TWI245702B - Glass substrate and glass cutting method - Google Patents

Description

1245702 玖、發明說明： 【相關申請案前後參照】 本文件係根據日本優先權文件Jp2〇〇2_21576〇號，其於 2002年7月24日向日本專利局提出中請，該文件全文係 用的方式併入本文中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於以雷射光照射及強迫冷卻，藉由玻璃切割 所形成之玻璃基板及關於玻璃切割方法。 ° 【先前技術】 | —I而5 ’用以垂直及水平切割玻璃板以產生具有預定 寬度及長度之玻璃基板之玻璃切割方法，有機械切巧方 法’例如’於日本專利申請案第η·7ΐΐ24號中所描述者，或 利用雷射光照射之雷射切割方法係被使用。 於其中利用經由機械處理之切割方法實例中，刀片會壓 迫玻璃而產生中間裂痕，亦即是裂痕會垂直地傳遞至二璃 表面上，因此能切刻該玻璃。於此切割方法中，於刀片減 壓步驟中，以此方式被形成之玻璃切割面會被帶至彼此接馨 觸，其造成產生橫向裂痕，亦即是裂痕在玻璃表面上會以 水平方式傳遞。 因此’傳統欲完美地防止微裂痕的產生會很困難，亦即 是橫向裂痕於機械破璃切割過程中會被產生於切判面上。 裂痕之產生亦會造成所謂碎玻璃之磨粉的產生“士果合造 成不便之處，其中例如碎破璃會將顯示器表面覆蓋及損害 其可視度#者，其中於玻璃基板被使用於觸控面板或類 85723 1245702 似物之實例中，碎破璃會被黏附至透明導電層而造成短路。 雖已有經由化學處理用以減少此等橫向裂痕之產生，此 方法係使產出率減少而導致成本增加。再者，化學處理的 使用會有一個問題，其中玻璃長度會產生變化。 另方面，例如，具有二氧化碳氣體雷射之熱切割方法 之田射切割方法，於田本專利申請案第MM號、日本 專利申請案第1 1-254172號及其類似者中被提出。 於其中僅使用晋通雷射光照射之切割方法實例中，然 :，於玻璃基板i之切割側面上，該玻璃基板係藉由雷射光籲 …、射形成’小裂痕及碎玻璃係不利地被產生於雷射記號2 中’該記號係由經過雷射照射之側顯現，如圖8示出之實例 中以示意橫截面結構所表示者。 為克服此一問題’採用經由二氧化碳氣體雷射或其類似 物照射加熱’及利用水或壓縮空氣之強迫冷卻之結合效果 優點之切割方法已經被提出。根據此方法，因於該等結合 效果下熱應變會被產生於破璃中，並於切割玻璃時作為 其分離之用。 馨 特別的是，此項合併雷射照射及強追冷卻之切刻方法， 引人注目之處為其能作為用以獲得具有U毫米或更小厚产 之薄玻璃基板之切割方法，例如軌3以.7毫米。此一料 璃基板被使用於觸控面板，該種面板近來係被連於各式顯 示器之表面上以當作輸入資科之簡單方法，或用於使用此 一觸控面板之可攜式終端機上。 因機械力未被施加至該破璃，此方法之優點為其幾乎不 85723 n 1245702 會產生微裂痕。 【發明内容】 然而’如大意示於圖9 A中者，即使於實施此雷射光照射 及強迫冷卻之實例中，若雷射光被照射於玻璃板丨〇上時， 例如’於以虛線X丨指示之水平方向及以虛線及^指示之縱 向上’接著強迫冷卻以切割玻璃板ΐθ，毛邊丨丨或切屑剝落 12係會發生於經水平雷射照射及縱向雷射照射之交又處， 如於圖9B中所示者。 於ax又點處，切割面如圖9C中所示應垂直較佳。然而， 貫際上切割面成傾斜或彎曲，造成尺寸精確度劣化。結果 會減少產出率及良率，其依序不利地使成本增加。 本發明係提供強度特性優良之玻璃基板及玻璃切割方 篙/、有預足尺寸之玻璃基板自一玻璃板被分開時，該 方法可防止於切割面上產生裂痕及切屑剥落，因此，可避 免於切割邵分產生任何磨粉。 於本發明中，玻璃基板被形成係藉由至少以雷射光照射I 之切割，其中於玻璃基板切割側自上之表面粗度為5〇奈米丨 或更小’而於該切割側面上之雷射記號深度為〇〇6毫米或更 大。 再者於上逑結構中該玻璃基板之第一切割側面上及於 ㈣璃基板之L切割側面上之該等雷射記號較不同。 該罘二切割面係異於該第一切割側面。 再者’於上述第—切割側面上及於第二切劉面上之間雷 射1己號深度相差2〇/。或更多。 85723 1245702 ^ t上述各結構中，雷射記號被形成於玻璃基板之 ' 刀“侧面上，以具有一自該玻璃基板之第一主要表面 厂- ' ' /、疋/衣度，而雷射記號被形成於玻璃基板之第二切割側 金 X/、有自一第二主要表面之預定深度。該第二切 j側面係異於該第一切割側面，而該第二主要表面為該第 一主要表面之背表面。 、再者’於使用至少雷射光照射及強迫冷卻以切割玻璃板 一破璃切割万法中’係相對玻璃板改變第一切割方向及第 二切割方向之間雷射光之雷射功率或掃描速度以實施切籲 割H切割方向係異於該第—切割方向。 汾再者、’於上述玻璃切割方法中’於該第一切割方向及該 |J方向之間之雷射光雷射功率或掃描速度變動為4% 再者：於使用雷射光照射及強迫冷卻以切割玻璃板之玻 ^ 方法中其包括疋步驟為使雷射光照射至玻璃板之 2王要表面上，以於第一切刻方向切割該玻璃板、及使 :射光照射至破璃板之第二主要表面上，以於第二切割方 。切割孩玻瑪板。該第二切割方向異於該第一切割方向， 而該第二主要表面為該第—主要表面之背表面。 —再者，具上述結構被使用於觸控面板之玻璃基板包括： 玻璃基板、-被形成㈣破壤基板上之光傳遞導電層、 ^㈣材’ ^其之間—狀距離處與該玻 塥基板相對。 再者4本發明中，具上述結構之玻璃基板係被使用於 85723 1245702 具有觸控面板之可攜式終端機。 如上所述，於本發明中，於利用雷射光照射及強迫冷卻 之破璃切割方法中，緊接於雷射光後係於不同雷射功率或 不同掃描速度之雷射光下進行照射，使於玻璃基板第一切 割側面上之雷射記號深度異於第二切割側面上者，實施強 迫冷卻以切割該玻璃。以此方法，可避免於第一切割側面 及第二切割側面之間交又處產生任何的裂痕或毛邊'结 果’藉由㈣可獲得於預定尺讀度下之玻璃基板。 再者，藉由玻璃基板不同的主要表面（前表面及背表面 心雷射光照射’玻璃基板個別地於第_切割方向及第二切 劉方向被切割，因此雷勒却缺 口此田耵记唬可於不同切割側面上被垂直 地分開。結果，以如同以上之方法可避免於第一及第二切 割側面間之交叉處產生任何之裂痕或毛邊。因此，藉由切 割可獲得於預定尺寸精度下之玻璃基板。 此切叙成功理由能由以下獲得理解。能以其它經由雷 射光照射藉由加熱接著藉由強迫冷卻產生之應變應力， :免被產生於切割側面交又處之二方向中。應力僅被產生· 於垂直玻璃切割乏女A 、 疋万向’吓即在僅於垂直玻璃基板之主要 表面万向，以切割該坡璃基板。 本發明此破璃切割方法，切刻側面之表面粗度為50 不未或更小，因士卜 理之玻璃基板可獲得無須於其側面上做任何化學處 根據靜負荷量測，該玻璃基板係可 維持於45 kgf或更大之強度下。 再者，根據本發明，因其不會產生任何的裂痕或毛邊， 85723 -10- 1245702 係可製出於預定尺寸精度具有良好產出率及良率之薄玻璃 基板。因此，於其中根據本發明之玻璃基板被使用於觸控 面板或可攜式終端機之實例中’可確保產出率及良率改善 及成本降低。 如上所述，於琢破璃切剖方法中，經切割後於玻璃基板 之切割侧面上之雷射記號係具有不同之深度。再者，該等 雷射記號係自玻璃基板之第一主要表面及第二主要表面形 成。結果，可避免於破璃切割側面上產生毛邊或切屑剝落， 因此係W於預疋尺寸之精度下製出其上無被附著磨粉具鲁 備良好良率及產出率之破璃基板。 根據本發明如上所述者，可於該等切割側面上防止任何 瓜痕被產生。可能會因為裂痕的產生而以他種方式發生之 玻璃破裂及玻璃切屑剥落能個別地被降低及明顯地減少。 結果，可提供特性優良用於觸控面板之玻璃基板。 再者，玻璃之靜負荷強度可被改良至約45 kgf或更大，其 同於傳統強度。因此，使用此玻璃基板之觸控面板產品強 度可被改善。 響 特別的是，於資料輸入時對觸控面板之抗壓強度，其對 觸&面板為獨有，或抵抗日常生活中因突發力量所施加之 負何或衝擊強度可被改善。結果，可減少產品失效及來自 於客戶的抱怨。 因此，根據本發明乃能達到諸如觸控面板或可攜式終端 機產品本身之可靠度、耐久性及品質改善。再者，可進一 步將玻璃基板減薄，其中觸控面板及可攜式終端機尺寸及 85723 -11 - 1245702 重量能更薄及更輕。 一再者，其中無意使產品縮小之實例中，該產品之功能可 精由増加因空間節省之功能而獲強化，該空間節省係藉由 減少基板厚度而獲實現。再者’產品組合精度及產品:質 變動降低之改良可獲實現。 【實施方式】 根據本發明〈玻璃基板及玻璃切割方法及以該等具體實 施例之實例及比較實例為基準下，於本文後將參考附圖一二 :說明，於以下具體實施例中，將說明其中本發明被應用· 至用於備有觸控面板之可攜式終端機之玻璃基板上，及應 用至用以獲得此—玻璃基板之切割方法、然而，如發明^ 偏離於本發明範轉，各式變化及修改之可能性將為明顯。 一於圖1A至1D中’其不出根據本發明結構之玻璃基板工之 示意結構圖。除以Na、〖及叫製成之所謂的碳酸納玻璃 外玻璃基板1之材質亦能使用非鹼性玻璃。 如圖1A所示’玻璃基板1具有—第一主要表面1A及一第 二主要表面1B。該玻璃基板1亦具有-第-側面3A及—第二#

側面38沿著兩個垂直地交又方向，其個別地以例如箭號X 及y指示。 於根據本發明之玻璃基板中，如圖lB中所示，自該第一 主要表面1八具有深度山之雷射記號2A，係被形成於該第一 側面3A上。如圖1C中所示，自該第一主要表面以具有深度 ^之雷射記號2B ’被形成於該第二側面3B上。上述深度d| 及I之間所建立之關係為dpd2。 85723 -12- 1245702 根據本發明另一坡璃 面1A具有賴之雷射記成’係使自該第-主要表

上，如H 1 R φ &一 ) 被形成於茲第一側面3 A 上如圖1B中所不，而自該第二 雷射記號被形成於第=要表面1Β具有深度认 弟一侧面3Β上。於此實例中产 d綠間關係可為dl，或d〜 -度 其次’將說明如上述用私4 k用於切割破璃之玻璃切割方法。 似物劍A，不思平面圖所示’以碳酸納玻璃或類 >物製成其厚度具有例如〇. 7毫 " 以水平虛線所指示之第;"玻瑪板1〇,係於圖2A中 至丫所和-、乏米—切割方向及以縱向虛線71 卻。5曰不 <弟一切割万向’以雷射光照射切割並強迫冷 =發明中，如圖2Β_中所示，其中雷射光 以凹槽個別示於玻璃板10之第—主要表面ια±，於第—: 割方向之該雷射光照射區切割深度係異於該第 向〇 特別地是，如圖2Β中所示，對以箭號收，所指示 垂直万向《雷射光照射而言，於第—切刻方向之深度，係讀 被設定㈣2Α中對應虛線XjX5之第—切射向山處。 如圖2C中所示，對以箭號&，至^，所指示，於垂直方向之 雷射光照射而言’該雷射光照射係經過處理以使於第二切 到万向之深度d2’異於上述對應圖2A中虛線力至力之第二切 割方向之深度山。 — 因其為用於彼此間有個別不同切割方向以製造深度之特 殊方法，改變雷射光照射之雷射功率或掃描速度之方法係 85723 •13- 1245702 能適用。因處理深度之定量量測定義本身，及雷射光昭射 條件改變並未予標準化，此量測之結果一般並非以數值項 來表不。然而，為簡單起見，以下說明實例及比較實例之 實她，係假設各單位區域及雷射處理深度之雷射照射能 量，於此規格内彼此間成正比。 於本發明另一方面，如示意示於圖3八及3(：中者，雷射光 照射係個別由玻璃板10第一主要表面1A之側面及第:主要 表面1B之側面起實施。 特別地是，對圖3种以虛線Xih5所指示之第—切割方· °之切d而5 ’雷射光係被照射至玻璃板⑺之該第一主要

表面1A上’如以煎號χι’至χ5,示意指示於圖犯中者。對圖3A :以二:泉M y5所指示之第二切剑方向之切刻而言，當雷射 ^描照射’是被實施於垂直圖3C紙面方向時，雷射光 係被照射至玻璃板1〇之第— w示意指示於圖3C中者要表面1，如以箭w至 於上述圖2B、2C、3R男士 ，、 H ^ ^ ^ , 中，切割部分係以凹槽示意性 圖％於雷射光照射區中。此 刀。J 4刀不意性地表示於該切 二：…成雷射記號2之區域，其描述於圖咖中。 :表二二:！雷射照射及強适冷卻直接地被形 、 “射'己號對應於凹槽。垂直於基板主要表面 〈琢切割側面被形成於雷射記號下。 卻：亡ΓΓ可實例中’緊接於雷射光掃描照射後，_ 钟係精由採用噴灑的嘴嘴，例如’使諸 強一 丙醇或丙酉同之揮發性材料、或諸如“…鮮、乙鮮、異 ^ 17二氣或氮氣之壓縮氣體 85723 -14- 1245702 施加至雷射點。 <實例> 割坡璃基板，如以下實例1 據本發明可確認尺寸精度 其次，以上述坡璃切割方法切 至10及比較實例1至5中所示，根 之重要效果。 於以下貝例及比較實例Φ，制乂其 只例甲I備以碳酸鈉玻璃製成具有- 厚度0.7毫米之破璃板1〇〇呈右♦ 具有_射功率50瓦之二氧化碳氣 體雷射照射’及藉由爽白哈峨士 、 褙田术自貫$又甲醇噴灑強迫冷卻實施於 玻璃板10，以製出且右尺斗以古1 贏 八百尺寸87·65*米义ό4·65毫米用於觸控攀 面板之玻璃基板作為目標尺寸。 该-乳化碳雷射之掃描照射，係於48米/分鐘之雷射掃描 速度下，以圖2Α中以虛線〜至〜所指示之第—切劃方向， 並於5.2米/分鐘之雷射掃描速度下以虛線yi^所指示之第 二切割方向貫施，因此，藉由切割係能個別獲得實例1至$ 之玻璃基板。 於實例1至5中各玻璃基板之上及下端處水平尺寸，係個 別以水平尺寸1及2表示。於左及右端處之縱向尺寸，係個 別以縱向尺寸1及2表示。水平尺寸丨及2與縱向尺寸丨及2示 於下表1中’其中此等尺寸皆以毫米表示。 [表1] 水平尺寸1 水平尺寸2 縱向尺寸1 縱向尺寸2 實例1 87.65 87.65 64.65 64.65 實例2 87.65 87.70 64.65 64.65 實例3 87.70 87.80 64.65 64.65 85723 -15- 1245702 實例4 87.70 87.65 64.65 64.65 實例5 87.80 87.70 64.65 64.65 極大值 87.80 87.80 64.65 64.65 極小值 87.65 87.65 64.65 64.65 最大誤差(+) 0.15 0.15 0.00 0.00 最大誤差㈠ 0.00 0.00 0.00 0.00 誤差跨度 0.15 0.15 0.00 0.00 如比較實例1至5中，其具有與上述實例1至5之玻璃基板_ 相同目標尺寸之玻璃基板，可藉由切割具有相同結構並以 相同材質製成之玻璃板獲得，但於4.8米/分鐘之固定雷射掃 描速度下。其結果示於下表2中。 [表2] 水平尺寸1 水平尺寸2 縱向尺寸1 縱向尺寸2 比較實例1 87.75 87.65 64.70 64.70 比較實例2 87.69 87.77 64.66 64.34 比較實例3 87.71 87.77 64.63 64.64 比較實例4 87.70 87.95 64.70 64.70 比較實例5 87.72 87.73 64.66 64.64 極大值 87.75 87.95 64.70 64.70 極小值 87.69 87.65 64.63 64.34 最大誤差(+) 0.10 0.30 0.05 0.05 最大誤差㈠ 0.00 0.00 -0.02 -0.31 誤差跨度 0.10 0.00 0.07 0.36 85723 -16- 1245702 由此等結果得知，於實例丨至5中藉由根據本發明之玻璃 切割方法所獲者，亦即於第一及第二切割方向以不同雷射 光掃描速度之方法，以相對於目標尺寸具有015毫米最大正 誤差及G.GG毫米負誤差之切割後，玻璃基板係能被形成具有 一尺寸形狀。 另一方面，於藉由相同雷射光掃描速度之方法獲得之比 車乂具例1至5中會發生尺寸形狀的變動，亦即為〇 · 3毫米之 最大正誤差及·0.31毫米之最大負誤差。再者，於比較實… 至5中，毛邊發生係於各切割側面上以目視做確認。 當第-及第二側切割面於上述之雷射光掃描速度，由* 8 米/分鐘改變至4·1 2 3 4 5 6米/分鐘後而被形成時，該速度係相當於 小於4%之變化量’其無法獲得有意義的結果。僅能獲得如 比較貫例⑴中具有⑽毫米誤差跨度之尺寸精度。再 者，毛邊發生係於切割側面上以目視做確認。另—方面， 當該掃描速度被改變4%或承矣卩去..r 次更夕時，例如掃描速度被改變至 •17- 1 製成之破璃絲，是藉由㈣—叫=結構以相同材質 2 率切割並於第二切割方向㈣瓦之=7 8 9 10。瓦之雷射功 3 時，玻璃基板係㈣上#率切割而被形成 4 跨度之尺寸精度下被分割。 具有約G.15毫米誤差 5 再者，同於此實例中’破璃係能於第—及第二切割方向 6 85723 7 ·0米/分鐘時，可獲得如同表1中所示實例中之誤差跨度。 8 再者，於切割面上並無毛邊被觀察到。 鐵 9 =中雷：光之雷射功率被改變時之情形亦受到驗證。 10 奇以與上述貫例1至5之該等 1245702 2小於4%《雷射功率改變量，〃雷射照射接著強迫冷卻 =割。結果，如同上述各比較實例，誤差跨度約為0.3毫 3更大。再者，毛邊發生係以目視做確認。 因此万^本發明中，身為用以提供具有不同深度雷射記 I又特殊万法，係以掃描速度及雷射功率為4%或更大差異 之雷射光進行照射。 、根據以下量測結果，吾人發現雷射記號深度需毫米 或更大之雷射記號深度。 於以下實例中，係製備個別具有〇·7毫米及〇·55毫米厚度籲 以碳酸鈉玻離製成之玻璃板。雷射記號於上述第一及第二 d方向被製成具有不同的深度。隨後，於各式切割後， ^測該雷射記號之淺深度及至玻璃基板之靜負荷強度。該 靜負荷強度係藉由具有直徑20毫米之加壓器及於1毫米/秒 加壓速率下之法向玻璃破裂強度量測儀器進行量測。其結 果示於下表3中。 [表3] 雷射記號深度 [毫米] 玻璃抗裂強度[kgf] 具有厚度0.7毫米之玻璃 具有厚度0.55毫米之玻璃 —0.04 28 20 —0.06 49 32 一 0.08 54 35 一 0.10 60 37 一 0.12 60 37 0.13 60 37 85723 -18- 1245702 由此等結果得知，於其中雷射記號深度小於0 06毫米之 實例中，亦即是〇.〇4毫米，靜負荷強度會明顯地劣化，亦即 會降低至28 kgf或更小。另一方面，於其中雷射記號深度為 0.06愛米之實例中，與其中雷射記號深度為〇〇4毫米之實例 比較下，對具有厚度〇.7毫米之玻璃而言，靜負荷強度甚至 能被改良21 kgf，而對具有厚度〇 55毫米之玻璃而言係被改 良 12 kgf 〇 因此，對根據本發明之玻璃基板而言，雷射記號深度被 選定為0.06毫米或更大。 其次，其示出其中玻璃板是在第一及第二切割方向，藉 /、第及第一主要表面以雷射光照射切割實例之量測 結果。 於實例6至10中，玻璃板於5〇瓦之雷射功率及48米/分鐘 之雷射掃描速度下，自第一及第二主要表面被切割負荷光 照射，接著強迫冷卻。藉由切劉所獲得之各玻璃基板尺寸 精度’係以如上述實例⑴及同於比較實例⑴之方法量 測。於表4中所有尺寸值皆以毫米指示。 痛 [表4]

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由此等結果德立、人甘山 J "—" ^ - 、守果件知，於其中雷射光是自第-及第 面被月?、射之貫例中，尺寸士 、， 最大誤差㈠ ----- 誤差跨度 乍尺了决差對正祆差為〇〇5毫米及 差為〇·〇〇毫米〇囡卜五 ί負奋吳 n f 因此，口人發現誤差跨度被限制至0.05毫米 或更小。 一再者於上逑各實例H〇中，該切割側面之表面粗度係 經由原子力顯微鏡（AFM)量測。後續吾人發現於所有實例中 表面粗度可被限制至50奈米或更小。 〜再者，、圖4示出藉由根據本發明含有上述實例之切割所獲 玻璃基板靜負荷強度’及以碳化物滾輪藉由切割所獲 得（玻璃基板靜負荷強度之量測結果。於此實例中，亦: 法向玻璃破裂強度量測裝置量測該靜負荷強度。加壓器之 直徑為20*米，而加壓速率設定於丨毫米/分鐘。於圖4中， 實線a代表根據本發明之玻璃基板，而實❹代表具有傳統 結構以碳化物滾輪經由切剖獲得之玻璃基板。根據本發明 樣品之峰值數係於約65kgf$靜負荷強度下被獲得。另二方 面，傳統結構之玻璃基板僅獲得約3〇 乂以之強度。 根據此結果，應瞭解根據本發明藉由玻璃切割方法獲得 85723 -20- 1245702 之玻璃基板能具有約45 kgf或更大之靜負荷強度。 其中此與傳統玻璃基板比較之下其強度特性優良之玻璃 基板實例可被使用於觸控面板，其示意性地示於圖5八及5b 中。於圖5A中，其示出用以裝配及用於使觸控面板之玻璃 基板被固定其上之框2丨。其以鋁合金或類似物所製成之框 21 ’係以固定地方式被配置於諸如液晶顯示裝置或有機 (電發光）顯示裝置之各式顯示器上。窗幅區域22被形成於相 當於顯示螢幕位置處。 圖5Βτ]τ出其中觸控面板3〇被固定地裝配至框21狀態時之春 示意性截面結構。雖於附圖中未表示，係以汀〇(銦_錫之錯 合氧化物）製成之導光導電層，於玻璃基板丨上經由濺鍍或 類似方法形成具有預定的圖案。於此導光導電層上，係經 由以丙烯酸樹脂或類似物製成之隔離層提供薄膜基材31， 另一以ΙΤΟ或類似物製成之導光導電層，係於該薄膜基材31 上形成具有預定之圖案。該等薄膜基材31及玻璃基板丨係經 配置，以使彼此之間以一預定距離相對，使得發光導電層 月匕位万；内側上。後績薄膜基材3 i及玻璃基板i之間係以約數· 微米（距離被支撐及固定，例如可經由膠帶黏著，例如於 外邊緣32處。 方、本發月中著玻璃基板i的強度改良，特別是框21窗 幅區域之内端邊緣23,可構成具有經由如大意示於圖6八至 6C中各式製程所獲得之形狀。例如於圖6八中所示，其提供 亦即具有0.2毫米或更大及| , 尺又又及〇.5笔未或更小半徑r之R-表面之 外圍表面23a。 85723 -21 - 1245702 或者’如圖6B中所示，其提供之斜面23b係自内端邊緣及 由平行於玻璃基板平面之㊀角為1〇。及或更大及45。或更小 處’其具有0·2毫米或更大及ο.〗毫米或更小之長度卜 或者’如圖6C中所示，其提供之臺階23(：係自内端邊緣及 自一與玻璃基板相對之平面，為〇.2毫米或更大及〇.5毫米或 更小之臺階高度h，其具有〇·2毫米或更大及〇.5毫米或更小 之寬度w。 以此方法經由處理窗幅區域之内端邊緣23，玻璃基材之 負荷強度係能被增加，該玻璃基材經由膠帶、膏或類似物馨 被固定連至框21。 於其中周圍表面被形成於上述框2丨窗幅區域内端邊緣23 上之貫例中’以小於〇·2毫米之半徑r時良率明顯地被降低。 雖超過0.5毫米之半徑r對玻璃能有效抗裂，其加工性於製程 中係不利地被降低。因此，於其中周圍表面被形成之實例 中，半徑r須被設定於〇·2毫米至〇·5毫米之範圍内較佳。 於其中斜坡表面被形成於框21窗幅區域内端邊緣23上之籲 實例中，於Θ角45。或更大之處以〇·2毫米之長度1時並未觀察 到良率的改變。因於10。至45。範圍内之θ角時，係能以〇·2 *米至0·5毫米之長度1範圍内獲得一穩定強度，當斜坡被形 成時，長度1及Θ角須被選定在以上之範圍内較佳。 再者’亦於其中臺階被形成之實例中，當臺階寬度w被選 定於0.2¾米至〇·5毫米之範圍内而臺階高度h被選定於0.2 毫米至0.5毫米之範圍内時，能有效獲得以玻璃強度表示之 效果。因此，臺階須被形成以使其寬度及高度落在以上範 85723 -22- 1245702 圍内輕佳。 如上所述，被形成於顯示器框之窗幅區域内端邊緣上之 周圍表面、斜坡或臺階’觸控面板係固定地被配置於該顯 不益上’目此’可另外增加玻璃之負荷強度。、结果，產品 強度可被改善。 碳酸鈉玻璃或類似物能作為如上所述之玻璃基板材質使 用。其中使用藉由浮動法製成之玻璃基板之實例中，玻璃 基板可藉由以下方法另維持其強度。 浮動法為一製造玻璃之方法。根據此方法，使玻璃材質_ 熔成平板狀及容許其後續能流動於熔融錫上，以於一表面 上產生一壓應力，该表面不與溶融錫接觸，因此可改善此 表面之平面度。如大意示於圖7A中者，藉由浮動法所製成 之玻璃基板，壓應力Pl&P2是在相對於浮動表面3側（該表面 與熔融錫接觸）之表面上被產生。當自如箭號引指示之浮動 表面3側處施加負荷時，張力係於補償壓應力以及”之方向 被產生。 於其中所被施加負荷g2如圖7B中所示為小之實例中，張· 力^及〖2係由壓應力Pl&P2補償。當施加負荷❾如圖7c中所 不被增加時，張力v及v成為與壓應力Pl&p2相等。玻璃基 板1正常係使負荷強度維持上至此狀態下。若另外增加施加 負荷，玻璃基板1係如圖7D中所示會破裂。 如上所述，因以浮動法製成之玻璃基板於其前表面上具 有壓應力’此玻璃基板若與其它玻璃基板比較之下，自其 濘表面係具有一南抗壓負荷強度。 85723 •23 - 1245702 然而’其中使用玻璃基板1於觸控面板以作為玻璃基板之 貫例中，當以賤鍍、氣相沉積、浸潰或類似方法成長 塗覆薄膜或類似物之導光導電層時，該玻璃基板係於3〇〇。匸 或更高之高溫下被加熱。 於此高溫加熱下，因其中以浮動法製成之玻璃基板固有 之壓應力能藉由熱獲得釋放之退火效果，玻璃基板不再能 維持其原始之負荷強度。特別地是，其歸因於如上所述圖 7A至7C中之壓應力強度消失。結果，會使由浮動表面3造成 之負荷強度劣化。 當以ITO或類似物製成之導電層是藉由上述濺鍍或氣相 沉積=成長時，本發明人等係藉由利用低溫薄膜成長法， 於200 C或更低之溫度下因熱而成功地降低應力釋放。結 果，於薄膜成長後可獲得有明顯差異之負荷強度。 下表5不出經由傳統濺鍍於薄膜成長後玻璃基板之樣品 數:經由低溫賤鍍於薄膜成長後玻璃基板之樣品數、平均 負荷強度(牛頓）、其標準差、極小值及極大值。 [表5] 薄膜成 以標準濺鍍形成

以低溫ί賤鍍形成 之玻璃基板

85723 -24- 1245702 2可由表5所得知，對傳統薄膜成長後之玻璃基板而言， 負何強度以平均值表示時其被劣化約9牛頓。另一方面，於 或更低溫時經由低溫濺鍍獲得之玻璃基板實例中，負 荷強度劣化係維持於約2牛頓。 、 Q此以1T〇或類似物製成之導光導電層，於2〇〇cC或更 低溫時藉由低溫藏鍍被形成於玻璃基板上，因此，可維持 以’予動法所製成〈玻璃基板原始強度。再者，可維持產品 強度。結果’產品可靠度之可獲改善應可瞭解。 如上所述，根據本發明於玻璃切割方法中，玻璃係於第馨 一。彳方向及第一切割方向之間作雷射光雷射功率或雷射 光掃描速度之改變被切割’使得切割後於玻璃基板切割側 面上具有不同深度之雷射記號。結果，可防止斜面或曲面 被產生於該切割側面上。因此’可形成具有垂直側面之玻 璃基板。 上述各實例係描㉛其中玻璃基板被使用於觸控㊆板或可 攜式終端機之觸控面板之實例。然而，除非本發明偏 本發明上述之結構外，本發明之各式變化及修改可行性乃 為月頒例如，本發明可應用至被使用於諸如PDA(個人數 位助理备）、p〇s(行銷點）或ΑΤΜ(自動櫃員機）之各式顯示器 玻璃基板。 ' % 【圖式簡單說明】 本發明以上及其它目的、特徵及優點，由以下本發明目 則幸乂佳具體實施例之說明並結合附圖將更為彰顯，其中： 圖1A為一破璃基板實例之示意透視圖，圖ΐβ為該玻璃基 85723 -25· 1245702 板實例主要#》之示意侧視圖，目lc為該纟璃基板實例主 要部分之示意侧視圖，及圖1D為該破璃基板實例主要部分 之示意側視圖； 圖2A為一玻璃切割方法實例之圖解，圖2b為該玻璃切割 方法實例之圖_ ’及圖2C為該破璃切割方法實例之圖解； 圖3A為一玻璃切割方法實例之圖解，圖3b為該玻璃切割 方法實例之圖解，及圖3C為該破璃切割方法實例之圖解； 圖4為一分佈圖，其示出玻璃基板之樣品號碼及負荷強度 之間關係； 圖5A為一觸控面板框之示意平面圖，而圖5b為一觸控面 板框之示意截面圖； 圖6A為一觸控面板框之窗孔部分之内端邊緣圖解，圖 為一觸控面板框之窗孔部分之内端邊緣圖解，及圖6c為一 觸控面板框之窗孔部分之内端邊緣圖解； 圖7A為一玻璃基板強度之圖解，圖7B為一玻璃基板強度 m解’圖7C為-玻璃基板強度之圖解，圖7D為一玻璃基《 板強度之圖解； 圖8為一傳統玻璃基板實例之示意截面圖；及 圖9A為一玻璃切割方法之圖解，圖9B為玻璃切割側面之 圖解’及圖9C為玻璃切割側面之圖解。 【圖式代表符號說明】 1 玻璃基板 1A 第一主要表面 B 第二主要表面 85723 •26- 1245702 2 雷射記號 2A 雷射記號 2B 雷射記號 3 浮動表面 3A 第一側面 3B 第二側面 10 玻璃板 11 毛邊 12 切屑剝落

21 22 23 23a 23b 23c 30 31 32 a b dl d2 f 框 窗幅區域 内端邊緣 外圍表面 斜面 臺階 觸控面板 薄膜基材 外邊緣 交叉點 具有傳統結構以碳化物滚輪經由切割獲得 之玻璃基板 深度 深度 應力 85723 -27- 1245702 gi 施加負衍 g2 施加負荷 g3 施加負荷 h 臺階高度 1 長度 Θ 角度 pl-p2 壓應力 r 半徑 tl-t2 張力 tr-t2' 張力 w 寬度 xl-x5 第一切割方向 xl’-x5， 箭號 yl-y5 第二切割方向 ylf-y5， 箭號 85723 - 28 -

Claims (1)

1245702 申請專利範園·· 第092119830號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年4月） 拾 1. :種藉由至少以雷射光照射之切割所形成之玻璃基板， 该玻稱基板係具有—第_切割側面及—第二切割侧面， ;、=中該每—切割側面之表面粗度為50奈米或更小，及於 二母-切割側面上形成之—雷射記號之深度為咖奈米 或更大，該每一切割侧面上之雷射記號之該等深度不 同，且該第二切割側面係異於該第一切割側面。 2. 如申請專利範圍第i項之玻璃基板，其中該玻璃基板以一 靜負荷測試為基準下’係具有—45㈣或更大及9〇㈣或 更小之強度。 3. T申請專利範圍第丨項之玻璃基板，其中該玻璃基板於該 每一切割側面處無裂痕及磨粉。 4. 如申請專利範圍第丨項之玻璃基板，其中於該第—切割側 面上及於該第二切割側面上之間雷射記號之該等深度相 差2°/。或更多。 5. 如申請專利範圍第i項之玻璃基板，其中該被形成於該第 一切割側面上之雷射記錄具有—自一第一主要表面之預 定深度，其中該被形成於該第二切割側面上之雷射記號 具有一自一第二主要表面之預定深度，且該第二主要表 面為#亥弟一主要表面之背表面。 6. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板，其中該玻璃基板之一 厚度為0.25毫米或更大及〇·7毫米或更小。 7· —種使用雷射光照射及強迫冷卻以切割一玻璃板之玻璃 切割方法，其中該雷射光之一雷射功率及一掃描速度中 1245702 8. 9. 10. 11. 12. 之/、係於一相對於該玻璃板之第一切割方向及一相 、子、、μ玻璃板之第二切割方向之間被作改變，該第二切 割方向係異於該第一切割方向。 如申凊專利範圍第7項之玻璃切割方法，其中該雷射光之 該雷射功=及該掃描速度中之-項，係於該第-切割方 向及於咸第一切割方向之間被改變4%或更多。 種使用田射光照射及強迫冷卻以切割一玻璃板之玻璃 切割方法，其包括以下步驟： 使該雷射光照射至該玻璃板之一第一主要表面上，以 於一第一切割方向切割該玻璃板；及 使孩雷射光照射至該玻璃板之一第二主要表面上，以 於第切“方向切割該玻璃板，該切割方向異於該第 一切割方向，而該第二主要表面為該第一主要表面之背 表面。 如申請專利範®第7項之玻璃切割方法，其中該強迫冷卻 係藉由噴灑一揮發性材料及—加壓氣體之任一項被處 理。 如申請專利範圍第8項之玻璃切割方法，其中該強迫冷卻 係藉由噴灑一揮發性材料及—加壓氣體之任一項被處 理。 一種觸控面板，其含有一被形成於一玻璃基板上之導光 導電層及一薄膜基材，該薄膜基材係被配置以使其間以 一預定距離與該玻璃基板相對，其中 該玻璃基板藉由至少以雷射光照射之切割被形成丨及 85723-940425.doc -2 - 1245702 該破璃基板之一切割側面之一表面粗度為50奈米或更 小’及於該切割側面上一雷射記號之深度為〇〇6毫米或更 大。 13·如申請專利範圍第12項之觸控面板，其中於該破璃基板 之一第一切割側面上及該玻璃基板之一第二切割側面上 之間运射记號之该等深度不同，該第二切割側面係異於 該第一切割側面。 14. 如申請專利範圍第12項之觸控面板，其中一周圍面、一 斜面及室階之任一項，係被形成於一框之一窗幅部份 之一内端邊緣上，該觸控面板之該玻璃基板固定地被裝 配於該框上。 15. —種含有一觸控面板之可攜式終端機，該觸控面板包括 一被形成於一玻璃基板上之導光導電層及一薄膜基材， 該薄膜基材係被配置以使其間以一預定距離與該玻璃基 板相對，其中 》玻璃基板藉由至少以雷射光照射之切割被形成；及 該玻璃基板之-切割側面之一表面粗度為料米或更 小’及於孩切割側面上一雷射記號之深度為〇 〇6毫米或更 大。 16. 如申請專利範圍第15項之可搞式終端機，其中於該玫璃 基板之—第—切割侧面上及該玻璃基板之-第二切割側 面上之間雷射記號之該等深度不同，該第二切割側面係 異於該第一切割側面。 85723-940425.doc