[go: up one dir, main page]

TW591937B - Image sensor - Google Patents

Image sensor Download PDF

Info

Publication number
TW591937B
TW591937B TW090102219A TW90102219A TW591937B TW 591937 B TW591937 B TW 591937B TW 090102219 A TW090102219 A TW 090102219A TW 90102219 A TW90102219 A TW 90102219A TW 591937 B TW591937 B TW 591937B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coupled
sensing element
connection terminal
signal
amplifier
Prior art date
Application number
TW090102219A
Other languages
English (en)
Inventor
Marcus Egbert Kole
Original Assignee
Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Electronics Nv filed Critical Koninkl Philips Electronics Nv
Application granted granted Critical
Publication of TW591937B publication Critical patent/TW591937B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Description

591937 五、發明說明(1) 發明簌疇及概述 一般而言,本發明與一種具有主動感測元件的影像感測 器有關,尤其與一種CMOS (互補金屬氧化物半導體)影 像感測器有關。
影像感測器已眾所皆知。例如,可參閱「I EEE
International Electron Devices Meeting 1 995」第 17 到25 頁,Erik R. Fossum 所著作的「CMOS Image
Sensors : Electronic Camer a - On-A-Ch i p」出版物。
一般而言,攝影裝置或影像感測器包括複數個感測元 件’該等感測元件以正陣列方式互相緊鄰放置。每個感測 元件都 之光線 件陣列 片之其 每個 將光信 件,用 電壓及 另外, 為此目 軌道係 以金屬 能夠縮 本發 號。當 個感測 片元素 元件都 電子信 光敏構 提供給 元件的 像素矩 別的感 作,因 件的表 目的是 且提供 將影像 元件都 或像素 包括一 5虎的光 件所產 感測元 輸出信 陣表面 測元件 此,不 面區域 提供一 對應於該感測元件 像感測器 來代表所 號0 諸如用來 以及一放大器構 對光線敏 的電子信 上時,每 中一個圖 主動感測 5虎轉換成 以放大該 控制信號 會將感測 的,會在 連接到各 材料所製 小感測元 明的主要 投射到影 會提供用 的電子信 光敏構件 二極體) 生的電子 件,以引 號提供給 上提供傳 輸入或輸 能透光, ,進而能 種主動型 例如 信號。會 發感測元 一信號處 導執道, 出。該傳 使得這些 夠有效接 影像感測 所接收到 的感測元 投射之圖 將一饋電 件運作。 理裝置。 該等傳導 導執道係 傳導執道 收光線。 器,其中
591937 五、發明說明(2) 能夠減少在感測器矩陣上延伸的連接執道數量,而仍然能 夠維持相同的功能性。藉此提供的主要優點在於,能夠改 良每個感測元件的有效光接收表面區域。 圖式簡單描沭 為了達成此項目的,本發明提供可按所需使用的數種變 化,以配合設計者所期望的情況及額外優點,下文中將參 考圖式,以便更詳細解說這些變化,圖式中完全一樣或可 媲美的組件將授予相同的數字,並且其中: 圖1顯示影像感測器之感測元件之主要組件的圖式; 圖2 A顯示可媲美圖1之本發明第一具體實施例之感測元 件設計的圖式, 圖2 B顯示可娘美圖2 A之本發明第二具體實施例之感測元 件設計的圖式; 圖2 C及2 D顯示圖2 A所示之第一具體實施例的晶片實施; 圖2E及2F顯示圖2B所示之第二具體實施例的晶片實施; 圖3 A顯示可媲美圖2 A之本發明第三具體實施例之感測元 件設計的圖式; 圖3 B顯示圖3 A所示之第三具體實施例的晶片實施; 圖4 A顯示可媲美圖2 A之本發明第四具體實施例之感測元 件設計的圖式;以及 圖4B顯示圖4A所示之第四具體實施例的晶片實施。 詳細說明 圖1顯示主動型感測元件的電路圖,其通用參考數字為 10。感測元件10包含光敏器20,即,光敏元件,該光敏器
591937 五、發明說明(3) 20的輸出22提供對應於光敏器20所接收到之光線[的電子 信號。光敏器20的電子輸出22係連接到放大電路3〇的輸 入,該放大電路30具有輸出32,用以根據輸入31所接收到 的光敏器20電子輸出^號來提供放大電子信號。 當關閉影像感測器時,感測元件無法接收到任何饋 壓,^係處於第-狀態,稱之為「關閉狀態」或「非啟 用狀悲」。於影像感測器操作期間,當出現饋電電壓時, 則會以週期性方式來選取個別的感測元件,以便讀取感測 兀件,也就是,然後,這些感測元件將供應輸出信號,以 利進一步處理。此項感測元件操作狀態稱之為「選取狀 態」貫的選取狀態之間,光敏器正在累積對應於接 收光莖集成的電子信號,在這段期間内,感測元件的輸出 45不提供輸出信號。此項感測元件操作狀態稱之為「隼 成狀悲」。在集成之前會先重置光敏器2〇,以 ^提供的輸出信號只對應於前-積成期間所接收到的 光篁。 為了使感測元件處於前述操作狀態之一, 信號。另外,為了佶咸:目,丨分杜ρ口叩而要控制 個饋電電壓。 #作狀況良好’需要至少兩 傳輸的感測元件具有四個輸人, 及控制信號,如圖!所示,·够叹β寺饋電電堡 ^ ^ φ ^ λ 所不也就疋.第一饋電輸入41、 第一饋電輸入42、選擇信號輸入43及重置 測几件10還具有信號輸出45。兩個饋電輸入4;ϋ:42係: 將正確的饋電電壓饋送給光敏器2〇及放大器3〇。選擇作號
第8頁 591937 五、發明說明(4) 輸入43及重置信號輸入44分別用來接收選擇信號及重 號,用以設定該等三個操作狀態。 °〜 5 必須為影像感測器配備相應的傳導執道數量,用以在所 有的感測元件之間輸入及輸出信號,但是這具有如 述的缺點。 ^ 口 在一般情況下,為了設定該等三個操作狀態,必須 兩個二進位控制信號,即,在一般情況下,選擇信號及 置信號都可採用兩個信號值,分別稱之為「啟用化於 及「非啟用信號值」。 口 ^ 」 達成重置狀態的方式為,提供具有啟用信號值的重置俨 號;此時,選擇信號的信號值沒有任何作用。 ° 達成選取狀態的方式為,提供具有非啟用信號值的重置 信號,並且提供具有啟用信號值的選擇信號。 當選擇信號及重置信號都具有非啟用信號值時,則 元件1 0處於集成狀態。 〜、 本發明的基礎在於,已知在前述的三個操作狀態的任一 狀態中,選擇信號及重置狀態決不會同時具有啟用信號 值。根據本發明一項重要觀點,藉由透過控制輸入所提供 的控制信號’即可達到所期望的操作狀態,這表示所提供 的控制信號係由不同的可能信號值所決定。此控制輸入稱 為「共同重置/選擇信號輸入」。 圖2 Α顯示根據本發明的第一感測元件丨丨。第一饋電輸入 4 1經由第一開關S1連接到光敏器2 〇的重置輸入2 1。第二饋 電輸入4 2直接連接到光敏器2 〇,並經由第二開關§ 2連接到
第9頁 591937 五、發明說明(5) 放大器3 0。兩個開關s 1及s 2 控制輸入5 1的控制輸入。 將具有三個可能信號值的 以定義感測元件1 1的操作狀 第一信號值會關閉開關S1 器3 0無法接收必要的饋電t 出信號,但是光敏器2 〇處於 處於集成狀態。 選用第二信號值時,第— 二開關S2不是處於傳導狀態 第一開關S1也代表重置開關 稱為重置信號。 選用第三信號值時,第二 一開關S1不是處於傳導狀態 接到饋電,因此正在放大光 將放大信號傳送到輸出4 5。 態。因此,第二開關S2也稱 值稱為選擇信號。 在圖2 A所不的第一具體實 至放大器30之饋電線路中的 測元件11的選擇。圖2B顯示 感測元件1 2,其與圖2 A所示 於’在放大器30之輸出32與 可控制型選擇開關S3。但是 都具有連接到光敏器1 1之共同 信號提供給共同控制輸入5 1, 離 〇 及S 2。在此情況下,由於放大 壓,所以感測元件不會供應輸 啟用狀態;因此,感測元件11 開關S1處於傳導狀態,但是第 。藉此重置光敏器2 0 ;這就是 的原因,並且該第二信號值也 開關S 2處於傳導狀態,但是第 。結果’會將放大器3〇正確連 敏器2 0所提供的信號,並且會 換言之,感測元件處於選取狀 為選擇開關,並且該第三信號
施例中,會透過控制位於饋電 可控制型選擇開關S2來達成感 根據本發明第二具體實施例的 之第—具體實施例11的差異在 感测元件1 2之輸出4 5之間配備 此項變化的操作與參考圖2 A 591937 五、發明說明(6) 所說明的操作完全一樣。 種==示參考圖2A所說明之第-具體實施例11之兩 y 施,而圖2EWF顯示參考隨所說明之第一具 體貝轭例1 2之兩種可能的實施。 離=:!式中所示的所有四個實施中,都會以共源組 =以晶體,其基極仙合到光敏化物在^ 士中:不的所有四個實施中都是以光二極體來表示。因 :12的輸出信號是一種電流強度與光敏器 2 〇二出】”正比的電流。另外,在這四個圖式中所示的 斤有四個貫知巾,若適用’會將可控制型重置開關W及可 控制型選擇開關S2或可控制型選擇開關S3建構成為單一 MOS電晶體,戶斤以,所需要的M〇s電晶體數量不超過3個。 在圖2C所示之第一具體實施例n的實施中,放大電晶體 30的>及極係連接到輸出端子45,並且放大電晶體3()的基極 係連接到光二極體2〇的陽極。放大電晶體3〇的源極係 到選擇電晶體S2的汲極,並且選擇電晶體S2的源極係 到第二饋電輸入VDD。另外’光二極體2〇的陽極係連接到重 置電晶體si的汲極,並且重置電晶體S1的源極係連接到第 一饋電輸入vss。重置電晶體S1及選擇電晶體S2的閘極都是 連接到控制輸入5 1。光二極體的陰極係耦合到第二饋電輸 入VDD。 別 曰曰 圖2C的實施係運用三個N通道金屬氧化物半導體場效電 體(MOSFET)來實現。圖2D的實施相當於圖2C的實施,作 591937 五、發明說明(7) 是其使用三個P通道金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)。 在圖2E的實施中,光二極體2〇的陽極係連接到放大電晶 體30的閘極,並連接到重置電晶體31的源極。重置電晶體 si的汲極係連接到第一饋電電壓Vss。放大電晶體3〇的源極 係連接到第二饋電電壓VDD,而放大電晶體3〇的汲極係連接 到選擇電晶體S3的源極,並且選擇電晶體S3的汲極係連接 到感測元件10的輸出45。重置電晶體S1及選擇電晶體S3 的閘極都是連接到重置/選擇信號輸入51。
圖2E所示的實施係藉由N通道金屬氧化物半導體場效電 晶體(MOSFET)來實現。圖2F的實施相當於圖“的實施,但 疋其使用P通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。 現在’將簡短说明圖2 C所示之感測元件11的操作。供應 到第一饋電輸入41之第一饋電電壓Vss的電位低於供應到g 二饋電輸入42之第二饋電電壓yDD的電位。 供應到控制輸入5 1之控制信號的電位通常大體上等於第 二饋電電壓vDD的電位,所以重置電晶體S1及選擇電晶體 S3都是處於非傳導狀態(集成狀態)。
當要讀取感測元件11時(選取狀態),會將具有低於第 二饋電電壓VDD之電位的控制信號供應給控制輸入5丨,所以 選,電晶體S2處於可傳導狀態,但是該電位高於第一饋電 電壓Vss的電位,所以重置電晶體S1仍然處於非傳導狀態。 然後,由位於光二極體20陽極上的電壓來充分定義位^ 出4 5的輸出信號。 別
第12頁 591937 五、發明說明(8) 針對重置感測器20,會將具有低於第一饋電電壓Vss之電
位的控制信號供應給控制輸入5 1,所以重置電晶體3丨及選 擇電晶體S2都是處於傳導狀態(集成狀態)。 按慣例,重置感測元件會與重置矩陣中位於同行之所有 其他的感測元件同時發生。這是因為其優點在於,可藉由 一個共同的傳導執道來控制位於此行上之所有感測元件的 重置輸入。這是矩陣架構的要求,但是’其中可單獨重置 矩陣的像素。這促使能夠調整每像素的集成時間,進而能 夠大,增加像素的動態範圍。然後,因為仍然能夠維持相 同的母像素集成時間,所以還可能以序列方式來定址像 素’而不是慣用的逐行序列定址。 $影像感測器已眾所皆知,其中可單獨重置感測元件 或像素。例如,在 1 979 年1£以 Journal 〇f s〇iid state irCUlt=第二期第 32 卷第 285 到 288 頁,〇riey Yadid - = 著作的「7, aCtlVe P1Xel Se_r star 明伸 9 regl0nal electronic shutter」中的說
條額二選匕引;之=物/所說明的裝置t,需要-裝置納丘•[線p *置―選擇線。因此’此項已知的 取/選4擇綠而、兩條饋電線及四條信號線,即,輸出線、讀 的感測元件Φ重置信號線及重置/選擇、線。在本發明所建立 在此項觀點t並不需要此類額外的重置_選擇線,所以, 連接軌道數-’本發明還能夠減少在感測器矩陣上延伸的 ΐ = 而仍然能夠維持相同的功能性。 的基礎在於’已知能夠維持相同的功能性,而且
591937 五、發明說明(9) 1— 還此夠減少在感測器矩陣表面上延伸的電線數量,這是因 為每個感測元件中會組合該等線路之其中兩條的資訊, 根據本發明第〆項方法,只有藉由讀取/選擇線路上的 選擇信號同時選取感測元件,才會重置該感測元件,以響 應重置L號。為此目的,根據本發明的感測元件包括用 執行重置信號與選擇信號的「及」(AND)函數的裝置。為 此目的,可配備分開的「及」(AND)構成,但是,或者^ 用感測元件本身的邏輯建構來包含「及」(AND)函數。 圖3 A顯示根據本發明第三具體實施例的感測元件丨3,與 所引用的出版物相比,感測元件丨3可提供所引用之出版物 的功能 ',並可減少連接線數量。將影像感測器2 〇直接連接 到,二饋電輸入42。在放大器30與第一饋電輸入41之間連 接第一可控制型選擇開關S2。在影像感測器2〇與第一饋電 輸入41之間以串聯排列方式置入可控制型重置開關“及第 一可,制型選擇開關S2,。兩個選擇開關S2及s2,的控制輸 入都是連接到選擇輸入6 1,用以接收選擇信號。重置開關 si的控制輸入係連接到重置輸入62,用以接收重置信號。 以下说明圖3A所示之具體實施例的操作。如果選擇輸入 61上所接收到的選擇信號具有非啟用值,則開關§2及32, 都是處於非傳導狀態,並且感測元件13處於集成狀態。然 後’重置輸入62上所接收到的重置信號值毫無作用。 如果選擇輸入6 1上所接收到的選擇信號值是啟用值,而 重置輸入62上所接收到的重置信號具有非啟用值,則第一 選擇開關S2會將放大器3〇連接到位於饋電輸入4丨的饋電電
第14頁 591937
壓,並且,由處於非傳導狀態的重置開關S1來切斷感測器 =與饋電輸入41間的連接。然後,由放A器3〇將影^感測 器20之輸出22上產生的電子信號以放大的形式提供給感測 元件1 3的輸出4 5 ’即,感測元件處於選取狀態。 如果選擇輸入6 1上所接收到的選擇信號值是啟用值,而 重置輸入62上所接收到的重置信號也具有啟用值,則會經 由兩個開關S1及S2,會將影像感測器2〇連接到饋電輸入 41,並且,重置影像感測器2 〇。 因此,會藉由光敏器20與第一饋電連接41間以串聯方式 連接的兩個開關S1及S2,來提供該「及」(AND)函數,其 中開關s 1係藉由重置信號來操作,而開關S2,係藉由選擇 信號來操作。 在圖3 A所示的具體實施例中,重置開關s丨係連接到影像 感測為2 0,而第二選擇開關s 2 ’係連接到第一饋電輸入 41。在替代具體實施例中,可將這兩個開關的順序顛倒, 所以重置開關S1係連接到饋電輸入41,而第二選擇開關 S2’係連接到影像感測器2〇。 在圖3A所示的具體實施例中,兩個選擇開關S2及S2,都 是連接到第一饋電輸入41。在替代具體實施例中,可將這 兩個選擇開關組合成為單一選擇開關,其控制輸入係連接 到選擇輸入61,某一開關端子係連接到饋電輸入41,而另 一開關端子係連接到放大器3 0及重置開關S1。 在圖3 A所示的具體實施例中,由於放大器3 〇係連接到饋 電輸入41,所以會選取感測元件1 3,以利進行讀取。為此
591937 五、發明說明(11) 目的’會在讀電輸入41與放大器30的饋電連接端子之間耦 合選擇開關S2。或者,可將放大器30直接連接到饋電輸入 41 ’而在放大器3〇之輸出32與感測元件13之輸出45間用選 擇開關S 3來取代選擇開關s 2,類似於參考圖2 B所說明之圖 2A所示之具體實施例的替代方案。 圖3B顯示圖3A所示之具體實施例的實施。此處,會以源 極輸出(source f〇u〇wer)組態配置的方式,將放大器3〇 建構成為單一金屬氧化物半導體(M〇s)電晶體,所以輸出 k號是一種電壓與橫跨光敏結構2 〇之電壓成正比的電壓。 放大電晶體30的源極係連接到感測元件13的輸出45。放大 電晶體30的汲極係連接到選擇開關電晶體S2的源極,並且 選擇開關電晶體S2的汲極係連接到第一饋電輸入4丨。並 且’圖中所示的光敏器2〇係作為光二極體2〇,其陽極係連 接到放大電晶體3 0的閘極,並連接到重置電晶體$ 1的源 極。重置電晶體S1的汲極係連接到第二選擇電晶體$ 2,的 源極,並且第二選擇電晶體S2,的汲極係連接到第一饋電 輸入41。重置電晶體S1的閘極係連接到重置輸入62。選擇 電晶體S 2及S 2 A的閘極都是連接到選擇輸入6 1。 在此項具體實施例中,選擇信號的啟用值及重置信號的 啟用值對當於L0W(低電位),而選擇信號的非啟用值及重 置信號的非啟用值對當於HI GH(高電位)。 圖3 B的實施利用N通道電晶體;但是,熟知技藝人士應 明白,也能夠以p通道電晶體為基礎來實施。农 μ 根據本發明第二項方法,只有藉由位於選擇線路上的選
591937 五、發明說明(12) :信=同時選取感測元件,彳會將饋電電壓供應到感測元 件。然後,本發明的部份基礎在於,已知,如果 感 測兀件,則感測元件根本不需要任何的饋電電壓。為此目 的,根據^發明的感測元件的邏輯結構為,位於選擇線路 上之選擇信號的啟用值同時也作為饋電信號使用。 圖4A顯示根據本發明第四具體實施例的感測元件“,與 =引用的出版物相比,感測元件14可提供如上文所述的功 月b,並可減少連接線數量。感測元件丨4只具有選擇輸入 71、重置輸入72及單一饋電輸入73。將影像感測器2〇直接 連接到饋電輸入73。放大器30係連接到選擇輸入71,以接 收饋電電壓。在影像感測器20與選擇輸入71之間連接可控 制型重置開關S1,可控制型重置開關s 1的控制輸入係連接 到重置輸入7 2,用以接收重置信號。在放大器3 〇之輸出3 2 與感測元件14之輸出45間具有可控制型選擇開關S3,可控 制型選擇開關S3的控制輸入係連接到選擇輸入71 ,用以接 收選擇信號。
以下說明圖4 A所示之具體實施例的操作。如果選擇輸八 7 1上所接收到的選擇信號具有非啟用值,則開關S3處於非 傳導狀態,所以會切斷放大器3 0與輸出4 5間的連接,因 此,無法接收饋電。然後,感測元件1 3處於集成狀態。然 後,重置輸入72上所接收到的重置信號值毫無作用。 如果選擇輸入7 1上所接收到的選擇信號值是啟用值,@ 重置輸入72上所接收到的重置信號具有非啟用值,則玫λ 器30接收選擇信號的啟用值作為饋電電壓,開關S3處於傳
591937 五、發明說明(13) 導狀‘,以利於將位感測元件14之輸出45的輸出信號提供給 放大f30 ’並且’由處於非傳導狀態的重置開關si來切斷 感測器2。0與選擇輸入71間的連接。然後,由放大器2〇將影 像感測器20之輸出22上產生的電子信號以放大的形式提供 給感測元件U的輸出45,即,感測元件14處於選取狀態。 如果選擇輸入71上所接收到的選擇信㉟值是啟用值,而 重置輸入72上所接彳欠到的重置信號也具有啟用值,則會經 由重置開關si將影像感測器20連接到位於選擇輸入71上的 選擇彳5號啟用值,並且,重置影像感測器2 〇。 圖4 B顯示之圖4 A所示之具體實施例的實施係以p通道電 晶體為基礎U旦是,熟知技藝人士應明自,也能夠以請 道電晶體為基礎來設計同等實施。 /並且,圖中所示的光敏器2〇係作為光敏二極體,其陽極 係連接到饋電連接端子73(GND),而其陰極係連接到放大 電晶體30的閘極並連接到重置電晶體S1的源極。重置電晶 額的没極係連接到選擇輸入71,並且重置電晶體^的閉 重置輸入72。放大電晶體3〇的源極係連接到選 擇電曰曰體S3的汲極,並且選擇電晶體S3的源極係連接到輸 出45。選擇電晶體S3的閘極係連接到選擇輸入了丨。放大電 晶體3 0的没極係耗合到選擇輸入η。 =擇輸入71的信號電位處於低電位狀態時,則感測元 件1 4處於集成狀態。 如果選擇輸入71的信號電位處於高電位狀離,並且重 輸入72的信號電位處於低電位狀態時,則感測元件14處於
第18頁 591937 五、發明說明(14) 選取狀態。 如果選擇輸入71的信號電位處於高電位狀態,並且重置 =2入7 2的k唬電位也處於高電位狀態時,則會重置感測器 原則上,放大電晶體3 〇的汲極可直接連接到選擇輸入 71。在圖1B所示的具體實施例中,會在放大器⑽的汲極與 =擇輸入71間連接第二選擇開關S3,,該第二選擇開關 的閘極係連接到選擇輸入71 ,所以該第二選擇開關 S3的操作與第一選擇開關以的操作完全一樣。第二選擇 = =S3’提供的附加優點在於,可降低選擇輸入到光二極 體2 0之信號的串擾。 # ϋ Ϊ奴本發明提供一種影像感測器,其包括以陣列方式 =個主動式感測元件11;12;13;14,以…) 延:的數條傳導線,用以傳送饋電電盤及信號。 都包,一個光敏器20及一個放大器3〇。 能。 毛明,可κ現減少傳導線數量,而仍然可維持功 ιϋϊ,在第一及第二具體實施例中,-種感測元件 放大—與該感測器關聯的第一開關51,以及一盥該 開關S2;S3,該等開關都是受到」共' 一 實施例中,-種感測元件13包括串聯排列的 及-饋=及一第二開關s2’,該等開關位於該感測器 電線路之間。於第四具體實施例14中,同時會使用 591937 五、發明說明(15) 一選擇信號作為該放大器的饋電。 熟知技藝人士應明白,本發明的範疇不限定在上文所述 的範例内,而是可進行各種變更及修改,而不會脫離如隨 附申請專利範圍中所定義的本發明範_。因此,例如,在 參考圖2A所說明的具體實施例中,可在感測器及其中一個 饋電連接端子之間配備重置開關,並且可在放大器與該同 一饋電連接端子之間配備選擇開關。
第20頁

Claims (1)

  1. MM. 90102219_ 六、申請專利範圍 1 . 一種感測元件,包括·· 信號一光敏構件(20),其用來 修正 將一光信號轉換成一電子 一 一放大器構件(30),复田、 供應的該電子信號; “以放大該光敏構件(2 0 )所 耗合到該放+ (45),其用以將該放 (30)輪出(32)的輸出端子 到外部; °構件(3 0 )所供應的放大信號傳送 第饋電連接端子(41),其用以接收一第一饋電 電壓; 一 一第二饋電 電壓; - 一控制連接 重置信號;以及 - 耦合到該控 來:使該感測元件 有一第一信號值的 構件(2 0 ),以響應 式選擇/重置信號; 態,以響應所接收 /重置信號。 •如申請專利範 連接端子(42),其用以接收一第 電 括: 端子(51),其用以接收一組合式選擇/ 制連接端子(5 1 )的裝置,該裝置係用 處於一集成狀態,以響應所接收到之具 該組合式選擇/重置信號;重置該光敏 所接收到之具有一第二信號值的該組合 以及,使該感測元件處於一選取狀 到之具有一第三信號值的該組合式選擇 圍第1項之感測元件,該感測元件包 一第 可控制型開關(S 1 ),其連接在該光敏構件
    O:\69\69133-920129.ptc 第22頁 591937 9010221Q 六、申請專利範圍 (20)之重$端子(21)與該第一饋電連接端子(41)之間; 接#第二I控制型開關(S2 ; S3),其耦合到該放大器 _ ),該第一可控制型開關(S1 )的控制輸入及該第二 1 =产1開關(s 2 ; S 3 )的控制輸人都是連接到該控制連接 鳊子(5 1 )。 3如申請專利範圍第2項之感測元件,其中該第二可控 工里開關(j 2 )係連接在該放大器構件(3 〇 )與一饋電連接端 之間士该饋電連接端子最好是第二饋電連接端子(42)。 Ϊ ”範圍第3項之感測元件,其中該放大器構 )疋金屬氧化物半導體場效電晶體(M0SFET),其汲極 異該ΐΐ?子(45);其中該第二可控制型開關(S2) ΐ極係麵接到放大器構件(30),其源極係輕 ίiU電連接端子(42) ’ *閘極係耦合到該控制連 m〇sf s ^及,其中該第一可控制型開關(S1 )是 :耦合到該第一饋電連接端子⑷),其閘 極係耦合到該控制連接端子(5丨)。 「甲1 請人項之感測元件,其中該光敏構件 二土:極體,其麵合到該放大器構件(3〇)的閘極,並 耦合到戎第一可控制型開關(s丨)的汲極。 並 6.如申請專利範圍第2項之感測元立 ===接在該放大器構一輸出⑽與控該 件:二二專二範;第6項之感測元*,其中該放大器構 件(30)疋MOSFET,其源極係耦合到該第二饋電連接端子
    O:\69\69133-920129.ptc 第23頁 591937
    修正 人 ——·,一可控制型開關(S3)是MOSFET,其源極係 j :到該放大器構件(3 〇 )的汲極,其汲極係耦合到該輸出 及,^ 5 )」,其閘極係耦合到該控制連接端子(5 1 );以 人’其^該第一可控制型開關(S1 )是M〇SFET,其汲極係耦 二巧該第一饋電連接端子(41),其閘極係耦合到該控制連 接端子(5 1 )。 f 9 L ί申,印專利範圍第7項之感測元件’其中該光敏構件 叙人=極體,其耦合到該放大器構件〇〇)的閘極,並 轉。到该弟一可控制型開關(S 1 )的源極。 9· 一種包含複數個如申請專利範圍第1、2、3、4、5、 一、J或8 j員之感測元件(η ; 12)的影像感測器,該等感測 =U ,1 2 )係以陣列方式放置._,其中會在該感測元件陣 歹J的表面上配置下列組件: •一 一輸出線路,其耦合到位於某行上之該等感測元件 (11;12)的輸出端子(45); 以 一 第一饋電線路,其1¾合到位於某行上之該等感測 70件(11 ;12)的第一饋電連接端子(41); 一 一第一饋電線路,其搞合到位於某行上之該等感測 疋件(11 ;12)的第二饋電連接端子(42);以及 ^ :共同選擇/重置線路,其耦合到位於某行上之該 等感測元件(1 1 ;丨2 )的控制連接端子(5丨)。 10 · —種感測元件,包括: σ —一光敏構件(2 〇 ),其用來將光信號轉換成電子信 號; 、
    O:\69\69133-920129.ptc 第24頁 591937 修正 案號 90102219 六、申請專利範圍 - 一放大器構件(3 0 ),其用以放大該光敏構件(2 0 )所 供應的該電子信號; -一耦合到該放大器構件(30)輸出(32)的輸出端子 (4 5 ),其用以將該放大器構件(3 0 )所供應的放大信號傳送 到外 電壓 電壓 號; 號; 裝置 收到 於一 選擇 該光 一選 11 括: 部 第一饋電連接端子(41 其用以接收一第一饋電 第二饋電連接端子(42),其用以接收一第二饋電 其用以接收一選擇信 一第一控制連接端子(6 1 - 一第二控制連接端子(6 2 乂,其用以接收一重置信 以及 -耦合到該等兩個控制連接端子(6 1, 6 2 )的裝置,該 係用來:使該感測元件處於一集成狀態,以響應所接 之具有一第一信號值的一選擇信號;使該感測元件處 選取狀態,以響應所接收到之具有一第二信號值的一 信號及具有一第一信號值的一重置信號;以及,重置 敏構件(2 0 ),以響應所接收到之具有一第二信號值的 擇信號及具有一第二信號值的一重置信號。 .如申請專利範圍第1 0項之感測元件,該感測元件包 -串聯排列的一第一可控制型開關(S 1 )及一第二可控 制型開關(S 2 ),該等開關係連接在該光敏構件(2 0 )之重置
    O:\69\69133-920129.ptc 第25頁 591937
    端子(21)與該第一饋電連 控制型開關(S1)的一控制 (62);以及,其中該第二 係耦合該第一控制連接端 1 2 ·如申請專利範圍第1 構件(30)是MOSFET,其源 其汲極係輕合到該第一饋 控制型開關(S1)是MOSFET 接端子(6 2 );以及,其中 MOSFET,其源極係耗合到 極’其汲極係麵合到該第 係耦合到該第一控制連接 接端子(41)之間;其中該第一可 輸入係耦合該第二控制連接端子 可控制型開關(S2)的一控制輸入 子(61 )。 1項之感測元件,其中該放大器 極係耦合到該輸出端子(4 5 ),而 電連接端子(41) ,·其中該第一可 ’其閘極係耦合到該第二控制連 該第二可控制型開關(s 2,)是 該第一可控制型開關(S 1 )的汲 一饋電連接端子(41),而其閘極 端子(6.1 )。 •如%專利範圍第1 2項之感測元件,其中該光敏構 、,(2 0 )是光二極體,其耦合到該放大器構件(3 〇 )的閘極 亚耗合到該第一可控制型開關(s丨)的源極。 1 4 ·如申請專利範圍第丨丨項之感測元件,其中該放大器 構件(3(υ是MOSFET,其源極係耦合到該輸出端子(45),°而 其汲極係輕合到該第一饋電連接端子(4丨);其中該第二可 控制型開關(S2,)是MOSFET,其閘極係耦合到該第一控制 連接端子(6 1 );以及,其中該第一可控制型開關(s丨)是 MOSFET,其源極係耦接到該第一可控制型開關(32,)之汲 極,其沒極係耦合到第一饋電連接端子(4 1 ),而其閘極係 耦合到該第二控制連接端子(6 2 )。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之感測元件,其中該光敏構
    O:\69\69133-920i29.ptc 第26頁 591937
    i 號 9010221fl_ f上年 六、申請專利範圍 件(2 0 )是光二極體,其耦合到該放大 亚輕合到該第二可控制型開關(s 2 σ冓件(3 0 )的閘極, 1 6 .如申請專利範圍第1 1項之感測元/杜極。 :件(30)是MOSFET,其源極係心合到节牛’其中該放大器 中該第一可控制型開關(S1)是MOSFET 了 ^出端子(45);其 第二控制連接端子(62);以及,1 第、閘極係耦合到該 (⑻是MOSm,其源極係…該;關 器構件(3〇)的没極’其汲極係耦合到該第 端m ),而其閘極係耦合到該第一控制連接 件ί27;η如t利範圍第16項之感測元件,其*該光敏構 件C/0)疋光二極體,其耦合到該.放大器構件(3〇)的閘極, 亚轉5到該第一可控制型開關(s丨)的源極。 一 18 ·如申請專^利範圍第11項之感測元件,該感測元件進 步包括一第二可控制型開關(S 2 ),其連接在該放大器 件(3 0 )與該第一饋電連接端子(4丨)之間。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之感測元件,其中該第三可 控制型開關(S2)是m0SFET ,其源極係耦合到該放大器構件 (30)的沒極’其汲極係耦合到該第一饋電連接端子(41 ), 而其閘極係耦合到該第一控制連接端子(6 1 )。 2 0 ·如申請專利範圍第1 1項之感測元件,該感測元件進 一步包括一第三可控制型開關(33),其連接在該放大器 件(30)之輸出(32)與該輸出端子(45)之間。 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇項之感測元件,其中該第三可
    O:\69\69133-920129.ptc 第27頁 修正 591937 案號 9010221Q 六、申請專利範圍 控制型開關(S3)是MOSFET,其汲極係耦人到令 (3 0 )的源極,其源極係耦合到該輪出端子㈠^ 係搞合到該第一控制連接端子(6 1 )。 2 2· 種包含複數個如申請專利範圍第1 〇、1 Un、16、17、18、19、20 或21 項之感 ==像,測器,該等感測元件(i 3 )係以陣列方 中曰在該感測元件陣列的表面上配置下列組件 m 輸出線路,其耦合到位於某行上之該 U3)的輸出端子(45); 开杜' “ ΐ二饋電線路,其輕合到位於某行上 牛(13)=弟一饋電連接端子(41); 元件饋電線路,其搞合到位於某行上 ()的第二饋電連接端子(42); π w的:選擇線路’其耗合到位於某行上之該 (13)的f 一控制連接端子(61);以及 π 3彳的:重ΐ線路,其耦合到位於某行上之該 (13)的第二控制連接端子(62)。 23· 一種感測元件,包括: - j 其用來將一光信號轉換成一 器構件(30),JL用以放大琴弁敏 供應的該電子信號; /'用以汉穴茨九敏 , Ϊ t到該放大器構件(30)輸出(32)的 到外部, 竹这放大态構件(30)所供應的放 放大器構件 ,且其閘極 1、1 2、 測元件(1 3 ) 式放置,其 等感測元件 之該等感測 之該等感測 等感測元件 等感測元件 電氣信號; 構件(2 0 )所 輸出端子 大信號傳送
    第28頁 591937 案號 90102219 f上年( 申請專利範圍
    號 饋電連接端子(7 3 ),其用以接收一饋電電壓; 第一控制連接端子(7 1 ),其用以接收一選擇信 - 一第二控制連接端子(72),其用以接收一重置 號;以及 i 15 ,輛合到該等兩個控制連接端子(7丨,7 2 )的裝置,該 係用來··使該感測元件處於一集成狀態,以響應所接Λ :斤 =具有二第一信號值的一選擇信號;使該感測元件處二二 狀態,以響應所接收到之具有一第二信號值的_ :谠及具有一第一#唬值的一重置信號;以及, 哕 ^構件(2〇),以響應所接收到之具有一第二信號值的; 擇化號及具有一第二信號值的一·重置信號。 & 括24.如申請專利範圍第23項之感測元件°,肖感測元件包 ,0 _ 一第一可控制型開關(S1),其耦合在該光敏槿杜 (20)之重置端子(21)與該第—控制連接端中 中該第一可控制型開關(S1)的一控制輸入 j 制連…(72);以及,其中該放大器構二u:; 輪入係耦合到該第一控制連接端子(7 1 )。 、 貝電 25.如申請專利範圍第24項之感測元件, 2件(30)是MOSFET,其源極係麵合到該輸出端子^放大器 其汲極係耦合到該第一控制連接端子(71 ) ; 2 第一可控制型開關(S1)是MOSFET,其閘極係耗人;r k 控制連接端子(72),而其没極係耗合到該第一 ^制
    O:\69\69133-920129.ptc 第29頁 591937 案號 90102219 f丄年(月々日 修正 六、申請專利範圍 子(71)。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之感測元件,其中該光敏構 件(2 0 )是光二極體,其耦合到該放大器構件(3 0 )的閘極, 並耦合到該第一可控制型開關(S 1 )的源極。 2 7.如申請專利範圍第2 4項之感測元件,該感測元件進 一步包括一第二可控制型開關(S 3 ),其耦合在該放大器構 件之輸出(32)與該輸出端子(45)之間。
    2 8 .如申請專利範圍第2 7項之感測元件,其中該第二可 控制型開關(S3)是MOSFET,其源極係耦合到該輸出端子 (4 5 ),其汲極係耦合到該放大器構件(3 0 )的輸出(源極 3 2 ),且其閘極係耦合到該第一控制連接端子(7 1 )。 2 9 .如申請專利範圍第2 4項之感測元件,該感測元件進 一步包括一第三可控制型開關(S3’),其連接在該放大器 構件(3 0 )之饋電輸入與該第一控制連接端子(7 1 )之間。 3 0.如申請專利範圍第2 9項之感測元件,其中該第三可 控制型開關(S3’)是MOSFET,其源極係耦合到該放大器構 件(3 0 )的饋電輸入(汲極),其汲極係耦合到該第一控制連 接端子(7 1 ),而其閘極係耦合到該第一控制連接端子 (71)。 3 1 . —種包含複數個如申請專利範圍第2 3、2 4、2 5、 2 6、2 7、2 8、2 9或3 0項之感測元件(1 4 )的影像感測器,該 等感測元件(1 4 )係以陣列方式放置,其中會在該感測元件 陣列的表面上配置下列組件: - 一輸出線路,其耦合到位於某行上之該等感測元件
    O:\69\69133-920129.ptc 第30頁 591937 修正 案號 90102219 六、申請專利範圍 (14)的輸出端子(45); - 一饋電線路,其耦合到位於某行上之該等感測元件 (14)的饋電連接端子(73); - 一共同選擇/重置線路,其耦合到位於某行上之該 等感測元件(1 4 )的第一控制連接端子(7 1 );以及 - 一重置線路,其耦合到位於某行上之該等感測元件 (1 4 )的第二控制連接端子(7 2 )。
    O:\69\69133-920129.ptc 第31頁
TW090102219A 2000-02-04 2001-02-02 Image sensor TW591937B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00200378 2000-02-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW591937B true TW591937B (en) 2004-06-11

Family

ID=8170979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090102219A TW591937B (en) 2000-02-04 2001-02-02 Image sensor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6501064B2 (zh)
EP (1) EP1169851B1 (zh)
JP (2) JP4731084B2 (zh)
KR (1) KR20010112377A (zh)
CN (1) CN1227893C (zh)
TW (1) TW591937B (zh)
WO (1) WO2001058144A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI651929B (zh) * 2018-05-02 2019-02-21 友達光電股份有限公司 感測電路

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040055965A1 (en) * 1997-06-13 2004-03-25 Hubig Stephan M. Recreational water treatment employing singlet oxygen
US6831691B1 (en) * 1998-04-15 2004-12-14 Minolta Co., Ltd. Solid-state image pickup device
JP4708583B2 (ja) * 2001-02-21 2011-06-22 キヤノン株式会社 撮像装置
TWI229539B (en) * 2003-02-27 2005-03-11 Elecvision Inc Small image sensing device and image sensing element thereof
FR2855326B1 (fr) * 2003-05-23 2005-07-22 Atmel Grenoble Sa Capteur d'image matriciel en technologie cmos
US7456884B2 (en) * 2003-08-05 2008-11-25 Aptina Imaging Corporation Method and circuit for determining the response curve knee point in active pixel image sensors with extended dynamic range
US20060016963A1 (en) * 2004-06-07 2006-01-26 Benjamin Maytal Medical sensors
KR20070006982A (ko) * 2005-07-09 2007-01-12 삼성전자주식회사 수광 효율이 향상된 독출 소자 공유 이미지 센서
US20070152136A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-05 Jianquo Yao Transimpedance amplifier protection circuits
JP5328169B2 (ja) * 2007-02-28 2013-10-30 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
US7638772B2 (en) * 2007-02-28 2009-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus and radiation imaging system
WO2010053894A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-14 Next Biometrics As Voltage reading technique for large sensor arrays through reduced noise differential path
US8878816B2 (en) 2009-02-19 2014-11-04 Au Optronics Corporation Active pixel sensor and method for making same
JP5251736B2 (ja) 2009-06-05 2013-07-31 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US10265784B2 (en) * 2012-10-29 2019-04-23 Kyocera Corporation Ball end mill
KR102422059B1 (ko) * 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334920A (ja) * 1993-03-23 1994-12-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像素子とその駆動方法
JPH09275204A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Fuji Xerox Co Ltd 固体撮像素子
US5949061A (en) * 1997-02-27 1999-09-07 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with switched supply row select
US5892541A (en) * 1996-09-10 1999-04-06 Foveonics, Inc. Imaging system and method for increasing the dynamic range of an array of active pixel sensor cells
JPH10257392A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electron Corp 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法
US5869857A (en) * 1997-04-07 1999-02-09 Chen; Pao-Jung CMOS photodetectors with wide range operating region
JP4238377B2 (ja) * 1997-08-15 2009-03-18 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
DE69841968D1 (de) * 1997-08-15 2010-12-09 Sony Corp Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Steuerverfahren dafür
US5962844A (en) * 1997-09-03 1999-10-05 Foveon, Inc. Active pixel image cell with embedded memory and pixel level signal processing capability
US6097022A (en) * 1998-06-17 2000-08-01 Foveon, Inc. Active pixel sensor with bootstrap amplification

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI651929B (zh) * 2018-05-02 2019-02-21 友達光電股份有限公司 感測電路

Also Published As

Publication number Publication date
US20010025912A1 (en) 2001-10-04
JP4731084B2 (ja) 2011-07-20
CN1227893C (zh) 2005-11-16
EP1169851A1 (en) 2002-01-09
JP2011097609A (ja) 2011-05-12
WO2001058144A1 (en) 2001-08-09
EP1169851B1 (en) 2015-08-12
JP4907733B2 (ja) 2012-04-04
CN1363178A (zh) 2002-08-07
US6501064B2 (en) 2002-12-31
JP2003522480A (ja) 2003-07-22
KR20010112377A (ko) 2001-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW591937B (en) Image sensor
JP7117974B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP5538876B2 (ja) 固体撮像装置
US6242728B1 (en) CMOS active pixel sensor using native transistors
JP2003258228A (ja) 光電変換装置及び撮像装置
US8068157B2 (en) Image sensor with wide operating range
KR20010034765A (ko) 전역 리셋을 갖는 이미징 어레이용 저-노이즈 액티브 픽셀센서
TW469644B (en) Low noise CMOS active pixel sensor for imaging arrays with high speed global or row reset
TW200826658A (en) Solid-state imaging device
TW393781B (en) Photoelectric conversion device and image sensor
TW550810B (en) Image sensor having blooming effect preventing circuitry
US6952227B2 (en) CMOS image sensor for providing wider dynamic range
KR100436074B1 (ko) 안정한 저전압동작이 가능한 증폭형 고체촬상장치용출력회로
JP4195150B2 (ja) 改善された利得を有するソースフォロア回路及びそれを利用した固体撮像装置の出力回路
US7683671B2 (en) Method, apparatus, and system providing power supply independent imager output driver having a constant slew rate
JP2007508740A (ja) イメージセンサ用の低雑音cmos増幅器
WO2020102960A1 (zh) 像素电路及相关影像感测器
CN113302914B (zh) 使用电荷泵产生像素驱动电压
KR20050104083A (ko) Cmos 이미지센서
US20110013057A1 (en) Output circuit for CCD solid-state imaging device, CCD solid-state imaging device, and imaging apparatus
KR100448986B1 (ko) 단일 트랜지스터형 이미지 셀
JP2009141548A (ja) 基板バイアス発生回路、固体撮像装置および撮像装置
JP3673651B2 (ja) カレントミラー回路と光電変換装置
KR100640964B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 단위화소 회로
JP3142943B2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees