[go: up one dir, main page]

TWI287239B - Symmetric three-dimension type inductor - Google Patents

Symmetric three-dimension type inductor Download PDF

Info

Publication number
TWI287239B
TWI287239B TW091135635A TW91135635A TWI287239B TW I287239 B TWI287239 B TW I287239B TW 091135635 A TW091135635 A TW 091135635A TW 91135635 A TW91135635 A TW 91135635A TW I287239 B TWI287239 B TW I287239B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
symmetric
conductive layer
dimensional
inductor
dimensional inductor
Prior art date
Application number
TW091135635A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200410266A (en
Inventor
Wei-Zen Chen
Wen-Hui Chen
Original Assignee
Univ Nat Central
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Nat Central filed Critical Univ Nat Central
Priority to TW091135635A priority Critical patent/TWI287239B/zh
Priority to US10/638,408 priority patent/US6870457B2/en
Publication of TW200410266A publication Critical patent/TW200410266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI287239B publication Critical patent/TWI287239B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F17/0013Printed inductances with stacked layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

1287239
五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種對稱立體式電感,尤指一種由半 導體製程所形成,而運用於射頻電路之電感元件者。 【先前技術】 在科技日益進步的今日,通訊科技進步與設備普及’ 從行動電話發展趨勢就可以很明顯看出,通訊需求快速增 加中’其伴隨而至的是通訊頻率增向,以提供更寬的頻段 ,現今的攜帶式通訊產品朝著高頻、輕、薄、短、小及多 功能展示,對於元件小型化、高精密度、高可信度及模組 化的要求也隨之增加;而影響高頻率無線通訊最主要之關 鍵在於射頻電路(Radio Frequency)之設計,而射頻應用 電路所面臨到的問題在於,運用在射頻應用電路中之高頻 電子元件電感,在其使用上之要求需有高的品質因素 (Quality Factor,Q)、高的自振頻率(Self-resonnant frequency)、低的寄生電容產生及高穩定度等特點,在設 計製作上極為不易。
請參閱第一圖,當習用之電感3如螺旋電感及微型3 D 電感等,運用於對稱電路上時如電感-電容壓控震盪器1中 (LC voltage control oscillator,LC VC0),其係包含有 兩獨立之習用電感3,一組電容5,一交錯偶合電路7 (Close Couple)及一中間抽頭裝置9,因在電感-電容壓控 震盈裔1之電路5又计上必須基於對稱性,如在電感-電容壓 控震盪器1上使用沒有具對稱性之習用電感3,即必須使用 兩相同獨立之習用電感3達到對稱電路之對稱性,在使用
第5頁 1287239 五、發明說明(2) 設計上增加設計電路之佈局面積及設計上整體之成本且無 法有效降低相位雜訊(P h a s e η 〇 i s e )。 因此,本發明即在如何針對上述問題而提出一種對稱 立體式電感,不僅可改善電感無對稱性之缺點,又可降低 於設計射頻電路使用之電感數目、相位雜訊及整體設計之 成本,使可解決上述之問題。 【發明内容】
本發明之主要目的,在於提供一種對稱立體式電感, 使電感結構達對稱性,以降低於設計射頻電路時使用之電 感數目之目的。 本發明之次要目的,在於提供一種對稱立體式電感, 使達提高電感之品質因素之目的。 本發明之又一目的,在於提供一種對稱立體式電感, 使降低於射頻電路中之相位雜訊。
為達以上之目的,本發明提供一種對稱立體式電感, 一種對稱立體式電感,其係具有複數導電層,其係為一左 右對稱的幾何形狀導電層,且每一導電層係分別位於半導 體之各絕緣層上,藉由絕緣層使上下相鄰之該導電層保持 相互隔離,導電層上係由至少一導體線於互不相交下繞成 一左右對稱之幾何形狀,該左右對稱之幾何形狀導電層其 /系可為方形、圓形或其它相關之對稱幾何形狀,而每一導 電層之間之絕緣層中係具有複數介層窗插塞以連接上下層 之導電層,介層窗插塞其係為該對稱立體式電感之一部 份0
第6頁 1287239 五、發明說明(3) 茲為使 貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之 功效更有進一步之瞭解與認識,謹佐以較佳之實施例圖及 配合詳細之說明,說明如後: 【圖 號 對 昭 說 明 ] 1 電 感 -電容壓控震 3 習 用 電 感 5 電 容 7 交 錯 偶 合 電 路 9 抽 頭 裝 置 10 對 稱 立 體 式 電感 ;12 第 一 導 電 層 14 第 .二 導 電 層 16 第 三 導 電 層 18 第 四 導 電 層 20 導 體 線 22 介 層 窗 插 塞 24 第 一 埠 25 第 二 埠 26 抽 頭 裝 置 :2 7 電 感 -電容壓控震 28 電 容 29 交 錯 偶 合 電 路 30 第 波 形 線 32 第 _ 一 波 形 線
第7頁
1287239 五、 發明說明 丨⑷ 34 第 二 波 形 線 36 偶 數 導 電 層 t38 奇 數 導 電 層 40 偶 數 内 導 電 層 42 層 窗 插 塞 44 奇 數 外 導 電 層 46 第 四 波 形 線 48 第 五 波 形 線 49 第 六 波 形 線 50 對 稱 立 體 式 單 晶 變 壓 器 52 主 要 部 分 對 稱 立 體 式 電 感 5 3 第 -— 埠 54 次 要 部 分 對 稱 立 體 式 電 感 55 第 二 埠 60 對 稱 立 體 式 單 晶 B a 1 u η元件 62 主 要 部 分 對 稱 立 體 式 電 感 63 第 一 瑋 64 次 要 部 分 對 稱 立 體 式 電 感 65 第 二 埠 66 第 三 埠 68 抽 頭 裝 置 【實施 方 式 ] 請參閱第二圖,係為本發明之一較佳實施例;如圖所 示,一對稱立體式電感1 〇,其係形成於半導體上,對稱立 1287239 五、發明說明(5) 體式電感10其係包括有一第一導電層12,一第二導電層14 ,一第三導電層16及一第四導電層18,每一導電層12、14 ‘、1 6、1 8其係為一左右對稱的幾何形狀導電層並皆位於半 導體之各絕緣層之平面上,藉由絕緣層使該各導電層1 2、 1 4、1 6、1 8保持相互隔離,而每一導電層1 2、1 4、1 6、1 8 皆由至少一導體線2 0以互不相交下繞成左右對稱之幾何形 狀,且該偶數導電層1 4及1 8之形狀大小係大於奇數導電層 1 2及1 6之形狀大小,以減少寄生電容的產生,導電層1 2、 1 4、1 6、1 8尚可繞成為圓形或其它對稱之幾何形狀,複數 介層窗插塞2 2 ( V i a P 1 ug )係位於絕緣層中,以連接上下層 相鄰之導電層1 2、1 4、1 6、1 8使可互相電性導通,且於第 一導電層1 2上係設有一第一埠2 4及一第二璋2 5,該對稱立 體式電感1 0不論從第一淳2 4或由第二埠2 5看入皆為呈對稱 狀,對稱立體式電感1 〇中間尚可裝設有一抽頭裝置2 6。 請一併參閱第三A圖、第三B圖及第三C圖,對稱立體 式電感1 0,其中間係可裝設抽頭裝置2 6,其係可接至一定 直流偏壓或是接地,其可簡化示意為如第三A圖所示,然 而,此架構就如同一反向變壓器(inverting-type transformer )如第三B圖所示;請參閱第三C圖,而對稱立 體式電感1 0運用於對稱電路中,如電感-電容壓控震盪器 2 7中,其係包含有一對稱立體式電感10,一組電容28,一 交錯偶合電路29(Close Couple)及一中間抽頭裝置26,當 對稱立體式電感1 0使用於對稱性電路,電感-電容壓控震 盪器2 7中只要一個對稱立體式電感1 0即可取代兩個不對稱
1287239 五、發明說明(6) 獨立之習用電感3以降低整體之設計成本及設計面積。 請參閱第四A圖、第四B圖及第四C圖,該圖係為經由 模擬所得之波形圖,如圖所示;第一波形線3 0係將電感之 一埠接地而由另一琿所得之波形線,第二波形線3 2及第三 波形線3 4係分別由電感之兩個埠所得之波形線,由第四A 圖及第四B圖的第二波形線3 2及第三波形線3 4可看出習用 的螺旋電感及微形3 D電感其重疊性不佳,即表示習用電感 之對稱性不佳,由第四C圖可知本發明對稱立體式電感1 0 ,其第二波形線3 2及第三波形線3 4幾乎重疊在一起,即可 知本發明係為一對稱式電感而適用於對稱性電路中,當對 稱立體式電感1 0使用於對稱性電路中只要一個對稱立體式 電感1 0即可取代兩個不對稱獨立之習用電感以降低整體之 設計成本及設計面積。 請參閱第五圖,如圖所示,其係於對稱立體式電感10 之偶數導電層3 6之内側,繞有與奇數導電層3 8相同大小之 左右對稱幾何形狀之一偶數内導電層4 0,而偶數内導電層 4 0不與外圍之偶數導電層3 6相交,且偶數内導電層4 0藉由 於絕緣層中設有之複數介質窗插塞4 2,與奇數導電層3 8相 並聯;而在奇數導電層3 8之外侧,繞有與偶數導電層3 6相 同大小之左右對稱幾何形狀之一奇數外導電層4 4,而奇數 外導電層4 4不與内侧之奇數導電層3 8相交,且奇數外導電 層4 4藉由於絕緣層中設有之複數介質窗插塞4 2,與偶數導 電層3 6相並聯,藉由偶數内導電層4 0與奇數導電層3 8相並 聯及奇數外導電層4 4與偶數導電層3 6相並聯,以降低串聯
第10頁 (7) 1287239 五、發明說明 電阻’其係* „ ,其對r 、為多層金屬並聯法(mulu level shunt,mls) 〃 ^冉立體式電感i 〇仍是對稱立體狀。 5 月 ~ ^
感1 0之偶數4閱第六圖,如圖所示,其係於對稱立體式電 3、之左右對^電層36之内側,繞有與奇數導電層38相同大 電層40不歲%幾何形狀之一偶數内導電層40,而偶數内導 藉由於絕緣2圍之偶數導電層36相交,且偶數内導電層4C 38相並聯,】中設有之複數介質窗插塞42,與奇數導電層 掉,豆係Λ 係將上述第三圖實施例之奇數外導電層44去 以1^1;、,41^:進3層金屬並聯法(1"11)1'(^6(1_1七116^1 ^ /、, ’其對稱立體式電感1 〇仍是對稱立體狀。 吕賣 一—Xjr a Μ撼祕彡曰口 '閱第七圖,其係將本發明上述三個實施例經 棋擬所付品督m主Α , 斤一與Α月因素Q之波形比較示意圖,如圖中所示,由 =凰回1知例所得之第四波形線4 6、由第五圖實施例多層 *並%卩去所得之第五波形線4 8及由第六圖實施例改進多 層金屬並聯法所得之第六波形線4 9,可知多層金屬並聯法 可有效的減少_聯電阻,增加低頻時的品質因素Q,但因 偶數内導電層4 0與奇數導電層3 8相並聯及奇數外導電層4 4 與偶數導電層3 6相並聯,電容接觸面積加大,故使寄生電 容增加,反使高頻的品質因素Q下降,因此採取改進多層
金屬並聯法降低寄生電容增加的量,以提高對稱立體式電 感1 0於高低頻時之品質因素Q。 請參閱第八圖,如圖所示,一對稱立體式單晶變壓器 5 0,其係運用一主要部分對稱立體式電感5 2及一次要部分 對稱立體式電感5 4,分別作為單晶變壓器之主要部份及次
第11頁 1287239 五、發明說明(8) 要部份,即建構成一對稱立體式單晶變壓器5 0,主要部分 對稱立體式電感5 2其係具有一第一埠5 3,而次要部分對稱 立體式電感5 4具有一第二埠55。 請參閱第九圖,如圖所示,一對稱立體式單晶Ba 1 un元 件6 0,其係運用一主要部分對稱立體式電感6 2及一次要部 分對稱立體式電感64,分別作為單晶Baiun元件之一主要 部份及一次要部份,即建構成一對稱立體式單晶Ba 1 un元 件6 0,主要部分對稱立體式電感6 2其係具有一第一埠6 3, 而次要部分對稱立體式電感6 4具有一第二埠6 5及一第三埠 66,且該對稱立體式單晶Baiun60元件之中間具有一抽頭 裝置6 8以作為直流偏壓之輸入端。 綜上所述,本發明對稱立體式電感1 0因在架構上係具 有對稱性,故使用在射頻電路設計上之對稱電路時,只需 一個對稱立體式電感1 0即可取代原本需兩個獨立習用之電 感,係可降低整體設計製作之成本,且係可在中間裝設有 一抽頭裝置2 6,就如同為一反相型變壓器,使用於電感-電容壓控震盪器2 7時,係可減少電感-電容壓控震盪器2 7 之面積,亦可降低電感-電容壓控震盪器2 7之相位雜訊 (phase noise)0 故本發明實為一具有新穎性、進步性即可供產業上利 用者,應符合我國專利法專利申請要件無疑,爰依法提出 發明專利申請,祈 鈞局早曰賜至准專利,至感為禱 。 惟以上所述者,僅為本發明一較佳實施例而已,並非 用來限定本發明實施之範圍,故舉凡依本發明申請專利範
1287239
1287239 圖式簡單說明 第一圖係習用電感建構之電感-電容壓控震盪器之架構示 意圖; 第二圖係本發明之一較佳實施例之架構示意圖; 第三A圖係本發明之簡化示意圖; 第三B圖係第三A圖之等效示意圖; 第三C圖係本發明運用在電感-電容壓控震盪器之架構示意 圖, 第四A圖係習用螺旋電感對稱性之波形示意圖; 第四B圖係習用微形3D電感對稱性之波形示意圖;
第四C圖係本發明對稱性之波形示意圖; 第五圖係本發明之另一較佳實施例之架構示意圖; 第六圖係本發明之又一較佳實施例之架構示意圖; 第七圖係本發明實施例之品質因素Q之波形比較示意圖; 第八圖係以本發明建立之對稱立體式單晶變壓器之架構示 意圖; 第九圖係以本發明建立之對稱立體式單晶ba 1 un元件之架 構不意圖。
第14頁

Claims (1)

1287239 六、申請專利範圍 1 · 一種對稱立體式電感,其係包括有: 複數導電層,其係由至少一互不相交之導體線繞成之 左右對稱的幾何形狀導電層,該每一導電層其係位於 半導體之各絕緣層上,藉由該絕緣層使上下相鄰之該 導電層保持相互隔離;及 複數介層窗插塞,其係位於該絕緣層中,以連接上下 層相鄰之該導電層。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該左右對稱之幾何形狀導電層,其係為一方形。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該左右對稱之幾何形狀導電層,其係為一圓形。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該對稱立體式電感中間其裝設有一抽頭裝置。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該對稱立體式電感,其係可運用於單晶變壓器以作為 一主要部分及一次要部分而構成一對稱立體式單晶變 壓器。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該對稱立體式電感,其係可運用於單晶Ba 1 un元件作 為一主要部分及一次要部分,且中間具有一抽頭裝置 ,而構成一對稱立體式單晶Baiun元件。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該導體線係可為鋁、銅、鋁銅合金及相關之導電金屬 之其中之一者。
第15頁 1287239 六、申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第1項所述之對稱立體式電感,其中 該偶數導電層之左右對稱幾何形狀大小,係不同於該 奇數導電層之左右對稱幾何形狀大小。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之對稱立體式電感,其中 該偶數導電層内部,尚可繞有與該奇數導電層相同大 小之左右對稱幾何形狀之一偶數内導電層,且藉由該 絕緣層中設有複數介層窗插塞,而與該奇數導電層相 並聯,但該偶數内導電層不與外側之該偶數導電層相 交。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項所述之對稱立體式電感,其中 該奇數導電層外側,尚可繞有與該偶數導電層相同大 小之左右對稱幾何形狀之一奇數外導電層,且藉由該 絕緣層中設有複數介層窗插塞,而與該偶數導電層相 並聯,但該奇數外導電層不與内側之該奇數導電層相 交。
第16頁
TW091135635A 2002-12-10 2002-12-10 Symmetric three-dimension type inductor TWI287239B (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091135635A TWI287239B (en) 2002-12-10 2002-12-10 Symmetric three-dimension type inductor
US10/638,408 US6870457B2 (en) 2002-12-10 2003-08-12 Symmetrical stacked inductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091135635A TWI287239B (en) 2002-12-10 2002-12-10 Symmetric three-dimension type inductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200410266A TW200410266A (en) 2004-06-16
TWI287239B true TWI287239B (en) 2007-09-21

Family

ID=32466595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091135635A TWI287239B (en) 2002-12-10 2002-12-10 Symmetric three-dimension type inductor

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6870457B2 (zh)
TW (1) TWI287239B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886884B2 (en) 2016-06-06 2021-01-05 Huawei Technologies Co., Ltd. Inductively coupled filter and wireless fidelity WiFi module

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7375598B2 (en) * 2004-02-19 2008-05-20 Texas Instruments Incorporated System and method for increasing radio frequency (RF)/microwave inductor-capacitor (LC) oscillator frequency tuning range
WO2006127851A2 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for reducing circuit area
US8325001B2 (en) * 2005-08-04 2012-12-04 The Regents Of The University Of California Interleaved three-dimensional on-chip differential inductors and transformers
EP2051264A1 (en) 2006-08-01 2009-04-22 NEC Corporation Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon
TWI314331B (en) 2006-08-23 2009-09-01 Via Tech Inc Symmetrical inductor
KR100886351B1 (ko) 2007-01-24 2009-03-03 삼성전자주식회사 변압기 및 밸룬
FR2919108B1 (fr) * 2007-07-18 2010-05-28 St Microelectronics Sa Inductance comprenant des boucles sur plusieurs niveaux de metallisation
FR2919422A1 (fr) * 2007-07-27 2009-01-30 St Microelectronics Sa Inductance a surface reduite et a point milieu determinable simplement
US7548064B1 (en) * 2007-12-29 2009-06-16 General Electric Company Folded gradient terminal board end connector
US8183971B2 (en) * 2008-04-10 2012-05-22 Nxp B.V. 8-shaped inductor
US20100019300A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Multilayer integrated circuit having an inductor in stacked arrangement with a distributed capacitor
US7902953B1 (en) * 2008-08-18 2011-03-08 Altera Corporation Method and apparatus for improving inductor performance using multiple strands with transposition
US20100052837A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-04 Siqi Fan Integrated Circuit Multilevel Inductor
FR2936349B1 (fr) * 2008-09-23 2010-10-01 St Microelectronics Sa Inductance a surface reduite et a capacite de conduction de forts courants amelioree.
JP2011040509A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Imec 2層式トランス
CN102087909A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 内外径电流补偿的多路径叠层电感
CN102087908A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 堆叠式差分电感
CN102087911A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感
US8068003B2 (en) * 2010-03-10 2011-11-29 Altera Corporation Integrated circuits with series-connected inductors
US20120092119A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Xilinx, Inc. Multiple-loop symmetrical inductor
KR101390701B1 (ko) 2012-08-17 2014-05-07 고려대학교 산학협력단 적층된 대칭 나선형 인덕터를 이용한 초소형 광대역 발룬
US9431473B2 (en) * 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
CN104517941B (zh) 2013-09-29 2018-12-28 澜起科技股份有限公司 线圈及制备应用于电感元件的线圈的方法
US20150365738A1 (en) * 2014-01-09 2015-12-17 Rick Purvis Telemetry arrangements for implantable devices
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
US20160064137A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-03 Apple Inc. Capacitively balanced inductive charging coil
EP3314698A4 (en) 2015-06-23 2018-08-08 Newman, Joshua Hershel Dynamic-range active flat-torus split-phase aggregator
EP3367067B1 (en) 2017-02-28 2019-07-03 Melexis Technologies SA Position sensor and method of position sensing
JP7288288B2 (ja) * 2017-05-02 2023-06-07 太陽誘電株式会社 磁気結合型コイル部品
TWI659437B (zh) * 2018-06-22 2019-05-11 瑞昱半導體股份有限公司 變壓器裝置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610433A (en) * 1995-03-13 1997-03-11 National Semiconductor Corporation Multi-turn, multi-level IC inductor with crossovers
US6800533B1 (en) * 2000-03-06 2004-10-05 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated vertical spiral inductor on semiconductor material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886884B2 (en) 2016-06-06 2021-01-05 Huawei Technologies Co., Ltd. Inductively coupled filter and wireless fidelity WiFi module

Also Published As

Publication number Publication date
TW200410266A (en) 2004-06-16
US20040108933A1 (en) 2004-06-10
US6870457B2 (en) 2005-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI287239B (en) Symmetric three-dimension type inductor
CN203931711U (zh) 共模噪声滤波器
CN207691765U (zh) 移相器、阻抗匹配电路以及通信终端装置
US9240272B2 (en) Winding and method for preparing a winding applied to an inductive device
CN103779973A (zh) 无线电力传输系统及用于该无线电力传输系统中的电感器
CN101202151A (zh) 具有高q电感器的集成无源器件
JP2013120938A (ja) コイル部品及びその製造方法
TW201541598A (zh) 具有電感電容諧振電路之半導體裝置
US7420452B1 (en) Inductor structure
US9183978B2 (en) Filter for removing noise
CN101202277A (zh) 对称电感元件
US7671704B2 (en) LC resonant circuit
CN105023914B (zh) 电感电容谐振电路的半导体装置
TW200428421A (en) Inductor formed between two layout layers
CN101145435B (zh) 电感结构
CN107994008A (zh) 一种运用螺线管式硅通孔电感的新型低通滤波器
CN103236824B (zh) 优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成emi滤波器
JP5578440B2 (ja) 差動伝送線路
CN108022730A (zh) 一种变压器及其装配方法
CN115020082A (zh) 电源模块及多绕组电感
CN115274271A (zh) 共模滤波器、滤波装置、具有滤波功能的装置及电子设备
CN105097769A (zh) 一种三维集成电路的器件及其制备方法
CN101123421B (zh) 电感电容谐振电路
JP5219790B2 (ja) バンドパスフィルタ、これを用いた無線通信モジュール及び通信機器装置
CN101090032A (zh) 电感结构

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees