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TWI470496B - 觸控面板之觸點座標的取樣方法 - Google Patents

觸控面板之觸點座標的取樣方法 Download PDF

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TWI470496B
TWI470496B TW101130138A TW101130138A TWI470496B TW I470496 B TWI470496 B TW I470496B TW 101130138 A TW101130138 A TW 101130138A TW 101130138 A TW101130138 A TW 101130138A TW I470496 B TWI470496 B TW I470496B
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Weihao Chen
Chinyi Lin
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E Ink Holdings Inc
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Description

觸控面板之觸點座標的取樣方法
本發明是有關於一種觸控面板之觸點座標的取樣方法以及一種觸控裝置。
近年來，許多電子產品應用觸控面板作為輸入介面。常見的觸控面板包含電阻式觸控面板、電容式觸控面板、電磁感應式觸控面板、光學感應式觸控面板及音波式觸控面板等等。在可攜式電子產品的觸控面板中，觸控面板的消耗功率一直是重要的考量因素。有許多研究針對觸控面板的結構進行改良，但是鮮少有研究者對於觸控面板偵測觸點的頻率與使用者的習慣之間的關連性進行研究。
本發明之一態樣係揭露一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，俾能有效地降低觸控面板的消耗功率。
根據本發明一實施方式，上述觸控面板之觸點座標的取樣方法，包含以下步驟：(a1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以得到時序上相鄰的兩個觸點座標；(a2)計算低偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離；(a3)判斷低偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離是否大於一第一臨界距離；(a4)當步驟(a3)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點，以獲得時序上的下一個觸點座標；(a5)計算高偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標間的距 離；(a6)判斷步驟(a5)之兩個觸點座標間的距離是否小於一第二臨界距離，其中第二臨界距離小於第一臨界距離；以及(a7)當步驟(a6)之判斷結果為真，以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點。
在一實施方式中，觸控面板具有一最小解析單位長度，且第一臨界距離為最小解析單位長度的5-10倍。
在一實施方式中，觸控面板具有一最小解析單位長度，且第二臨界距離為最小解析單位長度的2-6倍。
在一實施方式中，低偵測頻率為約50次/秒至約150次/秒，且高偵測頻率為約150次/秒至約300次/秒。
根據本發明另一實施方式，係提供一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，此包含以下步驟：(b1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上相鄰的兩個觸點座標；(b2)計算低偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離及斜率；(b3)判斷低偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離是否大於一第一臨界距離；(b4)當步驟(b3)之判斷結果為真，判斷低偵測頻率下之斜率是否大於一第一臨界斜率；(b5)當步驟(b4)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點，以獲得得時序上的下一個觸點座標；(b6)計算高偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離及斜率；以及(b7)判斷高偵測頻率下之兩個觸點座標間的距離是否小於一第二臨界距離，其中第二臨界距離小於第一臨界距離；(b8)當步驟(b7)之判斷結果為真，以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點；(b9)當步驟(b7)之判斷結果為否，判斷高偵測頻率下之斜率是否小於一第二臨界斜率，其中第二臨界斜 率小於第一臨界斜率；以及(b10)當步驟(b9)之判斷結果為真，以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點。
在一實施方式中，第一臨界斜率為約0.2至約0.4。
在一實施方式中，第二臨界斜率為約0.1至約0.3。
根據本發明又一實施方式，係提供一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，此包含以下步驟：(c1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序相鄰之第一、第二及第三觸點座標；(c2)計算低偵測頻率下之第一觸點座標至第二觸點座標的向量、第二觸點座標至第三觸點座標的向量、以及兩向量間的夾角；(c3)判斷步驟(c2)之兩向量間的夾角是否大於一第一臨界角；(c4)當步驟(c3)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序相鄰之第四、第五及第六觸點座標；(c5)計算高偵測頻率下之第四觸點座標至第五觸點座標的向量、第五觸點座標至第六觸點座標的向量、以及兩向量間的夾角；(c6)判斷步驟(c5)之兩向量的夾角是否小於一第二臨界角，其中第二臨界角小於第一臨界角；以及(c7)當步驟(c6)之判斷結果為真，以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點。
在一實施方式中，第一臨界角為15度至30度，且第二臨界角為5度至15度。
本發明之另一態樣係揭露一種觸控裝置，此觸控裝包含一觸控面板、一座標計算單元、一軌跡偵測單元以及一取樣控制單元。觸控面板用以在一偵測頻率下偵測出現在觸控面板上的一觸點，而得到時序上一系列之觸點資訊。 座標計算單元用以根據系列之觸點資訊計算一系列之觸點座標。軌跡偵測單元用以計算一系列之觸點座標中，時序上任意兩相鄰觸點座標間的距離。取樣控制單元用以根據軌跡偵測單元所計算之距離，控制觸控面板之偵測觸點頻率。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
本發明之一態樣係提供一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，此方法可應用在各式的觸控面板，例如電阻式觸控面板、電容式觸控面板、電磁感應觸控面板或光學式觸控面板等。
第1A圖繪示本發明一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法100的流程圖。取樣方法100由步驟110開始，步驟110可例如為觸控面板的開機步驟。第1B圖繪示本發明一實施方式之觸控面板410的上視示意圖。觸控面 板410通常包含複數個解析度單元412，並具有一最小解析單位長度d。在此，「最小解析單位長度」是指觸控面板能夠辨識區分的最小距離。在其他實施例中，解析度單元412可為各種形狀，例如三邊形、長方形或六邊形，且不限於以矩陣的方式排列。
在步驟120中，以低偵測頻率來偵測觸控面板上的觸點，以獲得時序上相鄰的至少兩個觸點座標。本文中，「時序」之用語是指時間順序。在一實施方式中，低偵測頻率是以每秒50次至150次的頻率來偵測觸控面板上的觸點位置，因此每秒可得到50至150組的觸點座標。換言之，偵測頻率是指觸控面板偵測觸點的頻率，當一觸點在觸控面板上移動時，便可得到具有時間順序的一系列觸點座標。舉例而言，如第1C圖所示，在低偵測頻率下，在第一時間點01偵測觸點的位置，而得到第一時點01的觸點座標(x1 ,y1 )。在第二時間點02偵測觸點的位置，而得到第二時間點02的觸點座標為(x2 ,y2 )。當低偵測頻率是每秒100次時，第一時間點01與第二時間點02的時間差為約0.01秒。偵測觸控面板上觸點位置的方式是根據觸控面板的種類而定，不同種類的觸控面板是依其各別的原理來偵測觸點座標。
在步驟130中，計算在低偵測頻率下所得之時序上相鄰兩個觸點座標之間的距離。亦即，在得到第一時間點01的觸點座標(x1 ,y1 )和第二時間點02的觸點座標(x2 ,y2 )之後，計算時序上相鄰的兩個觸點座標(x1 ,y1 )和(x2 ,y2 )之間的距離。例如，可利用以下數學式(I)計算兩觸點座標間的距 離H：H=[(x2 -x1 )2 +(y2 -y1 )2 ]1/2 數學式(I)。
在步驟140中，判斷低偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標之間的距離是否大於第一臨界距離。詳言之，在得到時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離H之後，判斷距離H是否大於第一臨界距離。第一臨界距離可為一預設值，或者第一臨界距離可由使用者設定。在一具體實例中，第一臨界距離為最小解析單位長度的5-10倍。例如，第一臨界距離可設定為最小解析單位長度的10倍，當時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離H大於最小解析單位長度的10倍時，步驟140的判斷結果為真，則接續進行步驟150。反之，當步驟140的判斷為否，仍然以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置；例如，取樣方法可回到步驟120。
取樣方法進行到步驟150，以高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點，以獲得時序上的下一個觸點座標。以第1C圖為例來具體說明上述步驟120至步驟150。當第一時點01的觸點座標(x1 ,y1 )和第二時間點02的觸點座標(x2 ,y2 )之間的距離未大於第一臨界距離時，則仍然以步驟120的低偵測頻率來偵測觸點的位置，而得到第三時間點03的觸點座標(x3 ,y3 )。接著，進行步驟130，計算第二時間點02的觸點座標(x2 ,y2 )和第三時間點03的觸點座標(x3 ,y3 )之間的距離。然後，進行步驟140，判斷觸點座標(x2 ,y2 )和觸點座標(x3 ,y3 )之間的距離是否大於第一臨界距離，當此判斷結果 為真時，則進行步驟150，將原本的低偵測頻率轉換為高偵測頻率，在第四時間點04偵測觸點的位置，而得到觸點座標(x4 ,y4 )。在一實施方式中，高偵測頻率為約150次/秒至約300次/秒。
取樣方法100進行到步驟160，計算高偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離。同樣以第1C圖為例說明，當得到第四時間點04的觸點座標(x4 ,y4 )後，計算第三時間點03的觸點座標(x3 ,y3 )與第四時間點04的觸點座標(x4 ,y4 )之間的距離。
然後，在步驟170中，判斷步驟160所述之兩個觸點座標間的距離是否小於第二臨界距離。第二臨界距離小於第一臨界距離。在一實施方式中，第二臨界距離為最小解析單位長度的2-6倍。
當步驟170之判斷結果為否，則仍然以高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點；例如，取樣方法100可以回到步驟150。反之，當步驟170之判斷結果為真時，則將原本的高偵測頻率轉變為低偵測頻率，並以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點；例如，取樣方法100可以回到步驟120。換言之，當步驟170之判斷結果為否時，則重複進行步驟150至步驟170，以高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點位置。以第1C圖為例說明上述步驟150至步驟170，當觸點座標(x3 ,y3 )和(x4 ,y4 )之間的距離不小於第二臨界距離時，仍然以步驟150所述之高偵測頻率來偵測觸點的位置，而得到第五時間點05的觸點座標(x5 ,y5 )，之後再進行步驟160和步驟170。當第七時間點07的觸點座標(x7 ,y7 )和第八時間點 08的觸點座標(x8 ,y8 )之間的距離小於第二臨界距離時，此時將高偵測頻率轉換為低偵測頻率，以低偵測頻率來偵測第九時間點09的觸點座標(x9 ,y9 )。
根據本發明一實施例，當步驟150之觸控面板偵測觸點之結果為不存在任何觸點時，則將取樣方法100回到步驟120。根據本發明另一實施例，當觸控面板關機時，結束取樣方法100。
第2A圖繪示本發明另一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法200的流程圖。取樣方法200由步驟210開始。步驟210的開始步驟可例如為觸控面板的開機步驟。
接著，進行步驟220，以低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上相鄰的兩個觸點座標。步驟220與方法100之步驟120相同。
取樣方法200進行到步驟230，計算在低偵測頻率下所得之時序上相鄰兩個觸點座標之間的距離及斜率。請注意，在此所述之「斜率」有別於一般數學上的斜率定義。在此，A點座標(a1,a2)與B點座標(b1,b2)之間的斜率m以下數學式(II)定義： 其中△x =b 1-a 1；△y =b 2-a 2； 請參照第2B圖，以更清楚說明上述之斜率定義。在第2B圖中，A點與B點間的|△x ||△y |，所以：
C點(c1,c2)與D點(d1,d2)間的|△x |<|△y |，所以：
E點(e1,e2)與F點(f1,f2)間的|△x |<|△y |，所以：
所以，在此所述之斜率的最大值為1，最小值為0。發明人以數學式(II)自行定義斜率之原因在於，根據一般數學上斜率的定義，其斜率有無限大而不存在的現象，若採用一般數學上斜率的定義，會對後續的計算方式造成極大的困擾。另一方面，根據數學上斜率的定義，當直角座標上A點與B點的連線接近於平行y軸時，A點或B點些微的移動會造成斜率數值大幅的變化，導致計算之斜率失去度量的意義。因此，為克服上述問題，本發明之發明人係以上述數學式(II)定義斜率。
在步驟240中，判斷低偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標之間的距離是否大於第一臨界距離。步驟240的具體實施方式可與前述步驟140相同。當此步驟之判斷結果為真時，則進行後續步驟250。當此步驟之判斷結果為否時，則不進行步驟250，而仍然以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置。例如，取樣方法200可回到步驟220。
取樣方法200進行到步驟250，判斷步驟230所計算之斜率是否大於一第一臨界斜率。在一實施方式中，第一臨界斜率為約0.2至約0.4。當步驟250之判斷結果為否時，而仍然以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置。例如，取樣方法200可回到步驟220。當步驟250之判斷結果為真時，進行步驟260。
取樣方法200進行到進行步驟260，以高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點，以獲得時序上的下一個觸點座標。
在步驟270中，計算高偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離及斜率。計算距離及斜率的具體實施方式，如前文關於步驟220所述。
取樣方法200進行到步驟280，判斷高偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離是否小於一第二臨界距離，第二臨界距離小於步驟240所述的第一臨界距離。步驟280的具體實施方式可與前述步驟170相同。當此步驟之判斷結果為真時，則將高偵測頻率轉變為低偵測頻率，並以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置。例如，取樣方法200可回到步驟220。當步驟280之判斷結果為否時，則進行後續步驟290。
在步驟290中，判斷高偵測頻率下之斜率是否小於一第二臨界斜率，第二臨界斜率小於第一臨界斜率。在一實施方式中，第二臨界斜率為約0.1至約0.3。當此步驟之判斷結果為真時，則將高偵測頻率轉變為低偵測頻率，並以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置。例如，取樣方法200可回到步驟220。當步驟290之判斷結果為否時，仍然 以高偵測頻率偵測觸控面板上的觸點。例如，取樣方法200可回到步驟260。
根據本發明上述之實施方式，第二臨界距離小於第一臨界距離，此一條件是根據本發明之諸多實驗測試所歸納之結果。如果第二臨界距離大於或等於第一臨界距離，根據測試諸多使用者的使用習慣，很容易造成觸控面板在高偵測頻率和低偵測頻率之間的切換次數過於頻繁，而無法有效地降低觸控裝置的消耗功率。
此外，根據本發明一實施方式，第一臨界距離為最小解析單位長度的5-10倍以及第二臨界距離為最小解析單位長度的2-6倍，上述範圍具有關鍵性。經過諸多實驗之歸納分析，當第一臨界距離在上述範圍內時，能夠區分90%的使用者是處於手寫輸入情況或是進行簡單的上下左右滑動。
再者，根據本發明之另一實施方式，第一臨界斜率為約0.2至約0.4以及第二臨界斜率為約0.1至約0.3具有關鍵性。經諸多實驗之歸納分析，第一和第二臨界斜率在此範圍中，能夠區分出超過95%的使用者是處於手寫輸入情況，或者僅是進行簡單的上下左右滑動。
第3A圖繪示本發明再一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法300的流程圖。取樣方法300由步驟310開始。步驟310的開始步驟可例如為觸控面板的開機步驟。
接著，進行步驟320，以低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序且相鄰之第一、第二及第三觸點座標。舉例而言，第一、第二及第三觸點座標可分別 為第1C圖繪示之第一時間點01的觸點座標(x1 ,y1 )、第二時間點02的觸點座標(x2 ,y2 )以及第三時間點03的觸點座標(x3 ,y3 )。
取樣方法300進行到步驟330，計算低偵測頻率下之第一觸點座標至第二觸點座標的向量、第二觸點座標至第三觸點座標的向量、以及上述兩向量間的夾角。具體言之，如第3B圖所示，第一觸點A至第二觸點B的向量即為圖中A點和B點之間箭號，第二觸點B至第三觸點C的向量即為圖中B點和C點之間的箭號，兩向量之間的夾角即為θ1 。
取樣方法300進行到步驟340，判斷步驟330所計算之兩向量間的夾角是否大於一第一臨界角。在一實施方式中，第一臨界角為15度至30度。當步驟340之判斷結果為否時，則仍然維持以低偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置；例如，取樣方法300可回到步驟320。反之，當步驟340之判斷結果為真時，則進行後續步驟350。
在步驟350中，以一高偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序相鄰之第四、第五及第六觸點座標。舉例而言，第四、第五及第六觸點座標可分別為第1C圖繪示之第四時間點04的觸點座標(x4 ,y4 )、第五時間點05的觸點座標(x5 ,y5 )及第六時間點06的觸點座標(x6 ,y6 )。
接著，進行步驟360，計算高偵測頻率下之第四觸點座標至第五觸點座標的向量、第五觸點座標至第六觸點座標的向量、以及上述兩向量間的夾角。以第3B圖為例說明，第四觸點D至第五觸點E的向量即為圖中D點和E點 之間箭號，第五觸點E至第六觸點F的向量即為圖中E點和F點之間的箭號，兩向量之間的夾角即為θ2 。
取樣方法300進行到步驟370，判斷步驟360所計算之兩向量間的夾角是否小於一第二臨界角。第二臨界角是小於上述步驟340的第一臨界角。在一實施例中，第二臨界角為5度至15度。當步驟370之判斷結果為否時，則仍然維持以高偵測頻率來偵測觸控面板的觸點位置；例如，取樣方法300可回到步驟350。反之，當步驟340之判斷結果為真時，則將高偵測頻率轉變為低偵測頻率，並以低偵測頻率偵測觸控面板上的觸點位置；例如，取樣方法300可回到步驟320。
根據本發明上述之實施方式，第一臨界角為15度至30度以及第二臨界角為5度至15度具有關鍵性。經諸多實驗結果之歸納分析，當第一和第二臨界角在此範圍時，能夠區分出超過97%的使用者是處於手寫輸入情況，或者僅是進行簡單的上下左右滑動。
本發明之另一態樣係揭露一種觸控裝置。第4圖繪示本發明一實施方式之觸控裝置400的方塊圖。觸控裝置400包含觸控面板410、座標計算單元420、軌跡偵測單元430以及取樣控制單元440。觸控面板410能夠以一偵測頻率來偵測出現在觸控面板上的一觸點，而得到時序上一系列的觸點資訊。觸點資訊的具體態樣是根據不同種類的觸控面板而異。例如，電阻式觸控面板的觸點資訊可能為電阻值或壓降值。光學式應觸控面板的觸點資訊可能為光電流。觸控面板410可以是內嵌式或外掛式的觸控面板。在 一實施例中，觸控面板為一液晶面板上外加上一電阻式觸控屏。在另一實施例中，觸控面板410為一液晶面板中有內嵌的位置偵測元件。
座標計算單元420用以根據上述一系列之觸點資訊來計算一系列的觸點座標。
軌跡偵測單元430用以計算觸點座標系列中，時序上任意兩相鄰觸點座標之間的距離。在一實施方式中，軌跡偵測單元430更包含一斜率計算單元(未繪示)，用以計算時序上任意兩相鄰觸點座標之間的斜率。在另一實施方式中，軌跡偵測單元430更包含一向量計算單元(未繪示)，用以計算前文取樣方法300所述的向量和兩向量間夾角。
取樣控制單元440用以根據軌跡偵測單元430所計算之距離或其他資訊，而控制觸控面板410的偵測觸點的頻率。具體而言，取樣控制單元440可控制觸控面板410為低偵測頻率或高偵測頻率。
根據本發明以上揭露的實施方式，可以有效地降低觸控裝置的消耗功率。當使用者只是單純地進行點擊觸控面板的的動作，或是觸點軌跡僅是簡單的上下滑動或左右滑動，或是觸點的移動速度緩慢的情況下，觸控裝置降低偵測觸點的頻率。偵測觸點的頻率降低，表示電子元件進行運算工作的次數得以減少，所以可減少觸控裝置的消耗功率。反之，當使用者輸入的觸點軌跡複雜，或是觸點移動速度快速的情況下，觸控裝置偵測觸點的頻率提高，用以精準地擷取使用者輸入的資訊。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧方法
110、120、130、140‧‧‧步驟
150、160、170‧‧‧步驟
200‧‧‧方法
210、220、230、240、250‧‧‧步驟
260、270、280、290‧‧‧步驟
300‧‧‧方法
310、320、330、340‧‧‧步驟
350、360、370‧‧‧步驟
400‧‧‧觸控裝置
410‧‧‧觸控面板
412‧‧‧解析度單元
420‧‧‧座標計算單元
430‧‧‧軌跡偵測單元
440‧‧‧取樣控制單元
A、B、C、D、E、F‧‧‧觸點
d‧‧‧最小解析單位長度
θ1 、θ2 ‧‧‧夾角
01、02、03、04、05‧‧‧時間點
06、07、08、09‧‧‧時間點
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1A圖繪示本發明一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法的流程圖。
第1B圖繪示本發明一實施方式之觸控面板的上視示意圖。
第1C圖繪示本發明一實施方式之觸點座標的取樣時間點的示意圖。
第2A圖繪示本發明另一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法的流程圖。
第2B圖繪示本發明定義之斜率的示意圖。
第3A圖繪示本發明再一實施方式之觸控面板之觸點座標的取樣方法的流程圖。
第3B圖繪示本發明一實施方式之第一觸點至第二觸點的向量、第二觸點至第三觸點的向量、以及兩向量之間的夾角。
第4圖繪示本發明一實施方式之觸控裝置的方塊圖。
200‧‧‧方法
210、220、230、240、250‧‧‧步驟
260、270、280、290‧‧‧步驟

Claims (9)

  1. 一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，包含：(a1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以得到時序上相鄰的兩個觸點座標；(a2)計算該低偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離；(a3)判斷該低偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離是否大於一第一臨界距離；(a4)當步驟(a3)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點，以獲得時序上的下一個觸點座標；(a5)計算該高偵測頻率下之時序上相鄰的兩個觸點座標間的距離；(a6)判斷步驟(a5)之該兩個觸點座標間的距離是否小於一第二臨界距離，其中該第二臨界距離小於該第一臨界距離；以及(a7)當步驟(a6)之判斷結果為真，以該低偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點。
  2. 如請求項1所述之取樣方法，其中該觸控面板具有一最小解析單位長度，且該第一臨界距離為該最小解析單位長度的5-10倍。
  3. 如請求項1所述之取樣方法，其中該觸控面板具有一最小解析單位長度，且該第二臨界距離為該最小解析單位長度的2-6倍。
  4. 如請求項1所述之取樣方法，其中該低偵測頻率為50次/秒至150次/秒，且該高偵測頻率為150次/秒至300次/秒。
  5. 一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，包含：(b1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上相鄰的兩個觸點座標；(b2)計算該低偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離及斜率；(b3)判斷該低偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離是否大於一第一臨界距離；(b4)當步驟(b3)之判斷結果為真，判斷該低偵測頻率下之該斜率是否大於一第一臨界斜率；(b5)當步驟(b4)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點，以獲得得時序上的下一個觸點座標；(b6)計算該高偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離及斜率；以及(b7)判斷該高偵測頻率下之該兩個觸點座標間的距離是否小於一第二臨界距離，其中該第二臨界距離小於該第一臨界距離；(b8)當步驟(b7)之判斷結果為真，以該低偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點；(b9)當步驟(b7)之判斷結果為否，判斷該高偵測頻率下之該斜率是否小於一第二臨界斜率，其中該第二臨界斜率小於該第一臨界斜率；以及 (b10)當步驟(b9)之判斷結果為真，以該低偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點。
  6. 如請求項5所述之取樣方法，其中該第一臨界斜率為0.2至0.4。
  7. 如請求項5所述之取樣方法，其中該第二臨界斜率為0.1至0.3。
  8. 一種觸控面板之觸點座標的取樣方法，包含：(c1)以一低偵測頻率偵測一觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序相鄰之第一、第二及第三觸點座標；(c2)計算該低偵測頻率下之該第一觸點座標至該第二觸點座標的向量、該第二觸點座標至該第三觸點座標的向量、以及該兩向量間的夾角；(c3)判斷步驟(c2)之該兩向量間的夾角是否大於一第一臨界角；(c4)當步驟(c3)之判斷結果為真，以一高偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點，以獲得時序上依序相鄰之第四、第五及第六觸點座標；(c5)計算該高偵測頻率下之該第四觸點座標至該第五觸點座標的向量、該第五觸點座標至第六觸點座標的向量、以及該兩向量間的夾角；(c6)判斷步驟(c5)之該兩向量的夾角是否小於一第二臨界角，其中該第二臨界角小於該第一臨界角；以及 (c7)當步驟(c6)之判斷結果為真，以該低偵測頻率偵測該觸控面板上的觸點。
  9. 如請求項8所述之取樣方法，其中該第一臨界角為15度至30度，且該第二臨界角為5度至15度。
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