[go: up one dir, main page]

TWI295590B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI295590B
TWI295590B TW094121998A TW94121998A TWI295590B TW I295590 B TWI295590 B TW I295590B TW 094121998 A TW094121998 A TW 094121998A TW 94121998 A TW94121998 A TW 94121998A TW I295590 B TWI295590 B TW I295590B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
auxiliary
unit
detecting
Prior art date
Application number
TW094121998A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200607578A (en
Inventor
Kentaro Nishioka
Yoshinori Takagi
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg filed Critical Dainippon Screen Mfg
Publication of TW200607578A publication Critical patent/TW200607578A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI295590B publication Critical patent/TWI295590B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0225Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

1295590· 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由從喷嘴喷出處理液之同時掃描基 板,在基板的表面上塗佈處理液之基板處理裝置之技術。 較詳細而言,係關於一種於藉由喷嘴之掃描,為防止噴嘴 與異物(對象物)相干涉而高精確度地檢測對象物之技術。 【先前技術】 於液晶用玻璃角形基板、半導體晶圓、薄膜液晶用軟性 • 基板、光罩用基板、彩色濾光片用基板(以下僅簡稱為「基 板」)等之製程,使用在基板的表面上塗佈處理液之塗佈裝 置(基板處理裝置)。作為塗佈裝置,使用具有狹縫狀的喷出 部之狹縫喷嘴進行狹缝塗佈之狹縫塗佈器、或一旦實施上 述的狹縫塗佈之後旋轉基板之狹縫旋轉塗佈器等為所知。 在該塗佈裝置,由於在使狹缝喷嘴的前端和基板相接近 之狀悲,使狹縫喷嘴和基板相對移動而塗佈處理液,所以 在基板的表面異物附著,或在基板和載物台之間挟持異物 而成基板隆起狀態,因此產生與狹縫喷嘴的干涉,產生: (1) 狹縫喷嘴損傷 (2) 基板破裂或者使基板受傷 而成為塗佈不良的原因等
。該技術記 (3)因一邊拉拖異物一邊塗佈, 問題。 因此, 行異物檢: 涉物),而回避狹縫 I02712.doc 1295590 載在例如專利文獻1。 專利文獻1所記载之塗佈裝置藉由透過型的雷射感測器 (檢測透㉟來的雷射光之感測器)進行肖象物的檢_,在該雷 射感測Is檢測出對象物時,藉由強制結束塗佈處理,防止 狹縫噴嘴和對象物接觸。 圖12至圖15係為說明使用在專利文獻丨所記載之塗佈裝 置之透過型的雷射感測器1〇〇檢測對象物之原理的概念 圖。透過型的雷射感測器1〇〇係將由投光部1〇1所射出之雷 射光藉由在光軸上與投光部101向對向而配置的受光部1〇2 接受,根據其受光量檢測對象物的有無之感測器。 在雷射感測器100如圖12所示,在某些物體(對象物)存在 於光路上時,藉由該對象物在光路上遮蔽雷射光。因此, 如圖13所示,於受光部102之雷射光的受光量減少。所以, 雷射感測器100於受光部102之受光量在比特定的臨限值q 少時,可判定在光路上存在對象物。 [專利文獻1]特開2002-001195公報 【發明内容】 然而,和大型的He-Ne氣體雷射等不同,在小型的半導體 雷射,如圖12及圖14所示,雷射光具有伴隨從對準焦點的 位置(最集中光束之位置:在此於示例為投光部1〇1的照射 開始位置)向光軸方向偏移,其直徑變寬之性質。因此,如 圖14所示,對象物在離投光部101遠的位置(直徑變寬的位 置)時,雷射光幾乎不被遮蔽而由受光部1〇2接受。在此情 形’於受光部102之雷射光的受光量如圖丨5所示,由於比臨 102712.doc 1295590 限值Q多,所以儘管存在原本應檢測之大小的對象物,還是 產生不能檢測該對象物之事態。使用普通的透過型的雷射 感測器時’可維持於塗佈處理所需的精確度之範圍係投光 部101和受光部102的間隔最大至5〇〇 mm程度。 即,在專利文獻1所記载之塗佈裝置,例如隨著基板的大 型化,於雷射感測器1 〇〇,在產生需要將投光部丨〇丨和受光 部102比較分離而配置時(檢測用的雷射光的光路變長時), Φ 具有對於文光部102側的區域之檢測精確度減低之問題。 再者,在雷射感測器100藉由衰減量進行檢測。所以,必 須將投光部101和受光部102正確對向配置,具有在雷射感 測器10 0的調整工作費時間之問題。 再者,為提高雷射感測器i 〇〇的靈敏度,對於一點點的衰 減亦有需要判斷為檢測出了異物。然而,在先前的裝置, 隨著移動之時的振動投光部1〇1和受光部1〇2偏移,因此有 雷射光的受光量衰減之情形。即,在先前的裝置,有提高 φ 靈敏度便產生錯誤檢測之問題。 本發明,係鑒於上述課題所完成者,以防止對象物的檢 測精確度減低之同時減輕操作者的負擔為目的。 為解決上述課題,請求項〗的發明之特徵係於基板塗佈特 疋的處理液之基板處理裝置,且具備保持基板之保持機 構對於保持在上述保持機構之上述基板喷出特定的處理 液之噴出機構、使保持在上述保持機構之上述基板與上述 喷出機構相對移動並對於上述基板藉由上述喷出機構實行 掃描之移動機構、在上述喷出機構的掃描中檢測有可能與 102712.doc 1295590 上_機構相干涉之對象物之至少一個檢測機構、 於藉由上述檢測機構之檢測結果而控制上述移動機構之控 制機構,並且上述檢測機構具備照射雷射光之投光部,和 配置於從接文由上述投光部所照射之雷射光之中的直接光 之位置偏離之位置ϋ由上述投光部所照射之雷射光之 中由上述對象物所反射之雷射光作為檢測光t受光部,並 且上述檢測機構在上述受光部接受上述檢測光時,將檢測 Φ 出上述對象物之檢測結果傳達至上述控制機構。 再者,請求項2的發明之特徵係關於請求項i的發明之基 ^處理裝置’其中上述受光部配置在對於上述喷出機構的 掃描方向大致向垂直方向偏移之位置。 再者,請求項3的發明之特徵係關於請求項丨的發明之基 板處理裝置,其中上述投光部在與保持在上述保持機構之 上述基板的表面大致平行方向照射上述雷射光。 再者,請求項4的發明之特徵係關於請求項丨的發明之基 • 板處理裝置,其中進一步具備檢測有可能在上述喷出機構 的知描中與上述噴出機構相干涉之對象物之辅助檢測機 構,並且上述辅助檢測機構配置在與上述投光部或輔助投 光部相對向之位置,具備接受從上述投光部或上述辅助投 光部所照射之上述雷射光的直接光之輔助受光部,並且上 述辅助檢測機構在於上述辅助受光部之上述直接光的受光 量成為特定的臨限值以下時,將檢測出上述對象物之檢測 結果向上述控制機構傳達,並且上述控制機構按照上述檢 測機構的檢測結果及上述輔助檢測機構的檢測結果控制上 102712.doc 1295590 述移動機構。 再者’請求項5的發明之特徵係關於請求項〗的發明之基 板處理裝置,其中具備兩個以上上述至少一個檢測機構, 2且一檢測機構之上述投光部和其他檢測機構之上述投光 #各自分開配置在保持在上述保持機構之上述基板的兩 側。 土在請求項1至5所記載的發明,具備配置在從接受由投光 • σ卩所照射之雷射光之中的直接光之位置偏離之位置,接受 由技光部所照射之雷射光之中由對象物所反射之雷射光作 為檢測光之受光部,並且受光部接受檢測光時,藉由將檢 測出對象物之檢測結果傳達至控制機構,由於受光部的位 置可比較曖昧,調整工作之負擔得以減輕。再者,由於受 光卩點點接叉檢測光就可檢測出對象物,和按照受光量 的衰減量檢測時相比,錯誤檢測得以抑制,所以精確度提 南0 • 於請求項2所記載的發明,受光部藉由對於喷出機構的掃 描方向向大致垂直方向偏移之位置所配置,可控制由噴出 機構之掃描所產生之振動的影響。所以,由於可抑制錯誤 檢測,所以可取得正確的檢測結果。 在請求項4所記載的發明’具備配置在與投光部或輔助投 光部相對向之位置,揍受從投光部或辅助投光部所照射之 雷射光的直接光之輔助受光部’並且在於辅助受光部之直 接光的受光量成為特定的臨限值以下時,藉由檢測出對象 物’可檢測之對象物的範圍擴大。 102712.doc 1295590 在明求項5所記載的發明,藉由一檢測機構之投光部和其 他檢測機構之投光部各自分開配置在保持在保持機構之基 板的兩側,可不受基板寬度的影響而檢測出對象物。 【實施方式】 以下’對於本發明的較佳實施形態,一邊參照附圖一邊 進行詳細說明。 < 1 ·第1實施形態> _ <:ι·ι構成說明〉 圖1係本發明的第1實施形態之基板處理裝置1的正面 圖。圖2係基板處理裝置2之檢測部45的周邊部的放大圖。 此外,於圖1及圖2,為便於圖示及說明,2軸方向定義為表 示垂直方向,XY平面定義為表示水平面者,其等係為掌握 位置關係而方便定義者,並不限定以下說明之各方向者。 對於以下的圖亦同樣。 基板處理裝置1係將為製造液晶顯示裝置的晝面面板之 _ 角形玻璃基板作為被處理基板90,於將形成在基板9〇的表 面之電極層等選擇性蝕刻之工序,作為在基板卯的表面塗 佈光阻液之塗佈裝置所構成。所以,在此實施形態,狹^ 喷嘴41可對於基板90喷出光阻液。此外,基板處理裝置工 不僅液晶顯示裝置用的玻璃基板,一般亦可作為在平面板 顯示器用之種種基板塗佈處理液(藥液)之裝置而變形使 用。此外’基板9 0的形狀不限於角形者。 基板處理裝置丨具備起作用作為為載置並保持被處理基 板90之保持臺之同時,亦起作用作為附屬各機構的基臺1 102712.doc -10- 1295590 載物台3。載物台3係直方體形狀的一體的石製者,其上面 (保持面30)及側面加工成平坦面。 載物台3的上面為水平面,成基板9〇的保持面3〇。在保持 面30分佈並形成多數個真空吸附口(未圖示)。於基板處理裳 置1處理基板90之期間,藉由該真空吸附口吸附基板列,載 物台3將基板9〇保持在特定的水平位置。 在載物台3的上方設有從該載物台3的兩側部分大致水平 0 木"又的木橋構仏4。架橋構造4主要由以炭纖維樹脂為骨材 之喷嘴支持部40、支持其兩端之昇降機構43、料及移動機 構5所構成。 在喷嘴支持部40安裝有狹縫噴嘴41和間隙感測器42。 在向水平Y軸方向延伸之狹縫喷嘴41連接有包含向狹縫 喷觜41供給藥液(光阻液)之配管或光阻用泵之喷出機構(未 圖不)。狹縫喷嘴41係由光阻用泵所傳送光阻液,藉由掃描 基板90的表面向基板9〇的表面的特定區誠(以下稱「光阻塗 _ 佈區域」)噴出光阻液。 間隙感測器42安裝在於架橋構造4的喷嘴支持部40和基 板90的表面相對向之位置,檢測和特定方向(·ζ方向)的存在 物(例如基板90或光阻膜)之間的距離(間隙),將檢測結果向 控制部7傳達。 猎此,控制部7基於間隙感測器42的檢測結果,可檢測基 板90的表面和狹縫喷嘴41的距離。此外,在本實施形態之 基板處理裳置1具備兩個間隙感測器42,但間隙感測器^ 的數里不限於此’亦可進一步具備多數個間隙感測器42。 102712.doc 1295590 幵降機構43、44分開在狹縫喷嘴4 1的兩側,藉由喷嘴支 持部40與狹縫噴嘴41相連接。昇降機構43、44將狹縫噴嘴 41並進地昇降之同時,亦用於調整在狹縫喷嘴41的YZ平面 内的姿勢。 在架橋構造4的兩端部固定設有沿載物台3的兩侧的緣侧 而刀開配置之移動機構5。移動機構5主要包含一對AC無心 線性馬達(以下,只簡稱為「線性馬達」。)5〇和一對線性編 碼器5 1。 線)·生馬達5〇係分別具備固定子及移動子(未圖示),藉由 固定子和移動^電磁性相1作用^成為豸架㈣造 4(狹縫噴嘴41)向又軸方向移動之驅動力之馬達。此外,線 性馬達50之移動量及移動方向可藉由來自控制部7的控制 信號控制。 琛性編碼器5 1分別具備 /、/入个双列卞(禾 標尺部和檢測子的相對位置關係,並傳達至控制部7。各. 測子分別固定設置在架橋構造4的兩端部,標尺部分別固〕 设置在載物台3的兩侧。藉此,線性編碼器5!具 架橋構造4的X軸方向的位置之功能。 “ ^4固5定設置在架橋構造4的兩側之移動機構5更安裝有系 :广於本實施形態之基板處理裝置】,檢測對象物以 備兩個檢測感測器㈣、451及—個輔助檢測❹ I02712.doc 12 1295590 係之右側面圖,圖5係表示狹縫噴嘴41和檢測部45的配置關 係之左側面圖。 再者,掃描範圍E0係於基板上方的狹縫喷嘴41的掃描範 圍。更加詳細說明,藉由移動機構5向χ轴方向移動,狹縫 喷嘴41的下端(_Z方向的端部)描繪的執跡區域(成面狀的區 域)之中,基板90和狹縫喷嘴41的下端在最接近狀態(塗佈光 阻液之際的間隙)成對向之區域。即,掃描範圍£〇係在狹縫 _ 喷嘴41掃描中,狹縫噴嘴41有可能與對象物相接觸之區 域。在基板處理裝置1,狹縫喷嘴41藉由移動機構5向各種 位置移動,但在昇降機構43、44將狹缝喷嘴41維持在足夠 的高度而移動時,或狹縫噴嘴41在和基板9〇不相對向之位 置移動時,狹縫喷嘴41幾乎不具有和對象物相干涉之危險 性。 此外’對象物係於掃描範圍別所檢測出之物體,係狹縫 喷嘴41在掃描掃描範圍E〇之中具有干涉之可能性的物體。 # 實際上除如粒子的異物以外,亦有基板90本身成為對象物 之丨月形。因為若在載物台3和基板9〇之間存在異物,則基板 90隆起而與狹縫噴嘴41相干涉。 核测部45對於狹縫喷嘴41,配置在掃描方向(係狹縫喷嘴 在掃描範圍E0移動之際的移動方向,於本實施形態為(_χ 方向)的刖方位置,並伴隨狹縫喷嘴41的又軸方向的移動, 、ϋ同方向移動一邊進行對象物的檢測。此外,檢測 部45:狹縫噴嘴41的才目對距離係按照冑由移動機構5而狹 縫11 f 4 1移動的速度和控制部7的運算速度所設^。即,在 102712.doc 1295590 按照檢測部45的檢測結果,控制部7控制移動機構5之情 形,係可充分回避對象物和狹縫噴嘴41的接觸之距離。 檢測部45的檢測方向為γ軸方向,檢測感測器45〇、45 i 及輔助檢測感測器452排列在X軸方向。再者,檢測感測器 450、451及輔助檢測感測器452的Z軸方向的位置可藉由操 作者分別調整。 檢測感測器450、451及辅助檢測感測器452分別具備投光 $ 部(投光部450a、451a、452a)和受光部(受光部45 Ob、451b、 4 52b)。於本實施形悲之各投光部45〇a、令5 1 a、452a使用照 射點型的雷射光之小型半導體雷射,但不限於此。例如, 亦可使用照射狹縫型的雷射光者。 檢測感測器450、451係藉由受光部450b、45 lb是否接受 從投光部45〇a、45 1 a所照射的雷射光,檢測對象物之感測 器。 如圖3所示,投光部450a配置在基板90的(-Y)側,受光部 • 4 5 配置在基板90的(+Y)側。另一方面,投光部451a配置 在基板90的(+Y)側,受光部45 lb配置在基板90的(-Y)侧。 即,於本實施形態之基板處理裝置1,檢測感測器450的投 光部450a和檢測感測器45 1的投光部45 la分別分開配置在 基板90的兩侧。藉此,檢測感測器450向(+Y)方向照射雷射 光’檢測感測器45 1向(-Y)方向照射雷射光。 檢測感測器450、451的各受光部450b、451b如圖4及圖5 所示,較各投光部450a、45 la的Z軸方向的高度位置錯離配 置在(+Z)方向。更加詳細說明,從各投光部450a、45 la所 102712.doc 14 1295590 照射之雷射光的直接光較入射位置在(+z)方向錯離配置有 各受光部450b、451b。投光部450a、45 la將雷射光分別照 射在沿Y軸的方向(亦可稍微向((-Z)方向傾斜)。 圖6係表示在經由檢測感測器450檢測之際,不存在對象 物之情形的雷射光的執跡之圖。圖7係表示在經由檢測感測 器450檢測之際,存在對象物之情形的雷射光的執跡之圖。 根據圖6及圖7,說明於本實施形態之檢測感測器45〇檢測對 0 象物之原理。此外,關於檢測感測器45 1,只是雷射光的照 射方向相異,而檢測對象物之原理也和檢測感測器45〇大致 相同,所以省略說明。 如圖6所示’受光部45Ob配置在從接受由投光部450a所照 射之雷射光之中的直接光之位置向(+Z)方向偏移之位置。 即’於無對象物之情形,從投光部450a所照射之雷射光不 向受光部450b入射。另一方面,如圖7所示,在存在對象物 之情形’由投光部450a所照射之雷射光的一部分由對象物 _ 所反射,受光部450b接受該反射光。 即’於本實施形態之檢測感測器45〇、45丨係將由對象物 所反射之雷射光作為檢測光之雷射感測器,將表示由受光 部450b、451b所接受之檢測光的光量的信號傳達至控制部 7 ° 詳細後述’控制部7在從檢測感測器450、45 1所傳達之該 受光量為「0」之情形,判斷未能檢測出對象物,在受光量 大於「0」之情形,判斷檢測出對象物。 如圖7所示’即使存在對象物並且雷射光的一部分接觸對 102712.doc -15- 1295590 象物而被不規則反射,由於通常對象物較雷射光的點徑為 微小,所以其大半亦追蹤作為直接光的執跡。所以,在先 前的透過型雷射感測器,即使在存在對象物之情形受光部 亦較多接受直接光。因此,對象物遮蔽直接光而受光量的 衰減量微小。此外,基板9〇的尺寸大型化,投光部和受光 部的距離變遠,則雷射光的點徑變寬(參照圖12及圖14)。此 時,被對象物所遮蔽之受光量的衰減量進一步變小。 另一方面,由於感測器伴隨狹縫喷嘴移動,因伴隨移動 之振動而雷射光的射束會稍微振動。因此,來自投光部的 雷射光(直接光)偏離受光部,於受光部之受光量將衰減,在 先刖的裝置判斷檢測出對象物。即,由於存在對象物時的 哀減里你i小,所以由於被對象物所遮蔽而生成之受光量的 衰減和感測器的移動(振動)所生成之受光量的衰減的無法 區別’在先前的裝置有可能會發生錯誤檢測。頻繁發生錯 誤檢測,由於每一次狹縫喷嘴都要停止,所以具有產能下 降之問題。 然而,於本實施形態之基板處理裝置丨,受光部45〇b、45ib 配置在從接受雷射光的直接光之位置偏移之位置,藉由檢 測光的有無而檢測對象物的有無。即,較藉由受光量的衰 減量檢測對象物的有無之先前的手法,可抑制錯誤檢測。 再者,受光部450b配置在從接受由投光部450am照射之 雷射光的直接光之位置對於狹縫喷嘴41的掃描方向(χ軸方 向)向大致垂直方向偏移之位置。因振動而雷射光的振動主 要發生在狹縫噴嘴41的掃描方向,Z軸方向的振動比較少。 102712.doc -16- 1295590 斤乂 藉由焚光部45〇七配置在向(+Z)方向偏移之位置,可 更加抑制振動之錯誤檢測。 圖8係說明檢測感測器45〇檢測接近受光部45〇七之位置的 對象物之情形之圖。在對象物存在於接近受光部W⑽之位 置丨月形,從投光部450a所射出之雷射光的反射光LFL在受光 °P45〇b的位置,通過z軸方向比較低的位置。特別是基板90 為大型之情形,由於投光部45〇a和受光部45讣的距離遠, φ 所以為接受該反射光LFL必須將受光部450b調整於比較低 的位置,會接受從投光部45〇a所射出之雷射光的直接光 DRL。檢測感測器45〇由於無法區別直接光反射光 LFL ’所以在該情形有可能不能檢測出對象物。 為防止此事,只要在從基板90的端部向(+Y)方向比較偏 離之位置配置受光部450b即可。然而,考慮到基板處理裝 置1的下部印刷,受光部45〇b配置在基板90的端部附近為 佳。 • 因此在本實施形態之基板處理裝置丨,在如圖8所示之位 置存在對象物之情形,藉由從方向照射雷射光之檢測 感測器451而檢測。由於存在於(+γ)側之對象物和受光部 451b具有充分距離,所以受光部451b即使設置在不接受直 接光之充分的高度位置,亦可接受存在於(+γ)側之對象物 所反射之雷射光。 如此,藉由檢測感測器45〇的投光部45〇a和檢測感測器 451的投光部451a分別分開配置於保持在載物台3的基板9〇 的兩侧,檢測感測器450和檢測感測器451互補地起作用, 102712.doc •17- Ϊ295590 可不接受基板90的寬度影響而檢測掃描範圍E〇内的對象 物。 辅助檢測感測器452如圖4及圖5所示,投光部452 a和受光 部452b配置於大致相同高度的位置軸方向的位置),投光 部452a和受光部452b以對向之方式配置。本實施形態之辅 助檢測感測器452係藉由對象物遮蔽投光部452&所照射之 雷射光,根據受光部452b接受之雷射光的受光量的衰減量 鲁 檢測對象物之透過型雷射感測器。即,檢測對象物之原理 和於先則的裝置所使用之雷射感測器1〇〇(參照圖12及圖13) 相同。然而’和先前的裝置不同,為檢測對象物之臨限值 设定較低(衰減量多),設定為振動之衰減程度不會錯誤檢 測。即,輔助檢測感測器452係檢測比較大型的對象物之感 測器’不能檢測小的對象物,起作用作為檢測精確度粗的 感測器。 檢測感測器450如雷射光不到達受光部450b所配置側(+γ 馨 側)’則不能檢測對象物。同樣,檢測感測器45 1如雷射光 不到達受光部45 lb所配置側(-Y側),則不能檢測對象物。 例如,在存在將雷射光完全遮蔽之大型對象物之情形,從 投光部450a、45 la之任一所照射之雷射光都不會到達受光 部450b、451b。如此,在存在比預測大的對象物之情形, 控制部有可能誤認為不存在對象物。 因此’在本實施形態之基板處理裝置丨,設有輔助檢測感 測器452,以檢測遮斷雷射光的大型對象物。藉由如此防止 對象物的看漏,基板處理裝置1可更加高精確度地檢測對象 102712.doc -18· 1295590 物。再者’輔助檢測感測器452的臨限值雖說明設定較低, 但極端而言,亦可僅在於受光部452b之受光量為「〇」之情 形(被完全遮薇之情形)’判斷檢測出對象物。 返回圖1,控制部7根據程式處理各種資料。控制部?藉由 未圖示的電覽與基板處理裝置〗的各機構相連接,按照來自 間隙感測器42、線性編碼器5 1及檢測部45等的輸入,控制 載物台3、昇降機構43、44及移動機構5等之各構造。 尤其,控制部7基於來自檢測感測器45〇、45丨之輸入,一 邊監視各受光部450b、451b是否接受了雷射光,一邊判定 任一在接受雷射光時檢測出對象物。 此外,控制部7基於來自輔助檢測感測器452之輸入,運 算於受光部娜之雷射光的受光量,在藉由運算所求得之 受光量較預先所狀臨限料之情形,判定㈣描範圍e〇 内存在對象物。 於本實悲之基板處理裝置〗,控制部7在判定存在有 對象物之情形’將該對象物認為係接觸狹㈣嘴41之干涉 物。而且,為回避該對象物和狹縫噴嘴41的接觸而控制: 動機構5(輕馬達5G),停止狹縫噴嘴41之掃^再者,對 於檢測出對象物之情形的控制部7的控制動作,後述之。 再者’控制部7與未圖示之操作部(操作面板、鍵盤等)及 ^部(液晶顯示器或顯示按㈣)相連接,經由操作部接受 白= 乍者的指示之同時,#由顯示顯示部需要的資料而 乍者通知基板處理裝置1的狀態等。 以上係本實施形態之基板處理裝置丨的構成及功能的說 102712.doc -19- 1295590 明。 <1 ·2調整工作> 在基板處理裝置1,在對於基板9〇進行塗佈光阻液之處理 之前’由操作者進行檢測感測器450、45 1及輔助檢測感測 器452的Ζ軸方向的位置調整工作。該位置調整使用持有1〇 μιη 以下的定位精確度之微型量規進行。 檢測感測器450、451之投光部450a、45 la以照射之雷射 光沿基板90的表面之方式進行z軸方向的位置調整。在該情 形’由於雷射光之一部分被基板9〇所遮蔽,所以Z轴方向的 位置調整僅雷射光的點徑分可容許誤差,可比較曖昧地進 行調整。即,由於不需要嚴密的調整工作,可減輕調整工 作的負擔。 再者’此意味著在檢測感測器450、451,基板90的厚度 即使僅點徑分變化亦可對應。即,即使在處理厚度不同的 基板90之情形,由於其厚度變化只要在特定的範圍内不需 要再調整,所以亦可減輕調整工作的負擔。 決疋了投光部450a、45la的位置,檢測感測器45〇、45 i 的受光部4501)、45113暫且設置於接受從投光部45(^、451& 所照射之雷射光的直接光之位置。此時受光部45〇b、45 由於只要接受一部分雷射光(直接光)即可,所以該位置調整 比較曖昧即可。其次,將受光部45〇b v 4511)慢慢向(+z)方 向移動,將受光部450b、451b固定在不接受雷射光之位置。 如此,於受光部450b、451b的位置調整工作,較先前的裝 置亦減輕工作之負擔。 102712.doc -20- 1295590 輔助檢測感測器452的投光部452a為不將以正常狀態保 持在載物台3之基板90作為對象物錯誤檢測,其雷射光的光 路以較基板90的表面成為(+Z)方向的位置之方式進行位置 調整。即,一邊考慮基板90的厚度,一邊以載物台3的保持 面30為基準進行位置調整。此時,考慮基板9〇的厚度的均 勻性(通常為設計厚度的± 1 %以内)或保持面30的平坦加工 精確度等調整為佳。藉此,雷射光的光路以較基板9〇的表 面成為(+Z)侧之方式所調整。 再者,於基板處理裝置1,為防止狹縫喷嘴41和對象物的 接觸,必須檢測出較掃描範圍E0存在於(-Z)側之對象物。 所以,以雷射光的掃描範圍較掃描範圍E0包含(-ζ)侧的區 域之方式,調整投光部452a的Ζ轴方向的位置。 決定了投光部452a的位置,輔助檢測感測器452的受光部 452b以和投光部452a的Z軸方向的位置大致相同之方式所 調整。然而,在本實施形態之基板處理裝置1,粗糙設定輔 _ 助檢測感測器452的檢測精確度。所以,不需要如先前的裝 置以接受從投光部452a所照射之雷射光的大致1〇〇%之方式 嚴密調整受光部452b的位置。即,只要以該雷射光的點的 一部分被受光部452b所接受之方式調整即足夠,較先前可 減輕調整工作的負擔。 <1.3動作說明> 其次,對於基板處理裝置1的動作進行說明。圖9及圖1〇 係表示於基板處理裝置1的塗佈處理動作之流程圖。此外, 以下所示之各部分的動作控制只要不特別聲明,就由控制 102712.doc -21 - 1295590 部7所進行。 板處理凌置1 ’藉由以操作者或未圖示之搬送機構將 基板90搬送到特定的位置,開始光阻液的塗佈處理。此外, :、、、]。處理的扣示亦可在基板9 〇的搬送結束之時由操作者 操作操作部所輸入。 百先,載物台3將基板9〇吸附並保持在保持面3〇上的特定 位置。其次,藉由移動狹縫噴嘴41,將間隙感測器42移動 • 至為測定和基板90的間隙之測定開時位置(步驟S11)。該動 作藉由昇降機構43、44將狹縫喷嘴4 i的高度位置調整至測 疋同度之同時,線性馬達5〇將架橋構造4向又軸方向調整而 進行。 ^隙感測II 42的向測定位置的移動結束,線性馬達观 將架橋構造4向(+χ)方向移動。藉此,間隙感測器“保持特 疋的測疋咼度之同時,測定於基板9〇表面的塗佈區域之基 板9〇表面和狹縫喷嘴41的間隙(步驟S12)。此外,塗佈區域 馨久在土板9 0的表面之中欲塗佈光阻液之區域,通常係從基 板90的全面積減除沿端緣之特定寬度區域之區域。此外, 在進行間隙感測器42之測定之間,為了狹縫喷嘴41不與基 板90或異物之對象物相接觸,於基板處理装置丨,充分確保 於測定高度之狹縫喷嘴41和保持面3〇之間的z軸方向的距 離。 間隙感測器42的測定結果傳達至控制部7。而且,控制部 7將所傳達之間隙感測器42的測定結果與由線性編碼器Η 與所檢測之水平位置(X軸方向的位置)關聯化而保存在記 102712.doc -22^ 1295590 憶部。 構==掃描(測定)結束,線性馬達5。就將架橋 向X軸方向移動,將檢測部45向基板9G的端部 動(步驟S13)。此外,端部位置係存在於檢測部45之中最(x) 2之感測W財㈣形態為㈣調11450)的光軸大好 基板的⑼侧的邊緣之位置。此外,藉由間隙感測器二 =定’料基板90的厚度不在指㈣圍以内時,基板處
顯不部等顯示警報,將狹縫喷嘴41移動至待機位 置之同時,排出檢測出異常之基板9〇。 檢測部45移動至端部位置,控制部7就藉由停止線性馬達 Μ 1止架橋構造4。再者’基於來自間隙感測器42的測定 結果,算出於狹縫喷嘴410Ζ平面之姿勢成為適宜之姿勢 (狹縫噴嘴41和塗佈區域的間隔為塗佈光阻液之適宜的間 隔(於本實施形態為50〜200 μηι)。以下,稱為「適當姿勢」) 之喷嘴支持部40的位置,基於算出結果控制各昇降機構 43、44並將狹縫喷嘴41調整至適當姿勢。 基板處理裝置1的檢測部4 5由於較狹縫喷嘴4丨配置在(_ χ) 側,所以在檢測部45於端部位置之狀態,狹縫喷嘴41向不 與基板90對向之位置移動。所以,即使在檢測部化於端部 位置之狀態將狹縫喷嘴41向卜Ζ)方向移動而調整為適當姿 勢,亦幾乎沒有狹縫喷嘴41與對象物相接觸之危險性。 狹縫喷嘴41的姿勢調整結束,控制部7就開始檢測部45 之對象物的檢測(步驟s 14)。再者,驅動線性馬達5〇,一邊 將架橋構造4向(-Χ)方向移動(步驟S21),一邊基於來自檢測 102712.doc -23- 1295590 部45的輸出,判定是否檢測出對象物(步驟S22)。在判定由 任檢測感測器450、451及輔助檢測感測器452檢測出對象 物時,進行步驟S27以後的處理,防止狹縫噴嘴4丨接觸對象 物,詳細後述之。 另方面,在未檢測出對象物時,基於線性編碼器5 j的 輸出,控制部7—邊確認狹縫噴嘴41的位置,一邊直至狹縫 噴嘴41移動至噴出開始位置,反復進行步驟S21至幻3的處
理(步驟S23)。此外,喷出開始位置係狹縫噴嘴“大致沿著 塗佈區域的(+X)側之邊之位置。 狹縫噴嘴移動至喷出開始位置,就藉由光阻用栗(未圖 示)輸送光阻液至狹縫喷嘴41,狹縫喷嘴將光阻液噴出於塗 佈區域。與該喷出動作共同,線性馬達50將狹縫喷嘴41移 動至⑼方向(步驟S24)。藉此’基板9〇的塗佈區域由狹縫 贺嘴41所掃描,塗佈光阻液。與步驟s24的移動動作平行, 和步驟S22同樣,藉由控制部7進行是否檢測出對象物 定(步驟S25)。 於步驟S25 ’在控制部7判定檢測出對象物時(於步驟S25 為帅藉由控制部7停止線性馬達5〇,停止狹縫嗔嘴“的 向的移動動作之同時,輸出警報至顯示部等(步驟 二再者’於步驟S22 ’在控制部7判定檢測 亦大致同樣實行步驟S27。 于 那此,在基板處 檢測出對象物時,藉由立即停止狭海 多動’可防止狹縫喷嘴41和對象物的接觸"“ 102712.doc -24- 1295590 可有效防止狹縫喷嘴41或基板9〇等因接觸而破損。 此外,由於藉由輸出警報可對操作者通知異常,所以可 有效進打恢復工作等。此外,警報若為可使操作者得知異 吊事怨的發生者,則可為任意之手法,經由揚聲器等輸出 警報聲亦可。 步驟S27的實行後,停止光阻用泵而停止光阻液的喷出, 藉由線性馬達50及昇降機構43、44將狹縫喷嘴41退避至待 _ 機位置(步驟S28)。此外,將基板9〇從基板處理裝置丨搬出(步 驟S29)。再者,於步驟S22檢測出對象物時,由於還未開始 光阻液的噴出’所以不進行停止光阻液的喷出之處理。再 者,實行了步驟S27之結果所搬出之基板9〇與其他的基板9〇 區別’操作者或搬送機構搬送至再處理工序。此外,如圖4 及圖5所示,由於亦考慮到異物NG附著在載物台3之情形, 在貫行步驟27時,進行載物台3的清洗為佳。 另一方面’於步驟S25未檢測出對象物時(在步驟S25為 φ N〇),基於線性編碼器5 1的輸出,控制部7—邊確認狹縫喷 嘴41的位置’一邊直至狹縫噴嘴41移動至噴出結束位置, 反復進行步驟S24至S26的處理(步驟S26)。如此,在不存在 對象物時’對於塗佈區域全區域進行狹縫喷嘴4丨之掃描, 在該塗佈區域的全區域之基板9〇的表面上形成光阻液層。 狹縫喷嘴41移動到噴出結束位置,控制部7就停止光阻用 栗而停止光阻液的喷出,藉由線性馬達5〇及昇降機構43、 44將狹縫喷嘴41退避至待機位置(步驟S28)。與該動作平 行’控制部7停止檢測部45之對象物的檢測。 102712.doc -25- 1295590 卜載物台3停止基板9 〇的吸附,操作者或搬送結構將 基板90從保持面3〇提起,將基板9〇搬出至其次之處理工序 (步驟S29)。 此外亦可在塗佈處理結束時進行光阻液的膜厚的檢測 處理。即,藉由昇降機構43、44將噴嘴支持部40向(+ζ)方 向移動,將間隙感測器42移動至測量高度。此外,藉由線 性馬達50將架橋機構4向(+χ)方向移動,間隙感測器42掃描 塗佈區域,測量與形成在基板9〇上的光阻膜的間隙而傳達 至控制部7。控制部7藉由將在光阻液塗佈前所測量之間隙 值(和基板90的表面的距離)與在光阻液塗佈後所測量之間 隙值(和光阻膜的表面的距離)進行比較,算出基板9 〇上的光 阻膜的厚度,將算出結果顯示在顯示部等。 基板90的搬出處理(步驟S29)結束,在進一步連續對複數 片基板90進行處理時,返回步驟su反復進行處理,在不存 在應處理之基板90時結束處理(步驟S3〇)。 如上所述,本實施形態之基板處理裝置丨配置在從接受由 投光部450a、451a所照射之雷射光之中之直接光之位置偏 離之位置,具備將由投光部450a、45 la所照射之雷射光之 中由對象物所反射之雷射光作為檢測光而接受之受光部 450b、451b,在受先部450b、451b接受檢測光時,藉由檢 測出對象物,受光部450b、45 lb的位置比較曖昧即可,所 以可減輕調整工作之負擔。再者,由於即使甚微只要受光 部450b、45 lb接受檢測光即可檢測出對象物,所以可抑制 基板90的寬度影響,提高精確度。 102712.doc -26- 1295590 此外,藉由受光部450b、45 lb配置在從接受雷射光之直 接光之位置對於狹縫喷嘴41的掃描方向向大致垂直方向偏 移之位置,可抑制由狹縫喷嘴之掃描所發生之振動的影 響。所以’可抑制錯誤檢測,而可取得正確的檢測結果。 此外,具備在狹縫喷嘴41的掃描中檢測和狹縫喷嘴4 j有 相干涉之可能性之對象物之輔助檢測感測器452,輔助檢測 感測器452之受光部452b配置在和投光部452a相對向之位 置,接受由投光部452a所照射之雷射光的直接光,在於受 光部45 2b之直接光的受光量成為特定的臨限值以下時,藉 由檢測出對象物’可檢測之對象物的範圍擴大。 此外,檢測感測器450的投光部450a和檢測感測器45 1的 投光部45 la各自分開配置在保持在載物台3之基板9〇的兩 側,藉此可不受基板的寬度影響而檢測對象物。 此外,藉由檢測部45安裝在移動機構5,即使在更換狹縫 喷嘴41時,亦不需要再次進行檢測部45的位置調整,可使 工作有效化。 <2·第2實施形態> 在第1實施形態以將檢測部45安裝在移動機構5之方式構 成,但檢測部45的安裝位置不限於此,只要係可檢測出對 象物之位置,可安裝在任意處。 圖η係於基於該原理而構成之第2實施形態之基板處理 裝置1a的檢測部45的周邊部之放大圖。基板處理裝置13如 圖11所示,檢測部45安裝在噴嘴支持部40。狹縫噴嘴41盥 上述實施形態同樣,gj定設置在噴嘴支持部Μ,狹縫喷嘴 1027l2.doc -27· 1295590 41和喷嘴支持部40—體移動。在噴嘴支持部4〇固定設置有 狹縫喷嘴41 ^所以,檢測部45以保持和狹縫喷嘴41之相對 距離之狀態而一體移動。 此外,基板處理裝置1&除了檢測部45安裝在喷嘴支持部 4〇之外,具有和第i實施形態之基板處理裝置丨大致同樣之 構成H,對於基板處理裝置1&的動作亦大致和基板處 理裝置1同樣。然@,在基板處理裝置i以載物台3的保持面 30的位置為基準進行檢測感測器彻、451及辅助檢測感測 器452的Z軸方向的位置調整工作,而在基板處理裝置㈣ 狹縫喷嘴41ό0(_Ζ)側的端部為基準進行該等之z軸方向的 位置調整工作。 如上所述,如第2實施形態之基板處理裝置u,即使 ^支持部4G安裝有檢測部45之情形,亦可取得和第!實施形 恶之基板處理裝置1大致同樣的效果。 =’藉由以保持和狹縫喷嘴41之相對距離之狀態而一 =2動之方式安裝有檢測感測器45〇、451及辅助檢測感測 in:進行檢測部45和狹縫噴嘴41的相對距離的調整 狹縫噴嘴41的姿勢(主要_方向的 ==成為—定,可提高檢測精確度。此二 ==:::進:Γ:變更了處理之— 化。 置5周整卫作’可謀求X·作的效率 <3·變形例> 以上,對於本發明之實施方式進行 了說明 但本發明不 102712.doc -28- 1295590 限於上述實施方式,可有多種多樣的變形。 —例如在第2實施形ϋ之基板處理裝£la,㈣了檢測糾 安裝在喷嘴支㈣40 ’但例如檢測部45亦可直接安裝在狭 縫噴嘴41。 在上述實施方式,辅助檢測感測器452各自具備投光部 a及又光σρ 452b。然而,輔助檢測感測器452為僅具備受 光部452b之構成亦可實現。圖16係表示於基於如此之原理 而構成之憂形例之檢測感測器45〇和辅助檢測感測器之 S如圖16所示,將輔助檢測感測器4 5 2的受光部4 5 2 b配置 在與檢測感測器450的投光部450a對向之位置。即,於投光 部450a和受光部452b之位置,以χ軸方向及2軸方向的位置 大致相等之方式配置。若如此配置,受光部45孔會接受從 投光部450a所照射之雷射光的直接光。即使如此構成,辅 助k測感測器452亦可取得和上述實施形態同樣的效果。再 者’藉由輔助檢測感測器452兼作檢測感測器45〇之投光部 45 0a ’可使裝置構成簡化。此外,輔助檢測感測器452使用 之投光部不限於投光部450a,為投光部451a亦可。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之正面圖。 圖2係基板處理裝置之檢測部的周邊部的放大圖。 圖3係表示狹縫噴嘴的掃描範圍和檢測感測器的配置關 係之平面圖。 圖4係表示狹縫噴嘴和檢測感測器的配置關係之右侧面 圖0 102712.doc -29- 1295590 圖5係表示狹缝喷嘴和檢測感測器的配置關係之左側面 圖。 圖6係表示檢測感測器檢測之際不存在對象物時的雷射 光執跡之圖。 圖7係表示檢測感測器檢測之際存在對象物時的雷射光 轨跡之圖。 圖8係說明檢測感測益檢測接近受光部之位置的對象物 時之圖。 圖9係表示基板處理裝置的動作之流程圖。 圖1 〇係表示基板處理裝置的動作之流程圖。 圖11係第2實施形態之基板處理裝置的檢測感測器的周 邊部之放大圖。 圖12係為說明用於先前的塗佈裝置之透過型雷射感測器 檢測干涉物之原理之概念圖。 圖係為說明用於先前的塗佈裝置之透過型雷射感測器 檢測干涉物之原理之概念圖。 圖丨4係為說明用於先前的塗佈裝置之透過型雷射感測器 檢測干涉物之原理之概念圖。 圖15係為說明用於先前的塗佈裝置之透過型雷射感測器 檢測干涉物之原理之概念圖。 圖16係表示於變形例之檢測感測器和輔助檢測感測器之 圖。 【主要元件符號說明】 1? U 基板處理裝置 102712.doc -30- 1295590
3 載物台 30 保持面 41 狹縫喷嘴 43, 44 昇降機構 45 檢測部 450, 451 檢測感測器 450a,451a 投光部 450b, 451b 受光部 452 輔助檢測感測器 452a 投光部(輔助投光部) 452b 受光部(輔助受光部) 5 移動機構 50 線性馬達 7 控制部 90 基板 DRL 直接光 E0 掃描範圍 LFL 反射光 NG 異物
102712.doc -31

Claims (1)

1295590 十、申請專利範圍·· 1 · 一種基板處理裝置,1 4主《 士 ^ 處理… 政在於:在基板上塗佈特定之 處理液,並且具備·· 保持機構,其係保持基板者; 喷其係對於保持在上述保持機構之上述基板 T出特疋之處理液者; =構,其係使保持在上述保持機構之上述基板與 的出機構相對移動’並使上述喷出機構對於上述基 板之掃描執行者; 至少一個檢測機構,1孫立 、目^ 係在上述喷出機構之掃描中檢 測有可能與上述喷出機構相干涉之對象物者,·及 控制機構,其係根據上述檢测機構之檢 述移動機構者,·其中 禾匕制上 上述檢測機構具備·· 投光部,其係照射雷射光者;及 受光部’其係配置在從接受由上述投光部所照射之雷 射光之中之直接光之位置偏離之位置,並接受由上述投 光部所照射之雷射光之中由上述對象物所反射之雷射光 作為檢測光者,· 上述檢測機構在上述受光部接受上述檢測光時,將檢 測出上述對象物之檢測結果傳達至上述 2·如請求項!之基板處理裝置,其中 上述受光部配置在對於上述噴出機構之掃描方向向大 致垂直方向偏離之位置者。 102712.doc 1295590 3.如凊求項1之基板處理裝置,其中 上述投光部在保持在上述保持機構之上 向大致平行方向照射上述雷射光。 4·如請求項1之基板處理裝置,其中 ' γ /、備輔助檢測機構,其係在上述喷出機構之 掃描中檢财可能與上料线構相干涉之對象物者; 上述辅助;k測機構具備:辅助受光部,其係配置在與 • 上述投光部或辅助投光部對向之位置,並接受從上述投 光部或上述輔助投光部所照射之上述雷射光之直接光; 上述辅助心測機構在於上述辅助受光部之上述直接光 之受光量成為特定之臨限值以下時,將檢測出上述對象 物之檢測結果傳達至上述控制機構; 上述控制機構按照上述檢測機構之檢測結果及上述辅 助檢測機構之檢測結果控制上述移動機構。 5 ·如請求項1之基板處理裝置,其中 •具備兩個以上上述至少—個檢測機構; -個檢測機構之上述投光部與其他檢測機構之上述投 光部分別分開配置在保持在上述保持機構之上述基板之 兩側。 102712.doc
TW094121998A 2004-08-27 2005-06-29 Substrate processing apparatus TWI295590B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004248297A JP4417205B2 (ja) 2004-08-27 2004-08-27 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200607578A TW200607578A (en) 2006-03-01
TWI295590B true TWI295590B (en) 2008-04-11

Family

ID=36092477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094121998A TWI295590B (en) 2004-08-27 2005-06-29 Substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4417205B2 (zh)
KR (1) KR100676240B1 (zh)
CN (1) CN100404146C (zh)
TW (1) TWI295590B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399822B (zh) * 2009-04-03 2013-06-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TWI413201B (zh) * 2008-05-26 2013-10-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a memory medium

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100643397B1 (ko) * 2005-11-17 2006-11-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 감지장치
JP4587950B2 (ja) * 2005-12-22 2010-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4967446B2 (ja) * 2006-05-12 2012-07-04 凸版印刷株式会社 スリットノズルによる塗膜形成時に付着した異物の検出方法及びガラス基板の板厚監視方法
JP4520975B2 (ja) * 2006-12-06 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP4916971B2 (ja) * 2007-07-30 2012-04-18 株式会社アルバック 塗布装置
JP2010217086A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Anritsu Corp 印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置
JP5108909B2 (ja) 2010-03-12 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 裏面異物検出方法及び裏面異物検出装置及び塗布装置
JP5679866B2 (ja) * 2011-02-28 2015-03-04 東レエンジニアリング株式会社 塗布装置および塗布方法
CN102680496B (zh) * 2011-04-15 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 异物检测装置及方法
JP6106964B2 (ja) * 2012-06-25 2017-04-05 セイコーエプソン株式会社 印刷装置、及び印刷方法
JP5714616B2 (ja) * 2013-01-21 2015-05-07 中外炉工業株式会社 塗工装置
TWI637432B (zh) 2015-04-09 2018-10-01 東京威力科創股份有限公司 Foreign matter removing device, foreign matter removing method, peeling device, foreign matter detecting method, and foreign matter detecting device
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
JP6787294B2 (ja) * 2017-10-31 2020-11-18 セイコーエプソン株式会社 ロボットシステム、制御方法、及びロボット
JP7028607B2 (ja) * 2017-11-06 2022-03-02 株式会社ディスコ 切削装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2740588B2 (ja) * 1991-07-24 1998-04-15 日立テクノエンジニアリング株式会社 塗布描画装置
CN1262354C (zh) * 1995-07-24 2006-07-05 松下电器产业株式会社 结合剂涂敷装置
JPH11300257A (ja) * 1998-04-24 1999-11-02 Toray Ind Inc 凹凸基材への塗液の塗布装置およびプラズマディスプレイの製造装置
WO2002053297A1 (fr) * 2000-12-27 2002-07-11 Toray Industries, Inc. Embout buccal et dispositif, et procede d'application d'un fluide de revetement
US7046353B2 (en) * 2001-12-04 2006-05-16 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection system
JP4104924B2 (ja) * 2002-07-08 2008-06-18 東レエンジニアリング株式会社 光学的測定方法およびその装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413201B (zh) * 2008-05-26 2013-10-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a memory medium
TWI399822B (zh) * 2009-04-03 2013-06-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060053901A (ko) 2006-05-22
CN100404146C (zh) 2008-07-23
KR100676240B1 (ko) 2007-01-30
CN1739865A (zh) 2006-03-01
JP4417205B2 (ja) 2010-02-17
JP2006061854A (ja) 2006-03-09
TW200607578A (en) 2006-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI295590B (en) Substrate processing apparatus
JP7619489B2 (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
US6864955B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus and method for exposing substrate plate
JP4429037B2 (ja) ステージ装置及びその制御方法
US20100024723A1 (en) Substrate alignment apparatus and substrate processing apparatus
US8496462B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP4490779B2 (ja) 基板処理装置
JP5235566B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
TWI289481B (en) Substrate processing apparatus
JP2013077677A (ja) 描画装置およびその焦点調整方法
JP4228137B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JPH04122013A (ja) 露光装置
JP2003347190A (ja) 基板処理装置
JP4544761B2 (ja) プロキシミティギャップ制御方法、プロキシミティギャップ制御装置及びプロキシミティ露光装置
JP2003243286A (ja) 基板処理装置
KR20190134224A (ko) 펠리클 오염물질 제거 장치
JP2006100590A (ja) 近接露光装置
JPH10194450A (ja) 基板搬送方法及び基板搬送装置
JPH11145248A (ja) 基板搬送装置および露光装置
JP7633045B2 (ja) 露光方法および露光装置
JP3408057B2 (ja) 露光装置および方法
JPH10163300A (ja) ステージ装置
JPH09320948A (ja) 基板の受け渡し方法及び露光装置
KR20070094452A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP2025040605A (ja) 基板厚み測定装置、基板貼り合わせシステムおよび基板厚み測定方法