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TWI355777B - Antenna structure - Google Patents

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TWI355777B
TWI355777B TW097101505A TW97101505A TWI355777B TW I355777 B TWI355777 B TW I355777B TW 097101505 A TW097101505 A TW 097101505A TW 97101505 A TW97101505 A TW 97101505A TW I355777 B TWI355777 B TW I355777B
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TW
Taiwan
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radiator
antenna structure
grounding
contact
antenna
Prior art date
Application number
TW097101505A
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English (en)
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TW200931723A (en
Inventor
Yi Hung Chiu
Original Assignee
Wistron Neweb Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wistron Neweb Corp filed Critical Wistron Neweb Corp
Priority to TW097101505A priority Critical patent/TWI355777B/zh
Priority to US12/099,787 priority patent/US7911390B2/en
Publication of TW200931723A publication Critical patent/TW200931723A/zh
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於天線結構,尤指一種將一輻射體圍繞在另一輻 射體的周圍’以讓此兩輻射體在至少一處具有預定間隔來匹配阻 抗與增加天線頻寬的天線結構。 【先前技術】 隨著無線通訊的蓬勃發展以及行動通訊產品微型化之趨勢,天 線的擺設位置與空間受到壓縮,相對地造成設計上的困難,一些 内肷式的微型天線因而被提出。一般而言,目前較普遍所使用的 微^•天線有日日片天線(chip antenna)以及平面式天線(pianar antenna) 等,這類型天線均具有體積小之特點。 平面式天線結構因為具備體積小、重量輕、製作容易、價格低 廉、可信度高,同時可附著於任何物體之表面上,使得微帶天線 與印刷式天線被大量應用於無線通訊系統中。 由於目前的無、線通訊產品(例如筆記型電腦)的多媒體應用日 漸普及,大資料量哺輸已成為無線通訊產^的基本需求之一, 如此-來’對於寬頻帶操作的要求更甚。@此,如何增進天線效 此、调整阻抗E配、改善輕射卿及增加天線較,即成為天線 1355777 設計領域的重要課題。 【發明内容】 因此’本發明的目的之-在於提出-種寬頻之天線結構,以解 決上述之問題。 本發明係揭露-種天線結構,其包含一輕射元件、一接地元 件、-短路接點以及-饋人接點。該輻射元件包含有—第一輕射 體以及-第二歸體,該第二輕射體侧繞在該第—韓射體,且 該第-輕射體與該第二輕射體之間具有财間隔以匹配阻抗。該 短路接點聽接_第二細體_接地元件之間。該饋入接點 係麵接於該第-骑體與該第二触體之交接處與該接地元件之 間。 之一 於-實施财,該第二鋪體包含複數個區段,該複數個區段 一,定區段係與該第-輕射體於—特定方向上部分重疊且相距 一第i定距離與該接地元件於雜定杨之相反方向上 相距一第二特定距離。並中兮笛—. ^ ㈣之該狀d段、該短路 接點以及該接地元件之間係形成一凹槽。 路 6 1355777 匹配阻抗。 於一實施财’該輻射元件與該接地元件係位料同平面上, 且該天線結構係呈立體狀。 【實施方式】 請參考第i圖,第!圖為本發明天線結構之第一實施例的示意 圖。天線結構1〇〇 &含一轄射元件11〇、一接地元件15〇、一短路 接點160以及一饋入接點17〇,轄射元件11〇包含一第一輕射體 120以及—第二輻射體13G’且第二輻射體130係圍繞在第-輻射 體120的周圍。於本實施例中,第二輻射體130包含-第-區段 132以及一第二區段134,其中第一區段132與第一輕射體—於 第特疋方向上(亦即+Z軸)相距一特定距離^^,第二區段 134與第-輻射體12〇於—第二狀方向上(亦即+γ軸)相距一 特定距離D2 ’而第—輻㈣12〇職接地元件15()於該第一特定 方向之反方向上(亦即—z軸)相距—特定距離A。另外,短路 接點16(H系耗接於第二輕射體13〇之第二區段134與接地元件15〇 之間,而饋入接點17〇係耦接於第一輻射體12〇與第二輻射體13〇 之交接處與接地元件15G之間。換言之,第—輕射體,、第二輕 射體130、短路接點160、接地元件15〇與饋入接點17〇係沿著一 封閉區域180而環繞設置,且封閉區域係呈u型。 7 1355777 請注意,上述之「圍繞」並非指第二輻射體13〇必須完全包圍 第一輻射體120,而可以是第二輻射體13〇設置於第一輻射體12〇 的部分周圍。 請繼續參考第1圖,第一輻射體12〇之電流1丨以及第二輻射體 130之電流I2的路徑如圖中兩箭頭所示。本實施例透過將第二輻射 體130的各區段132、134圍繞在第一輻射體12〇之周圍,並藉由 • 第二輻射體130的各區段與第一輻射體120在不只一處所產生的 電容效應以及第一輻射體120與接地元件15〇所產生的電容效應 來進-步地改變天線結構100的阻抗匹配,其中,透過調整特定 距離D!、〇2、等參數可以達到増加天線頻寬之目的。 睛注意,於本實施例中,第一轄射體W係為一細長之長方形, 而第二輕射體13〇係呈L型,但這並非本發明之限制條件,孰知 此項技藝者應可了解,第-幸昌射體12〇與第二射體13〇的形狀之 各種變化皆是可行的’故於此不再詳加贅i^再者,饋人接點】 之位置並非不可改變的,其位置可根據圖中箭頭所指示的方向, 移動到位置Al—A2之間的任何一處。 於本實施例中,第一輕射體12_來共振出一較高頻之操作 度係為天線結構⑽職生之—第—共振模態之訊號 頻之;τt ( λ/4),而第二姉體13G係用來共振出一較低 ,呆’員段’其長度係為天線結構所產生之一第二共振模 8 1355777 態之訊號波長的四分之一。此外,藉由第二輻射體13〇與第一輕 射體120在不只一處所產生的電容效應以及第一輻射體12〇與接 地元件150所產生的電容效應(亦即由特定距離Di、^、仏所產 生的電容效應),可以調整將兩個共振模態結合,以増加天線結構 100的頻寬。 请參考第2圖,第2圖為第1圖所示之天線結構之反射損 失(return loss)的示意圖。於第2圖中,分別標示出一第一標點 1的頻率3.92GHz及反射損失(一i〇.〇〇dB),以及—第二標點2 的頻率5.45GHz及反射損失(-9.83dB),可以得知於頻率3 92GHz 〜5.45GHz 之間’總共約有 1.53GHz (5.45 GHZ — 192 CmZ = 1.53 GHz)頻寬的反射損失係落在(_i〇dB)以下,其有效頻寬百 分比約為 1.53/4.685=32.65%.((5.45GHz + 3,92GHz) + 2 = 4.685 GHz)。此外,熟知此項技藝者應可了解,反射損失可以透 過公式轉換成電壓駐航(VSWR) ’因此,反射損失與駐波比 實質上具有相同之意義。 請參考第3圖,第3圖為本發明天線結構之第二實施例的示意 圖,其係為第1圖所示之天線結構1〇〇之一變化實施例。於第3 圖中’天線結構3〇0之架構與第1圖之天線結構励類似,係為 天線結構100之_,兩者不同之處描述如下。天線結構之 第二輕射體330的區段個數與天線結構觸之第二賴射體13〇的 區段個數不同,於第3圖中,第二韓射體33〇包含一第一區段说、 9 第一區#又334以及一第二區段,其中第三區段%6係愈一 触體120於該第一特定方向上(亦即+Z轴)部分重疊且相距 特定距離d3 ’且另與接地元件於15G於該第—特定方向之相反方 向上(亦即-Z軸)相距特定距離D4,且第三區段336、短路接 點360以及接地元件15〇之間係形成一凹槽,以產生電容效 應。此外’天線結構300之短路接點36〇與第1圖所示之天線結 構100之短路接,點16〇的形狀與位置也不相同熟知此項技藝者 應可了解’频非本發明之_條件,鄕接關雜、大小與 位置之各種變化皆是可行的。舉例來說,短路接點係可如第丄圖 的160或者第3圖的360所標示處,或者短路接點係可延伸自第 二輪射體330的尾端,如第3圖的336所標示處或者第9圖的96〇 所標示處,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 請繼續參考第3圖,第-輕射體m之電流&以及第二輕射體 330之電",LI3的路從如圖中兩箭頭所示。本實施例透過將第二轄射 體:30的各區段332、334、336圍繞在第_輻射體12〇之周圍, 並藉由第二輻射體33G的各區段與第—輕射體⑽在不只一處所 產生的電容效應、第-轄射體12〇與接地元件15()以及第二轄射 體330與接狀件15〇所產生的電容效絲進—步地改變天線結 構300的阻抗匹配,其中,透過調整特定距離a、…^ 等參數可以達到增加天線頻寬之目的。 4 接下來’將本發明所揭露之天線結構與傳統的雙頻天線進行比 1355777 較’以進-步㈣本發明之天線結翻各概點。朗時參考第* 圖與第5圖,第4圖與第5圖分別為傳統雙頻天線與第3圖所示 之天線結構300之電壓駐波比(VSWR)的示意圖,橫轴代表^ 是頻率(Hz),分布於2GHzuGHz,而縱轴代表的是電壓駐波 比VSWR。這裡所提到的傳統雙頻天線是指具有兩個輻射體的平 面倒F型天線(PIFA),且此兩輕射體係位於饋入接點之兩側且朝 不同方向延伸。於第4圖中,於頻率2450MHz附近,只有25〇MHz • 頻寬的電壓駐波比係落在2以下,其有效頻寬百分比約為25〇/245〇 = 10.2% ;而於第5圖中’於頻率3.168GHz〜4 752GHz之間約 有1.584GHz頻寬的壓駐波比係落在2以下,其有效頻寬百分比約 • 為H/3.96:·。比較兩者可得知,第3圖所*之天線結構3〇〇 的有效頻寬較傳統雙頻天線(1.58GHz>250MHz)有顯著的進步^ 請參考第6圖,第6圖為第3圖所示之天線結構3〇〇之反射損 失的示意圖。於第6圖中’分別標示出一第一標點1的頻率3 63gHz •及反射損失(一9.93dB),以及一第二標點2的頻率5.24GHz及反 射損失(一10.20dB) ’可以得知於頻率3.63GHz〜5.24GHz之間, 總共約有 1.61GHz (5.24 GHz — 3.63 GHz = 1.61 GHz)頻寬的 反射損失係落在(-KMB)以下,其有效頻寬百分比約為丨/丨/今奶 = 36.3% ((5.24 GHz + 3.63 GHz) v 2 = 4.435 GHz) 〇 請參考第7圖至第8圖,第7圖為第3圖所示之天線結構300 之輻射場型圖,而第8圖為第3圖所示之天線結構300的天線增 皿表如第7_不’其係為天線結構30()於YZ平面之量測結果, 可以看出无騎構之輻射場型㈤& 侧 形,係為全向性之妥始工蚀 1Um 、’。苐8圖為標示出第7圖中在各個頻段 ^㈤触賴、最小值財触之似她_示意圖, 可以看出天線結構3〇〇在各個頻段之平均增益均落在—細以下。
田…、上述之天線結構100、天線結構300僅為本發明之實施 例之一,料領域具财知識者當可據賴適當之變化。接下來, 舉幾個實施例來朗本發騎揭露之天線結構之各種設計變化。
請參考第9圖,第9圖為本發明天線結構之第三實施例的示意 圖’其係為第3圖所示之天線結構細之一變化實施例。於第9 圖中,天線結構900之架構與第3圖之天線結構3〇〇類似,係為 天線結構300之變形’兩者不同之處描述如下。於第3圖中,第 :幸畐射體12〇與第二輕射體33〇之第三區段说的相距距離以及 第輻射體120與接地元件15〇的相距距離皆為&,兩者相同; 而於第9圖中,第-輕射體12〇與第二轄射體之第三區段现 的相距距離為D3 ’而第—轄射體12G與接地树㈣的相距距離 為〇5兩考不同。另外,第9圖中的第二輕射體930之第-區段 932的面積較第3圖中的第二轄射體33〇之第一區段332的面積來 得大,可以增加輕射效率,且天線結構9〇〇之短路接點_與第3 圖所示之天線結構3GG之短路接㉟36G _狀與位置也不相同。 12 1355777 i〇« ^ =,為第9圖所示之天線結構_之___。料 JLTm 1000 9 900 ^ 2線4 _之變形,兩者不同之處在於天線結構麵另包含 第二te龍㈣,雛於饋人接點m與接地元件之間,且 第4射體970與第二賴射體33〇於該第二特定方向上(亦即+γ 轴)部分重4且相距特定距_。如此—來 射體970於天線結構麵中而產 弟4 座生另步貝帶之—第三共振模態, 形成三頻天線。此外’可透過調整第三輕射體97〇與第二輕射 體330所產生的電容效應(亦特定雜&所產生的電容效應) 來進-步地改變天線結構麵的阻抗匹配。另外,若移除贿元 件96〇,此時第-幸畐射體120、第二輕射體93〇、接地元件與 饋入接點17G係沿著-反S型區域而環繞設置,第—鋪體⑽ 與第二鋪體93G仍可調整彼此相距的距離以改變阻抗匹配,第 二輻射體930與第三體97〇仍可調整彼此相距的距離以改變 阻抗匹配。當然’熟知此項技藝者應可了解,第一韓射體12〇、第 二轄射體930以及第三輕㈣970於空間中的延伸方向並非本發 明之限制條件,舉例而言,-天線結構之各姉體的延伸方向與 天線結構1000之各輻射體的延伸方向恰好相反,亦即此天線結構 與天線結構1000的反視圖相同(將+γ軸與—Y轴對調),亦鹿 屬於本發明所涵蓋之範圍,此時第一輻射體12〇、第二輻射體汨〇、 接地元件950與饋入接點170則係沿著一S型區域而環繞設置。 13 1355777 ,明參考第11 ® ’第11目為第1〇圖所示之天線結構1〇〇〇之電 麼駐波比的示意圖,橫輔代表的是頻率(Hz),分布於廳冗至 6GHz ’而縱軸代表的是電愿駐波比vswr。由第“圖可知,於 ,率2.4GHz〜5.875GHz之間,約有3 475GHz頻寬的屢駐波比係 洛在2以下,其有效頻寬百分比約為3.475/4.138 = 83聲/〇,且天 線、’、。構1GGG總共涵蓋二個頻段(2.4GHz〜2 7〇2GHz、3.3GHz〜 3.8GHz、5.15GHz〜5.875GHz) 〇
立請參考第圖’第12圖為本發明天線結構之第五實施例的示 意圖,其係為第10圖所示之天線結構1〇〇〇之一變化實施例。於 第12圖中,天線結構·之架構與第1〇圖之天線結構麵類 似’係為天祕構聊之變形,兩者獨之處在於域結構膽 之各兀件魅立體狀且位於獨平面上,舉咖言姻元件⑽ 係位於YZ平面上,而接地元件咖之第-部份1252係位於χγ 平面上,接地元件1250之第二部分1254則係位於γζ平面上。而 於第10 ®巾’天線結構麵之各元制於烟平面上。由 ^可^,天線結構之从件的所在平面’並非本發明之限制條件, 者應可了解,林違背本㈣之精神下,天線結構 各兀件的所在平面之各種各樣的變化皆是可行的。 J 13 =其係絲9騎示之天線結構9⑻以1化實_。於 圖中’天線結構之架構與_之天線結構類似, 1355777 係為天線結構_之變形,兩者獨之處在於天線結構丨的饋 入接點1370之位置與第9圖所示之天線結構_的饋入接點17〇 之位置不同。另外,* 13圖中的第二輕射體1330之第一區段1332 的面積較第9圖中的第二輕射體93〇之第—區段932的面積來得 大,可以増加輻射效率。 由上可知’本發明提供一種寬頻之天線結構100〜1200,透過 將第二輕射體的各區段圍繞在第一輕射體12〇的周圍,並藉由第 了輕射體的各區段與第—轄射體在不只—處所產生的電容效應、 第二輕射體與接地元件所產生的f容效應以及第—触體與接地 轉所產生的電容效應來進一步地改變天線的阻抗匹配,此外, 透過調整特定_Dl〜D6等參數可以朗增加天線之目的。 ^傳統雙頻天線她之下,可以發現本發明所揭露之天線結構的 处效頻見k傳統雙頻天線有麟的進步,因此,十分符合需要大 資料量的傳輸的無線通訊產品的需求。再者,本發明所揭露之天 線結f製作上相當簡單且不需增加額外的成本,很適合在生產線 上大!生產。此外,由天線的電縣波比及輕射場型可得知,本 =明所揭露之天線結構具雜供全向㈣輻射場型、縮小天線尺 寸且涵蓋現有無線通訊系統之頻段等多項優點,因此,十分適合 應用在可攜式裝置或者其它細的無線ϋ訊裝置上。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本 圍所做之均等變化與修飾1應屬本發明之涵蓋_。 1355777 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明天線結構之第一實施例的示意圖。 第2圖為第1圖所示之天線結構之反射損失的示意圖。 第3圖為本發明天線結構之第二實施例的示意圖。 第4圖為傳統雙頻天線之電壓駐波比的示意圖。 第5圖為第3圖所示之天線結構之電壓駐波比的示意圖。 第6圖為第3圖所示之天線結構之反射損失的示意圖。 第7圖為第3圖所示之天線結構之輻射場型的示意圖。 第8圖為第3圖所示之天線結構的天線增益表。 第9圖為本發明天線結構之第三實施例的示意圖。 第10圖為本發明天線結構之第四實施例的示意圖。 第11圖為第10圖所示之天線結構之電壓駐波比的示意圖。 第12圖為本發明天線結構之第五實施例的示意圖。 16 1355777 第13圖為本發明天線結構之第六實施例的示意圖。 【主要元件符號說明】
100、300、900、 1000、1200、1300 天線結構 110、310、910、 1210 、 1310 輻射元件 120 第一輻射體 130、330、930、 1330 第二輻射體 132、332、932、 1332 第一區段 134 、 334 第二區段 336 第三區段 150、950、1250 接地元件 160、360、960 短路接點 170、1370 饋入接點 180 封閉區域 工1、、工3 電流 Dj ' 〇2 N D3 ' D4 、d5、d6 特定距離 A1 ' A2 位置 390 凹槽 970 第三輻射體 1252 第一部份 1254 第二部分 X、Y、Z 座標軸 17

Claims (1)

  1. 月22日修正替換頁 十、申請專利範圍: 1· -種天線結構,其包含有: ’包含有—第—輻射體以及—第二轄射體,該第二 輪射體係圍繞在該第一輻射體,且該第一 射體之間具有預定間隔以匹配阻抗; J第一輪 一接地元件; 二短路接點,輪於該第二輻射體與該接地元件之間;以及 -饋入接點’接於該第一輻射體與該第二 該接地元件之間; 乂莰处一 其中該第二轄射體包含複數個區段,該複數個 祕蝴-輪射體於一特定方向上部分重疊且相距= 特疋距離,^與該接地元件於該特定方向之相反方向上 相距一第二特定距離。 .:::=Γ所述之天線結構’― 如申凊專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第二輕射體之 該特定區段、義路接肋及該接地元件之職形成一凹槽。 如申請專利賴第1項所述之天線結構,其另包含—第三輕射 體’絲於_人接點,其中該第三細體無第二輻射體之 間具有預定間隔以匹配阻抗;該第一輻射體之長度係為該天線 丄乃5777 \ :社 L·00年3月22曰修正替換& 生之一第一共振模態之訊號波長的四分之一;該第二 之長度係為該天線結構所產生之-第二共振模態之訊號 ^的畴之―;以及該第三触體之長度係為該天線結構所 屋生之-第三共振鶴之訊號波長的四分之一。 5. 天線結構’其中該_該 丨項敝峨構,其蝴射元件與該 接地疋件係位於不同平面上。 ’其係呈立體狀。 7.如申請專利範圍第6項所述之天線結構 8. —種天線結構,其包含有: -輻射元件,包含有—第—輻射體以及―第二輛射體, 輻射體係圍繞在該第一輕射體,且該第一輪射體與 射體之間具有預定間隔以匹配阻抗; β 一接地元件; -短路接點’雛_第二紗體與難地元件之間; -饋入接點,耦接於該第一輻射體虚該第— 該接地元件之間;以及 从體之交接處與 第三輪射體,_於該饋人接點,其中該第三細體盘 二姆體之間具有狀間隔以匹配阻抗,·該第—輻射社長 19 ^55777 _ 100年3月22日修正替換頁 度係為該天線結構所產生之一第一共振模態之訊號波長的 四分之一;該第二輻射體之長度係為該天線結構所產生之一 第二共振模態之訊號波長的四分之一;以及該第三輻射體之 • 長度係為該天線結構所產生之一第三共振模態之訊號波長 的四分之一。 9·—種天線結構,其包含有: 輕射元件’包含有—第__輻射體以及—第二輻射體,該第一 輕射體與該第二輻射體之間具有預定間隔以匹配阻抗; 一接地元件; 短路接點’輕接於該第二輻射體與該接地元件之間;以及 一饋入接點’ _於該第—㈣體與該第二H射體之交接處與 該接地元件之間; 其中該第1射體、該第二_體、該短 與該饋入接點係沿著—封__環繞設置。/接地讀 其中該封閉區域係為 1〇.如申請專利範_ 9項所述之天線結構, U型。 •輻射體包 20 丄355777 人、化乂 —I s複數個區段,該複數個區段之一特定區段係與該第一輻射體 於一特定方向上部分重疊且相距一第一特定距離,且另與該接 地元件於該特定方向之相反方向上相距一第二特定距離。 13.如申請專利範圍第12項所述之天線結構,其中該第二輻射體之 該特定區段、該短路接點以及該接地元件之間係形成一凹槽。 U.如申請專利範圍第9項所述之天線結構其另包含一第三輕射 體,轉接於該饋入接點,其中該第三輻射體與該第二輕射體之 間具有預定間隔以匹配阻抗;該第一輻射體之長度係為該天線 結構所產生之-第-共振模態之訊號波長的四分之一;該第二 t體之長度係為該天線結構所產生之—第二共_。訊[ ^的四分之以及該第三輻射體之長度係為該天線結構所 產生之一第三共振模態之訊號波長的四分之一。 15·如申請專利細第9顧述之天線結構 接地元件係位於同-平面上。 A射請與该 16.如申請專利細第9顧狀天線結構 接地元件餘於;^平面上。 件與該 其係呈立體狀 17.如申請專利範圍帛16項所述之天線結構, 18.—種天線結構,其包含有·· 21 1355777 輕一 丨100年3月22日修正替換ί το件’包含有—第—輻射體錢—第二輻射體,該第一 5,體"該第—輻射體之間具有預匹配阻抗; '接地元件; -輻射體,域雜地元件,該第三輻射體與該第二輻射 體之間具有預定間隔以匹配阻抗; 以及 饋入接點,輕接於該第一輻射體、該第二輻射體之交接處、 該第二輻射體與該接地元件之間。 /如申清專利範圍第18項所述之天線結構,其中該第二輕射體 係圍繞在該第一輕射體。 2〇.如申請專聰圍第19項所述之天線結構,其中該第 、該第二輻紐、該接地元件與鋪人接點係 一 蜮而環繞設置。 型區 、圓式: 22
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