TWI342074B - - Google Patents

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1342074 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於發光元件及其製造方法。 【先前技術】 發光二極體及半導體雷射等的發光元件所使用之材料 及元件構造，隨著經年不斷進步的結果，元件内部之光電 轉換效率已逐漸接近理論上的界限。因此，為了獲得更高 7C度的元件，元件之光取出效率變得極為重要。例如，以 AlGalnP混晶形成發光層部之發光元件，係將薄A1(JaInp( 或GalnP)活性層以帶隙比其大之^型AlGalnP包覆層及p 型A1 Gal nP包覆層挾持成夾層狀’藉由採用此雙異質構造 而實現出高亮度的元件。 這種AlGalnP雙異質構造’係利用A1GaInp混晶與 GaAs之晶格整合，而在GaAs單晶基板上磊晶成長出 AlGalnP混晶所構成之各層。又，將其當作發光元件利用 時’一般大多將Ga As單晶基板直接當作元件基板來使用。 然而，由於構成發光層部之AlGalnP混晶之帶隙比GaAs大 ，所發的光會被GaAs基板吸收而有難以獲得充分光取出效 率之問題。為解決該問題，將半導體多層膜構成之反射層 插入基板與發光元件間之方法（例如日本專利特開平7-66455號公報）已被提案出，由於是利用所積層之半導體層 的折射率差，故僅能反射既定角度所入射的光，原理上並 無法期待光取出效率之大幅提昇。 1342074 於是，日本專利特開20〇卜339100號公報揭示一技術 ”將成長用的GaAs基板剝離，並將補強用的元件基板（ 具有導電性者）透過反射用# Au層貼合於剝離面。該^層 之反射率㈤X具有反射率之入射角依存性小的優點。然 而，根據Au層在白色光下會帶黃色之事實可明顯看出，對 波：波長範圍之光其吸收量大，在將峰值波長設定於該波 長範圍之發光元件的情形，該吸收將造成反射率降低之問 題。另-方面，日經電子2002年1〇月21日號124頁〜132 頁揭示一發光元件，其以反射率之波長依存性比Au小之 A1構成反射層，藉以提高反射強度。該日經電子之元件構 造，係在發光層部與矽基板構成的元件基板之間配置A1反 射層，並在A1反射層與矽基板之間介設Au層，以使矽基 板與發光層部之貼合變容易。具體而言，係在發光層部側 所形成的A1反射層上形成被覆其之Au層，並在矽基板側 也形成Au層’使該兩Au層彼此密合而進行貼合。 然而，依日經電子的構成，由於A1層與Au層形成接 觸，就算是以較低溫來進行貼合，構成反射層之A1層經擴 散會和Au層進行合金化，而產生反射率變低之問題。 【發明内容】 本發明之課題係提供一發光元件，其發光層部以反射 金屬層被覆，且該反射金屬層透過其他結合用金屬層貼合 於元件基板而構成發光元件，其可有效防止結合用金屬層 往反射金屬層之成分擴散，進而避免該擴散所造成之反射 Ί342074 率降低等的不良情形。並提供該發光元件之製造方法。 為了解決上述課題，本發明之發光元件，其特徵在於 以具有發光層部之化合物半導體層之第一主表面作為 光取出面，在該化合物半導體層之第二主表面側，形成具 有反射面（使來自發光層部之光朝光取出面侧反射）之反射 金屬層；該反射金屬層係透過結合用金屬層結合於元件基 板’且在反射金屬層與結合用金屬層之間插設反射金屬層 側擴散阻止層’以阻止該結合用金屬層之金屬成分往反射 金屬層側之擴散。 上述本發明之發光元件，藉由在反射金屬層與結合用 金屬層之間插設反射金屬層側擴散阻止層，可有效防止結 合用金屬層往反射金屬層之成分擴散，進而有效抑制住該 成分擴散所造成之反射金屬層的反射率降低，而實現出高 亮度的發光元件。 又，本發明的發光元件之製造方法， 其製造的發光元件，係以具有發光層部之化合物半導 體層之第一主表面作為光取出面，在該化合物半導體層之 第二主表面側’形成具有反射面（使來自發光層部之光朝 光取出面側反射）之反射金屬層；該反射金屬層係透過結 合用金屬層結合於元件基板；其特徵在於： 在化合物半導體層的貼合側主表面與元件基板的貼合 側主表面之間，從化合物半導體層側起依序積層並介設反 射金屬層、反射金屬層侧擴散阻止層（用來阻止該結合用 1342074 金屬層之金屬成分往反射金屬層側之擴散）、結合用金屬 層，而以這種方式進行疊合貼合。 依據上述本發明的發光元件之製造方法，由於在反射 金屬層與結合用金屬層之間介入反射金屬層側擴散阻止層 來進行貼合，故可有效抑制住貼合時或貼合後從結合用金 屬層往反射金屬層之成分擴散，進而有效抑制住該成分擴 散所造成之反射金屬層的反射率降低等，而容易實現出高 亮度的發光元件。特別是在貼合時進行容易產生擴散之熱 處理時，本發明的效果將變得更為顯著。 關於結合用金屬層，當反射金屬層單獨和元件基板較 難進行貼合的情形，係介在反射金屬層與元件基板之間， 而具備輔助貼合的作用，但其對來自發光層部的光之反射 率大多比反射金屬層為差。如此般，當其使用的金屬對來 自發光層部的光之反射率比反射金屬層低的情形，當來自 結合用金屬層之金屬成分擴散至反射金屬層時，當然容易 產生反射率降低等的不佳情形。於是，像本發明般，只要 在結合用金屬層與反射金屬層之間介設反射金屬層側擴散 阻止層，則其抑制住該擴散造成的反射率降低之效果將特 別的顯著。 具體而言，當結合用金屬層係由主成分為Au之Au系 金屬所構成的情形(本說明書中之「主成分」，係指質量 含有率最高的成分）。由於Au之化學安定性佳且不像Μ :容易形成厚且強固的鈍態皮膜，故適於作為結合用金屬 層的材質。特別是，在化合物半導體層之貼合側主表面， ^42074 4 z表面側起依序形成金屬反射層、反射金屬層側擴散 阻止層Au系金屬層，且在元件基板之貼合側主表面 ;成第一 Au系金屬層’若採用使該等第一杬系金屬層與 第，Au系金屬層密合而進行貼合之方法由於Au系金屬 日彼此的親和力強’就算在較低溫也容易獲得充分的貼合 強度》 曰然而’如前述般’由於Au對特定波長㈣的光其光吸 收ϊ大’故其對該波長範圍光的反射 示經研磨之各種金属表面之反射率，點「〜丄的： 射率。Au在波長670nm以下的可見光區出現大的光吸收量 (特別是650nm以下，600nm以下則更大），若Au系結合用 金屬層朝反射金屬層之擴散量多，當發光層部之峰值波長 在670nm以下的情形，反射率會明顯的降低。其結果除 發光強度易容易降低外’ m取出之光的光譜，因吸收的影 響變得和本來的發光光譜不同，而容易導致發光色調之改 變。然而’只要如本發明般介設反射金屬層側擴散阻止層 ’即可有效抑制上述不佳情形。 另一方面，反射金屬層能用主成分為A1之A1系金屬 來構成。依據圖4所示之A1層的反射率之波長依存性（點 「♦」），就算在波長未達55〇nm之可見光區，仍不會像 Au般產生強吸收，且價格比Au便宜許多，適於作為汎用 的夂射層來使用於本發明。特別是，對於波長4〇〇〜55〇邮 之藍色至綠色的發光波長範圍，其反射率比Au佳，而有助 於光取出效率的提昇。 1342074 然而’若在A1系反射金屬層上直接形成Au系結合用 金屬層’依本發明人檢討的結果發現，就算在1丨5左右 為止之較低溫範圍，從Au系結合用金屬層往A1系反射金 屬層之Au擴散也會顯著地進行’而使反射率明顯降低，特 別是波長400〜550nm之藍色至綠色的發光波長範圍之反射 率明顯降低。然而，只要如本發明般介設反射金屬層側擴 散阻止層’即可有效抑制上述不佳情形。 又，反射金屬層之反射面形成部分，也能當作主成分 為Ag之Ag系反射層。Ag系反射金屬層，在整個可見光之 大致波長範圍（350〜700nm)均顯示比Au系金屬良好的反射 率，其反射率之波長依存性小。其結果，不拘元件之發光 波長均可實現高的光取出效率。又，和Au系反射金屬層相 較下，就算對藍色至綠色的發光，因氧化皮膜等之形成所 造成之反射率降低也不易發生。圖4之點「_」代表“的 反射率之波長依存性。又，點「χ」代表AgPdCu合金。Ag 的反射率，在350〜700nm(又更長波長側之紅外區）、特別 是380〜70〇nm，其對可見光的反射率特別良好。當然，就 异在峰值波長為400〜550mn之藍色至綠色的發光波長範圍 仍可獲知良好的反射率。又，前述之心系反射金屬層，雖 價格比Ag系反射金屬層便宜，但因氧化皮膜之形成會造成 反射率降低，其在可見光範當的反射率之數值較低（例如 85 92/6)另方面，Ag系反射金屬層，由於不像μ系反 射金屬層那樣容易形成氧化皮膜，故在可見光區能確保比 A1间的反射率。又，只要如本發明般介設反射金屬層側擴 ϊ342074 圖1係顯示本發明的一實施形態之發光元件i00之概 念圖。發光元件100，係在元件基板之導電性基板、即η 型Si單結晶構成之Si基板7的主表面上，透過主金屬層 10來貼合發光層部24而構成》 發光層部24之構造，係將無摻質（AlxGai x)yIn卜yP( 其中，OS xS 0. 55，0. 45$ yg 〇. 55)混晶所構成之活性層5 ，以第一導電型包覆層及第二導電型包覆層挾持而構成。 該第一導電型包覆層，在本實施形態為p型（AlzGa「z)yIni -yP (其中Χ<Ζ$1)所構成之p型包覆層6;該不同於第一導 電型包覆層之第二導電型包覆層，在本實施形態為η型 (AlzGa^JyliihyP(其中所構成之η型包覆層4。 依活性層5之組成，可將發光波長在綠色到紅色區域（峰值 發光波長550nm〜670nm)進行調整。發光元件1〇〇中，在金 屬電極9側配置p型AlGalnP包覆層6，在結合用金屬層 l〇k側配置n型以以丨心層4。因此，在金属電極9側之通 電極性為正。又，在此所指的「無摻質」，係代表「未積 極地添加摻質」，並未排除一般製程中無可避免會混入之 摻質成分（例如上限為1〇丨3〜l〇ie/cm3左右）。 又，在發光層部24之基板7侧的相反側之主表面上， 形成有AlGaAs構成之電流擴散層2〇，在該主表面之大致 中央，為了對發光層部24施加發光驅動電壓，係以被覆局 主表面的方式形成金屬電極（例如Au電極）g。電流擴散 層20之主表面之金屬電極9的周圍區域，係構成發光層部 24之光取出區域。又，在Si單結晶基板7的背面，係形 13 1342074 成被覆其整體之金屬電極（背面電極，例如Au電極）丨5。當 金屬電極15為Au電極時，係在金屬電極i 5與Si單結晶 基板7之間插入AuSb接觸金屬層16 ’以作為基板側接觸 金屬層。又’可取代AuSb接觸金屬層16，使用AuSn接觸 金屬層當作基板側接觸金屬層亦可。 S i單結晶基板7，係將S i單結晶旋實施切斷、研磨而 製造出’其厚度例如為1〇〇〜500 //m’其隔著金屬層1〇而 貼合於發光層部2 4。又，金屬層1 〇係具備：發光層部2 4 側之反射金屬層l〇c、發光層部24側之結合用金屬層10a 、Si基板7側之結合用金屬層i〇b、及介設於反射金屬層 10c與結合用金屬層i〇a，i〇b( = l〇k)間之反射金屬層側擴散 阻止層10f。反射金屬層10c，在本實施形態為A1系金屬 層（A1層）’結合用金屬層1 〇a，1 〇b，在本實施形態為Au系 金屬層（例如Au層）。反射金屬層側擴散阻止層1 〇f係Ti 系金屬層（例如Ti層），其厚度為lnm〜1〇 # m(本實施形態 為200nm) °反射金屬層側擴散阻止層i〇f，可取代Ti系金 屬層而使用Ni系金屬層（例如Ni層）或Cr系金屬層（例如 Cr 層）。 另一方面，在發光層部24與反射金屬層1 〇c之間，係 形成發光層部側接觸金屬層之AuGeNi接觸金屬層32(例如 Ge : 15質量％ ’ ni : 1 〇質量％)，以減低元件之串列電阻。 AuGeNi接觸金屬層32，係分散形成於發光層部24之主表 面上’其形成面積率為卜25%。又，在Si單結晶基板7與 結合用金屬層1 〇k之間，以接觸Si單結晶基板7主表面的 14 1^4^074 成有基板側接觸金屬層之AuSb接觸金屬層31 (例 質量％)。又’取代AuSb接觸金屬層31而使用 方式，形 如 Sb : 5

AuSn接觸金屬層亦可。 又，該AuSb接觸金屬層31的全面，係被n系金屬層 (例如Τι層）所構成之基板側擴散阻止層l〇d所包覆。基板 Μ廣放阻止層之厚度為本實施形態為 2〇〇nm)。基板側擴散阻止層10d，可取代Ti系金屬層而使 用Ni系金屬層（例如Ni層）或&系金屬層（例如以層）。 又，以包覆該基板側擴散阻止層i 〇d全面的方式，配置與 其接觸之結合用金屬層丨〇k(Au系金屬層）。 來自發光層部24之光，係以反射金屬& 1〇c之反射光 重疊於從光取出面直接放射的光之方式來取出。反射金屬 層10c的厚度，為了確保充分的反射效果，較佳為8〇⑽以 上又厚度的上限雖沒有特別的限制，但由於反射效果 會飽和，故較佳為與成本一起考量來適當決定出（例如i # m左右）。又，結合用金屬層1〇k的層厚為2〇〇韻〜1〇以爪。 以下’針對圖1的發光元件1 00之製造方法作說明。 首先，如圖2之步驟1所示般’在GaAs單結晶基板J 的主表面上，藉由公知的M0VPE(Metal 〇rganic Vap〇r

Phase Epi taxy)法依序遙晶成長出：p型GaAs緩衝層2(例 如 0.5" m)、AlAs 剝離層 3(例如 〇.5e m)、p 型 AiGaAs 電 流擴散層20(例如5 e m)。之後’依序磊晶成長出：p型

AlGalnP包覆層6(1 a m)、AlGalnP活性層5(無摻質，〇 6 ym)、n型AlGalnP包覆層4(l/zm)’以形成發光層部24。 15 1342074 接著’如步驟2所示般，在發光層部24的主表面，將 AuGeNi接觸金屬層32予以分散形成>在形成AuGeNi接觸 金屬層32後’以350°C〜50(TC的溫度範圍進行合金化熱處 理’之後，在發光層部24與AuGeNi接觸金屬層32之間， 係經由該合金化熱處理來形成合金化層，而使串列電阻大 幅減低。之後，以被覆AuGeNi接觸金屬層32的方式，形 成A1系金屬層構成之反射金屬層i〇c(厚度例如g〇〇nm), 接著形成Ti系金屬層構成之反射金屬層側擴散阻止層 10f(厚度例如200nm)。接著，以被覆反射金屬層1〇c與反 射金屬層側擴散阻止層l〇f的方式，形成結合用金屬層之 第一 Au系金屬層l〇a(厚度例如2//m)。這時，A1系反射 金屬層10c係形成被覆發光層部24的主表面（除了外周緣 部的區域），第一 Au系金屬層1 〇a係形成比反射金屬層 10c之外周緣為向外突出，A1系反射金屬層丨〇c之周側面 係被第一 Au系金屬層1 〇a所包覆。 另一方面，如步驟3所示，在另行準備之Si單結晶基 板7(n型）的兩表面分別形成基板側接觸金屬層之AuSb接 觸金屬層31、16(前述之AuSn接觸金屬層亦可），以^ 〇 〇。〇 〜500°C的溫度範圍進行合金化熱處理。然後，在肋北接觸 金屬層31上依序形成Ti系金屬層構成之基板側擴散阻止 層〗〇d(厚度例如200nm)及第二Au系層l〇b(厚度例如2# m)。在AuSb接觸金屬層16上形成背面電極層ι5(例如Au 系金属所構成者）。以上步驟之各金屬層的形成，可採用 濺鍍或真空蒸鍍等來進行。 1342074 ’如步驟4所示般，將S i單結晶基板7側之第二 AU系金屬層10b疊合並緊壓於發光層部24上所形成的第 一 AU系金屬層1〇a，以80〇050(TC的範圍、例如2〇〇。(：進 仃貼。熱處理，製作出基板貼合體50。Si單結晶基板7， 係透過第—Au系金屬層l〇a及第二Λιι系金屬層i〇b貼合 於發光/層部24。第—Au系金屬層l〇a及第二Au系金屬層 i〇b，係藉由上述貼合熱處理而一體化成結合用金屬層10k 第Au系金屬層丨〇a及第二Au系金屬層}此，由於均 '不易氧化的Au為主體’故上述貼合熱處理就算在大氣中 進行亦沒有問題。 在此，在第一 Au系金屬層1 〇a與A1系金屬構成之金 屬反射層1 〇c之間’係介設有Ti系金屬層構成之金屬反射 層側《阻止層1Gf。當金屬反射層…為Ai系金屬層的 障形’右省略該金屬反射層側擴散阻止層⑻，就算於⑴ t左右的低溫下’從第_ Au系金屬層⑽往金屬反射層 二之Au成分擴散也相當顯著’基於此，會造成金屬反射 =c之反射率降低(特別是波長彻〜55〇⑽之 ，… 圍）。然而，若設有金屬反射層 側擴政阻止層1 〇 f，貼合敎 …恳理時從第一 Au系金屬層10a 住金屬反射層1 〇c之A成八 成刀擴放將被有效抑制住，而使金 屬反射層10c之反射率喰拄白 — 町手維持良好。又，迄360t為止，就 异貼合之熱處理溫度昇高， 往A1系金屬構成之金屬反射層 l〇c之Au擴散仍不顯著，其 甚至因貼合溫度的提高而達成貼 合強度的提昇。 取* 17 1342074 又，在第二Au系金屬層10b與Si單結晶基板7(AuSb 接觸金屬層31)之間，介設有T i系金屬層構成之基板側擴 散阻止層l〇d。在上述貼合熱處理時，從si單結晶基板7 朝向第二Au系金屬層1 〇b之Si成分擴散，將被基板側擴 散阻止層1 Od所阻隔，而使朝向貼合一體化的結合用金屬 層（第一 Au系金屬層/第二Au系佥屬層）i〇a，101)甚或反射 金屬層10 c側之S i成分滲出受到有效的抑制。其結果，可 防止最終獲得之反射金屬層l〇c之反射面受Si成分之污染 ’而能實現良好的反射率。又，因第二Au系金屬層1 〇b( 結合用金屬層）經蒸鍍等形成時之熱經歷，來自Si單結晶 基板7之Si可能穿過AuSb接觸金屬層31而出現於第二 Au系金屬層i〇b之最表面。若該最表面的si受氧化，第 二Au系金屬層（結合用金屬層）i〇b與第一 Au系金屬層（結 合用金屬層）1 Ob之貼合會受到明顯的阻礙。然而，只要形 成上述基板側擴散阻止層l〇d，即可有效抑制住該si之出 現及氧化，而使透過結合用金屬層1 〇k之si單結晶基板7 與發光層部（化合物半導體層）24之貼合強度更加提昇。 其次，進入步驟5 ’將上述基板貼合體5〇浸潰於例如 10%氫氟酸構成的蝕刻液’將緩衝層2與發光層部20間所 形成的A1 As剝離層3實施選擇性蝕刻，而從發光層部24 和與其接合之Si单結晶基板7之積層體50a上，將GaAs 單結晶基板1 (對來自發光層部2 4的光呈不透明）予以除去 。又’也能取代AlAs剝離層3而使用AllnP餘刻阻止層， 使用對GaAs具有蝕刻選擇性之第一蝕刻液（例如氦/過氣化 18 1342074 氫混合液）將GaAs單結晶基板1和GaAs緩衝層2 —起蝕刻 ’于’去然後使用對A11 nP具有触刻選擇性之第二钱刻液（例 如座馱，或為除去A1氧化層而添加氩氟酸亦可）將蝕刻阻 止層予以蝕刻除去。 A1系金屬層構成之反射金屬層10c，係被第一 Au系金 屬層l〇a所包圍，且A1系反射金屬層1〇c之外周面，係被 耐蝕陘同的第一 Au系金屬層1 〇a之外周緣部1 〇e所保護， 因此在步驟5,就算對發光層成長用基板（GaAs單結晶基板 1)進仃蝕刻，其影響並不易及於A1系反射金屬層l〇c。使 用GaAs單結晶基板1作為發光層成長用基板，並以氨/過 氧化氫混合液作為蝕刻液將其溶解除去時，Ai雖容易被該 蝕刻液所腐蝕，但只要採用該構造，即可毫無問題地將 GaAs單結晶基板1予以溶解除去。 然後’如步驟6所示般’在經除去GaAs單結晶基板1 而路出的電流擴散層20主表面的一部分上，形成打線用電 極9(接合墊，圖丨）。以下，依通常的方法切割成半導體晶 片，將其固接於支持體而進行引線的打線等後，實施樹脂 封裝而製得最終的發光元件。 以上之實施形態’雖是使用A1系金屬構成的反射金屬 層l〇c，但如圖3之發光元件200所示般，使用Ag系金屬 構成的反射金屬層1 〇g亦可。這時，作為發光層部側接觸 金屬層，係將AgGeNi (例如Ge: 15質量％、Ni: 10質量％) 構成之Ag系接觸金屬層132實施分散形成。關於其他部分 ，則和圖1之發光元件1 〇〇相同。 1342074 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1係本發明發光元件之第一實施形態以積層構造顯 示之示意圖。 圖2係圖1發光元件的製造過程一例之說明圖。 圖3係本發明發光元件之第二實施形態以積層構造顯 示之示意圖。 圖4係顯示各種金屬的反射率。 (二）元件代表符號 1…單結晶基板 2…緩衝層 3…剝離層 4…η型包覆層 5…活性層 6··· ρ型包覆層 7…元件基板 9、15···金屬電極 10…金屬層 10a、10b、10k…結合用金屬層 1 0c···反射金屬層 10d···基板側擴散阻止層 10e··· 10a之外周緣部 20 1342074 1 Of…反射金屬層側擴散阻止層 16、31、32、132…接觸金屬層 2 0…電流擴散層 2 4…發光層部 50…基板貼合體 50a…積層體 100、200…發光元件

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Claims (1)

1342074 衡，% 第93U7U0號發明專利申請案申請專利範圍修正本（2〇i〇·2) 請專利範圍·· 1、一種發光元件，係以具有發光層部之化合物半導 體層之第一主表面作為光取出面，在該化合物半導體層之 第一主表面側’形成具有反射面（使來自發光層部之光朝 光取出面側反射）之反射金屬層；該反射金屬層係透過結 合用金屬層結合於元件基板，且在反射金屬層與結合用金 屬層之間插5又反射金屬層侧擴散阻止層，以阻止該結合用 金屬層之金屬成分往反射金屬層侧之擴散；在該元件基板 與s亥結合用金屬層之間插設基板側擴散阻止層，其由導電 性材料構成’以阻止來自元件基板之成分往結合用金属層 之擴散。 2、 如申凊專利範圍第1項之發光元件，其中該結合 用金屬層’其使用的金屬對來自發光層部的光之反射率比 反射金屬層低。 3、 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該結合 用金屬層’係主成分為Au之Au系金屬層。 4、 如申睛專利範圍第2項之發光元件，其中該結合 用金屬層’係主成分為Au之Au系金屬層。 5、 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中該反射 金屬層’係主成分為A1之A1系金屬層。 6、 如申請專利範圍第4項之發光元件，其中該反射 金屬層，係主成分為A1之A1系金屬層。 7、 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中該反射 金屬層’係主成分為Ag之Ag系金屬層。 22 仝屈 如申清專利範圍第4項之發光元件，其中該反射 龙屬層，係 9 ’、 成为為Ag之Ag系金屬層。 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中該反射 層側擴散阻止層，係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 <金屬層。 1 〇 '如申請專利範圍第4項之發光元件，其中該反射 9擴散阻止層，係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 <金屬層。 八 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中該反射 人層側擴散阻止層，係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 之金屬層。 丫怵石 1 2、如申請專利範圍第6項之發光元件，其中該反射 $屬層側擴者 頻敢阻止層’係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 之金屬層。 13 如申請專利範圍第7項之發光元件，其中該反射 金屬層側擴散阻止層，係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 之金屬層。 14、如申請專利範圍第8項之發光元件，其中該反射 金屬層側擴散阻止層，係主成分為Ti、Ni及Cr中任一者 之金屬層。 1 5、如申請專利範圍第9項之發光元件，其中該反射 金屬層側擴散阻止層之厚度為丨nm~ j 〇〆m。 16、如申請專利範圍第1〇項之發光元件，其中該反 射金屬層側擴散阻止層之厚度為lnm〜1〇^m。'、 23 1342074 I 換頁I ~— ^如申請專利範圍第11項之發光元件，其中該反 射金屬層側擴散阻止層之厚度為1 nm~丨〇 # m。 18、 如申請專利範圍第12項之發光元件，其中該反 射金屬層側擴散阻止層之厚度為lnm〜1〇"m。 19、 如申請專利範圍第1 3項之發光元件，其中該反 射金屬層側擴散阻止層之厚度為 20、 如申請專利範圍第14項之發光元件，其中該反 射金屬層側擴散阻止層之厚度為lnm〜1〇μιη。 21、 如申請專利範圍第丨項之發光元件，其中，該結 合用金屬層係主成分為Au之Au系金屬層，該元件基板係 Si基板。 22、 如申請專利範圍第21項之發光元件，其中該基 板側擴散阻止層’係主成分為T i、N丨、cr中任一者之金 屬層。 23、 —種發光元件之製造方法，其製造申請專利範圍 第1項之發光元件；其特徵在於： 在化合物半導體層的貼合側主表面與元件基板的貼合 側主表面之間’從化合物半導體層側起依序積層並介設反 射金屬層、反射金屬層側擴散阻止層（用來阻止該結合用 金屬層之金屬成分往反射金屬層側之擴散）、結合用金屬 層’而以這種方式進行疊合貼合。 24、 如申請專利範圍第23項之發光元件之製造方法 ’其中’在該貼合時係進行熱處理。 25、 如申請專利範圍第23或24項之發光元件之製造 24 1342074 9|! 替換頁 —'共J中，在化合物半導體層之貼合側主表面，從該主 表面側起依序形成金屬反射層、反射金屬層側擴散阻止層 、第一 Au系金屬層，且在元件基板之貼合側主表面形成 第二Au系金屬層，並使該等第一 Au系金屬層與第二Au 系金屬層密合而進行貼合。 拾壹、圖式：

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