[go: up one dir, main page]

TWI481462B - Laser processing device and laser processing method - Google Patents

Laser processing device and laser processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI481462B
TWI481462B TW100139950A TW100139950A TWI481462B TW I481462 B TWI481462 B TW I481462B TW 100139950 A TW100139950 A TW 100139950A TW 100139950 A TW100139950 A TW 100139950A TW I481462 B TWI481462 B TW I481462B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
laser
incident
optical system
deflecting
Prior art date
Application number
TW100139950A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201236790A (en
Inventor
Yuji Okamoto
Eiji Ichikawa
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries filed Critical Sumitomo Heavy Industries
Publication of TW201236790A publication Critical patent/TW201236790A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI481462B publication Critical patent/TWI481462B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10—Scanning systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

雷射加工裝置及雷射加工方法
本發明有關一種向加工對象物照射雷射束來進行加工之雷射加工裝置及雷射加工方法。
第18圖(A)～(D)係表示習知之雷射加工裝置之概要圖。
參考第18圖(A)。從雷射光源10射出脈衝雷射束20。脈衝雷射束20通過掩模11的透光區域並整形截面形狀，被反射鏡12反射而入射至檢流掃描器14。檢流掃描器14包含2片搖鏡(電流鏡14a、14b)而構成，使入射之脈衝雷射束20的前進方向改變為2維方向來射出。由檢流掃描器14改變前進方向之脈衝雷射束20藉由fθ透鏡17聚光並照射至工件30。工件30為例如依次層疊銅層、樹脂層、銅層之印刷基板。藉由向印刷基板的銅層照射脈衝雷射束20來形成貫穿照射位置的銅層及樹脂層之貫穿孔。
控制裝置18控制檢流掃描器14的動作及脈衝雷射束20從雷射光源10的射出。若藉由檢流掃描器14的動作(電流鏡14a、14b的方向變化)，結束工件30上之脈衝雷射束20的照射位置(被加工位置)的定位，則從檢流掃描器14向控制裝置18發送通知電流鏡14a、14b的靜止之靜止信號。接收靜止信號之後，藉由控制裝置18向雷射光源10發送雷射振盪指令(觸發信號)，從而射出脈衝雷射束20，向已被定位之被加工位置入射脈衝雷射束20，進行對工件30之加工。
第18圖(B)所示之雷射加工裝置在2片電流鏡14a、14b之間的脈衝雷射束20的光路上具備成像透鏡16，這一點與第18圖(A)所示之雷射加工裝置不同。在第18圖(A)所示之雷射加工裝置中，由於電流鏡14a偏轉射束，所以電流鏡14b的尺寸變大。在電流鏡14a、14b之間配置成像透鏡16之第18圖(B)所示之雷射加工裝置中，能夠使兩個鏡14a、14b的尺寸相等。由於能夠減小慣性，因此可實現檢流掃描器的動作及加工的高速化。
第18圖(C)所示之雷射加工裝置在通過掩模11的透光區域之脈衝雷射束20的光路上配置有對入射之脈衝雷射束20進行二分叉並射出之二分叉光學元件13，這一點與第18圖(A)的雷射加工裝置不同。二分叉光學元件13例如為衍射光學元件(diffractive optical element；DOE)或全息光學元件(holographic optical element；HOE)。脈衝雷射束20入射至二分叉光學元件13，被二分叉成脈衝雷射束20a、20b。兩個射束20a、20b一同經由電流鏡14a、14b、fθ透鏡17入射至工件30，同時進行雙孔加工(例如，參考專利文獻1及2)。
第18圖(D)所示之雷射加工裝置具有包含2片電流鏡15a、15b而構成之檢流掃描器15，這一點與第18圖(C)的雷射加工裝置不同。被二分叉光學元件13分叉之其中一方的脈衝雷射束20a被電流鏡15a、15b偏轉之後，進一步被電流鏡14a、14b偏轉，被fθ透鏡17聚光並入射至工件30。被二分叉光學元件13分叉之另一方的脈衝雷射束20b被電流鏡14a、14b偏轉之後，經由fθ透鏡17入射至工件30(例如，參考專利文獻3)。
在第18圖(C)及(D)所示之雷射加工裝置中，由二分叉光學元件13對脈衝雷射束20進行二分叉，所以被分叉的脈衝雷射束20a、20b的峰值功率成為脈衝雷射束20的功率的一半。因此，產生需要射出峰值功率較大之脈衝雷射束20之雷射光源10或者可加工之材料受限之的狀況。例如專利文獻3記載之雷射加工裝置專用於樹脂加工。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2007-268600號公報
專利文獻2：日本專利4218209號公報
專利文獻3：國際公開第2003/041904號公報
本發明之目的為提供一種可高速加工之雷射加工裝置及雷射加工方法。
依本發明的一個觀點，提供一種雷射加工裝置，其具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其進一步具備控制裝置，前述控制裝置控制雷射束從前述雷射光源的射出、雷射束基於前述分配光學系統之分配及雷射束基於前述第1~第3偏轉元件之偏轉方向，在前述第1、第3偏轉元件靜止且前述第2偏轉元件改變偏轉方向之狀態下，前述控制裝置從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向分配該雷射束。
依本發明的另一觀點，提供一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1、第3偏轉元件靜止且前述第2偏轉元件改變偏轉方向之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向分配該雷射束。
並且，依本發明的另一觀點，提供一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1～第3偏轉元件靜止之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向及前述第2方向分配該雷射束。
另外，依本發明的另一觀點，提供一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠向第1～第4方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出；及第2偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第3方向、前述第4方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，前述第2偏轉器包含：第4偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第3方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第5偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第4方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第6偏轉元件，其係被配置於經由前述第4偏轉元件之雷射束及經由前述第5偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在從前述雷射光源射出雷射束時，改變前述第1～第6偏轉元件中未配置於藉由前述分配光學系統分配之該雷射束的光路上之偏轉元件中的至少一個偏轉方向。
並且，依本發明的另一觀點，提供一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠向第1～第4方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出；及第2偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第3方向、前述第4方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，前述第2偏轉器包含：第4偏轉元件，其係配置於在前述分配光學系統中向前述第3方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第5偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第4方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第6偏轉元件，其係被配置於經由前述第4偏轉元件之雷射束及經由前述第5偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1～第6偏轉元件靜止之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1～第4方向分配該雷射束。
根據本發明，能夠提供一種可高速加工之雷射加工裝置及雷射加工方法。
第1圖係表示基於第1實施例之雷射加工裝置之概要圖。例如包含CO2 雷射振盪器而構成之雷射光源40從控制裝置60接收觸發脈衝(觸發信號)來射出脈衝雷射束80。脈衝雷射束80藉由通過具備透光區域和遮光區域之掩模41的透光區域來整形截面形狀，並入射至聲光偏轉器(acousto-optic deflector；AOD)42。
AOD42為利用聲光效應之光偏轉器，能夠接收從控制裝置60發送之控制信號來改變入射之脈衝雷射束80的前進方向並射出。經AOD42射出之脈衝雷射束的射出方向(偏轉角)可藉由施加於AOD42之控制信號的頻率來改變。控制裝置60對AOD42施加頻率不同之控制信號，並沿互不相同之光路A和光路B選擇性地射出脈衝雷射束80。
分配於偏轉角相對較小之光路A之脈衝雷射束80a入射至電流鏡43a。分配於偏轉角相對較大之光路B之脈衝雷射束80b入射至電流鏡43b。脈衝雷射束80a、80b分別被電流鏡43a、43b反射並入射至電流鏡44。電流鏡44反射脈衝雷射束80a、80b，並經由fθ透鏡45入射至保持於載物台70上之工件30。fθ透鏡45聚光脈衝雷射束80a、80b，並在工件30上成像掩模41位置處之射束截面(透光區域的形狀)。
載物台70為可移動地保持工件30之載物台，例如XYθ載物台。工件30為具有例如依次層疊由銅形成之下層、由含玻璃布之環氧樹脂形成之樹脂層、及由銅形成之上層之層疊結構之印刷基板。脈衝雷射束80a、80b從上層(銅層)的表面入射至工件30，形成貫穿上層及樹脂層並到達下層(銅層)之貫穿孔。
脈衝雷射束80a、80b的照射例如以周期法進行。藉由使3～5發脈衝雷射束80a、80b巡迴地分別入射至劃定於工件30上之複數個被加工位置來形成貫穿孔。形成於被加工位置之孔的尺寸例如相等。
電流鏡43a、43b、44為可改變反射面方向之搖鏡，偏轉入射之脈衝雷射束80a、80b而射出。控制裝置60能夠藉由改變電流鏡43a、43b、44的反射面的方向來控制脈衝雷射束80a、80b的射出方向(工件30上之入射位置)。藉由電流鏡43a、43b的反射面方向的變化，可使工件30上之脈衝雷射束80a、80b沿X軸方向之入射位置移動。並且，藉由電流鏡44的反射面方向的變化，可使工件30上脈衝雷射束80a、80b沿Y軸方向之入射位置移動。
若藉由電流鏡43a、43b的反射面方向的變化，結束工件30上之脈衝雷射束80a、80b的入射位置(被加工位置)的X軸方向的定位，則從電流鏡43a、43b向控制裝置60發送通知電流鏡43a、43b的靜止之靜止信號。並且，若藉由電流鏡44的反射面方向的變化，結束工件30上之脈衝雷射束80a、80b的入射位置的Y軸方向的定位，則從電流鏡44向控制裝置60發送通知電流鏡44的靜止之靜止信號。
完成脈衝雷射束的入射位置的定位之後，控制裝置60向雷射光源40發送雷射振盪指令(觸發信號)，從而射出脈衝雷射束80，並向被加工位置入射脈衝雷射束，進行對工件30之加工。
若藉由改變電流鏡43a、43b、44的反射面方向，結束可照射脈衝雷射束80a、80b之範圍(可加工範圍)的加工，則藉由載物台70將工件30的未加工區域移動至電流鏡43a、43b、44的可加工範圍。工件30基於載物台70之移動由控制裝置60控制。另外，可加工範圍為例如一邊為50mm的正方形區域。
基於第1實施例之雷射加工裝置具有如下特徵，即具有包含分別偏轉入射之脈衝雷射束之電流鏡43a、43b及進一步偏轉由電流鏡43a、43b偏轉之雷射束80之電流鏡44這3片電流鏡而構成之檢流掃描器。
第2圖係表示基於第1實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第1實施例之雷射加工方法利用基於第1實施例之雷射加工裝置並在基於控制裝置60之控制之基礎上實施。時序圖的橫軸表示時間。“雷射束80”段的縱軸表示雷射束80的射出、非射出的狀態。在本圖中，將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按照射出順序表示為雷射脈衝L1～L9。“電流鏡43a”、“電流鏡43b”、“電流鏡44”段的縱軸表示各個電流鏡43a、43b、44的移動及靜止的狀態。“AOD42”段的縱軸表示施加於AOD42之控制信號的頻率。入射至施加有頻率相對較低之控制信號之狀態的AOD42之雷射束80在光路A上前進，入射至施加有頻率相對較高之控制信號之狀態的AOD42之雷射束80在光路B上前進。
雷射脈衝L1在電流鏡44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。若結束(靜止)雷射脈衝L1的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡44向控制裝置60發送電流靜止信號。同樣，若結束雷射脈衝L1的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡43a向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60接收表示對X軸方向及Y軸方向的雙方均完成雷射脈衝L1的入射位置的定位之電流靜止信號之後，將觸發信號發送至雷射光源40。雷射光源40接收該觸發信號並射出雷射脈衝L1。控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42施加頻率相對較低之控制信號，從而進行使雷射脈衝L1入射至作為電流靜止信號的發送源之電流鏡43a、44之控制。雷射脈衝L1由AOD42偏轉，在光路A上前進並經由電流鏡43a、44、fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。在此期間，電流鏡43b進行移動(反射面方向的變化)。
結束射出雷射脈衝L1之後，控制裝置60分別向電流鏡43a、44發送使其進行定位之控制信號，以便雷射脈衝入射至進行以後的加工之被加工位置。電流鏡43a、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。控制裝置60解除施加於AOD42之控制信號，但是不論是結束射出雷射脈衝L1之前還是之後都會進行解除。在第2圖中，表示為結束所有雷射脈衝的射出的同時完成解除。另外，不論是開始射出雷射脈衝L1之前還是之後亦會向AOD42施加控制信號，但是在本圖中，表示為與開始射出所有雷射脈衝的同時進行施加。
雷射脈衝L2在電流鏡44靜止且電流鏡43b靜止之後被射出。電流鏡44將表示結束雷射脈衝L2的入射位置沿Y軸方向之定位之電流靜止信號發送至控制裝置60。電流鏡43b將表示結束雷射脈衝L2的入射位置沿X軸方向之定位之電流靜止信號發送至控制裝置60。控制裝置60接收該電流靜止信號並向雷射光源40發送觸發信號，從雷射光源40射出雷射脈衝L2，並且對AOD42施加頻率相對較高之控制信號，進行使雷射脈衝L2入射至電流鏡43b、44之控制。雷射脈衝L2由AOD42偏轉，在光路B上前進並經由電流鏡43b、44、fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。在此期間，電流鏡43a繼續移動。
結束射出雷射脈衝L2之後，控制裝置60分別向電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便雷射脈衝入射至進行以後的加工之被加工位置，電流鏡43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L3、L4與雷射脈衝L1相同地在電流鏡44、43a靜止之後被射出，經由電流鏡43a、44分別入射至預定的被加工位置。這樣藉由經由電流鏡43a之雷射脈衝連續進行2個被加工位置的加工。在此期間，電流鏡43b繼續移動。另外，在結束射出雷射脈衝L3、L4之後，電流鏡43a、44進行移動。
電流鏡43b靜止，並向控制裝置60發送靜止信號。另外，電流鏡44的移動結束，靜止信號發送至控制裝置60。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡44的靜止信號，並且射出雷射脈衝L5。
雷射脈衝L5由施加有頻率相對較高之控制信號之AOD42分配於光路B，經由電流鏡43b、44入射至工件30的被加工位置。在結束射出雷射脈衝L5之後，電流鏡43b、44開始移動。在此期間，電流鏡43a繼續移動。
雷射脈衝L6按照已接收電流鏡44、43a的靜止信號之控制裝置60的觸發信號而射出，經電流鏡43a、44入射至被加工位置。在結束射出雷射脈衝L6之後，電流鏡43a、44開始移動。在進行基於雷射脈衝L6之加工期間，電流鏡43b繼續移動。
完成基於電流鏡43b、44之定位，控制裝置60從電流鏡43b、44雙方接收靜止信號。但是，即使在完成雷射脈衝的入射位置的定位之情況下，完成定位之時刻(從靜止最慢之電流鏡接收靜止信號之時刻)亦有可能為從射出前面的雷射脈衝之時刻未經過可射出(振盪)脈衝雷射束80之最短周期量的時間之時刻。此時，控制裝置60在經過最短周期量的時間之後，即例如以最短周期(雷射光源40的雷射振盪頻率的上限)射出脈衝雷射束80。
在控制裝置60從電流鏡43b、44雙方接收靜止信號之時刻，從射出雷射脈衝L6之時刻未經過最短周期量的時間。因此，雷射脈衝L7從射出雷射脈衝L6的時刻經過可射出雷射束80之最短周期量的時間之後被射出。結束射出雷射脈衝L7之後，電流鏡43b、44開始移動。在進行基於雷射脈衝L7之加工期間，電流鏡43a繼續移動。
雷射脈衝L8在控制裝置60從電流鏡44、43a雙方接收靜止信號之後被射出。結束射出雷射脈衝L8之後，電流鏡43a開始移動。電流鏡44維持靜止狀態。這是因為基於下一個雷射脈衝L9之被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L8之被加工位置的Y座標相等。在進行基於雷射脈衝L8之加工期間，電流鏡43b繼續移動。
雷射脈衝L9在電流鏡43b靜止之後被射出，經由靜止狀態的電流鏡43b、44入射至工件30上之被加工位置。
本例子中，從射出雷射脈衝L8時到結束射出雷射脈衝L9為止，電流鏡44為靜止狀態，但是在基於雷射脈衝L9之被加工位置的X座標與基於雷射脈衝L8之被加工位置的X座標相等時，例如進行不使電流鏡43a移動之控制。這樣，當基於下一個雷射脈衝之被加工位置的X座標或Y座標相等時，可進行不使電流鏡43a、43b、44中的任一個或不使電流鏡43a、43b雙方移動之控制。
基於第1實施例之雷射加工方法將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按每1個脈衝由AOD42時間性地分配給電流鏡43a、43b的任一方。雷射脈衝以電流鏡43a、43b的其中一方及電流鏡44靜止之狀態射出，並經由靜止之電流鏡照射至工件30。在利用2片電流鏡43a、43b並以其中一方的鏡靜止之狀態下射出脈衝雷射束80期間，使另一方的鏡進行用於定位以後的雷射脈衝的入射位置之移動，從而能夠提高相對於工件30之雷射照射頻率。藉由基於第1實施例之雷射加工方法，能夠以與從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的脈衝能量及峰值功率相等地保持照射至工件30之各雷射脈衝的脈衝能量及峰值功率的狀態，加快加工速度。
第3圖係表示基於第2實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第2實施例之雷射加工方法利用基於第1實施例之雷射加工裝置，並且在基於控制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與第2圖所示之時序圖之橫軸及縱軸相等。在本圖中，將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按射出順序表示為雷射脈衝L1～L7。在基於第2實施例之雷射加工方法中，利用AOD42從各個雷射脈衝L1～L7按時間分割生成在光路A上前進之雷射脈衝L1a～L7a及在光路B上前進之雷射脈衝L1b～L7b。雷射脈衝L1a和雷射脈衝L1b的脈衝寬度例如相等。雷射脈衝L2a～L7a和雷射脈衝L2b～L7b的脈衝寬度亦相同。
雷射脈衝L1在電流鏡44、43a靜止且電流鏡43b靜止之後被射出。若分別結束雷射脈衝L1a、L1b的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡43a、43b向控制裝置60發送電流靜止信號。若結束雷射脈衝L1a及L1b的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡44向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60在接收來自電流鏡43a、43b、44的電流靜止信號之後，向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L1。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號。施加頻率相對較低之控制信號之時間與施加頻率相對較高之控制信號之時間相等。頻率相對較高之控制信號的施加例如在結束射出雷射脈衝L1的同時被解除。
另外，在本圖中，表示成與開始射出所有雷射脈衝L1～L7的同時施加頻率相對較低之控制信號且與結束射出的同時解除頻率相對較高的控制信號，但是施加控制信號的開始及解除未必一定要與雷射脈衝L1～L7的射出開始及射出結束一致。
從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1，按時間分割生成在光路A上前進之雷射脈衝L1a。並且，從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1，按時間分割生成在光路B上前進之雷射脈衝L1b。雷射脈衝L1a經由電流鏡43a、電流鏡44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。雷射脈衝L1b經由電流鏡43b、電流鏡44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射雷射脈衝L1a之被加工位置的Y座標與入射雷射脈衝L1b之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L2a。電流鏡43a接收來自控制裝置60的控制信號，在結束向被加工位置入射雷射脈衝L1b之前(結束向光路B的分配之前)開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號(結束射出雷射脈衝L1)，並且對電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L2b、L2a及L2b。電流鏡43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L2在電流鏡43b、44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。從各電流鏡43a、43b、44向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L2。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號。
從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路A分割生成之雷射脈衝L2a經由電流鏡43a、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。並且，從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路B分割生成之雷射脈衝L2b經由電流鏡43b、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L2a、L2b之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L3a，接收該控制信號之電流鏡43a在結束入射雷射脈衝L2b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號，並且對電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L3b、L3a 及L3b，接收該控制信號之電流鏡43b、44開始移動。
雷射脈衝L3在電流鏡43a、43b靜止且電流鏡44靜止之後被射出。從各電流鏡43a、43b、44向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡44的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，雷射光源40按照該觸發信號射出雷射脈衝L3。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號。
從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路A分割生成之雷射脈衝L3a經由電流鏡43a、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置，從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路B分割生成之雷射脈衝L3b經由電流鏡43b、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L3a、L3b之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L4a，接收該控制信號之電流鏡43a在結束入射雷射脈衝L3b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號，並且對電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L4b、L4a及L4b，接收該控制信號之電流鏡43b、44開始移動。
雷射脈衝L4在電流鏡44、43b靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，從雷射脈衝L4向光路A切出雷射脈衝L4a，向光路B切出雷射脈衝L4b。雷射脈衝L4a、L4b入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。電流鏡43a、43b、44藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L5a、L5b。
從完成定位之電流鏡43b、43a、44向控制裝置60發送靜止信號，但由於完成下一個雷射脈衝L5a、L5b的入射位置的定位之時刻為從射出前面的雷射脈衝L4之時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻，所以控制裝置60在經過最短周期量的時間後，射出雷射脈衝L5，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，從雷射脈衝L5向光路A切出雷射脈衝L5a，向光路B切出雷射脈衝L5b。雷射脈衝L5a、L5b入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。電流鏡43a、43b、44藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L6a、L6b。
雷射脈衝L6在電流鏡43b、44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，從雷射脈衝L6向光路A切出雷射脈衝L6a，向光路B切出雷射脈衝L6b。雷射脈衝L6a、L6b入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。
電流鏡43a結束施加頻率相對較低之控制信號並開始移動，電流鏡43b結束施加頻率相對較高之控制信號並開始移動。電流鏡44在入射雷射脈衝L6b之後亦維持靜止狀態。這是因為基於下一個雷射脈衝L7a、L7b之被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L6a、L6b之被加工位置的Y座標相等。
雷射脈衝L7在電流鏡43a、43b靜止之後被射出。藉由AOD42，向光路A切出之雷射脈衝L7a經由靜止狀態的電流鏡43a、44入射至工件30上的被加工位置。向光路B切出之雷射脈衝L7b經由靜止狀態的電流鏡43b、44入射至工件30上的被加工位置。
本例子中，從射出雷射脈衝L6時到結束射出雷射脈衝L7為止為電流鏡44靜止之狀態，但是在基於雷射脈衝L7a之被加工位置的X座標與基於雷射脈衝L6a之被加工位置的X座標相等時，進行不使電流鏡43a移動之控制。並且，在基於雷射脈衝L7b之被加工位置的X座標與基於雷射脈衝L6b之被加工位置的X座標相等時，進行不使電流鏡43b移動之控制。這樣，當基於下一個雷射脈衝之被加工位置的X座標或Y座標相等時，可進行不使電流鏡43a、43b、44的任一個或不使電流鏡43a、43b雙方移動之控制。
基於第2實施例之雷射加工方法將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按時間分配於互不相同之2個方向(光路A及光路B)。藉由基於第2實施例之雷射加工方法，能夠以施加於AOD42的僅為施加頻率相對較低之控制信號之時間的時間差，向一邊為50mm的正方形區域的可加工範圍入射2發雷射脈衝，因此能夠加快加工速度。但是，在基於第1實施例的雷射加工方法中，例如以電流鏡43a、43b的其中一方和電流鏡44靜止之狀態射出雷射脈衝，但是在第2實施例中，以3片電流鏡43a、43b、44全部靜止之狀態射出雷射脈衝，因此亦有可能加工速度變得慢於第1實施例。
第4圖係表示基於第3實施例之雷射加工方法之的時序圖。基於第3實施例之雷射加工方法利用基於第1實施例之雷射加工裝置，並在基於制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與第3圖所示之時序圖中的橫軸及縱軸相等。
在基於第2實施例之雷射加工方法中，對AOD42依次施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，從所有雷射脈衝L1～L7以雷射脈衝L1a～L7a、雷射脈衝L1b～L7b的順序向光路A、B切出雷射脈衝。在基於第3實施例之雷射加工方法中，進行首先對在此次與下次向被加工位置之間的距離相對較大之被加工位置入射雷射脈衝之電流鏡43a、43b切出雷射脈衝之控制。
雷射脈衝L1在電流鏡44、43a靜止且電流鏡43b靜止之後被射出。若分別結束雷射脈衝L1a、L1b的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡43a、43b向控制裝置60發送電流靜止信號。若結束雷射脈衝L1a及L1b的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡44向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60接收來自電流鏡43a、43b、44的電流靜止信號之後，向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L1。
控制裝置60依據此次入射雷射脈衝L1a之被加工位置與下次入射雷射脈衝L2a之被加工位置之間的距離及此次入射雷射脈衝L1b之被加工位置與下次入射雷射脈衝L2b之被加工位置之間的距離的大小，使雷射脈衝L1a、L1b中入射至距下次的被加工位置為止的距離較大之此次被加工位置之雷射脈衝首先入射至工件30。
在第4圖中表示時序圖之雷射加工中，入射雷射脈衝L1a之被加工位置與入射雷射脈衝L2a之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L1b之被加工位置與入射雷射脈衝L2b之被加工位置之間的距離。因此，控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42以先施加頻率相對較低之控制信號，後施加頻率相對較高之控制信號之方式進行連續施加。
從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路A上前進之雷射脈衝L1a。並且，從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路B上前進之雷射脈衝L1b。雷射脈衝L1a經由電流鏡43a、電流鏡44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。並且，雷射脈衝L1b經由電流鏡43b、電流鏡44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射雷射脈衝L1a之被加工位置的Y座標與入射雷射脈衝L1b之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L2a。電流鏡43a接收來自控制裝置60的控制信號，在結束入射雷射脈衝L1b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號，並且對電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L2b、L2a及L2b。電流鏡43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並始移動。
雷射脈衝L2在電流鏡43b、44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。從各電流鏡43a、43b、44向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，射出雷射脈衝L2。
入射雷射脈衝L2b之被加工位置與入射雷射脈衝L3b之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L2a之被加工位置與入射雷射脈衝L3a之被加工位置之間的距離。因此，控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42以先施加頻率相對較高之控制信號後施加頻率相對較低之控制信號之方式進行連續施加。
從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路B分割生成之雷射脈衝L2b經由電流鏡43b、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。並且，從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路A分割生成之雷射脈衝L2a經由電流鏡43a、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L2b、L2a之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號，並且對電流鏡43b發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L3b，接收該控制信號之電流鏡43b在結束入射雷射脈衝L2a之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a、44發送使其進行定位之控制信號，以便分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L3a、L3a及L3b，接收該控制信號之電流鏡43a、44開始移動。
雷射脈衝L3在電流鏡43a、43b靜止且電流鏡44靜止之後被射出。從各電流鏡43a、43b、44向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡44的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，雷射光源40按照該觸發信號射出雷射脈衝L3。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號。這是因為，入射雷射脈衝L3a之被加工位置與入射雷射脈衝L4a之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L3b之被加工位置與入射雷射脈衝L4b之被加工位置之間的距離。
從在施加頻率相對較低之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路A分割生成之雷射脈衝L3a經由電流鏡43a、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置，從在施加頻率相對較高之控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路B分割生成之雷射脈衝L3b經由電流鏡43b、44及fθ透鏡45入射至工件30的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L3a、L3b之被加工位置的Y座標相等。
控制裝置60結束施加頻率相對較低之控制信號，並且對電流鏡43a發送使其進行定位之控制信號，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L4a，接收該控制信號之電流鏡43a在結束入射雷射脈衝L3b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率相對較高之控制信號，並且對電流鏡43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便分別向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L4b、L4a及L4b，接收該控制信號之電流鏡43b、44開始移動。
雷射脈衝L4在電流鏡44、43b靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，並且依次從雷射脈衝L4向光路A切出雷射脈衝L4a，向光路B切出雷射脈衝L4b。這是因為，入射雷射脈衝L4a之被加工位置與入射雷射脈衝L5a之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L4b之被加工位置與入射雷射脈衝L5b之被加工位置之間的距離。
雷射脈衝L4a、L4b入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。電流鏡43a、43b、44藉由控制裝置60的控制在預定的定時機開始移動，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L5a、L5b。
從完成定位之電流鏡43b、43a、44向控制裝置60發送靜止信號，但由於完成下一個雷射脈衝L5a、L5b的入射位置的定位之時刻為從射出前面的雷射脈衝L4的時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻，所以控制裝置60在經過最短周期量的時間之後射出雷射脈衝L5，並且對AOD42連續施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，並依次從雷射脈衝L5向光路A切出雷射脈衝L5a，向光路B切出雷射脈衝L5b。這是因為，入射雷射脈衝L5a之被加工位置與入射雷射脈衝L6a之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L5b之被加工位置與入射雷射脈衝L5b之被加工位置之間的距離。
雷射脈衝L5a、L5b入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。電流鏡43a、43b、44藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動，以便向預定的被加工位置入射下一個雷射脈衝L6a、L6b。
雷射脈衝L6在電流鏡43b、44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡43a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42連續施加頻率相對較高之控制信號、頻率相對較低之控制信號，並且依次從雷射脈衝L6向光路B切出雷射脈衝L6b，向光路A切出雷射脈衝L6a。這是因為，入射雷射脈衝L6b之被加工位置與入射雷射脈衝L7b之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L6a之被加工位置與入射雷射脈衝L7a之被加工位置之間的距離。
雷射脈衝L6b、L6a入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。電流鏡43b結束施加頻率相對較高之控制信號並開始移動，電流鏡43a結束施加頻率相對較低之控制信號並開始移動。電流鏡44在入射雷射脈衝L6a之後亦維持靜止狀態。這時因為，基於雷射脈衝L7a、L7b之被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L6a、L6b之被加工位置的Y座標相等。
雷射脈衝L7在電流鏡43a、43b靜止之後被射出。由於入射雷射脈衝L7b之被加工位置與入射雷射脈衝L8b之被加工位置之間的距離大於入射雷射脈衝L7a之被加工位置與入射雷射脈衝L8a之被加工位置之間的距離，因此對AOD42依次施加頻率相對較高之控制信號、頻率相對較低之控制信號。向光路B切出之雷射脈衝L7b經由靜止狀態的電流鏡43b、44入射至工件30上的被加工位置。向光路A切出之雷射脈衝L7a經由靜止狀態的電流鏡43a、44入射至工件30上的被加工位置。
藉由基於第3實施例之雷射加工方法，首先使入射至距下次的被加工位置為止的距離較大之此次的被加工位置之雷射脈衝入射至工件30，且首先進行移動時間(定位時間)較長之電流鏡的移動，從而能夠比第2實施例更加高速地進行加工。
另外，例如入射經由電流鏡43a之雷射脈衝L1a、L2a之被加工位置之間的距離與入射經由電流鏡43b之雷射脈衝L1b、L2b之被加工位置之間的距離相等，而且電流鏡43a、43b的移動時間互相相等時，亦可向工件30首先入射雷射脈衝L1a、L1b中的任一個。
第5圖係表示基於第2實施例之雷射加工裝置之概要圖。基於第2實施例之雷射加工裝置不具備將脈衝雷射束80選擇性地分配於光路A或光路B之AOD42，而是具有分叉(能量分割)雷射脈衝且同時向光路A和光路B分配之偏光射束分光器46，這一點與基於第1實施例之雷射加工裝置不同。
偏光射束分光器46透射從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的一部份，例如一半並使其沿光路A前進，反射剩余部份並使其沿光路B前進。在光路A、B上前進之脈衝雷射束80a、80b分別由按照需要固定配置之折回鏡47a、47b反射並入射至電流鏡43a、43b，由電流鏡43a、43b及電流鏡44向X軸方向及Y軸方向(2維方向)改變射出方向，由fθ透鏡45聚光之後，入射至工件30的被加工位置。入射至工件30之脈衝雷射束80a、80b的脈衝能量及峰值功率例如為基於第1實施例之雷射加工裝置時的一半。
第6圖係表示基於第4實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第4實施例之雷射加工方法利用基於第2實施例之雷射加工裝置，並在基於控制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與在第2圖所示之時序圖中對應之橫軸及縱軸相等。在本圖中，從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按照射出順序表示為雷射脈衝L1～L7。並且，將雷射脈衝L1～L7被偏光射束分光器46向光路A、B分叉(能量分割)之後的雷射脈衝分別表示為雷射脈衝L1a～L7a、L1b～L7b。
雷射脈衝L1在電流鏡44、43a靜止且電流鏡43b靜止之後被射出。若分別結束雷射脈衝L1a、L1b的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡43a、43b向控制裝置60發送電流靜止信號。若結束雷射脈衝L1a及L1b的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡44向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60接收來自電流鏡43a、43b、44的電流靜止信號之後(接收來自靜止最慢之電流鏡43b的靜止信號的同時)，向雷射光源40發送觸發信號，雷射光源40按照該觸發信號射出雷射脈衝L1。雷射脈衝L1被偏光射束分光器46分為在光路A上前進之雷射脈衝L1a和在光路B上前進之雷射脈衝L1b，雷射脈衝L1a、L1b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。
結束射出雷射脈衝L1之後，控制裝置60分別向電流鏡43a、43b、44發送使其進行定位之控制信號，以便向下一個被加工位置入射雷射脈衝。電流鏡43a、43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L2在電流鏡43b、44靜止且電流鏡43a靜止之後被射出。雷射脈衝L2被偏光射束分光器46分為在光路A、B上前進之雷射脈衝L2a、L2b，各雷射脈衝L2a、L2b經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。
結束射出雷射脈衝L2之後，控制裝置60分別向電流鏡43a、43b、44發送使其進行新的定位之控制信號，以便向下一個被加工位置入射雷射脈衝，電流鏡43a、43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L3在電流鏡43a、43b靜止且電流鏡44靜止之後被射出。雷射脈衝L3被偏光射束分光器46分配於光路A、B上之雷射脈衝L3a、L3b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。
結束射出雷射脈衝L3之後，控制裝置60分別向電流鏡43a、43b、44發送使其進行新的定位之控制信號，以便向下一個被加工位置入射雷射脈衝，電流鏡43a、43b、44接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L4按照接收電流鏡44、43b、43a的靜止信號之控制裝置60的觸發信號而射出，被偏光射束分光器46分為雷射脈衝L4a、L4b。雷射脈衝L4a、L4b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。結束射出雷射脈衝L4之後，電流鏡43a、43b、44開始移動。
完成基於電流鏡43a、43b、44之雷射脈衝入射位置的定位，控制裝置60從電流鏡43a、43b、44接收靜止信號。但是，由於完成電流鏡43a、43b、44的定位之時刻為從射出雷射脈衝L4之時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻，因此，雷射脈衝L5在經過最短周期量的時間之後被射出。雷射脈衝L5被偏光射束分光器46分為雷射脈衝L5a、L5b，雷射脈衝L5a、L5b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。結束射出雷射脈衝L5之後，電流鏡43a、43b、44開始移動。
雷射脈衝L6在控制裝置60從電流鏡43b、44、43a接收靜止信號之後被射出，雷射脈衝L6被偏光射束分光器46分割之雷射脈衝L6a、L6b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。
結束射出雷射脈衝L6之後，電流鏡43a、43b開始移動。電流鏡44維持靜止狀態。這是因為，基於下一個雷射脈衝L7a、L7b之被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L6a、L6b之被加工位置的Y座標相等。
雷射脈衝L7在電流鏡43a、43b靜止之後被射出，被偏光射束分光器46分割之雷射脈衝L7a、L7b分別經由電流鏡43a、43b及電流鏡44同時入射至工件30的Y座標相等之被加工位置。結束射出雷射脈衝L7之後，電流鏡43a、43b、44開始移動。
本例子中，從射出雷射脈衝L6時到結束射出雷射脈衝L7為止為電流鏡44靜止之狀態，但是在基於雷射脈衝L7a之被加工位置的X座標與基於雷射脈衝L6a之被加工位置的X座標相等時，進行不使電流鏡43a移動之控制。並且，當基於雷射脈衝L7b之被加工位置的X座標與基於雷射脈衝L6b之被加工位置的X座標相等時，進行不使電流鏡43b移動之控制。這樣，當基於下一個雷射脈衝之被加工位置的X座標或Y座標相等時，可進行不使電流鏡43a、43b、44中的任一個或不使電流鏡43a、43b雙方移動之控制。
藉由基於第4實施例之雷射加工方法，能夠向例如一邊為50mm的正方形區域的可加工範圍同時入射2發雷射脈衝，因此能夠加快加工速度。但是，在基於第1實施例之雷射加工方法中，例如以電流鏡43a、43b的其中一方與電流鏡44靜止之狀態射出雷射脈衝，但是在基於第4實施例之雷射加工方法中，以3片電流鏡43a、43b、44全部靜止之狀態射出雷射脈衝，因此加工速度有可能變得慢於第1實施例。
第7圖係表示基於第3實施例之雷射加工裝置之概要圖。利用基於第3實施例之雷射加工裝置，進行2片工件31、32的同時加工。工件31、32例如為與工件30相同之印刷基板。分配光學系統48為AOD、偏光射束分光器等能夠將入射之雷射束80選擇性地或同時分配於互不相同的2個光路A、B之光學系統。藉由分配光學系統48分配於光路A之脈衝雷射束80a經由電流鏡43a、44及fθ透鏡45入射至工件31的被加工位置，進行工件31的開孔加工。藉由分配光學系統48分配於光路B之脈衝雷射束80b經由電流鏡43b、44及fθ透鏡45入射至工件32的被加工位置，進行工件32的開孔加工。工件31、32的加工模式(孔模式)可相等亦可不同。可以利用基於第3實施例之雷射加工裝置實施例如基於第1～第4實施例之雷射加工方法，對2片工件31、32進行高速開孔加工。
第8圖係表示基於第4實施例之雷射加工裝置之概要圖。基於第1～第3實施例之雷射加工裝置為包含3片電流鏡43a、43b、44及fθ透鏡45並由2個加工軸進行加工之1fθ、2軸雷射加工裝置。基於第4實施例之雷射加工裝置為具有2組包含3片電流鏡和fθ透鏡而構成之2軸加工部之2fθ、4軸雷射加工裝置。
按照來自控制裝置60的觸發信號從雷射光源40射出之脈衝雷射束80藉由通過掩模41的透光區域來整形截面形狀，並入射至AOD42。控制裝置60藉由向AOD42施加互不相同之4個頻率α～δ的控制信號，從而能夠從偏轉角較小的一側依次向光路A～D分配脈衝雷射束80。在本圖中，將在光路A～D上前進之雷射束分別表示為脈衝雷射束81a、81b、82a、82b。另外，從頻率較小的一側依次為α、β、γ、δ。
脈衝雷射束81a、81b、82a、82b分別入射至電流鏡51a、51b、54a、54b並被偏轉之後，脈衝雷射束81a、81b經由電流鏡52、fθ透鏡53入射至保持於載物台71之工件33，脈衝雷射束82a、82b經由電流鏡55、fθ透鏡56入射至保持於載物台72之工件34。載物台71、72例如為XYθ載物台。工件33、34例如為與工件30相同之印刷基板。
電流鏡51a、54a、電流鏡51b、54b、電流鏡52、55、fθ透鏡53、56分別與第1～第3實施例之電流鏡43a、電流鏡43b、電流鏡44、fθ透鏡45對應，並具有相同功能。
藉由入射脈衝雷射束81a、81b、82a、82b，在工件33、34上形成具備與掩模41的透光區域的形狀對應之形狀之孔。
第9圖係表示基於第5實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第5實施例之雷射加工方法利用基於第4實施例之雷射加工裝置，並在基於控制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與第2圖所示之時序圖之橫軸及縱軸相等。在本圖中，將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按射出順序表示為雷射脈衝L1～L8。
在基於第5實施例之雷射加工方法中，利用AOD42從各個雷射脈衝Ln(n=1～8)按時間分割生成在光路A～D的任意2個光路上前進之雷射脈衝。將向光路A、B、C、D切出之雷射脈衝Ln的一部份分別表示為Lna、Lnb、Lnc、Lnd。從各雷射脈衝Ln切出之2個雷射脈衝的脈衝寬度例如互相相等。
在第5實施例中，作為一例，從各雷射脈衝Ln按時間分割生成2個雷射脈衝，將其中一方入射至經由fθ透鏡53之可加工範圍，另一方入射至經由fθ透鏡56之可加工範圍。另外，將其中一方分配於光路A(電流鏡51a)時，將另一方分配於光路C(電流鏡54a)，將其中一方分配於光路B(電流鏡51b)時，將另一方分配於光路D(電流鏡54b)。
雷射脈衝L1在電流鏡55、52、51a靜止且電流鏡54a靜止之後被射出。若分別結束雷射脈衝L1a、L1c的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡51a、54a向控制裝置60發送電流靜止信號。若分別結束雷射脈衝L1a、L1c的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡52、55向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60接收來自靜止最慢之電流鏡54a的電流靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L1。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率γ的控制信號。頻率γ的控制信號的施加例如與結束射出雷射脈衝L1的同時被解除。
另外，在本圖中，表示成開始射出所有雷射脈衝L1～L8的同時施加頻率相對較低之控制信號，結束射出的同時解除頻率相對較高之控制信號，但是控制信號施加的開始及解除未必一定要與雷射脈衝L1～L8的射出開始及射出結束一致。
從在施加頻率α的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路A上前進之雷射脈衝L1a。並且，從在施加頻率γ的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路C上前進之雷射脈衝L1c。雷射脈衝L1a經由電流鏡51a、電流鏡52及fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。並且，雷射脈衝L1c經由電流鏡54a、電流鏡55及fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。
控制裝置60結束施加頻率α的控制信號，並且對電流鏡51a、52發送使其進行定位之控制信號。電流鏡51a、52接收來自控制裝置60的控制信號，在結束入射雷射脈衝L1c之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率γ的控制信號，並且對電流鏡54a、55發送使其進行定位之控制信號。電流鏡54a、55接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。未入射從雷射脈衝L1生成之雷射脈衝L1a、L1c之電流鏡51b、54b在向工件33、34照射雷射脈衝L1a、L1c的期間移動。
雷射脈衝L2在電流鏡55、51b、52靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。從各電流鏡55、51b、52、54b向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L2。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率β的控制信號、頻率δ的控制信號。
從在施加頻率β的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路B分割生成之雷射脈衝L2b經由電流鏡51b、52及fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。並且，從在施加頻率δ的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路D分割生成之雷射脈衝L2d經由電流鏡54b、55及fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。
控制裝置60結束施加頻率β的控制信號，並且對電流鏡51b、52發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡51b、52在結束入射雷射脈衝L2d之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率δ的控制信號，並且對電流鏡54b、55發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡54b、55開始移動。未入射從雷射脈衝L2生成之雷射脈衝L2b、L2d之電流鏡51a、54a在向工件33、34照射雷射脈衝L2b、L2d的期間移動。
雷射脈衝L3在電流鏡51a、54a、55靜止且電流鏡52靜止之後被射出。從各電流鏡51a、54a、55、52向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡52的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，雷射光源40按照該觸發信號射出雷射脈衝L3。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率γ的控制信號。
從在施加頻率α的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路A分割生成之雷射脈衝L3a經由電流鏡51a、52及fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置，從在施加頻率γ的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路C分割生成之雷射脈衝L3c經由電流鏡54a、55及fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。
控制裝置60結束施加頻率α的控制信號，並且對電流鏡51a、52發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡51a、52在結束入射雷射脈衝L3c之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率γ的控制信號，並且對電流鏡54a、55發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡54a、55開始移動。未入射從雷射脈衝L3生成之雷射脈衝L3a、L3c之電流鏡51b、54b在向工件33、34照射雷射脈衝L3a、L3c的期間移動。
雷射脈衝L4在電流鏡52、51b、55靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率β的控制信號、頻率δ的控制信號，從雷射脈衝L4向光路B切出雷射脈衝L4b，向光路D切出雷射脈衝L4d。電流鏡51b、52、54b、55藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L4生成之雷射脈衝L4b、L4d之電流鏡51a、54a在向工件33、34照射雷射脈衝L4b、L4d的期間移動。
從完成定位之電流鏡51a、54a、52、55向控制裝置60發送靜止信號，但是，由於完成下一個雷射脈衝L5a、L5c的入射位置的定位之時刻為從射出前面的雷射脈衝L4之時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻，因此，控制裝置60在經過最短周期量的時間之後，射出雷射脈衝L5，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率γ的控制信號，從雷射脈衝L5向光路A切出雷射脈衝L5a，向光路C切出雷射脈衝L5c。電流鏡51a、52、54a、55藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L5生成之雷射脈衝L5a、L5c之電流鏡51b、54b在向工件33、34照射雷射脈衝L5a、L5c期間移動。
雷射脈衝L6在電流鏡51b、52、55靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率β的控制信號、頻率δ的控制信號，從雷射脈衝L6向光路B切出雷射脈衝L6b，向光路D切出雷射脈衝L6d。雷射脈衝L6b、L6d分別入射至工件33、34的被加工位置。
電流鏡51b結束施加頻率β的控制信號並開始移動，但電流鏡52在入射雷射脈衝L6b之後亦維持靜止狀態。這是因為基於從下一個雷射脈衝L7分配於fθ透鏡53的可加工範圍之雷射脈衝L7a之被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L6b之被加工位置的Y座標相等。電流鏡54b、55結束施加頻率δ的控制信號並開始移動。未入射從雷射脈衝L6生成之雷射脈衝L6b、L6d之電流鏡51a、54a在向工件33、34照射雷射脈衝L6b、L6d的期間移動。
雷射脈衝L7在電流鏡54a、55、51a靜止之後被射出。藉由AOD42，向光路A切出之雷射脈衝L7a經由靜止狀態的電流鏡51a、52入射至工件33的被加工位置。向光路C切出之雷射脈衝L7c經由電流鏡54a、55入射至工件34上的被加工位置。電流鏡51a、52、54a、55藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L7生成之雷射脈衝L7a、L7c之電流鏡51b、54b在向工件33、34照射雷射脈衝L7a、L7c的期間移動。
雷射脈衝L8在電流鏡52、55、54a靜止且電流鏡51a靜止之後被射出，由AOD42分配於光路A、C之後，經由電流鏡51a、54a分別入射至預定的被加工位置。在此期間，電流鏡51b、54b繼續移動。藉由經由電流鏡51a、54a之雷射脈衝，連續進行加工。
在基於第5實施例之雷射加工方法中，射出雷射脈衝時，使處於未藉由AOD42分配雷射脈衝之光路A～D上之電流鏡51a、51b、54a、54b中的至少一個為了定位而移動。例如在將從入射至AOD42之1個雷射脈衝按時間分割生成之2個雷射脈衝分配於光路A和光路C來進行加工之期間，移動電流鏡51b、54b的至少一方，進行以後的雷射脈衝的定位，在將從入射至AOD42之1個雷射脈衝按時間分割生成之2個雷射脈衝分配於光路B和光路D來進行加工之期間，移動電流鏡51a、54a的至少一方，進行以後的雷射脈衝的定位。因此，能夠加快加工速度。另外，在基於第5實施例之雷射加工方法中，照射至工件33、34之各雷射脈衝的峰值功率與從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的峰值功率相等。
在基於第5實施例之雷射加工方法中，對AOD42依次施加頻率相對較低之控制信號、頻率相對較高之控制信號，但是，亦可如基於第3實施例之雷射加工方法，首先朝向此次的被加工位置與下次的被加工位置之間的距離相對較大之此次的被加工位置切出雷射脈衝。
在基於第5實施例之雷射加工方法中，按時間分別分割雷射脈衝L1～L8並分配於fθ透鏡53的可加工範圍和fθ透鏡56的可加工範圍雙方，但亦可是如下雷射加工方法，即不按時間分割各雷射脈衝L1～L8，選擇性地分配於fθ透鏡53的可加工範圍、fθ透鏡56的可加工範圍的任意一方的一軸，即光路A～D中的任一個。此時，射出雷射脈衝時，使處於未藉由AOD42分配雷射脈衝之fθ透鏡側之3片電流鏡和盡管處於被分配雷射脈衝之fθ透鏡側但處於未分配雷射脈衝之光路上之電流鏡51a、51b、54a、54b中的至少一個為了定位而移動。藉由該雷射加工方法(基於第5實施例之雷射加工方法的變形例)，能夠使各雷射脈衝的脈衝能量及峰值功率與從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的脈衝能量及峰值功率相等來進行加工。
第10圖係表示基於第6實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第6實施例之雷射加工方法利用基於第4實施例之雷射加工裝置，並在基於控制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與第2圖所示之時序圖的橫軸及縱軸相同。
在基於第5實施例之雷射加工方法中，從各雷射脈衝Ln按時間分割生成2個雷射脈衝，使其中一方入射至經由fθ透鏡53之可加工範圍，另一方入射至經由fθ透鏡56之可加工範圍，但是在基於第6實施例之雷射加工方法中，使從各雷射脈衝Ln按時間分割生成之2個雷射脈衝雙方按照每一個雷射脈衝Ln選擇性地入射至經由fθ透鏡53之可加工範圍、經由fθ透鏡56之可加工範圍中的任意一方。
雷射脈衝L1在電流鏡52、51a靜止且電流鏡51b靜止之後被射出。若分別結束雷射脈衝L1a、L1b的入射位置沿X軸方向之定位，則電流鏡51a、51b向控制裝置60發送電流靜止信號。若結束雷射脈衝L1a、L1b的入射位置沿Y軸方向之定位，則電流鏡52向控制裝置60發送電流靜止信號。控制裝置60接收來自靜止最慢之電流鏡51b的電流靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L1。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率β的控制信號。頻率β的控制信號的施加例如與結束射出雷射脈衝L1的同時被解除。
從在施加頻率α的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路A上前進之雷射脈衝L1a 。並且，從在施加頻率β的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L1按時間分割生成在光路B上前進之雷射脈衝L1b。雷射脈衝L1a經由電流鏡51a、電流鏡52及fθ透鏡53，並且，雷射脈衝L1b經由電流鏡51b、電流鏡52及fθ透鏡53，而分別入射至工件33的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L1a、L1b之被加工位置的Y座標互相相等。
控制裝置60結束施加頻率α的控制信號，並且對電流鏡51a發送使其進行定位之控制信號。電流鏡51a接收來自控制裝置60的控制信號，在結束入射雷射脈衝L1b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率β的控制信號，並且對電流鏡51b、52發送使其進行定位之控制信號。電流鏡51b、52接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。未入射從雷射脈衝L1生成之雷射脈衝L1a、L1b之電流鏡54a、54b、55在向工件33照射雷射脈衝L1a、L1b的期間移動。
雷射脈衝L2在電流鏡55、54a靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。從各電流鏡55、54a、54b向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40射出雷射脈衝L2。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率γ的控制信號、頻率δ的控制信號。
從在施加頻率γ的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路C分割生成之雷射脈衝L2c經由電流鏡54a、55及fθ透鏡56，並且，從在施加頻率δ的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L2沿光路D分割生成之雷射脈衝L2d經由電流鏡54b、55及fθ透鏡56，分別入射至工件34的被加工位置。入射兩個雷射脈衝L2c、L2d之被加工位置的Y座標互相相等。
控制裝置60結束施加頻率γ的控制信號，並且對電流鏡54a發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡54a在結束入射雷射脈衝L2d之前開始移動。並且，控制裝置60在結束施加頻率δ的控制信號，並且對電流鏡54b、55發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡54b、55開始移動。未入射從雷射脈衝L2生成之雷射脈衝L2c、L2d之電流鏡51a、51b、52在向工件34照射雷射脈衝L2c、L2d的期間移動。
雷射脈衝L3在電流鏡51a、51b靜止且電流鏡52靜止之後被射出。從各電流鏡51a、51b、52向控制裝置60發送電流靜止信號，控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡52的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，雷射光源40按照該觸發信號射出雷射脈衝L3。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率β的控制信號。
從在施加頻率α的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路A分割生成之雷射脈衝L3a經由電流鏡51a、52及fθ透鏡53，並且，從在施加頻率β的控制信號期間入射至AOD42之雷射脈衝L3沿光路B分割生成之雷射脈衝L3b經由電流鏡51b、52及fθ透鏡53，分別入射至工件33的被加工位置。
控制裝置60結束施加頻率α的控制信號，並且對電流鏡51a發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡51a在結束入射雷射脈衝L3b之前開始移動。並且，控制裝置60結束施加頻率β的控制信號，並且對電流鏡51b、52發送使其進行定位之控制信號，接收該控制信號之電流鏡51b、52開始移動。未入射從雷射脈衝L3生成之雷射脈衝L3a、L3b之電流鏡54a、54b、55在向工件33照射雷射脈衝L3a、L3b的期間移動。
雷射脈衝L4在電流鏡55、54a靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率γ的控制信號、頻率δ的控制信號，從雷射脈衝L4向光路C切出雷射脈衝L4c，向光路D切出雷射脈衝L4d。電流鏡54a、54b、55藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L4生成之雷射脈衝L4c、L4d之電流鏡51a、51b、52在向工件34照射雷射脈衝L4c、L4d的期間移動。
從完成定位之電流鏡51b、52、51a向控制裝置60發送靜止信號，但是，由於完成下一個雷射脈衝L5a、L5b的入射位置的定位之時刻為從射出前面的雷射脈衝L4之時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻，因此，控制裝置60在經過最短周期量的時間之後，射出雷射脈衝L5，並且對AOD42依次連續施加頻率α的控制信號、頻率β的控制信號，從雷射脈衝L5向光路A切出雷射脈衝L5a，向光路B切出雷射脈衝L5b。電流鏡51a、51b藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動，但是，電流鏡52即使在入射雷射脈衝L5b之後亦維持靜止狀態。這是因為，向電流鏡51a、51b入射雷射脈衝L7a、L7b來進行加工時的被加工位置的Y座標與基於雷射脈衝L5a、L5b之被加工位置的Y座標相等。未入射從雷射脈衝L5生成之雷射脈衝L5a、L5b之電流鏡54a、54b、55在向工件33照射雷射脈衝L5a、L5b的期間移動。
雷射脈衝L6在電流鏡55、54a靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。
控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42依次連續施加頻率γ的控制信號、頻率δ的控制信號，從雷射脈衝L6向光路C切出雷射脈衝L6c，向光路D切出雷射脈衝L6d。雷射脈衝L6c、L6d分別入射至工件34的被加工位置。
電流鏡54a、54b、55在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L6生成之雷射脈衝L6c、L6d之電流鏡51a、51b在向工件34照射雷射脈衝L6c、L6d的期間移動。
雷射脈衝L7在電流鏡51b靜止且電流鏡51a靜止之後被射出。藉由AOD42向光路A切出之雷射脈衝L7a經由靜止狀態的電流鏡51a、52，並且，向光路B切出之雷射脈衝L7b經由電流鏡51b、52，分別入射至工件33上的Y座標相等之被加工位置。電流鏡51a、51b、52藉由控制裝置60的控制在預定的時機開始移動。未入射從雷射脈衝L7生成之雷射脈衝L7a、L7b之電流鏡54a、54b、55在向工件33照射雷射脈衝L7a、L7b的期間移動。
雷射脈衝L8在電流鏡52、51b靜止且電流鏡51a靜止之後被射出，藉由AOD42分配於光路A、B之後，經由電流鏡51a、51b分別入射至預定的被加工裝置。在此期間，電流鏡54a、54b繼續移動。在本圖所示之例子中，電流鏡55在射出雷射脈衝L8的中途靜止。雷射脈衝L7、L8被一同傳輸至fθ透鏡53的可加工範圍，並連續進行fθ透鏡53的可加工範圍內的被加工裝置的加工。
例如射出雷射脈衝L7時，電流鏡54a、54b、55中的至少一個在移動時，即其中至少一個在射出雷射脈衝L8時亦移動時，雷射脈衝L7、L8繼續被傳輸至fθ透鏡53的可加工範圍。
在基於第6實施例之雷射加工方法中，在射出雷射脈衝時，處於未藉由AOD42分配其雷射脈衝之fθ透鏡側之3個電流鏡中的至少一個會移動。因此能夠加快加工速度。另外，在基於第6實施例之雷射加工方法中，亦能夠首先朝向此次的被加工位置與下次的被加工位置之間的距離相對較大之此次的被加工位置切出雷射脈衝。
第11圖係表示基於第5實施例之雷射加工裝置之概要圖。基於第5實施例之雷射加工裝置包含分叉(能量分割)脈衝雷射束且同時分配於2個光路之偏光射束分光器、及分別配置於由偏光射束分光器分配之脈衝雷射束的光路上之2個AOD。2個AOD能夠分別將所入射之脈衝雷射束按各雷射脈衝選擇性地分配於2個光路的其中一方或者以微小的時間差分配於雙方來射出。包含偏光射束分光器及2個AOD而構成能夠向4個方向分配脈衝雷射束之分配光學系統。
從雷射光源40射出之脈衝雷射束80通過掩模41的透光區域入射至偏光射束分光器46。偏光射束分光器46反射從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的一部份，例如一半並使其沿光路A前進，透射剩余部份並使其沿光路B前進。在光路A、B上前進之脈衝雷射束80A、80B分別入射至AOD42a、42b。
AOD42a能夠將脈衝雷射束80A分配於光路Aa和光路Ab。當分配於光路Aa時，對AOD42a施加頻率相對較低之控制信號，當分配於光路Ab時，施加頻率相對較高之控制信號。
AOD42b能夠將脈衝雷射束80B分配於光路Ba和光路Bb。當分配於光路Ba時，對AOD42b施加頻率相對較低之控制信號，當分配於光路Bb時，施加頻率相對較高之控制信號。將在光路Aa、Ab、Ba、Bb上前進之脈衝雷射束分別標記為脈衝雷射束80Aa、80Ab、80Ba、80Bb。
藉由AOD42a分配於光路Aa之脈衝雷射束80Aa由電流鏡51a、電流鏡52偏轉，被fθ透鏡53聚光而入射至保持於載物台71之工件33的被加工位置。同樣地，藉由AOD42a分配於光路Ab之脈衝雷射束80Ab經由電流鏡51b、52、fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。
藉由AOD42b分配於光路Ba之脈衝雷射束80Ba由電流鏡54a、電流鏡55偏轉，被fθ透鏡56聚光而入射至保持於載物台72之工件34的被加工位置。同樣地，藉由AOD42b分配於光路Bb之脈衝雷射束80Bb經由電流鏡54b、55、fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。
第12圖係表示基於第7實施例之雷射加工方法之時序圖。基於第7實施例之雷射加工方法利用基於第5實施例之雷射加工裝置，並在基於控制裝置60之控制的基礎上實施。時序圖的橫軸及各段的縱軸與第2圖所示之時序圖中的橫軸及各段的縱軸相同。本圖中，將從雷射光源40射出之脈衝雷射束80的各雷射脈衝按射出順序表示為雷射脈衝L1～L8。
在基於第7實施例之雷射加工方法中，利用偏光射束分光器46、AOD42a、42b，從各個雷射脈衝Ln(n=1～8)生成在光路Aa、Ab、Ba、Bb的任意2個光路上前進之雷射脈衝。將沿光路Aa、Ab、Ba、Bb前進之雷射脈衝Ln的一部份分別表示為LnAa、LnAb、LnBa、LnBb。
在第5實施例中，將各雷射脈衝Ln等能量分割為2個雷射脈衝，使其中一方入射至經由fθ透鏡53之可加工範圍，另一方入射至經由fθ透鏡56之可加工範圍。另外，將其中一方分配於光路Aa(電流鏡51a)時，將另一方分配於光路Ba(電流鏡54a)，將其中一方分配於光路Ab(電流鏡51b)時，將另一方分配於光路Bb(電流鏡54b)。
雷射脈衝L1在電流鏡55、52、54a靜止且電流鏡51a靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡51a的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號。雷射光源40接收該觸發信號並射出雷射脈衝L1。控制裝置60向雷射光源40發送觸發信號，並且對AOD42a、42b施加頻率相對較低之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割且入射至AOD42a、42b之雷射脈衝分別分配於光路Aa、Ba。雷射脈衝L1Aa經由電流鏡51a、52、fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。雷射脈衝L1Ba經由電流鏡54a、55、fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。在射出雷射脈衝L1期間，未入射雷射脈衝L1Aa、L1Ba之電流鏡51b、54b進行移動。
結束射出雷射脈衝L1，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，向電流鏡51a、52、54a、55發送使其進行定位之控制信號。電流鏡51a、52、54a、55接收來自控制裝置60的控制信號並開始移動。
雷射脈衝L2在電流鏡52、55、51b靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。控制裝置60接收靜止最慢之電流鏡54b的靜止信號，並且向雷射光源40發送觸發信號，並對AOD42a、42b施加頻率相對較高之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割且入射至AOD42a、42b之雷射脈衝分別分配於光路Ab、Bb。雷射脈衝L2Ab經由電流鏡51b、52、fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。雷射脈衝L2Bb經由電流鏡54b、55、fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。在射出雷射脈衝L2期間，未入射雷射脈衝L2Ab、L2Bb之電流鏡51a、54a進行移動。
結束射出雷射脈衝L2，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，向電流鏡51b、52、54b、55發送使其進行定位之控制信號。電流鏡51b、52、54b、55接收來自控制裝置60之控制信號並開始移動。
雷射脈衝L3與雷射脈衝L1相同地在電流鏡51a、52、54a、55靜止之後被射出。對AOD42a、42b施加頻率相對較低之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割之雷射脈衝分別分配於光路Aa、Ba，且分別入射至工件33、34的被加工位置。在射出雷射脈衝L3期間，未入射雷射脈衝L3Aa、L3Ba之電流鏡51b、54b進行移動。
結束射出雷射脈衝L3，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，使電流鏡51a、52、54a、55開始移動。
雷射脈衝L4與雷射脈衝L2相同地在電流鏡51b、52、54b、55靜止之後被射出。對AOD42a、42b施加頻率相對較高之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割之雷射脈衝分別分配於光路Ab、Bb，且分別入射至工件33、34的被加工位置。在射出雷射脈衝L4期間，未入射雷射脈衝L4Ab、L4Bb之電流鏡51a、54a進行移動。
結束射出雷射脈衝L4，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，使電流鏡51b、52、54b、55開始移動。
完成基於電流鏡51a、52、54a、55之雷射脈衝L5Aa、L5Ba的入射位置的定位，控制裝置60從各電流鏡51a、52、54a、55接收靜止信號。但是完成定位之時刻為從射出前面的雷射脈衝L4之時刻未經過可射出雷射脈衝之最短周期量的時間之時刻。因此，控制裝置60在經過最短周期量的時間之後，射出雷射脈衝L5，並且對AOD42a、42b施加頻率相對較低之控制信號。雷射脈衝L5Aa、L5Ba分別入射至工件33、34的被加工位置。在射出雷射脈衝L5期間，未入射雷射脈衝L5Aa、L5Ba之電流鏡51b、54b進行移動。結束射出雷射脈衝L5之後，電流鏡51a、52、54a、55開始移動。
雷射脈衝L6在電流鏡52、55、51b靜止且電流鏡54b靜止之後被射出。射出雷射脈衝L6，並且對AOD42a、42b施加頻率相對較高之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割之雷射脈衝分別分配於光路Ab、Bb，並分別入射至工件33、34的被加工位置。在射出雷射脈衝L6期間，未入射雷射脈衝L6Ab、L6Bb之電流鏡51a、54a進行移動。
結束射出雷射脈衝L6，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號。並且，使電流鏡51b、54b開始移動。但是，使電流鏡52、55維持靜止狀態。這是因為，基於下一個雷射脈衝L7Aa、L7Ba之被加工位置的Y座標分別與基於雷射脈衝L6Ab、L6Bb之被加工位置的Y座標相等。
雷射脈衝L7在電流鏡54a靜止且電流鏡51a靜止之後被射出。進行射出，並且對AOD42a、42b施加頻率相對較低之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割之雷射脈衝分別分配於光路Aa、Ba。在光路Aa上前進之雷射脈衝L7Aa經由靜止狀態的電流鏡51a、52及fθ透鏡53入射至工件33的被加工位置。在光路Ba上前進之雷射脈衝L7Ba經由靜止狀態的電流鏡54a、55及fθ透鏡56入射至工件34的被加工位置。在射出雷射脈衝L7期間，未入射雷射脈衝L7Aa、L7Ba之電流鏡51b、54b進行移動。
結束射出雷射脈衝L7，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，使電流鏡51a、52、54a、55開始移動。
雷射脈衝L8在電流鏡51a、52、54a、55靜止之後被射出。對AOD42a、42b施加頻率相對較低之控制信號。由偏光射束分光器46沿光路A、B被等能量分割之雷射脈衝分別分配於光路Aa、Ba，並分別入射至工件33、34的被加工位置。在射出雷射脈衝L8期間，未入射雷射脈衝L8Aa、L8Ba之電流鏡51b、54b進行移動。
這樣，例如在射出雷射脈衝L7時，電流鏡51b、54b中的至少其中一方移動時，即其中的至少一個在射出雷射脈衝L8時亦移動時，分割雷射脈衝L7、L8之雷射脈衝連續經由電流鏡51a、54a入射至工件33、34的被加工位置。
結束射出雷射脈衝L8，同時控制裝置60解除對AOD42a、42b施加控制信號，另外，使電流鏡51a、52、54a、55開始移動。
在基於第7實施例之雷射加工方法中，射出雷射脈衝時，處於未藉由AOD42a、42b分配雷射脈衝之光路上之電流鏡51a、51b、54a、54b中的至少一個進行移動，進行以後的雷射脈衝的入射位置的定位。因此能夠加快加工速度。
在基於第7實施例之雷射加工方法中，將脈衝雷射束80的能量的一部份分配於光路A，剩余部份分配於光路B，分別在光路A、B中，使雷射脈衝選擇性地向2個光路中的其中一方前進。例如如第3圖、第4圖中示出時序圖之基於第2、第3實施例之雷射加工方法，分別在光路A、B中，亦可從1個雷射脈衝按時間分割生成在2個光路上前進之雷射脈衝，以微小的時間差進行4軸加工。此時，為了定位而6個電流鏡51a、51b、52、54a、54b、55均靜止之後，從雷射光源40射出脈衝雷射束80。
第13圖係表示基於第6實施例之雷射加工裝置之概要圖。基於第5實施例之雷射加工裝置中，在由偏光射束分光器46分配之脈衝雷射束的光路上配置AOD42a、42b，但是基於第6實施例之雷射加工裝置中，在由AOD42分配之脈衝雷射束的光路上配置偏光射束分光器46a、46b。包含AOD42、偏光射束分光器46a、46b而構成能夠向4個方向分配脈衝雷射束之分配光學系統。
從雷射光源40射出之脈衝雷射束80通過掩模41的透光區域入射至AOD42。AOD42能夠將脈衝雷射束80選擇性地分配於光路A和光路B。當分配於光路A時，不會對AOD42施加控制信號。當分配於光路B時，對AOD42施加控制信號。
分配於光路A之脈衝雷射束80a由偏光射束分光器46a例如被等能量分割為2個雷射脈衝，被分割之雷射脈衝分別由電流鏡51a、51b偏轉，經由電流鏡52、fθ透鏡53入射至保持於載物台71之工件33的被加工位置。
同樣，分配於光路B之脈衝雷射束80b由偏光射束分光器46b例如被等能量分割為2個雷射脈衝，被分割之雷射脈衝分別由電流鏡54a、54b偏轉，經由電流鏡55、fθ透鏡56入射至保持於載物台72之工件34的被加工位置。
利用基於第6實施例之雷射加工裝置，能夠實施如下雷射加工方法(基於第8實施例之雷射加工方法)，即例如由AOD42按每1個脈衝向光路A、B中的其中一方選擇性地分配雷射脈衝，在進行工件33的2個被加工位置的開孔加工期間(射出雷射脈衝時)，移動電流鏡54a、54b、55中的至少一個來進行照射至工件34之雷射脈衝的定位，在工件34的2個被加工位置的開孔加工期間(射出雷射脈衝時)，移動電流鏡51a、51b、52中的至少1個來進行照射至工件33之雷射脈衝的定位。
並且，例如如在第3圖、第4圖中示出時序圖之基於第2、第3實施例之雷射加工方法，亦可由AOD42從1個雷射脈衝按時間分割生成沿2個光路A、B之雷射脈衝，以微小的時間差進行4軸加工。此時，為了定位而6個電流鏡51a、51b、52、54a、54b、55均靜止之後，從雷射光源40射出脈衝雷射束80。
基於第6實施例之雷射加工裝置將雷射脈衝分配於2個光路來進行2fθ、4軸加工，但是亦可對AOD42進一步施加不同頻率的控制信號。能夠利用互不相同的n種頻率的控制信號進行(n+1)fθ、2×(n+1)軸加工。
以下關於可加工範圍進行敘述。
參考第14圖(A)～(G)，對電流鏡的加工區進行說明。如第14圖(A)所示，入射至例如包含AOD或射束分離器而構成之分配器之雷射脈衝按雷射脈衝選擇性地分配於2個光路的其中一方，或者以微小的時間差分配於雙方，另外同時分配於2個光路。在2個光路的其中一方配置能夠偏轉所入射之雷射脈衝而射出之第1偏轉元件，例如電流鏡43a、51a、54a。另一方配置能夠偏轉所入射之雷射脈衝而射出之第2偏轉元件，例如電流鏡43b、51b、54b。經由第1、第2偏轉元件之雷射脈衝入射至能夠偏轉所入射之雷射脈衝而射出之第3偏轉元件，例如電流鏡44、52、55。包含第1～第3偏轉元件而構成能夠偏轉所入射之雷射脈衝而射出之偏轉器，例如檢流掃描器。經第3偏轉元件射出之雷射脈衝由fθ透鏡(聚光透鏡)聚光而入射至工件的被加工位置。藉由由偏轉器偏轉雷射脈衝，使雷射脈衝的入射位置在可加工範圍內移動，對工件進行雷射加工。例如，第1及第2偏轉元件能夠使雷射脈衝在工件上的入射位置沿X軸方向移動，第3偏轉元件能夠使其沿Y軸方向移動。
如第14圖(B)所示，作為例如50mm的邊沿X軸方向、Y軸方向之正方形可加工範圍被分為第1偏轉元件的加工區和第2偏轉元件的加工區。第1偏轉元件的加工區為能夠藉由由第1偏轉元件和第3偏轉元件偏轉入射至偏轉器之雷射脈衝來進行照射之區，第2偏轉元件的加工區為能夠藉由由第2偏轉元件和第3偏轉元件偏轉入射至偏轉器之雷射脈衝來進行照射之區。第1、第2偏轉元件的加工區例如為沿X軸方向之長度為25mm、沿Y軸方向之長度為50mm之全等矩形。
但是，依被加工位置的數量或配置，亦可例如如第14圖(C)～(F)所示一般改變第1、第2偏轉元件的加工區的尺寸或形狀。第14圖(C)所示之例子中，第1、第2偏轉元件的加工區為長邊的長度相等、短邊的長度不同之矩形。第14圖(D)所示之例子中，兩個加工區為全等直角等腰三角形。第14圖(E)所示之例子中，第1偏轉元件的加工區為直角等腰三角形，第2偏轉元件的加工區為五邊形。第14圖(F)所示之例子中，第1、第2偏轉元件的加工區為以折線分割正方形的對置之邊之間之全等凹六邊形。
並且，如第14圖(G)所示，還能夠將第1、第2偏轉元件的加工區設為沿X軸方向之長度為50mm、沿Y軸方向之長度為25mm之全等矩形。在第1、第2偏轉元件的加工區中，藉由使沿第1、第2偏轉元件移動入射位置之方向(X軸方向)之長度長於沿第3偏轉元件移動入射位置之方向(Y軸方向)之長度，從而能夠加快加工速度。但是，例如如第3圖中示出時序圖之基於第2實施例之雷射加工方法，當從1個雷射脈衝按時間分割生成經由第1、第2偏轉元件之雷射脈衝，且實施入射至Y座標相等之被加工位置之雷射加工方法時，無法採用第14圖(G)所示之加工區設定。
第15圖(A)、(B)及第16圖(A)、(B)係表示工件的被加工位置和可加工範圍之概略的俯視圖。
參考第15圖(A)及(B)。工件按照被加工位置的配置例如以能夠在最短時間內進行加工之方式保持於載物台上。作為一例，被加工位置和可加工範圍處於第15圖(A)所示之相對位置關係時，利用θ載物台相對旋轉移動工件和檢流掃描器，如第15圖(B)所示般，在可加工範圍內配置被加工位置。
參考第16圖(A)及(B)。向可加工範圍(各加工區)內的被加工位置照射雷射脈衝之順序(加工順序)例如按照第1～第3偏轉元件的移動速度或被加工位置的配置，在巡迴銷售員問題等上最優化，以便加工時間成為最短。作為一例，如第16圖(A)所示，並不是向Y軸方向往返的同時作為整體向X軸正方向進行加工，而是如第16圖(B)所示，將加工順序設定成Y軸方向的移動距離(第3偏轉元件的移動角度、偏轉量)作為整體成為最小，藉由控制裝置60以該加工順序使雷射脈衝入射至各加工區內的複數個被加工位置。
按照以上實施例對本發明進行了說明，但是本發明不限於這些。
例如，在實施例中，在使載物台靜止之狀態下進行可加工範圍的加工，結束該加工之後，進行使工件的未加工區域移動至檢流掃描器的可加工範圍之所謂步進重復加工，但是亦可使載物台移動與基於檢流掃描器之雷射脈衝的入射位置移動同步，並進行載物台移動的同時向工件入射雷射脈衝。
並且，在實施例中，使由經由第1偏轉元件而照射之雷射脈衝形成之孔的尺寸與由經由第2偏轉元件而照射之雷射脈衝形成之孔的尺寸相等，但是亦可設為不同的尺寸或形狀。
另外，如第17圖所示之變形例，亦可設為將使第1、第2偏轉元件中的雷射脈衝的像分別成像於第3偏轉元件上的2個成像透鏡配置於第1、第2偏轉元件與第3偏轉元件之間的光路上之結構。能夠提高偏轉器的動作及加工速度。
並且，在實施例的偏轉器中，設為就將由2個偏轉元件(第1、第2偏轉元件)偏轉之雷射脈衝入射至1個偏轉元件(第3偏轉元件)之結構，但是亦可設為將由3個以上的偏轉元件偏轉之雷射脈衝入射至1個偏轉元件之結構。另外，還能夠設為將由複數個偏轉元件偏轉之雷射脈衝入射至複數個偏轉元件之結構。
另外，例如基於第5～第8實施例之雷射加工方法或基於第5實施例之雷射加工方法的變形例能夠考慮為使雷射脈衝未經由之電流鏡至少存在1個且使其中的至少1個在從雷射光源射出雷射脈衝時移動之雷射加工方法的例子。
除此之外，本領域技術人員可知能夠進行各種變更、改良、組合等。
(產業上的可利用性)
除了能夠在照射雷射束來進行之開孔加工中利用之外，還可利用於劃線、圖案形成、退火、焊接等通常雷射加工。不限於脈衝波，還能夠利用射出連續波之雷射束的雷射光源。
10．．．雷射光源
11．．．掩模
12．．．反射鏡
13．．．二分叉光學元件
14、15．．．檢流掃描器
14a、14b、15a、15b．．．電流鏡
16．．．成像透鏡
17．．．fθ透鏡
18．．．控制裝置
20．．．雷射束
30～34．．．工件
40．．．雷射光源
41．．．掩模
42、42a、42b．．．AOD
43a、43b、44．．．電流鏡
45．．．fθ透鏡
46、46a、46b．．．偏光射束分光器
47a～47f．．．折回鏡
48．．．分配光學系統
51a、51b、52．．．電流鏡
53．．．fθ透鏡
54a、54b、55．．．電流鏡
56．．．fθ透鏡
60．．．控制裝置
70～72．．．載物台
80、80A、80B、80Aa、80Ab、80Ba、80Bb、80a、80b、81a、81b、82a、82b．．．雷射束
第1圖係表示基於第1實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第2圖係表示基於第1實施例之雷射加工方法之時序圖。
第3圖係表示基於第2實施例之雷射加工方法之時序圖。
第4圖係表示基於第3實施例之雷射加工方法之時序圖。
第5圖係表示基於第2實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第6圖係表示基於第4實施例之雷射加工方法之時序圖。
第7圖係表示基於第3實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第8圖係表示基於第4實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第9圖係表示基於第5實施例之雷射加工方法之時序圖。
第10圖係表示基於第6實施例之雷射加工方法之時序圖。
第11圖係表示基於第5實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第12圖係表示基於第7實施例之雷射加工方法之時序圖。
第13圖係表示基於第6實施例之雷射加工裝置之概要圖。
第14圖(A)～(G)係對電流鏡之加工區進行說明之概要圖。
第15圖(A)及(B)係表示工件的被加工位置和可加工範圍之概略的俯視圖。
第16圖(A)及(B)係表示工件的被加工位置和可加工範圍之概略的俯視圖。
第17圖係表示基於變形例之雷射加工裝置的一部份之概要圖。
第18圖(A)～(D)係表示習知之雷射加工裝置之概要圖。
30．．．工件
40．．．雷射光源
41．．．掩模
42．．．AOD
43a、43b、44．．．電流鏡
45．．．fθ透鏡
60．．．控制裝置
70．．．載物台
80、80a、80b．．．雷射束

Claims (21)

  1. 一種雷射加工裝置，具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其進一步具備控制裝置，前述控制裝置控制雷射束從前述雷射光源的射出、雷射束基於前述分配光學系統之分配及雷射束基於前述第1~第3偏轉元件之偏轉方向，在前述第1、第3偏轉元件靜止且前述第2偏轉元件改變偏轉方向之狀態下，前述控制裝置從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向分配 該雷射束。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1偏轉器為檢流掃描器，前述第1~第3偏轉元件為可改變反射面的方向之電流鏡。
  3. 一種雷射加工裝置，具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其進一步具備控制裝置，前述控制裝置控制雷射束從前述雷射光源的射出、雷射束基於前述分配光學系統之分 配及雷射束基於前述第1~第3偏轉元件之偏轉方向，在前述第1~第3偏轉元件靜止之狀態下，前述控制裝置從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向及前述第2方向分配該雷射束。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1偏轉器為檢流掃描器，前述第1~第3偏轉元件為可改變反射面的方向之電流鏡。
  5. 如申請專利範圍第3或4項所述之雷射加工裝置，其中，前述控制裝置在前述分配光學系統中依次向前述第1方向、前述第2方向分配雷射束，在結束向前述第2方向分配雷射束之前改變前述第1偏轉元件的偏轉方向。
  6. 如申請專利範圍第3或4項所述之雷射加工裝置，其中，前述控制裝置首先向配置前述第1、第2偏轉元件中在此次和下次向被加工位置間的距離相對較大的被加工位置入射雷射束之偏轉元件之光路分配雷射束。
  7. 如申請專利範圍第3或4項所述之雷射加工裝置，其中，前述控制裝置同時向前述第1方向和前述第2方向分配雷射束。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之雷射加工裝置，其中， 前述控制裝置以作為前述第3偏轉元件整體的偏轉量成為最小之順序，向能夠藉由以前述第1偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區及能夠藉由以前述第2偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束的區內之複數個被加工位置入射雷射束。
  9. 一種雷射加工裝置，具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，能夠藉由以前述第1偏轉元件和前述第3偏轉元件偏 轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區及能夠藉由以前述第2偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區的、沿前述第1、第2偏轉元件移動雷射束的入射位置之方向之長度長於沿前述第3偏轉元件移動雷射束的入射位置之方向之長度。
  10. 一種雷射加工裝置，具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，前述分配光學系統還能夠向第3方向和第4方向分配 從前述雷射光源射出之雷射束，並且進一步具備能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第3方向、前述第4方向分配之雷射束而射出之第2偏轉器，前述第2偏轉器包含：第4偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第3方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第5偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第4方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第6偏轉元件，其係被配置於經由前述第4偏轉元件之雷射束及經由前述第5偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之雷射加工裝置，其進一步具備控制裝置，前述控制裝置控制雷射束從前述雷射光源的射出、雷射束基於前述分配光學系統之分配及雷射束基於前述第1~第6偏轉元件之偏轉方向，在從前述雷射光源射出雷射束時，前述控制裝置改變前述第1~第6偏轉元件中未配置於藉由前述分配光學系統分配之該雷射束的光路上之偏轉元件的至少一個偏轉方向。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之雷射加工裝置，其進一步具備控制裝置，前述控制裝置控制雷射束從 前述雷射光源的射出、雷射束基於前述分配光學系統之分配及雷射束基於前述第1~第6偏轉元件之偏轉方向，在前述第1~第6偏轉元件靜止之狀態下，前述控制裝置從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1~第4方向分配該雷射束。
  13. 一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1、第3偏轉元件靜止且前述第2偏轉元件改變偏轉方向之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向分配該雷射束。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之雷射加工方法，其中， 能夠藉由以前述第1偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區及能夠藉由以前述第2偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區的、沿前述第1、第2偏轉元件移動雷射束的入射位置之方向之長度長於沿前述第3偏轉元件移動雷射束的入射位置之方向之長度。
  15. 一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠至少向第1方向和第2方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；及第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1~第3偏轉元件靜止之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第1方向及前述第2方向分配該雷射束。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之雷射加工方法，其中，在前述分配光學系統中依次向前述第1方向、前述第2方向分配雷射束，在結束向前述第2方向分配雷射束之前改變前述第1偏轉元件的偏轉方向。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之雷射加工方法，其中，首先向配置前述第1、第2偏轉元件中在此次和下次向被加工位置間的距離相對較大之被加工位置入射雷射束之偏轉元件之光路分配雷射束。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之雷射加工方法，其中，同時向前述第1方向和前述第2方向分配雷射束。
  19. 如申請專利範圍第13至18項中任一項所述之雷射加工方法，其中，以作為前述第3偏轉元件整體的偏轉量成為最小之順序，向能夠藉由以前述第1偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區及能夠藉由以前述第2偏轉元件和前述第3偏轉元件偏轉入射至前述第1偏轉器之雷射束來照射雷射束之區內的複數個被加工位置入射雷射束。
  20. 一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠向第1~第4方向分配 從前述雷射光源射出之雷射束；第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出；及第2偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第3方向、前述第4方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，前述第2偏轉器包含：第4偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第3方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第5偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第4方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第6偏轉元件，其係被配置於經由前述第4偏轉元件之雷射束及經由前述第5偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在從前述雷射光源射出雷射束時，改變前述第1~第6偏轉元件中未配置於藉由前述分配光學系統分配之該雷射束的光路上之偏轉元件的至少一個偏轉方向。
  21. 一種雷射加工方法，該方法利用如下雷射加工裝 置來進行，前述雷射加工裝置具有：雷射光源，其係射出雷射束；分配光學系統，其係能夠向第1~第4方向分配從前述雷射光源射出之雷射束；第1偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第1方向、前述第2方向分配之雷射束而射出；及第2偏轉器，其係能夠偏轉在前述分配光學系統中向前述第3方向、前述第4方向分配之雷射束而射出，其中，前述第1偏轉器包含：第1偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第1方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第2偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第2方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第3偏轉元件，其係被配置於經由前述第1偏轉元件之雷射束及經由前述第2偏轉元件之雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，前述第2偏轉器包含：第4偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第3方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；第5偏轉元件，其係被配置於在前述分配光學系統中向前述第4方向分配之雷射束的光路上，且能夠偏轉該雷射束而射出；及第6偏轉元件，其係被配置於經由前述第4偏轉元件之雷射束及經由前述第5偏轉元件的雷射束的光路上，且能夠偏轉入射之雷射束而射出，其特徵為，在前述第1~第6偏轉元件靜止之狀態下，從前述雷射光源射出雷射束，並在前述分配光學系統中向前述第 1~第4方向分配該雷射束。
TW100139950A 2010-12-07 2011-11-02 Laser processing device and laser processing method TWI481462B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010272390A JP5511644B2 (ja) 2010-12-07 2010-12-07 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201236790A TW201236790A (en) 2012-09-16
TWI481462B true TWI481462B (zh) 2015-04-21

Family

ID=46401805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100139950A TWI481462B (zh) 2010-12-07 2011-11-02 Laser processing device and laser processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5511644B2 (zh)
KR (1) KR20120063450A (zh)
CN (1) CN102554467B (zh)
TW (1) TWI481462B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103692089B (zh) * 2013-12-05 2015-07-08 苏州德龙激光股份有限公司 激光切割装置及其切割方法
DE102014200633B3 (de) * 2014-01-15 2015-05-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bearbeitungsvorrichtung und -verfahren zur Laserbearbeitung einer Oberfläche
CN103920993B (zh) * 2014-04-18 2015-12-09 苏州东山精密制造股份有限公司 多平台激光加工系统
JP6817716B2 (ja) * 2015-09-03 2021-01-20 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR101855307B1 (ko) * 2015-10-07 2018-05-09 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹 시스템 및 이를 이용한 레이저 마킹 방법
JP6374938B2 (ja) 2016-11-16 2018-08-15 株式会社ソディック ガルバノスキャナ
KR102618163B1 (ko) * 2016-12-05 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공 장치
WO2018218607A1 (zh) * 2017-06-01 2018-12-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光焊接设备及其焊接方法
TWI843784B (zh) 2019-01-31 2024-06-01 美商伊雷克托科學工業股份有限公司 雷射加工設備、與設備一起使用的控制器及非暫時性電腦可讀取媒體
US12204228B2 (en) 2019-03-06 2025-01-21 Orbotech Ltd. High-speed dynamic beam shaping
JP7557401B2 (ja) 2021-03-16 2024-09-27 ビアメカニクス株式会社 レーザ光走査装置及びレーザ加工装置
JP7619891B2 (ja) 2021-06-02 2025-01-22 矢崎総業株式会社 接合装置
JP7647433B2 (ja) 2021-08-10 2025-03-18 株式会社リコー レーザーマーキング装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003041904A1 (fr) * 2001-11-15 2003-05-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage a faisceau laser
CN1714982A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 日立比亚机械股份有限公司 为材料加工的生成和控制多条独立可操纵的激光束的系统与方法
JP2008290137A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635849B1 (en) * 1999-03-05 2003-10-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam machine for micro-hole machining
JP2002239772A (ja) * 2001-02-16 2002-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工方法およびその装置
JP2002244059A (ja) * 2001-02-21 2002-08-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザビーム走査装置
JP4664852B2 (ja) * 2006-03-31 2011-04-06 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
KR100900618B1 (ko) * 2007-06-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 표면 측정 장치
JP4847435B2 (ja) * 2007-12-11 2011-12-28 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
KR101036878B1 (ko) * 2008-08-27 2011-05-25 주식회사 이오테크닉스 드릴링 장치 및 드릴링 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003041904A1 (fr) * 2001-11-15 2003-05-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage a faisceau laser
CN1714982A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 日立比亚机械股份有限公司 为材料加工的生成和控制多条独立可操纵的激光束的系统与方法
JP2008290137A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102554467A (zh) 2012-07-11
TW201236790A (en) 2012-09-16
CN102554467B (zh) 2014-11-05
JP5511644B2 (ja) 2014-06-04
JP2012121038A (ja) 2012-06-28
KR20120063450A (ko) 2012-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI481462B (zh) Laser processing device and laser processing method
JP4847435B2 (ja) レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
JP5379384B2 (ja) レーザによる透明基板の加工方法および装置
KR101425729B1 (ko) 피가공물의 가공 방법 및 분할 방법
JP5861494B2 (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
KR101425492B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 방법
EP2030079A1 (en) Method and tool for patterning thin films on moving substrates
KR20060105577A (ko) 레이저가공기
CN102441739A (zh) 激光加工装置、被加工物的加工方法及被加工物的分割方法
JP4490410B2 (ja) レーザ照射装置及びレーザ加工方法
JP2013154378A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5966468B2 (ja) レーザー加工装置
JP6788182B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPH11347766A (ja) レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法
TW201830468A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
JP6757509B2 (ja) 光加工方法
JP5902281B2 (ja) レーザー加工装置
JP2010023100A (ja) レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
KR20210114873A (ko) 레이저가공장치의 제어장치, 레이저가공장치, 및 레이저가공방법
JP2012045554A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4948923B2 (ja) ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法
EP3045257A2 (en) Method and apparatus for laser processing
JP2007111749A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2004034120A (ja) レーザ繰返し加工方法及び装置
JP2006231366A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees