[go: up one dir, main page]

TWI293578B - Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents

Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI293578B
TWI293578B TW094101573A TW94101573A TWI293578B TW I293578 B TWI293578 B TW I293578B TW 094101573 A TW094101573 A TW 094101573A TW 94101573 A TW94101573 A TW 94101573A TW I293578 B TWI293578 B TW I293578B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
cleaning
liquid
cleaning liquid
specific
Prior art date
Application number
TW094101573A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200534925A (en
Inventor
Yoshinori Takagi
Yasuhiro Kawaguchi
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg filed Critical Dainippon Screen Mfg
Publication of TW200534925A publication Critical patent/TW200534925A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI293578B publication Critical patent/TWI293578B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

1293578 , · 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 •本發明係關於一種將噴出特定處理液之噴出噴嘴洗淨的 技術。 【先前技術】 眾所周知下述基板處理裳置,其於液晶用玻璃矩形基 板、半導體晶圓、薄膜液晶用可撓性基板、光罩用基板、 濾、色器用基板(以下,簡稱為「基板」)等之表面,㈣抗 蝕劑等處理液。於如此之基板處理裝置中,藉由自噴出噴 嘴喷出抗蝕劑液,於基板表面形成抗蝕劑液之塗佈膜。 圖18至圖20係階段性表示下述情形之概念圖:於將抗餘 劑液塗佈於基板之基板處理裝置中,由於重複塗佈處理從 而導致抗蝕劑液之附著物殘留於喷出噴嘴。圖18係於初始 狀態表示狹縫喷嘴1〇〇之前端部為正常狀態。又,圖19係 表示對於數十枚基板實施塗佈處理之狀態,圖2〇係表示對 • 於數百牧基板實施塗佈處理之狀態。即,於如此之基板處 理裝置中,若對於基板重複實施塗佈處理,則抗蝕劑液r 將逐漸殘留於噴口 101之周邊或狹縫噴嘴1〇〇之前端部側 面0 特別是,如圖19以及圖20所示,於使用狹縫喷嘴1〇〇實 施塗佈處理之基板處理裝置(隙縫塗佈機)中,若藉由於不 均一地附著有抗蝕劑液R之狀態下的狹縫喷嘴1〇〇實施塗佈 處理,則將會產生條紋狀之塗佈斑塊。故而,為穩定實施 塗佈處理,必須定期洗淨去除殘留於喷口 1〇1之周邊的抗 98458.doc 1293578 蝕劑液R。考慮到如此夕s Λ ^ ^ 里由’自先前則建議有實施噴嘴 洗淨處理之基板處理署,点丨丄』 ^ 处里展置,例如揭示於專利文獻1。 先前之基板處理裝詈,狄 '置,、具備噴出洗淨液之洗淨喷嘴, 於喷嘴洗淨處理中通常之手法為自該洗淨噴嘴,朝向噴出 喷嘴之前端部供給洗淨液。並且,為提高其洗淨效果,'業 者要求,增加洗淨液之徂 旦 狀之仏、、,口里’並且迅速吸引排出用於洗 淨之洗淨液。即,紫去1^ P苐者要求提兩吸引噴出喷嘴之前端部時 之吸引力。
[專利文獻1 ]曰本專利特開平11 - 0 7 417 9號公報 [發明所欲解決之問題] 二而於先則之基板處理裝置中,存在如下問題:若增 大及引力貝1自喷Π至噴出喷嘴内所填充之抗餘劑液汉會 受到吸引從而被吸出。特別是’於抗餘劑液(處理液)為低 黏度之情形時,該問題更為顯著。 圖21係表示於抗蝕劑液汉被吸出之部分中混入有空氣之 狀L又,圖22係表示於抗蝕劑液R被吸出之部分中混入 有洗淨液“洗液LQ)之狀態。如此,於先前之基板處理裝 置中’若為提高洗淨力而增大吸引力,則由於洗淨後之喷 出噴嘴於長度方向成為不均一等之狀態惡化,將無法增加 吸引力,因而提高洗淨處理中之洗淨效果方面存在限度。 又’於先則之基板處理裝置中,存在如下問題:即使於 喷嘴洗淨處理結束之狀態,條紋狀附著物亦會殘留於喷出 喷嘴之前端部側面。圖23係表示於先前之基板處理裝置 中’於喷嘴洗淨處理後所發現之條紋狀附著物RL的圖。圖 98458.doc Ϊ293578 23所示之附著物RL係於狹縫喷嘴100之前端部側面之供給 有洗淨液範圍中最高位置附近,由於滞留有所溶解之抗敍 劑液與洗淨液的混合液等而得以形成者。如此之附著物 亦可使洗淨後之狹縫噴嘴100之狀態惡化。 本發明係鑒於上述課題而製成者,其目的在於提高噴出 噴嘴之洗淨處理中之洗淨效果。 【發明内容】
為解決上述課題,請求項丨之發明係一種噴嘴洗淨裝 置,其特徵在於:其係將自設置於前端部之噴口喷出特定 處理液之喷出喷嘴加以洗淨者,其具備 朝向上述喷出喷嘴之前端部附近,自噴σ供給特定洗淨 液之洗淨液供給機構, 藉由吸引口吸引藉由上述洗淨液供給機構所供給之上述 特定洗淨液之吸引機構,且 以上述喷口 可大致成為上述料處理液之停滯點之 方式’調整上述吸引機構之吸引力。 又,請求項2之發明係與請求項以發明相關之喷嘴洗淨 裝置’其中進而具備遮蔽構件,上述遮蔽構件具有上述噴 出喷嘴之喷口較短方向寬度以上之厚度,且配置於上述喷 出喷嘴之喷口下方周圍,且 、 上述吸引機構之吸引口藉由白μ 由自上述遮斷構件之下方實施 吸引,從而調整上述喷出喰喈 喊 之吸引力 ®赁鳴之喷口周圍的上述吸引機構 又 請求項3之發明係與請求項2之發 明相關之喷嘴洗淨 98458.doc j293578 裝置,其中上述遮蔽構件 述r:供給機構所供給之二上 又’請求項4之發明係與請求項=下,。 請,其中上述吸引機構藉由自上述c賀嘴洗淨 方霄施吸引,從而調整上述噴 之贺之爾側 引機構之吸引力。 、之噴口周圍的上述吸 又,請求項5之發明係與請 裝置’其中上述吸引機構之…較嘴洗淨 構之喷口更接近配置於上述噴出喷^上迷洗淨液供給機 又’請求項6之發明係盥誥卡 裝置,其中自1置 > 、之發明相關之噴嘴洗淨
口,排出出噴嘴之前端部下方的排出 液,上述洗淨液供給機構所供給之上述特定J :,=項7之發明係與請求項6之 ▲置,其中進而具備配置於 km子 籲具有導向面之引導構件,上述導向面將辟=端部下方且 給機構所供給之上述特定洗淨液導向下方曰。逑冼淨液供 又,請求項8之發明係與請求項丨之發 =,其中進而具備調整上述洗淨 構= 先淨 定洗淨液之供給位置的調整機構。 《構中的上述特 又,請求項9之發明係與請求項8之發 裝置,其中上述調整機構具有特定厚度之分J物贺嘴洗淨 淨^置1 <發明相關之噴嘴洗 /衣、、上述噴出喷嘴…係延伸於特定方向之隙 98458.doc I293578 縫,曰、铨 進而具備使上述洗淨液供給機構沿著上述 移動之掃描機構。 寺疋方向 又,請求項II之發明係與請求項丨之發明相關 攻置,其中上述喷出喷嘴之喷口係延伸於特 縫, 〜乃同之隙 、,而上述洗淨液供給機構可大致同時供給上述特& 夜於知、跨上述喷出喷嘴之前端部中之上述特定方从< 體寬度上。 σ上的整 淨:置請ίΓ之發明係與請求項1之發明相關之喷嘴洗 :裝置’其中進而具備將特定氣體供給至上述噴 刖端部的氣體供給機構,且藉由來自 、 L 4 褙田术目上述軋體供給機構之 上述特定氣體之供給位置設於f自 來自上述洗淨液供給機構之 上述特疋洗淨液之供給位置之上方。 又,凊求項13之發明係一種嘻喈 於·甘及… 種嘴% /先淨裝置,其特徵在 ;·八係將自設置於前端部之喷 噴嘴加以洗淨者,其具# f噴出特-處理液之噴出 朝向上述喷出喷嘴之前端部附近 液供給機構, #疋洗#液之洗淨 吸引藉由上述洗淨液供給機構 的吸引機構,X 〈上迷特疋洗淨液 上述洗淨液供給機構具備 複數個朝向上述喷出喷嘴 之洗淨喷嘴, 卩噴出上述特定洗淨液 並且來自上述複數個洗淨噴 、十、驻—冰、容、广々糾从 、 至^、一個洗淨喷嘴之上 述特疋洗淨液之供給位置以對於 木自其他洗淨噴嘴之上述 98458.doc 10· 1293578 特定洗淨液之供給位置,於高度方向上相異之方式得以配 置。 又,請求項14之發明係一種基板處理裝置,其特徵在 於··其係於基板上塗佈特定處理液者,且具備 保持基板之保持機構, 自設置於前端部之噴口喷出特定處理液至保持於上述保 持機構之基板表面的噴出喷嘴,以及 ’'
,且 給特疋洗淨液之洗淨 洗淨上述喷出噴嘴之喷嘴洗淨裝置 上述喷嘴洗淨裝置具備 朝向上述噴出噴嘴之前端部附近供 液供給機構, 的吸引機構 並以上述喷口周圍可大较 之方々坰敕 為上述特定處理液的停、、帶點 之方式,调整上述吸引機構之吸引力。 ^滯點 又,請求項15之發明係—種基 於··其係於基板上塗佈# 处漩置,其特徵在 ㈣且4 佈特疋處理液者’且具備 保持基板之保持機構, 自設置於前端部之 持機構之基板表面的噴出噴嘴特理液至保持於上述保 洗淨上述噴出噴 上述嘴嘴洗淨衷置具^ ^置,立 朝向上述噴出噴 液供給機構,、 4附近供給特定洗淨液之洗淨 98458.doc 1293578 的==構由上述洗淨液供給機構所供给之上述特定洗淨液 上述洗淨液供給機構具備 複數個朝向上述喷出噴嘴 之洗淨噴嘴, a p嘴出上迷特定洗淨液 、並且來自上述複數個洗淨噴嘴中至少—個洗淨上 ^特定洗淨液之供給位置以對於來自其他洗淨噴嘴之上述 置。 於阿度方向上相異之方式得以配 [發明之效果] 於請求項1至12以及14之發明中,可藉由以噴口周圍大 :成為特定處理液之停滯點之方式調整吸引機構 2 =由吸引迅速排出洗淨液與污染物,並^制 口吸出喷出喷嘴内之處理液。 、 於明求項2之發明中’進而具備遮蔽構件,並且吸 構之吸引口自遮斷構件下方實施吸引,藉此調整噴出喷嘴 :喷口周圍的吸引機構之吸引力,從而由此可易於實現笋 ’項1之發明’而上述遮蔽構件係具有噴出噴嘴之喷口^ 較短方向窗庚μ e A ^ 周圍者。予度,且配置於噴出喷嘴之喷口下方 於:求項3之發明中’可藉由具有導向面,進而迅速排 出洗淨液’上述導向面係將藉由洗淨液供給 特定洗淨液導向下方者。 、、、、D之 ;月求項4之發明中,藉由自噴出喷嘴之前端部側方實 98458.doc 1293578 施吸引,從而調整喷出噴嘴之喷口周圍的吸引機構之吸引 力,藉此可易於實現請求項1之發明。 % 於請求項6之發明中,由於自設置於喷出喷嘴之前端部 下方的排出口,排出藉由洗淨液供給機構所供給之特定洗 ,淨液,藉此可排出洗淨液而並非僅依賴於吸引機構,因此 可採用較小容量機構作為吸引機構。 於請求項7之發明中,進而具備配置於噴出喷嘴之前端 g 部下方且具有導向面,藉此可自排出口有效排出洗淨液, 上述導向面係將藉由洗淨液供給機構所供給之上述特定洗 淨液導向下方者。 於請求項8之發明中,可藉由進而具備調整來自洗淨液 供給機構之特定洗淨液之供給位置之調整機構,並根據處 理液之附著狀況,靈活調整洗淨之位置。 於請求項9之發明中,藉由調整機構為具有特定厚度之 分隔物,從而可易於實現請求項8之發明。 φ 於請求項10之發明中,可藉由噴出噴嘴之喷口係延伸於 特定方向之隙縫,且進而具備使洗淨液供給機構沿著特定 方向移動之掃描機構,實現裝置整體之小型化。 於請求項11之發明中,可藉由洗淨液供給機構可大致同 時供給特定洗淨液於橫跨喷出喷嘴之前端部中之特定方向 全部寬度,從而縮短喷嘴洗淨所需之時間。 於請求項12之發明中,具備將特定氣體供給至喷出喷嘴 之前端部的氣體供給機構,且使來自氣體供給機構之特定 氣體之供給位置位於來自洗淨液供給機構之特定洗淨液之 98458.doc 13 ⑧ Ϊ293578 供給位置之上方,藉此可促進乾燥洗淨液。 „、於請求項u以及15之發明中,藉由複數個洗淨喷嘴令至 乂個洗甲噴嘴之特定洗淨液之供給位置以對於其他洗淨 =之特定洗淨液之供給位置,於高度方向上相異之方式 而侍以配置’可防止條紋狀附著物殘留於噴出噴嘴。從: 可提高洗淨效果。 < 【實施方式】 以下’就本發明之較好的實施形態,—面參照附圖 詳細說明。 < 1 ·第一實施形態> 圖1係表示本發明之基板處理裝置1的立體圖。又,圖2 係表示基板處理裝置i之塗佈處理之主要構成的側視圖。θ 再者,圖丨中為方便圖示以及說明,定義為2軸方向表示 垂直方向’ ΧΥ平面表示水平面,但該等僅是為把握位置 關係而方便定義者,並非限定以下說明之各方向^關於下 述圖式亦為相同。 基板處理裝置1大致區分為本體2與控制部8,並將用以 製造液晶顯示裝置之晝面面板的矩形玻璃基板作為被處理 基板(以下,只稱為「基板」)9〇,於用以選擇性蝕刻形成 於基板90表面之電極層等的微影製程中,作為於基板卯表 面塗佈作為處理液之抗蝕劑液的塗佈處理裝置而構成。因 而,於本實施形態中,狹縫喷嘴41可喷出抗蝕劑液。再 者’基板處理裝置!亦可變形利用作為不僅將處理液塗佈 於液晶顯示裝置用之玻璃基板,通常亦將處理液塗佈於平 98458.doc -14- 1293578 板顯示器用之各種基板的裝置。 本體2具備平臺3,該平臺3係起作用作為用以載置並保 , 持基板90之保持台,並且亦起作用作為附屬之各機構之基 • 台。平臺3係具有長方體形狀的例如一體之石製,其上面 - (保持面30)以及側面加工為平坦面。 平臺3上面形成水平面,成為基板9〇之保持面3〇。於保 持面30上分佈形成有並未圖示之多數真空吸附口,於基板 參 處理裝置1上處理基板90之期間藉由吸附基板9〇,將基板 90保持於特定水平位置。又,於保持面3〇空開適宜間隔設 有藉由並未圖示之驅動機構而上下自由升降之複數個起模 頂柃LP。起模頂桿lp用於卸除基板9〇時推上基板9〇。 於保持面30中隔著基板9〇之保持區(保持基板9〇之區域) 之兩端部,固定設置有一對平行延伸於大致水平方向之移 動軌道31。移動執道31與固定設置於架橋構造4之兩端部 取下方之並未圖示之支持組塊共同構成引導架橋構造4之 _移動(將移動方向規定為特定方向),且將架橋構造4支持於 保持面30上方的線性導軌。 於平臺3之上方,設置有自該平臺3之兩側部分大致水平 木叹的木橋構造4。架橋構造4主要包含例如將碳纖維加強 ί曰作為月料之噴嘴支持部4G與支持其兩端之升降機構 43 ' 44 〇 於噴嘴支持部40安裝有狹縫喷嘴41。圖U,於向γ轴方 向具f長度方向之狹縫噴嘴41連接有抗姓劑供給機構6(圖 2)、亥抗蝕劑供給機構6包含將抗蝕劑液供給至狹縫喷嘴 98458.doc 15 1293578 41之配管或抗蝕劑用泵等。藉由一面掃描基板9〇表面,— 面將藉由抗钕劑用泵所供給之抗㈣液噴出至基板%表面 *之特疋區域(以下,稱為「抗蝕劑塗佈區域」。),狹縫噴嘴 • 將杬蝕剡液塗佈於基板9〇。此處,所謂抗蝕劑塗佈區 '域,其係指基板90表面中將要塗佈抗姓劑液之區域,通常 係自基板9G之全面積除去沿著端緣之特定寬度區域 域。 • 升降機構43、44係於狹縫噴嘴41之兩側分開,藉由噴嘴 支持部40與狹縫噴嘴41連結。升降機構43、44主要包含 AC伺服馬達43a、44a以及並未圖示之圓頭螺检,並根據來 自控制部8之控制信號生成架橋構造4之升降驅動力。藉 此,升降機構43、44使狹縫噴嘴辦移升降。又,升降^ 構43、44亦可使用於調整狹縫喷嘴41在^平面内的欢
於架橋構造4之兩端部,沿著平臺3之兩側緣側分別固定 :置有-對AC空心線性馬達(以下,簡稱為「線性馬 」)50、51,上述AC空心線性馬達50分別具備固定子 (疋子)50a與移動子5〇b以及固定子%與移動子川。又, 造:之兩端部,分別固定設置有分別具有定標部 性=之線性譯碼器52、53。線性譯物2、5獅 = =Γ。主要由該等線性馬達5❹、咖 構、^導 機構5,該移動機構5係用於將架橋 構’導於移動軌道31且移動於平 根據來自線性譯碼器52、53之檢測結果_線^^= 98458.doc -16- 1293578 動作,從而控制平臺3上之架橋構造4之移動,即控制狹縫 噴嘴41之基板9〇之掃描。 • 本體2之保持面3〇中,於保持區(-X)方向側設置有開口 ,· 32。開口 32與狹縫喷嘴41相同,於丫軸方向具有長度方 - 向,且該長度方向之長度與狹縫噴嘴41之長度方向長度大 致相同。又,於開口32下方之本體2内部,設置有喷嘴初 始化機構7。噴嘴初始化機構7使用於預備處理(下述),上 _ 述預備處理係於將抗蝕劑液塗佈至基板90之處理(以下, 稱為「本塗佈處理」)前實行。 設置於開口 32内之噴嘴初始化機構7具備預備塗佈機構 73。預備塗佈機構73具備生成旋轉驅動力之旋轉機構 730 ’藉由旋轉機構73〇而旋轉之滾筒73ι,將滾筒731儲存 於内部之大致箱狀框體732以及清除滾筒73丨之附著物的脫 水葉片733。 滾筒731以自框體732之上面開口部露出一部分之方式而 _ 配置,其圓筒侧面為塗佈有抗蝕劑液之塗佈面。基板處理 裝置1於預備塗佈處理中,自狹縫喷嘴41喷出抗蝕劑液至 滾筒73 1。再者,所謂預備塗佈處理係指下述處理:於正 式塗佈處理前,藉由自移動至滾筒73丨上方之狹縫喷嘴4 i 喷出少量抗蝕劑液,將抗蝕劑液預備性塗佈於滾筒73 1。 本實施形態中之基板處理裝置1係藉由預備塗佈處理,使 狹縫喷嘴41之狀態於γ軸方向均一化。 滾筒73 1之塗佈面可於框體732内部下方中浸沒於蓄積之 洗淨液。即,於預備塗佈處理中塗佈有抗蝕劑液之塗佈面 98458.doc 17 1293578 备 藉由旋轉機構,移動至下方,並藉由洗淨液而得以洗 淨。又,於洗淨後附著於自洗淨液取出之塗佈面之污毕物 藉由脫水葉片733得以清除。如此方式,於滾筒731旋轉一 圈期間塗佈面可恢復為清潔狀態,故於藉由狹縫噴嘴41實 施預備塗佈處理時,將不會污染狹縫喷嘴41。 、 又1嘴初始化機構7具傷喷嘴洗淨機構7〇。圖3係表示 喷嘴洗淨機構7〇之構成的圖。噴嘴洗淨㈣ 給機構71、吸引機構72、洗淨部74、洗淨液供給機構乃以 及驅動機構76 ’且其係主要實施上述噴嘴洗淨處理之機 構。再者,雖然圖3中省略圖示,但氣體供給機構71、吸 引機構72、洗淨液供給機構乃以及驅動機構%係以可發送 接收信號之狀態分別連接於控制部8,且該等各機構藉由 來自控制部8之控制信號而得以控制。 氣體供給機構71係介以供給配管將氮氣體自並未圖示之 筒罐供給至洗淨部74之機構。供給至洗淨㈣之氮氣體自 氣體喷嘴7_向特定方向噴出(詳細後述)。再者,本實施 形態中之基板處理梦署T s0 m , 1置雖:、、、、使用有氮氣體作為惰性 體,但惰性氣體並非限定於氮氣體。又,如若係乾淨氣 體,即使空氣亦可使用(I缩空氣:經過加壓之空氣)。 吸引機構72係介以廢棄配管自設置於洗淨部74之吸?| 口 :_),吸引洗淨液或藉由洗淨液得以去除之抗姓劑液 寻之機構。再者’作為吸引機構72,通常可採 所周知之機構。例如,介叮及士 ΤΛ ^ 亦可係使用真空產生裝置或>1縮機 吸引之機構’料係包含吸引泵與氣液分離BOX之機構 98458.doc -18- 1293578 等。又,例如,只要可獲得所需之用力,亦可使用設置於 工廠内之排氣設備。 , 洗淨部74主要包含基座74〇、分隔物741、喷出部742、 ,導向組塊743以及支持構件744,且具有下述功能:於喷嘴 洗淨處理中,洗淨去除由於重複正式塗佈處理而附著於狹 縫贺嘴41之前端部側面的抗钱劑液。 作為洗淨部74之各構成之基台而發揮作用的基座74〇連 •接於驅動機構76,並可藉由驅動機構%往返移動於γ軸方 向0 ▲分隔物74丨係具有特定厚度之板狀構件,其以可裝卸 態插入至基座740與喷出部742之間。於本實施形態中, P«g物741藉由自基座740之後面朝向噴出部742插入之螺 而得以固定,且可藉由鬆開該螺釘而得以拆卸。 /、 如此,藉由將配置於基座740與噴出部742之間之分隔 741 ’適宜交換為厚度不同者,可調整喷出部742之Z軸 向位置。如下所述,於噴出部742之特定位置設置有洗 喷嘴750,而調整噴出部742之2軸方向位置則相當於調 洗=噴嘴750之高度位置(z軸方向之位置)。故而,本實 形態中之噴嘴洗淨機構7G可將藉由洗淨液供給機構乃所^ 給之洗淨液之供給位置調整為冗軸方向。 圖4係喷出部742之對向面7仏的正視圖。喷出部冲 以错由特定位置關係配置氣財嘴7触及洗淨噴嘴乃 ::而定位的構件。藉此’決定氣體喷嘴71〇之氮氣體: U位置以及洗淨噴嘴75G之洗淨液之供給位置。再者 98458.doc
-19- 1293578 圖4中之21至24表示對向面⑽中之氣體喷嘴7ι〇以及 贺嘴750的Z軸方向座標。又,本實施形態中之噴出部μ •中之Z1至Z4為等間隔定位,但並非僅限於此。 • 以對向於狹縫喷嘴41之前端部之方式而得以配置之對向 .面7仏根據狹縫噴嘴41之前端部之傾斜度,成為對於γζ^ 面具有特定角度之斜度的斜面。如圖3所示,於對向面 742a上分佈有氣體喷嘴71〇以及洗淨喷嘴75〇,且分別連通 鲁 連接於氣體供給機構71以及洗淨液供給機構75。 藉由氣體供給機構71所供給之氮氣體自氣體噴嘴71〇噴 出於狹縫喷嘴41。藉此,可藉由喷嘴洗淨處理,有效揮發 (或吹去)附著於狹縫喷嘴41之洗淨液。再者,自洗淨噴嘴 750喷出之洗淨液藉由與狹縫噴嘴41衝擊,將飛散至若干 高於噴出時之高度位置的位置為止。如圖4所示,於本實 施形態中之基板處理裝置1中,以來自氣體噴嘴71〇之氮氣 體之供給位置成為位於洗淨液飛散位置之上方之方式,將 • 氣體喷嘴710設置於洗淨喷嘴750之上方。藉此,喷嘴乾燥 處理中,可更有效乾燥狹缝喷嘴41。 又,氣體噴嘴710包含下方氣體喷嘴710a與上方氣體喷 嘴710b。於對向面74以中,下方氣體噴嘴71以配置於以高 度位置,而上方氣體喷嘴7l〇b配置於下方氣體噴嘴71〇&之 上方的Z4南度位置。 又’洗淨噴嘴750包含下方洗淨噴嘴750a與上方洗淨喷 嘴750b。於對向面742at,下方洗淨噴嘴乃以配置於以高 度位置,而上方洗淨喷嘴75〇b配置於下方氣體喷嘴乃⑹之 98458.doc -20- 1293578 上方的Z2面度位置。 圖5係表示洗淨部74之導向組塊743的立體圖。導向組塊 • 743係於Y軸方向具有大致均勻剖面之棒狀構件,其χ軸方 • 向厚度為狹縫噴嘴41之喷口 41a寬度(X軸方向寬度)以上, 且未滿支持構件744之X軸方向寬度。 導向組塊743藉由一對支持構件744固定支持有γ軸方向 之兩端部’並介以支持構件744相對於基座740而得以安 私裝。即,導向組塊743下面自基座740離開,於基座74〇與 導向組塊743之間形成有空間。於本實施形態中之洗淨部 74中,基座740與導向組塊743之相對位置為固定。 又,導向組塊743之上面為接近狹縫噴嘴41之前端部的 接近面743a。接近面743a係朝向χ軸方向之兩端向下方彎 曲之曲面。又,導向組塊743之側面中對向於喷出部742之 面為大致平行於ΥΖ平面之導向面743b。導向面以扑離開 於噴出部742,故該等之間形成有空間。 > 於一對支持構件744中之(-γ側)支持構件744,設置有吸 引口 720,並介以上述廢棄配管連通連接於吸引機構72(圖 3)。吸引口 720係貫通支持構件744之孔,並設置於安裝在 支持構件744之導向組塊743之下方。 藉此,若吸引機構72開始吸引,則導向組塊743下方之 空間將受到吸引。再者’亦可構成為如下:於兩者之支持 構件744中設置吸引口 72G,並自各自之方向吸引機構Μ 施吸引。 返回圖3,洗淨液供給機構75係包含洗淨液塑料瓶或輸 98458.<j〇c 1293578 液泵等之機構 74 ° 並介以供給配管將洗淨液供給至洗淨部 驅動機構76係使洗淨部74移動至丫軸方向之機構。作 驅動雜6,可採用使用有旋轉馬達與圓頭螺栓之直動機 構圖6係將噴出部742移動之情形與狹縫喷嘴41 —併表示 之圖再者,以下將圖6所示之狹縫噴嘴41之位 「洗淨位置」。 彳冉马 如此’對於處於洗淨位置之狹縫噴嘴“之前端部 =2在返移動於γ軸方向,藉此設置於喷出部川之氣體 噴嘴71〇以及洗淨噴嘴75()可掃描狹缝喷嘴41之前端部。^ 者驅動機構7 6不僅可於洗淨部7 4實施用以掃描狹縫嘴嘴 2亦可貝轭使洗淨部74自狹縫噴嘴41下方退避的 ㈣。藉此,於狹縫喷嘴41之前端部插入至下述待機盒77 犄,洗淨部74與狹縫噴嘴41可互不干擾。 、回圖2,待機盒77係具有與狹縫噴嘴々I之長度方向寬 又大致相同尺寸的大致箱狀構件。於待機盒π内部蓄積有 日^劑液_。待機盒77於較㈣間未實施正式塗佈處理 ^係以狹縫噴嘴41之尤其喷口 4U附近的抗飿劑液不會 產生乾燥變質之方式而設置之機構。 :待機盒77上面,設置有用以將狹縫喷嘴41之前端部插 内部的開口部。狹縫噴嘴41於待機中將自洗淨位置移 置進而下降至Ζ軸方向的特定位置(以下,稱為「待機位 」)。狹縫噴嘴41位於兮ϋ , 端位方…亥待機位置時,狹縫噴嘴41之前 °成為自開"部插人至待機心内部之狀態,並暴露 98458.doc -22- 1293578 於溶劑環境中藉此抗姓劑液之乾燥將會受到抑制 返回圖卜於控制部8之内部具備根據程式處理各種資料 之運算⑽、保存程式或各種資料之記憶部8ι。又,於前 面具備用於操縱器輪入對於基板處理裝置^斤必須之 的操作部82,以及顯示各種資料之顯示部心 日 太Γ部8藉由圖1中並未圖示之纔線,電性連接於附屬於 本體2之各機構。控制部8係根據來自操作部82之輸入作 或來自並未圖示之各種感測器等之信號 機 構43、44之升降動作、移動機構5之移動動作、抗__ :機構6之抗韻劑液供給動作。進而,控制喷嘴初始化機 構之“區動機構、各旋轉機構以及各閥門等之動 ^是控制氣體供給機構71以及洗淨液供給機構乃之供給流 里。 再者’具體的是,暫時記憶資料之Ram、讀 讓以及磁碟裝置等相當於記憶部81。或,亦可為便攜式 光磁碟或記憶體卡片等之記憶媒體, 及^專之讀取裝置 專。又,按細及開關類(包含鍵盤或滑鼠等 操作部82 ”戈,亦可為如觸摸田、 奴录具顯示部83 之功此者。液晶顯示器或各種燈等則相當於顯示部㈡。 以上係本實施形態中之基板處理裝置ι之功 之說明。 久稱风 其次’就喷嘴洗淨機構7〇洗淨狹缝噴嘴41之前 動作(噴嘴洗淨處理)加以說明。圖7至圖9係表 處理之情況的圖。再者,圖7至圖9中狹縫噴嘴41之位置: 98458.doc -23· 1293578 係洗淨位置。又,於圖7至圖9中,省略關於支持構件744 之圖示,並且導向組塊743以及狹縫噴嘴41以剖面表示。 首先,藉由控制部8於喷嘴洗淨處理前控制驅動機構 76 ’從而使處於退避狀態之洗淨部74移動至對於狹縫喷嘴 41貫施洗淨處理的位置。又,控制部8以與該處理並行之 方式控制升降機構43、44以及移動機構5,藉此使狹縫喷 嘴41移動至洗淨位置。
藉此,狹縫喷嘴41與洗淨部74成為圖7所示之配置關 係。此時,如圖7所示,由於重複塗佈處理,導致於狹縫 喷嘴41之前端部側面附著有抗蝕劑液。再者,本實施形態 中之基板處理裝置丨中,以於喷嘴洗淨處理中狹縫噴嘴41 之下端與導向組塊743之接近面743&的距離(接近距離)成為 、、’勺1.5 mm之方式,定位狹縫喷嘴4丨之洗淨位置,但當然並 非僅限於此。亦可藉由所使用之洗淨液性質或喷出流量 等’預先適當設定接近距離。 若藉由到此為止之移動動作喷嘴洗淨處理之準備結束, 則藉由洗淨液供給機構75使閥門為開放狀態而開始供給洗 淨液,如®8所示’洗淨喷嘴750朝向狹縫噴嘴41之前端部 側面噴出洗淨液。與洗淨噴嘴75〇噴出洗淨液之動作並 行,吸引機構72自吸引口 720開始吸引。 圖1〇係圖8所示之狀態的擴大圖。如圖U)所示, 洗淨喷嘴75Ga以及上方洗淨噴嘴75Qbu :液二= LQ):所贺出之清洗液LQ將會衝擊狹縫噴嘴41之前端部側 面,藉此洗淨狹縫噴嘴41。 98458.doc -24- 1293578 此時,藉由自下方洗淨喷嘴750a喷出之清洗液lq,溶 解附著於狹缝噴嘴41之前端部側面的抗蝕劑液R。藉此, *於狹縫喷嘴41之前端部側面將會存在抗蝕劑液R與清洗液 -,LQ之混合液(抗蝕劑液R濃度較高之混合液)。因於先前裝 置十,洗淨喷嘴之高度位置配置為存在段差,故而藉由該 混合液將形成如圖23所示之附著物rl。 然而,本實施形態中之基板處理裝置丨除下方洗淨噴嘴 _ 75〇a以外尚具備上方洗淨噴嘴750b。故而,如圖1〇所示, 藉由上方洗淨喷嘴750b,可將清洗液!^供給至進而高於 下方洗淨噴嘴乃⑽之清洗液LQ之供給位置的位置。 即,藉由上方洗淨喷嘴750b所供給之清洗液^^可將藉 由下方洗淨喷嘴750a供給清洗液LQ所生成之混合液,進而 自上方向下方沖洗。故而,由於不致如先前裝置般殘留有 條紋狀附著物RL,而提高噴嘴洗淨處理中之洗淨效果,因 此可良好恢復狹縫喷嘴41之狀態。 • j由洗淨噴嘴750所噴出之清洗液LQ將沿著狹縫喷嘴41 之則鈿部側面流向下方,其一部分會附著於狹縫喷嘴41之 下面然而,附著於狹縫喷嘴41下面之清洗液LQ藉由與 接近面743a接觸而將迅速沿著接近面743&受到引導,從而 机向兩側之導向面743b。藉由該流動可將狹縫喷嘴41之下 ^ 、洗'爭’並且迅速除去藉由清洗液LQ而溶解之抗蝕 叫 進而’清洗液LQ得以引導至導向組塊743之導向 面743b,並流向下方。 士此藉由接近面743a成為向下方彎曲之曲面,洗淨部 98458.doc (8) -25- 1293578 74可迅速排出清洗液LQ。又,藉由導向組塊%具有導向 面鳩,可進而迅速排出附著於狹縫噴嘴41下面之清洗液 * LQ,上述導向面743b係將藉由洗淨液供給機構乃所供給 、 之清洗液LQ導向下方者。 % 如上所述,清洗液LQ自洗淨噴嘴750喷出之期間,吸引 機構72將吸引狹縫喷嘴41之下方。如圖ι〇所示,該吸引機 構72之吸.引力藉由導向組塊743以不會直接作用於喷口仏 肖圍之方式得以遮斷。即,用於洗淨之清洗液lq將自形 成於喷出部742與導向面鳩之間的空間之上部開口部(為 沿著Y軸方向之隙縫狀開口部)受到吸引。 填充於狹縫喷嘴41内之抗㈣!液R主要藉由作用於(-Z) 方向之力得以吸出。然而’如圖1〇中作為向下箭頭所示, 若吸引機構72之吸引力作用於自喷口4U分離之位置,則 於喷口 41a周圍該吸引力將主要作用於χ軸方向,而作用於 〇ζ)方向之吸引力會減弱。 • 於洗淨部74中,吸引機構72之吸引力作用於(_Ζ)方向之 位置係藉由導向組塊743之導向面“π之位置而定位。故 而’藉由調整導向組塊743之χ軸方向厚度,可調整作用於 喷口 41a之(-Z)方向之吸引力。 於本實施形態中之洗淨部74中,以喷口41a周圍大致成 為抗蝕劑液R之停滯點之方式,預先決定導向組塊743之厚 度’藉此抑制抗蝕劑液R之流出。再者,#由吸引力 用之位置位於狹縫喷嘴41之前端部側面之下方,可迅速將 除去附著於前端部側面之抗蝕劑液尺之清洗液[0向下方吸 98458.doc -26· 1293578 引排出。又,藉由導向組塊743之χ軸方向之厚度,定位噴 出部742與導向組塊743之間隔,但該間隔越窄則吸引機構 ^ 72之吸引力會越弱,從而作用於狹縫喷嘴41之前端部側面 * 的吸引力將會增加。 - 藉此’由於本實施形態中之噴嘴洗淨機構70藉由導向組 塊743之厚度,可減弱作用於喷口 41 a内之抗蝕劑液r的吸 引機構72之吸引力,故而即使使用多於先前裝置之清洗液 φ LQ,亦可藉由適宜增大吸引機構72之吸引力,迅速吸引 排出所使用之清洗液LQ。因此,可提高喷嘴洗淨處理中 之洗淨效果。 以與來自洗淨液供給機構75之清洗液LQ的供給動作、 以及由吸引機構72引起之吸引動作並行之方式,實施洗淨 部74之掃描動作。即,驅動機構76實施下述動作:沿著γ 軸方向於橫跨狹縫喷嘴41之全部寬度,使洗淨部74往返移 動。 φ 藉此,於橫跨狹縫喷嘴41之Y軸方向之全部寬度,自洗 淨喷嘴750喷出清洗液LQ,從而進行喷嘴洗淨處理。如 此’藉由驅動機構76實施洗淨部74之掃描,藉此例如無需 橫跨狹縫喷嘴41之全部寬度配置洗淨噴嘴75〇,即可實現 裝置之小型化。再者,重複該掃描動作之次數係任意的, 並根據實施前次喷嘴洗淨處理後所實行之正式塗佈處理次 數,或所使用之抗蝕劑液R性質等,預先設定恰當數值。 若特定次數之掃描動作結束,則洗淨液供給機構75將停 止供給清洗液LQ。藉此,喷出藉由洗淨喷嘴75〇之清洗液 98458.doc -27- 1293578 LQ停止。進而,氣體供給機構71開始供給氮氣體,自氣 體贺嘴710喷出氮氣體。再者,該期間亦繼續驅動機構% 對洗淨部74之掃描動作。 如此,自氣體喷嘴71〇朝向狹縫噴嘴41之前端部喷出氮 氣體,並且使洗淨部74沿著Y軸方向移動,藉此乾燥附^ 於狹縫噴嘴41之清洗液LQ之處理得以促進。如圖*所示, 於噴出部742之對向面顺中,由於全部氣體噴嘴η吟置 於高於全部洗淨喷嘴75G之位置,因此氣”嘴川可有效 將氮氣體供給至附著有清洗液叫之區域。再者,用以乾
燦清洗液LQ的掃描動作之次數亦可預先設定特定數值。G 若特定次數之掃描動作結束,則㈣部8藉由使驅動機 構76停止從而結束洗淨部74之掃描動作,並且控制氣體供 給:構71使之停止供給氮氣體。藉此,停止嘴出來自氣體 Μ 71〇之氮氣體’用以乾燥狹縫喷嘴41之掃描動作妹 束。 。 藉由上述動作,本實施形態中之基板處理裳置i之喷嘴 洗淨處理得以結束。再者,於噴嘴洗淨處理結束後,於預 備塗佈機構73中實施預備塗佈處理,調整狹縫噴料之狀 錢實施正式塗佈處理。其令,喷嘴洗淨處理後之動作並 非僅限於此,如若實施正式塗佈處理為止耗費時間較多, 則亦可使狹縫喷嘴41移動至待機位置,以防止狹鏠嘖嘴41 之抗_R的乾燥。即,藉由驅動機構76使洗淨部74自 狹縫育嘴41^下方退避’並進而使狹縫喷嘴則洗淨位置 降下’使其前端部暴露於待機盒77内之溶劑環境。 98458.doc -28- 1293578 藉由上述方式,如圖7等所示,本實施形態中之基板處 理裝置1係藉由導向組塊743具有狹縫噴嘴41之噴口 41 a的 較短方向寬度以上之厚度,並配置於狹縫噴嘴41之噴口 • 41 a之下方周圍,且吸引機構72之吸引口 720自導向組塊 - 743下方貫施吸引’並且以狹缝噴嘴41之噴口 41&周圍大致 成為抗蝕劑液R之停滯點之方式調整吸引機構72之吸引 力,藉此可藉由吸引排出迅速排出洗淨液與污染物,並且 Φ 可抑制自噴口 41a吸出狹縫噴嘴41内之抗蝕劑液R。 又‘向組塊743具有將藉由洗淨液供給機構75所供給 之清洗液LQ導向下方之導向面74扑,藉此可進而迅速排 出所使用之清洗液LQ。 、又,由於可藉由具備調整來自洗淨液供給機構乃之清洗 液LQ之供給位置的分隔物741並根據狀況變更洗淨位置, 故而例如即使附著有抗餘劑液R之範圍有所不同時亦可靈 活對應。 另又,供給位置之調整藉由具有特定厚度之分隔物Μ] I7而得以貝現,藉此無需複雜機構即可易於實現。 々 可藉由具備使洗淨部74沿著狹縫噴嘴41之長度方 私動之驅動機構76從而實現裝置整體之小型化。 :’藉由具備將氮氣體供給至狹縫噴嘴41之前端部的 體仏給機構71, w讯、 乳肢七、給機構71之氮氣體之供給 口又為來自洗淨液供給機 、、主 饵偁/5之π洗液LQ之供給位置 方,從而可促進洗淨液之乾燥。 又 將來自上方洗淨喷嘴+、主山 ^ 1爲75Ob之清洗液Lq之供給 98458.d〇( -29- 1293578 置,以對於來自下方洗淨喷嘴750a之清洗液Lq之供給位 置’高度方向互為不同之方式而配置,藉此可防止條紋狀 • 附著物RL(圖23)殘留於狹縫喷嘴41之前端部側面。故而, _ 可提高洗淨效果。 再者’本實施形態中之基板處理裝置1構成為下方洗淨 喷嘴750a以及上方洗淨喷嘴750b可同時噴出清洗液LQ。然 而,例如藉由其他糸統之配管將下方洗淨噴嘴乃〇 a與上方 洗淨喷嘴750b連通連接於洗淨液供給機構75,亦可控制如 下:於去路上之掃描(藉由喷出部742之狹縫噴嘴41的掃描) 中僅實施下方洗淨喷嘴750a之喷出,而於返路上之掃描中 僅實施上方洗淨喷嘴750b之噴出。 又,自洗淨喷嘴750喷出清洗液LQ且實施掃描動作時, 亦可並订喷出氮氣體。該情形時,由於所謂氮氣體之幕簾 形成於洗淨喷嘴750之上方,因此可防止清洗液LQ之薄霧 等飛散於狹縫喷嘴41上方。 <2·弟二實施形態> 第一實施形態係構成為吸引機構72之吸引口 72〇設置於 噴口 4U之下方,故自導向組塊743之下方吸引清洗液lq, 然而吸引機構72之吸引位置(設置有吸引口之位置)並非僅 限於此。 圖11係表示根據如此之原理而構成之第二實施形態中之 噴嘴洗淨機構70之構志的同 ^ 偁成的圖。又,圖12係第二實施形態中 之喷出部之對向面的正視圖。 本貫施形態中之喷^皆、、杰、、<,4 k $為洗平機構70具備洗淨部74a而代替 98458.doc -30- 1293578 第-實施形態中之洗淨部74,於此方面上與第—實施形態 中之喷嘴洗淨機構7G有所不同。再者,關於與第—實施形 態中之基板處理裝置!大致相同之構成,附有相同符號並 適當省略說明。 • 喷出部745作為與位於洗淨位置的狹縫噴嘴41前端部側 面相對向之面,具有對向面745a以及一對對向面咖。對 向面745a係相當於第一實施形態中之噴出部742之對向面 鲁742a之面,如圖12所示’與第一實施形態大致相同,配置 有氣體喷嘴710以及洗淨喷嘴750。 一對對向面745b作為大致平行於對向面745a之面,設置 於對向面745a之Y軸方向之兩側。又,各對向面74%係以 成為對於洗淨位置中之狹縫喷嘴41之前端部側面,更接近 對向面745a位置之方式而形成,並分別設置有吸引口 721。介以吸引配管,吸引口 721連通連接於吸引機構μ。 圖13係表示於第二實施形態中之噴嘴洗淨處理中,清洗 # 液LQ自洗淨喷嘴75〇喷出時之情形的圖。再者,圖η中之 各部分係作為平行於χζ平面之面中,與對向面745a交叉之 面之剖面而得以表示。 圖U中,雖然圖示省略,但於本實施形態中之基座74〇 中,於處於導向組塊743下方之位置中廢液用排出口 74〇& 沿著Y軸方向設置為隙縫狀,故自排出口 740a排出藉由導 向組塊743得以導向下方之清洗液Lq。藉此,可補充吸引 機構72之吸引排出。 圖14係說明第二實施形態中之吸引機構72之作用的圖。 98458.doc -31 - 1293578 再者’圖14中之各部分作為平行於χζ平面之面中,與吸 引口 72 1父又之面之剖面而得以表示。 如圖14所示,於本實施形態中之基板處理裝置1中,由 於吸引口 721位於處於洗淨位置的狹縫喷嘴4丨之前端部側 方,因此自狹縫噴嘴41之前端部側方實施吸引機構72之吸 引。故而’作用於填充至狹縫喷嘴41内之抗蝕劑液r的吸 引機構72之吸引力將弱於自狹縫噴嘴4丨之前端部之下方實 施吸引之情形。 如此’本實施形態中之基板處理裝置1藉由將吸引口 721 設置於喷出部745之對向面745b,並自狹縫噴嘴41之前端 邛側方具轭清洗液LQ之吸引,並以噴口 4丨a之周圍大致成 為抗蝕劑液R之停滯點之方式得以調整。故而,由於即使 增加吸引機構72之吸引力,亦可抑制將抗蝕劑液以吸出至 狹缝喷嘴41外之現象之產生,因此可提高噴嘴洗淨處理之 洗淨效果。
又對向面74%與對向面745a相比,更接近於狹縫喷嘴 41之前端部側面。故而,如將圖13與圖14加以比較則可明 瞭,吸引口 721係以與洗淨噴嘴75〇相比,更接近於狹缝喷 嘴41之前端部側面之方式配置。如此,藉由吸引口 721接 近於狹縫噴嘴41之前端部側面,可有效吸引排出附著於該 前端部側面之清洗液LQ。 再者,圖14中為方便圖示,表示導向組塊743周圍是否 存在清洗液LQ,但實際上於洗淨部74a之兩端部中用於洗 淨的清洗液LQ之一部分係藉由導向組塊743導向下方,並 98458.doc -32- 1293578 自排出口 740a排出。 如上所述,由於即使於第二實施形態中之基板處理裝置 • 1中,亦將吸引口 721設置於狹縫喷嘴41之前端部側方,並 •自該位置實施由吸引機構72引起之吸引,藉此與第一實施 fly怨中之基板處理裝置1相同,可以喷口 41 a之周圍大致成 為抗I虫劑液R之停滯點之方式加以調整,故而可獲得相同 效果。 又,由於藉由自設置於狹縫喷嘴41之前端部下方的排出 口 740a排出清洗液LQ,可不需依賴於吸引機構”而排出清 洗液LQ,因此可採用小容量機構作為吸引機構72。或, 由於可迅速排出清洗液Lq,故而可提高噴嘴洗淨處理之 洗淨效果。 又,藉由具備配置於狹縫喷嘴41之前端部下方,將清洗 液LQ導向下方且具有接近面74以以及導向面科扑的導向組 塊743,可自排出口 74〇a更有效排出清洗液lq。
再者’如圖11所示,本實施形態中之基板處理裝置1並 未使用分隔物741。即 藉由洗淨喷嘴750期望之高度位 置,分隔物741並非係必須使用之構件亦可卸除。於本實 施形態中之洗淨部74at,藉由分隔物741調整噴出部 之高度’藉此亦可調整吸引σ721與狹缝喷嘴41之前端部 側面間之距離。該情形時’較好的是將該距離調整為 至5 mm左右。 於本實施形態中之基板處理裝置工中,使用有與第一實 施謝之基板處理裝置!相同之導向組塊…。然而,本 98458.doc -33- 1293578 實施形態中,由於並未自排出口 740a實施吸引排出,因此 自排出口 740a主要藉由重力作用排出清洗液Lq。藉此,作 • 用於噴口 41&之(-Z)方向之力量(成為吸出抗蝕劑液r之原因 ^ - 的力量)主要為重力。故而,即使導向組塊743為X軸方向 • 厚度較薄之板狀構件,其亦可以喷口 41 a之周圍大致成為 抗鍅劑液R之停滞點之方式加以調整。 <3·第三實施形態> φ 由說明可知上述實施形態之喷嘴洗淨機構70係藉由噴出 洗淨液並且掃描狹縫喷嘴4丨之機構(洗淨部74以及驅動機 構76)實施喷嘴洗淨處理,然而實施喷嘴洗淨處理之機構 如若係可將狹縫噴嘴41之喷口 41a之周邊於Y軸方向均勻洗 淨者’則將不僅限於此。 圖15係表示根據如此之原理而構成之第三實施形態中之 噴出部746與位於洗淨位置之狹縫喷嘴41之配置關係的 圖。自圖15可知悉,本實施形態中之喷出部746的丫軸方向 • 尺寸大致與狹縫喷嘴41之噴口 41a的Y軸方向寬度相等。再 者,雖然未具體圖示,但與此相同,基座74〇、分隔物741 以及導向組塊7U之Y軸方向之尺寸亦根據喷口 41&之丫軸 方向寬度而決定。 即,第三實施形態中之基板處理裝置丨之洗淨部7仆具有 與狹縫喷嘴41之喷口 41aiY軸方向寬度大致相等尺寸,於 此方面係與第一實施形態中之基板處理裝置丨之洗淨部74 有所不同。再者’關於洗淨部74b以外之構成,因與第一 貫施形悲中之基板處理裝置1大致相同,故而適當省略說 98458.doc -34- 1293578 明。 圖16係第三實施形態中之噴出部746之對向面 •視圖^於對向面7術配置有氣體喷嘴71〇以及洗淨ζ = ..750。氣體噴嘴71〇於對向面746&中,以橫跨γ轴方向之入 部寬度之方式,排列於成為洗淨喷嘴75〇之上方沾“之王 置。又,洗淨喷嘴75。中之上方洗淨喷嘴75。::= 7輪中^以橫跨Y軸方向之全部寬度之方式,排列於 ^ 下方洗/爭噴嘴乃0a之上方的高度位置。 就具有如上所述之構成的本實施形態中之噴嘴洗淨處 理’加以簡單說明。首先,洗淨液供給機構75開始供給清 洗液LQ,朝向位於洗淨位置之狹縫噴嘴“之前端部,2 部洗淨喷嘴750喷出清洗液LQ。與該動作並行,吸引機構 72開始吸引。 藉此,洗淨狹縫喷嘴41之前端部。由於本實施形態中之 洗淨喷嘴750係以大致橫跨狹縫噴嘴4丨之丫軸方向全部寬度 馨之方式設置,因此關於該前端部之全部區域將大致同時進 行洗淨處理。又,如上述實施形態中所述,無需實施藉由 驅動機構76使洗淨部74b沿著噴口 41a移動之動作(掃描動 作)。該情形於噴出氮氣體之處理(後述)中亦為同樣。即, 狹縫噴嘴41自洗淨位置移動至待機位置時,第三實施形態 中之驅動機構76僅具有使洗淨部74b退避之功能。 又,與第一實施形態相同,用於喷嘴洗淨處理之清洗液 [卩係藉由導向組塊743之接近面743a以及導向面743b而得 以向下方引導,並且藉由吸引機構72之吸引力得以迅速吸 98458.doc -35- 1293578 引排出。 即使於本實施形態巾之基板處理裝置1中,亦為喷口41a •猎由導向組塊743而得以覆蓋之狀態,且設為吸引機構72 、之吸引力並不直接作用於喷口仏。即,亦可以噴口❻周 . 圍大致成為抗蝕劑液R之停滯點之方式加以調整。 於洗淨喷嘴75G開始喷出並經過特定時間後,則洗淨液 供給機構75停止供給清洗液£(^,故而來自洗淨噴嘴75〇之 _ 清洗液LQ之喷出亦將停止。 其次,氣體供給機構71開始供給氮氣體,朝向狹縫喷嘴 41之前端部,全部氣體噴嘴71〇將喷出氮氣體。藉此,促 進附著於狹縫噴嘴41之前端部的清洗液LQ之乾燥。再 者,於供給來自氣體供給機構71之氮氣體期間,由吸引機 構72引起之吸引亦將繼續,因而例如包含清洗液[卩成分 之環境,或藉由氮氣體吹跑的清洗液Lq之薄霧等將迅速 得到吸引排出。 • 於氣體喷嘴71〇開始噴出並經過特定時間後,則氣體供 給機構71將會停止供給氮氣體,故喷出來自氣體喷嘴7 j 〇 之氮氣體之處理亦將停止。藉此,本實施形態中之喷嘴洗 淨處理將結束。 如此’於本貫施形恶中之基板處理裝置1中,關於狹縫 贺嘴41之Y轴方向將同時貫施嘴嘴洗淨處理之各步驟。故 而,可提高喷嘴洗淨處理中之Y軸方向之均一性,從而使 洗淨後之狹縫噴嘴41之狀態均一化於Y軸方向。 如上所述’即使於第三實施形態中之基板處理裝置1, 98458.doc •36- 1293578 亦與第-實施形態相同’可以狹縫喷嘴心之喷口化大致 成為抗餘劑液R之停潘點 ”·,之方式’凋整吸引機構72之吸引 力,因而可獲得與上述實施形態相同之效果。 又,洗甲部74b(喷出部746)具有與狹縫喷嘴“之喷口❾ 之γ軸方向寬度大致相同尺寸,於噴出部746中以橫跨喷口 41a之:部寬度之方式配置有氣體喷嘴以及洗淨噴嘴 750 ’藉此可於橫跨狹縫噴_之全部寬度同時喷出清洗 液LQ。0此可縮短喷嘴洗淨處理戶斤需之時間。 <4·變形例> 以上,雖就本發明之實施形態加以說明n發明並非 限定於上述實施形態,亦可實施各種變更。 例如’如第二實施形態中之基板處理裳置w,可採用 自狹縫喷嘴41之噴口 41_方吸引清洗的構造,並且 如第三實施形態中之基板處理裝置W,亦可採用同時洗 淨喷口 4U之Y軸方向之大致全部寬度的構造。於該情形 籲時,於噴出部746之對向面7463中,亦可於下方洗淨喷嘴 750a之進而下方位置設置連通連接於吸引機構72的吸引 口。又,該情形時,較好的是將該吸引口設為沿著γ轴方 向延伸之隙縫狀。 又,於第一實施形態中之喷出部742中,於對向面Μ。 之Y軸方向兩側設置有下方洗淨喷嘴750a,而於對向面 742a之Y軸方向中央部則設置有上方洗淨噴嘴^的,作先 淨噴嘴750之配置並非限定於如此之配置。 ' i 圖1 7係變形例 中之噴出部742之對向面742a的正視圖。如此般,亦了於 98458.doc -37- 1293578 對向面742aiY軸方向兩側設置上方洗淨噴嘴75肋.,而於 對向面742a之Y軸方向中央部設置下方洗淨噴嘴75〇a。 考 又,亦可使下方洗淨喷嘴750a之Y軸方向位置,盥上方 .·洗淨喷嘴乃〇b之Y軸方向位置一致。即,亦可於喷出部 742、745、746中,於下方洗淨噴嘴75如之正上方配置上 方洗淨喷嘴750b。 又,氣體噴嘴7丨0以及洗淨喷嘴75〇之開口部形狀並非限 • 定於圓形,亦可具有延伸於Y軸方向之隙縫狀之形狀。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之基板處理裝置的立體圖。 圖2係表示基板處理裝置中之塗佈處理之相關主要構成 的側視圖。 圖3係表示第一實施形態中之噴嘴洗淨機構之構成的 圖。 圖4係第一實施形態中之噴出部之對向面的正視圖。 籲 圖5係表示導向組塊的立體圖。 圖6係一併表示狹縫喷嘴與噴出部移動之情況的圖。 圖7係表示開始喷嘴洗淨處理時之各構成配置的圖。 圖8係表示噴嘴洗淨處理中清洗液處於噴出狀態之情形 的圖。 圖9係表示喷嘴洗淨處理中氮氣體處於噴出狀態之情形 的圖。 圖1 〇係擴大表示圖8之狀態的圖。 圖11係表示第二實施形態中之噴嘴洗淨機構之構成的 98458.doc -38- 1293578 圖12係第二實施形態中之噴出部之對向面的正視圖。 • 圖13係表示第二實施形態中清洗液處於噴出狀態 .·的圖。 t - 圖14係說明第二實施形態中之吸引機構之作用的圖。 圖15係表示第三實施形態中之噴出部與位於洗淨位置之 狹縫喷嘴之位置關係的圖。 • 圖Μ係第三實施形態中之噴出部之對向面的正視圖。 圖17係變形例中之噴出部之對向面的正視圖。 圖18係表示狹縫喷嘴之前端部之初始狀態的圖。 圖19係表示對數十牧左右之基板實施塗佈處理之狀態的 圖。 圖20係表示對數百牧左右之基板實施塗佈處理之狀態的 圖。 圖21係表示於先前之基板處理裝置之喷出喷嘴中,於抗 • 蝕劑液被吸出之部分中混入有空氣之狀態的圖。 圖22係表示於先前之基板處理裝置之喷出喷嘴中,於抗 1虫劑液被吸出之部分中混入有洗淨液(清洗液)之狀態的 圖。 圖23係表示於先前之基板處理裝置中,喷嘴洗淨處理後 所觀察到之條紋狀附著物的圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理裝置 2 本體 98458.doc
(S 39- 1293578
3 5 6 7 8 30 41 41a 43, 44 70 71 72 平臺 移動機構 抗蝕劑供給機構 喷嘴初始化機構 控制部 保持面 狹縫喷嘴 喷口 升降機構 喷嘴洗淨機構 氣體供給機構 吸引機構
74, 74a,74b 75 76 77 90 洗淨部 洗淨液供給機構 驅動機構(掃描機構) 待機盒 基板 710 710a 710b 720, 721 740a 741 742, 745, 746 氣體喷嘴 下方氣體噴嘴 上方氣體喷嘴 吸引口 排出口 分隔物 喷出部 98458.doc -40- 1293578 m
742a,745a,745b,746a 743 743a 743b 750 750a 750b
LQ R 對向面 導向組塊(遮斷構件, 接近面 導向面 洗淨喷嘴 下方洗淨喷嘴 上方洗淨喷嘴 清洗液 抗蝕劑液 引導構件)
98458.doc - 41 -

Claims (1)

1293578 十、申請專利範圍: h 一種喷嘴洗淨裝置,其特徵在於:其係洗淨自設置於前 端部之嗔口噴出特定處理液之喷出喷嘴者,且具備: 朝向上述噴出噴嘴之箭 ^ , 、 而口P附近,自噴口供給特定洗 淨液之洗淨液供給機構;及 ^吸引口吸引藉由上述洗淨液供給機構所供給之上述 特定洗淨液之吸引機構; 述吸引機構之吸引力,使上述噴口附近成為上 述特疋處理液之大略停滯點。 2·如請求们之噴嘴洗淨裝置,其中進而具備: 遮蔽構件’其具有上述噴出喷嘴之喷口之短邊方向寬 又以上之厚度,且配置於上述喷出噴嘴之喷口下方附 近; 上,吸引機構之吸引口自上述遮斷構件之下方進行吸 二::調整上述喷出噴嘴之喷口附近的上述吸引機構 I :明求項2之噴嘴洗淨裝置,其中上述遮蔽構件具有導 " β亥導向面係將藉由上述洗淨液供給機構所供給之 上述特定洗淨液導向下方者。 t明求項1之喷嘴洗淨裝置,其中上述吸引機構自上述 贺出Μ之前端部側方進行吸引,藉此調整 5嘴:噴口附近的上述吸引機構之吸引力。 H 口 2求項4之喷嘴洗淨裝置,其中上述吸引機構之吸引 #乂上述洗淨液供給機構之喷口更接近配置於上述噴出 98458.doc 1293578 喷嘴。 6.如請求項4之噴嘴洗淨裝置,且 嘴之前端部下方的排出口排出=自設置於上述喷出喷 所供給之上述特定洗淨液㈣上述洗淨液供給機構 7.如請求項6之嘴嘴洗淨 喷出噴嘴之前端部下方導:進而具備配置於上述 導向面係將藉由上述洗淨液
洗淨液導向下方者。 “機構所供給之上述特定 進而具備調整上述洗 之位置之調整機構。 上述調整機構係具有 8·如請求項1之喷嘴洗淨裝置,其中 淨液供給機構供給上述特定洗淨液 9·如請求項8之噴嘴洗淨裝置,其中 特定厚度之分隔物。 其中上述喷出喷嘴之喷口 1 〇·如請求項1之喷嘴洗淨裝置 係延伸於特定方向之隙縫;
且進而具備使上述洗淨液供給 移動的掃描機構。 機構沿著上述特定方向 11 12. 如請求項1之喷嘴洗淨裝置,其中上述喷出噴嘴之喷 係延伸於特定方向之隙縫; 上述,淨液供給機構係遍及上述噴出嘴嘴之前端部之 上述特定方向纟寬,錢同時供給上料定洗淨液。 ::求項1之喷嘴洗淨裝置,其中進而具備將特定氣體 、、°至上述噴出噴嘴之前端部的氣體供給機構; ”上述氣體供給機構供給上述特定氣體之位置較上述洗 爭液(、、、、5機構供給上述特定洗淨液之位置更上方。 98458.doc !293578 13· ^種噴嘴洗淨裝置’其特徵在於:其係洗淨自設置 w之噴口噴出特定處理液之喷出喷嘴者,且且備.、 、、朝向上述喷㈣嘴之前端部附近,供給特定洗 洗淨液供給機構;及 / 吸引精由上述洗淨液供給機構所供給 液的吸引機構; 上这特疋洗净 上述洗淨液供給機構具備: 冷灵數個朝向上哈φ & & ㈣出讀之前端部W上述特定洗淨 液之洗淨喷嘴; 义行疋,无/尹 將上述複數個洗淨噴嘴中至少一 特定洗淨液之位置以槲热甘 贾_仏、、,〇上述 淨液之位置,在〇 洗料嘴供給上述特定洗 , 向又方向不同之方式配置。 •了板處理裝置,其特徵在於:其 疋處理液者,且具備: 土师特 保持基板之保持機構; 自設置於前端部之嗔 機構保持之基板辛二”出特定處理液至被上述保持 板表面的贺出噴嘴;及 洗淨上述噴出噴嘴之噴嘴洗淨裝置; 上述噴嘴洗淨裝置具備·· 朝向上述噴出嘖喈 & 啡、^ 、 則柒部附近,供給特定洗淨液之 冼淨液供給機構;及 從又 ^引精由上料淨液供給機制供給之上 液的吸引機構; 吁疋洗✓尹 調整上述吸引機構之 及引力,使上述噴口附近成為上 98458.doc 1293578 述特定處理液的大略停滯點。 15. —種基板處理裝置, "特徵在於:其係於基板上塗佑 • 定處理液者,且具備: 土佈特 保持基板之保持機構· ' 自。又置於别、部之噴口噴出特定處理液至 機構保持之基板表面的噴出噴嘴;及 这保持 洗淨上述噴出噴嘴之喷嘴洗淨裝置; • 上述喷嘴洗淨裝置具備: 朝向上述噴出嘖喈夕a❿a 〆 _之則端部附近,供給特定 洗淨液供給機構; 淨液之 吸引藉由上述洗淨液供給機構所供給之上 液的吸引機構; 疋洗/尹 上述洗淨液供給機構具備·· 複數個朝向上述噴出噴嘴之前端部喷出 液之洗淨噴嘴; < 付疋冼平 特數個洗淨喷嘴中至少-個洗淨噴嘴供給上述 特疋洗甲液之位置以與其他洗淨喷嘴供 液之位置在高度方向不同之方式配置。”寺定洗淨 98458.doc
TW094101573A 2004-03-19 2005-01-19 Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus TWI293578B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004080188A JP4451175B2 (ja) 2004-03-19 2004-03-19 ノズル洗浄装置および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200534925A TW200534925A (en) 2005-11-01
TWI293578B true TWI293578B (en) 2008-02-21

Family

ID=35041240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094101573A TWI293578B (en) 2004-03-19 2005-01-19 Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4451175B2 (zh)
KR (1) KR100642666B1 (zh)
CN (1) CN100381216C (zh)
TW (1) TWI293578B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399822B (zh) * 2009-04-03 2013-06-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TWI565526B (zh) * 2011-07-12 2017-01-11 Toray Industries Nozzle cleaning method and coating device
TWI665023B (zh) * 2017-03-24 2019-07-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI686243B (zh) * 2017-02-09 2020-03-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US10622225B2 (en) 2016-08-29 2020-04-14 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
US11174549B2 (en) * 2018-11-02 2021-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing methods
US11806763B2 (en) 2021-03-11 2023-11-07 Kioxia Corporation Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006088033A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Future Vision:Kk ウェット処理装置
JP4792787B2 (ja) * 2005-03-31 2011-10-12 凸版印刷株式会社 洗浄装置付塗布装置
KR100708314B1 (ko) 2005-11-04 2007-04-17 세메스 주식회사 노즐 처리 유닛 및 방법, 그리고 상기 유닛을 가지는 기판처리 장치
JP4493034B2 (ja) 2005-11-21 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜の成膜方法及びその装置
JP4884038B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 東京応化工業株式会社 スリットノズル洗浄装置
JP4985007B2 (ja) * 2006-03-22 2012-07-25 東レ株式会社 塗布器の洗浄装置、塗布方法及び塗布装置、ならびに液晶ディスプレイ用部材の製造方法
JP4808147B2 (ja) 2006-12-15 2011-11-02 中外炉工業株式会社 塗布用ダイの清掃装置
JP4857193B2 (ja) 2007-05-28 2012-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置
JP5518284B2 (ja) * 2007-07-12 2014-06-11 東京応化工業株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、塗布装置及び塗布方法
KR100893670B1 (ko) * 2007-08-10 2009-04-20 주식회사 케이씨텍 노즐 세정장치 및 세정방법
TW200911389A (en) 2007-08-17 2009-03-16 Dainippon Screen Mfg Nozzle keeping device and coating device
JP4972504B2 (ja) * 2007-09-12 2012-07-11 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置
KR100897240B1 (ko) 2007-09-21 2009-05-14 주식회사 디엠에스 세정장치를 구비한 슬릿코터
JP5352080B2 (ja) * 2007-12-05 2013-11-27 東京応化工業株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、塗布装置及び塗布方法
CN101271277B (zh) * 2008-05-06 2010-12-22 友达光电股份有限公司 喷嘴清洁装置
KR100975129B1 (ko) * 2008-06-27 2010-08-11 주식회사 디엠에스 노즐 립 클리너를 구비한 슬릿 코터
JP2010045138A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Murata Machinery Ltd ノズル
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
DE102010022309A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Dürr Systems GmbH Vorrichtung, Verfahren und System zur Aufnahme und/oder Abgabe von Entsorgungsmittel
JP5226046B2 (ja) * 2010-08-18 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びノズルのメンテナンス方法
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN202087472U (zh) * 2011-05-10 2011-12-28 深圳市华星光电技术有限公司 狭缝涂布机喷嘴的清洗装置
KR101335219B1 (ko) * 2011-08-04 2013-11-29 주식회사 케이씨텍 슬릿 노즐의 비접촉식 세정기구 및 이를 이용한 세정 방법
KR101383755B1 (ko) * 2011-09-30 2014-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 헤드 유닛의 세정 방법
JP5841449B2 (ja) * 2012-02-10 2016-01-13 東京エレクトロン株式会社 拭き取りパッド及びこのパッドを用いたノズルメンテナンス装置並びに塗布処理装置
TWI544291B (zh) 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 顯像處理裝置
JP5701822B2 (ja) * 2012-06-20 2015-04-15 東レエンジニアリング株式会社 洗浄装置および洗浄方法
JP6000782B2 (ja) * 2012-09-26 2016-10-05 株式会社Screenホールディングス 塗布装置および液受け洗浄装置
CN103041943B (zh) * 2013-01-10 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 喷嘴清洁装置和具有该喷嘴清洁装置的涂布机
JP2014184357A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Toshiba Corp ノズル洗浄ユニット、およびノズル洗浄方法
JP2015060932A (ja) * 2013-09-18 2015-03-30 株式会社東芝 スパイラル塗布装置
CN103846183A (zh) * 2013-12-20 2014-06-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种涂布机喷嘴清洁装置
KR20150075368A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 접착제 도포 장치, 접착제 도포 부재의 클리닝 방법 및 표시 패널 제조 장치, 표시 패널의 제조 방법
KR102232667B1 (ko) * 2014-06-12 2021-03-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN104941876A (zh) * 2015-07-15 2015-09-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种涂胶机胶头的清洁设备
JP6697324B2 (ja) * 2016-05-26 2020-05-20 株式会社Screenホールディングス ノズル清掃装置、塗布装置およびノズル清掃方法
CN106378331A (zh) * 2016-11-28 2017-02-08 武汉华星光电技术有限公司 一种混合型口金非接触清洗装置及清洗方法
CN107694811B (zh) * 2017-09-25 2019-08-20 武汉华星光电技术有限公司 清洁装置
CN109807027A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种使用电控回吸阀的胶嘴清洗系统及其清洗方法
CN108704897B (zh) * 2018-05-21 2021-04-23 昆山龙腾光电股份有限公司 涂布机喷嘴的清洁装置以及清洁方法
CN110000036A (zh) * 2019-03-31 2019-07-12 池州华宇电子科技有限公司 一种芯片点胶枪内壁除胶装置
CN110237971B (zh) * 2019-05-31 2024-09-27 江苏嘉拓新能源智能装备股份有限公司 锂电池狭缝挤压式涂布模头在线全自动清洁装置及方法
KR102450703B1 (ko) * 2022-06-08 2022-10-04 창녕군시설관리공단 약액 노즐 세척기
CN116140269A (zh) * 2022-10-31 2023-05-23 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种喷嘴清洗装置、匀胶显影机

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3679904B2 (ja) * 1997-08-29 2005-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置
JP2003260423A (ja) * 2002-03-12 2003-09-16 Tatsumo Kk ノズル先端部の洗浄装置及び洗浄方法
JP2004058016A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Sharp Corp 洗浄装置、切削加工装置、及びインクジェット記録ヘッドの製造方法
JP3976644B2 (ja) * 2002-08-22 2007-09-19 株式会社大気社 塗料供給装置の洗浄装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399822B (zh) * 2009-04-03 2013-06-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TWI565526B (zh) * 2011-07-12 2017-01-11 Toray Industries Nozzle cleaning method and coating device
US10622225B2 (en) 2016-08-29 2020-04-14 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
TWI686243B (zh) * 2017-02-09 2020-03-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI665023B (zh) * 2017-03-24 2019-07-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US11174549B2 (en) * 2018-11-02 2021-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing methods
US11806763B2 (en) 2021-03-11 2023-11-07 Kioxia Corporation Substrate cleaning device and substrate cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
CN100381216C (zh) 2008-04-16
CN1669680A (zh) 2005-09-21
JP2005262127A (ja) 2005-09-29
JP4451175B2 (ja) 2010-04-14
KR20060041868A (ko) 2006-05-12
TW200534925A (en) 2005-11-01
KR100642666B1 (ko) 2006-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI293578B (en) Nozzle cleaning apparatus and substrate processing apparatus
TWI296211B (en) Substrate processing apparatus
CN104106125B (zh) 擦拭垫、使用该垫的喷嘴维护装置和涂覆处理装置
TW201200243A (en) Slit nozzle cleaning apparatus and coating apparatus
JP4986490B2 (ja) 予備吐出装置
TW201143913A (en) Slit nozzle cleaning apparatus and coating apparatus
JP2005329340A (ja) スリットコータの予備吐出装置
TWI604509B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之控制方法
KR20070062915A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2004221244A5 (zh)
TW201503227A (zh) 基板液體處理裝置及基板液體處理方法
TWI298908B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201214549A (en) Substrate processing apparatus
JP4033709B2 (ja) 基板洗浄方法及びその装置
TW202226342A (zh) 噴嘴待機裝置、液處理裝置及液處理裝置之運轉方法
JP2009011919A (ja) 洗浄装置、洗浄方法、予備吐出装置、塗布装置及び予備吐出方法
JP2000107706A (ja) 洗浄装置
JP4409930B2 (ja) 塗工ノズル清浄装置
KR101914991B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101460272B1 (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
JP4183122B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
TW543112B (en) Substrate holding apparatus, substrate processing apparatus and substrate edge cleaning apparatus
JP2006000748A (ja) 基板端縁部被膜の除去装置
JP5298083B2 (ja) 塗布装置及びノズルのプライミング処理方法
JP6656255B2 (ja) 基板をリンスするシステム及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent