TWI418904B - 畫素結構及具有此畫素結構之顯示面板 - Google Patents

Description

畫素結構及具有此畫素結構之顯示面板

本發明是有關於一種畫素結構及具有此畫素結構的顯示面板，且特別是有關於一種採用聚合物穩定配向(Ploymer Stabilized Alignment,PSA)技術之畫素結構及具有此畫素結構的顯示面板。

在顯示器的發展上，隨著光電技術與半導體製造技術的進步，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場之主流。

液晶顯示器包括了背光模組以及液晶顯示面板，而傳統液晶顯示面板是由兩基板以及填於兩基板之間的一液晶層所構成。一般而言，在液晶顯示面板的製造過程中，都會在兩基板上形成配向膜，以使液晶分子具有特定的排列。習知形成配向膜的方法是先塗佈配向材料之後，再對配向材料進行配向製程。而配向製程可以分成接觸式配向製程以及非接觸式配向製程。雖然非接觸式配向製程可解決接觸式磨擦配向產生的靜電問題及粒子(particle)污染等問題，但是其往往會發生配向表面之錨定能不足的問題。而如果配向表面之錨定能不足，將往往導致液晶顯示面板的顯示品質不佳。

為解決上述問題，目前已提出一種聚合物穩定配向(Ploymer Stabilized Alignment,PSA)的技術。此技術乃是在液晶材料中摻入適當濃度的單體化合物(monomer)並且震盪均勻。接著，將混合後的液晶材料置於加熱器上加溫到達等向性(Isotropy)狀態。然後，當液晶混合物降溫25℃室溫時，液晶混合物會回到向列型(nematic)狀態。此時將液晶混合物注入至液晶盒並施予電壓。當施加電壓使液晶分子排列穩定時，則使用紫外光或加熱的方式讓單體化合物進行聚合反應以成聚合物層，由此達到穩定配向的目的。

一般來說，在PSA的液晶顯示面板中，會在畫素結構的畫素電極形成具有不同延伸方向的配向狹縫，以於此畫素結構中形成多種配向領域(Domains)。另外，一般在畫素結構的畫素電極下方也會設置電容電極，以使畫素電極與電容電極產生電性耦合，其中，畫素電極會完全覆蓋下方的電容電極。也就是說，畫素電極之寬度會大於電容電極之寬度。而且此電容電極除了可以與畫素電極產生電性耦合以儲存此畫素結構的電訊號之外，其也可以同時遮蔽兩個配向領域之交界區域。然而，使用上述之畫素結構的顯示面板往往會發現在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)，進而造成顯示面板之顯示品質受到影響。

本發明提供一種畫素結構以及具有此種畫素結構的顯示面板，其可以解決傳統使用PSA技術之顯示面板容易在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)之問題。

本發明提出一種畫素結構，其包括基板、掃描線、資料線、主動元件、電容電極以及畫素電極。基板具有畫素區。掃描線與資料線位於基板上。主動元件與掃描線以及資料線電性連接。電容電極位於基板上。畫素電極位於畫素區內且與主動元件電性連接，其中畫素電極包括第一延伸部、第二延伸部以及分支部。第一延伸部設置於電容電極的上方以與電容電極電性耦合，其中電容電極未被第一延伸部完全覆蓋。第二延伸部與第一延伸部之延伸方向不同。分支部自第一延伸部與第二延伸部向畫素區的邊緣延伸。

本發明另提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板以及顯示介質。第一基板上具有多個畫素結構，且每一畫素結構如上所述。第二基板位於第一基板的對向。顯示介質位於第一基板與第二基板之間。

基於上述，因本發明之畫素結構中，與電容電極產生電性耦合之畫素電極的寬度小於電容電極的寬度，或是與電容電極產生電性耦合之畫素電極中設計有開口，以使電容電極未被畫素電極所完全覆蓋。因此在電容電極上方之液晶分子會因為這樣的設計而改變其排列方式，因而可以避免在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)之問題。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是根據本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請先參照圖1，本實施例之顯示面板包括第一基板100、第二基板110以及位於第一基板100與第二基板110之間的顯示介質150。

第一基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。第一基板100上包括設置有畫素陣列層102，所述畫素陣列層102是由多個畫素結構所構成。而有關畫素陣列層102中之畫素結構將於後續段落作詳細說明。

第二基板110之材質可為玻璃、石英或有機聚合物等等。在一實施例中，第二基板110上可包括設置有電極層112。電極層112為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或者是銦鋅氧化物。電極層112是全面地覆蓋於第二基板110上。此外，根據本發明之另一實施例，第二基板110上可更包括設置有彩色濾光陣列(未繪示)，其包括紅、綠、藍色濾光圖案。另外，第二基板110上更可包括設置遮光圖案層(未繪示)，其又可稱為黑矩陣，其設置於彩色濾光陣列的圖案之間。

顯示介質150包括液晶分子。由於本實施例之顯示面板為使用PSA技術之顯示面板，因此在顯示介質150中除了液晶分子之外，還包括單體化合物。換言之，在此顯示面板尚未進行單體化合物之熟化程序時，顯示介質150中包含有液晶分子以及單體化合物。當此顯示面板於進行單體化合物之熟化程序時，單體化合物會進行聚合反應而於畫素陣列層102以及電極層112之表面形成聚合物薄膜。因此當此顯示面板於進行單體化合物之熟化程序之後，此時顯示介質150主要為液晶分子。

接下來，將針對第一基板100上之畫素陣列層102作詳細說明。承上所述，畫素陣列層102是由多個畫素結構所構成，在本實施例中，每一畫素結構之設計如圖2A所示，圖2B為圖2A中之畫素電極的示意圖，圖3圖為2A中沿著剖面線I-I’的剖面示意圖。請參照圖2A、圖2B及圖3，在本實施例中，畫素結構包括掃描線SL以及資料線DL、主動元件T、電容電極202,204、上電極圖案206以及畫素電極P。

掃描線SL及資料線DL位於第一基板上100。掃描線SL與資料線DL之延伸方向不相同。在本實施例中，相鄰的兩條掃描線SL及相鄰的兩條資料線DL之間所定義出的區域又可稱為畫素區。此外，掃描線SL以及資料線DL是位於不同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未標示於圖2A中)。掃描線SL與資料線DL主要用來傳遞驅動此畫素結構的驅動訊號。

主動元件T與掃描線SL以及資料線DL電性連接。在此，主動元件T例如是薄膜電晶體，其包括閘極G、通道層CH、源極S以及汲極D。閘極G與掃描線SL電性連接，源極S與資料線DL電性連接。通道層CH位於閘極之上方並且位於源極S與汲極D的下方。本實施例之主動元件T是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他的實施例中，主動元件T也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。

電容電極202,204是位於第一基板100上。在本實施例中，電容電極202的延伸方向實質上與掃描線SL平行，且電容電極204的延伸方向實質上與資料線DL平行。因此，電容電極202又可稱為第一方向延伸部，且電容電極204又稱為第二方向延伸部。在本實施例中，電容電極202,204是與掃描線SL同時形成，因此電容電極202,204與掃描線SL屬於同一膜層。根據本發明之一實施例，各畫素結構中的電容電極202,204是電性連接至共同電壓。

在本實施例中，電容電極之第一方向延伸部202與電容電極之第二方向延伸部204彼此垂直設置以構成『十』字形結構。然，本發明不限於此，根據其他實施例，電容電極之第一方向延伸部202與電容電極之第二方向延伸部204亦可以構成其他種形狀之結構。也就是說，電容電極之第一方向延伸部202與電容電極之第二方向延伸部204交錯，上述方向延伸部202、204所交錯的角度大於零度且小於等於180度。另外，值得一提的是，電容電極之第一方向延伸部202與電容電極之第二方向延伸部204另外也可以同時作為遮蔽線的作用，以使位於電容電極之第一方向延伸部202與電容電極之第二方向延伸部204上方之液晶分子的傾倒而產生的顯示現象不會被人眼看到。

上電極圖案206設置於電容電極之202上方，更詳細來說，上電極圖案206設置於電容電極之第一方向延伸部202上方。在本實施例中，上電極圖案206與電容電極202兩者重疊設置，且兩者之間夾有絕緣層211(如圖3所示)，用以使上電極圖案206與電容電極202兩者電性隔離。在本實施例中，上電極圖案206是於形成資料線DL時同時形成，因此上電極圖案206與資料線DL是屬於同一膜層。

畫素電極P與主動元件T電性連接。在本實施例中，畫素電極P是與主動元件T之汲極D電性連接。更詳細而言，在畫素電極P與主動元件T之汲極D兩者重疊之處更包括設置有一接觸窗C1，以使畫素電極P與汲極D電性連接。另外，畫素電極P覆蓋住電容電極202,204以及上電極圖案206，且畫素電極P與上電極圖案206之間夾有絕緣層213(如圖3所示)。另外，在畫素電極P與上電極圖案206之間形成有接觸窗C2，以使畫素電極P與上電極圖案206電性連接。換言之，藉由接觸窗C2可使畫素電極P與上電極圖案206共電位。因此上電極圖案206與電容電極202之間可產生電性耦合關係，以使畫素電極P之電荷儲存於此處，如此便可構成畫素結構之儲存電容器。

特別是，畫素電極P包括第一延伸部210a、第二延伸部210b以及分支部210c。第一延伸部210a設置於電容電極之第一方向延伸部202的上方。第二延伸部210b設置於電容電極之第二方向延伸部204的上方，且第二延伸部210b與第一延伸部210a的延伸方向不相同。也就是說，第一延伸部210a之延伸方向會配合電容電極之第一方向延伸部202，而第二延伸部210b之延伸方向會配合電容電極之第二方向延伸部204。在本實施例中，第二延伸部210b的延伸方向與第一延伸部210a的延伸方向垂直，但本發明不限於此。也就是說，第一方向延伸部210a與第二方向延伸部210b交錯，上述第一及第二方向延伸部210a、210b所交錯的角度大於零度且小於等於180度。分支部210c則是自第一延伸部210a與第二延伸部210b向畫素區的邊緣(也就是掃描線SL與資料線DL邊緣)延伸。由於本實施例之畫素電極P的第二延伸部210b與第一延伸部210a的延伸方向垂直，因此畫素電極的分支部210c自第一延伸部210a與第二延伸部210b往四個方向延伸。在本實施例中，畫素電極P的每一分支部210c與第一延伸部210a及第二延伸部210b之間各自具有一銳角夾角。此銳角夾角例如是45度或是40度或是其他合適之角度。如此，可以於畫素結構P上形成多個配向領域。

值得注意的是，電容電極之第一方向延伸部202未被畫素電極P之第一延伸部210a完全覆蓋，且電容電極之第二方向延伸部204未被畫素電極P之第二延伸部210b完全覆蓋。換言之，分支部210c更延伸至電容電極之第一方向延伸部202以及電容電極之第二方向延伸部204的上方。在本實施例中，畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5實質上各自小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1與第二方向延伸部204的寬度d4，以使分支部210c更延伸至電容電極之第一方向延伸部202以及電容電極之第二方向延伸部204的上方。

另外，根據本發明之一實施例，上述之畫素電極P之第一延伸部210a之寬度d3實質上小於上電極圖案206之寬度d2，以使部分的分支部210c延伸至上電極圖案206的上方。換言之，此實施例更進一步使上電極圖案206未被畫素電極P之第一延伸部210a完全覆蓋。

在上述圖2A與圖2B之實施例中，是將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5分別設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1與第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2。然，本發明不限於此，在其他的實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第一方向延伸部202上方，甚至將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2，以使部分的分支部210c延伸至上電極圖案206上方。在另一實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第二方向延伸部204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第二方向延伸部204上方。

上述實施例是將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。因此當使用此種畫素結構的顯示面板時，位於電容電極之第一方向延伸部202及/或第二方向延伸部204上方之液晶分子的傾倒或排列將因為電容電極與畫素電極/上電極圖案之間的電壓作用而有所改變，進而解決傳統PSA顯示面板在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)之問題。

另外，上述實施例是將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。然，本發明不限於此，根據其他實施例，亦可以對畫素電極P之第一延伸部210a及/或第二延伸部210b作其他種設計，以達到電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部甚至是上電極圖案未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋的目的。

圖4A是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖4B為圖4A中之畫素電極的示意圖，圖5為4A中沿著剖面線II-II’的剖面示意圖。圖4A及圖4B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重複贅述。圖4A及圖4B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例不同之處在於畫素電極P之第一延伸部210a具有至少一第一開口212，且畫素電極P之第二延伸部210b具有至少一第二開口214。第一開口212暴露出上電極圖案206(如圖5所示)，更詳細來說，第一開口212暴露出上電極圖案206上方之絕緣層213。第二開口214暴露出電極圖案之第二方向延伸部204，更詳細來說，第二開口214暴露出電極圖案之第二方向延伸部204上方之絕緣層213。值得一提的是，本發明不限第一開口212與第二開口214的數目、形狀以及排列方式。本實施例之圖式所繪示的第一開口212與第二開口214是用來使本領域技術人員可以瞭解本發明，但其並非用以限定本發明。實際上，第一開口212與第二開口214的數目可以是一個、二個、三個或是三個以上。第一開口212與第二開口214的形狀可以是矩形、方形、圓形或是多邊形等等。第一開口212與第二開口214的排列方式可以是對稱、非對稱或是多個開口並列排列等等。

類似地，在上述圖4A與圖4B之實施例中，是在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212，且在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。然，本發明不限於此，在其他的實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212。在另一實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

由於畫素電極P之第一延伸部210a具有第一開口212且/或畫素電極P之第二延伸部210b具有第二開口214。因此，電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。當使用此種畫素結構的顯示面板時，位於電容電極之第一方向延伸部202及/或第二方向延伸部204上方之液晶分子的傾倒或排列將因為電容電極與畫素電極/上電極圖案之間的電壓作用而有所改變，進而解決傳統PSA顯示面板在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)之問題。

另外，根據本發明之又一實施例，可以結合圖2A之實施例與圖4A之實施例。也就是，將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。並且，同時在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212且/或在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

上述各實施例之畫素結構中，其畫素結構之儲存電容是形成在電容電極之第一方向延伸部202與上電極圖案206之間以及電容電極之水第二方向延伸部202與畫素電極P之第二延伸部210b之間。然，本發明不限於此。圖6A是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖6B為圖6A中之畫素電極的示意圖，圖6A及圖6B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重複贅述。圖6A及圖6B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例不同之處在於在電容電極之第一方向延伸部202上方未設置有上電極圖案。因此，此畫素結構之儲存電容是形成在電容電極之第一方向延伸部202與畫素電極P之第一延伸部210a之間以及電容電極之水第二方向延伸部202與畫素電極P之第二延伸部210b之間。特別是，畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5實質上分別小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1與第二方向延伸部204的寬度d4。類似地，在其他的實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第一方向延伸部202上方。在另一實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第二方向延伸部204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第二方向延伸部204上方。

圖7A是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖7B為圖7A中之畫素電極的示意圖，圖7A及圖7B所示之實施例與上述圖4A與圖4B所示之實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重複贅述。圖7A及圖7B所示之實施例與上述圖4A與圖4B所示之實施例不同之處在於在電容電極之第一方向延伸部202上方未設置有上電極圖案。因此，此畫素結構之儲存電容是形成在電容電極之第一方向延伸部202與畫素電極P之第一延伸部210a之間以及電容電極之第二方向延伸部204與畫素電極P之第二延伸部210b之間。特別是，在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212，且在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。然，本發明不限於此，在其他的實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212。在另一實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

類似地，根據本發明之又一實施例，可以結合圖6A之實施例與圖7A之實施例。也就是，在電容電極之第一方向延伸部202上方未設置有上電極圖案之架構下，將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1及/或第二方向延伸部204的寬度d4，以使得電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。並且，同時在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212且/或在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

圖8A是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖8B為圖8A中之畫素電極的示意圖，圖8A及圖8B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重複贅述。圖8A及圖8B所示之實施例與上述圖2A與圖2B所示之實施例不同之處在於在電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206是屬於同一膜層，因而電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206垂直以構成『十』字形結構。類似地，本發明不限於此，根據其他實施例，電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206亦可以構成其他種形狀之結構。也就是說，電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206交錯，二者所交錯的角度大於零度且小於等於180度。此畫素結構之儲存電容是形成在電容電極之第一方向延伸部202與上電極圖案206之間以及電容電極之第二方向延伸部204與畫素電極P之第二延伸部210b之間。特別是，畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3以及第二延伸部210b的寬度d5實質上分別小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1與第二方向延伸部204的寬度d4。類似地，在其他的實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3設計成實質上小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第一方向延伸部202上方。在另一實施例中，亦可以僅將畫素電極P之第二延伸部210b的寬度d5設計成實質上小於電容電極之第二方向延伸部204的寬度d4，以使部分的分支部210c延伸至電容電極之第二方向延伸部204上方。

圖9A是根據本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖，圖9B為圖9A中之畫素電極的示意圖，圖9A及圖9B所示之實施例與上述圖4A與圖4B所示之實施例相似，因此相同的元件以相同的標號表示，且不再重複贅述。圖9A及圖9B所示之實施例與上述圖4A與圖4B所示之實施例不同之處在於電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206是屬於同一膜層，因而電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206垂直以構成『十』字形結構。類似地，本發明不限於此，根據其他實施例，電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206亦可以構成其他種形狀之結構。也就是說，電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206交錯，二者所交錯的角度大於零度且小於等於180度。特別是，在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212，且在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。然，本發明不限於此，在其他的實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212。在另一實施例中，亦可以僅在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

類似地，根據本發明之又一實施例，可以結合圖8A之實施例與圖9A之實施例。也就是，在將電容電極之第二方向延伸部204與上電極圖案206設計成同一膜層之架構下，將畫素電極P之第一延伸部210a的寬度d3及/或第二延伸部210b的寬度d5設計成小於電容電極之第一方向延伸部202的寬度d1及/或第二方向延伸部204的寬度d4，甚至將畫素電極P之第一延伸部210的寬度d3設計成實質上小於上電極圖案206的寬度d2，以使得電容電極之第一方向延伸部及/或第二方向延伸部未被畫素電極之第一延伸部及/或第二延伸部完全覆蓋。並且，同時在畫素電極P之第一延伸部210a形成第一開口212且/或在畫素電極P之第二延伸部210b形成第二開口214。

綜上所述，因本發明之畫素結構中，與電容電極產生電性耦合之畫素電極的寬度實質上小於電容電極的寬度，或是與電容電極產生電性耦合之畫素電極中設計有開口，以使電容電極未被畫素電極所完全覆蓋。因此在電容電極上方之液晶分子會因為這樣的設計而改變其排列方式，因而可以避免在電容電極處有異常的錯向線(Disclination Line)之問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．第一基板

102．．．畫素陣列層

110．．．第二基板

112．．．電極層

150．．．顯示介質

SL．．．掃描線

DL．．．資料線

T．．．主動元件

G．．．閘極

S．．．源極

D．．．汲極

CH．．．通道層

P．．．畫素電極

C1、C2．．．接觸窗

202．．．電容電極(第一方向延伸部)

204．．．電容電極(第二方向延伸部)

206．．．上電極圖案

210a．．．第一延伸部

210b．．．第二延伸部

210c．．．分支部

212、214．．．開口

圖1是根據本發明一實施例之顯示面板的剖面示意圖。

圖2A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖2B是圖2A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

圖3是沿著圖2A之剖面線I-I’的剖面示意圖。

圖4A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖4B是圖4A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

圖5是沿著圖4A之剖面線II-II’的剖面示意圖。

圖6A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖6B是圖6A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

圖7A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖7B是圖7A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

圖8A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖8B是圖8A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

圖9A是根據本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。

圖9B是圖9A之畫素結構中之畫素電極的示意圖。

SL．．．掃描線

DL．．．資料線

T．．．主動元件

G．．．閘極

S．．．源極

D．．．汲極

CH．．．通道層

P．．．畫素電極

C1、C2．．．接觸窗

202．．．電容電極(第一方向延伸部)

204．．．電容電極(第二方向延伸部)

Claims (19)

1. 一種畫素結構，包括：一基板，其具有一畫素區；一掃描線以及一資料線，位於該基板上；一主動元件，其與該掃描線以及該資料線電性連接；一電容電極，位於該基板上；以及一畫素電極，位於該畫素區內且與該主動元件電性連接，其中該畫素電極包括：一第一延伸部，其設置於該電容電極的上方以與該電容電極電性耦合，其中該電容電極未被該第一延伸部完全覆蓋；一第二延伸部，其與該第一延伸部之延伸方向不同；以及多個分支部，其自該第一延伸部與該第二延伸部向該畫素區的邊緣延伸，其中該電容電極具有：一第一方向延伸部，其位於該畫素電極之該第一延伸部的下方，其中該電容電極之該第一方向延伸部未被該畫素電極之該第一延伸部完全覆蓋；以及一第二方向延伸部，其位於該畫素電極之該第二延伸部的下方，其中該電容電極之該第二方向延伸部未被該畫素電極之該第二延伸部完全覆蓋。
2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極之第一延伸部的寬度小於該電容電極的寬度。
3. 如申請專利範圍第2項所述之畫素結構，其中與該第一延伸部連接之該些分支部延伸至該電容電極的上方。
4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一延伸部具有至少一開口，該至少一開口暴露出該電容電極。
5. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該電容電極與該掃描線或該資料線平行設置。
6. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，更包括一上電極圖案，設置於該電容電極的上方，且該上電極圖案與該畫素電極電性連接並且與該電容電極電性耦合，其中該上電極圖案未被該畫素電極之該第一延伸部完全覆蓋。
7. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該畫素電極之第一延伸部的寬度小於該上電極圖案的寬度。
8. 如申請專利範圍第7項所述之畫素結構，其中與該第一延伸部連接之該些分支部延伸至該上電極圖案的上方。
9. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該第一延伸部具有至少一開口，該至少一開口暴露出該上電極圖案。
10. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極之第一延伸部的寬度小於該電容電極之該第一方向延伸部的寬度，且該畫素電極之第二延伸部的寬度小於該電容電極之該第二方向延伸部的寬度。
11. 如申請專利範圍第10項所述之畫素結構，其中與 該第一延伸部連接之該些分支部延伸至該電容電極之該第一方向延伸部的上方，且與該第二延伸部連接之該些分支部延伸至該電容電極之該第二方向延伸部的上方。
12. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極之該第一延伸部具有至少一第一開口，且該至少一第一開口暴露出該電容電極之該第一方向延伸部，該畫素電極之該第二延伸部具有至少一第二開口，該至少一第二開口暴露出該電容電極之該第二方向延伸部。
13. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，更包括一上電極圖案，設置於該電容電極之該第一方向延伸部的上方，且該上電極圖案與該畫素電極電性連接並且與該電容電極之該第一方向延伸部電性耦合，其中該上電極圖案未被該畫素電極之該第一延伸部完全覆蓋。
14. 如申請專利範圍第13項所述之畫素結構，其中該畫素電極之第一延伸部的寬度小於該上電極圖案的寬度。
15. 如申請專利範圍第14項所述之畫素結構，其中與該第一延伸部連接之該些分支部延伸至該上電極圖案的上方。
16. 如申請專利範圍第13項所述之畫素結構，其中該第一延伸部具有至少一開口，該至少一開口暴露出該上電極圖案。
17. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極的該些分支部自該第一延伸部與該第二延伸部往四個方向延伸。
18. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極的每一分支部與該第一延伸部及該第二延伸部之間各自具有一銳角夾角。
19. 一種顯示面板，包括：一第一基板，該第一基板上具有多個畫素結構，且每一畫素結構如申請專利範圍第1項所述；一第二基板，位於該第一基板的對向；以及一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間。