TWI471397B

TWI471397B - 黏著劑、黏著片及電子零件之製造方法

Info

Publication number: TWI471397B
Application number: TW99114916A
Authority: TW
Inventors: Satoru Kawata; Takeshi Saito
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo Kk
Priority date: 2009-05-12
Filing date: 2010-05-11
Publication date: 2015-02-01
Also published as: JP5618994B2; US8415235B2; WO2010131616A1; US20120052655A1; CN102421865A; TW201100509A; MY160284A; SG175933A1; KR20120022980A; KR101297315B1; CN102421865B; JPWO2010131616A1

Description

黏著劑、黏著片及電子零件之製造方法

本發明係關於黏著劑、使用黏著劑之黏著片，及電子零件之製造方法，尤其關於可使用在晶圓之切割的黏著劑、黏著片，及以晶圓作為基礎的電子零件的製造方法。

就利用晶圓之切割而製造電子零件時使用的黏著片而言，有專利文獻1至3。此等黏著片，係將裸晶附著膜(die attach film)疊層，而成為具備切割用之黏著片的功能以及將晶片固定於引線框等之黏著劑的功能的黏著片。藉由將裸晶附著膜疊層，將電子零件製造中的切割後的黏著劑塗佈步驟省略。

t先前技術文獻] 專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-049509號公報

專利文獻2：日本特開2007-246633號公報

專利文獻3：日本特開2008-001817號公報

但是，習知的黏著片，伴隨著半導體零件的高積體化，若以晶片尺寸大且薄者為對象時，有時在切割後的晶片的拾取作業會有困難。再者，疊層有裸晶附著膜(die attach film)的黏著片，當將晶圓切割而成裸晶晶片(die chip)後，拾取時，有時裸晶晶片會從裸晶附著膜脫落。本發明係有鑑於此情形而產生，係提供一種黏著劑，其晶片的拾取性優異，且能抑制裸晶附著膜從裸晶晶片脫落。

依照本發明，提供一種黏著劑，包含：(甲基)丙烯酸酯聚合物，及具有4個以上的乙烯基的胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，以及矽酮微粒。

此黏著劑，能適用於作為在基材片上具有黏著劑層以及裸晶附著膜(以下稱為「DAF」)的DAF一體型的黏著片的黏著劑層的材料，若使用具有由此黏著劑構成之黏著劑層的黏著片，當切割後拾取晶片時，能輕易地將裸晶附著膜(以下稱為「DAF」)與黏著劑層剝離，因此，能夠抑制晶片之拾取不良。又，也能抑制DAF從晶片脫落。又，切割時的晶片保持性優異，同時由於微少的糊劑殘留所致對於DAF之污染性亦低。

以下例示本發明之各種實施形態。以下所示各種實施形態可以互相組合。

前述矽酮微粒之含量，相對於前述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，宜為0.05質量份以上150質量份以下。於此情形，晶片之拾取性特別優異，DAF特別不容易從晶圓脫落。

前述胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之含量，相對於前述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，宜為15質量份以上225質量份以下。於此情形，晶片之拾取性特別優異，DAF特別不易從晶圓脫落。

前述矽酮微粒之含量相對於前述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，為0.1質量份以上100質量份以下，前述胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之含量，也可為20質量份以上200質量份以下。

前述矽酮微粒，宜為在矽酮橡膠球狀微粒上被覆聚有機倍半矽氧烷樹脂而成者。於此情形，DAF特別不容易從晶圓脫落。

較佳為更含有矽酮接枝聚合物。於此情形，晶片之拾取性特別優異，DAF特別不易從晶圓脫落。

前述矽酮接枝聚合物之含量，相對於前述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，宜為0.05質量份以上12.5質量份以下。於此情形，晶片之拾取性特別優異，DAF特別不易從晶圓脫落。

本發明也提供一種黏著片，具有基材膜，以及在前述基材膜上塗佈有上述記載之黏著劑而成的黏著劑層。此黏著片的晶片的拾取性優異，DAF不易從晶圓脫落。又，此黏著片適於固定電子零件。又，較佳為在上述黏著劑層上疊層DAF。

又，本發明亦提供一種電子零件之製造方法，包含以下步驟：晶圓貼合步驟，在上述記載之黏著片的DAF表面貼合晶圓；切割步驟，將貼合在前述黏著片的前述晶圓進行切割而成裸晶晶片；及拾取步驟，於切割步驟後，將前述DAF及前述黏著劑層剝離，並將前述裸晶晶片與前述DAF一起進行拾取。又，本發明也提供一種電子零件之製造方法，包含以下步驟：塗佈步驟：在晶圓的背面全面塗佈糊狀接著劑；半硬化步驟，將前述糊狀接著劑加熱而使半硬化成片狀而形成接著劑半硬化層；黏著片貼合步驟，將前述接著劑半硬化層與上述記載之黏著片之黏著劑層貼合；切割步驟，於前述黏著片貼合步驟後，將前述晶圓切割而成裸晶晶片；拾取步驟，於前述切割步驟後，將前述接著劑半硬化層與前述黏著劑層剝離，並將前述裸晶晶片與前述接著劑半硬化層一起拾取。

依照本發明，即使晶片尺寸大且薄，切割後之晶片之拾取性仍為優異，且，即使為疊層有DAF之黏著片，當將晶圓切割而成裸晶晶片化後，拾取時DAF也不會從裸晶晶片脫落。

(實施發明之形態)

以下對於本發明之實施形態，使用第1圖~第4圖詳細說明。第1圖~第4圖中，對於同樣的構成要素標記同樣的符號。

<用語之說明>

本說明書中，單體係指單體本身或從單體而來的構造。本說明書的「份」及「%」，無特別記載者則定為質量基準。本說明書中，(甲基)丙烯酸係指(甲基)丙烯酸之含(甲基)之化合物及不含(甲基)之化合物之總稱。又，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之總稱。

<實施形態之概要>

第1圖~第4圖顯示本實施形態之黏著片及電子零件之製造方法說明圖。

如第1圖所示，本實施形態之黏著片3，具有基材膜2及黏著劑層1。於黏著劑層1疊層著DAF(裸晶附著膜)4，並以黏著片3及DAF4形成DAF一體型黏著片5。於DAF4疊層著矽晶圓6。

黏著劑層1，係將含有(甲基)丙烯酸酯聚合物與具有4個以上乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物及矽酮微粒之黏著劑塗佈於基材膜而成者。

使用由此組成構成之黏著劑的DAF一體型黏著片5，當於裸晶晶片10之拾取作業時，容易將DAF4與黏著片3的黏著劑層1剝離。又，該DAF一體型黏著片5，由於晶片保持性亦為優異，因此，能夠抑制在切割時裸晶晶片10剝離(亦即「晶片飛開」)。

使用DAF一體型黏著片5之電子零件之製造方法中，可在矽晶圓6之切割後以裸晶晶片10的背面附有DAF4的狀態，拾取裸晶晶片10，並以此狀態將裸晶晶片10安裝在引線框11等並使黏著。此時，由於糊劑殘留微少，DAF4的污染性低，或DAF4不從裸晶晶片10脫落，因此，能夠抑制接著不良發生。

以下依序詳細說明黏著劑、黏著片、電子零件之製造方法。

<1.黏著劑>

首先說明本實施形態之黏著劑。本實施形態之黏著劑，含有(甲基)丙烯酸酯聚合物，及具有4個以上乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，及矽酮微粒。

此黏著劑，於一例中，含有(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，及具有4個以上乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物20質量份以上200質量份以下，及矽酮微粒0.1質量份以上100質量份以下。

此黏著劑，可以實質上僅含有此等3成分，也可添加稱為硬化劑、黏著賦予樹脂、聚合起始劑、軟化劑、抗老化劑、充填劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑，及光安定劑的各種公知的添加劑。黏著劑，宜以上述3成分作為主成分。黏著劑中之上述3成分的合計含量，例如，50、60、70、80、90、95、99、100%。上述3成分之合計含量，可為此處例示之任一值以上也可為任2個值的範圍內。

<1-1.(甲基)丙烯酸酯聚合物>

(甲基)丙烯酸酯聚合物，係將(甲基)丙烯酸酯單體聚合成的聚合物。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物，也可含有(甲基)丙烯酸酯單體以外的乙烯基化合物單體。又，(甲基)丙烯酸酯聚合物之製造使用的(甲基)丙烯酸酯單體，可為1種也可為2種以上。

(甲基)丙烯酸酯之單體，例如：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯，及(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯，及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯。此等之中，為了得到黏著劑起初的足夠黏著力並將黏著片確實地固定在環框11，宜含有(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸乙酯。此(甲基)丙烯酸酯單體中宜具有羥基。原因在於，能夠將黏著劑均質化，而且羥基會至少與胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物的反應殘渣中的異氰酸酯基或異氰酸酯硬化劑中的異氰酸酯反應而藉此抑制由於矽酮接枝聚合物造成污染。

乙烯基化合物單體，可適當採用由羥基、羧基、環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、磺胺基、磺胺酸基，及(亞)磷酸酯基構成之官能基群中的1種以上。

具有羥基之乙烯基化合物單體，例如有乙烯醇。具有羧基之乙烯基化合物單體，例如有：(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-乙醇酸，及桂皮酸。具有環氧基之乙烯基化合物單體，例如：烯丙基環氧丙醚，及(甲基)丙烯酸環氧丙醚。具有醯胺基之乙烯基化合物單體，例如：(甲基)丙烯醯胺。具有胺基之乙烯基化合物單體，例如：(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯。具有羥甲基之乙烯基化合物單體，例如：N-羥甲基丙烯醯胺。

(甲基)丙烯酸酯聚合物之重量平均分子量(Mw)，不特別限定，宜為20萬~250萬。原因在於，於此情形，黏著劑之特性特別好。其數量平均分子量，例如為20萬、40萬、60萬、80萬、100萬、150萬、200萬、250萬。此重量平均分子量，可為此處所例示的任2個值的範圍內。

(甲基)丙烯酸酯聚合物之製造方法，可使用乳化聚合、溶液聚合等。宜為可利用乳化聚合製造之丙烯酸基橡膠，使得放射線照射後能將黏著片3與裸晶附著膜4容易剝離。

(甲基)丙烯酸酯聚合物，尤其是，當以丙烯酸乙酯與丙烯酸丁酯與丙烯酸甲氧基乙酯之合計作為100質量%時，以丙烯酸乙酯35~75質量%、丙烯酸丁酯10~30質量%、丙烯酸甲氧基乙酯15~35質量%之比例含有此等成分之共聚物，且可利用乳化聚合得到者為佳。其原因在於，黏著片3的起始黏著力足夠，黏著片3能確實固定在環框11。

<1-2.胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物>

具有4個以上乙烯基之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(以下，有時單稱為「胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物」)，係指具有4個以上乙烯基，且分子內具有胺基甲酸酯鍵之(甲基)丙烯酸酯寡聚物即可，不特別限定。

胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之乙烯基之數目如果少於4個，則放射線照射後，裸晶附著膜與黏著劑層1不容易剝離，有時裸晶晶片10的拾取性降低。另一方面，胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物中的乙烯基的數目上限不特別限定，但是若考慮取得容易性或製造成本等，宜為至多約15個。乙烯基之數目，例如為4、6、9、10、15、20、25個。乙烯基之數目，可為此處例示之任一值以上也可為任2個值的範圍內。

胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之重量平均分子量(Mw)，不特別限定，宜為1000~20000。原因在於，於此情形，黏著劑之特性特別好。其數量平均分子量，例如：1000、2000、3000、4000、5000、6000、8000、10000、15000、20000。其重量平均分子量，也可為此處所例示之任2個值的範圍內。

胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之配合量，不特別限定，例如：相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，為5質量份以上300質量份以下，宜為15質量份以上225質量份以下，更佳為20質量份以上200質量份以下。此配合量，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，例如：為5、10、15、20、50、100、150、200、250、300質量份。其配合量，也可為此處例示之任2個值的範圍內。此胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之配合量若太少，則於紫外線及/或放射線照射後，黏著片3與裸晶附著膜4不容易剝離，有時裸晶晶片10之拾取性會發生問題。又，若過量配合，則會由於切割時將糊劑帶起，而有時引起拾取不良，同時，由於反應殘渣造成微小的糊劑殘留，附有裸晶附著膜4之裸晶晶片10裝載於引線框11時的加溫時，有時會發生接著不良。

胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之製造方法不特別限定，例如，使含有羥基及多數(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯化合物，與具有多數異氰酸酯基之化合物(例如二異氰酸酯化合物)反應，而成為胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物之方法。又，胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物，也可藉由對於具有多數羥基末端之多元醇寡聚物中過量添加具有多數異氰酸酯基之化合物(例如二異氰酸酯化合物)而使反應成為具有多數異氰酸酯基末端之寡聚物，再使含有羥基與多數(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯化合物反應而製造。

含有羥基及多數(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯化合物，例如，羥基丙基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三丙烯酸新戊四醇酯、二新戊四醇-二羥基-五丙烯酸酯、雙(新戊四醇)-四丙烯酸酯、四羥甲基甲烷-三丙烯酸酯、縮水甘油-二丙烯酸酯，或此等的丙烯酸酯基的一部分或全部為甲基丙烯酸酯基之化合物。

具有多數異氰酸酯基之異氰酸酯，例如：芳香族異氰酸酯、脂環族異氰酸酯，及脂肪族異氰酸酯。具有多數異氰酸酯基之異氰酸酯當中，較佳為使用芳香族異氰酸酯或脂環族異氰酸酯。異氰酸酯化合物之形態有單體、二聚體及三聚體，較佳為使用三聚體。芳香族二異氰酸酯，例如：甲苯二異氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸酯，及二甲苯二異氰酸酯。脂環族二異氰酸酯，例如：異佛爾酮二異氰酸酯、亞甲基雙(4-環己基異氰酸酯)。脂肪族二異氰酸酯，例如：六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯。

具有多數羥基末端之多元醇寡聚物，例如：聚(氧丙烯)二醇、聚(氧丙烯)三醇、共聚(氧乙烯-氧丙烯)二醇、聚(四氧化亞甲基)二醇、乙氧化雙酚A、乙氧化雙酚S螺二醇、己內酯變性二醇，及碳酸酯二醇。

<1-3.矽酮微粒>

矽酮微粒係指由基本骨架具有矽氧烷鍵(-SiO-)之化合物(矽酮)構成之微粒，例如，由聚有機矽氧烷或聚有機倍半矽氧烷構成之球狀微粒。

矽酮微粒之配合量不特別限定，例如：相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，為0.01質量份以上200質量份以下，較佳為0.05質量份以上150質量份以下，更佳為，0.1質量份以上100質量份以下，若矽酮微粒之配合量太少，則於紫外線及/或放射線照射後，黏著片3與裸晶附著膜4不容易剝離，有時裸晶晶片10在拾取性會發生問題。又，即便能夠拾取也會有裸晶附著膜4的一部分或全部從裸晶晶片10脫落，當將裸晶晶片10安裝在引線框11而黏著時，有時會發生不良現象。若矽酮微粒之配合量太多，則起初的黏著力低，切割時有時會發生晶片飛開或黏著片3從環框7剝離的情形。矽酮微粒之配合量，例如：0.05、0.1、0.5、1、5、10、50、100、150、200質量份。此配合量也可為此處所例示之任2個值的範圍內。

矽酮微粒之平均粒徑，可適當選用黏著劑層1之厚度以下者，但宜為0.01μm以上10μm以下。若平均粒徑太小，則於黏著劑中的分散性變差，有時拾取性會發生問題，若平均粒徑太大，則黏著劑的黏著性變差，起初黏著力降低，有時切割時會有晶片飛開的情形。矽酮微粒之平均粒徑，例如：0.01、0.05、0.1、0.5、1、1.5、2、2.5、3、5、10μm。其平均粒徑也可為此處所例示之任2個值的範圍內。又，本說明書中，「平均粒徑」，意指利用雷射繞射散射法求得之粒度分布當中於累積值50%的粒徑。

矽酮微粒，較佳為係在矽酮橡膠球狀微粒上被覆聚有機倍半矽氧烷樹脂者。如此的微粒，在黏著劑中的分散性良好，適於使用。

矽酮球狀微粒，為具有橡膠彈性之球狀矽膠微粒，例如分子構造中具有通式(1)所示線狀聚有機矽氧烷嵌段之具有橡膠彈性的球狀矽酮硬化物構成者。

-(Rl₂ SiO)_A -.....(1)

(在此，R1為甲基、乙基、丙基、丁基等烷基、苯基、甲苯基等芳基、乙烯基、烯丙基等烯基、β-苯乙基、β-苯丙基等芳烷基、氯甲基、3,3,3-三氟丙基等1價鹵化烴基，又，環氧基、胺基、巰基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等含反應性基之有機基選出之1種或2種以上碳數1~20之1價有機基選出的基，其90莫耳%以上為甲基較佳。A若小於5則線狀有機聚矽氧烷之特徵不能充分發揮，A之最大值不特別限定，實際上若大於5000，則矽酮橡膠微粒之製造會變得困難，因此，A為5~5000，較佳為10~1000之數目)。此矽酮橡膠球狀微粒在其粒子中也可含有矽酮油、有機矽烷、無機系粉末、有機系粉末等。聚有機倍半矽氧烷樹脂，係以通式(2)表示者，

R2SiO_3/2 .....(2)

此式中之R2為甲基、乙基、丙基、丁基等烷基、苯基、甲苯基等芳基、乙烯基、烯丙基等烯基、β-苯乙基、β-苯丙基等芳烷基、氯甲基、3,3,3-三氟丙基等1價鹵化烴基，又，環氧基、胺基、巰基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等含反應性基之有機基選出之1種或2種以上之碳數1~20之1價有機基即有機倍半矽氧烷單位作為構成單位的樹脂狀聚合物。

聚有機倍半矽氧烷樹脂之R2，其50莫耳%以上為甲基較佳。又，R2SiO_3/2 單位以外，在不損及其被覆性的範圍內，也可含有少量的R2SiO_2/2 單位、R2₃ SiO_1/2 單位、SiO₂ 單位。

聚有機倍半矽氧烷樹脂之數量平均分子量(Mn)，不特別限定，宜為500~10000。原因在於，於此情形，黏著劑之特性特別好。其數量平均分子量，例如：500、1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000、8000、9000、10000。其數量平均分子量，也可為在此例示之任2個值的範圍內。

聚有機倍半矽氧烷樹脂，可均勻被覆在矽酮橡膠球狀微粒的表面全面，也可被覆一部分表面，相對於矽酮橡膠球狀微粒100質量份，若聚有機倍半矽氧烷樹脂小於1質量%則於黏著劑中欠缺分散性，若多於500質量份，則矽酮橡膠球狀粒子之特性不能充分發揮。因此，聚有機倍半矽氧烷樹脂之配合量，相對於矽酮球狀微粒100質量份，宜為1質量份以上500質量份以下，更佳為5質量份以上100質量份以下。其配合量，例如相對於矽酮球狀微粒100質量份，為1、5、10、20、50、100、150、200、250、300、350、400、500質量份。其配合量，例如也可為此處所例示任2個值的範圍內。

<1-4.　矽酮接枝聚合物>

本發明之黏著劑中，為了使裸晶附著膜4與黏著劑層1之密合性降低，並使拾取性提高，宜含有矽酮接枝聚合物。

矽酮接枝聚合物，係於矽酮分子鏈的末端聚合具有乙烯基之單體(以下稱為「矽酮巨單體」)而成者，除此以外，例如：矽酮巨單體之均聚物，或矽酮巨單體與其他乙烯基化合物之巨單體。矽酮巨單體，宜使用矽酮分子鏈之末端成為(甲基)丙烯醯基或苯乙烯基等乙烯基之化合物。

其他之乙烯基化合物，宜為與配合黏著劑之其他聚合物的互溶性高的(甲基)丙烯酸酯單體。原因在於，若使用互溶性高者，則黏著劑全體會成為均質。

(甲基)丙烯酸酯單體，例如：(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸羥基烷酯、變性羥基(甲基)丙烯酸酯，及(甲基)丙烯酸，為了防止稱為碎屑(particle)的微小糊劑殘留，宜為具有反應性之(甲基)丙烯酸羥基烷酯，或變性羥基(甲基)丙烯酸酯。

(甲基)丙烯酸烷酯，例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯，及(甲基)丙烯酸異冰片酯，及(甲基)丙烯酸羥基烷酯。

(甲基)丙烯酸羥基烷酯，例如：(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯，及(甲基)丙烯酸羥基丁酯。

變性羥基(甲基)丙烯酸酯，例如：氧乙烯變性羥基(甲基)丙烯酸酯，及內酯變性羥基(甲基)丙烯酸酯。

矽酮接枝聚合物，特別是將具有(甲基)丙烯醯基之矽酮巨單體5~95質量份、甲基丙烯酸甲酯5~95質量份(矽酮巨單體與甲基丙烯酸甲酯之合計定為100質量份)聚合成的矽酮接枝聚合物，藉由使用具有羥基之起始劑進行聚合，使矽酮接枝聚合物之末端及/或側鏈具有至少1個羥基者較佳。原因在於，黏著片與裸晶附著膜容易剝離，裸晶晶片之拾取性良好。

矽酮接枝聚合物之重量平均分子量(Mw)不特別限定，宜為1000~5萬。原因在於，於此情形黏著劑之特性特別良好。其重量平均分子量，例如：1000、2000、3000、5000、1萬、2萬、3萬、5萬。此重量平均分子量，也可為此處例示之任2個值的範圍內。

矽酮接枝聚合物之配合量，例如相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，為0.01質量份以上15質量份以下，較佳為0.05質量份以上12.5質量份以下，更佳為0.1質量份以上10質量份以下。若矽酮接枝聚合物之配合量太少，則紫外線及/或放射線照射後，黏著片3與裸晶附著膜4不容易剝離，有時裸晶晶片10之拾取性會發生問題。又，若過量配合，起初之黏著力降低，切割時有時會從環框7剝離。其配合量，例如，相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份，為0.01、0.05、0.1、0.5、1、2、5、10、12.5、15質量份。其配合量，也可為此處所例示之任2個值之範圍內。

<2.黏著片>

黏著片3，係藉由將黏著劑塗佈在基材膜2上而製造，由基材膜2以及疊層在此基材膜2上而成之黏著劑層1構成。黏著片3也可使用在切割時或研磨(backgrinding)時使用之電子零件固定用，但是，較佳為將DAF4與黏著片3疊層，並製成切割步驟之電子零件固定以及對於引線框11之固定步驟兩者可使用之DAF一體型黏著片5。

<2-1.黏著劑層>

黏著劑層1之厚度，宜為1μm以上，尤其若為2μm以上則更佳。又，黏著劑層1之厚度，宜為100μm以下，尤其若為40μm以下則更佳。黏著劑層1之厚度若太薄，則黏著力降低，切割時之晶片保持性低，同時，有時環框7與黏著片3之間會發生剝離。又，若黏著劑層1之厚度太厚，則黏著力變得太高，有時會發生拾取不良。

<2-2.基材膜>

基材膜2之厚度宜為30μm以上，為了防止於拾取步驟中之黏著片伸張時，黏著片破裂，更佳為60μm以上。又，基材膜2之厚度，宜為300μm以下，為了於拾取步驟中之黏著片伸張時，得到高伸張性，更佳為200μm以下。

基材膜2之素材，例如：聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸共聚物，及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等以金屬離子交聯成之離子聚合物樹脂。基材膜2可使用此等樹脂之混合物、共聚物，及多層膜。

基材膜2之素材宜使用離子聚合物樹脂。離子聚合物樹脂當中，若使用將具有乙烯單位、(甲基)丙烯酸單位，及(甲基)丙烯酸烷基酯單位之共聚物以Na⁺ 、K⁺ 、Zn²⁺ 等金屬離子交聯成的離子聚合物樹脂，則能抑制發生鬚狀的切削屑，故為較佳。

基材膜2，尤佳為熔融流速(MFR)為0.5~6.0g/10min(JIS K7210,210℃)。基材膜2，尤佳為熔點80~98℃、含有Zn²⁺ 離子之膜。

基材膜2之成形方法例如：砑光成形法、T模擠製法、膨發法，及澆鑄法。

基材膜2，為了防止DAF4剝離時帶電也可在基材膜2的單面或兩面塗佈抗靜電劑。又，也可將抗靜電劑混到樹脂中。抗靜電劑，例如，高分子型抗靜電劑、低分子型抗靜電劑、導電性聚合物、導電性填料、離子液體。

基材膜2，可將設有黏著劑層1之相反側之面作成平均表面粗糙度(Ra)為0.3μm以上1.5μm以下之壓花面。藉由在擴張裝置(未圖示)的機械台側設置壓花面，能輕易地在切割後的擴張步驟將基材膜2擴張。

為了提高切割後的擴張性，可在基材膜2之設有黏著劑層1之相反側之面塗佈潤滑劑，或將潤滑劑混入樹脂中。

潤滑劑只要是使黏著片3與擴張裝置(未圖示)之摩擦係數降低之物質即可，不特別限定，例如，矽酮樹脂，或(變性)矽酮油等矽酮化合物、氟樹脂、六方晶氮化硼、碳黑，及二硫化鉬等習知公知者。此等摩擦減低劑也可混合多種成分。由於電子零件係於潔淨室進行製造，因此，宜使用矽酮化合物或氟樹脂。

於基材膜2上形成黏著劑層1成為黏著片3之方法，例如：利用凹版塗佈機、刮刀式塗佈機(comma coater)、棒塗機、刀塗佈機或輥塗機等塗佈機在基材膜2上直接塗佈黏著劑之方法。也可使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔版印刷、膠版印刷(offset print)或網版印刷等，在基材膜2上印刷黏著劑。

<2-3. DAF：裸晶附著膜>

DAF4係將黏著劑或接著劑成形為膜狀而成的黏接著性片體。DAF4，係以將接著劑或黏著劑疊層在由聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂等構成之剝離用膜等的狀態而市售，能將接著劑或黏著劑轉印在被附著體。

DAF4之材質，只要是一般使用的黏著劑或接著劑的成分即可，例如：環氧化物、聚醯胺、壓克力、聚醯亞胺、乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚乙烯、聚碸、聚醯胺酸、矽酮、苯酚、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物，及氟樹脂。

DAF4可使用此等成分的混合物、共聚物，及疊層體。DAF4中，視需要也可混合例如硬化劑、紫外線聚合起始劑、抗靜電劑、硬化促進劑、矽烷偶聯劑、填料等添加物。

<3.電子零件之製造方法>

其次，針對使用黏著片3或DAF一體型黏著片5製造電子零件之方法加以說明。在此，電子零件之製造，係說明使用在黏著片3之黏著劑塗佈面疊層DAF4而成之DAF一體型黏著片5之方法，及使用黏著片3及糊狀接著劑之方法。

<3-1.　使用DAF一體型黏著片之方法>

如第1圖~第4圖所示，依照使用DAF一體型黏著片5之方法的電子零件之製造方法，包含以下步驟：晶圓貼合步驟，在DAF一體型黏著片5之DAF4表面貼合矽晶圓6；切割步驟，在貼合於DAF一體型黏著片5之狀態，進行矽晶圓6之切割而成為裸晶晶片10；拾取步驟，於切割步驟後，將DAF4及黏著劑層1剝離，將裸晶晶片10與DAF4一起拾取。又，也可包含裸晶晶片安裝步驟，將已拾取之裸晶晶片10安裝在引線框11或電路基板。以下對於各步驟詳細說明。

(1)晶圓貼合步驟

於此步驟，將矽晶圓6貼合於DAF一體型黏著片5之DAF4表面並固定。又，宜將DAF一體型黏著片5固定於環框7。

(2)切割步驟

此步驟中，係於矽晶圓6貼合於DAF一體型黏著片5的狀態，進行矽晶圓6之切割使成裸晶晶片10。切割可使用切割刀片8進行。黏著片3，由於在紫外線及/或放射線照射前之晶片保持性優異，因此，於切割時，能夠抑制裸晶晶片10剝離(晶片飛開)。

(3)拾取步驟

此步驟中，於切割步驟後，將DAF4與黏著劑層1剝離，將裸晶晶片10與DAF4一起拾取。於此步驟具體而言，可例如以利用以下方法實施。從DAF一體型黏著片5的基材膜2側照射紫外線及/或放射線(未圖示)，接著，將DAF一體型黏著片5擴大為放射狀，加寬裸晶晶片10間隔後，將裸晶晶片10以針等(未圖示)往上頂。且，以真空夾具(collet)或空氣銷組等(未圖示)吸附裸晶晶片10，並在DAF4與黏著劑層1之間剝離，拾取附於DAF4之裸晶晶片10。紫外線及/或放射線之光源，可使用公知者。紫外線源，有低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈。放射線宜使用電子束、α射線、β射線、γ射線。

藉由照射紫外線及/或放射線，能使構成黏著劑層1之化合物分子內的乙烯基三維網狀化，使黏著劑層1之黏著力降低。藉此，在照射紫外線及/或放射線前，由於黏著劑層1具有起初的高黏著力，因此，能顯示優異的晶片保持性，當照射紫外線及/或放射線後，由於黏著劑層1之黏著力降低，故容易將裸晶附著膜4與黏著劑層1之間剝離，能使裸晶晶片10之拾取性提高。

(4)裸晶晶片安裝步驟

此步驟中，將附著有DAF4之裸晶晶片10裝載(安裝)於引線框11上。又，將DAF4加熱，並將裸晶晶片10與引線框11或電路基板進行加熱接著。最後，將裝載於引線框11的裸晶晶片10以樹脂(未圖示)模塑。引線框11也可改成使用形成有電路圖案之電路基板等。若使用DAF一體型黏著片5，則相對於DAF4，微少糊劑殘留造成的污染性低，因此，將附著有DAF4之裸晶晶片10安裝於引線框11上並加溫而接著時，能抑制由於污染造成接著不良。

<3-2.　使用黏著片及糊狀接著劑之方法>

若引用第1圖~第4圖說明，依照使用無DAF之黏著片3之方法的電子零件之製造方法，包含以下步驟：塗佈步驟(未圖示)，將糊狀接著劑4全面塗佈在矽晶圓6背面；半硬化步驟(未圖示)，將糊狀接著劑4加熱，使半硬化成片狀，形成接著劑半硬化層4；及貼合步驟(第1圖)，將矽晶圓6之接著劑半硬化層與黏著片3之黏著劑層1貼合；及切割步驟(第2圖)，於貼合在黏著片3之狀態，進行矽晶圓6之切割，使成裸晶晶片10；及，拾取步驟(第3圖)，於切割後，將接著劑半硬化層4及黏著劑層1剝離，藉此使裸晶晶片10及附著在其背面的接著劑半硬化層4合倂並且拾取。又，也可包含裸晶晶片安裝步驟，將已拾取的裸晶晶片10裝載於引線框11或電路基板。

接著劑半硬化層，具有與上述DAF4同樣的功能。因此，若將形成有接著劑半硬化層4之矽晶圓6，與由黏著劑層1及基材膜2構成之黏著片3，以接著劑半硬化層與黏著劑層1接觸之方式貼合，則會成為與第1圖同樣的構成。以後，可與使用DAF4之情形同樣，使用切割刀片8切割，並拾取附著有接著劑半硬化層之裸晶晶片，並且，安裝在引線框11或電路基板，進行加熱接著。

糊狀接著劑，除了為熱固性之點以外，例如有：壓克力、乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚醯胺、聚乙烯、聚碸、環氧化物、聚醯亞胺、聚醯胺酸、矽酮、苯酚、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物，及氟樹脂之一種或多種的混合體。

依照此方法，於矽晶圓6切割後，對於黏著片3之基材膜2側照射紫外線及/或放射線(未圖示)，藉此，可於裸晶晶片10之背面附著有接著劑半硬化層4之狀態，輕易地將裸晶晶片10拾取，又，可直接將裸晶晶片10安裝於引線框11等而接著。又，依照此方法，能減低黏著劑層1污染接著劑半硬化層4，因此當將附有接著劑半硬化層4之裸晶晶片10安裝在引線框11上並加溫而接著時，能夠抑制由於污染造成接著不良的現象。

以上已參照圖式說明本發明之實施形態，但是此等為本發明之例示，也可採用上述以外的各種構成。

例如，矽晶圓6也可使用採用其他材質的晶圓(例如GaN晶圓等)。其他材質的晶圓，也可使用適於切斷其他晶圓之切割刀片8實施與上述實施形態同樣的晶圓的加工方法，此情形也可得到同樣的同樣效果。

實施例

以下進一步利用實施例說明本發明。首先說明實驗使用的黏著片的材料，其次，說明黏著片之製造方法，並說明黏著片之評價方法，最後考察評價結果。

<1.材料>

(甲基)丙烯酸酯聚合物：為丙烯酸乙酯54%、丙烯酸丁酯22%、丙烯酸甲氧基乙酯24%的共聚物，係利用乳化聚合得到者(本公司聚合品)。重量平均分子量(Mw)為150萬。胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物A：使六亞甲基二異氰酸酯(脂肪族二異氰酸酯)之三聚物與二新戊四醇五丙烯酸酯反應而成之末端丙烯酸酯寡聚物。重量平均分子量(Mw)為5000，丙烯酸酯官能基數目為15個(15官能)之胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(本公司聚合品)。胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物B：使聚(氧丙烯)二醇之末端與六亞甲基二異氰酸酯反應而成之末端異氰酸酯寡聚物，再與丙烯酸2-羥基乙酯反應而成之末端丙烯酸酯寡聚物。數量平均分子量(Mw)為3400，乙烯基數目為每1分子2個(2官能)(本公司聚合品)。矽酮微粒A：將聚有機倍半矽氧烷樹脂被覆在矽酮橡膠球狀微粒而成之平均粒徑2μm的矽酮微粒(信越化學工業公司製，型式KMP-605)。矽酮微粒B：平均粒徑5μm之矽酮橡膠球狀微粒(信越化學工業公司製，型式KMP-597)。矽酮微粒C：由聚有機倍半矽氧烷樹脂構成之平均粒徑2μm之矽酮樹脂微粒(信越化學工業公司製，型式KMP-590)矽酮接枝聚合物：將矽酮巨單體30質量份、甲基丙烯酸甲酯70質量份使用具有2個羥基之起始劑聚合而成之含有羥基之矽酮接枝聚合物(本公司聚合品，重量平均分子量(Mw)：5000)。矽酮巨單體使用在矽酮分子鏈之末端具有甲基丙烯醯基之矽酮巨單體(本公司聚合品，數量平均分子量(Mw)：1000)。光聚合起始劑：苄基二甲基縮酮(Chiba Speciality Chemicals公司製，產品名IRGACURE 651)。硬化劑：1,6-六亞甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成體(日本Polyurethane公司製，產品名CORONATE HL)。基材膜：由以乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷酯共聚物之Zn鹽為主體的離子聚合物樹脂構成，熔融流速(MFR)為1.5g/10min(JIS K7210,210℃)、熔點為96℃、含有Zn²⁺ 離子之膜(三井-杜邦polychemicals公司製，產品名HIMIRAN1650)。裸晶附著膜：厚度30μm之膜(環氧樹脂與丙烯酸樹脂之混合物)。

<2.黏著片之製造>

依照表1所示之成分及配合量，進行對應於表1之各實驗編號的黏著劑的製備。於各黏著劑製備時，除了表1所示之成分以外，尚配合光聚合起始劑3質量份及硬化劑3質量份。又，表1中，為了簡潔地表示所配合的化合物種類及其配合量，例如當配合胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物A100質量份時，於該對應欄單以「A100」表示。

其次，將黏著劑塗佈在聚對苯二甲酸乙二醇製之分離膜上，並塗成使乾燥後之黏著劑層1之厚度為10μm，並將此黏著劑層1疊層在基材膜2上，得到黏著片3。又，之後，在黏著片3之黏著劑層1上疊層30μm厚的DAF4，成為DAF一體型黏著片5。

<3.黏著片之評價方法>

依照以下方法，進行所製造之DAF一體型黏著片5之評價。

(1)晶圓貼合步驟

首先，在DAF一體型黏著片5的DAF4表面貼合矽晶圓6。矽晶圓6使用形成有虛設的電路圖案的直徑8吋×厚度75μm的矽晶圓。

(2)切割步驟

其次，於貼合於DAF一體型黏著片5之狀態，進行矽晶圓6之切割，成為裸晶晶片10。

切割時，對黏著片3之切入量定為30μm。切割係使裸晶晶片10之尺寸成為10mm×10mm。

切割裝置使用DISCO公司製DAD341。切割刀片使用DISCO公司製NBC-ZH2050-27HEEE，切割條件如下。

切割刀片形狀：外徑55.56mm、刀刃寬35μm、內徑19.05mm。

切割刀片轉速：40000rpm

切割刀片前進速度：80mm/sec

切削水溫：25℃

切削水量：1.0L/min

(3)拾取步驟

其次，於切割步驟後，從DAF一體型黏著片5之基材膜2側照射紫外線，將裸晶晶片10與DAF4一起拾取。

紫外線之照射，係使用TOYO-ADTEC公司製、型式TUV-815US，以照度8mW/cm、照射量500mJ/cm² 的條件進行。

拾取裝置使用Canon Machinery公司製CAP-300II。拾取條件如下。

針銷數目：5根

針銷之高度：0.3mm

擴張量：5mm

(4)黏著片之評價

(4-1)拾取性

將矽晶圓6以上述條件切割後，於附著有DAF4之狀態，評價能拾取裸晶晶片10之數目。

◎(優)：能拾取95%以上的裸晶晶片10。

○(良)：能拾取80%以上、少於95%的裸晶晶片10。

×(不可)：能拾取少於80%的裸晶晶片10。

(4-2)裸晶附著膜剝離

以如下方式，對於以上述條件切割矽晶圓6並拾取裸晶晶片10時，裸晶附著膜4從裸晶晶片10之脫落(剝離)進行評價。

◎(優)：相對於裸晶晶片10之面積，裸晶附著膜4之脫落面積小於5%。

○(良)：相對於裸晶晶片10之面積，裸晶附著膜4之脫落面積為5%以上小於10%。

×(不可)：相對於裸晶晶片10之面積，裸晶附著膜4之脫落面積為10%以上。

<4.實驗結果之考察>

如表1所示之實驗結果可知，使用本發明之黏著劑的DAF一體型黏著片5，於拾取作業時，裸晶黏著膜4與黏著劑層1容易剝離，且能夠抑制裸晶黏著膜從晶片脫落。

1．．．黏著劑層

2．．．基材膜

3．．．黏著片

4．．．DAF(裸晶附著膜)

5．．．DAF一體型黏著片

6．．．矽晶圓

7．．．環框

8．．．切割刀片

9．．．切口

10．．．裸晶晶片

11．．．引線框

第1圖顯示本發明之一實施形態之黏著片及電子零件之製造方法示意說明圖。

第2圖顯示第1圖之次一步驟以及此時的黏著片示意說明圖。

第3圖顯示第2圖之次一步驟以及此時的黏著片示意說明圖。

第4圖顯示第3圖之次一步驟示意說明圖。