TWI507505B - Organic electroluminescent device using 2-methylanthracene compound - Google Patents
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Description
本案係有關於一種有機發光二極體及製造方法，更明確言之，係特別有關綠光有機發光二極體其具有優良的發光效率，亮度和色度。
自從美國科達公司的鄧青雲博士報導了低驅動電壓的有機電激發光裝置之後(C.W.Tang,Applied Physics Letters,51,913,1987)，就引起了有機化合物應用在有機電激發光裝置的研究熱潮，有機電激發光裝置係經由有機介質(medium)夾置在兩電極間(陽極和陰極)，形成之三明治結構，其中，陽極為具高功函數之金屬或導電化合物，例如：ITO、IZO、SnO2、ZnO等類似之透明金屬氧化物，或可為poly－Si、a－Si等之TFT基材；而陰極為具低功函數之金屬或導電化合物，例如：Au、Al、In、Mg、Ca或類似之金屬、合金等；而兩電極中至少有一為透明或半透明的，以使發射光能有效率穿透。有機介質依情況不同可由數層組成，其中各層之厚度不被嚴格限制，通常在5 nm到5μm間，而代表性的為在兩電極間夾入三層有機分子層，此三層包括一個電子傳輸層，一個發光層及一個電洞傳輸層。通常為降低驅動電壓會另外加入電洞或電子注入層，或改善發光效率而增加電洞或電子阻絕層，而成為四到六個有機分子層所組成之有機電激發光裝置；其中電子注入層通常可由鹼金屬鹵化物或含氮、氧之鹼金屬螯合物，例如：
LiF、8－quinolinolato lithium(Liq)等；而電洞注入層通常可由金屬苯二甲藍(Metal Phthalocyanine)衍生物、星狀polyamine衍生物、polyaniline衍生物(Y.Yang et al,Syn.Met.,1997,87,171)、全氟化物、SiO2(Z.B.Deng et al,Appl.Phys.Lett.,1997,74,2227)或電洞傳輸材料摻雜氧化物等，例如：CuPc(S.A.Vanslyke et al,Appl.Phys.Lett.,1996,69,2160)、MTDATA(Y.Shirota et al,Appl.Phys.Lett.,1994,65,807)、TPD＋SbCl6－(A.Yamamori et al,Appl.Phys.Lett.,1998,72,2147)、PEDOT－PSS(A.Elschner et al,Syn.Met.,2000,111,139)等；電子傳輸層可由含氮、氧之金屬螯合物(T.Sano et al,J.Mater.Chem.,2000,10,157)、oxadiazole衍生物、全氟化多芳香環衍生物、芳香環或雜環取代之silole衍生物、oligothiophene衍生物或benzimidazole衍生物所組成，例如：tris(8－quinolinolato)aluminum(Alq3)、PBD(N.Johansson et al,Adv.Mater.,1998,10,1136)、PyPySiPyPy(M.Uchida et al,Chem.Mater.,2001,13,2680)、BMB－3T(T.Noda et al,Ady.Mater.,1999,11,283)、PF－6P(Y.Sakamoto et al,J.Amer.Chem.Soc.,2000,122,1832)、TPBI(Y.T.Tao et al,Appl.Phys.Lett.,2000,77,933)等；電洞傳輸層通常為用在有機光導材料中之對電洞的電荷傳輸材料所組成，此電荷傳輸材料可由triazole衍生物、oxadiazole衍生物、imidazole衍生物、phenylenediamine衍生物、星狀多胺類衍生物、spiro－linked分子衍生物或arylamine衍生物所組成，例如：NPB或其衍生物(Y.Sato et al,Syn.Met.,2000,111,25)、PTDATA
(Y.Shirota et al,Syn.Met.,2000,111,387)、spiro－mTTB(U.Bach et al,Adv.Mater.,2000,12,1060)等。由於OLED具有低驅動電壓的特性並已驗證可應用到全彩平面顯示器上，故有機電激發光裝置與材料的研究已引起全世界的注意與投入。
為了改善有機電激發光裝置的發光顏色、發光效率、發光穩定性、元件壽命與元件製作方式等，這些改良成果可參閱已頒予之美國專利案第4,356,429號、第4,539,507號、第4,720,432號、第4,885,211號、第5,151,629號、第5,150,006號、第5,141,671號、第5,073,446號、第5,061,569號、第5,059,862號、第5,059,861號、第5,047,687號、第4,950,950號、第4,769,292號、第5,104,740號、第5,227,252號、第5,256,945號、第5,069,975號、第5,122,711號、第5,366,811號、第5,126,214號、第5,142,343號、第5,389,444號、第5,458,977號等。
在綠色螢光摻雜物方面，鄧青雲等人對10－(1,3－benzothiazol－2－tl)－1,1,7,7－tetramethyl－2.3.6.7－tetrahydro－1H,5H,11H－pyrano－[2,3－f]pyrido[3,2,1－ij]quinolinllone(簡稱C545T)研究，發現此化合物微量(0.5%~1.0%之體積比)摻雜再主發光體中所製成的綠光元件，可以達到符合商業需求的良好性能，現在已有Kodak、Pioneer、Sanyo等公司將此化合物應用在有機發光二極體上。雖然降C545T摻雜在主發光體中所製成的綠光元件具有良好特性，但此種發光元件仍有一些缺點；特別是其最佳發光效率出現在C545T摻雜濃度約0.5%~1.0%之間，一旦過了此最佳濃度
之後，元件的發光效率便隨摻雜濃度的增加而大幅下降，這樣的特性使得元件製作時必須要十分精準控制C545T摻雜濃度。如此窄的濃度摻雜最佳化操作條件，對元件製造產生相當困難與不便。因為C545T的分子結構中，含氧雜環中3號與4號碳之間的雙鍵，是有可能經由光化學進行[2＋2]環化反應，進而形成雙體，破壞了原本的發色團共振結構，造成了螢光的驟熄，才使得上述現象發生。
為改善先前所發表的綠光摻雜物材料的缺點，本發明提出一綠光有機化合物，如式I所示，其中Y1
、Y2
、Y3
和Y4
各代表6至20個碳原子所組成取代或非取代之芳香族基團。
本發明另一個宗旨在於提供一具有高發光效率、飽和色純度和長元件操作穩定性之綠光有機電激發光元件裝置。此有機電激發光元件裝置其至少由一對電極所組成，介於兩電極間包含一陽極、一陰極和有機化合物所組成之單層或多層結構，而其中至少一有機層含有上述式I化合物。
在有機電激發光元件裝置之發光層中，當本發明之綠
光有機化合物，如式I所示，以客發光體材料形式摻雜於一主發光體材料中，其可經由主客發光體材料間能量轉移或電子/電洞直接於客發光體中再結合的機制，減少非放光機制的產生而增高元件發光效率與操作穩定性，並且得到飽和色度高之綠光元件。客發光體材料之摻雜濃度對於主發光體可為0.01%至50%重量比之間，而較佳的摻雜濃度為0.5%至20%重量比。
本發明之綠光有機化合物如式I所示，其主要可應用於有機電激發光元件裝置所需要的有機材料，當期作為發光材料時可得到一具有高發光效率、飽和色純度和長元件操作穩定性之綠光元件。
本發明之綠光有機化合物，其取代與非取代之芳香族例子如：苯基、2－甲苯基、3－甲苯基、4－甲苯基、3,4－二甲苯基、萘基、和蒽基，但不僅限於此範疇。以下所列之化合物是本發明之綠光有機化合物較具代表性之例子，任何可以想到之相關衍生物將涵蓋於本發明的精神範圍。
本發明可應用於數種不同的有激電機發光裝置中，而其中必要的組成是陰極、陽極以及其間之有機層，該有機層可以包含有電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層；而如第一圖為最典型的結構，其中包括基板11，陽極12，非必須之電洞注入層13，電洞傳輸層14，發光層15，電子傳輸層16，電子注入層17，金屬陰極18及電源19，當施加電壓於兩電極之間時，陽極所產生之電洞以及陰極所產生之電子，會注入有機層中進而結合成激子(excitons)，而當激子降至基態時便會散射出光。
而以下仔細描述這數層所使用之材料。首先必須注意的是，基板可選擇性的置於陰極旁邊，或基板可當成陽極或陰極，再者，所有有機層的總厚度最好小於500 nm。
須注意者，所屬領域中具有通常知識者可依習知之技藝或本發明說明書中所述之先前技術或現有之方法利用本發明所請之化合物製得有機電激發光元件或裝置。以下說明本發明有機電激發光元件或裝置中電洞注入層以外之各元件結構的適用材料。
基板可依據光所放射的方向為透光性或是不透明的，如果欲使EL發射由基板處觀察，則基板必須具有光穿透性，在這種情況下，一般都是使用玻璃或有機材料；而如果EL發射是欲透過上電極觀察的話，則下層支撐物的通光與否將變得無關緊要，因此可為光穿透、光吸收或光反射，此時，基板的材料可使用但不限制為玻璃、塑膠、
半導體材料、陶瓷和電路板材料，當然此種元件結構必須提供可透光的上電極。
導電陽極層通常製作於基板上，而當EL放射是透過陽極觀測的話，則陽極必須是透明的或大體上對於某些放射是可穿透的；使用於本發明的為一般常見的透明陽極－銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)，但其他金屬氧化物仍是可使用的，包括但不限制於鋁或銦摻雜的鋅氧化物(indium doped zinc oxide，IZO)、鎂－銦氧化物(magnesium－indium oxide)和鎳－鎢氧化物(nickel－tungsten oxide)，除了這些氧化物外，金屬氮化物，例如氮化鎵(gallium nitride)，和金屬硒化物，例如硒化鋅(zinc selenide)，和金屬硫化物，例如硫化鋅(zinc sulfide)都可使用於該層。對於EL放射是透過上電極而被觀測的應用中，該層的透光性不再重要，而可使用任何可導電的材料，透明的、不透明的、或反射的材料皆可，此應用下可使用的材料包括但不限制於金、銥、鉬、鈀和鉑。一般陽極材料，無論透明與否，其功函率通常大於或等於4.1 eV，所需要的陽極材料通常以適當的方式沈積，例如蒸鍍、濺鍍、化學氣相沈積、或電化學方法等，而陽極可用熟知的微影曝光方式(photolithography)蝕刻圖案化。
有機EL元件的電洞傳輸層至少包含一個電洞傳導化
合物，例如芳香三級胺，現今所推斷的是此種化合物至少要含有一個只鍵結在碳原子上的三價的氮原子，而此碳原子至少要有一個是芳香環的其中一員；這些芳香族三級胺的其中一種形式可以是芳基胺，例如單芳烴基胺、雙芳烴基胺、三芳烴基胺或是高分子的芳烴基胺基團；單分子型三芳烴基胺的典範由Klupfel等人描述於U.S.Pat.No.3,180,730；而其他適合的三芳烴基胺是由Brantley等人揭露於U.S.Pat.Nos.3,567,450和3,658,520，有關於一個或多個乙烯基自由基和/或包含至少一個容納有活性氫的基團取代的三芳烴基胺。
最為人所使用的一種芳香族三級胺是由U.S.Pat.Nos.4,720,432和5,061,569所描述的：包含至少兩個芳香族三級胺基團的芳香族三級胺，以下列出的為有用的芳香族三級胺的例證：1,1－雙(4－二－對－甲苯基胺基苯基)環己烷，1,1－雙(4－二－對－甲苯基胺基苯基)－4－苯基－環己烷，4,4’－雙(二苯基胺基)四苯，雙(4－二甲基胺基－2－甲基苯基)－苯基甲烷，N,N,N－三(對－甲苯基)胺，4－(二－對－甲苯基胺基)－4’－[4(二－對－甲苯基胺基)－苯乙烯基]茋，N,N,N’,N’－四－對－甲苯基－4,4’－二胺基聯苯，N,N,N’,N’－四苯基－4,4’－二胺基聯苯，N,N,N’,N’－四－1－萘基－4,4’－二胺基聯苯，N,N,N’,N’－四－2－萘基－4,4’－二胺基聯苯，
N－苯基咔唑，4,4’－雙[N－(1－萘基)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(1－萘基)－N－(2－萘基)胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(1－萘基)－N－苯基胺基]對－聯三苯，4,4’－雙[N－(2－萘基)－N－苯基胺基]聯苯，1,5－雙[N－(1－萘基)－N－苯基胺基]萘，4,4’－雙[N－(9－蒽基)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(1－蒽基)－N－苯基胺基]對－聯三苯，4,4’－雙[N－(2－菲基)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(8－氟蒽烯基)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(2－pyrenyl)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(2－naphthacenyl)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(2－perylenyl)－N－苯基胺基]聯苯，4,4’－雙[N－(2－苛基)－N－苯基胺基]聯苯，2,6－雙(二－對－甲苯基胺基)萘，2,6－雙(二－(1－萘基)胺基)萘，2,6－雙[N－(1－萘基)－N－(2－萘基)胺基]萘，N,N,N’,N’－四(2－萘基)－4,4”－二胺基－對－聯三苯，4,4’－雙{N－苯基－N－[4－(1－萘基)－苯基]胺基}聯苯，4,4’－雙[N－苯基－N－(2－pyrenyl)胺基]聯苯，2,6－雙[N,N－二(2－萘基)胺基]茀，或1,5－雙[N－(1－萘基)－N－苯基胺基]萘。
另一種有用的電洞傳輸材料為EP 1 009 041所描述的多環性芳香族化合物，此外，高分子型電洞傳輸材料也能被使用，如聚(N－乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚咇咯、聚
苯胺和共聚高分子，如聚(3,4－伸乙基二氧噻吩)/聚(4－苯乙烯－磺酸鹽)也被稱為PEDOT/PSS。
在此發明中，較合適之有機EL元件的電子傳輸層的薄膜材料為金屬螯合8－羥基喹啉類(oxinoid)化合物，包含8－羥基喹啉(oxine)螯合基(一般涉及如8－喹醇或8－羥基喹啉)；此類的化合物可幫助電子的注入和傳輸及產生高效率和易於製作的薄膜型態；較為重要的8－羥基喹啉類化合物為符合上述之分子結構式(E)的化合物。
其他可作為電子傳輸材料包含U.S.Pat.No.4,356,429所揭露之各種丁二烯衍生物及U.S.Pat.No.4,539,507所描述之各種雜環光學明亮劑(heterocyclic optical brighteners)，而符合分子結構式(G)的苯并氮雜茂類也可作為可用的電子傳輸材料。
在某些例子中，發光層和電子傳輸層可選擇性的合併成單一層，亦即可同時兼顧發光和電子傳輸。
如果設計為電激發光由陽極透出，則在此發明中幾乎任何可導電的材料皆可組成陰極，其中較為需求的材料特性為成膜性佳，此可確保陰極和底下的有機層有良好的接觸，進而提昇電子在低電壓時的注入，且要有好的穩定性；有用的陰極材料通常為低功函數的金屬(<4.0 eV)或金屬合金；U.S.Pat.No.4,885,221中所描述的鎂銀合金(Mg：Ag)為合適的陰極材料之一，其中銀的比率為1到20%；另一
種合適的陰極材料為包含一厚導電金屬層覆蓋一低功函數金屬薄層或金屬鹽之雙層式結構，U.S.Pat.No.5,677,572中所描述的此種陰極由一LiF薄層和一Al厚層所組成；其他有用的陰極材料包含但不限制於U.S.Pat.Nos.5,059,861、5,059,862和6,140,763中所被揭露的材料。
而當元件設計為電激發光是透過陰極發出的話，則陰極必須為透明或接近於透明，在這種情況下，金屬必須很薄或必須使用透明的導電氧化物，或這些材料的組合；U.S.Pat.No.5,776,623中有關於光學透明陰極的詳細描述；沈積陰極材料的方法可為蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)或化學氣相沈積(chemical vapor deposition)，而必要時，陰極可被圖案化(patterning)，經由許多熟知的方式，包含，但不限制於：經由遮罩沈積(through－mask deposition)、如U.S.Pat.No.5,276,380和EP 0 732 868所描述的整體蔭罩技術(integral shadow masking)、雷射燒蝕(laser ablation)和選擇性化學氣相沈積。
此外，為了改善有機電激發光裝置的發光顏色、發光效率、發光穩定性、元件壽命與元件製作方式等，可參閱已頒予之美國專利案第4,356,429號、第4,539,507號、第4,720,432號、第4,885,211號、第5,151,629號、第5,150,006號、第5,141,671號、第5,073,446號、第5,061,569號、第5,059,862號、第5,059,861號、第5,047,687號、第4,950,950號、第4,769,292號、第5,104,740號、第5,227,252號、第5,256,945號、第5,069,975號、第5,122,711號、第5,366,811號、第5,126,214號、第5,142,343號、第5,389,444號、第
5,458,977號等。
於本發明之具體實施例中，該有機電激發光裝置係一顯示器。一般而言，該顯示器可用於電視、行動電話、電腦顯示器、監視器、各式個人、家庭、辦公室及/或交通工具所使用之裝置及/或電器用品或其他可使用顯示器之裝置及/或電器用品。
以下為本發明實施方法：氧化銦錫(ITO)/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/綠光發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)/鋁(Al)(單位：奈米nm)。請參照第一圖之裝置截面圖。
真空薄膜蒸鍍機(coater)係以TRC之18吋旋轉式蒸鍍機，其可放置9個擋板、8個電熱坩堝、5個震盪感應器、IC－5膜厚控制儀及擴散式幫浦。
分光光度計(colorimeter)係使用PhotoResearch PR－650儀器進行量測。
電源供應器(programmable power supply)係使用KEITHLEY 2400儀器供給電流。
其製作程序如下：首先，依序使用去離子水，異丙醇超音波清洗(ultrasonic washing)透明電極氧化銦錫(ITO)，然後再經紫外線(產生臭氧)照射10分鐘。將被清潔後的玻璃基板移進真空氣相沉積設備。當真空氣相沉積設備的真空度達到10－6
托耳(TORR)時開始操作。
在有透明電極的表面上，形成一層薄膜S707具有厚度為100 nm，使形成的薄膜蓋透明電極。S707所形成的薄膜作為第一電洞注入層(電洞傳輸層)。然後在S707上形成20 nm的N,N’－雙(a－萘基)－N,N’－聯苯－4,4’－聯氨(NPB)。所形成的薄膜為第二個電洞注入層(電洞傳輸層)。
將式I化合物和MADN混合真空氣相沉積，形成厚度30 nm的發光層。
再以8－羥基喹啉鋁(Alq)形成一厚度為10 nm薄膜作為電子注入層。之後，將氟化鋰(LiF)沉積在Alq上，作為電子注入層(陰極)。最後將金屬鋁以氣相沉積形成金屬陰極，以構成一綠光有機發光二極體。
(a)ITO(銦錫氧化物)玻璃基板40 mm x 40 mm厚1.1 mm，在甲醇中經由超音波清洗12分鐘，然後再經紫外線(產生臭氧)照射10分鐘。將被清潔後的玻璃基板移進真空氣相沉積設備。
(b)在有透明電極的表面上，形成一層薄膜S707具有厚度為75 nm，使形成的薄膜蓋透明電極。所形成的薄膜S707作為第一電洞注入層(電洞傳輸層)。
(c)然後在S707上形成15 nm的NPB。所形成的薄膜為第二個電洞注入層(電洞傳輸層)。
(d)將化合物E502和MADN混合真空氣相沉積，形成厚度30 nm的MADN和含7%的E502，作為發光層。
(e)再以Alq形成一厚度為25 nm薄膜作為電子注入層。
(f)將氟化鋰(LiF)沉積在Alq上，作為電子注入層(陰極)。
(g)最後將金屬鋁以氣相沉積形成金屬陰極，製成有機電激發光二極體。
(h)將以上製成的元件經過電流並利用光色計量測其亮度(luminance)和發光效率(luminance efficiency)。
在電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，驅動電壓為5.69 V，發出綠光、CIE(0.289，0.644)發光亮度為4026.28 cd/m2
，發光效率20.13 cd/A。
有機電激發光二極體製作，依照實施例一的程序，以厚度30 nm的MADN和含3%的E505，作為發光層。
以電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，驅動電壓為6.95 V，發出綠光、CIE(0.306，0.634)發光亮度為2802.27 cd/m2
，發光效率14.01 cd/A。
有機電激發光二極體製作，依照實施例一的程序，以厚度30 nm的MADN和含5%的E506，作為發光層。
以電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，
驅動電壓為6.05 V，發出綠光、CIE(0.314，0.633)發光亮度為4533.58 cd/m2
，發光效率22.66 cd/A。
有機電激發光二極體製作，依照實施例二的程序，以厚度37.5 nm的MADN和含12%的E507，作為發光層。
以電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，驅動電壓為8.02 V，發出藍綠光、CIE(0.344，0.613)發光亮度為3337.96 cd/m2
，發光效率16.69 cd/A。
有機電激發光二極體製作，依照實施例一的程序，以厚度30 nm的MADN和含3%的E512，作為發光層。
以電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，驅動電壓為6.58 V，發出綠光、CIE(0.353，0.620)發光亮度為4567.88 cd/m2
，發光效率22.83 cd/A。
ITO(銦錫氧化物)玻璃基板40 mm x 40 mm厚1.1 mm，在甲醇中經由超音波清洗12分鐘，然後再經紫外線(產生臭氧)照射10分鐘。將被清潔後的玻璃基板移進真空氣
相沉積設備。在有透明電極的表面上，形成一層薄膜S707具有厚度為100 nm，使形成的薄膜蓋透明電極。所形成的薄膜S707作為第一電洞注入層(電洞傳輸層)。然後在S707上形成20 nm的NPB。所形成的薄膜為第二個電洞注入層(電洞傳輸層)。將化合物C545T和MADN混合真空氣相沉積，形成厚度30 nm的MADN和含1%的C545T，作為發光層。再以Alq形成一厚度為15 nm薄膜作為電子注入層。之後，將氟化鋰(LiF)沉積在Alq上，作為電子注入層(陰極)。最後將金屬鋁以氣相沉積形成金屬陰極，就做好了有機電激發光二極體。
以電流密度20mA/cm2
驅動有機電激發光二極體時，驅動電壓為8.28 V，發出藍綠光、CIE(0.254，0.613)發光亮度為2885.40 cd/m2
，發光效率14.42 cd/A。
從表一、表二及表三中，此系列化合物與C545T製作成元件後，與C545T比較，E502可降低驅動電壓2.59V，並增加約40%的發光效率；E506可降低驅動電壓2.23V，並增加約57%的發光效率；E507可降低驅動電壓0.26V，並增加約16%的發光效率；E512可降低驅動電壓1.7V，並增加約58%的發光效率。在操作穩定性方面，C545T在發光亮度4000cd/m2
下定電流驅動，元件壽命(t1/2
)為1770小時；E506在相同條件下操作，元件壽命(t1/2
)增加4.46倍達7900小時。明顯發現以本發明之綠光有機化合物摻雜於
一適當主體發光材料中，其有機電激發光元件裝置可得到一具有高發光效率，飽和色純度和長操作穩定性之綠光元件。本發明以詳述具體實例，任何可想到之相關衍生物將會涵蓋於本發明的精神與範圍。
10‧‧‧有機電激發光裝置
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧陽極
13‧‧‧電洞注入層
14‧‧‧電洞傳輸層
15‧‧‧發光層
16‧‧‧電子傳輸層
17‧‧‧電子注入層
18‧‧‧金屬陰極
19‧‧‧電源
第一圖為一般有機電激發光裝置之結構示意圖。
10‧‧‧有機電激發光裝置
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧陽極
13‧‧‧電洞注入層
14‧‧‧電洞傳輸層
15‧‧‧發光層
16‧‧‧電子傳輸層
17‧‧‧電子注入層
18‧‧‧金屬陰極
19‧‧‧電源
Claims (8)
- 一種使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，至少包含有：陰極、陽極以及其間之有機層，其中該有機層包括有一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層，其中至少一層發光層含有主發光體材料以及客發光體材料，該主發光體材料係為蒽類化合物及其衍生物，而該客發光體材料為0.01至小於50%重量比之下式I化合物：
- 如申請專利範圍第1項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，其中，該主發光體材料係選自於MADN及其衍生物
- 如申請專利範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，其中該客發光體材料為0.5至20%重量比之式I化合物。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，其中，該有機電激發光裝置放射出綠色的光。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，其中，各有機層的總厚度小於500nm。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，該經C1 -C6 烴基取代與非取代之芳香族為苯基、2-甲苯基、3-甲苯基、4-甲苯基、3,4-二甲苯基、萘基或蒽基。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，該客發光體材料可選自下列化合物：，或，或，或，或，或，或，或，或，或，或，或，或
- 如專利申請範圍第1或2項所述之使用2-甲基蒽化合物之有機電激發光裝置，其中該式I化合物係選自於由
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1146034A1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-10-17 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
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2008
- 2008-10-30 TW TW097141747A patent/TWI507505B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
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| EP1146034A1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-10-17 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
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