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TWI474133B - 微影方法及裝置 - Google Patents

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TWI474133B
TWI474133B TW101145125A TW101145125A TWI474133B TW I474133 B TWI474133 B TW I474133B TW 101145125 A TW101145125 A TW 101145125A TW 101145125 A TW101145125 A TW 101145125A TW I474133 B TWI474133 B TW I474133B
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TW
Taiwan
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phase
radiation
substrate
optical
adjustment device
Prior art date
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TW101145125A
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English (en)
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TW201333639A (zh
Inventor
Peter David Engblom
Carsten Andreas Kohler
Frank Staals
Winter Laurentius Cornelius De
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW201333639A publication Critical patent/TW201333639A/zh
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Description

微影方法及裝置
本發明係關於一種微影方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予對應於特形成於IC之個別層上之電路圖案的圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
當將圖案自圖案化器件投影至基板上時，圖案之一或多個部分可以不理想方式被修改。舉例而言，諸如隅角之功能特徵可以不理想方式變成圓形。一或多個所謂「輔助特徵」可提供於圖案中，且可用以改良提供於基板上(例如，曝光於基板上之抗蝕劑中)之圖案之品質。輔助特徵 可為經定位成鄰近於功能特徵之特徵。輔助特徵用以縮減圖案之不理想修改，使得將改良型圖案提供於基板上。輔助特徵自身不提供(例如，曝光)於基板上。
在一些情況下，輔助特徵可經投影成使得其造成基板上之抗蝕劑不被曝光(在正型抗蝕劑之狀況下)且因此在基板上變得可見。此情形不理想，此係因為輔助特徵不意欲在基板上形成圖案之部分。
舉例而言，需要提供一種預防或減輕在本文中或在別處所識別之問題中之一或多者或一般在此項技術中之問題中之一或多者(無論在本文中抑或在別處予以識別)的方法及裝置。舉例而言，需要提供一種可用以縮減輔助特徵曝光於基板上之抗蝕劑中之程度的方法及裝置。
根據本發明之一態樣，提供一種使用一投影系統將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之方法，該方法包含在該投影系統中使用一光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止一輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，同時維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
該相位修改可縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
由該光學相位調整裝置應用之該相位修改可對已自該圖案之一功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
由該光學相位調整裝置應用之該相位修改可對曝光於該基板上之該抗蝕劑中之一功能特徵影像有一可忽略效應。
可將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不顯著地應用於其他繞射階之輻射。
可將該相位修改應用於複數個特定繞射階之輻射，且不顯著地應用於其他繞射階之輻射。
該特定繞射階可為第3繞射階。
該相位修改可包含縮減傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位前進區域之輻射的光學路徑長度，及增加傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位延遲區域之輻射的光學路徑長度。
由該相位前進區域應用之該光學路徑長度縮減可等於由該相位延遲區域應用之該光學路徑長度增加。
該光學路徑長度縮減可在該相位前進區域內變化，且該光學路徑長度增加可在該相位延遲區域內變化。
該相位前進區域及該相位延遲區域可以一點對稱分佈或以一點反對稱分佈被提供。
相位前進區域及相位延遲區域可成對地被提供。
由該光學相位調整裝置之所有該等修改區域應用之該相位修改的總和可為零。
根據本發明之一態樣，提供一種使用一投影系統將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之方法，該方法包含在該投影系統中使用一光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用 以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止一輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，其中該相位修改對已自該圖案之一功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
此方法可包括該先前方法之該等選用特徵中任一者。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含一光學相位調整裝置，該光學相位調整裝置經組態以應用如本文所描述之一方法。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其用以支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束提供一圖案；一投影系統，其用以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；一光學相位調整裝置，其經定位成處於或鄰近於該投影系統之一光瞳平面；及一控制器，其經組態以操作該光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，同時維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
該相位修改可經組態以縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
由該光學相位調整裝置應用之該相位修改可對已自該圖案化器件之一功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
該控制器可經組態以操作該光學相位調整裝置以將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不將該相位修改顯著地應用於其他繞射階之輻射。
該特定繞射階可為第3繞射階。
該相位修改可包含縮減傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位前進區域之輻射的光學路徑長度，及增加傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位延遲區域之輻射的光學路徑長度。
由該相位前進區域應用之該光學路徑長度縮減可等於由該相位延遲區域應用之該光學路徑長度增加。
相位前進區域及該等相位延遲區域可以一點對稱分佈或以一點反對稱分佈被提供，或可以包含一點對稱分佈與一點反對稱分佈之一組合之一分佈被提供。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加 至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡 面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束；以此方式，反射光束被圖案化。
支撐結構固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為框架或台，例如，其可根據需要而固定或可移動且其可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於(例如)所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
照明系統亦可涵蓋用於引導、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件在下文亦可集體地或單個地被稱作「透鏡」。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等「多載物 台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板被浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其用以調節輻射光束PB(例如，UV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其用以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該基板之第二定位器件PW；- 投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上；及- 相位調變元件PME，其經定位成處於或鄰近於投影系統PL之光瞳平面PP，相位調變元件PME經配置以調整輻射光束之電場之至少一部分的相位。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之 類型之可程式化鏡面陣列)。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用以調整光束之角強度分佈(例如，用於提供輻射光束中所進行之所要照明)之調整器AM。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器提供經調節輻射光束PB，從而在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束PB傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。在傳遞通過投影系統PL時，光束PB亦橫穿相位調變元件PME。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器 (其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉形成定位器件PM及PW之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。然而，在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下較佳模式中：
1.在步進模式中，在將被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持 可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2在自上方進行檢視的情況下示意性地展示可形成用於微影裝置(參見圖1)中之圖案化器件MA上之圖案之部分的功能特徵10。功能特徵10可為所謂隔離線，亦即，與一或多個相鄰圖案線分離達一距離之線，該距離顯著地大於該線之寬度。鄰近於功能特徵10(在此情形中，在功能特徵10之任一側上)提供一或多個輔助特徵12(在此狀況下，至少兩個特徵12)。該等輔助特徵用以在功能特徵10由微影裝置投影至基板W上時縮減該功能特徵之不理想修改。舉例而言，輔助特徵12可有助於確保功能特徵10之影像之寬度為所要寬度(例如，該功能特徵之寬度的四分之一，此考量微影裝置之縮減因數)。
輔助特徵12之目的係輔助功能特徵10之影像之正確形成而其自身不形成影像。因此，例如，曝光於基板W(參見圖1)之目標部分C上之抗蝕劑中的圖案應不包括輔助特徵12。然而，在一些情況下，輔助特徵12可曝光於抗蝕劑中，其為不理想之後果。為了避免或縮減輔助特徵12曝光 於基板W上之抗蝕劑中之可能性，可將相位修改應用於已自輔助特徵12繞射之輻射。
在圖2之配置之實例中，功能特徵10具有64奈米之寬度且輔助特徵12具有30奈米之寬度。在功能特徵與輔助特徵之間存在69奈米之間隙。圖案化器件之圖案可包含圖2所示之特徵之複數個重複。鄰近重複之間的距離可為350奈米(自功能特徵10之中心至鄰近功能特徵之中心予以量測)。此處所提及之尺寸僅僅為實例，且可使用其他尺寸。
在一實施例中，可使用環形照明模式以照明圖案化器件MA。環形照明模式之屬性可由微影裝置之照明系統IL判定。環形照明模式可具有為0.66之內部均方偏差及為0.86之外部均方偏差。可使用環形照明模式，此係因為其提供特定類型之特徵自圖案化器件MA至基板W上之改良型成像。可使用其他照明模式，照明模式之選擇係由圖案化器件MA之圖案之屬性至少部分地判定。
圖3示意性地表示當使用環形照明模式以照明具備具有圖12之功能特徵10及輔助特徵12之配置之圖案的圖案化器件MA時且當所得經圖案化輻射由微影裝置投影至基板W上時而曝光之抗蝕劑。經曝光之抗蝕劑被表示為白色區域，且未經曝光之抗蝕劑被表示為交叉影線區域。圖3之垂直軸線指示抗蝕劑相對於經提供有抗蝕劑之基板之高度，且圖3之水平軸線指示在x方向上抗蝕劑之部位。水平軸線表示基板上之x方向位置。
自圖3可看出，功能特徵之影像曝光於抗蝕劑中，功能特徵影像自-25奈米延伸至+25奈米(經曝光功能特徵影像之中心被認為是在x方向上之零點)。功能特徵之影像在下文中被稱作功能特徵影像110。然而，另外，輔助特徵亦曝光於抗蝕劑中，輔助特徵影像位於大約-115奈米及+115奈米處。輔助特徵之影像在下文中被稱作輔助特徵影像112。如上文進一步所提及，輔助特徵影像112之形成不理想，此係因為輔助特徵不意欲形成曝光於基板W上之圖案之部分。
本發明之一實施例防止或縮減輔助特徵影像之印刷。相位修改用以縮減在基板處自輔助特徵接收之輻射之對比度，使得該輻射下降至低於抗蝕劑之臨限值，藉此防止或縮減輔助特徵影像之印刷。本發明之一實施例藉由縮減在基板處接收之輻射之對比度來縮減經印刷輔助特徵影像之大小。術語「對比度」可被解釋為意謂遞送至抗蝕劑之最大輻射劑量與最小輻射劑量之間的差除以遞送至抗蝕劑之最大輻射劑量與最小輻射劑量的總和。此情形可被表示為(DoseMax-DoseMin)/(DoseMax+DoseMin)，其中DoseMax為遞送至抗蝕劑之最大輻射劑量且DoseMin為遞送至抗蝕劑之最小輻射劑量。
儘管輔助特徵影像之印刷被防止(或輔助特徵影像之大小被縮減)，但形成輔助特徵影像之輻射仍存在且因此提供功能特徵影像之影像增強(例如，有助於確保功能特徵影像具有所要寬度)。若將完全地移除形成輔助特徵影像 之輻射，則輔助特徵將不提供功能特徵影像之影像增強。因此，相位修改縮減形成輔助特徵影像之輻射之對比度且不完全地消除該對比度。對比度之縮減可足以防止輔助特徵影像之印刷或可縮減經印刷輔助特徵影像之大小。
圖4示意性地表示由光學相位調整裝置PME應用於微影裝置(參見圖1)之投影系統PL中之輻射的相位修改。光學相位調整裝置PME經定位成處於或鄰近於微影裝置之光瞳平面PP。在圖4中，光學相位調整裝置PME經組態成使得光學相位調整裝置之大部分不將相位修改應用於輻射。不應用相位修改的光學相位調整裝置PME之區域係由圖4中之空陰影30指示。存在將輻射之光學路徑長度減低達大約10奈米的光學相位調整裝置PME之四個區域32。此減低係藉由如下方式而達成：相對於不應用相位修改之區域30來加熱彼等區域32(如下文進一步所解釋)，以改變彼等區域之折射率。增加輻射光學路徑長度之區域32在下文中被稱作相位前進區域32。不應用相位修改之區域30在下文中被稱作中性區域。傳遞通過相位前進區域32之輻射相對於傳遞通過中性區域30之輻射具有前進達大約10奈米之相位。
光學相位調整裝置PME包括四個區域34，區域34經組態以將輻射之光學路徑長度增加達大約10奈米(相比於傳遞通過中性區域30之輻射之光學路徑長度)。此增加係藉由相對於中性區域30來冷卻彼等區域34而達成。將輻射之光學路徑長度增加達大約10奈米之區域34在下文中被稱作相位延遲區域34。傳遞通過相位延遲區域34之輻射相對於傳 遞通過中性區域30之輻射具有延遲達大約10奈米之相位。
相位延遲區域34及相位前進區域32經定位成使得其實質上僅影響第3階繞射輻射(亦即，其對0階繞射輻射、第1階繞射輻射及第2階繞射輻射有可忽略效應)。相位延遲區域34及相位前進區域32之位置起因於由微影裝置使用之照明模式之環形性質以及圖案特徵10及輔助特徵12之性質。藉由考慮接收第3階繞射輻射之所有區域且接著自此等區域減去接收零階繞射輻射、第1階繞射輻射或第2階繞射輻射之區域來產生相位延遲區域34及相位前進區域32。在此情況下，接收第3階繞射輻射之區域包含兩個垂直定向圓弧。零階輻射包含與該等圓弧相交之環。因為不需要修改零階輻射之相位，所以自接收第3階繞射輻射之區域減去該環。另外，亦應用將曲線平分之線，藉此自每一曲線之中心移除一小部分。此線之所以存在係因為相位修改對於圍繞x軸反對稱之圖案應為零(正如此實施例中之狀況)。所得相位修改區域包含兩個圓弧，其中每一圓弧已分離成四片。每一圓弧之一個半部包含相位延遲區域34且另一半部包含相位前進區域32。
圖4所示之光學相位調整裝置PME使一些第3階繞射輻射之相位前進達大約10奈米且使一些第3階繞射輻射之相位延遲達大約10奈米。結果，在傳遞通過光學相位調整裝置之不同區域之第3階繞射輻射之間建立大約20奈米之相位差。再次參看圖2，可看出，功能特徵10顯著地寬於輔助特徵12。此寬度差係使得自功能特徵10繞射之輻射具有可 忽略之第3繞射階分量，而自輔助特徵12繞射之輻射主要為第3階繞射輻射。結果，由光學相位調整裝置PME應用之相位修改對已自功能特徵10繞射之輻射有較小效應(相比於對已自輔助特徵12繞射之輻射之效應)。由光學相位調整裝置PME應用之相位修改可對已自功能特徵10繞射之輻射有可忽略效應。由光學相位調整裝置應用之相位修改可對曝光於基板上之抗蝕劑中之功能特徵影像110有可忽略效應。
由光學相位調整裝置PME應用之相位修改縮減在基板W處之第3階繞射輻射之調變深度。為了促進概念理解，可將此相位修改形象化為至傳遞通過相位前進區域32之第3階繞射輻射分量左側之移動及至傳遞通過相位延遲區域34之第3階繞射輻射分量右側之移動。此等移動之效應係縮減在將第3階繞射輻射分量加在一起時之調變深度。在某種程度上取消第3階繞射輻射之調變。
在基板處，第3階繞射輻射與零階輻射相互作用，從而產生高空間頻率輻射分量。因為第3階繞射輻射之調變深度已縮減，所以起因於第3階繞射輻射與零階輻射之相互作用的高頻率輻射分量之對比度縮減。縮減對比度會縮減輔助特徵影像之大小。若對比度之縮減係使得抗蝕劑之臨限值不交叉，則輔助特徵影像將不形成於抗蝕劑中。因為光學相位調整裝置PME對自功能特徵繞射之輻射之效應可忽略(如上文進一步所解釋)，所以功能特徵影像在需要時形成於基板上。因為某一第3階繞射輻射調變被保持(相位 調變未完全地消除第3階繞射輻射調變)，所以第3階繞射輻射提供功能特徵影像之影像增強。換言之，輔助特徵影像仍存在(但其提供縮減輻射劑量)，且提供功能特徵影像之影像增強。
圖5為使用模型化而產生之曲線圖，其說明藉由將相位差引入至第3階繞射輻射中而提供之縮減對比度。在圖5之頂部處，展示功能特徵10及輔助特徵12。在此圖下方，展示在由功能特徵10及輔助特徵12進行圖案化之後入射於基板處之輻射的空中強度。可看出，基板處之輻射強度在對應於功能特徵10之基板部位處下降至極低值(大約0.1)。基板上之抗蝕劑之臨限值T係由圖5中之點線指示。在此實例中，基板上之抗蝕劑為正型抗蝕劑。輻射強度在對應於功能特徵10之部位處交叉於臨限值T，且功能特徵影像將因此形成於抗蝕劑中。
抗蝕劑之臨限值T相似於在對應於輔助特徵12之部位處看到之最小空中強度。為了允許看到引入相位差之效應，在圖5之底部處以放大形式展示空中強度資料之部分(臨限值T亦如此)。菱形表示針對在投影系統PL之基板W側上具有30奈米之寬度(亦即，在該投影系統之圖案化器件MA側上具有120奈米之寬度)之輔助特徵而產生的資料點。在不將相位差引入至第3階繞射輻射的情況下產生此等資料點。自圖5可看出，輻射之空中強度交叉於臨限值T，且結果，輔助特徵影像將形成於抗蝕劑中。
圓圈表示針對相同輔助特徵但在已將20奈米之相位差引 入至第3階繞射輻射之情況下而產生的資料點。自圖5可看出，輻射之空中強度不交叉於臨限值T(輻射之對比度已縮減)。結果，輔助特徵影像將不印刷於抗蝕劑中。儘管輔助特徵影像不印刷於抗蝕劑中，但輔助特徵影像在功能特徵影像之曝光期間仍然存在於抗蝕劑中，且因此提供功能特徵影像之影像增強。
若臨限值T具有較高值，則輔助特徵影像將印刷於抗蝕劑中。然而，輔助特徵影像相比於尚未施加相位差之狀況將較小。
十字形表示針對在投影系統PL之基板側上具有29.5奈米之寬度之輔助特徵而產生的資料點。自圖5可看出，輻射之空中強度不交叉於臨限值T，且結果，輔助特徵影像將不印刷於抗蝕劑中。針對較小輔助特徵所看到之空中強度緊密地對應於在將相位差引入至第三階繞射輻射中時所看到之空中強度。此情形指示出引入相位差之效應相似於縮減輔助特徵之大小。
儘管圖5說明結合正型抗蝕劑而使用之本發明之一實施例，但本發明之一實施例可結合負型抗蝕劑而使用。
儘管圖4所示之相位修改區域具有特定分佈，但可使用具有其他分佈之相位修改區域。舉例而言，圖4所示之相位修改區域可再分成若干半部，其中每一半部可(例如)具有一相位前進區域及一相位延遲區域。舉例而言，任何合適相位修改分佈可提供於圖4所示之區域內。舉例而言，可使用為點對稱之其他分佈，或為點反對稱之分佈。另 外，可使用為點對稱相位修改區域分佈與點反對稱相位修改區域分佈之組合之分佈。
圖6中示意性地展示可使用之另一點對稱分佈之實例。為了描述簡易性起見，將光學相位調整裝置PME分離成圖6中之四個象限Q1至Q4。每一象限Q1至Q4包括一相位延遲區域134及一相位前進區域132。與圖4所示之分佈一樣，相位延遲區域及相位前進區域經配置成使得其主要影響第3階繞射輻射且對其他階之繞射輻射有可忽略效應。
圖7中示意性地展示可使用之點對稱分佈之另一實例。在此分佈中，相位前進區域232位於光學相位調整裝置PME之外部部件中，且相位延遲區域234經定位成遠離該光學相位調整裝置之外部部件。與圖4所示之分佈一樣，相位延遲區域及相位前進區域經配置成使得其主要影響第3階繞射輻射且對其他階之繞射輻射有可忽略效應。
圖8中示意性地展示可應用於光學相位調整裝置PME之點反對稱分佈之實例。在圖8之分佈中，相位前進區域332提供於光學相位調整裝置PME之一個半部中，且相位延遲區域334提供於該光學相位調整裝置之另一半部中。與圖4所示之分佈一樣，相位延遲區域及相位前進區域經配置成使得其主要影響第3階繞射輻射且對其他階之繞射輻射有可忽略效應。
圖9中示意性地展示可使用之另一點反對稱分佈之實例。為了描述簡易性起見，將光學相位調整裝置PME分離成圖9中之四個象限Q1至Q4。每一象限Q1至Q4包括一相位 延遲區域434及一相位前進區域432。與圖4所示之分佈一樣，相位延遲區域及相位前進區域經配置成使得其主要影響第3階繞射輻射且對其他階之繞射輻射有可忽略效應。
光學相位調整裝置PME可包括經組態以控制該光學相位調整裝置之操作之控制器(圖1至圖9中未說明)。該控制器可經組態以操作光學相位調整裝置PME來應用相位延遲區域及相位前進區域之分佈。相位延遲區域及相位前進區域之分佈可如圖4、圖6至圖9中任一者所示，或可為任何其他合適分佈。
在所說明實施例中，藉由每一相位延遲區域來應用相同相位延遲，該相位延遲橫越每一相位延遲區域實質上恆定。相似地，藉由每一相位前進區域來應用相同相位前進，該相位前進橫越每一相位前進區域實質上恆定。然而，一或多個相位延遲區域相比於一或多個其他相位延遲區域可應用不同相位延遲。此外，相位延遲可橫越相位延遲區域而變化。相似地，一或多個相位前進區域相比於一或多個其他相位前進區域可應用不同相位前進。此外，相位前進可橫越相位前進區域而變化。
每一相位延遲區域可與一關聯相位前進區域成對。相位延遲區域及相位前進區域對可形成點對稱分佈之部分或可形成點反對稱分佈之部分。相位前進區域可經組態以應用等於將由相位延遲區域應用之相位延遲(但正負號相反)的相位前進。因此，舉例而言，若相位前進區域應用自5奈米逐漸地改變至10奈米之相位前進，則關聯相位延遲區域 應應用自-5奈米逐漸地改變至-10奈米之相位延遲。相位延遲區域及相位前進區域對之有用分佈包含具有徑向對稱或圍繞x軸或y軸之對稱的對。然而，沒有必要使相位延遲區域與相位前進區域成對。
相位修改區域之分佈可使得其不造成經投影圖案影像在x方向或y方向(或此等方向之組合)上之顯著移位。若由光學相位調整裝置PME之所有修改區域應用之相位修改的總和為零，則可達成不造成該顯著移位的情形。在一些情況下，若該移位僅應用於輔助特徵影像(且對圖案特徵影像無顯著效應)，則一移位可為可接受的，此係因為：在一些實施例中，輔助特徵影像將不印刷於抗蝕劑中。
儘管以上描述係關於將相位修改應用於第3階繞射輻射，但可將相位修改應用於其他繞射階之輻射。舉例而言，可將相位修改應用於不同繞射階(除了第3階以外或代替第3階)，以便防止輔助特徵被印刷或縮減經印刷輔助特徵之大小。
藉由照明輔助特徵，接著量測由投影系統投影之輻射之不同繞射階的振幅(或使用模型化以獲得相同資訊)，可判定待應用有相位修改之繞射階之選擇。在以上實施例中，自輔助特徵繞射之第3階輻射之振幅顯著地大於自輔助特徵繞射之第1階輻射、第2階輻射或第4階輻射之振幅。此外，第3階輻射之振幅隨著經照明輔助特徵之寬度縮減而減低。此情形指示出縮減第3階輻射之調變深度將會有效地縮減輔助特徵影像之寬度(且可甚至防止輔助特徵影像 之印刷)。此情形係藉由圖5所示之模擬而確認。
在一實施例中，可選擇具有相對大振幅(例如，大於一些其他繞射階之振幅)之繞射階作為待應用有相位修改之繞射階。可選擇具有最大振幅之繞射階(不包括零階)作為待應用有相位修改之繞射階。
可量測在功能特徵被照明時由投影系統投影之輻射之不同繞射階的振幅。在以上實施例中，自功能特徵繞射之第3階輻射之振幅可忽略。因此，在以上實施例中，修改第3繞射階將會對輔助特徵影像有顯著效應，但對功能特徵影像有可忽略效應。因此，第3繞射階經選擇用於相位修改。在其他實施例中，一或多個其他繞射階可為用於相位修改之合適候選者。舉例而言，另一繞射階可提供對輔助特徵影像之顯著貢獻且可提供對功能特徵影像之較小貢獻。可識別對輔助特徵影像有顯著效應且對功能特徵影像有較小效應之繞射階。可識別對輔助特徵影像有顯著效應且對功能特徵影像有可忽略效應之繞射階。
光學相位調整裝置PME可經組態成使得將相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不應用於一或多個其他繞射階之輻射之顯著比例。在此內容背景中，術語「不顯著地應用於一或多個其他繞射階之輻射」可被解釋為意謂一或多個其他繞射階之輻射未受到相位修改顯著地影響。因此，使用此(此等)繞射階而形成之影像特徵可未受到顯著地影響(例如，該影像特徵可提供所要功能性及/或可具有屬於預定義容許度之尺寸)。
儘管本發明之上述實施例係關於環形照明模式，但本發明之實施例可應用於具有任何合適照明模式之輻射。
在上述實例中，已將大約20奈米之相位差引入至第3階輻射中。此相位差之所以被選擇係因為其足以防止輔助特徵影像之印刷(藉由縮減輻射之對比度，使得不超過抗蝕劑之臨限值)。在彼狀況下，輻射之波長為193奈米，圖案特徵及輔助特徵具有上文所提及之尺寸，且照明模式為環形照明模式。投影系統PL之數值孔徑為1.2，且輻射被線性地偏振，其中兩個相對象限具有x方向偏振且兩個相對象限具有y方向偏振。可在用不同參數進行操作時(例如，在使用具有不同寬度之輔助特徵時)施加不同相位差。可選擇縮減自輔助特徵繞射且在基板目標部分上接收之輻射劑量之相位差。該相位差可使得輔助特徵不被印刷。
圖10中在自上方進行檢視的情況下示意性地展示光學相位調整裝置PME之實例。光學相位調整裝置PME可包含實質上能透射由投影系統投影之輻射之材料的光學元件310。光學相位調整裝置PME可進一步包含控制器340。可回應於由控制器340供應之信號而調整橫穿元件310之輻射之光學路徑長度。光學元件310可實質上被安置於或可安置於(例如)諸如投影系統PL(參見圖1)之光瞳平面PP之傅立葉變換(Fourier Transform)平面中。
圖11在沿著投影系統之光軸(通常被指示為z軸)自上方進行檢視的情況下更詳細地說明光學相位調整裝置PME。光學相位調整裝置PME包含透射光學元件310。藉由(例如)將 熱施加至光學元件310之部分320或自光學元件310之部分320移除熱，藉此引入該光學元件之材料之折射率相對於鄰近材料之折射率的局域改變，可獲得橫穿光學元件310之輻射之相位的調整。可藉由(例如)使電流傳輸通過具有歐姆(Ohmic)電阻且經配置成接觸或鄰近於元件之部分320之導線330來實現熱施加，且其中控制器340經配置以將電流提供至導線330。
光學元件之複數個鄰近部分可具備用於使任何部分獨立於任何其他部分予以加熱之複數個對應導線。舉例而言，如圖11示意性地所說明，鄰近部分320-1直至320-44安置於鄰近列中且自左至右及自頂至底予以編號。部分320-1直至320-44中之每一部分320具備經對應編號之加熱導線330-1直至330-44(但圖11僅僅出於清楚起見而僅針對部分320-4及320-37來說明此情形)。控制器340經建構及配置成使得每一導線可獨立地被電流啟動。此情形使能夠在所要空間部位處將所要相位修改應用於橫穿光學元件310之輻射。相位修改及其空間分佈之量值係由部分320-1至320-44之溫度判定。
或者或另外，光學元件310可包括經配置以含有冷卻或加熱流體之通道。光學相位調整裝置PME可包括冷卻或加熱流體供應及擷取系統，冷卻或加熱流體供應及擷取系統連接至通道且經配置以使冷卻或加熱流體在受控制溫度下循環通過通道。類似於導線330，一通道可與每一部分320相關聯。舉例而言，結合加熱元件310之部分320來冷卻元 件310可使能夠在低於標稱溫度及/或高於標稱溫度而延伸之溫度範圍內調整部分320之溫度。舉例而言，標稱溫度可為微影裝置之指定所要操作溫度或投影系統PL之光學元件之材料的指定所要操作溫度。光學元件310之中性區域30(參見圖4)可處於標稱溫度。
舉例而言，控制器340可包含處理器，或可為某其他合適裝置。控制器可具有記憶體，在記憶體內儲存有待供應至不同加熱導線以便獲得相位修改之特定空間組態之電流及/或施加至加熱或冷卻流體以便獲得相位修改之特定空間組態之溫度。控制器可經組態以根據需要而參考此記憶體。若使用不同於歐姆加熱(或除了歐姆加熱以外)之機制以獲得相位修改，則可將指示應如何應用此機制以便獲得相位修改之特定空間組態之資訊儲存於記憶體中。
光學元件310可為一對光學元件中之一者，該等光學元件中每一者具備熱可被添加或移除之部分。第一光學元件上之部分相對於第二光學元件上之部分可交錯。間隙可提供於該對光學元件之間。氣體可傳遞通過該間隙，該氣體具有所要溫度(例如，標稱溫度)。
可自以引用方式併入本文中之美國專利第7,525,640號搜集光學相位調整裝置PME之實施例。部分320之總數不限於44個。取而代之，可使用任何數目個部分。一般而言，部分之數目可取決於溫度分佈之所要空間解析度。此數目可取決於待由光學相位調整裝置PME施加之圖案之空間解析度。舉例而言，可提供高達100個部分或高達1000個部 分或更多。待由光學相位調整裝置PME施加之圖案可經設計成具有對應於光學相位調整裝置PME之空間解析度的空間解析度。
光學相位調整裝置PME將具有有限寬度。因此，也許沒有可能使光學相位調整裝置PME完美地位於光瞳平面PP處。光學相位調整裝置PME之部件可位於光瞳平面PP中，其中光學相位調整裝置之部件經定位成鄰近於該光瞳平面。在一實施例中，整個光學相位調整裝置PME可經定位成鄰近於光瞳平面。在此內容背景中，術語「鄰近於光瞳平面」可被認為意謂足夠地接近光瞳平面而使得在由光學相位調整裝置應用之相位調整與在光學相位調整裝置處於光瞳平面中時將施加之相位調整之間存在可忽略差。
本發明之上述實施例已描述透射光學元件310。然而，在一實施例中，光學相位調整裝置可包含反射光學元件。
以上描述涉及對自功能特徵繞射之輻射有可忽略效應之光學相位修改裝置PME。在此內容背景中，術語「可忽略效應」可被認為意謂該效應足夠地小而使得功能特徵正確地曝光於抗蝕劑中(例如，將在IC或其他器件中正確地起作用，或具有屬於一容許度之尺寸)。可以對應方式來解釋對由光學相位調整裝置應用之相位修改之參考，該相位修改對曝光於基板上之抗蝕劑中之功能特徵影像有可忽略效應。
本發明之實施例可造成輔助特徵影像之散焦或對比度損失。可使用之相位修改之分佈包括通過繞射階之碗形狀擬 合、包含碗形狀之半部及倒碗形狀之半部的分佈，或針對光瞳之半部相對於x方向而應用之傾斜及針對光瞳之另一半部相對於y方向而應用之傾斜。
在此文件中對x及y方向(或軸線)之參考可被理解為意謂垂直於微影裝置之光軸之方向(或軸線)。x軸及y軸可具有相對於光軸之任何合適定向。
雖然本文中之描述已集中於曝光於基板上之抗蝕劑中之輔助特徵影像，但該輔助特徵影像可投影於其他表面或其他材料上且相似地被相位調整。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種使用一投影系統將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之方法，該方法包含在該投影系統中使用一光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，同時維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
2.一種使用一投影系統將一圖案自一圖案化器件投影至 一基板上之方法，該方法包含在該投影系統中使用一光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，其中該相位修改對已自該圖案之一功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
3.如條項1或2之方法，其中該相位修改縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
4.如條項1至3中任一項之方法，其中由該光學相位調整裝置應用之該相位修改對已自該功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
5.如前述條項中任一項之方法，其中由該光學相位調整裝置應用之該相位修改對曝光於該基板上之該抗蝕劑中之功能特徵影像有一可忽略效應。
6.如前述條項中任一項之方法，其中將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不顯著地應用於一或多個其他繞射階之輻射。
7.如條項6之方法，其中該特定繞射階為第3繞射階。
8.如前述條項中任一項之方法，其中該相位修改包含縮減傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位前進區域之輻射的光學路徑長度，及增加傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位延遲區域之輻射的光學路徑長度。
9.如條項8之方法，其中由該相位前進區域應用之該光學路徑長度縮減實質上等於由該相位延遲區域應用之該光 學路徑長度增加。
10.如條項8之方法，其中該光學路徑長度縮減在該相位前進區域內變化，且該光學路徑長度增加在該相位延遲區域內變化。
11.如條項8至10中任一項之方法，其中相位前進區域及相位延遲區域成對地被提供。
12.如條項8至11中任一項之方法，其中由該光學相位調整裝置之所有該等修改區域應用之該相位修改的總和實質上為零。
13.如條項8至12中任一項之方法，其中相位前進區域及相位延遲區域係以一點對稱分佈或以一點反對稱分佈被提供。
14.一種微影裝置，其包含一光學相位調整裝置，該光學相位調整裝置經組態以應用一如前述條項中任一項之方法。
15.一種微影裝置，其包含：一支撐結構，其用以支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束提供一圖案；一投影系統，其用以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；一光學相位調整裝置，其經定位成處於或鄰近於該投影系統之一光瞳平面；及一控制器，其經組態以操作該光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該 相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，同時維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
16.如條項15之裝置，其中該相位修改經組態以縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
17.如條項15或16之裝置，其中由該光學相位調整裝置應用之該相位修改對已自該功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
18.如條項15至17中任一項之裝置，其中該控制器經組態以操作該光學相位調整裝置以將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不將該相位修改顯著地應用於一或多個其他繞射階之輻射。
19.如條項18之裝置，其中該特定繞射階為第3繞射階。
20.如條項15至19中任一項之裝置，其中該相位修改包含縮減傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位前進區域之輻射的光學路徑長度，及增加傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位延遲區域之輻射的光學路徑長度。
21.如條項20之裝置，其中由該相位前進區域應用之該光學路徑長度縮減實質上等於由該相位延遲區域應用之該光學路徑長度增加。
22.如條項20或21之裝置，其中相位前進區域及相位延遲區域成對地被提供。
23.如條項20至22中任一項之裝置，其中由該光學相位調 整裝置之所有該等修改區域應用之該相位修改的總和實質上為零。
24.如條項20至23中任一項之裝置，其中相位前進區域及相位延遲區域係以一點對稱分佈或以一點反對稱分佈被提供。
以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
10‧‧‧功能特徵/圖案特徵
12‧‧‧輔助特徵
30‧‧‧中性區域
32‧‧‧相位前進區域
34‧‧‧相位延遲區域
110‧‧‧功能特徵影像
112‧‧‧輔助特徵影像
132‧‧‧相位前進區域
134‧‧‧相位延遲區域
232‧‧‧相位前進區域
234‧‧‧相位延遲區域
310‧‧‧透射光學元件
320‧‧‧部分
320-1‧‧‧部分
320-4‧‧‧部分
320-37‧‧‧部分
320-44‧‧‧部分
330‧‧‧導線
330-4‧‧‧加熱導線
330-37‧‧‧加熱導線
332‧‧‧相位前進區域
334‧‧‧相位延遲區域
340‧‧‧控制器
432‧‧‧相位前進區域
434‧‧‧相位延遲區域
AM‧‧‧調整器
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/物件台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PL‧‧‧項目/投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PME‧‧‧相位調變元件/光學相位調整裝置/光學相位修改裝置
PP‧‧‧光瞳平面
PW‧‧‧第二定位器件
Q1‧‧‧象限
Q2‧‧‧象限
Q3‧‧‧象限
Q4‧‧‧象限
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/物件台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地描繪可由微影裝置自圖案化器件投影至基板上之圖案；圖3示意性地描繪經圖案化輻射對提供於基板上之抗蝕劑之效應；圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的由光學相位調整裝置應用於輻射之相位修改；圖5示意性地展示在使用本發明之一實施例時功能特徵及輔助特徵對輻射空中強度之效應；圖6示意性地描繪根據本發明之一實施例的由光學相位調整裝置應用於輻射之替代相位修改；圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的由光學相位調整裝置應用於輻射之替代相位修改；圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的由光學相位調整裝置應用於輻射之替代相位修改； 圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例的由光學相位調整裝置應用於輻射之替代相位修改；圖10示意性地描繪根據本發明之一實施例的光學相位調整裝置；及圖11亦示意性地描繪根據本發明之一實施例的光學相位調整裝置。
110‧‧‧功能特徵影像
112‧‧‧輔助特徵影像

Claims (15)

  1. 一種使用一投影系統將一圖案(pattern)自一圖案化器件投影至一基板上之方法，該方法包含使用在該投影系統中之一光學相位調整裝置以將一相位修改(modification)應用於已自該圖案之一輔助特徵(assist feature)繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑(resist)中之一輔助特徵影像的大小(size)，或防止(prevent)該輔助特徵影像(image)印刷於該基板上之該抗蝕劑中，並維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
  2. 如請求項1之方法，其中該相位修改縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
  3. 如請求項1之方法，其中由該光學相位調整裝置應用之該相位修改對曝光於該基板上之該抗蝕劑中之功能特徵影像有一可忽略效應。
  4. 如請求項1之方法，其中將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不顯著地應用於一或多個其他繞射階之輻射。
  5. 如請求項4之方法，其中該特定繞射階為第3繞射階。
  6. 如請求項1至5中任一項之方法，其中該相位修改包含縮減傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位前進區域之輻射的光學路徑長度，及增加傳遞通過該光學相位調整裝置之一相位延遲區域之輻射的光學路徑長度。
  7. 如請求項6之方法，其中該光學路徑長度縮減在該相位 前進區域內變化，且該光學路徑長度增加在該相位延遲區域內變化。
  8. 如請求項6之方法，其中相位前進區域及相位延遲區域成對地被提供。
  9. 如請求項6之方法，其中相位前進區域及相位延遲區域係以一點對稱分佈或以一點反對稱分佈被提供。
  10. 一種使用一投影系統將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之方法，該方法包含使用在該投影系統中之一光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小，或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，其中該相位修改對已自該圖案之一功能特徵繞射之輻射有一較小效應(effect)。
  11. 一種微影裝置，其包含一光學相位調整裝置，該光學相位調整裝置經組態以應用一如請求項1至10中任一項之方法。
  12. 一種微影裝置，其包含：一支撐結構，其用以支撐一圖案化器件，該圖案化器件用以在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束提供一圖案；一投影系統，其用以將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分(target portion)上；一光學相位調整裝置，其經定位成處於(located at)或 鄰近於(adjacent to)該投影系統之一光瞳平面(pupil plane)；及一控制器，其經組態以操作該光學相位調整裝置以將一相位修改應用於已自該圖案之一輔助特徵繞射之輻射，該相位修改用以縮減曝光於該基板上之抗蝕劑中之一輔助特徵影像的大小，或防止該輔助特徵影像印刷於該基板上之該抗蝕劑中，並維持該輔助特徵影像對該圖案之一功能特徵之一影像增強的一貢獻。
  13. 如請求項12之裝置，其中該相位修改經組態以縮減自該輔助特徵繞射之該輻射在該基板處之對比度。
  14. 如請求項12或13之裝置，其中由該光學相位調整裝置應用之該相位修改對已自該功能特徵繞射之輻射有一較小效應。
  15. 如請求項12或13之裝置，其中該控制器經組態以操作該光學相位調整裝置以將該相位修改應用於一特定繞射階之輻射，且不將該相位修改顯著地應用於一或多個其他繞射階之輻射。
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