增層110之積層步驟前之狀態，板狀載體10與預浸體30間之剝離強度典型為10gf/cm以上，較佳為30gf/cm以上，更佳為50gf/cm以上，典型為200gf/cm以下，較佳為150gf/cm以下，更佳為80gf/cm以下。藉由如此般設定板狀載體10與預浸體30間之剝離強度，而可於基底基材100之搬送時等抑制板狀載體10與預浸體30剝離，且可於增層110之積層步驟後確保板狀載體10與包含預浸體30之增層110間之剝離性。再者，板狀載體10與預浸體30間之剝離強度亦可理解為等同於板狀載體10與增層110間之剝離強度者。
板狀載體10與預浸體30間之剝離強度理想為於增層110之積層步驟後亦不會較大變動。藉此，於增層110之積層步驟後，亦可確保無損板狀載體10與包含預浸體30之增層110間之剝離性。
例如於220℃、3小時、6小時或9小時中之至少一條件加熱基底基材100後，板狀載體10與預浸體30間之剝離強度典型為10gf/cm以上，較佳為30gf/cm以上，更佳為50gf/cm以上，典型為200gf/cm以下，較佳為150gf/cm以下，更佳為80gf/cm以下。
針對於220℃之條件加熱基底基材100後之板狀載體10與預浸體30間之剝離強度，就確保增層110之積層數之範圍之觀點而言，較佳為於3小時後及6小時後兩者、或6小時及9小時後兩者剝離強度滿足上述範圍，進而較佳為於3小時、6小時及9小時後之全部之剝離強度均滿足上述範圍。
於本發明中，剝離強度係依據JIS C 6481中所特定之90度
剝離強度測定方法進行測定。
關於先前之CCL(Copper-clad Laminate，銅箔基板)，期待樹脂層與銅箔之剝離強度較高，故而例如將電解銅箔之粗糙面(M面)設為與樹脂層之接著面，並實施粗化處理等表面處理，藉此，可實現提高利用化學及物理定錨效果所得之接著力。又，為了於樹脂層側亦提高與銅箔之接著力，而實施添加各種黏合劑等。如上所述，於本實施形態中，與CCL不同而最終剝離板狀載體10與預浸體30，故而該剝離強度過高並不理想。
為了將板狀載體10與預浸體30間之剝離強度調節在上述較佳之範圍內，若於將貼合面之表面粗糙度以依據JIS B 0601(2001)所測定之板狀載體10之上表面之十點平均粗糙度(Rz jis)表示，則較佳為設為3.5μm以下，進而較佳為設為3.0μm以下。但是，由於無限縮小表面粗糙度成為花費大量時間而導致成本上升之原因，故而較佳為設為0.1μm以上，更佳為設為0.3μm以上。若就調整表面粗糙度之觀點而言，則簡便的是使用板狀載體10之光澤面作為脫模劑層20之積層面。
根據實施形態，亦可不對板狀載體10與預浸體30之各貼合面實施粗化處理等用以提高剝離強度之表面處理。根據實施形態，亦可不於預浸體30中添加用以提高與脫模劑層20之接著力之黏合劑。
增層110中之配線層可使用金屬箔，或亦可使用藉由鍍敷而形成配線層之減成法或全加成法、或者半加成法中之至少一種方法而形成。
所謂減成法，係指藉由蝕刻等而選擇性地去除任意基板、例如覆金屬積層板或配線基板(包含印刷配線板、印刷電路板)上之金屬
箔之無需部分，形成導體圖案之方法。全加成法係指使用無電鍍敷及/或電解鍍敷，而形成經圖案化之導體層之配線層50之方法。半加成法係指例如藉由於由金屬箔所構成之晶種層上併用無電金屬析出與電解鍍敷、蝕刻、或其兩者而形成導體圖案後，蝕刻去除無需之晶種層，從而獲得導體圖案之方法。
作為增層110之構成層，亦可包含1個以上之樹脂、單面或兩面配線基板、單面或兩面覆金屬積層板、附載體之金屬箔、金屬箔、或基底基材100。
可進而包含如下步驟：於單面或兩面配線基板、單面或兩面覆金屬積層板、附載體之金屬箔之金屬箔、附載體之金屬箔之板狀載體或樹脂開孔，對該孔之側面及底面實施導通鍍敷。又，亦可進而包含進行1次以上之下述步驟：對上述構成單面或兩面配線基板之金屬箔、構成單面或兩面覆金屬積層板之金屬箔、及構成附載體之金屬箔之金屬箔之至少一者形成配線。
亦可進而包含如下步驟：於經圖案化之配線層50上密接金屬箔，進而積層附載體之金屬箔之載體側。亦可於經圖案化之配線層50上積層樹脂，進而於該樹脂上密接金屬箔。又，亦可進而包含如下步驟：於形成有配線之表面上積層樹脂，於該樹脂積層兩面密接有金屬箔之附載體之金屬箔。再者，所謂「形成有配線之表面」，意指於進行增層之過程中隨時出現之表面形成有配線之部分，作為增層基板，包含最終製品亦包含該中途所形成者。
再者，附載體之金屬箔係於發揮作為支撐基板之功能之樹
脂製或金屬製之載體上介隔脫模劑層而積層有金屬箔者。於附載體之金屬箔，可剝離地結合載體與金屬箔間而成之脫模劑層可使用與本案所揭示之脫模劑層20相同之材料。
亦可於基底基材100上積層有增層110之狀態切割該積層體150。切割深度無需為將積層體150完全單片化之程度者，亦可為未到達至板狀載體10之程度之深度。於未將積層體150完全單片化之情形時，設置到達或未到達板狀載體10之凹槽。切割所使用之機器不僅限於應用切割刀之類型，可採用焊線、雷射等任意方法。
較佳為於上述切割步驟後剝離板狀載體10與預浸體30而分離。於板狀載體10藉由切割而未單片化之情形時，可自共用之板狀載體10獲得複數個經單片化之多層印刷配線基板。
於增層110內之絕緣層40與配線層50彼此亦可藉由熱壓接而積層。該熱壓接可一層一層地進行積層，或亦可先一定程度地積層再一併地進行，亦可最後一次地一併進行。
為了確保增層110內之配線層50彼此或增層110內之配線層50與外部配線間之電性導通，亦可對增層110形成通孔配線(層間配線)，該步驟可於基底基材100上形成增層110之過程中進行，或亦可於基底基材100上積層特定積層數之增層110後進行。可於基底基材100上積層有增層110之狀態形成通孔配線，或亦可於將基底基材100之板狀載體10自增層110剝離後形成通孔配線。例如於基底基材100上形成有下部配線層50、中間絕緣層40、及上部配線層50之狀態下形成貫通上部配線層50與中間絕緣層40而到達下部配線層50之通孔，於該通孔藉由沈積等而設置導電材
料，藉此，確保下部配線層50與上部配線層50間之電性導通。通孔之形成可採用機械切削或雷射加工等任意方法。通孔所貫通之絕緣層40之層數為任意，亦可為2層以上。導電材料於通孔中之填充亦可應用電解鍍敷。
參照圖2及圖3對多層印刷配線基板之製造方法進行說明。首先，準備圖1所示之基底基材100。基底基材100本身之製造方法如上所述，例如於板狀載體10上成膜脫模劑層20，其後，介隔脫模劑層20而將預浸體30安裝於板狀載體10上，自上方進行加熱按壓，獲得介隔脫模劑層20而於板狀載體10上積層有預浸體30之基底基材100。脫模劑層20係遍及板狀載體10之上表面之整個範圍以固定之層厚而形成。預浸體30係於脫模劑層20之上表面於平面內均勻充分地密接。
繼而，如圖2所示意性地表示般，於基底基材100上積層增層110。例如交替積層絕緣層40與配線層50。由絕緣層40與配線層50之組合所構成之積層單位個數典型為1個以上，亦可為2個以上、3個以上、4個以上。因積層單位個數之增加而變得難以維持多層印刷配線基板之層間位置之精度。於本實施形態，將成為多層印刷配線基板之最底層之預浸體30預先穩定地固定於基底基材100上，而可於該預浸體30上穩定地積層增層110。
於省略基底基材100之預浸體30之狀態提供至顧客方，顧客方於將預浸體30熱壓接而積層固定、形成增層110之情形時，需要用以另外保護脫模劑層20之構件，亦依據與該構件之關係，有可能存在必須選定脫模劑層20之厚度或材料之情況。於本實施形態，將作為增層110之最底層之預浸體30積層於脫模劑層20上，而可避免產生如上述般之問題。
配線層50非限定而言為金屬箔或經圖案化之金屬箔，適宜為銅箔或經圖案化之銅箔。亦可應用通常之半導體製程技術而形成配線層50。關於配線層50，並非特別意於限定，典型為藉由應用光微影技術，而將利用以CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)為代表之蒸鍍等所形成之實體配線層圖案化而形成。無需將配線層50圖案化，亦可將配線層50設為實體配線層。針對於利用圖案化之配線層之去除部分，亦存在絕緣層40接觸預浸體30之情況。亦可應用脫膜(lift off)技術而進行圖案化。
絕緣層40非限定而言為樹脂層或設置有通孔配線(層間配線)之樹脂層，典型為可例示熱硬化性樹脂或感光性樹脂。又，絕緣層40亦可為藉由玻璃纖維或無機填充物而加強之預浸體。絕緣層40之構成樹脂較佳為自與預浸體相同或類似特性之材料中選定。亦可應用以模具塗佈機為代表之任意種類之塗佈裝置而成膜。亦可應用通常之半導體製程技術代替其或與其併用，而形成配線層50。關於絕緣層40，並非特別意於限定，典型為藉由以CVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)為代表之蒸鍍等而成膜絕緣材料而成，視需要設置導電性通孔用以確保上下之配線層50間之電性連接。導電性通孔組入於絕緣層40中之方法為任意。可例示如下方法：於沈積在配線層50上之絕緣層40上形成具有開口之掩膜(mask)層，經由掩膜層進行蝕刻處理，在與掩膜層之開口所對應之範圍去除絕緣層40，其後，在去除絕緣層40之範圍填充導電性材料。
配線層50例如係由銅、鋁、多晶矽等導電性材料構成。絕
緣層40係由二氧化矽等絕緣材料構成。組入於絕緣層40中之通孔係由銅、鋁、多晶矽等導電性材料構成。絕緣層40之構成樹脂較佳為自與預浸體30相同或類似特性之材料中選定。
繼而，如圖3所示意性地表示般，將板狀載體10上殘存有脫模劑層20之積層體120與增層110分離。如此，可製造多層印刷配線基板。再者，亦可藉由將積層體120與增層110利用人工操作剝離而將兩者分離，亦可應用機器手等而將兩者分離。
亦可於圖3所示之分離步驟後，於積層體120上熱壓另一新的預浸體30，藉此，製造圖1所示之基底基材100。其後，亦可利用與上述說明相同之方式，如圖2所示般地積層增層110，如圖3所示般地分離積層體120與增層110。
以下，對進一步之例示形態進行說明。亦可於上述基底基材100上，依順序積層所需片數之預浸體、繼而稱作「內層芯」之2層覆金屬積層板、繼而預浸體、進而「附載體之金屬箔」，將該積層單元之單位(通稱為「頁(page)」)反覆積層10次左右，而構成壓製組裝物(通稱為冊「(book)」)。其後，將該冊夾持於一組平板之間並置於熱壓機，於特定之溫度及壓力進行加壓成型，藉此，可同時製造多個4層覆金屬積層板。作為平板，例如可使用不鏽鋼製平板。平板並無限定，例如可使用1~10mm左右之厚板。針對於4層以上之覆金屬積層板，通常藉由增加內層芯之層數而亦可利用同樣之步驟進行生產。
亦可包含視需要對構成配線層50之金屬箔之整個面進行半蝕刻而調整厚度之步驟。於構成配線層50之金屬箔之特定位置實施雷射加
工，形成貫通金屬箔與樹脂之通孔，並實施去除通孔中之膠渣之除膠渣處理，其後對通孔底部、側面及金屬箔之整個面或一部分實施無電鍍敷，形成層間連接，視需要亦可進而進行電解鍍敷。亦可於金屬箔上之無需無電鍍敷或電解鍍敷之部分在實施各鍍敷前預先形成鍍敷阻劑。又，於無電鍍敷、電解鍍敷、鍍敷阻劑與金屬箔之密接性不充分之情形時，亦可預先對金屬箔之表面進行化學粗化。於使用鍍敷阻劑之情形時，於鍍敷後去除鍍敷阻劑。繼而，藉由蝕刻而去除金屬箔及無電鍍敷部、電解鍍敷部之無需部分，藉此形成電路。如此，可製造增層基板。亦可反覆進行複數次自樹脂、銅箔之積層至電路形成之步驟，而製成更多層之增層基板。
亦可於增層110之最上層設置於樹脂製之載體基板之單面密接有金屬箔之附載體之金屬箔。可將附載體之金屬箔之載體基板設為較金屬箔之更下層，亦可反之。亦可於增層110之樹脂層上設置於樹脂製之載體基板之兩面密接有金屬箔之附載體之金屬箔。
亦可於增層110之最上層積層其他基底基材100。
適宜為作為增層110之絕緣層40，較佳為使用含有熱硬化性樹脂之預浸體。
適宜為絕緣層40為樹脂層、例如預浸體或感光性樹脂。於使用預浸體作為絕緣層40之情形時，亦可藉由雷射加工而對預浸體設置通孔。雷射加工後，較佳為實施去除該通孔中之膠渣之除膠渣處理。又，於使用感光性樹脂作為樹脂之情形時，可藉由光微影法而對通孔去除形成部之樹脂。繼而，對通孔底部、側面及樹脂之整個面或一部分實施無電鍍敷而形成層間連接，視需要進而進行電解鍍敷。亦可對樹脂上之無需無電鍍
敷或電解鍍敷之部分在進行各鍍敷前預先形成鍍敷阻劑。又，於無電鍍敷、電解鍍敷、鍍敷阻劑與樹脂之密接性不充分之情形時，亦可預先對樹脂表面進行化學粗化。於使用鍍敷阻劑之情形時，鍍敷後去除鍍敷阻劑。繼而，藉由利用蝕刻而去除無電鍍敷部或電解鍍敷部之無需部分，從而形成電路。
<第2實施形態>
參照圖4及圖5對第2實施形態進行說明。圖4為基底基材之概略截面圖。圖5係表示於基底基材之兩面上積層有增層之狀態之概略截面圖。於本實施形態中，如圖4所示，亦於板狀載體10之下表面上依順序積層脫模劑層20、預浸體30。即便於此種情形時亦可獲得與第1實施形態相同之效果。於本構成之情形時，如圖5所示意性地表示般，可於板狀載體10之兩面積層增層110，可有效地提高基底基材100之利用效率，結果可提高多層印刷配線基板之製造效率。
再者，貼附於板狀載體10之兩面之脫模劑層20之厚度可相同或亦可不同。該方面針對於配置在板狀載體10之上層及下層之預浸體30亦相同。針對於形成在基底基材100之上層及下層之增層110之構成亦相同。
<關於有用之積層體>
根據上述說明所明瞭般，本案中亦揭示有使用於上述基底基材之製造之積層體，詳細而言為如下所述者。
一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產
物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，R3及R4分別獨立為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基)。
一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以
下之整數，R1中之至少一者為烷氧基。再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
-實施例-
<實驗例1>
準備壓延銅箔(厚度70μm)，對其兩面實施根據下述條件之鎳-鋅(Ni-Zn)合金鍍敷處理及鉻酸鹽(Cr-Zn鉻酸鹽)處理，將兩面之十點平均粗糙度(Rz jis：依據JIS B 0601(2001)進行測定)設為1.5μm。
(鎳-鋅合金鍍敷)
Ni濃度 17g/L(以NiSO4添加)
Zn濃度 4g/L(以ZnSO4添加)
pH值 3.1
液體溫度 40℃
電流密度 0.1~10A/dm2
鍍敷時間 0.1~10秒
(鉻酸鹽處理)
Cr濃度 1.4g/L(以CrO3或K2CrO7添加)
Zn濃度 0.01~1.0g/L(以ZnSO4添加)
Na2SO4濃度 10g/L
pH值 4.8
液體溫度 55℃
電流密度 0.1~10A/dm2
鍍敷時間 0.1~10秒
關於脫模劑對該銅箔表面之處理，先使用噴塗機塗佈脫模劑之水溶液再於100℃之空氣中對銅箔表面進行乾燥。針對於脫模劑之使用條件，表1中表示脫模劑之種類、將脫模劑溶解於水中至塗佈前之攪拌時間、水溶液中之脫模劑之濃度、水溶液中之醇濃度、水溶液之pH值。
於以此種方式所獲得之附脫模劑層之銅箔之兩面藉由熱壓而將厚度200μm之預浸體(南亞塑膠公司製造，FR-4 Prepreg)積層，獲得基底基材。將熱壓條件設為壓力30kg/mm2、溫度170℃、保持時間100分鐘。
繼而，於基底基材之兩面藉由熱壓而將作為絕緣層之預浸體(南亞塑膠公司製造，FR-4 Prepreg，厚度62μm)與作為配線層之預銅箔(JX Nippon Mining & Metals股份有限公司製造，JTC(製品名)，厚度12μm)積層，形成增層。熱壓條件與上述獲得基底基材時相同。假設對如此所獲得之由基底基材與增層所構成之積層體於形成增層等進一步之加熱處理時施加熱歷程，而實施表1中所記載之條件(此處係於220℃進行3小時)之熱處理。對所獲得之積層體、及進而進行熱處理後之積層體中之基底基材與增層之絕緣層之界面之剝離強度進行測定。將各結果示於表1。
<實驗例2~11>
使用表1所示之銅箔、樹脂(預浸體)及脫模劑，利用與實驗例1相
同之程序製作由基底基材與增層所構成之積層體。對各積層體實施與實驗例1相同之評價。將結果示於表1。
又，實驗例11中之脫模材樹脂塗膜於該S面上之形成係藉由凹版塗佈法塗佈具有表1所示之組成之樹脂塗膜用之組成物後，使用刮刀將其厚度調節為2~4μm。又，將所塗佈之樹脂塗膜於150℃加熱30秒，進行焙燒處理。再者，使用雙酚A型環氧樹脂作為表1所示之環氧系樹脂，使用甲醚化三聚氰胺樹脂作為三聚氰胺系樹脂，使用聚四氟乙烯作為氟樹脂，使用二甲基聚矽氧烷作為二甲基聚矽氧樹脂。
再者，銅箔之脫模劑處理面之類別、表面處理之條件及表面粗糙度Rz jis、脫模劑之使用條件、預浸體之種類、以及銅箔與預浸體之積層條件係如表1所示般。
如表1所示，實施例1~11中可獲得良好之結果。實施例1~8、10中可獲得更好之結果。實施例1、2、5~7中可獲得特別好之結果。再者，於剝離操作性之評價中，將作為樹脂層之脫模劑層未被破壞且可自基底基材100剝離增層110者表示為「G」。將雖脫模劑層未被破壞且可自基底基材100剝離增層110但以10次中4次以上之機率無剝離操作而剝離者表示為「-」。將脫模劑層被破壞或無法自基底基材100剝離增層110者表示為「N」。
(實施例12)
於與實施例1~11相同之基底基材之兩側依順序重疊FR-4 Prepreg(南亞塑膠公司製造)、銅箔(JX Nippon Mining & Metals股份有限公司製造，JTC 12μm(製品名))，以3MPa之壓力於特定之加熱條件進行熱壓，製作4
層覆銅積層板。
繼而，使用雷射加工機，開出貫通上述4層覆銅積層板表面之銅箔與其下方之絕緣層(經硬化之預浸體)之直徑100μm之孔。繼而，於上述孔之底部所露出之附載體之銅箔上之銅箔表面與上述孔之側面、上述4層覆銅積層板表面之銅箔上藉由無電鍍銅、電鍍銅進行鍍銅，從而於附載體之銅箔上之銅箔與4層覆銅積層板表面之銅箔之間形成電性連接。繼而，使用氯化鐵系之蝕刻液對4層覆銅積層板表面之銅箔之一部分進行蝕刻，而形成電路。如此，獲得4層增層基板。
繼而，於上述4層增層基板，剝離上述基底基材之板狀載體與其兩面之預浸體而分離，藉此，獲得2組2層增層配線板。剝離亦可良好地進行。
根據上述揭示內容，本領域人員可對各實施形態進行各種變更。板狀載體之主面典型為其上表面或下表面。
表1
10‧‧‧板狀載體
20‧‧‧脫模劑層
30‧‧‧預浸體
100‧‧‧基底基材
Claims (37)
- 一種多層印刷配線基板之製造方法，其包含：第1步驟，其係準備於金屬製之板狀載體之至少一主面上介隔脫模劑層而積層有樹脂層之基底基材；及第2步驟，其係於上述基底基材之上述樹脂層上積層1層以上之增層，且於220℃進行3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後之上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述板狀載體之基板厚度為5μm以上1600μm以下。
- 如申請專利範圍第1項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第2項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其進而包含第3步驟，其係將積層有上述增層之上述樹脂層與上述板狀載體分離。
- 如申請專利範圍第5項之多層印刷配線基板之製造方法，其係將上述樹脂層設為第1樹脂層，並進而包含第4步驟，其係於藉由上述第3步驟所獲得之上述多層印刷配線基板上積層與上述第1樹脂層不同之第2樹脂層、及進一步增層。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法， 其中上述樹脂層為預浸體。
- 如申請專利範圍第7項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述樹脂層具有120~320℃之玻璃轉移溫度Tg。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述增層包含1層以上之絕緣層與1層以上之配線層。
- 如申請專利範圍第9項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述增層所包含之1層以上之配線層為經圖案化或未經圖案化之金屬箔。
- 如申請專利範圍第9項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述增層所包含之1層以上之絕緣層為預浸體。
- 如申請專利範圍第9項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述增層包含單面或兩面覆金屬積層板。
- 如申請專利範圍第9項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述增層係使用減成法或全加成法、或者半加成法中之至少一種方法而形成。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其進而包含第5步驟，其係對在上述基底基材上積層有上述增層之積層體實施切割處理。
- 如申請專利範圍第14項之多層印刷配線基板之製造方法，其中藉由上述切割處理，而於在上述基底基材上積層有上述增層之上述積層體形成1個以上之凹槽，可藉由該凹槽而將上述增層單片化。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其進而包含第6步驟，其係對上述增層所包含之1層以上之絕緣層形成通孔配線。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以 上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法，其中上述配線層係由銅或銅合金構成。
- 一種多層印刷配線基板，其係藉由申請專利範圍第1至4項中任一項之多層印刷配線基板之製造方法而製造。
- 一種基底基材，其係用於多層印刷配線基板之製造方法者，並具備金屬製之板狀載體、形成於上述板狀載體之至少一主面上之脫模劑層、及介隔上述脫模劑層而積層於上述板狀載體上之樹脂層，上述樹脂層與上述板狀載體可剝離，且於220℃進行3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後之上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第24項之基底基材，其中上述板狀載體之基板厚度為5μm以上1600μm以下。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述樹脂層係由預浸體構成。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n (式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
- 如申請專利範圍第24或25項之基底基材，其中脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
- 一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之矽烷化合物、其水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，
- 一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者， 上述脫模劑層係使用分子內具有2個以下之巰基之化合物而成，且介隔上述脫模劑層而於上述板狀載體上積層有至少一層樹脂層，並於220℃進行3小時、6小時或9小時中之至少一種加熱後之上述板狀載體與上述樹脂層間之剝離強度為10gf/cm以上200gf/cm以下。
- 一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係將下述式所示之鋁酸酯化合物、鈦酸酯化合物、鋯酸酯化合物、該等之水解產物、該水解產物之縮合物單獨使用或組合使用複數種而成，(R1)m-M-(R2)n(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成之群中之烴基、或者一個以上之氫原子被取代為鹵素原子之該等任一烴基，M為Al、Ti、Zr中之任一者，n為0、1或2，m為1以上M之價數以下之整數，R1中之至少一者為烷氧基；再者，m+n為M之價數、即於Al之情形時為3，於Ti、Zr之情形時為4)。
- 一種積層體，其係於金屬製之板狀載體之至少一主面上積層有脫模劑層者，上述脫模劑層係由聚矽氧與選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中之任一種或複數種樹脂所構成之樹脂塗膜。
- 如申請專利範圍第33至36項中任一項之積層體，其中上述板狀載體係由銅或銅合金構成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012222585 | 2012-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201436686A TW201436686A (zh) | 2014-09-16 |
| TWI571193B true TWI571193B (zh) | 2017-02-11 |
Family
ID=50435129
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105144127A TWI631883B (zh) | 2012-10-04 | 2013-10-04 | Method for manufacturing multilayer printed wiring substrate and base substrate |
| TW102135979A TWI571193B (zh) | 2012-10-04 | 2013-10-04 | Method for manufacturing multilayer printed wiring board and base substrate |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105144127A TWI631883B (zh) | 2012-10-04 | 2013-10-04 | Method for manufacturing multilayer printed wiring substrate and base substrate |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6393619B2 (zh) |
| KR (2) | KR101980993B1 (zh) |
| CN (1) | CN104685980B (zh) |
| TW (2) | TWI631883B (zh) |
| WO (1) | WO2014054811A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5826322B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-12-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ用回路形成基板、半導体パッケージ及びプリント配線板の製造方法 |
| JP6438370B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2018-12-12 | Ｊｘ金属株式会社 | プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 |
| JP6605271B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-11-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 離型層付き電解銅箔、積層体、半導体パッケージの製造方法、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI625229B (zh) * | 2015-09-24 | 2018-06-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Metal foil, metal foil with release layer, laminate, printed wiring board, semiconductor package, electronic device, and printed wiring board manufacturing method |
| JP6588290B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2019-10-09 | Ｊｘ金属株式会社 | 離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器、積層体の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| TW201811557A (zh) * | 2016-06-21 | 2018-04-01 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 |
| CN109691246B (zh) | 2016-10-06 | 2022-02-25 | 三井金属矿业株式会社 | 多层布线板的制造方法 |
| WO2018066113A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
| KR102444584B1 (ko) | 2016-11-28 | 2022-09-20 | 미쓰이금속광업주식회사 | 점착 시트 및 그 박리 방법 |
| JP2018171899A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 離型層付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| US10669033B2 (en) * | 2017-12-21 | 2020-06-02 | The Boeing Company | Integrated lightning protection and electrical de-icing for aerodynamic structures |
| CN108718485B (zh) * | 2018-06-07 | 2021-02-02 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 一种制造细线厚铜双面fpc的半加成法技术 |
| JP7265560B2 (ja) * | 2018-11-01 | 2023-04-26 | 株式会社カネカ | 積層体およびその製造方法、ならびにプリント配線板の製造方法 |
| CN110785015A (zh) * | 2018-12-10 | 2020-02-11 | 广州方邦电子股份有限公司 | 一种复合金属箔 |
| CN114864799B (zh) * | 2021-02-04 | 2025-02-14 | 欣兴电子股份有限公司 | 封装结构及其制作方法 |
| TWI759095B (zh) * | 2021-02-04 | 2022-03-21 | 欣興電子股份有限公司 | 封裝結構及其製作方法 |
| KR20230046855A (ko) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 롯데에너지머티리얼즈 주식회사 | 미세 홀 가공이 용이한 캐리어박 부착 극박동박, 및 이를 포함하는 동박 적층판, 그의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW592948B (en) * | 2000-03-03 | 2004-06-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Metal foil with carrier foil and its manufacturing method |
| TW201101441A (en) * | 2009-06-23 | 2011-01-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Package substrate and base therefor and fabrication method thereof |
| US20110018123A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122644A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 電気用積層板 |
| JP3612594B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-01-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 樹脂付複合箔およびその製造方法並びに該複合箔を用いた多層銅張り積層板および多層プリント配線板の製造方法 |
| JP3306404B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2002-07-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
| JP2002292788A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Nippon Denkai Kk | 複合銅箔及び該複合銅箔の製造方法 |
| JP4582436B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2010-11-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 水溶性樹脂キャリア付銅箔及び該銅箔を使用したプリント基板 |
| JP3973197B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2007-09-12 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア箔付電解銅箔及びその製造方法 |
| US6596829B1 (en) * | 2002-01-29 | 2003-07-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluoropolymers and processes therefor and therewith |
| JP2004169181A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Furukawa Techno Research Kk | キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 |
| JP4273895B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2009-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
| KR100632206B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2006-10-09 | 도레이새한 주식회사 | 실리콘 이형 폴리에스테르 필름 |
| JP2006103189A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Furukawa Circuit Foil Kk | 表面処理銅箔並びに回路基板 |
| TW200804626A (en) * | 2006-05-19 | 2008-01-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Copper foil provided with carrier sheet, method for fabricating copper foil provided with carrier sheet, surface-treated copper foil provided with carrier sheet, and copper-clad laminate using the surface-treated copper foil provided with carrier she |
| JP5410660B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2014-02-05 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置及びその製造方法 |
| JP2009256125A (ja) | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Shoda Techtron Corp | 板ガラスの加工方法 |
| JP4805304B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-11-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリヤー付き金属箔及び多層コアレス回路基板の製造方法 |
| KR20100043547A (ko) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 삼성전기주식회사 | 필드 비아 패드를 갖는 코어리스 기판 및 그 제조방법 |
| JP5135319B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2013-02-06 | 日東電工株式会社 | 積層体およびその用途と製造方法 |
| KR20110051005A (ko) * | 2009-11-09 | 2011-05-17 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| TW201235402A (en) * | 2011-01-07 | 2012-09-01 | Ajinomoto Kk | Resin composition for release film |
| WO2012101984A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 住友ベークライト株式会社 | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
| TWI413475B (zh) * | 2011-03-09 | 2013-10-21 | Subtron Technology Co Ltd | 電氣結構製程及電氣結構 |
| KR102084292B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2020-03-03 | 제이엑스금속주식회사 | 다층 프린트 배선판의 제조 방법 |
| WO2014046259A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
-
2013
- 2013-10-04 TW TW105144127A patent/TWI631883B/zh active
- 2013-10-04 KR KR1020177026247A patent/KR101980993B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-04 KR KR1020157010368A patent/KR20150059781A/ko active Application Filing
- 2013-10-04 TW TW102135979A patent/TWI571193B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-10-04 CN CN201380051997.7A patent/CN104685980B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-04 WO PCT/JP2013/077182 patent/WO2014054811A1/ja active Application Filing
- 2013-10-04 JP JP2014539856A patent/JP6393619B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW592948B (en) * | 2000-03-03 | 2004-06-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Metal foil with carrier foil and its manufacturing method |
| TW201101441A (en) * | 2009-06-23 | 2011-01-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Package substrate and base therefor and fabrication method thereof |
| US20110018123A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150059781A (ko) | 2015-06-02 |
| KR101980993B1 (ko) | 2019-05-21 |
| TW201436686A (zh) | 2014-09-16 |
| WO2014054811A1 (ja) | 2014-04-10 |
| TWI631883B (zh) | 2018-08-01 |
| JP6393619B2 (ja) | 2018-09-19 |
| TW201717724A (zh) | 2017-05-16 |
| CN104685980B (zh) | 2018-11-23 |
| CN104685980A (zh) | 2015-06-03 |
| JPWO2014054811A1 (ja) | 2016-08-25 |
| KR20170109684A (ko) | 2017-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI571193B (zh) | Method for manufacturing multilayer printed wiring board and base substrate | |
| TWI569953B (zh) | Attached metal foil | |
| TWI551436B (zh) | A carrier metal foil, a laminate made of a resin-made plate-like carrier and a metal foil, and the like | |
| KR101902128B1 (ko) | 표면 처리 동박, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기, 반도체 패키지용 회로 형성 기판, 반도체 패키지 및 프린트 배선판의 제조 방법 | |
| KR20170143466A (ko) | 이형층 부착 구리박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 | |
| JP5887420B2 (ja) | キャリア付金属箔 | |
| TWI576034B (zh) | Method for manufacturing multilayer printed wiring board and base substrate | |
| TW201420332A (zh) | 附載體金屬箔 | |
| JP6266965B2 (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 | |
| JP6327840B2 (ja) | 熱硬化性樹脂と離型剤とを含む樹脂組成物 | |
| TW201718257A (zh) | 金屬箔、附脫模層之金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板之製造方法 | |
| JP6306865B2 (ja) | 樹脂基板を互いに剥離可能に密着させた積層体 | |
| JP2018171899A (ja) | 離型層付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
| TW201841743A (zh) | 附脫模層銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |