TWI222172B - Semiconductor wafer dividing method and semiconductor chip without edge cracking produced by the method thereof - Google Patents
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1222172 五、發明說明（l) 【發明領域】 本發明係有關於一種半導體製程，特別係有關於一種 將半導體晶圓分離成複數個晶片的半導體製程方法，此方 法可解決晶片邊緣崩裂的問題，進而提高良率以及降低成 本。 【發明背景】 如第1 A〜1 C圖係顯示習知的將半導體晶圓分離成複數 個晶片的製程，其中第1 B與1 C圖係顯示沿第1 a圖之A A線之 剖面圖。如第1A與1B圖，半導體晶圓12〇係由其上沿行方 向與列方向延伸的複數條切割道（saw street) 122所區隔 的複數個晶片1 2 4所組成；切割膠帶1 1 〇係由基體片材u 2 與壓敏黏合劑層114所組成·，如第1 b圖，在進行切割前， 將半導體晶圓120貼在切割膠帶11〇上；如第lc圖，以例如 旋轉鑽石刀（rotating diamond blade)(未顯示於圖面）沿 切割道122將半導體晶圓120切割成複數個晶片124，並留" 下切透半導體晶圓1 20與壓敏黏合劑層11 4而未切透A 材11 2的切割面1 2 6。 土一 然而在切割過程中，特別在切行方向或列方向的 一刀時’因半導體晶圓1 2 〇未分離部份的縮小，使得承、☆ 旋轉鑽石刀與半導體晶圓12〇之間的作用力的半導^曰文 1 20的質量減到最小，而使在半導體晶圓丨2〇上所造的09 ® 達到最大，因此容易在切割過程中造成晶片邊緣，特I動 晶片角落的崩裂（Chip out)，嚴重可使發生崩裂的曰別係 效而降低製程的良率。 曰曰片失
1222172 五、發明說明（2) 而本發明的特徵之一，係提供，種半導體製程，特別 係有關於一種將半導體晶圓分離成複數個晶片的半導體製 程方法，此方法可解決晶片邊緣崩裂的問題，進而提高良 率以及降低成本。 即使輕微的晶片邊緣崩裂並未造成晶片失效，在經過 封裝製程後，晶片邊緣崩裂的部份仍會造成可靠度的問 題。 纛 第2圖係一般半導體封裝前段製程的流程圖；第3八〜^ 圖係一半導體封裝體之局部剖面圖，其中在第3 A圖的晶片 3 24未發生晶片邊緣崩裂，而在第3B圖的晶片324，已發生 晶片邊緣崩裂。請參考第3A圖，晶片黏著230製程係在封 I基板3 3 0的特定位置上，塗上一黏晶用環氧樹脂3 4 〇，再 黏著上晶片3 2 4，並使黏晶用環氧樹脂3 4 0在晶片3 2 4的底 面四面溢膠，以使後續封膠250製程時，封膠用環氧樹脂 350不會入侵晶片324底部，以避免在後製程或最終製品的 使用環境下的熱應力循環，使入侵晶片3 2 4底部的封膠用 ^氧樹脂3 5 0在晶片3 2 4與黏晶用環氧樹脂3 4 〇的界面或黏 曰曰用環氧樹月曰340與封裝基板330的界面造成龜裂而使半導 體封裝體加速失效。
请參考第3B圖，即使黏晶用環氧樹脂34〇在晶片324; =部四面溢膠，但是在晶片324’發生晶片邊緣崩裂而缺 的1份=可能會留下一空乏區352，而在封膠250製程時 1膠用環氧樹脂350入侵而發生上述半導體封裝體加 效的情形。
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而本發明的特徵之二，伤一 裂的半導體晶片，豆 ^ 二種已分離且無邊緣朋 晶片黏著的製程中，、： =確f在半導體封裝製程中的 Α Τ黏日日用核氧樹脂能夠填滿曰Κ邀封装 基材之間，避免因封膠用抖匕 曰日片/、 Τ吵用树月日入钕至晶片盥黏Β田0翁樹 脂之間，而使半導體封梦舻 ”粘日日用％乳 【先前技藝】 "月化^生。 晴參考第4圖，第‘圖在如- πη Α 晶圓420之橫剖面圖，一用於覆晶封裝的半導； 體曰iu?n的τ & 金屬凸塊426凸出於半導 = 、 ，如果半導體晶圓420的正面受到_力例 :::力的作用，其壓應力會壓扁金广到應 的凸塊延伸’導致鄰接的金屬凸塊復因橋接而^^失 =是因凸塊4日26高度較低而無法在封裝的製程中與封裝 土板上對應的焊墊接上而使封裝體失效。 請參考第5圖，第5圖係顯示專利公告號488〇21之中華 民國專利申請案中所揭露的「銅製程在搭配低介電材料時 之打線用金屬焊墊設計」，金屬焊塾526由保護層開口邮 延伸並覆蓋到保護層528之上並向鄰近的焊墊延伸，如此 金屬’J：干墊526之間的距離會遠較一般的打線用金屬焊墊設 計為小，一旦受到應力例如壓應力的作用，其壓應力會使 金屬焊塾526更加向鄰近的焊墊延伸，而使鄰近的金屬焊 墊526橋接造成電路短路而使晶片522失效。 ^而本發明的特徵之三，係提供一種半導體製程，特別 ，有關於一種將半導體晶圓切割成複數個晶片的半導體製 程方法，此方法不但可在不更動現有製程設備下，以最低
0503-8377TWF ； TSMC2001-1382 ； dwwang.ptd $ 6頁 1222172 五、發明說明（4) 晶片邊緣崩裂的問題，並且能適用於各種半 導體晶圓製程所製造出：半C以後各種先進的半 圓的表面造成傷害。+導體晶圓，並且不對半導體晶 【發明概述】 【發明詳細說明】 本發明之主要目的係蔣扯 _ 數個晶片的半導體製程ί;:;將半導體晶圓分離成複 的門顆，進而：：ΐ: 方法可解決晶片邊緣崩裂 的問通進而棱同良率以及降低成本。 本發明之另一目的係提供一 數個晶片的半導體製程方法，此方法成複 製程設備下，以最低的成本，組 更動現有 和以後各種先進；片配置、以及目前 圓，並且不對半導體晶圓的表面造成傷害。牛導體曰曰 本發明之又另一目的係提供一種已 的半導體晶片，其形狀並可確保在製邊:朋裂 二黏著的製程中，黏晶用環氧樹脂 材之間，避免因封膠用樹脂入侵至晶片盥黏晶用^ ^装土 之間，而使半導體封裝體加速失效的情形發生。*讀脂 根據上述目的，本發明提供一種將半導 稷數個晶片的半導體製程方法，包括下列主要刀，成 二：導體晶圓，包含上述半導體晶圓上沿行方向*列j: l伸的複數條切割道及其所區隔的複數個晶片；\ 1222172 五、發明說明（5) 述半導體晶圓黏附在一切割膠帶上；而/ 向與列方向延伸的切割道，分別切割上谈沿著上述向行方 至少在沿行方向或沿列方向其中之一方述半導體晶圓，真 透上述晶圓；然後於上述切割膠帶施加向作切割時，未切 半導體晶圓分離成複數個個別的半導體f械力，而使上述 除此之外本發明係又達成一無邊鈐j片。 包含··一晶片本體，具有一形成有電子$一朋裂的半導體晶片 一未形成電子元件的第二表面；和一今％件^的第一表面與 上述晶片本體上，自上述第二表面平二 j，一體成形於 【實施例】 卞仃延伸。 第一實施例： 請參考第6A〜6J圖，第6A〜6E係顯示+田、、 之-種將半導體晶圓分離成複數個晶片的半二明 :第係第Μ圖沿^ 係苐6A圖沿CC線之剖面圖；_〜6Η圖係顯示出本發明之 一種已分離且無邊緣崩裂的半導體晶片之三視圖；% 61〜6 J圖係顯示出以本發明之一種已分離且無邊緣崩裂的 半導體晶片所製造的半導體封裝體之部分剖面圖。本發明 可準確地將半導體晶圓分離成複數個晶片的半導體製程方 法係適用於一已完成半導體製程且具有一正面和一底面的 半導體晶圓620上，包含此半導體晶圓62〇的正面上沿行方 向與列方向延伸的複數條切割道62 2及其所區隔的複數個 晶片6 2 4 ’其包括下列步驟： 步驟-
0503-8377TW ； TSMC200M382 ； dwwang.ptd 第8頁 1222172 五、發明說明（6) 女第6 A圖所示，將具有沿行方向與列方向延伸的複數 條切割道622及其所區隔的複數個晶片624的半導體晶圓 ^例，厚度為8〜20 mU的半導體晶圓62〇的底面，黏=在 切割膠帶6 1 0例如切割膠帶6 1 0的壓敏黏合劑層6丨4上。 步驟二 如^ 6^圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）沿著 一體曰a圓6 2 0的正面上向行方向延伸的複數條切割道6 2 2 =別切割半導體晶圓㈣，且未切透半導體晶圓620 ;如 第圖所示，形成具有一底面和一側表面的凹槽626，由 凹2丄6的底面至半導體晶圓6 2 0的底面，留下0 · 5 m i 1〜2 mil或半導體晶圓620厚度的1%〜4〇%，較好為約ι ^丨 導體晶圓620厚度的2· 5%〜25%之未被切透的厚度值。〆 步驟三 本遙：？6丄圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）沿著 =體日日圓620的正面上向列方向延伸的複數條切割道622 笛(ΓγΊ ^割半導體晶圓62G，且未切透半導體晶圓620 ;如 β 示形成具有一底面和一侧表面的凹槽626，由 凹槽62 6的底面至半導體晶圓62〇的底面，留下〇.5〜2 m i 1，杈好為約1 m丨1之未被切透的厚度值。 步驟四 、如第6D圖所#，在切割膠帶61〇的基體片材612 ’以壓迫裝置664以B方向旋轉’向A方向滾動來 體晶圓620 ’其中Μ力係依照半導體晶圓62q的材f、牛： 厚度、所留下未被切透的厚度、晶片624的數量等因素〜決
U 0503-8377TWF ， TSMC2001·1382 ; dwwang.ptd 第9頁 1222172 五、發明說明（7) 疋’較好為：10 g〜10 Kg ;此時破斷面628由凹槽626的底 部向半導體晶圓6 2 0的底面延伸，一直到相鄰的晶片6 2 4完 全分離。 步驟五 如第6E圖所示，以能量射線，最好是紫外線”照射切 割膠帶610，以降低壓敏黏合劑層614的黏度，使晶片624 容易脫離壓敏黏合劑層6 1 4。 在步驟二中，因半導體晶圓62〇未被完全分離，故在 切割的過程中，均以整個晶圓62〇的質量來承受旋轉鑽石 刀（未顯示於圖面）與半導體晶圓6 2 〇之間的作用力，所以 因震動而導致晶片624發生邊緣崩裂的情形不會發生。 同理，在步驟三中，因半導體晶圓62〇未被完全分離 ，故在切割的過程中，均以整個晶圓6 2 〇的質量來承受旋 轉鑽石刀（未顯示於圖面）與半導體晶圓62〇之間的作用力
，所以因震動而導致晶片624發生邊緣崩裂的情形不會發 生。 X 在步驟四中，壓迫裝置664在切割膠帶61〇的基體片材 612的表面上壓迫半導體晶圓62〇，此時壓迫裝置664係僅 對半導體晶圓6 2 0的底面作用，所以在步驟四中，即使半 導體晶圓620的正面長有金屬凸塊或是延伸並覆蓋在保護 層上的金屬層，仍不會對半導體晶圓62〇的正面造成 害。 另外，如第6F〜6H圖所示，係第一實施例所製造之無 邊緣崩裂的晶片624之三視圖，包含晶片本體6 25與突出部
第10頁 1222172 五、發明說明（8) 2 m i 1，較好為約1 623，其中突出部623的最大厚度為〇. mil，在與晶片本體625連接之處。 士第6 I圖所示，係以第一實施例之曰 624所製造的半導體封裝體在晶片624列方= 且Ϊ = 脂640介於晶片624與封裝基板630之間， 640、之間'&乳樹脂65°入侵至晶片624與黏晶用環氧樹脂 624所如 所不’係以第—實施例之無邊緣崩裂的晶片 黏ΎΛΙ 裝體在晶片6 2 4行方向之部分剖面圖 且4°介於晶片624與封裝基板630之間， 640之間' 衣树脂650入侵至晶片624與黏晶用環氧樹脂 第二實施例： 之一 圖’第Μ〜Μ係顯示出用以說明本發明
，豆由2導體晶圓/分離成複數個晶片❸半導體製程方法 二 7D、7E圖係第7A圖沿BB線之剖面圖，而第7C Π圖沿CC線之剖面圖；第7F〜7H圖係顯示出本發明 $〜一種已/分離且無邊緣崩裂的半導體晶片之三視圖；第 丰| ^圖顯不《出以本發明之一種已分離且無邊緣崩裂的 ^ 所製造的半導體封裝體之部分剖面圖。本發明 ^筏&地將半導體晶圓分離成複數個晶片的半導體製程方 ΐΪΪΐ於一已完成半導體製程且具有一正面和一底面的 —日日圓720上’包含此半導體晶圓720的正面上沿行方 σ /、列方向延伸的複數條切割道72 2及其所區隔的複數個
1222172 五、發明說明（9) 晶片724，其包括下列步驟： 如第7A圖所示，將具有沿行方向與列方向延伸的複數 條切割道722及其所區隔的複數個晶片724的半導體晶圓 720例如厚度為8〜20 mi丨的半導體晶圓72〇的底面，黏附在 切割膠帶710例如切割膠帶71〇的壓敏黏合劑層714上。 "如第7A圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）沿著 半導體晶圓7 2 0的正面上向行方向延伸的複數條切割道7 2 2 ，刀別切割半導體晶圓720，且未切透半導體晶圓72〇 ;如 第7B圖所示，形成具有一底面和一側表面的凹槽726，由 凹槽726的底面至半導體晶圓72〇的底面，留下〇.5 mu〜2 mi 1或半導體晶圓620厚度的1%〜40%，較好為約i mi丨或 導體晶圓620厚度的2.5%〜25%之未被切透的厚产值。 步驟三 ，，如第7 A圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面 半導體晶圓720的正面上向列方向延伸的複數條切 ；22 ’分別切割半導體晶圓72〇，並且在列方向切透該半導體 晶圓720，並切透切割膠帶71〇的壓敏黏合劑層714 割膠帶710的基體片材層712，如第7C圖^示，形成斷 步驟四 如第7D圖所示，在切割膠帶71〇的基體片材712 面，以壓迫裝置764以B方向旋轉，向a方向滚動來壓迫录半
1222172 五、發明說明（ίο) 導體晶圓720，其中壓力係依照半導體晶圓72〇的材質、總 體厚度、所留下未被切透的厚度、晶片724的數量等因素 決定，較好為：10 g〜10 Kg ;此時破斷面728由凹槽726的 底部向半導體晶圓720的底面延伸，一直到相鄰的晶片了24 完全分離。 步驟五 如第7E圖所示，沿著切割膠帶71〇的基體片材712的徑 向方向，施以水平張力T1，使晶片724容易脫離壓敏黏合 劑層71 4 ;其中水平張力T1係依照切割膠帶7丨〇的的基體片 材712材質與尽度、壓敏黏合劑層714的黏度、半導體曰圓 720的材質與面積等因素決定，較好為1〇 g〜1() ^。阳 在步驟二中，因半導體晶圓72〇未被完全分離，故在 切割的過程中，均以整個晶圓72.0的質量來承受旋轉鑽石 刀（未顯示於圖面）與半導體晶圓72〇之間的作用力，所以 因震動而導致晶片824發生邊緣崩裂的情形不會發生。 在步驟三中，因在步驟二半導體晶圓72〇未被完全分 離，故在切割的過程中，即使切穿半導體晶圓72〇，仍以 整個晶圓720的質量來承受旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）與 半導體晶圓720之間的作用力，所以因震動而導致晶片 發生邊緣崩裂的情形不會發生。 在步驟四中’壓迫裝置764在切割膠帶7ig的基體片材 712的表面上壓迫半導體晶圓72〇，此時壓迫裝置764係僅 對半導體晶圓720的底面作用，所以在步驟四中，即使 導體晶圓720的正面長有金屬凸塊或是延伸i覆蓋在保護
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仍不會對半導體晶圓72〇的正面造成傷 層上的金屬層 害〇 另外’如第7F圖所示，係第二實施例所 與突出部723 厚度（同半導 ，較好為晶片 處。 緣崩裂的晶片 之部分剖面 基板7 3 0之 與黏晶用環氧 緣崩裂的晶片 之部分剖面 基板730之 與黏晶用環氧 朋t的晶片724之三視圖，包含晶片本體725 ^中突出部723的最大厚度為晶片本體m 體晶圓720的厚度，為約10 mil)的1 %〜40 % 本體725的約10 % ’在與晶片本體725連接之 如第7G圖所示，係以第二實施例之無邊 724所製&的半導體肖裝體在晶片724列方向 圖’黏晶用環氧樹脂740介於晶片724與封裝 間’且無封膠用環氧樹脂750入侵至晶片724 樹脂740之間。 如第7H圖所示，係以第二實施例之無邊 724所製造的半導體封裝體在晶片724行方向 圖，黏晶用環氧樹脂740介於晶片724與封裝 間’且無封膠用環氧樹脂75〇入侵至晶片724 樹脂7 4 0之間。 第三實施例： 請參考第8A〜81圖，第8A〜8D係顯示出用以說明本發明 之一種將半導體晶圓分離成複數個晶片的半導體製程方 法’其中第8B、8D、8E圖係第8A圖沿BB線之剖面圖，而第 8C圖係S8A圖沿CC:線之剖面圖l8g圖係顯示出本發 明之一種已分離且無邊緣崩裂的半導體晶片之三視圖；第 8H〜81圖係顯示出以本發明之一種已分離且無邊緣崩裂的
1222172 五、發明說明（12) 可準：I : I ί ί ?:導體封裝體之部分剖面圖。本發明 法係適用於一 Ρ ^曰曰離成複數個晶片的半導體製程方 半導體曰圓成半導體製程且具有一正面和一底面的 向盥列方向延# 包含此半導體晶圓8 2 0的正面上沿行方 a m〇24 的複數條切割道M2及其所區隔的複數個 曰曰巧 Z 4 ，jMi pj — I . 八匕枯下列步驟： 步驟一 这+ ΐ第8A圖所7F ’將具有沿行方向與列方向延伸的複數 820刀乂道厂82J及其所區隔的複數個晶片824的半導體晶圓 切_膦為8〜20 mil的半導體晶圓820的底面，黏附在 °勝帶81 〇例如切割膠帶810的壓敏黏合劑層814上。 步驟二 主道：第以圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）沿著 -ΒΘ圓8 2 0的正面上向行方向延伸的複數條切割道8 2 2 欲分別切割半導體晶圓82()，且未切透半導體晶圓820;如 8B圖所示，形成具有一底面和一側表面的凹槽826，由 凹槽826的底面至半導體晶圓820的底面，留下〇. 5 mil〜2 mil或半導體晶圓620厚度的1%〜40%，較好為約1 mil或半 導體晶圓620厚度的2· 5%〜25%之未被切透的厚度值。 步驟三 又
、如第8 A圖所示，以一旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）沿著 半導體晶圓820的正面上向列方向延伸的複數條切判道622 ，分別切割半導體晶圓820，並且在列方向切透該^導體 晶圓820，並切透切割膠帶810的壓敏黏合劑層8lj而未切
1222172
透切割膠帶810的基體片材層812，如第8C圖所示，形成斷 面 82 7 〇 步驟四 如第8D圖所示，沿著切割膠帶81〇的基體片材812的徑 向方向，施以水平張力T2 ;此時破斷面828由凹槽826的底 部向半導體晶圓8 2 0的底面延伸，一直到相鄰的晶片8 2 4完 全分離；並同時使晶片8 2 4容易脫離壓敏黏合劑層8 1 4 ;其 中水平張力T2係依照切割膠帶81〇的基體片材812的材質與 厚度、壓敏黏合劑層8 1 4的黏度、半導體晶圓8 2 0的材質、 所留下來未被切透的厚度、晶片824的數量與面積等因素 決定，較好為：1 〇 g〜1 〇 K g。 在步驟二中’因半導體晶圓820未被完全分離，故在 切割的過程中，均以整個晶圓82〇的質量來承受旋轉鑽石 刀（未顯示於圖面）與半導體晶圓82 〇之間的作用力，所以 因震動而導致晶片8 2 4發生邊緣崩裂的情形不會發生。 在步驟三中，因在步驟二半導體晶圓82〇未被完全分 離’故在切割的過程中，即使切穿半導體晶圓8 2 〇，仍以 整個晶圓820的質量來承受旋轉鑽石刀（未顯示於圖面）與 半導體晶圓820之間的作用力，所以因震動而導致晶片824 發生邊緣崩裂的情形不會發生。 在步驟四中’水平張力丁2係作用在切割膠帶810的基 體片材812的徑向方向，此時因切割膠帶81〇發生形變，而 使剪應力作用在壓敏黏合劑層814與半導體晶圓82〇的底 面，不但可使相鄰的晶片824完全分離，也可降低晶片824
1222172 五、發明說明（14)---- 與，敏黏合劑層814的黏著力而易於分離；也因此在步驟 =癸i即使半導體晶圓82 0的正面長有金屬凸塊或是延伸 、，覆盍在保護層上的金屬層，因為無任何應力作用於其 上仍不會對半導體晶圓820的正面造成傷害。 另外’如第8E圖所示，係第三實施例所製造之無邊緣 朋衣的晶片824之三視圖，包含晶片本體825與突出部 823，其中突出部823的最大厚度為〇· 5〜2以丨，較好為約 1 mil ’在與晶片本體825連接之處。 如第8F圖所示，係以第三實施例之無邊緣崩裂的晶片 824所製造_的半導體封裝體在晶片8 24列方向之部分剖面圖 ，黏晶用環氧樹脂840介於晶片824與封裝基板830之間， 且無封膠用環氧樹脂850入侵至晶片824與黏晶用環氧樹脂 840之間。 如第8G圖所示，係以第三實施例之無邊 824所製造料導體封裝體在晶片⑽行方向之部片 圖，黏晶用環氧樹脂840介於晶片8 24與封裴基板830之間 ’且無封膠用環氧樹脂8 5 0入侵至晶片8 2 4與黏晶用環氧樹 脂840之間。 如上所述，將依據本發明之一種新的半導體製程，特 別係有關於一種新的將半導體晶圓切割成複數個晶片的半 導體製程方法，和已分離且無邊緣崩裂的半導體晶片；與 昔知晶圓切割技術做比較，本發明具有以下優點：（1 )可 解決晶片邊緣崩裂的問題，進而提高良率以及降低成本· (2)可在不更動現有製程設備下，以最低的成本，解決曰曰
1222172 五、發明說明（15) ---—— 片邊緣崩裂的問題；（3)不會對半導體晶圓的正 、 害而使晶片失效；（4)能適用於各種半導體晶圓=成傷 片配置、以及目前和以後各種先進的半導體晶 、、晶 造出的半導體晶圓；（5)防止半導體封裝體加速、程所製 形發生。因此本發明可解決因傳統晶圓切割技術失欢的情 問題，進而提高良率以及降低生產成本。 斤弓丨起的 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，麸 限定本發日月：任何熟習此技藝者，在不脫離：發：非用以 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因 之精砷 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。$明之保護
1222172 圖式簡單說明 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、 顯易懂，下文特I 〆灶—μ , ^ 和優點能更明 細說明如下： 斤附圖式，作詳 第1 Α〜1C圖為一系列剖面圖，用以說 體晶圓分離成複數個晶片的製程。 白口的將半導 第2圖為一般半導體封裝前段製程的流程 第3 A〜3B圖為一系列剖面圖，用以說 丄 體之局部剖面圖。 兄月—半導體封裝 第4圖為一用於覆晶封裝的半導體晶 第5圖為專利公告號488021之中華民國直尹'剖面圖。 所揭露的「銅製程在搭配低介電材料 寻利申請案中 設計」。 子之打線用金屬焊墊 用以說明本發明第一實 用以說明本發明第二實 用以說明本發明第三實 第6A〜6J圖為一系列剖面圖 施例製作的流程與結果。 苐7 A〜7 J圖為一系列剖面圖 施例製作的流程與結果。 弟8 A〜8 I圖為一系列剖面圖 施例製作的流程與結果。 【符號說明】 11 0〜切割膠帶； 11 2〜基體片材； 11 4〜壓敏黏合劑層； 1 2 0〜半導體晶圓； 1 2 2〜切割道；
0503-8377TWF ; TSMC2001·1382 ; dwwang.ptd 第19頁 1222172 圖式簡單說明 1 2 4〜晶片， 2 1 0〜晶圓研磨； 2 2 0〜晶圓切割； 2 3 0〜晶片黏著； 2 4 0〜焊線； 2 5 0〜封膠； 324 、324’〜晶片； 3 3 0〜封裝基板； 340〜黏晶用環氧樹脂； 350〜封膠用環氧樹脂； 352〜空乏區； 420〜半導體晶圓； 426〜金屬凸塊； 5 2 2〜晶片； 5 2 5〜保護層開口； 526〜基體片材； 528〜金屬焊塾； 6 1 0〜切割膠帶； 6 1 2〜基體片材； 6 1 4〜壓敏黏合劑層； 6 2 0〜半導體晶圓； 623〜突出部； 6 2 4〜晶片， 6 2 5〜晶片本體；
0503-8377TWF ； TSMC2001-1382 ； dwwang.ptd 第20頁 1222172 圖式簡單說明 626〜凹槽； 6 2 8〜破斷面； 6 3 0〜封裝基板； 6 4 0〜黏晶用環氧樹月旨； 6 5 0〜封膠用環氧樹脂； 664〜壓迫裝置； UV〜紫外線； 7 1 0〜切割膠帶； 712〜基體片材； 7 1 4〜壓敏黏合劑層； 720〜半導體晶圓； 723〜突出部； 7 2 4〜晶片； 725〜晶片本體； 726〜凹槽； 727〜斷面； 7 2 8〜破斷面； 7 3 0〜封裝基板； 740〜黏晶用環氧樹脂； 7 5 0〜封膠用環氧樹脂； 764〜壓迫裝置； T卜張力； T2〜張力； 8 1 0〜切割膠帶；
0503-8377TW ； TSMC2001 -1382 ； dwwang.ptd 第21頁 1222172 圖式簡單說明 8 1 2〜基體片材； 8 1 4〜壓敏黏合劑層； 820〜半導體晶圓； 823〜突出部； 824〜晶片； 825〜晶片本體； 8 2 6〜凹槽； 827〜斷面； 828〜破斷面； 830〜封裝基板； 840〜黏晶用環氧樹脂； 8 5 0〜封膠用環氧樹脂。
0503-8377TWF ： TSMC200M382 ； dwwang.ptd 第22頁
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 1 · 一種分離半導濟曰。 U)提供一半導體晶曰9圓的方法’包括下列步驟： 向與列方向延伸的複數_，包含該半導體晶圓上沿行方 片， σ k及其所區隔的複數個晶 將j半導體晶圓 (c) 沿著向行方向盥，切割膠帶上，· 切割該半導體晶圓，且至少万向延伸的該些切割道，分別 一的方向作切割時，.广f沿行方向或沿列方向其中之 (d) 於該切宣丨丨贩胜刀透該晶圓；以及 y a τ刀割膠帶施加 離成複數個個別的丰莫骑曰蛾力，而使該半導體晶圓分 丁斧體晶片。 2·如申請專利範圍第1 ，其中上述步驟（c)中，、所述/刀離半導體晶圓的方法 該晶圓厚度的1%〜40%之去=+方向未切透該晶圓，留下佔 未切透該晶圓，留下佔，未曰被:厂透的厚度值；且在列方向 的厚度值。 下佔5亥0曰回厚度的1%〜40%之未被切透 *，3其：離半導趙晶圓的* 0 5 m i 1 ? m · 1々土 λ 在订方向未切透該晶圓，留下 坊曰m 未被切透的厚度值；且在列方向未切透 …曰4°如：：〇&5 '卜2心1之未被切透的厚度值。 去盆φ广專利範圍第1項所述分離半導體晶圓的方 J’C(c)中，在行方向未切透該晶圓，留下 佔该曰曰圓厚度的1。/❶〜40%之未被切透的厚 在列方 向切透該晶圓。 5·如申請專利範圍第1項所述分離半導體晶圓的方法兴r上述步驟（c)中， 卜2 mil之未被切透的切透該晶圓’留下 X值，且在列方向切透該晶 m 圓。 ^ ，其中上述步3(:)軌中圍，第1項所述分離半導體晶圓的方法 向未切透該晶圓，留 行方向切透該晶圓；且在列方 透的厚度值。 该晶圓厚度的1%〜40%之未被切 7士如申請專利範圍第丨項所述 ，其中上述步驟(c)中 導體曰曰圓的方法 向未切透該晶圓，留下。透該晶圓；且在列方 值。 圓留下〇·5 mi1〜2 «nU之未被切透的厚声 Α Φ二:專範圍第1項所述分離半導體晶圓的方法 二：：上述步驟⑷中’施加機械力的方法為： 壓迫該切割膠帶；而該切割膠帶尚包含一具有一壓幸^幸此 劑層及黏附於該壓敏黏合劑層上的該半導體晶圓的上夺。 與一無該壓敏黏合劑層的下表面；而該壓輥係在該切: 帶基的該下表面，壓迫該切割膠帶與該半導體晶圓；且/ 軋輥為圓柱形。 ’ g 9 ·如申請專利範圍第1項所述分離半導體晶圓的方法 ，其中上述步驟（d)中，施加機械力的方法為：沿著該切 割膠帶的徑向方向，對該切割膠帶施加張力。 1 0 ·如申請專利範圍第8項所述分離半導體晶圓的方法 ，其中上述步驟（d)中，尚包含：以能量射線照射黏附有 該晶圓的該切割膠帶。丄^11721 1.如申睛專利範圍第8項所述分離半導體晶圓的方 中上述步驟（d)中’尚包含：沿著該切割膠帶的徑r 方向，對該切割膠帶施加張力。 12. —種無邊緣崩裂的半導體晶片，包含： 氺一衣面；以及 表面 體成形於該晶片本體上，自5亥第 片本體’具有—形成有電子元件的第，表面與 形成電子元件的第二表面；以及 一突出部， 平行延伸。 曰1 3·如申請專利範圍第丨2項所述無邊緣崩裂的導體 1;二:/其中該突出部的最大厚度為該晶片本體為〇。 ° 。，該突出部的厚度隨延伸範圍的增加而遞/ &、、落體 1 4·如申請專利範圍第1 2項所述無邊緣崩裂的二邛 晶片，其中該突出部的最大厚度^·5〜2 ^ ’該突以 的厚度隨延伸範圍的增加而遞減為0。 裂 15·如申請專利範圍第12、13或14項所述無邊、^"/其 的，導體晶片，而該半導體晶片帛包含二組側面該突 中每組側面組合各包含一對互不相交的側表面個 出部係連接於該晶片本體的上述二組側表面祖合 側表面。 1 ρ /，七iSL邊緣朋裂 1 6 ·如申請專利範圍第丨2、1 3或i 4項所也”、、《A，其 的半導體晶片，而該半導體晶片尚包含二^、组側、其中該突 中每組侧面組合各包含一對互不相交的側土：合的其中/ 一 出部係連接於該晶片本體的上述二組側表面、’’ 組側表面組合上的每個側表面。0503-8377TWF ； TSMC200M382 ； dwwang.ptd 第25頁
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW91118880A TWI222172B (en) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | Semiconductor wafer dividing method and semiconductor chip without edge cracking produced by the method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW91118880A TWI222172B (en) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | Semiconductor wafer dividing method and semiconductor chip without edge cracking produced by the method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI222172B true TWI222172B (en) | 2004-10-11 |
Family
ID=34432875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW91118880A TWI222172B (en) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | Semiconductor wafer dividing method and semiconductor chip without edge cracking produced by the method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI222172B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI479557B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-04-01 | Nitto Denko Corp | 覆晶型半導體背面用膜 |
-
2002
- 2002-08-21 TW TW91118880A patent/TWI222172B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| TWI479557B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-04-01 | Nitto Denko Corp | 覆晶型半導體背面用膜 |
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