CN203931711U - 共模噪声滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的目的在于提供一种能提高Scd21特性的共模噪声滤波器。本实用新型的共模噪声滤波器交替配置构成第一线圈(14)的第一、第二线圈导体(16、17)和构成第二线圈(15)的第三、第四线圈导体(18、19)，进一步，第一线圈导体(16)和第三线圈导体(18)磁气结合而形成第一共模滤波器部(20)，第二线圈导体(17)和第四线圈导体(19)磁气结合而形成第二共模滤波器部(21)，并且，第一～第四线圈导体(16-19)中的、位于层叠方向上的靠近磁性体(13a、13b)侧的2个线圈导体(16、19)的长度比位于层叠方向上的中央部分的2个线圈导体(17、18)的长度短。
Description
技术领域
本实用新型涉及使用于数字设备、AV设备、信息通信终端等各种电子设备的小型、薄型的共模噪声滤波器。
背景技术
如图10所示，现有的这种共模噪声滤波器具有形成于层叠的多个绝缘体层1a-1g上的第一线圈2和第二线圈3，第一线圈2连接旋涡状的第一、第二线圈导体4a、4b而构成，第二线圈3连接旋涡状的第三、第四线圈导体5a、5b而构成，且，交替配置构成第一线圈2的第一、第二线圈导体4a、4b和构成第二线圈3的第三、第四线圈导体5a、5b。还有，设置于最下面的绝缘体层1a和设置于最上面的绝缘体层1g由磁性材料构成，其他的绝缘体层1b-1f由非磁性材料构成，第一线圈2、第二线圈3由非磁性材料包围。磁气结合第一线圈导体4a和第三线圈导体5a形成第一共模滤波器部6，且，磁气结合第二线圈导体4b和第四线圈导体5b形成第二共模滤波器部7，通过串联连接第一共模滤波器部6和第二共模滤波器部7，确保高共模阻抗，去除共模噪声。
本实用新型相关的现有技术文献信息，已知例如专利文献1。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2002-373810号公报
实用新型解决的课题
上述的现有共模噪声滤波器中，第一线圈导体4a、第四线圈导体5b靠近由磁性材料构成的绝缘体层1a、1g，所以，与远离由磁性材料构成的绝缘体层1a、1g的第三线圈导体5a、第二线圈导体4b相比，第一线圈导体4a、第四线圈导体5b的电感变大。
其结果是，具有不同电感值的第一线圈导体4a和第三线圈导体5a磁气结合形成第一共模滤波器部6，具有不同电感值的第二线圈导体4b和第四线圈导体5b磁气结合形成第二共模滤波器部7，因此，在输入差动(differential)信号时，通过第一共模滤波器部6的第一线圈导体4a和第三线圈导体5a的各自信号之间、以及通过第二共模滤波器部7的第二线圈导体4b和第四线圈导体5b的各自信号之间的振幅及相位差动平衡从理想状态(振幅差0以及相位差180度)偏离，由此，现有的共模噪声滤波器具有输入的差动信号成分变成共模，并被输出的比率(以下称Scd21特性)高的问题。
进一步，因为，在层叠方向上重叠多个线圈导体，根据线圈导体间的杂散电容大小、发生杂散电容的部位，会成为差动信号平衡偏离的主要原因，恶化Scd21特性。
实用新型内容
本实用新型解决上述的现有课题，提供一种能提高Scd21特性的共模噪声滤波器。
解决课题的手段
为了达到上述目的，本实用新型具有如下结构。
本实用新型技术方案1的共模噪声滤波器包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的长度从上方开始依次表示为a1、a2、a3、a4时，满足a1＜a2且a3＞a4的条件。根据这样的结构，能降低最接近磁性体部的部位的2个线圈导体的电感值，由此，能够位于远离磁性体部的中央部分的2个线圈导体的电感值和位于最接近磁性体部的部分的2个线圈导体的电感值大致相等。这样，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止在第一共模滤波器部以及第二共模滤波器部Scd21特性恶化的作用效果。
本实用新型技术方案2的共模噪声滤波器包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的线宽从上方开始依次表示为b1、b2、b3、b4时，满足b1＞b2且b3＜b4的条件。根据这样的结构，变大位于最接近磁性体部的2个线圈导体的截面积，所以，减少自电感，降低电感值。由此，能够使位于远离磁性体部的中央部分的2个线圈导体的电感值和位于最接近磁性体部的部分的2个线圈导体的电感值大致相等。这样，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止在第一共模滤波器部以及第二共模滤波器部Scd21特性恶化的作用效果。
本实用新型技术方案3的共模噪声滤波器包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的厚度从上方开始依次表示为c1、c2、c3、c4时，满足c1＞c2且c3＜c4的条件。根据这样的结构，变大位于最接近磁性体部的部分的2个线圈导体的截面积，所以，减少自电感，降低电感值。由此，能够使位于远离磁性体部的中央部分的2个线圈导体的电感值和位于最接近磁性体部的部分的2个线圈导体的电感值大致相等。这样能防止Scd21特性恶化。并且，不会变大第一线圈导体和第三线圈导体之间、第二线圈导体和第四线圈导体之间的对置面积，能防止这些线圈导体之间的杂散电容的增多。由此，共模噪声滤波器具有能防止差模的特性阻抗减少和差动(differential)信号的恶化的作用效果。
本实用新型技术方案4的共模噪声滤波器包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，所述第一～第四线圈导体中的、位于层叠方向上的中央部分的所述第三线圈导体和第四线圈导体之间的所述非磁性体层的厚度比其他非磁性体层的厚度厚。根据这样的结构，能降低构成第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体之间发生的杂散电容，由此，能够减低在第二线圈内经由所述杂散电容的输入输出之间信号的跳过泄漏。这样，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止各自通过第一共模滤波器部的第一线圈导体和第三线圈导体的信号间的差动平衡、以及各自通过第二共模滤波器部的第二线圈导体和第四线圈导体的信号间的差动平衡崩溃，提高Scd21特性的作用效果。
本实用新型技术方案5的共模噪声滤波器包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，所述第一～第四线圈导体中的、位于层叠方向上的中央部分的所述第三线圈导体和第四线圈导体之间的所述非磁性体层的介电常数小于其他非磁性体层的介电常数。根据这样的结构，能降低构成第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体之间产生的杂散电容，因此，能减低在第二线圈内经由所述杂散电容的输入输出之间信号的跳过泄漏。这样，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止各自通过第一共模滤波器部的第一线圈导体和第三线圈导体的信号间的差动平衡、以及各自通过第二共模滤波器部的第二线圈导体和第四线圈导体的信号间的差动平衡崩溃，提高Scd21特性的作用效果。同时，这样的共模噪声滤波器无需变长第一共模滤波器部和第二共模滤波器部的距离，所以，输入共模噪声时，第一共模滤波器部和第二共模滤波器部强烈地磁气结合，起到电感作用，得到大的共模阻抗，获得良好地去除共模噪声的性能。
发明效果
上述的本实用新型的共模噪声滤波器通过降低靠近磁性体部的位于上下的2个线圈导体的电感值，使位于远离磁性体部的中央部分的2个线圈导体的电感值与位于靠近磁性体部的部分的2个线圈导体的电感值大致相等。由此，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止在第一共模滤波器部以及第二共模滤波器部Scd21特性恶化的出色效果。
附图说明
图1表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的分解立体图。
图2表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的立体图。
图3表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的电路模式图。
图4表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的另一种例子的分解立体图。
图5表示本实用新型实施方式2的共模噪声滤波器的分解立体图。
图6表示本实用新型实施方式2的共模噪声滤波器的电路模式图。
图7表示本实用新型实施方式3的共模噪声滤波器的分解立体图。
图8表示用于说明本实用新型实施方式3的共模噪声滤波器的电路模式图。
图9是表示现有共模噪声滤波器和本实用新型实施方式1、2、3的共模噪声滤波器的Sdc21特性的图。
图10表示现有共模噪声滤波器的分解立体图。
符号说明
11a-11e 第一～第五非磁性体层
12 绝缘体部
13a、13b 磁性体部
14 第一线圈
15 第二线圈
16 第一线圈导体
17 第二线圈导体
18 第三线圈导体
19 第四线圈导体
20 第一共模滤波器部
21 第二共模滤波器部
具体实施方式
实施方式1
图1表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的分解立体图，图2表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的立体图。
如图1所示，本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器具备：具有第一～第五非磁性体层11a-11e的绝缘体部12；层叠于绝缘体部12上下的由磁性材料构成的磁性体部13a、13b；形成于绝缘体部12上的第一、第二线圈14、15，第一线圈14由旋涡状的第一线圈导体16以及第二线圈导体17构成，并且，第二线圈15由旋涡状的第三线圈导体18以及第四线圈导体19构成，构成第一线圈14的第一线圈导体16、第二线圈导体17和构成第二线圈15的第三线圈导体18、第四线圈导体19交替配置。
进一步，磁气结合第一线圈导体16和第三线圈导体18形成第一共模噪声滤波器部20，磁气结合第二线圈导体17和第四线圈导体19形成第二共模噪声滤波器部21，第一共模噪声滤波器部20和第二共模噪声滤波器部21串联连接。
在上述结构中，第一～第五非磁性体层11a-11e从下方开始依次被层叠，其由不是强磁性体的材料、例如Cu-Zn铁素体、玻璃陶瓷等非磁性材料构成为片状。而且，构成具有第一～第五非磁性体层11a-11e的绝缘体部12。
进一步，在绝缘体部12的内部形成有第一、第二线圈14、15，第一线圈14由旋涡状的第一线圈导体16以及旋涡状的第二线圈导体17构成，第二线圈15由旋涡状的第三线圈导体18以及旋涡状的第四线圈导体19构成。
第一～第四线圈导体16-19通过分别将银等导电材料镀敷或者印刷成旋涡状而形成。
此时，第一线圈导体16形成在非磁性体层11a的上表面，第二线圈导体17形成在第三非磁性体层11c的上表面，第三线圈导体18形成在第二非磁性体层11b的上表面，第四线圈导体19形成在第四非磁性体层11d的上表面。
即，构成第一线圈14的第一、第二线圈导体16、17和构成第二线圈15的第三、第四线圈导体18、19以交替配置的方式被层叠。在此，在俯视下第一线圈导体16和第三线圈导体18的一部分配置在大致同样的位置，并通过使卷绕的方向也是同一方向而磁气结合，由此形成第一共模滤波器部20，同样，在俯视下第二线圈导体17和第四线圈导体19的一部分配置在大致同样的位置，并通过使卷绕的方向也是同一方向而磁气结合，由此形成第二共模滤波器部21。
并且，第一～第四线圈导体16-19中的、位于上下位置的第一线圈导体16和第四线圈导体19配置在比被该位于上下位置的第一线圈导体16和第四线圈导体19夹住的第二线圈导体17和第三线圈导体18更靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b侧，并且，位于更靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b侧的2个第一线圈导体16和第四线圈导体19的长度分别比位于层叠方向上的中央部分而位于远离磁性体部13a、13b侧的第二线圈导体17和第三线圈导体18的长度短。即，第一线圈导体16和第四线圈导体19的匝数少于第二线圈导体17和第三线圈导体18的匝数。
第一线圈导体16和第二线圈导体17通过分别形成在第二、第三非磁性体层11b、11c上的第一导通电极21a互相连接，构成第一线圈14。第三线圈导体18和第四线圈导体19通过分别形成在第三、第四非磁性体层11c、11d上的第二导通电极21b互相连接，构成第二线圈15。
在俯视下第一导通电极21a分别设置在相同位置，在俯视下第二导通电极21b也分别设置在相同位置。在非磁性体层、磁性体层的规定位置上，利用激光进行穿孔加工，在孔里填充银而形成第一导通电极21a、第二导通电极21b。
在第一非磁性体层11a的下表面、第五非磁性体层11e的上表面分别设置有由磁性材料构成的磁性体部13a、13b。该磁性体部13a、13b由片状的Ni-Cu-Zn铁素体等形成。
构成第一～第五非磁性体层11a-11e，磁性体部13a、13b的片的数量不限于图1所示的数量。
根据上述的结构，如图2所示，形成共模噪声滤波器的主体部22。并且，在该主体部22的两端面设置有第一～第四外部电极23a-23d，该第一～第四外部电极23a-23d分别连接到第一～第四线圈导体16-19。第一～第四外部电极23a-23d通过在主体部22的端面上印刷银形成，并且，通过在第一～第四外部电极23a-23d的表面通过镀敷而形成镀镍层，同时，在镀镍层的表面通过进行镀敷而形成锡或者焊料等的低熔点的金属镀敷层。
图3表示本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器的电路模式图。
在如上述的本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器中，第一～第四线圈导体16-19中的、位于靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的长度分别比被第一线圈导体16和第四线圈导体19夹住且位于远离磁性体部13a、13b的部分的第二线圈导体17和第三线圈导体18的长度短。由此，能降低位于靠近磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的电感值，可以使位于远离磁性体部13a、13b的中央部分的第二、第三线圈导体17、18的电感值与位于靠近该磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的电感值大致相等。这样，共模噪声滤波器，具有在输入差动信号时能防止第一共模滤波器部20以及第二共模滤波器部21的Sdc21特性恶化的效果。
如果，使位于靠近磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的截面积大于位于远离磁性体部13a、13b的中央部分的第二、第三线圈导体17、18的截面积，能降低第一、第四线圈导体16、19的自电感，因此能降低第一、第四线圈导体16、19的电感值。其结果是，能使第二、第三线圈导体17、18的电感值和第一、第四线圈导体16、19的电感值大致相等。这样，共模噪声滤波器具有在输入差动信号时能防止第一共模滤波器部20以及第二共模滤波器部21的Sdc21特性恶化的效果。
此时，为了使位于靠近磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的截面积大于位于远离磁性体部13a、13b的中央部分的第二、第三线圈导体17、18的截面积，如图4所示，使第一、第四线圈导体16、19的线宽分别宽于第二、第三线圈导体17、18的线宽。此时，也可以使第一、第四线圈导体16、19的长度短于第二、第三线圈导体17、18的长度，也可以使其大致相等。
为了使位于靠近磁性体部13a、13b的部分的第一、第四线圈导体16、19的截面积大于位于远离磁性体部13a、13b的中央部分的第二、第三线圈导体17、18的截面积，也可以使第一、第四线圈导体16、19的厚度分别厚于第二、第三线圈导体17、18的厚度。此时，不用扩大第一线圈导体16和第三线圈导体18之间、第二线圈导体17和第四线圈导体19之间的对置面积，能防止这些线圈导体之间的杂散电容的增多，由此，能防止差模的特性阻抗下降，防止差动信号的恶化。
实施方式2
图5表示本实用新型实施方式2的共模噪声滤波器的分解立体图。本实用新型实施方式2中，对于具有与本实用新型实施方式1相同结构的部件，附上同一符号，省略其说明。
本实用新型实施方式2与本实用新型实施方式1的不同点是，如图5所示，本实用新型实施方式2中，更换第二线圈导体17和第四线圈导体19，使构成第一线圈14的第一线圈导体16和第二线圈导体17夹住构成第二线圈15的第三线圈导体18和第四线圈导体19。
并且，第一～第四线圈导体16-19中的、位于上下位置且位于靠近磁性体部13a、13b的部分的第一、第二线圈导体16、17的厚度比被第一、第二线圈导体16、17夹住且位于远离磁性体部13a、13b的部分的第三、第四线圈导体18、19的厚度厚。
本实用新型实施方式2与本实用新型实施方式1的相同点是，位于靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b的部位的第一线圈导体16和第二线圈导体17的长度比位于远离磁性体部13a、13b的部位且位于层叠方向上的中央部分的第三线圈导体17和第四线圈导体18的长度短，或者，也可以使第一、第二线圈导体16、17的宽度比第三、第四线圈导体18、19的宽度窄。
此时的电路模式图如图6所示。
根据上述结构，与本实用新型实施方式1的相同点是，能够降低第一～第四线圈导体16-19中的、位于靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b的部位的第一线圈导体16和第二线圈导体17的电感值，由此，能使位于远离磁性体部13a、13b的中央部位的第三、第四线圈导体18、19的电感值和位于靠近层叠方向上的磁性体部13a、13b的部位的第一、第二线圈导体16、17的电感值大致相等。这样，共模噪声滤波器在输入差动信号时能防止在第一共模滤波器部20以及第二共模滤波器部21中Sdc21特性恶化。
实施方式3
图7表示本实用新型实施方式3的共模噪声滤波器的分解立体图。本实用新型实施方式3中，对于具有与本实用新型实施方式1、2相同结构的部件，附上同一符号，省略其说明。
本实用新型实施方式3与本实用新型实施方式2的不同点是，如图7所示，使位于层叠方向上中央部分的第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的第三非磁性体层11c的厚度比其他非磁性体层的厚度厚。
在实施方式2的图5所示的共模噪声滤波器中，频率低时第三线圈导体18和第四线圈导体19的电位相同，由此，大幅减低杂散电容。但是，频率高时，如图8所示，第三线圈导体18和第四线圈导体19之间产生电位差，使输入输出电极之间(或者连接外部电极的线圈的外周部之间)产生杂散电容C。
根据图7所示的结构，可以减低构成第二线圈15的第三线圈导体18和第四线圈导体19之间产生的杂散电容，由此，能够减低在第二线圈15内经由所述杂散电容的输入输出之间信号的跳跃泄漏。这样，共模噪声滤波器在输入差动信号时能防止在第一共模滤波器部20分别通过第一线圈导体16和第三线圈导体18的信号之间的差动平衡、以及在第二共模滤波器部21分别通过第二线圈导体17和第四线圈导体19的信号之间的差动平衡的崩溃，能提高Scd21特性。
随之，如图7所示，如果使位于层叠方向上中央部分的第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的第三非磁性体层11c厚度比其他非磁性体层的厚度厚，降低第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的杂散电容，则在高频率区域也能提高Sdc21特性。
图9中表示现有共模噪声滤波器、本实用新型的实施方式1、2、3中的共模噪声滤波器的Scd21特性。为了表示本实用新型实施方式3中的第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的杂散电容的高频率区域中的降低效果的程度，在图7中表示第一～第四线圈导体16-19的厚度、宽度以及长度大致相同时的特性。还有，本实用新型实施方式1、2的共模噪声滤波器使位于层叠方向上靠近磁性体部13a、13b的部分的2个线圈导体的厚度比位于层叠方向上的中央部分的2个线圈导体的厚度厚。
如图9所示，在1GHz以下的低频率区域中，相比现有共模噪声滤波器21，本实用新型实施方式1、2的共模噪声滤波器的Scd21特性小，从差动模式变换成共模的少，能获得良好的特性。还有，在超过1GHz的高频率区域中，相比现有共模噪声滤波器21、本实用新型实施方式1的共模噪声滤波器、如图5构成的本实用新型实施方式2的共模噪声滤波器，如图7构成的本实用新型实施方式3的Scd21特性大幅提高。换言之，图7中的降低第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的杂散电容的结构对高频率区域的Scd21特性改善有很大的贡献。
为了降低第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的杂散电容，优选的使构成第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的第三非磁性体层11c的材料的介电常数小于构成其他非磁性体层的材料的介电常数。此时，不用变长第一共模滤波器部20和第二共模滤波器部21之间的距离(加厚第三非磁性体层11c)，所以，在输入共模噪声时，第一共模滤波器部20和第二共模滤波器部21进行强烈地磁气结合，起到电感作用，得到大的共模阻抗，能获得良好去除共模噪声的性能。
上述的本实用新型实施方式3中，因为，能减低构成第二线圈15的第三线圈导体18和第四线圈导体19之间产生的杂散电容的效果在高频率区域中也比较大，所以，即使在不使第一、第二线圈导体16、17的长度短于第三、第四线圈导体18、19的长度，不使第一、第二线圈导体16、17的线宽宽于第三、第四线圈导体18、19的线宽，不使将第一、第二线圈导体16、17的厚度厚于第三、第四线圈导体18、19的厚度的情况下，特别在高频率中，也能充分提高Scd21特性。
需要说明的是，也可以如实施方式1、2那样调整靠近磁性体部13a、13b的线圈导体16、17的厚度、宽度以及长度。
上述本实用新型实施方式1-3的共模噪声滤波器中，说明了分别设置各1个第一线圈14、第二线圈15的例子，也可以设置2个以上而进行布局。
进一步，说明了分别设置各1个第一共模滤波器部20和第二共模滤波器部21的例子，也可以设置2个以上。
还有，为了提高磁气结合，也可以在第一～第五非磁性体层11a-11e的中央部分形成磁性体部。
产业上的利用可能性
本实用新型的共模噪声滤波器具有能提高Scd21特性的效果。特别，在作为数字设备、AV设备、信息通信终端等各种电子设备的噪声对策而使用的小型、薄型共模噪声滤波器等中有用。
Claims (5)
1.一种共模噪声滤波器，包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的长度从上方开始依次表示为a1、a2、a3、a4时，满足a1＜a2且a3＞a4的条件。
2.一种共模噪声滤波器，包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的线宽从上方开始依次表示为b1、b2、b3、b4时，满足b1＞b2且b3＜b4的条件。
3.一种共模噪声滤波器，包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，或者，构成所述第一线圈的第一线圈导体、第二线圈导体和构成所述第二线圈的第三线圈导体、第四线圈导体交替配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，在将所述第一线圈导体～第四线圈导体的厚度从上方开始依次表示为c1、c2、c3、c4时，满足c1＞c2且c3＜c4的条件。
4.一种共模噪声滤波器，包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，所述第三线圈导体和第四线圈导体之间的所述非磁性体层的厚度比其他非磁性体层的厚度厚。
5.一种共模噪声滤波器，包括：具有多个非磁性体层的绝缘体部、层叠于所述绝缘体部上下的由磁性材料构成的磁性体部、以及形成于所述绝缘体部的第一线圈、第二线圈，其特征在于，所述第一线圈由旋涡状的第一线圈导体以及第二线圈导体构成，并且，所述第二线圈由旋涡状的第三线圈导体以及第四线圈导体构成，所述共模噪声滤波器以构成所述第一线圈的第一线圈导体和第二线圈导体夹住构成所述第二线圈的第三线圈导体和第四线圈导体的方式配置，进一步，磁气结合所述第一线圈导体和第三线圈导体形成第一共模滤波器部，磁气结合所述第二线圈导体和第四线圈导体形成第二共模滤波器部，所述第一共模滤波器部和第二共模滤波器部串联连接，并且，所述第三线圈导体和第四线圈导体之间的所述非磁性体层的介电常数小于其他非磁性体层的介电常数。
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