[go: up one dir, main page]

TWI436168B - An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI436168B
TWI436168B TW097150792A TW97150792A TWI436168B TW I436168 B TWI436168 B TW I436168B TW 097150792 A TW097150792 A TW 097150792A TW 97150792 A TW97150792 A TW 97150792A TW I436168 B TWI436168 B TW I436168B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical system
projection optical
scale portion
plane
measuring
Prior art date
Application number
TW097150792A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200944951A (en
Inventor
柴崎祐一
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200944951A publication Critical patent/TW200944951A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI436168B publication Critical patent/TWI436168B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
    • G01D5/34707—Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
    • G01D5/34715—Scale reading or illumination devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
    • G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
    • G01D5/34746—Linear encoders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Transform (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，進一步詳言之，係關於以能量束於物體上形成圖案之曝光裝置及曝光方法、以及使用前述曝光裝置或前述曝光方法之元件製造方法。
在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件的微影製程中，主要係使用步進重複方式之縮小投影曝光裝置(所謂步進機)、步進掃描方式之縮小投影曝光裝置(所謂掃描步進機(亦稱掃描機))等。
此種曝光裝置，一般係使用雷射干涉儀，以投影光學系統之鏡筒側面為基準測量保持晶圓或玻璃板等之被曝光基板(以下，統稱為晶圓)之晶圓載台之位置，使用此測量結果進行對投影光學系統之載台之位置控制(例如參照專利文獻1)。據此，即使因振動等使投影光學系統之位置產生微小變化，亦能以良好精度使晶圓載台追蹤於此。
然而，為了以投影光學系統之鏡筒側面為基準測量晶圓載台之位置而使用雷射干涉儀之場合，測長束之光路長將達數百mm程度以上。因此，會因測長束之光路周圍所產生之環境氣息之溫度波動(空氣波動)而使測量值產生誤差，此誤差將成為形成於晶圓之圖案之位置偏移及晶圓上所積層形成之複數層之圖案間之重疊誤差之主要原因。
[專利文獻1]美國專利申請公開2007/0288121號說明書
本發明第1觀點之第1曝光裝置，係以能量束透過光學構件使物體曝光，以在該物體上形成圖案，其具備：移動體，供保持該物體、沿既定平面移動；保持構件，保持該光學構件；以及第1編碼器，係測量既定基準位置與該保持構件在與該平面平行之第1軸方向之距離。
根據此裝置，從基準位置至保持光學構件之保持構件為止之第1軸方向之距離，以第1編碼器加以測量。如此，即使在第1編碼器及保持構件之周圍產生例如溫度波動等之環境氣氛之變化，亦能以良好精度測量從基準位置至光學構件為止之距離。因此，能以良好精度使移動體以光學系統構件為基準移動、或定位。
本發明第2觀點之第2曝光裝置，係透過光學構件以能量束使物體曝光，其具備：移動體，可保持該物體於既定平面内移動；保持構件，供保持該光學構件；以及編碼器裝置，於該光學構件與該保持構件之一方設有標尺、於另一方設有讀頭，以測量在與該既定平面平行方向之該光學構件之位置資訊。
根據此裝置，藉由在光學構件與保持構件之一方設有標尺且於另一方設有讀頭之編碼器裝置，測量在與既定平面平行之方向之光學構件之位置資訊。如此，即使在保持構件之周圍產生例如温度波動等之環境氣氛之變化，亦能以良好精度測量光學構件之位置資訊。
又，本發明第3觀點之元件製造方法，包含：使用本發明第1、第2曝光裝置之任一者於物體上形成圖案之步驟；以及使形成有前述圖案之物體顯影之步驟。
本發明第4觀點之第1曝光方法，係以能量束透過光學構件使物體曝光，以在該物體上形成圖案，其包含：使用編碼器系統測量該光學構件與既定基準位置在保持該物體移動之移動體之移動面內之位置關係的第1測量步驟。
根據此方法，光學構件與既定基準位置在保持物體移動之移動體之移動面內之位置關係，係使用編碼器系統加以測量。如此，能以良好精度測量光學構件與既定基準位置在移動體之移動面內之位置關係。因此，能以良好精度使移動體以光學系統構件為基準移動、或定位。
本發明第5觀點之第2曝光方法，係透過光學構件以能量束使能在既定平面內移動之移動體所保持之物體曝光，其包含：使用在該光學構件與保持該光學構件之保持構件之一方設有標尺且另一方設有讀頭的編碼器裝置，測量在與該既定平面平行方向之該光學構件之位置資訊的步驟。
根據此方法，係使用在光學構件與保持構件之一方設有標尺且另一方設有讀頭之編碼器裝置，測量在與既定平面平行之方向之光學構件之位置資訊。據此，即使在保持構件之周圍產生例如温度波動等之環境氣氛之變化，亦能以良好精度測量光學構件之位置資訊。
又，本發明第6觀點之元件製造方法，其包含：使用本發明第1、第2曝光方法之任一者於物體上形成圖案之步驟；以及，使形成有前述圖案之物體顯影之步驟。
以下，根據圖1～圖5說明本發明之一實施形態。
圖1中顯示了一實施形態之曝光裝置10之概略構成。曝光裝置10，係步進掃描方式之投影曝光裝置、亦即所謂之掃描步進機。如後述般，本實施形態中設有投影光學系統PL，以下，將與此投影光學系統PL之光軸AX平行之方向設為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交之面內標線片與晶圓相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θx、θy及θz方向來進行說明。
曝光裝置10，具備：照明單元IOP、保持標線片R之標線片載台RST、投影光學系統PL、保持晶圓W在XY平面内二維移動之晶圓載台WST、及此等之控制系統、以及保持投影單元PU之機架34等。
照明單元IOP，包含光源及照明用光學系統，對其内部配置之視野光闌(亦稱為遮罩系統或標線片遮簾)所規定之矩形或圓弧狀照明區域照射照明用光IL，以均勻照度照明形成有電路圖案之標線片R。照明用光IL，此處係例如使用ArF準分子雷射光(波長193nm)。
標線片載台RST配置在構成後述立柱34之頂板的標線片載台座32a上，藉由構成標線片載台驅動系統19R之例如磁浮型2維線性致動器所產生之磁浮力，懸浮支承在標線片載台座32a上。於此標線片載台RST上，以例如真空吸附或靜電吸附方式固定有標線片R。
標線片載台RST被標線片載台驅動系統19R以既定行程驅動於Y軸方向(圖1中之紙面内左右方向)，且亦被微驅動於X軸方向(圖1中與紙面正交之方向)及θz方向，此外，亦被微驅動於Z軸方向及相對XY平面之傾斜方向(θx方向及θy方向)。
標線片載台RST(標線片R)於XY平面内之位置(含θz方向之旋轉)，係藉由對固定(或形成)於標線片載台RST之反射面照射雷射光束之標線片雷射干涉儀(以下，稱「標線片干涉儀」)18R，以例如0.25～1nm程度之分解能力隨時加以檢測。又，標線片R於Z軸方向之位置，則係以例如美國專利第5,448,332號說明書所揭示之多點焦點位置檢測系統構成之標線片焦點感測器RF(圖1中未未圖示，參照圖5)加以測量。
標線片干涉儀18R及標線片焦點感測器RF之測量值被供應至主控制裝置11(參照圖5)。主控制裝置11根據所供應之測量值透過標線片載台驅動系統19R驅動標線片載台RST。
前述投影單元PU，具有圓筒狀之鏡筒40、與被保持在該鏡筒40由複數個光學元件所構成之投影光學系統PL。本實施形態中，鏡筒40雖作成單一個，但亦可例如作成各一個、或將保持複數個光學元件之複數個鏡筒加以重疊來構成。此場合，將該複數個鏡筒收納在密閉構件内，以維持投影光學系統PL之高清潔度較佳。
前述投影光學系統PL，例如係使用沿與Z軸方向平行之光軸排列之複數個透鏡(透鏡元件)所構成的折射光學系統。此投影光學系統PL，例如係兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍或1/5倍)。因此，當以來自照明單元IOP之照明用光IL照明前述照明區域時，籍由通過投影光學系統PL之第1面(物體面)與圖案面大致配置成一致之標線片R的照明用光IL，使該照明區域內之標線片R的電路圖案縮小像(電路圖案之一部分縮小像)透過投影光學系統PL形成於區域(曝光區域)；該區域係與配置於其第2面(像面)側、表面塗布有光阻(感光劑)之晶圓W上的前述照明區域共軛。
接著，藉由標線片載台RST與晶圓載台WST之同步驅動，使標線片相對照明區域(照明用光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，且使晶圓W相對曝光區域(照明用光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，藉此對晶圓W上之一個照射區域(區劃區域)進行掃描曝光，以將標線片R之圖案轉印於該照射區域。亦即，本實施形態中，係藉由照明單元IOP、標線片R及投影光學系統PL將圖案生成於晶圓W上，藉由照明用光IL對晶圓W上之感應層(光阻層)之曝光將該圖案形成於晶圓W上。
立柱34，包含：下端部固定於地面F之複數(此處，例如係3支)之脚部32b(紙面內側之脚部未圖示)、以及以該脚部32b支承在地面F上方之標線片載台座32a。於標線片載台座32a之中央部，形成有貫通於上下方向(Z軸方向)之俯視(從上方所視)矩形之開口34a。
鏡筒40係例如收容投影光學系統PL、以Z軸方向為長邊方向之圓柱狀中空構件，於其底壁中央形成有突出部。於此突出部内部，保持位於投影光學系統PL下端之光學構件，於該突出部中央形成有作為照明用光之通路之開口部。除此之外，亦可以中央部形成有圓形開口之板構件構成鏡筒40之底壁，並使用以保持位在投影光學系統PL下端之光學構件的保持構件從該圓形開口突出。
又，在鏡筒40之高度方向中央之略下方位置，於外周部一體設有環狀之凸緣FLG。
鏡筒40，係藉由一端固定在標線片載台座32a之下面的複數個、例如3個懸吊支承機構137(惟紙面內側之懸吊支承機構未圖示)支承於凸緣FLG，據以懸吊支承在標線片載台座32a之下方。各懸吊支承機構137包含例如軟構造連結構件之螺旋彈簧136與纜線135。螺旋彈簧136係在垂直於投影光學系統PL之光軸(Z軸)之方向如鐘擺般振動，以除去垂直於投影光學系統PL之光軸之方向的振動(亦即，防止地板之振動傳至投影光學系統PL)。此外，螺旋彈簧136在與光軸平行之方向亦具有高除振性能。又，當設有支承投影單元PU之鏡筒平台之場合，亦可將該鏡筒平台以例如3個懸吊支承機構137加以懸吊支承。
在立柱34之3個脚部32b之各個於Z軸方向之中央部附近形成有凸部134a。此外，各凸部134a與投影光學系統PL之凸緣FLG之間設有驅動機構440。各驅動機構440，包含將投影光學系統PL驅動於鏡筒40之半徑方向的音圈馬達、以及將投影光學系統PL驅動於光軸方向(Z軸方向)的音圈馬達。藉由設在3個凸部134a之各個與凸緣FLG之間的3個驅動機構440(圖1中紙面內側之驅動機構未圖示)，將投影光學系統PL驅動於6自由度方向。本實施形態中，主控制裝置11(參照圖5)係根據例如設於投影光學系統PL之凸緣FLG之未圖示的加速度感測器所檢測之加速度資訊， 控制各驅動機構440之音圈馬達之驅動以使投影光學系統PL相對立柱34及地面F呈靜止之狀態。
晶圓載台WST係配置在投影光學系統PL之下方，透過其底面設置之複數個非接觸軸承、例如空氣軸承懸浮支承在水平設於地面F上之載台平台BS上。於晶圓載台WST上透過未圖示之晶圓保持具以真空吸附(或靜電吸附)方式保持晶圓W。
晶圓載台WST之位置，係以例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書、美國專利申請公開第2008/0088843號說明書、美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示之編碼器系統加以測量。本實施形態中，此編碼器系統具有4個線性編碼器70A~70D(參照圖5)，如圖2(A)所示，4個編碼器讀頭單元62A～62D配置在測量座(保持構件)51之下面(詳細後述)。另一方面，於晶圓載台WST之上面，如圖2(B)所示，圍繞晶圓W分別固定有以Y軸方向為長邊方向之一對Y標尺44A、44C、以及一對X標尺44B、44D。於各標尺44A～44D表面，形成有以各個之長邊方向為週期方向之反射型的繞射光柵。
載台平台BS之＋Z側之面(上面)被加工成具有非常高之平坦度，為晶圓載台WST移動時之基準面(導引面)。晶圓載台WST，被晶圓載台驅動系統19W以既定行程驅動於Y軸方向，且亦被微驅動於X軸方向及θz方向，進一步的，亦被微驅動於Z軸方向及相對XY平面之傾斜方向(θx方向及θy方向)。
於投影光學系統PL之凸緣FLG，透過複數(此處例如為4支)支承構件53(惟紙面內側之支承構件未圖示)懸吊支承測量座51。各支承構件53，實際上，係包含兩端部具有撓曲部之連桿構件所構成。各撓曲部，於支承構件之長邊方向(Z軸方向)的剛性較高，其他5自由度方向則剛性較低。因此，藉由4支支承構件，可在幾乎不使測量座51與凸緣FLG之間產生應力之情形下，支承測量座51。
測量座51，如圖3之立體圖所示，具有圓形板狀之本體部52，以及從本體部52分別向＋X方向、＋Y方向、-X方向、-Y方向突設之俯視大致正方形狀之4個延設部53A、53B、53C、53D。
本體部52，除上面外周緣之環狀邊緣部(内部之圓形部分)外，其内部底面為較邊緣部低一段的凹部52a。於凹部52a之中央，形成有與凹部52a之内部底面略低之上面平行的環狀面區域。此環狀面區域之内周緣、外周緣與前述邊緣部為同心。面區域之内周緣為圓形開口52c之内周面。面區域與凹部52a之内部底面藉由推拔狀之斜面而連結。藉由圓形開口52c周圍之面區域推拔狀之斜面，形成收容部52b。
如圖2(A)及圖3所示，於測量座51之凹部52a之内部底面上，配置有後述線性編碼器50x、50y(參照圖5)之感測器讀頭部的拾取頭54x及拾取頭54y。
拾取頭54x，如圖2(A)所示配置在直線Px上，具備對上方(＋Z方向)照射光之x讀頭56x。同樣的，拾取頭54y配置在直線Py上，具備對上方照射光之y讀頭56y。
投影單元PU之下面(-Z側之面)、例如於鏡筒40之下面，如圖4中舉x標尺58x代表性所示，與拾取頭54x及54y分別對向固定有x標尺58x及Y標尺58y。
x標尺58x，如圖2(A)之配置圖所示，在與投影光學系統PL之光軸正交、與X軸成45度角度之直線Px上，配置成以和直線Px平行之方向為長邊方向，Y標尺58y則在與投影光學系統PL之光軸正交、與Y軸成45度角度之直線Py上，配置成以和直線Py平行之方向為長邊方向。又，在標尺58x、58y之下面(-Z側之面)，形成有以週期方向為長邊方向之反射型的繞射光柵。
拾取頭54x，使用對鏡筒40下面固定之x標尺58x照射光所得之反射光(來自繞射光柵之繞射光)，構成用以檢測例如起因於振動等、與直線Px平行方向之鏡筒40(投影光學系統PL)之位移的光學式x線性編碼器50x(參照圖5)。同樣的，拾取頭54y，使用對鏡筒40下面固定之Y標尺58y照射光所得之反射光(來自繞射光柵之繞射光)，構成用以檢測與直線Py平行方向之鏡筒40(投影光學系統PL)之位移的光學式y線性編碼器50y(參照圖5)。
此處，x線性編碼器50x及y線性編碼器50y，係使用與例如美國專利第7,238,931號說明書、及美國專利申請公開第2007/0288121號說明書等所揭示之編碼器讀頭相同構成之繞射干涉型之讀頭，作為拾取頭54x、54y。不過，本實施形態中，拾取頭54x、54y之光源及受光系統(含光檢測器)配置在測量座51之外部，僅包含將來自光源之光予以偏光分離之偏光分束器的光學系統(之一部分)，在測量座51之凹部52a之内部底面上，亦即與x標尺58x、Y標尺58y對向配置。亦即，拾取頭54x、54y可不將其全部設於測量座51。此場合，光源及受光系統與光學系統之間，係透經由未圖示之光纖、或空中傳輸方式，進行光及/或訊號之收發。以下，將配置在測量座51之凹部52a内部底面上的光學系統稱為拾取頭。又，拾取頭54x、54y中，配置在測量座51外部之構件不限於光源及受光系統，亦可以僅是例如光源、或僅是光源與受光元件(感測器)等。
又，於測量座51之下面(-Z側之面)，如圖2(A)所示，從四方圍繞投影光學系統PL之下端部周圍的方式，配置有4個編碼器讀頭單元(以下，亦稱讀頭單元)62A～62D。
前述讀頭單元62A、62C，係在投影單元PU之＋X側及-X側分別以X軸方向為長邊方向，相對投影光學系統PL之光軸配置成對稱。又，前述讀頭單元62B、62D，則在投影單元PU之＋Y側及-Y側分別以Y軸方向為長邊方向，相對投影光學系統PL之光軸配置成對稱。
讀頭單元62A、62C，如圖2(A)所示，具備沿X軸方向以既定間隔配置之複數個、此處為5個之Y讀頭64。讀頭單元62A，構成：具備複數個使用晶圓載台WST上之前述Y標尺44A，以測量晶圓載台WST於Y軸方向之位置(Y位置)之Y讀頭64的多眼、此處為5眼之Y線性編碼器70A(參照圖5)。同樣的，讀頭單元62C，構成：具備使用前述Y標尺44C，以測量晶圓載台WST之Y位置之5個Y讀頭64的5眼Y線性編碼器70C(參照圖5)。
又，讀頭單元62B、62D，如圖2(A)所示，具備沿Y軸方向以既定間隔配置之複數個、此處為5個之X讀頭66。讀頭單元62B，構成：具備複數個使用前述X標尺44B，以測量晶圓載台WST於X軸方向之位置(X位置)之X讀頭66的多眼、此處為5眼之X線性編碼器70B(參照圖5)。同樣的，讀頭單元62D，構成：具備使用前述X標尺44D，以測量晶圓載台WST之X位置之5個X讀頭66的5眼X線性編碼器70D(參照圖5)。
以上述方式構成之測量座51，如圖1所示，被上端固定(連接)於凸緣FLG、下端分別固定(連接)於延設部53A～53D之前述4支支承構件53(惟紙面內側之支承構件未圖示)懸吊支承，配置在離鏡筒40下面相距既定距離之下方(-Z方向)之位置。在此懸吊支承狀態下，如圖4所示，成為鏡筒40下端之突出部被收容在形成於測量座51之收容部52b之狀態。又，如圖4所示，為鏡筒40之下面與凹部52a之内部底面透過既定間隙對向，拾取頭54x之x讀頭56x與配置在鏡筒40下面之x標尺58x對向，拾取頭54y之y讀頭56y與配置在鏡筒40下面之Y標尺58y對向之狀態。
進一步的，於測量座51亦安裝有對準系統ALG、晶圓焦點感測器WF等(參照圖5)。對準系統ALG，可使用影像處理方式之感測器，此影像處理方式之感測器，已揭示於例如特開平04-065603號公報(對應美國專利第5,493,403號說明書)。又，晶圓焦點感測器WF，可使用例如特開平06-283403號公報(對應美國專利第5,448,332號說明書)等所揭示之晶圓焦點感測器。
又，本實施形態中，由於前述標尺58x、58y、讀頭單元62A～62D等設於測量座51，因此亦可將測量座51稱為度量架(metrology frame)等。又，本實施形態中，不僅僅是標尺58x、58y，亦將讀頭單元62A～62D、對準系統ALG、晶圓焦點感測器WF設於測量座51，但不限於此，例如亦可將讀頭單元62A～62D、對準系統ALG、晶圓焦點感測器WF之至少1者，設於與測量座51不同之其他構件。
圖5中，以方塊圖顯示了本實施形態之曝光裝置10之控制系統。此圖5中所示之控制系統，包含由CPU(中央處理器裝置)、ROM(唯讀記憶體)、RAM(隨機存取記憶體)等所構成之所謂的微電腦(或工作站)，以統籌控制裝置全體之主控制裝置11為中心構成。
以上述方式構成之曝光裝置10，在曝光動作時，當保持晶圓W之晶圓載台WST位於測量座51下方時，配置在晶圓載台WST上面之Y標尺44A、44C與讀頭單元62A、62C即分別對向、X標尺44B、44D與讀頭單元62B、62D分別對向。並藉由與Y標尺44A、44C對向之讀頭單元62A、62C(Y線性編碼器70A、70C)測量晶圓載台WST之Y軸方向之位置，藉由與X標尺44B、44D對向之讀頭單元62B、62D(X線性編碼器70B、70D)測量晶圓載台WST之X軸方向之位置。又，同時以配置在鏡筒40下面之x標尺58x對向之拾取頭54x(x線性編碼器50x)、與和Y標尺58y對向之拾取頭54y(y線性編碼器50y)，測量鏡筒40在與直線Px及直線Py平行之方向之位移、亦即鏡筒40於XY平面内之位置。主控制裝置11，監測Y線性編碼器70A、70C及X線性編碼器70B、70D之測量結果、與x線性編碼器50x及y線性編碼器50y之測量結果，使晶圓載台WST於XY平面内、以鏡筒40為基準移動。
如以上之說明，根據本實施形態之曝光裝置10，曝光動作中之鏡筒40於XY平面内之位移，係以和配置在鏡筒40下面之標尺58x對向之測量座51所配置之拾取頭54x(x線性編碼器50x)、及和配置在鏡筒40下面之標尺58y對向之測量座51所配置之拾取頭54y(y線性編碼器50y)加以測量。因此，即使因晶圓載台WST之移動等所產生之振動等使鏡筒40於XY平面内之位置微小變動，亦能以良好精度測量該位移，其結果，即能以良好精度進行以保持在鏡筒40之投影光學系統PL之光軸為基準之晶圓載台WST之位置控制。
又，從拾取頭54x、54y射出之光(以下，稱測長光)，被x標尺58x或Y標尺58y反射，而在拾取頭54x、54y與固定在鏡筒40之x標尺58x或Y標尺58y之間往復，但測長光之路徑與例如在干涉儀中之測長光之路徑相較，可小至可忽視之程序度。因此，即使在曝光中於鏡筒40周圍等產生空氣波動等，與使用干涉儀之情形相較，能大幅提升x線性編碼器50x及y線性編碼器50y之測量值之短期安定性。
又，本實施形態，射出用以進行鏡筒40之位移測量之測長光的拾取頭54x、54y、與測量晶圓載台WST之位置的讀頭單元62A～62D皆配置於測量座51。因此，能將拾取頭54x、54y與讀頭單元62A～62D之位置關係維持一定，降低在對晶圓載台WST進行測量之X線性編碼器70B、70D及Y線性編碼器70A、70C、與對鏡筒40進行測量之x線性編碼器50x及y線性編碼器50y之間所產生之測量誤差。
此外，上述實施形態中，雖係以x線性編碼器50x及y線性編碼器50y，來測量與對X軸及Y軸成45度角度之直線Px及直線Py平行方向之鏡筒40之位移，但不限於此，可使用編碼器測量鏡筒40之X軸方向及Y軸方向之位移，又，亦可藉由測量任意不同之2軸方向之位移來測量鏡筒40於XY平面上之位移。亦即，標尺58x、58y其長邊方向(測量方向、繞射光柵之週期方向/排列方向)不限於與直線Px、Py平行之方向，可為任意之方向。
又，上述實施形態中，為避免熱源而僅將光學系統(之一部分)配置於測量座51，但在可排除熱之影響、或可不考慮熱之影響之場合，可將光源及/或受光系統(含光檢測器)配發置在測量座51。
又，上述實施形態中，x線性編碼器50x及y線性編碼器50y之各拾取頭54x、54y雖安裝於測量座51，但不限於此，亦可將拾取頭54x、54y安裝於鏡筒40，使用安裝在測量座51之標尺58x、58y，測量鏡筒40相對測量座51之位移。
又，以上，雖係將拾取頭54x、54y或標尺58x、58y安裝在投影單元PU(鏡筒40)之下端面，但亦可將拾取頭54x、54y或標尺58x、58y各界在投影單元PU(鏡筒40)之下端面以外之部位。
又，上述實施形態中，雖於鏡筒40之位移測量使用了、光學式之x線性編碼器50x及y線性編碼器50y，但不限於此，亦可使用例如電磁感應方式之編碼器等。
又，上述實施形態中，雖係使用具備拾取頭54x、54y(接收對標尺照射光所得之反射光)之x線性編碼器50x及y線性編碼器50y測量鏡筒40之位移，但不限於此，作為測量鏡筒40之位移之編碼器，亦可採用使用透射過例如標尺58x、58y之透射光來測量位移之編碼器等。
又，不限於X軸及Y軸等任意不同2軸方向，亦可藉由編碼器測量例如就其他方向(θz方向等)測量鏡筒40之位移。
此外，上述實施形態中，投影單元PU(投影光學系統PL)雖係藉由3個懸吊支承機構137，透過凸緣FLG懸吊支承在標線片載台座32a之下方，但不限於此，亦可藉由在地面上透過防振裝置支承為水平之鏡筒平台來支承投影單元PU(投影光學系統PL)。此場合，測量座51可以該鏡筒平台加以懸吊支承。只要投影單元PU(投影光學系統PL)與基準位置在XY平面内之位置關係，能以線性編碼器加以測量即可。此外，亦可將前述讀頭單元62A～62D、對準系統ALG及晶圓焦點感測器WF之至少1者，與測量座51分開讀立的設於鏡筒平台。
又，本實施形態中，雖係使用包含X線性編碼器70B、70D及Y線性編碼器70A、70C之編碼器系統進行晶圓載台WST之位置測量，但晶圓載台WST之位置測量方法並不限於此。例如，可以干涉儀系統、或干涉儀系統及編碼器系統進行晶圓載台WST之位置測量。此干涉儀系統，由於不需要以投影光學系統PL為基準進行晶圓載台之位置測量，因此干涉儀系統之測量光束之反射面可不設於投影光學系統PL。又，具備干涉儀系統及編碼器系統雙方之曝光裝置，已揭示於例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書、美國專利申請公開第2008/0088843號說明書等。
又，上述實施形態中，雖係針對採用於晶圓台(晶圓載台)上設置格子部(Y標尺、X標尺)並與此對向將X讀頭、Y讀頭配置在晶圓載台外部之構成之編碼器系統的情形做了說明，但不限於此，亦可採用例如美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等所揭示之於晶圓載台設置編碼器讀頭、並與此對向在晶圓載台外部配置格子部(例如2維格子或配置成2維之1維格子部)之構成的編碼器系統。此場合，可將測量晶圓台之Z軸方向位置的Z讀頭亦設於晶圓載台，將該格子部之面作為Z讀頭之測量光束照射之反射面。此場合，亦可使用兼具編碼器讀頭與Z讀頭之機能的單一讀頭。此外，該格子部(標尺)，例如可以前述測量座或鏡筒平台等加以支承。
又，上述實施形態，雖係針對本發明適用於掃描步進機之情形作了說明，但不限於此，亦可將本發明適用於步進機等靜止型曝光裝置。此外，本發明亦能適用於將照射區域與照射區域加以合成之步進接合(step ＆ stitch)方式之投影曝光裝置。
又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統並不僅可為縮小系統，亦可為等倍系統及放大系統之任一者，投影光學系統PL不僅可為折射系統，亦可是反射系統及折反射系統之任一者，其投影像亦可係倒立像與正立像之任一者。
又，照明用光IL不限於ArF準分子雷射光(波長193nm)，亦能使用KrF準分子雷射光源(波長248nm)等之紫外光、F2 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光。除此之外，亦可使用從超高壓水銀燈發出之g線(波長436nm)、i線(波長365nm)等紫外帶之輝線來作為照明用光IL。此外，亦可使用例如美國專利第7,023,610號說明書所揭示之將作為真空紫外光從DFB半導體雷射或光纖雷射射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光，以摻雜有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器加以放大，並使用非線形光學結晶予以波長轉換成紫外光的諧波。
又，上述實施形態中，作為曝光裝置之照明用光IL並不限於波長100nm以上之光，當然亦可使用波長未滿100nm之光。例如，近年來，為曝光70nm以下之圖案，而開發出使用SOR及電漿雷射作為光源以發出軟X線區域(例如5～15nm波長帶)之EUV(Extreme Ultraviolet)光，且使用在該曝光波長(例如13.5nm)之前提下設計之全反射縮小光學系統、及反射型光罩之EUV曝光裝置。此裝置，由於係思考使用圓弧照明使光罩與晶圓同步掃描之掃描曝光的構成，因此本發明亦能適用於該等裝置。此外，本發明亦能適用於使用電子束或離子束之等帶電粒子束之曝光裝置。
再者，亦可將本發明適用於例如國際公開WO99/49504賀小冊子等所揭示之在投影光學系統PL與晶圓之間充滿液體(例如純水等)之液浸型曝光裝置等。
又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可取代此標線片，使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之根據待曝光圖案之電子資料，來形成透射圖案或反射圖案、或者發光圖案的電子光罩(可變成形光罩)。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓上、而在晶圓上形成線與空間(line ＆ spae)圖案之曝光裝置(微影系統)。
進一步的，例如亦能將本發明適用於例如美國專利第6,611,316號說明書所揭示之將兩個標線片圖案透過投影光學系統合成在晶圓上，藉由一次之掃描曝光來對晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光的曝光裝置。
此外，上述實施形態中待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、薄膜構件或者光罩基板等其他物體。
曝光裝置之用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微型元件以外，亦能將本發明適用於為製造用於光曝光裝置、EUV(極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
此外，援用上述說明所引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書記載之一部分。
半導體元件等之電子元件，係經由進行元件之功能、性能設計之步驟，根據此設計步驟製作標線片之步驟，從矽材料製作晶圓之步驟，使用前述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)將形成於標線片(光罩)之圖案轉印至晶圓之微影步驟，使曝光後晶圓顯影之顯影步驟，將殘存光阻之部分以外部分之露出構件以蝕刻加以去除之蝕刻步驟，去除經蝕刻後不要之光阻之光阻除去步驟，元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)、及檢查步驟等加以製造。此場合，以微影步驟使用上述實施形態之曝光裝置實施前述曝光方法，於晶圓上形成元件圖案，因此能以良好生產性製造高積體度之元件。
如以上之說明，本發明之曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，非常適於製造半導體元件及液晶顯示元件等之電子元件。
10．．．曝光裝置
11．．．主控制裝置
18R．．．標線片雷射干涉儀
19R．．．標線片載台驅動系統
19W．．．晶圓載台驅動系統
32a．．．標線片載台座
32b．．．腳部
34a．．．矩形開口
34．．．立柱
40．．．鏡筒
44A、44C．．．Y標尺
44B、44D．．．X標尺
50x、50y．．．線性編碼器
51．．．測量座
52．．．測量座本體部
52a．．．凹部
52b．．．收容部
52c．．．圓形開口
53．．．支承構件
53A～53D．．．延設部
54x、54y．．．拾取頭
56x．．．x讀頭
56y．．．y讀頭
58x．．．x標尺
58y．．．y標尺
62A～62D．．．編碼器讀頭單元
64．．．Y讀頭
66．．．X讀頭
70A～70D．．．線性編碼器
134a．．．凸部
135．．．纜線
136．．．螺旋彈簧
137．．．懸吊支承機構
440．．．驅動機構
ALG．．．對準系統
AX．．．光軸
BS．．．載台平台
FLG．．．突緣
IL．．．照明用光
IOP．．．照明單元
PL．．．投影光學系統
Px、Py．．．直線
PU．．．投影單元
R．．．標線片
RF．．．標線片焦點感測器
RST．．．標線片載台
W．．．晶圓
WF．．．晶圓焦點感測器
WST．．．晶圓載台
圖1係顯示一實施形態之曝光裝置的概略圖。
圖2(A)係用以說明讀頭單元及拾取頭之配置的圖、圖2(B)係顯示晶圓載台的俯視圖。
圖3係顯示測量座的立體圖。
圖4係用以說明拾取頭與設於鏡筒之標尺之配置的圖。
圖5係顯示一實施形態之控制系統的方塊圖。
40．．．鏡筒
51．．．測量座
52a．．．凹部
52b．．．收容部
54x．．．拾取頭
56x．．．x讀頭
58x．．．x標尺

Claims (20)

  1. 一種曝光裝置，係以能量束透過投影光學系統使物體曝光，其具備：架構件，支持該投影光學系統；載台，配置於該架構件所支持之該投影光學系統之下方，保持該物體；測量構件，分別藉由與該架構件連接且包含撓曲部之複數個支持構件，而被支持於該架構件；編碼器裝置，包含設於該投影光學系統與該測量構件之一方以成為與與該投影光學系統之光軸正交之平面實質上平行之第1標尺部、及設於該投影光學系統與該測量構件之另一方且對該第1標尺部照射第1測量光束之至少1個第1讀頭，根據該至少1個第1讀頭之輸出，測量該投影光學系統在該平面內之位置資訊；以及編碼器系統，包含設於該載台與該測量構件之一方以成為與該平面實質上平行之具有反射型光柵之第2標尺部、及設於該載台與該測量構件之另一方且對該第2標尺部照射第2測量光束之至少1個第2讀頭，根據該至少1個第2讀頭之輸出，測量該載台在該平面內之位置資訊；該編碼器裝置之該第1標尺部與該至少1個第1讀頭之兩方，於與該平面正交之方向，配置於較該投影光學系統之下面更上方；根據利用該編碼器裝置與該編碼器系統所分別測量之該位置資訊，驅動該載台。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該編碼器裝置，測量該投影光學系統之在該平面內相互交叉之兩方向之位置資訊。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該編碼器裝置，測量該投影光學系統之該平面內之旋轉方向之位置資訊。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該第1標尺部，包含分別具有光柵之複數個標尺；該編碼器裝置，包含對該複數個標尺分別照射該第1測量光束之複數個該第1讀頭。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之曝光裝置，其中，該第1標尺部，具有反射型光柵；該第1標尺部與該至少1個第1讀頭相互對向配置。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該第1標尺部，設於該測量構件，該至少1個第1讀頭，以配置於該第1標尺部上方之方式設於該投影光學系統之下端側。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之曝光裝置，其中，該第2標尺部，具有反射型之二維光柵；該編碼器系統，包含對該第2標尺部分別照射該第2測量光束之複數個該第2讀頭。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中， 該編碼器系統，藉由該第2讀頭，測量該載台之與該平面平行之方向及與該平面正交之方向的位置資訊。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該第1標尺部，具有反射型光柵，且設於該測量構件；該第2標尺部，設於該測量構件。
  10. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至9項中任一項之曝光裝置使物體曝光之動作；以及使該經曝光之物體顯影之動作。
  11. 一種曝光方法，係以能量束透過投影光學系統使物體曝光，其包含：藉由對以成為與與該投影光學系統之光軸正交之平面實質上平行之方式設於該投影光學系統與測量構件之一方的第1標尺部從設於該投影光學系統與該測量構件之另一方之至少1個第1讀頭照射第1測量光束之編碼器裝置，測量該投影光學系統在該平面內之位置資訊的動作；藉由對以成為與該平面實質上平行之方式設於保持該物體之載台與該測量構件之一方且具有反射型光柵之第2標尺部從設於該載台與該測量構件之另一方之至少1個第2讀頭照射第2測量光束之編碼器系統，測量該載台在該平面內之位置資訊的動作；以及根據利用該編碼器裝置與該編碼器系統所分別測量之該位置資訊，驅動該載台的動作；該測量構件，分別藉由與支持該投影光學系統之架構 件連接且包含撓曲部之複數個支持構件，而被支持於該架構件；該編碼器裝置之該第1標尺部與該至少1個第1讀頭之兩方，於與該平面正交之方向，配置於較該投影光學系統之下面更上方。
  12. 如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中，藉由該編碼器裝置，測量該投影光學系統之在該平面內相互交叉之兩方向之位置資訊。
  13. 如申請專利範圍第12項之曝光方法，其中，藉由該編碼器裝置，測量該投影光學系統之該平面內之旋轉方向之位置資訊。
  14. 如申請專利範圍第13項之曝光方法，其中，該第1標尺部，包含分別具有光柵之複數個標尺；藉由包含對該複數個標尺分別照射該第1測量光束之複數個該第1讀頭之該編碼器裝置，測量該投影光學系統之位置資訊。
  15. 如申請專利範圍第11至14項中任一項之曝光方法，其中，該第1標尺部，具有反射型光柵；該第1標尺部與該至少1個第1讀頭相互對向配置。
  16. 如申請專利範圍第15項之曝光方法，其中，該第1標尺部，設於該測量構件，該至少1個第1讀頭，以配置於該第1標尺部上方之方式設於該投影光學系統之下端側。
  17. 如申請專利範圍第11至14項中任一項之曝光方法，其中，該第2標尺部，具有反射型之二維光柵；藉由包含對該第2標尺部分別照射該第2測量光束之複數個該第2讀頭之該編碼器系統，測量該載台之位置資訊。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光方法，其中，藉由該第2讀頭，測量該載台之與該平面平行之方向及與該平面正交之方向的位置資訊。
  19. 如申請專利範圍第18項之曝光方法，其中，該第1標尺部，具有反射型光柵，且設於該測量構件；該第2標尺部，設於該測量構件。
  20. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第11至19項中任一項之曝光方法使物體曝光之動作；以及使該經曝光之物體顯影之動作。
TW097150792A 2007-12-28 2008-12-26 An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method TWI436168B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007340275 2007-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200944951A TW200944951A (en) 2009-11-01
TWI436168B true TWI436168B (zh) 2014-05-01

Family

ID=40823935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097150792A TWI436168B (zh) 2007-12-28 2008-12-26 An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8792079B2 (zh)
JP (2) JPWO2009084199A1 (zh)
KR (1) KR101476865B1 (zh)
SG (1) SG186651A1 (zh)
TW (1) TWI436168B (zh)
WO (1) WO2009084199A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8760624B2 (en) 2010-07-16 2014-06-24 Rudolph Technologies, Inc. System and method for estimating field curvature
EP2593837B1 (en) * 2010-07-16 2014-06-18 Azores Corp. Projection system with metrology
US8395783B2 (en) 2010-07-16 2013-03-12 Rudolph Technologies, Inc. System metrology core
NL2015826A (en) * 2014-12-19 2016-09-20 Asml Netherlands Bv Optical encoder system, encoder head and lithographic apparatus.
CN104579503B (zh) * 2015-01-12 2017-02-22 西安电子科技大学 一种基于x射线的通信测距一体化方法
CN108139689B (zh) 2015-09-30 2021-06-15 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
CN113359395B (zh) * 2015-09-30 2024-07-09 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器之制造方法、以及元件制造方法
JP7113451B2 (ja) * 2018-06-28 2022-08-05 株式会社ユニロック 防振構造、計測装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JPH07270122A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
WO1999046835A1 (fr) 1998-03-11 1999-09-16 Nikon Corporation Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
WO2002069049A2 (en) 2001-02-27 2002-09-06 Asml Us, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1725910A2 (en) 2004-02-25 2006-11-29 Carl Zeiss SMT AG Device consisting of at least one optical element
JP4751032B2 (ja) 2004-04-22 2011-08-17 株式会社森精機製作所 変位検出装置
US20060139595A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
JP4752286B2 (ja) 2004-12-28 2011-08-17 株式会社ニコン 位置調整装置の制御方法、位置調整装置、及び露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006128713A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Optical imaging arrangement
US7348574B2 (en) 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7978339B2 (en) 2005-10-04 2011-07-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus temperature compensation
EP2801864B8 (en) 2006-01-19 2015-11-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
CN101385122B (zh) 2006-02-21 2010-12-08 株式会社尼康 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法
EP2541325B1 (en) 2006-02-21 2018-02-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
US8027021B2 (en) 2006-02-21 2011-09-27 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US7602489B2 (en) 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7253875B1 (en) 2006-03-03 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JP2007311597A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Nikon Corp 干渉計システム、ステージ装置及び露光装置
KR101556493B1 (ko) 2006-08-31 2015-10-01 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
CN101410945B (zh) 2006-08-31 2013-03-27 株式会社尼康 与移动体驱动、图案形成、曝光相关的方法和装置
EP2993688B1 (en) 2006-08-31 2017-04-05 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101626244B1 (ko) 2006-09-01 2016-05-31 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2993524B1 (en) 2006-09-01 2017-10-25 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5605768B2 (ja) 2014-10-15
US20090201513A1 (en) 2009-08-13
JPWO2009084199A1 (ja) 2011-05-12
SG186651A1 (en) 2013-01-30
US8792079B2 (en) 2014-07-29
TW200944951A (en) 2009-11-01
KR101476865B1 (ko) 2014-12-26
WO2009084199A1 (ja) 2009-07-09
JP2013128126A (ja) 2013-06-27
KR20100101048A (ko) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI454852B (zh) A moving body system and a moving body driving method, a pattern forming apparatus and a pattern forming method, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
TWI451203B (zh) A moving body driving system, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
TWI436168B (zh) An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
JP5071894B2 (ja) ステージ装置、パターン形成装置、露光装置、ステージ駆動方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI638386B (zh) Exposure apparatus and exposure method, and component manufacturing method
KR101465284B1 (ko) 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템
TWI534408B (zh) Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and component manufacturing method, and measuring tool and measuring method
TWI413870B (zh) Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method
TWI463277B (zh) Measuring apparatus and method, pattern forming apparatus, exposure apparatus and method, and component manufacturing method
TWI559098B (zh) Mobile device and moving body driving method, exposure apparatus and exposure method, and component manufacturing method
TWI525396B (zh) Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, measuring method, and position measuring system
TWI495958B (zh) Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method
KR101376415B1 (ko) 이동체 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI397782B (zh) A moving body driving method and a moving body driving system, a pattern forming method and apparatus, an element manufacturing method, and a processing system
TWI490662B (zh) 移動體裝置、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
JP2009278097A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007113939A (ja) 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP5861858B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP6748907B2 (ja) 計測装置、露光装置、デバイス製造方法、及びパターン形成方法
JP2012089769A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5565613B2 (ja) 計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees