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TWI559521B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI559521B
TWI559521B TW100136832A TW100136832A TWI559521B TW I559521 B TWI559521 B TW I559521B TW 100136832 A TW100136832 A TW 100136832A TW 100136832 A TW100136832 A TW 100136832A TW I559521 B TWI559521 B TW I559521B
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TW
Taiwan
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electrode
layer
pad
protruding
capacitor
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Application number
TW100136832A
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English (en)
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TW201225281A (en
Inventor
李律圭
柳春基
朴鮮
朴鍾賢
金廣海
Original Assignee
三星顯示器有限公司
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Publication date
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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法 相關申請案的交互參照
本申請案主張享有美國專利法35 U.S.C第119條的利益皆來自於結合於西元2010年12月2日在韓國智慧財產局申請，案號為No.10-2010-0122091之韓國專利申請案所揭露內容之效益。
本發明是有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，特別是一種在製造時可減少遮罩使用數量之有機發光顯示裝置及其製造方法，且在銲墊區域中塗佈有機層之缺陷能被校正。
有機發光顯示裝置係製造於包含薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)之圖樣、電容、連接薄膜電晶體與電容之接線形成於其上之基板上。
一般而言，係經由利用遮罩上之微細結構圖樣被印刷而使包含薄膜電晶體等之微細結構圖樣被轉移到陣列基板上，以使有機發光顯示裝置製造於其上之基板可被圖樣化。
使用遮罩之圖樣轉移通常係使用光蝕刻法。依照光蝕刻法， 光阻劑係平均地施加在圖樣形成之基板上。光阻劑係由使用例如步進機之光蝕刻裝置而暴露於光下，且顯影感光光阻劑(在正光阻的情況下)。進一步的說，在光阻劑被顯影後，剩餘的光阻劑係使用作為蝕刻圖樣的遮罩，且接著移除剩餘的光阻劑。
在使用遮罩轉移圖樣的程序中，如上所述，準備具有所需圖樣的遮罩是必須的，且因此組裝遮罩的成本隨著越多的使用遮罩之操作而增加。因此，為了解決此問題，需要能夠減少遮罩使用數量的構造。
形成作用為像素定義層，且具有3μm以上之大厚度以避免形成分離間隔之有機層的方案是被考慮作為一個減少遮罩使用數量的方法。然而在此方案中，厚有機層的壓力增加以使塗佈不能適當地執行，特別是在有機層末端部分之銲墊區域，因而造成提升現象。因此，需要減少遮罩的使用數量以避免因有機層塗佈之缺陷造成的問題。
本發明係提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中圖樣化製程中使用的遮罩數目可降低並且可解決銲墊區域中有機層塗佈缺陷的問題。
根據本發明之一態様，有機發光顯示裝置包含：包含有機發光元件、薄膜電晶體(TFT)、及電容之發光區域、以及連接發光區域之接線的銲墊區域之非發光區域。銲墊區域包含形成於基板以突出之附數個突出部分、包含銲墊下電極與銲墊上電極之銲墊電極，銲墊下電極包含沿著該突出層之突出輪廓形成之突出部分與沿著基板形成之平坦部分，而且銲墊上電極係形成於銲墊下電極之平坦部分上。銲墊區域更包含形成於銲墊上電極上之源極/汲極電極層、形成於源極/汲極電極層上之有機層、以 及形成於銲墊下電極之突出部分以及有機層上之反電極層，反電極層係於突出部分上按突出層之突出輪廓而形成。
緩衝層可形成於基板及突出層之間。
閘極絕緣層可形成於突出層與銲墊下電極之間，且層間絕緣層可形成於銲墊上電極與源極/汲極電極層之間。
有機層可形成以覆蓋源極/汲極電極層與銲墊上電極。
有機層可形成以暴露源極/汲極電極層與銲墊上電極，且反電極層可形成以接觸源極/汲極電極層與銲墊上電極之暴露部分。
薄膜電晶體可包含與突出層形成於同一層之主動層、與銲墊電極形成於同一層之閘極電極、以及與源極/汲極電極層形成於同一層之源極/汲極電極。
有機發光元件可包含與銲墊電極形成於同一層之像素電極、與反電極層形成於同一層之反電極、以及插設於像素電極與反電極之間之發光層。
電容可包含與突出層形成於同一層之電容下電極、與銲墊電極形成於同一層之電容上電極、以及插設於電容下電極與電容上電極間之閘極絕緣層。
根據本發明之另一態様，一種有機發光顯示裝置之製造方法包含：形成薄膜電晶體之主動層、電容之電容下電極、以及之銲墊區域之突出層於基板上；形成薄膜電晶體之閘極電極於主動層上、有機發光元件之像素電極於基板上、電容之電容上電極於電容下電極上、以及銲墊區域之銲墊電極於突出層上；形成包含複數個孔道以分別地暴露部分主動層、像素電極、以及電容上電極之層間絕緣層，層間絕緣層同時形成於銲墊區 域之銲墊電極上；形成接觸主動層及像素電極之暴露部分之源極/汲極電極、以及形成設置於銲墊電極與層間絕緣層上之源極/汲極電極層；形成暴露部分像素電極，且覆蓋薄膜電晶體之源極/汲極電極、電容之電容上電極、以及銲墊區域之源極/汲極電極層之有機層；形成接觸像素電極之暴露部分之發光層；以及形成反電極於有機層以面對像素電極，且發光層係插設於反電極與像素電極之間，並且沿著銲墊區域中之突出層之突出輪廓形成反電極層。
製造方法可更包含形成緩衝層於基板上。
製造方法可更包含形成閘極絕緣層於主動層、電容下電極、以及突出層上。
銲墊電極可包含銲墊下電極以及銲墊上電極，銲墊下電極係包含沿著突出層之突出輪廓形成之突出部分與沿著基板形成之平坦部分，且銲墊上電極係形成於銲墊下電極之平坦部分上。
有機層可形成以覆蓋源極/汲極電極層與銲墊上電極。
有機層可形成以暴露部分源極/汲極電極層與銲墊上電極，並且反電極層可形成以接觸源極/汲極電極層與銲墊上電極之暴露部分。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧第一基板
101‧‧‧像素區域
102‧‧‧通道區域
103‧‧‧儲存區域
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧緩衝層
14‧‧‧密封件
15‧‧‧閘極絕緣層
17‧‧‧第一導電層
19‧‧‧第二導電層
20‧‧‧閘極電極
21‧‧‧主動層
21a‧‧‧源極區域
21b‧‧‧汲極區域
23‧‧‧閘極下電極
25‧‧‧閘極上電極
27‧‧‧源極電極
29‧‧‧汲極電極
30、40‧‧‧電極圖樣
31‧‧‧像素電極
33‧‧‧發光層
35‧‧‧反電極
41‧‧‧電容下電極
43‧‧‧電容上電極
51‧‧‧層間絕緣層
53‧‧‧第三導電層
55‧‧‧有機層
60‧‧‧銲墊電極
61‧‧‧突出層
61a、61b、61c‧‧‧突出部分
62‧‧‧銲墊下電極
63‧‧‧銲墊上電極
64‧‧‧反電極層
65‧‧‧源極/汲極電極層
Cst‧‧‧電容
EL‧‧‧有機發光元件
DA‧‧‧發光區域
H1、H2、H3、H4、H5、H6‧‧‧孔洞
NDA‧‧‧非發光區域
PA‧‧‧銲墊區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體
本發明之更完整評價及其許多伴隨的優點將由參照以下詳細的說明並考慮配合附圖而顯而易見的變為更好理解，而相似的參考符號表示相同或相似的元件，其中：第1圖 係為描述依照本發明一例示性實施例中，有機發光顯示裝置之平面圖； 第2圖 係為第1圖中部分有機發光顯示裝置之橫截面示意圖；第3A至3J圖 係為描述依照本發明一例示性實施例中，第2圖中顯示之有機發光顯示裝置之製造方式之橫截面示意圖；以及第4圖 係為第2圖中顯示之有機發光顯示裝置之平面面圖。
以下將參照相關圖式，以詳細描述本發明之例示性實施例。
在整份說明中，相似之參考符號表示相似的元件，當已知的功能及配置可能不必要地掩蓋本發明標的物時，其詳細敘述將被省略。
在敘述本發明一實施例之圖式中，層及區域的厚度被放大以清楚表示。可被理解的是，當例如層、薄膜、區域或基板的元件被稱為是在另一元件“上”時，該元件可為“直接”在另一元件上，或可能具有中介元件。
第1圖係為示意顯示依照本發明一例示性實施例中，有機發光顯示裝置構造之平面示意圖；以及第2圖係為示意顯示在第1圖中之有機發光裝置，其中一部分之橫截面示意圖。
有機發光顯示裝置1包含第一基板10，第一基板10包含薄膜電晶體(Thin-Film Transistor)TFT與有機發光元件EL，且第二基板12經由密封與第一基板10黏結。
薄膜電晶體TFT、有機發光元件EL、電容Cst、及其相似物可形成於第一基板10上。第一基板10可為低溫多晶矽(Low Temperature Polysilicon)基板、玻璃基板、塑膠基板、不鏽鋼(SUS)基板，或其相似物。
第二基板12可為放置在第一基板10上之封裝基板，以保護第一基板10提供之薄膜電晶體及發光像素不受外界水分或空氣影響。第二基板12係位於面對第一基板10之位置，且第一基板10與第二基板12係由密封元件14互相黏結，密封元件14係相距第一基板10邊緣之一距離放置。
第一基板10包含發射光之發光區域DA、及包圍發光區域DA之非發光區域NDA。依照本發明一實施例，密封件14係放置於非發光區域NDA中，且位於發光區域DA之外部，以使第一基板10及第二基板12互相黏結。
如上所述，在第一基板10之光發射區域DA中，有機發光元件EL、配置以驅動有機發光元件之薄膜電晶體、以及電性連接至有機發光元件EL與薄膜電晶體之佈線被形成。非發光區域NDA可包含銲墊區域PA，其係發光區域DA之佈線所延伸之銲墊電極60所在位置。
第2圖示意顯示發光區域DA與銲墊區域PA，其包含於如第1圖所示之非發光區域NDA中。
進一步地參閱第2圖，依照本發明一實施例中，有機發光顯示裝置1之第一基板10包含像素區域101、通道區域102、儲存區域103、以及銲墊區域PA，且緩衝層13係形成於其中。
通道區域102包含作為驅動元件之薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT包含主動層21、閘極電極20、源極電極27、與汲極電極29。閘極電極20包含閘極下電極23與閘極上電極25。閘極下電極23係由透明導電材料所形成。閘極絕緣層15係形成於閘極電極20與主動層21之間以提供其間的絕緣。在主動層21之兩側末端，形成參雜高密度雜質並分別地連接源極電極27與汲極電極29之源極區域21a與汲極區域21b。
像素區域101包含有機發光元件EL。有機發光元件EL包含像素電極31、反電極35、及插設於其中之發光層33。像素電極31係由透明導電材料所形成，且與薄膜電晶體TFT之閘極電極20同時形成。
儲存區域103包含電容Cst，電容Cst包含電容下電極41與電容上電極43，閘極絕緣層15係插設於其間。電容上電極43係與薄膜電晶體TFT之閘極電極20以及有機發光元件EL之像素電極31同時形成。
銲墊區域PA包含銲墊電極60，銲墊電極60包含銲墊下電極62與銲墊上電極63。銲墊下電極62可由與像素電極31、閘極下電極23、以及電容上電極43相同之材料形成於相同之層上。銲墊上電極63可由與閘極上電極25相同之材料形成於相同之層上。參考符號65表示與薄膜電晶體TFT之源極電極27及汲極電極29形成於相同層之源極/汲極電極層。在第一基板10上之緩衝層13與閘極絕緣層15之間，形成了突出層61，其中突出了複數個突出部分61a、61b、與61c。因此， 銲墊區域PA包含存在於突出層61之突出部分、以及存在於銲墊上電極63之平坦部分。由於突出部分係以此方法形成，當反電極層64形成時，可提供大接觸面積，因此使得塗佈執行成功，且避免提升在反電極層64下之有機層55。
參考符號51表示層間絕緣層，且參考符號55表示作用為像素定義層(Pixel Defining Layer，PDL)之有機層。按照慣例，有機層55係首先形成，接著與有機層55之相同材料形成之間隔物更由相同方式形成於有機層55上。然而，分別間隔物之形成表示需要兩個光蝕刻程序以形成有機層，進而提高製造成本與製造時間。為了解決此問題，有機層55係形成以具有3μm或以上之大厚度。
然而，若有機層55係形成以具有一大厚度，塗佈可能未能適當執行，且在有機層55上可能出現提升現象，特別是在有機層55末端部分之銲墊電極60上。
為了解決上述問題，反電極層64經由如上所述之形成具有突出層61之突出部分，以緊密塗佈於銲墊區域PA內，因此在反電極層64下之有機層55能被固定且不被提升。
如此，可簡化製造有機發光顯示裝置1的步驟，且同時改善銲墊電極60與有機層55之間的黏著力，因此避免缺陷。
第3A至3J圖係為顯示依照本發明一例示性實施例中，第2圖中所表示的有機發光顯示裝置之製造方式之橫截面示意圖。
如第3A圖所示，緩衝層13係形成於第一基板10上。更精確地說，第一基板10可由以氧化矽(SiO2)作為主要成分之透明玻璃材料形成。然而，第一基板10也可由例如透明塑膠材料或金屬材料之多種材料而形成，而不侷限於透明玻璃材料。
緩衝層13可選擇性地形成於第一基板10上，以避免雜質離子與水氣或外界空氣穿透至第一基板10，並平坦化第一基板10的表面。緩衝層13可由不同的沉積方法而沉積，例如電漿式化學氣相沈積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、大氣壓化學氣相沈積法(Atmospheric Pressure CVD，APCVD)、及使用氧化矽及/或氮化矽(SiNx)之低壓化學氣相沈積法(Low Pressure CVD，LPCVD)。
如第3B圖所示，薄膜電晶體TFT之主動層21、電容Cst之電容下電極41、與銲墊區域PA之突出層61係形成於緩衝層13上。更精確地說，非晶矽係沉積在緩衝層13上，接著晶體化，因此形成多晶矽層(未顯示)。非晶矽可由多種方法晶體化，例如快速熱退火法(Rapid Thermal Annealing，RTA)、固相結晶法(Solid Phase Crystallization，SPC)、準分子雷射退火法(Excimer Laser Annealing，ELA)、金屬誘導結晶法(Metal-Induced Crystallization，MIC)、金屬誘導橫向結晶法(Metal-Induced Lateral Crystallization，MILC)、及順序橫向固化法(Sequential Lateral Solidification，SLS)。因此，透過使用第一遮罩(未顯示)之遮罩步驟，多晶矽層係圖樣化於薄膜電晶體TFT之主動層21、電容Cst之電容下電極41、以及銲墊區域PA之突出層61上。
如第3C圖所示，主動層21、電容下電極41、以及突出層61形成於第一基板10之整個表面上，閘極絕緣層15、第一導電層17、與第二導電層19依序沉積於上。
閘極絕緣層15可藉由使用電漿式化學氣相沈積法、大氣壓化學氣相沈積法、或低壓化學氣相沈積法而沉積為例如氮化矽或氧化矽之無機絕緣層。閘極絕緣層15係插設至薄膜電晶體TFT之主動層21與 閘極電極20之間(見第3D圖)以作為絕緣層、以及插設至電容上電極43與電容下電極41之間以作為電容Cst之電介質層。在銲墊區域PA中，突出層61係沿著突出輪廓而覆蓋。
第一導電層17可包含一或多種材料挑選自例如氧化銦錫(ITO)、銦化鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化銦(In2O3)之透明材料中。第一導電層17接著作用為像素電極31、閘極下電極23、電容上電極43、以及銲墊下電極62。
第二導電層19可包含一或多樣材料選自銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬化鎢(MoW)、及鋁/銅(Al/Cu)。第二導電層19接著圖樣化至閘極上電極25與銲墊上電極63。
更如第3D圖所示，像素電極31之電極圖樣30、閘極電極20、電容上電極43之電極圖樣40、以及銲墊電極60形成於第一基板10上。更精確地說，第一導電層17與第二導電層19經由使用第二遮罩(未顯示)之一遮罩步驟而圖樣化。在此狀態下，在通道區域102中，閘極電極20係形成於主動層21上，閘極電極20包含以第一導電層17之一部分形成之閘極下電極23、以及以第二導電層19之一部分形成之閘極上電極25。
閘極電極20係相對應至主動層21之中心，且以閘極電極20作為遮罩使用，N-型或P-型雜質係注射至主動層21內，因此形成源極區域21a與汲極區域21b於對應至閘極電極20之兩側之主動層21之末端兩側，並且在源極區域21a與汲極區域21b之間形成通道區域。
為形成像素電極31之電極圖樣30係形成於像素區域101之中，且為形成電容上電極43之電極圖樣40係形成於儲存區域103之電容下電極41中。
在銲墊區域PA中，銲墊電極60係形成於閘極絕緣層15上。銲墊電極60包含以第一導電層17之一部分形成之銲墊下電極62、及以第二導電層19之一部分形成之銲墊上電極63。銲墊下電極62係沿著突出層61之突出輪廓形成突出部分。
接著，如第3E圖所示，層間絕緣層51係沉積於第一基板10之整個表面上。
層間絕緣層51係由使用旋轉塗佈或其相似法，由一或多個有機絕緣層選自由聚酰亞胺(Polyimide)、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、苯並環丁烯(Benzocyclobutene)、以及酚醛樹脂(Phenol Resin)所組成之群組所形成。層間絕緣層51也可由無機絕緣材料所形成，也可為有機絕緣材料，且可由有機絕緣材料與無機絕緣材料交替形成。
接著，如第3F圖中所示，在層間絕緣層51中，形成暴露部分電極圖樣30與40，以及部分源極區域21a與汲極區域21b的孔洞H1、H2、H3、H4與H5。孔洞H1、H2、H3、H4與H5，係由使用第三遮罩(未顯示)之遮罩程序圖樣化而形成。在此狀態下，如第3F圖所示，銲墊區域PA之層間絕緣層51也被圖樣化。
於此，孔洞H1與H2暴露部分源極區域21a與汲極區域21b，孔洞H3與H4暴露形成電極圖樣30之上部分之第二導電層19的一部分，且孔洞H5暴露形成電極圖樣40之上部分之第二導電層19的一部分。
接著，如第3G圖所示，第三導電層53係沉積於第一基板10之整個表面上，以覆蓋層間絕緣層51。
第三導電層53可由形成第一導電層17或第二導電層19之導電材料或其他各種導電材料所形成，但不限於此。導電材料係沉積至足夠之厚度以填滿孔洞H1、H2、H3、H4與H5。
如第3H圖所示，形成源極電極27、汲極電極29、像素電極31、電容上電極43、以及銲墊區域PA之源極/汲極電極層65。更精確地說，第三導電層53係由使用第四遮罩(未顯示)之遮罩程序而圖樣化，因而形成源極電極27、汲極電極29、以及源極/汲極電極層65。
在此情況下，源極電極27或汲極電極29(在本實施例中為源極電極27)係形成以連接至像素電極31，該連接係通過電極圖樣30之上方第二導電層19邊緣之孔洞H3，其係像素電極31形成之處。
在形成源極電極27與汲極電極29後，像素電極31與電容上電極43係由額外蝕刻而形成。換句話說，藉由移除經由孔洞H4暴露於電極圖樣30之上方第二導電層19以形成像素電極31。接著從電極圖樣40上移除由孔洞H5暴露之上方第二導電層19，因此形成電容上電極43。
因此，像素電極31、閘極下電極23、電容上電極43、與銲墊下電極62係形成於同一層上，且閘極上電極25與銲墊上電極63係形成於同一層上。
接著，如第3I圖所示，N-型或P-型雜質係通過孔洞H5而射入以參雜該電容下方電極41(如該箭頭所示)。
如第3J圖所示，有機層55係形成於第一基板10上以作為像素定義層。更精確地說，有機層55係沉積於第一基板10之整個表面上，其係為像素電極31、源極電極27、汲極電極29、電容上電極43、及源極/汲極電極層65形成之處。
有機層55由使用旋轉塗佈或其相似法，可由一或多個有機絕緣材料選自由聚酰亞胺(Polyimide)、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、苯並環丁烯(Benzocyclobutene)、以及酚醛樹脂(Phenol Resin)所組成之群組所形成。
有機層55係由使用第五遮罩(未顯示)之遮罩程序而圖樣化，以形成用以暴露像素電極31之中央部分之孔洞H6，因此定義像素。
此後，如第2圖所示，發光層33係形成在第3J圖中之孔洞H6中，以暴露像素電極31，且反電極35係形成於第一基板10之整個表面上。
該發光層33包含有機發射層(Organic Emissive Layer，EML)，且可更包含一或多個電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)、電洞注射層(Hole Injection Layer，HIL)、電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)、及電子注射層(Electron Injection Layer，EIL)。
反電極35係沉積於第一基板10之整個表面上，以形成共同電極。依照本發明之實施例中之有機發光顯示裝置1，像素電極31係用作為陽極電極，且反電極35係用作為陰極電極。然而不用說的是，像素電極31與反電極35的極性是可互換的。在銲墊區域PA中，如前所述，反電極層64係沿著突出層61之突出輪廓，與反電極35形成於相同層上。在此情況下，反電極層64可以一大接觸區域黏接至突出層61上之銲墊下電極62，因此堅固地支撐形成於反電極層64下的有機層55。
第4圖係為第2圖中顯示之有機發光顯示裝置之修改之平面圖。
在本實施例中，有機層55係形成以覆蓋源極/汲極電極層65與銲墊區域PA之銲墊上電極63。然而此構造可被修改，如第4圖所示，有機層55係形成以暴露部分源極/汲極電極層65與銲墊上電極63，並因此使反電極層64接觸暴露部分。在此情況下，反電極層64之接觸面積增加，因此更嚴格地壓制有機層55之提升現象。
從上述描述可以得知，根據本發明實施例中之有機發顯示裝置及其製造方式，製造方法可只使用五個遮罩完成，其遮罩使用的減少，進而降低了成本及簡化製造程序。此外，在銲墊區域中因有機層塗佈缺陷造成的問題也可被解決。
雖然本發明參照例示性實施例被特別顯示及描述，其可被熟悉此技藝者理解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧第一基板
101‧‧‧像素區域
102‧‧‧通道區域
103‧‧‧儲存區域
13‧‧‧緩衝層
15‧‧‧閘極絕緣層
20‧‧‧閘極電極
21‧‧‧主動層
21a‧‧‧源極區域
21b‧‧‧汲極區域
23‧‧‧閘極下電極
25‧‧‧閘極上電極
27‧‧‧源極電極
29‧‧‧汲極電極
31‧‧‧像素電極
33‧‧‧發光層
35‧‧‧反電極
41‧‧‧電容下電極
43‧‧‧電容上電極
51‧‧‧層間絕緣層
55‧‧‧有機層
60‧‧‧銲墊電極
61‧‧‧突出層
61a、61b、61c‧‧‧突出部分
62‧‧‧銲墊下方電極
63‧‧‧銲墊上方電極
64‧‧‧反電極層
65‧‧‧源極/汲極電極層
Cst‧‧‧電容
EL‧‧‧有機發光元件
DA‧‧‧發光區域
PA‧‧‧銲墊區域
TFT‧‧‧薄膜電晶體

Claims (14)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一發光區域，其包含一有機發光元件、一薄膜電晶體(TFT)、以及一電容；以及一非發光區域，其包含連接至該發光區域之佈線之一銲墊區域；其中該銲墊區域包含；一突出層，其包含形成於一基板上以突出之複數個突出部分；一銲墊電極，其包含一銲墊下電極與一銲墊上電極，該銲墊下電極包含沿著該突出層之一突出輪廓所形成之一突出部分與沿著該基板所形成之一平坦部分，該銲墊上電極係形成於該銲墊下電極之該平坦部分上；一源極或汲極電極層，其係形成於該銲墊上電極上；一有機層，其係形成於該源極或汲極電極層上；以及一反電極層，其係形成於該銲墊下電極之該突出部分以及該有機層上，該反電極層係於該突出部分上按該突出層之該突出輪廓而形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含形成於該基板及該突出層之間之一緩衝層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含形成於該突出層與該銲墊下電極之間之一閘極絕緣層、以及形成於 該銲墊上電極與該源極或汲極電極層之間之一層間絕緣層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機層係形成以覆蓋該源極或汲極電極層與該銲墊上電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機層係形成以暴露部分該源極或汲極電極層與該銲墊上電極，且該反電極層係形成以接觸該源極或汲極電極層與該銲墊上電極之暴露部分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含與該突出層形成於同一層之一主動層、與該銲墊電極形成於同一層之一閘極電極、以及與該源極或汲極電極層形成於同一層之一源極電極與一汲極電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光元件包含與該銲墊電極形成於同一層之一像素電極、與該反電極層形成於同一層之一反電極、以及插設於該像素電極與該反電極之間之一發光層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該電容包含與該突出層形成於同一層之一電容下電極、與該銲墊電極形成於同一層之一電容上電極、以及插設於該電容下電極與該電容上電極之間之一閘極絕緣層。
  9. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一薄膜電晶體之一主動層、一電容之一電容下電極、以及一銲墊區域之一突出層於一基板上；形成該薄膜電晶體之一閘極電極於該主動層上、一有機發光元 件之一像素電極於該基板上、該電容之一電容上電極於該電容下電極上、以及該銲墊區域之一銲墊電極於該突出層上；形成包含多個孔道之一層間絕緣層以分別地暴露部分之該主動層、該像素電極、以及該電容上電極，該層間絕緣層係形成於該銲墊區域之該銲墊電極上；形成該薄膜電晶體之一源極電極與一汲極電極以接觸該主動層及該像素電極之暴露部分，並且形成該銲墊區域之一源極或汲極電極層於該銲墊電極及該層間絕緣層上；形成一有機層以暴露該像素電極之一部分，以及覆蓋該薄膜電晶體之該源極電極與該汲極電極、該電容之該電容上電極、以及該銲墊區域之該源極或汲極電極層；形成接觸該像素電極之暴露部分之一發光層；以及形成一反電極於該有機層上以面對該像素電極，且該發光層係插設於該反電極與該像素電極之間，以及沿著該銲墊區域中之該突出層之一突出輪廓形成一反電極層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含於該基板上形成一緩衝層之步驟。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含於該主動層、該電容下方電極、以及該突出層上形成一閘極絕緣層之步驟。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該銲墊電極包含一銲墊下電極以及一銲墊上電極，該銲墊下電極包含沿著該突出層之該突出輪廓所形成之一突出部分及沿著該基板形成之一平坦部分，且該銲墊上電極係形成於該銲墊下電極之該平坦部分 上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該有機層係形成以覆蓋該源極或汲極電極層與該銲墊上電極。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該有機層係形成以暴露部分該源極或汲極電極層與該銲墊上電極，且該反電極層係形成以接觸該源極或汲極電極層與該銲墊上方電極之暴露部分。
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