[go: up one dir, main page]

TW451274B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW451274B
TW451274B TW089111155A TW89111155A TW451274B TW 451274 B TW451274 B TW 451274B TW 089111155 A TW089111155 A TW 089111155A TW 89111155 A TW89111155 A TW 89111155A TW 451274 B TW451274 B TW 451274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cooling
substrate
transfer
patent application
wafer
Prior art date
Application number
TW089111155A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Akumoto
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW451274B publication Critical patent/TW451274B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

451274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明(i 發明說明 【發明背景】 本發明係與基板處理裝置相關。 例如在半導體裝置之製造程序的光刻步驟中,於半導 體晶圓(以下稱晶圓)等之基板的表面上塗布抗蝕劑以形 成抗钱膜’並將囷案曝光之後,再對基板供給顯像液以實 施顯像處理。而,對於實施此種一系列的處理步驟’從過 去以來都是使用基板處理裝置。 在基板處理裝置中個別地具備有,於晶圓上塗布抗触 液而施以處理之抗蝕液塗布處理裝置、對抗蝕液塗布完成 後之晶圊和曝光處理後之晶圓施實加熱處理之加熱裝置、 對加熱處理後之晶圓實施冷卻處理至預定溫度為止之冷卻 處理裝置,以及將顯像液供給至晶圓而實施顯像處理之顯 像處理裝置等,而在此等處理裝置之各個間的晶圓搬送以 及晶圓之搬出入係利用搬送裝置而進行。 然而’加熱處理完成後之晶圓如果不立即冷卻,晶圓 就會被加熱處理過度,而有起因於所謂的過度烘烤之處理 不良情形的發生之虞。因此,習知技術中,為了將被蓄積 在加熱處理完成後之晶圓的熱迅速避予以除去,而対例—如一 加熱處理裝置和搬送裝置之各時序控制時間(夕夕卜 Time Control Time)進行調整,在晶圊之加熱處理完成以前就用 加熱處理裝置將搬送裝置處理成待機狀態,而且搬送裝置 可以將加熱處理完成後之晶圓立即搬送至冷卻處理裝置為 止。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 二请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> '裝----l·---訂-------!線% 4 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印絮 A: 五、發明說明(2 ) 但疋、例如.首先從被交付予冷卻處理之晶圓冷卻裝 —搬出的操作因某些事情而發生延遲的情形中,無法對此 7 #處理裝置實施將加熱處理完成後之晶圓立即搬人的操 ’一’、结果,加熱處理後的晶圓未被搬入冷卻裝置而僅在 〜'封不動的狀態下待機’而產生因過度烘烤之處理不良情 形的問題: 【發明概要】 本發明之目地在於提供一種基板處理裝置,係可以防 止加熱處理後之基板因過度烘烤而導致處理不良的情形 為達成上述目的,本發明之主要的觀點為,具備將處 理液供給至基板而實施處理之液處理裝置、將基板施以冷 卻處理至預定溫度為止之冷卻處理裝置、將基板予以加熱 處理之加熱處理裝置,以及在將基板冷卻處理至預定溫度 為止以前將該基板予以冷卻之預冷卻裝置, 根據本發明,剛從加熱處理裝置被搬出來的基板,在 被搬入冷卻處理裝置之前,先被搬入預冷卻裝置以使之冷 卻:因此,即使因冷卻處理裝置中先前的基板之冷卻處理 尚未完成、以致無法將下一個剛完成加熱處理的基板搬入 此冷卻處理裝置,仍然可以將該下一個基板搬入預冷卻裝 置而將之冷卻到不會發生過度烘烤的程度為止此處,基 板之預冷钿以利用對基板實虼溫度調整的水和佩魯切 ;:鲜電冷?I:丨疋件等合適的冷卻装.I而實施冷洳者 為官.惟其他的方式,糾如利用自然冷卻以實施冷卻作某 -------------裝·----^----訂-------- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451274 A7 ____ B7 五、發明說明(3 ) 【發明之實施態樣】 以下將就本發明之較佳實施態樣的基板處理裝置進行 說明。 如第1圖所示’基板處理裝置〗具有,用以一方面將例 如25片晶圓以匣為單位從外部向基板處理裝置1搬出入, 一方面將晶圓W向匣C搬出入之匣站2、用以實施預定的 處理之各種處理單元係被配置成片葉式之處理站3,及將 晶圓W收付至使晶圓曝光之曝光裝置e的連繫部4,係形成 一體連接的構造。 £站2中’匣C在匣載置台5上之預定位置朝向處理站 3側的X方向(第1圖中之上下方向)將晶圓w的出入口自 由載置成列。而,可以在此匣C之配列方向(X方向)及 被收容於匣C之晶圓W的晶圓配列方向(z方向;垂直方 向)上移動之晶圓搬送體6係沿搬送路徑自由移動。晶圓 搬送體6也可以在<9方向(以Z軸為中心之轉動,方向)上 自由轉動’形成可以對匣C選擇性地作存取之狀態。 如第1、2圖所示,處理站3中配置有對晶圓w實施預 定的處理之各種處理裝置。亦即,處理站3的正面側上, 對轉動的晶圓W塗布抗蝕液並施以處理之抗蝕塗布處理裝 置8,和對轉動的晶圓W供給顯像液並施以處理之顯像處 理裝置9係以從下方依序地堆疊成2段的狀態而被配置成3 列。再者,在£站2側設置有可以收納抗蝕液供給桶和其 他的機器之化學箱丨0。 處理站3之背面側上,使晶圓與抗蝕膜之粘合性提高 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> *----丨 I I 訂 i I 丨 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ΒΓ ΒΓ 經濟部智慧財產局員工消贄合作社 五、發明說明(4 ) 之钻合裝置、對抗独塗布遇理後之晶圓W實絶加熱炙理之 預烤裝置、對曝光處理後之晶圓认貫施加熱處理之曝光後 烘烤裝置、對顯像處理後之晶圓\γ實施加熱處理之後珙烤 違·®'專之對晶圓W實施加熱處理的各種加熱處理裝置1 1係 在被堆疊成8段的狀態下被配置成4列: 而,在抗蝕塗布處理裝置8、顯像處理裝置9與加熱處 理裝置11之間裝設有搬送晶圓W之第丨搬送裝置丨2及第2搬 送裝置13、將晶圓认冷卻處理成預定溫度之冷卻處理裝置 14、在此冷卻處理裝置U之冷卻處理前將晶圓认.予以冷卻 之預冷卻裝置15、在冷卻處理裝置14與預冷卻裝置丨5之間 搬 < 郎s W之第3搬送裝置1 7 ,以及自由载置晶圓w之載 置台 33、34、35、36 = ^基本上第1搬送裝置丨2及第2搬送裝置]3具有同樣的構 造,若就第1搬送裝置丨2之搆造加以說明,則如第3圏所示 ,第1搬送裝置12於搬送基台18上' 在上下都裝備有可保 持晶圓W之錯子19、2〇 :錯子19、2〇係利用内藏於搬送基 0 1 8内之適當的馬達(未圖示出)而成為可以分別在前後 獨立而自由地移動:搬送基台18被設置在可自由昇降並且 目由轉動的昇降軸2丨上,而昇降軸自身則進—步被設置在 1以沿搬送導軚22而自由移動的稃動基台23上 '第,捧a 衣置1 3也於搬送基台以上、在上下都裝備有鑷子丨9、20 , 1且成為S衅配置咴上?丁- 墘送屢於.巧之搬^連料)2 自由務動。 -----r---訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451274 A7 ---B7 五、發明說明(5 ) 地s又置有自由載置晶圓W之載置台33'34;第1搬送裝置12 經由載置台33而形成可以實施晶圓搬送體6與晶圓w之授 受的狀態’而第2搬送裝置13則經由載置台34而形成可以 貫施晶圓搬送趙6與晶圓W之授受的狀態。 冷卻處理裝置14被堆疊成4段。此冷卻處理裝置丨4被 建構成用以實施將被搬入框體14a内的晶圓W冷卻至預定 溫度為止的處理。因此,冷卻處理裝置14在框體丨4a内埋 設了供給佩魯切(Petier;熱電冷卻)冷卻元件和冷卻水用之 冷卻管等’而且具有載置有晶圊W之冷卻板。也可以在具 有此種元件的方面上和預冷卻裝置丨5作區別。預冷卻裝置 15係在最上層的冷卻處理裝置14之上被堆疊成8段。如第2 圖所示’預冷卻裝置1 5係以平面板1 5a、三支支持銷1 5b、 散熱片15 c而構成;平面板〗5 a由熱傳導性良好的材質,例 如銘所構成,支持銷15b為在此平面板15a之上所設置之指 示晶圓W的支持元件,而散熱片! 5c則為設置在平面板i5a 的上面之散熱機構。然後,以此等被堆疊成多段的冷卻處 理裝置14和預冷卻裝置15構成冷卻處理裝置群16 :沿著搬 送導軌22、32的長度方向總共配置了三組冷卻處理裝置群 16。而’加熱處理裝置t丨與冷卻處理裝置群16.係夾—著第.】 搬送裝置12地形成對向的配置,抗蝕塗布處理裝置8及顯 像處理裝置9和冷卻處理裝置群丨6則夾著第2搬送裝置丨3地 形成對向的配置。 在前述相毗鄰的冷卻處理裝置群16和冷卻處理裝置群 16之間配置有第3搬送裝置17。此第3搬送裝置17在以鑷子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — — — — — — — — — ' I I I l· I I I ^ . ---- I I I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明( Α· Β7 1 ’ a保持晶圊w的狀態下形成可以進行昇降移動和伸縮稃 動的狀怨,並且成為可以在冷卻處理裝置丨4和預冷卻裝置 15之間搬送晶圓w的情況- 又.位置處在最靠近連繫部4的冷卻處理裝置群丨6和 連繫4之近傍處.載置台33、34和基本上具有同樣的構 造之載置台35、36沿著搬送導幸九22 ' 32的長度方向成行地 被配置。X ’此等載置台35 ' 36作成上下多段的積層構造 亦诖而,前述第丨搬送裝置12可以對加熱處理裝置丨丨 預冷卻裝置15 .以及載置台35、36實施晶[^之搬送操 ,第2搬送裝置1 3則可以對抗蝕塗布處理裝置8、顯像處 k置9、冷卻處理裝置14 ‘以及載置台35、36實铯晶圓 之搬送操作。 在連繫部4中設置有沿搬送導軌4〇之X方向、/方冷 牙多重曰 邮.,以及Θ方向自由轉動之晶圓搬送體4丨:晶圓搬送 可从對曝光裝置E、載置台36和周邊曝光裝置4]實 晶圓W之搬送操作; 、c 本發明實施態樣之基板處理裝置1係以如上 Μ P<乃式建 a、而有關其作用效果將說明如次: 、·7果E載置台5丄載置了收納有未處理之晶圓w的 ( 則晶圓搬送體6將自此S C選出1片晶圓w .而所 的晶圓W會先被載置到載置台33上接著.該晶圓w
作 理 W 幽 匣 選出 '利用 農〖~ 4被:dm到拉 七喊理此情形屮.排?彳裝置和載置台p併用亦可 ϋ 4 转置_因烏述言#沭;:遺熱處理.* a使备勒旧 θ民置.並絶 --------------裝.----;----訂--------- ί琦先閱讀背面之;it事項再填寫本頁> 5 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 74 A7 ------B7______ 五、發明說明(7 ) 加熱處理裝置11之一部分具有粘合處理功能亦可。 其次,晶圓在被第i搬送裝置12的鑷子19持住的狀態 下被搬送到預冷卻裝置15。之後,晶圓被搬入預冷卻裝置 15,如第4圖之實線所示,在受到支持銷15a所支持的狀態 下自然冷卻。藉由相關的預冷卻,晶圓识被冷卻到不會發 生過度烘烤的溫度為止之後,此經冷卻之晶圓w被以第 3搬送裝置17送到冷卻處理裝置14,並經冷卻處理至達到 預定溫度為止。 經冷卻處理至預定溫度為止的晶圓w被以第2搬送裝 置13搬送到抗蝕塗布處理裝置以實施預定的抗蝕塗布處理 。之後’此經塗布抗触劑的晶圓W被以第2搬送裝置13搬 送到載置台35。然後,用第丨搬送裝置12從載置台35搬到 加熱處理裝置11以實施預烤處理。而,其後,此晶圓评再 度在預冷卻裝置15、冷卻處理裝置14中被施以預定的冷卻 處理之後’又被朝載置台36搬送;接著,此晶圓W為晶圓 搬送體41所收付’並經過周邊曝光裝置42而被搬送到曝光 裝置E,以實施圖案之曝光處理。 前述曝光裝置E中,經過曝光處理之晶圓w被搬送到 載置台36之後,被以第」搬送裝置12朝加熱處理裝置丨彳.搬 送’以進行曝光後烘烤處理。接著,此晶圓被以第1搬送 裝置12搬送到預冷卻裝置15並施以預冷卻之後,又被以第 3搬送裝置17搬送到冷卻處理裝置14。用冷卻處理裝置】4 施以冷卻處理至預定溫度的晶圓W利用第2搬送裝置而搬 送至顯像處理裝置9並實施顯像處理後又被搬送到載置台 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 x 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------1— 訂 -------— ·線 1 · 10 Λ發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 35:然後.再度以第】搬送裝置1:朝加熱處理裝置"搬送 、以進行後烘烤處理= 經過後供烤處理的晶圓w被以第i搬送裝置i2搬送到 頂子部裝i丨^ ,之後被以第3搬送裝置π搬送到冷卻處理 裝置14而被冷⑨至預定的溫度為止:被冷卻到預定溫变為 止之後的aa圓又被以第2搬送裝置13搬送到載置台34。 然後,用晶圓搬送雔6從載置台34搬送到匣c後,被收 於此匣C中,如此.晶圓之一系列的處理即告完成r 如上所述’在本發明之實施態樣的基板處理裝置中 岡1〗以加熱處理裝置11中實施過粘合處理、曝光後烘烤處 、後烘烤處理等之伴隨加熱的處理,以及加熱處理之後 晶圓W,先被以第!搬送裝置丨2搬送到預冷卻裝置〗5以 知預冷卻t然後,闬苐3搬送裝置1 7搬送到冷卻處理裝置 而被施以冷卻處理直到預定的溫度為止,因此,可以將剛 完成加熱處理的晶圓快速地冷卻到至少不會發生過度煤烤 的程度之溫度為止,而得以防止因過度烘烤所造成的處 不良:又,因為在預冷卻裝置1 5中裝設有散熱片i 5c, u晶圓W的冷卻效率向上提高,搆造上也比較簡單. 1a此方式·被冷卻到預定A度為正之後的晶圓认:又 第2搬送裝置13而被搬迚到柷蝕塗布處理裝fX和顯像處 装置9等之液處理裝置:因此·第2搬送裝置丨3只搬年 珣定溫t為!r.以咬的晶ffi认.而不掩4 I#丨加缽☆ 蓋晶圓W .因此 '可以實拓對溫度敏或的抗蝕劑塗布 納 理 的 實 14 理 所 以 理 被冷 的高 處 ' — — — — — — — I— * I I <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -線· irt : 4512 74 A7 B7 五、發明說明(9 ) 又’由於使用第1搬送裝置12、第2搬送裝置13、第3 搬送裝置17以分擔各晶的搬送操作,因而可以減輕第1搬 送裝置12之晶圓搬送操作的負擔。其結果,因為可以防止 第1搬送裝置12所造成之剛完成加熱處理後的晶圓w之搬 送操作的延遲情形’所以能夠更確實的防止因過度烘烤所 造成之晶圓W的處理不良之產生。 而且’由於抗蝕塗布處理裝置8及顯像處理裝置9與加 熱處理裝置11之間配置有冷卻處理裝置14及預冷卻裝置15 ’因而可以防止來自加熱處理裝置11的熱傳遞到抗蝕塗布 處理裝置8及顯像處理裝置9的情形。其結果乃可以適當地 貫施對溫度敏感的抗蚀劑塗布處理等之預定的液處理。 除此之外’由於在堆叠成4段的冷卻處理裝置14的上 部’預冷卻裝置15被堆疊成8段,因而可以達成占用地板 面積的減少。又’由於預冷卻裝置】5自身基本上係以平面 板15a所構成’因而可以在基板處理裝置1中組裝比較多的 台數。 又’在前述實施態樣中,雖然由專用的第3搬送裝置1 7 來分擔預冷卻裝置15與冷卻處理裝置η之間的晶圓搬送, 惟不安裝此第3搬送裝置17 ’而由第1搬送裝置12來實施預 冷卻裝置15與冷卻處理裝置14之間的晶圓搬送亦可。如果 採用此方式’則可以達成基板處理裝置丨整體構造的簡約 化。又,配置空間能夠有效的利用。 再者,在前述實施態樣中’雖然舉出於預冷卻裝置1 5 與冷卻處理裝置14的上部往上堆疊的例子作說明,推在本 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) I I I l· ---訂·! — II· 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 12 五、發明說明(丨0 ) 發明中當然也可以將冷卽處理裝置]4與預冷卻裝置W成行 排列的配置-- 此外,裝設在預冷卻裝置丨5中的散熱機構並不限於散 熱片1 ,如第〕圓所示之冷卻風扇亦佳如果採取此方 式,即可以用來自冷卻風扇45的送風將晶圓w予以冷卻, 益同樣可以防止因過度供烤而導致之處理不良的發生。又 ’將散熱片1 :< b與冷卻風扇4 5加以組合也可以進一步地使 π卻效果提咼.'又,如第6圖所示、在預冷卻裝置卜中設 置朝晶圓w噴出惰性氣體,例如N:氣體之氣體噴出部61, 以取代冷卻®•扇45亦诖。藉&,同樣可以有效率地洽卻晶 圓W : 在上述實施 三支作為支持晶 惟如第7圖所示 體7 3的搆造亦佳 及其近傍部分< 的散熱效果= 如第4圖所7 惟如第8圖所示 堆疊成複數段的 字將基板搬人的 I丨4的工良.響 ’的支持元件之支持銷的平面板構; ,預冷卻裝置71為在平面板74上具有」 '而切體73則具有支持著晶圓W的 支持面”:藉此’可以期待使用支持彳 ’員’V部裝置1〉雖被積層配置成多4 ’作成以控制㈣丨的控制為基礎'^ 預冷中之±段财㈣置π 方式亦可藉此‘可以使對於冷卸處3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45ί 2 74 Α7 _ Β7___ 五、發明說明(11 ) 15,依序將基板搬入的方式亦可。藉此,可以使從預冷卻 裝置15搬送晶圓到冷卻處理裝置14的距離縮得更小。 進一步如第10圖所示’作成以控制部81的控制為基礎 ,而從被堆疊成複數段的預冷卻裝置15中之已經有晶圓W 被搬入其中的預冷卻裝置1 5,將基板搬入遠離的位置之預 冷卻裝置15的方式亦可。藉此,可以縮小預冷卻裝置丨5相 互間之熱的不良影響。 如第11圖所示,在配置有預冷卻裝置15及冷卻處理裝 置14之區域m上裝設有供給向下流的清淨空氣之空氣供 給部112的情形中,在各預冷卻裝置15的外周部上裝設用 以將清淨空氣導入各預冷卻裝置15内的導入元件113亦佳 a此情形中,如第11圖所示,以下段預冷卻裝置15的導入 元件113比上段預冷卻裝置15的導入元件丨13在平面上更突 出者為較佳。藉此,在各預冷卻裝置15中可以更有效率地 將晶圓W予以冷卻。又’在此區域1 U中裝設有供檢測此 區域111内之溫度的溫度感測器114,而控制部11 5則被建 構成根據此溫度感測器114之檢測結果而控制從空氣供給 部112所供給的清淨空氣之供給量亦佳。例如,區域1丨1内 的溫度如果上昇’則藉由將空氣供給量控制成會變多,即 可以有效率的控制溫度。 如第丨2圖所示’在各預冷卻裝置1 5的背後裝設供將各 預冷卻裝置15内的氣體予以排氣之排氣口 121,如果以經 由排氣通路123而利用排氣裝置1 24將各預冷卻裝置丨5内部 予以排氣的方式構成’則可以在各預冷卻裝置1 5實施更有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) I ---?裝--J!訂--t—----- 線、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 五、發明說明(12 ) Λ: Β7 效率的冷卻。 在第丨圖所示之實施態樣中,第、 兩1裝置12及第2搬 送裝置13雖可以沿Y方向移動,惟如 弔1 j圖听不、使用不 會在ΧΥ方向上移動的垂直搬送型搬# ’、 ' 〜表置1〇 1、丨32取代 第1搬送裝置12,並使用同樣的垂直搬 且蜘吱型搬送裝置133、 1 3 4取代第2搬送裝置1 3的型態亦诖。亦 ^ J p丨’此寻垂直搬送 型搬运裝置13卜!34為可以在上下方向昇降在&方向 由轉動,且臂部可以相對於各裝置自由進退的搬送裝置 在則述實施態樣中雖就基板而舉使用晶圓w之例加 說明,惟本發明在以LCD基板和CD基板等之其他的基 為對象的情形中也都可以適用r 【圖式之簡單說明】 第1圖所示為本發明之實施態樣中的基板處理裝置 f跃略平面圖; 第2圖為示意第1圖之基板處理裝置的處理站之斜視 白 以 板 圓 裝----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟邡智慧財產局員工消費合作社印絮 第3圓為第2圖之處理站内所具湛的第1搬送裝置之斜視圖。 书4圖所示為堆疊於第!冷卽處理裝f群上的預冷卻裝 置之說明圖、 # ’圖吒示為裝備有冷卻風扇之預泠卻裝置的斜視圏 # b _气示為裝嘴有+N 2吹口之預泠卽装置的斜視圖 # _ ® 4 m冷如g f 再地構造:列的:::丨::::|圖
第8圖為用以說明對預冷卻裝置作搬入控制的圊式。 第9圖為用以說明對預冷卻裝置作其他的搬入控制之 圖式。 第ίο圖為用以說明對預冷卻裝置進一步作不同的搬入 控制之圖式。 第U圖為預冷卻裝置之又一不同構造例之示意圖。 第12圖為預冷卻裝置之另一不同構造例之示意圖。 第13圖為示意本發明之基板處理裝置的其他構造例之 平面圖。 I I I — 111 11 ί I J ---- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件標號對照 I I 訂 卜··基板處理裝置 12…第1搬送裝置 13…第2搬送裝置 14…冷卻處理裝置 15…預冷卻裝置 c…散熱片 16…冷卻處理裝置群 17…第3搬送裝置 45…冷卻風扇 C… W…半導體晶圓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 16

Claims (1)

  1. 4512 74 H- Ο \)b 經濟部智慧財產局員工消費合作社印a,1^ 力、申請專利範圍 1- 一種基板處理裝置,其特徵在於具備有, 將處理液供給至基板並施以處理之液處理裝置. 和 將基板冷卻處理至預定溫度為止之冷卻處理g置 :和 將基板施以加熱處理之加熱處理裝置:和 在將基板冷卻處理至預定溫度為止以前將該基板 予以冷卻之預冷卻裝置。 2. 如申請專利範圍第]項之基板處理裝置,其特徵在於 其中裝備有搬送基板之第1搬送裝置、第2搬送裝置及 第3搬送裝置: 前述第1搬送裝置被建構成在加熱處理裝置和預冷 卻裝置之間搬送晶圓; 前述第2搬送裝置被建構成在液處理裝置和冷卻處 理裝置之間搬送晶圓; 第3搬送裝置被建構成在預冷卻裝置和冷卻處理裝 置之間搬送晶圓。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,特徵在於其 中裝備有搬送基极之落41卷裝置、第-2_搬—送裝-置二-前述第1搬送裝置被建構成在加熱處理裝置和預冷 卻裝置之間搬送晶圓; 前述第2搬送裝置被建構成在液處理裝置和冷卻處 理裝置之間搬送晶圓; 更進一步,前述第1搬送裝置及前述第2搬送裝置 本紙張尺度適闬中國國家標準(CNS)A丨規格(210x297公Μ ) --------^---I I ----I I I I ^ « — — Ί — llli <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 yy-」財產局 -•1|費".-..'-: r;、申請專利範圍 中之至少一者被建構成在預冷卻裝置和冷卻處理裝置 之間搬送晶圓」 4. 如申請專利範圍第}項之基板處理裝置,特徵在於其 中裝備有搬送基板之第丨搬送裝置、第2搬送裝1及第3 搬送裝置:且 夾著前述第1搬送裝置而配置有加熱處理裝置和預 冷卻裝置: 夾著前述第::搬送裝置而配置有液處理裝置和冷.却 處理裝置: 在前述加熱處理裝置和前述液處理裝置之間配置 有預冷卻裝置和冷卻處理裝置: 更進一步,前述第1搬送裝置被建構成在加熱處理 裝置和預冷卻裝置之間搬送晶圓: 前述第2搬送裝置被建構成在液處理裝置和冷卻處 理裝置之間搬送晶圓: 前述第3搬送裝置被建構成在預冷卻裝置和冷卻處 理裝置之間搬送晶圓〃 5. 如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置,特歆在於其 *裝備有搬送基板之第丨搬送裝置-第2搬送裝置:且 失著前迷第1搬迷裝置而配置有加熱處理裝置和預 冷卻裝置: *著ΐ— 裝置而配置有没處埋装f和冷卽 t理裝置: -------------裝--------訂·--------線 (--背面之注意事項再填"本頁)
    ^74 ^74 5 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 4 [λ C- ^________^__ 六、申請專利範圍 有預冷卻裝置和冷卻處理裝置; 前述第1搬送裝置被建構成在加熱處理裝置和預冷 卻裝置之間搬送晶圓; 前述第2搬送裝置被建構成在液處理裝置和冷卻處 理裝置之間搬送晶圊; 更進一步,前述第1搬送裝置及前述第2搬送裝置 中之至少一者被建構成在預冷卻裝置和冷卻處理裝置 之間搬送晶圓。 - 6-如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,特徵在於前 述預冷卻裝置係被堆疊於冷卻處理裝置的上部。 7·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,特徵在於前 述預冷卻裝置為具有可以支持基板之支持元件的平面 板。 8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置,特徵在於前 述支持元件具有複數個支持銷。 9. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置,特徵在於前 述支持元件具有支持體,該支持體具有支持基板中央 及其近傍的支持面。 10. 如申請專利蘇蕃第丨項之基板處理裝置,特舞在於葡 述預冷卻裝置具有供將基板的熱予以散熱之散熱機構 C 11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,特徵在於前 述預冷卻裝置具有朝基板送風的風扇。 12. 如申請專利範圍第I項之基板處理裝置,特徵在於 本紙張尺度適用命國國家標準(CNSOAl規格(:Π〇 X 297 ϋ ) -------I — ;--I I _tt衣.!---I — J11·---1 I I --- (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 19
    六、申請專利範圍 述預冷卻裝置具有朝基板喷出冷卻甲氣體的氣體噴出 部。 13.如申請專利範圍第1 2項之基板處理裝置·特徵在於前 述冷卻用氣體含有惰性氣體: 丨4.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置特徵在於前 述預冷卻裝置具有將該預冷卻裝置内部予以強制性的 排氣之排氣機構= 丨5,如申請專利範圍第1項之基板處理裝置、特敬在於前 述預冷卻裝置被堆疊成複數段。 16.如申請專利範圍第丨5項之基板處理裝置,特徵在於前 述被堆疊成複數段的預冷卻裝置之中,具有控制成從 上段的預冷卻裝置將基板搬入之控制t置。 | 7,如申請專利範圍第1 5項之基板處理裝置‘特徵在於前 述被堆疊成複數段的預冷卻裝置之中,具有控制成從 下段的預冷卻裝置將基板搬入之控制裝置。 18.如申請專利範圍第1 5項之基板處理裝置,特徵在於前 述被堆疊成複數段的預冷卻裝置之中,具有控制成從 已經有晶圓W被搬入其中的預冷紉裝置15,將基板搬 八遠離的位置之預冷卻裝置的控制裝置 1 9. 一種基板處理裝置‘其特徵在於具简有' 第!區域.其中虻置有供给處理液至基板並絶以處 理之液C Jf裝Ϊ :和 苐」區域。其中5〔:,置.有本ί基板免以加熱起理之_.扣煞 4理裝置/和 ---------------钟衣---------訂·--------'線 {請先閉-背面之-意事項再填冩冬頁)
    六、申請專利範圍 :系、 *t=i 智 U 產 局 第3區域,其中積層配置有將基板冷卻處理至預定 溫度為止之冷卻處理裝置,和在將基板冷卻處理至預 定溫度為止以前將該基板予以冷卻之預冷卻裝置:和 第1基板搬送裝置,被配置於前述第1區域與第2區 域之間;和 第2基板搬送裝置,被配置於前述第2區域與前述 第3區域之間。 20‘如申請專利範圍第19項之基板處理裝置,特徵在於前 述第2 £域中设有供給向下流的清淨空氣之空氣供給部 21. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置,特徵在於前 述預冷卻裝置設有供將前述清淨空氣導入該預冷卻裝 置内的導入元件。 22. 如申請專利範圍第2 1項之基板處理裝置,特徵在於前 述預冷卻裝置被積層配置成複數段,而且下段的前述 預冷卻裝置之前述導入元件比上段的前述預冷卻裝置 之導入元件在平面上更為突出。 23. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置,特徵在於具 備有用以檢測蝻述弟2.區—域.的溫度之溫度感測器.,和根 據前述溫度感測器之檢測結果而控制從空氣供給部所 供給的清淨空氣之供給量的控制部。 --------i-----吏--- (請先"^背面之;i意事項再填寫本頁) 訂 線 消 費 合 作 社 印 本紙張尺度適用Φ國國家標準(CNS)A.l規格(210 X 297公堃) 21
TW089111155A 1999-06-11 2000-06-08 Substrate processing apparatus TW451274B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16509999 1999-06-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW451274B true TW451274B (en) 2001-08-21

Family

ID=15805882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089111155A TW451274B (en) 1999-06-11 2000-06-08 Substrate processing apparatus

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6464789B1 (zh)
KR (1) KR100618108B1 (zh)
TW (1) TW451274B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10103253A1 (de) * 2001-01-25 2002-08-01 Leica Microsystems Verfahren und Anordnung zum Transportieren und Inspizieren von Halbleitersubstraten
JP3832292B2 (ja) * 2001-08-31 2006-10-11 株式会社ダイフク 荷保管設備
JP2004281475A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Seiko Epson Corp 枚葉搬送装置および枚葉搬送方法
JP4280159B2 (ja) * 2003-12-12 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101026204B1 (ko) * 2004-04-22 2011-03-31 고요 써모시스템 주식회사 표시용 패널 냉각 장치
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4414910B2 (ja) * 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
US7654010B2 (en) * 2006-02-23 2010-02-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium
JP4614455B2 (ja) * 2006-04-19 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置
JP2008135440A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Toshiba Corp 半導体製造装置および半導体製造方法
KR100847888B1 (ko) * 2006-12-12 2008-07-23 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR100782540B1 (ko) 2006-12-13 2007-12-06 세메스 주식회사 기판 이송 장치
US20080166210A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Supinating cartesian robot blade
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
KR100929815B1 (ko) * 2007-12-27 2009-12-07 세메스 주식회사 냉각 장치 및 이를 이용한 기판 냉각 방법
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP4880004B2 (ja) 2009-02-06 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP2010182906A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP2011009362A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101036898B1 (ko) * 2010-03-03 2011-05-25 김근배 환경폐기물발생이 없는 시스템 붙박이장
JP2012243335A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sony Corp ディスク搬送装置及びディスクストレージシステム
US11254154B1 (en) 2021-06-30 2022-02-22 CreateMe Technologies LLC Garment personalization with autonomous robots

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196414A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Fujitsu Ltd レジスト処理装置
EP0634699A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
JP3033009B2 (ja) * 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5620560A (en) * 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
JPH1074818A (ja) * 1996-09-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH1079372A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR19980053396A (ko) * 1996-12-26 1998-09-25 문정환 반도체 제조방법
JP2000040731A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6287025B1 (en) * 1998-08-14 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3851751B2 (ja) * 1999-03-24 2006-11-29 東京エレクトロン株式会社 処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
US6464789B1 (en) 2002-10-15
KR20010020971A (ko) 2001-03-15
KR100618108B1 (ko) 2006-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW451274B (en) Substrate processing apparatus
TWI343087B (en) Substrate transportation and processing apparatus
TW501164B (en) Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
TW442891B (en) Vacuum processing system
TWI447837B (zh) 基板處理裝置
JP4464993B2 (ja) 基板の処理システム
TW444250B (en) Processing apparatus, processing system, distinguishing method, and detecting method
TW480557B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI523134B (zh) 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體
TW200845279A (en) Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus
JP4079861B2 (ja) 基板処理装置
TW578204B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005175209A (ja) 基板処理装置
JP2000040731A (ja) 処理装置
JP4880004B2 (ja) 基板処理システム
TWI381422B (zh) A temperature control method, a program, a computer recording medium, and a substrate processing system for a heating device for a substrate processing system
JP3914690B2 (ja) 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
JP3801849B2 (ja) 基板処理装置及びその方法
JP2013069874A (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5223897B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
TW201543542A (zh) 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
JP2010182919A (ja) 基板処理システム
JP4541966B2 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP3517121B2 (ja) 処理装置
JP3441681B2 (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees