TW436649B - A circuit array substrate for a display device and a method of making the same - Google Patents

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^ 436649 A7 B7 五、發明説明（彳） 〔技術領域〕 本發明係爲關於顯示裝置用陣列基板及其製造方法。 更詳細上，本發明係爲關於可以控制多層配線的交叉部之 斷線不良之顯示裝置用陣列基板及其製造方法。 〔先行技術〕 近年，液晶顯示裝置或電漿顯示裝置等各種的平面顯 示裝置急速地被實用化。這些平面顯示裝置大部分具有複 數條訊號線與複數條掃描線被配線成矩陣狀之陣列基板。 以下爲此樣顯示裝置的一例，舉例說明主動矩陣型液 晶顯示裝置。在於主動矩陣型液晶顯示裝置| 一般，陣列 基板與對向基板爲對向配置，在其間隙挾持作爲光調變層 的液晶層。陣列基板具有玻璃基板及呈矩陣狀配線在玻璃 基板之上的複數條訊號線與複數條掃描線。訊號線例如以 鋁等低阻抗材料所形成。掃描線例如以鉬·鎢等的低阻抗 材料所形成。在這些配線的各交叉部近旁，介由薄膜電晶 體（以下稱爲TFT)等的開關元件配置像素電極，在像 素電極的表面設有配向膜。像素電極例如以I TO ( Indium Tin Oxide )等的透光性導電材料所形成。另則，在 反射型液晶顯示裝置的情況，像素電極係由鋁等的金靥材 料所構成。 • 各別的像素電極，在其像素電極介由T F T連接之掃 描線正前與所掃描線的鄰接掃描線之間形成介隔絕緣膜之 輔助容量。另則在對向基板設置以I TO所形成之對向電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公嫠） t- --! tttf ^ - V、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 * A7 ^ 436649 B7 五、發明説明（2 ) 極，也在該表面形成配向膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明所欲解決之課題〕 不過，被設在陣列基扳上之訊號線，已知有與像素電 極同層所形成之I TO層，及以被積層在其上面的鋁（ A 1 )所形成之低阻抗導電層（以下稱爲A 1層）等的積 層構造所構成。下層的ί TO層係爲了在上層的A 1層斷 線時確保電氣導通而使其持有對於訊號線斷線之冗長性而 被設置。此樣爲了形成I TO層及A 1層，分別須要獨立 的曝光製程。其結果，I TO層與A 1層的曝光時.位置對 準精度產生位置偏移，則由於在於顯示領域變化訊號線與 像素電極的間隔，因而變化訊號線與像素電極的寄生容量 。已考慮到比A 1層還寬幅地形成訊號線的I Τ Ο層，對 於曝光時光罩的相對位置偏移，時常一定地保持訊號線與 像素電極的間隔，作爲解除因此樣的圖案偏移所造成寄生 容量的變化之方法。 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 但是本發明者的試作結果，已知在於具有此樣構成的 顯示裝置，產生因訊號線的斷線不良所造成製造良品率的 降下。本發明者經更詳細檢討的結果，得知此斷線不良在 於訊號線與掃描線的交叉部經常發生。 本發明基於上述課題的認識β即是其目的係爲提供在 於訊號線與掃描線的交叉部，可以防止訊號線的斷線且可 以實現高良品率之顯示裝置用陣列基板及其製造方法。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )八4洗格（2丨0Χ297公釐） -5- 436 6 4 9 A7 ____B7 五、發明説明（3 ) 〔用以解決課題之手段〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 即是本發明的顯示裝置用陣列基板，其特徵爲：具備 基扳，及被設在前述基板上之第1配線、及被設在前述第 1配線的上面之絕緣層、及被設在前述絕緣層的上面使其 與前述第1配線交差之第2配線：前述第2配線至少具有 第.1導電層及被積層在前述第1導電層的上面之第2導電 層；前述第2導電層，在於前述第2配線未與前述第1配 線交叉的部分，具有比前述第1導電層的線幅還小的線幅 ，且前述第2導電層，在於前述第2配線與前述第1配線 交叉之段差部，具有比前述第1導電層的線幅還大的線幅 ，覆蓋前述第1導電層》 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 另外，本發明的顯示裝置用陣列基板，其特徵爲：具 備基板、及相互間略平行地設置在前，述基扳上之複數條掃 描線、及使其與前述複數條掃描線略正交而被設置之複數 條訊號線，及前述複數條掃描線與訊號線的交叉部其隔層 之絕緣層，及分別被連接到前述複數條掃描線的其中1線 及前述複數條訊號線的其中1線之複數個開關元件，及分 別被連接到前述複數個開關元件之複數像素電極；前複數 條訊號線各別至少具有第1導電層及被積層在前述第1導 電層的上面之第2導電層：前述第1導電層係由與前述像 素電極同樣的材料所構成：前述第2導電層，在於前述訊 號線未與前述掃描線交叉的部分，具有比前述第1導電層 的線幅還小的線幅：且前述第2導電層，在於前述訊號線 與前述掃描線交叉之段差部，具有比前述第1導電層的線 本纸張尺度適用中國國家楳率（CNS > A4規格（210X297公釐） -6- 43664 9 A7 B7 五、發明説明（4 ) 幅還大的線幅，覆蓋前述第1導電層。 (请先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，其特徵爲：前述基板具有透光性，前述像素電 極係由具有透光性的導電性材料所構成。 另外，其特徵爲：前述像素電極與前述第1導電層係 由根據同樣的光罩之圖案處理所構成。 另外，其特徵爲：在前述訊號線與前述掃描線交叉的 段差部之前述第2導電層的前述線幅，根據圖案處理精度 而被設定使其就是對於前述第2導電層與前述第1導電層 產生位置偏移也能覆蓋前述第1導電層。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 另則，本發明的顯示裝置用陣列基板之製造方法，係 爲具備將第1配線形成在基板上之製程、及將絕緣層形成 在前述第1配線的上面之製程、及將第2配線形成在前述 絕緣層的上面使其與前述第1配線交叉之製程等的顯示用 陣列基板之製造方法：其特徵爲：形成前述第2配線之前 述製程至少具有堆稹第1導電性材料進行圖案處理而形成 第1導電層之製程、及第2導電性材料堆積在前述第1導 電層的上面進行圖案處理而積層第2導電層之製程等；在 於前述第2配線未與前述第1配線交叉的部分，具有前述 第2導電層比前述第1導電層的線幅還小的線幅；且在於 前述第2配線與前述第1配線交叉的段差部，具有前述第 2導電層比前述第1導電層的線幅邊大的線幅形成爲使其 覆蓋前述第1導電層。 或者，本發明的顯示裝置用陣列基板之製造方法，係 爲具有基板、及相互間略平行地設置在前述基板上之複數 本紙張尺度通用中國國家標率（CNS M4規格（210X297公釐） Α7 Β7 436649 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注^h項再填寫本頁) 條掃描線、及被設置在前述複數條掃描線的上面之絕緣層 、及在於前述絕緣層的上面與前述複數條掃描線略正交而 被設匱之複數條掃描線、及分別被連接到前述複數條掃描 線的其中1線及前述複數條訊號線的其中1線之複數個開 關元件、及分別被連接到前述複數個開關元件之複數個像 素電極等的顯示裝置用陣列基板之製造方法；其特徵爲： 具備將前述複數條掃描線相互間平行地形成在基板上之製 程、及將前述絕緣層形成在前述複數條掃描線的上面之製 程、及將第1導電性材料堆積到前述絕緣層的上面進行圖 案處理而形成前述像素電極和構成前述複數條掃描線各別 之複數第1導電層之製程、及將第2導電性材料堆積在前 述第1導電層的上面進行圖案處理而形成被堆積在前述第 2導電層上面的第2導電層之製程；在於前述訊號線未與 前述掃描線交叉的部分，具有前述第2導電層比前述第1 導電層的線幅還小的線幅；且在於前述訊號線與前述掃描 線交叉的段差部，具有前述第2導電層比前述第1導電層 的線幅還大的線幅，形成爲使其覆蓋前述第1導電層。 經濟部智慧財產局员工消費合作社印製 此處，其特徵爲將前述第1導電性材料進行圖案處理 時所產生的位置偏移幅寬之最大値設爲W1，將前述第2 導電性材料進行前述圖案處理時所產生的位置偏移幅寬之 最大値設爲W2，在於前述訊號線與前述掃描線交叉的段 差部，形成爲具有前述第2導電層比前述第1導電層的線 幅還大（W1+W2)X2以上的線幅β 本紙張尺度適用中國踽家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -8 - 經濟部智慧財度局負工消費合作社印製 ^3664 9 A7 _B7_五、發明説明（6 ) 〔實施形態〕 以下，參照圖面說明本發明的實施形態。 第1圖係爲例示本發明一實施形態的陣列基板構成之 槪略平面透視圖。 另外，第2圖係爲用此陣列基板之一般透明模式的光 透過型之主動矩陣型液晶顯示裝置的A - A <線之槪略斷 面圖" 此液晶顯示裝置，如第2圖所示，具備陣列基板 1 0 0及對向基板2 0 0及被挾持在這些之間作爲光調變 層之扭轉向列（T N )型之液晶組成物3 0 0。作液晶層 ，除了 T N型以外，也能利用強感電性，反強感電性、聚 合物分散型等種種的材質。 對向基板2 0 0具有在透明的絕緣性基板，例如在玻 璃基板201上，積層遮光膜202、濾色器203、對 向電極204、配向膜205之構成。遮光膜202係爲 了遮光於詳述的陣列基板1 0 0之TFT 1 2 1部分及 分別對應於像素電極1 5 1與訊號線1 0 3的間隙、像素 電極151與掃描線111的間隙之處所而被設置。此遮 光膜2 0 2例如能以鉻膜等的金屬膜或是黑色有機樹脂等 形成。 濾色器2 0 3被設置在對向於陣列基板1 0 0的像素 電極1 5 1之處所，以爲了實現彩色顯示之紅（R).綠 (G)、藍（B)的3原色所構成。對向電極204係爲 了在與陣列基板1 0 0的像素電極1 5 1之間施加電壓後 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中困國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 436S49 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消资合作社印製 五、發明説明（7 ) 將所定的電界加諸到液晶組成物3 0 0而被設置。另外配 向膜2 0 5係爲了使液晶組成物3 0 0的分子配向而被設 置。 在第2圖所示主動矩陣型液晶顯示裝置的表面與背面 ，即是在玻璃基板101的下面與玻璃基板201的上面 ，設置相互間偏光方向正交之偏光板（未圖示）。 此外，在於本實施例的陣列基板1 0 0，如第1圖所 示，被配線爲使複數條訊號線1 0 3與複數條掃描線 111相互正交。掃描線111直接或是介下基層而被配 線在玻璃等絕緣性基板1 0 1的上面|例如以鋁、鋁合金 、或是鉬·鎢合金（Μ ◦ W )等的低阻抗材料所形成。另 則訊號線1 0 3，被形成在絕緣膜1 1 3的上面於後詳 述，藉由以I Τ 0所形成的第1層1 0 3 a及以鋁所形成 的第2層103b所形成。 在訊號線1 0 3與掃描線1 1 1的交差部近旁，被設 有薄膜電晶體（TFT 121)、及介由此TFT 121連接之像素電極151。像素電極151以光透過 性的導電材料，例如以I Τ 0 ( Indium Tin Oxide )所形成 。TFT 1 2 1，如第2圖所示，具有在玻璃基板 1 0 1的上面，積層閘極電極1 1 2 ’以氧化砂.膜所形成 之第1閘極絕緣膜1 1 3、以氮化矽膜所形成之第2閘極 絕緣膜1 1 4、半導體膜1 1 5、通道保護膜1 1 7'低 阻抗半導體膜1 1 9、源極電極1 3 1'汲極電極1 3 2 、保護膜171之構成。 (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- Γ 經濟部智恶財產局W工消費合作社印製 ^3664g A7 _ΒΤ_ 五、發明説明（8 ) 半導體膜1 1 5例如以a — S i : Η (氫化非晶質矽 )膜而被構成。在半導體膜115的下層，被設有從掃描 線1 1 1突出的閘極電極1 1 2 ;在兩者之間稹層第1閘 極絕緣膜1 1 3及第2閘極絕緣膜1 1 4而構成閘極絕緣 '膜。另外在半導體膜115的上面積層氮化矽的通道保護 膜1 1 7 »進而在半導體膜1 1 5的一端，形成以η+型a -S i : Η膜所形成之低阻抗半導體膜1 1 9，介由源極 電極1 3 1導電性連接到像素電極1 5 1。另則在半導體 膜1 1 5的他端形成低阻抗半導體膜1 1 9，介由從訊號 線1 0 3延伸之汲極電極1 3 2導電性連接到訊號線 10 3。 此處，舉例進行全彩顯示的情況，大多是返復R (紅 )、G(綠）、Β(藍）3種的像素而朝第1圖的橫方向 配列的情況。像素的個數，例如，第1圖的橫方向爲（ 1024x3)個；縱方向爲768個。此情況訊號線 103的條數爲（1024x3)條：掃描線111的條 數爲7 6 8條。 在TFT 1 2 1的通道領域形成通道保護膜1 1 7 ;進而此TFT 121係由以氮化矽等的絕緣膜所形成 之保護膜171而被覆蓋。 像素電極1 5 1的一部分，如第1圖所示，介隔所鄰 接的掃描線1 1 1及絕緣膜1 1 3而重叠’形成輔助容量 (C s )。此處所鄰接的掃描線1 1 1係爲被掃描線到該 像素電極151的正前之掃描線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4g ( 2ίΟΧ297公釐） -11 - 43664s A7 B7 五、發明説明（9 ) 第3圖係爲第1圖B_B/線之槪略斷面圖。 進而第5圖係爲第4圖D — D —線之槪略斷面圖。 (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . 在於此實施形態的陣列基板’有如在這些圖面所表示 ，訊號線1 0 3藉由複數層’例如以2層所形成之積層構 造體而被形成。進而此積層構造體的各層’根據相異的光 罩進行曝光圖案處理。即是訊號線1 〇 3係以被設在絕緣 膜1 1 3的上面之第1層1 〇 3 a及被積層在第1層 103a上之第2層1 〇3b所形成。第1層1 03 a係 由被形成在與像素電極1 5 1同層之I TO所形成。第2 層1 0 3 b係以鋁所形成。此樣由於是分別獨立而_被形成 的複數層之積層構造*因而就是任何層產生「斷線」時’ 以其他層也能確保電氣導通’且可以確保對於訊號線斷線 之冗長性。 ’ 經濟部智慧財產局S工消骨合作社印製 另外，依據本實施例，如第1圖及第3圖所示’在於 訊號線1 0 3未與掃描線1 1 1交叉的部分，被形成爲第 1層1 0 3 a的線幅比第2層1 0 3 b的線幅還寬幅。經 此方法，就是在第1層1 0 3 a與第2層1 0 3 b之間產 生位置偏移，在於顯示領域也可以一定地維持訊號線 1 0 3與像素電極1 5 1的間隔，且可以消除這些之間寄 生容量的變化。 進而，依據本實施例，如第1圖及第4圖所示，訊號 線1 0 3，在於與掃描線1 1 1的交叉部，更具體的是在 於掃描線1 1 1之端的段差部，第1層1 〇 3 a的線幅比 第2層1 〇 3 b的線幅還窄幅，且被形成爲完全被覆蓋。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 43664 9 A7 B7 五、發明説明（10) 由於此樣狀態，所以可以極有效地控制在與掃描線1 1 1 的交差部之訊號線1 0 3的斷線。以下，針對此理由，例 示陣列基板1 0 0的製造製程進行詳細說明。 首先，爲了形成陣列基板1 0 0，所以在玻璃基板 ' 1 0 1的主面上形成掃描線1 1 1。具體上，以濺射法堆 積鋁（A. 1 )、鋁合金或是鉬·鎢（Mow)合金等的金 靥膜，將此金屬膜圖案處理成複數個條狀，而形成閘極電 極112及掃描線111。 其次，形成閘極絕緣膜1 1 3。具體上，在此閘極電 極1 1 2及掃描線1 1 1的上面，形成氧化矽或是氮化矽 等的絕緣膜：例如堆積成3 0 0 nm程度的厚度而形成閘 極絕緣膜1 1 3。 其次，形成T F T的要部。具體上，在閘極絕緣膜 1 1 3的上面，例如以50nm程度的膜厚堆積a — S i :Η膜。進而在其上面，例如以3 0 0 nm程度的膜厚堆 積氮化矽膜，將a - S i : Η膜與氮化矽圖案處理成所定 的形狀，因而形成半導體膜1 1 5及通道保護膜1 1 7。 繼而，在半導體膜1 1 5及通道保護膜1 1 7的上面堆積 η+型a — S i : Η膜，進行圖案處理，因而形成低阻抗半 導體膜1 1 9。繼而，以40nm程度將I TO膜成膜， 進行圖案處理，因而形成像素電極1 5 1及訊號線1 0 3 的第1層103a »繼而，堆積鋁或是鋁合金等，進行圖 案處理，因而形成導電連接TFT 121與像素電極 1 5 1之源極電極1 3 1、及導電連接訊號線1 0 3的第 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公嫠> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -Ί訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 436649 A7 B7 五、發明説明（n ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2層103b和TFT 121與訊號線103 (第2層 103b)之汲極電極1 32。進而在形成覆蓋經此製程 所形成的TFT 121表面之保護膜後*在基板的表面 形成配向膜1 4 1 ，完成液晶顯示元件用的陣列基板 10 0。 不過，經上述製造製程之訊號線1 0 3的圖案處理， 以下所說明的順序進行。即是將構成第1層1 0 3 a的 I TO堆積在基板的全面。其次在其表面塗佈光抗蝕刻， 介隔具有所定遮光圖案之光罩而曝光光抗蝕劑。繼而顯像 此光抗蝕劑後選擇性除去光抗蝕劑，將光罩圖案轉'印到光 抗蝕劑。繼而殘存的光抗蝕劑作爲光罩，經濕式蝕刻或乾 式蝕劑被堆在光抗蝕劑的下層之I TO膜施行蝕刻處理， 而在膜形成光罩的圖案。然後，除去作爲光罩使用的光抗 蝕劑，終了圖案處理製程。其次針對第2層1 0 3 b返復 同樣的製程。 但是，經此製程所形成之訊號線1 0 3，過去在於與 掃描線111的交叉部具有斷線的傾向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖係爲例示在過去顯示裝置的訊號線與掃描線的 交叉部構成之槪略平面透視圖。如同圖所示，過去在於與 掃描線1 1 1的交叉部，訊號線的第1層103a >線幅 比第2層103b/線幅還寬。但是此方法，在於與掃描 線1 1 1的交差部，被認爲具有訊號線多次產生斷線的傾 向a本發明者經詳細檢討的結果已得知此原因。 第7圖及第8圖係爲說明過去訊號線斷線的構造之槪 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 436649 a? B7 五、發明説明（12 ) 略斷面圖。即是這些圖爲第6圖中E—E/線斷面之製程 圖。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第7圖所示，形成訊號線1 0 3的第1層1 0 3 a 之I TO層膜厚，由於較薄，所以在訊號線1 〇 3跨越掃 描線111的段差部之處所，會有第1層103a產生「 截段」的情況。產生此「截段」，則第1層1 0 3 a，如 圖中符號S所示，在掃描線1 1 1的端部具有間隙。堆積 在此上面之第2層1 0 3 b 的線幅由於比第1層 103a >的線幅還窄，所以因第1層103a /的「截 段」所產生的間隙S在於端部露出。然且爲了形成"第2層 1 0 3b > ，而堆積鋁等，以濕式蝕刻法進行圖案處理， 則鋁的蝕刻液侵入到因此第1層1 0 3 a /的截段所形成 的間隙。侵入到間隙之蝕刻液，從背面側浸蝕第2層的鋁 膜；其結果，如第8圖所示，第2層103b/也在於掃 描線的段差部斷線。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 對於此點，依據本實施例，如第4圖所示，在於掃描 線1 1 1的段差部被構成爲第2層1 0 3 b的線幅比第1 層1 0 3 a的線幅還寬幅。其結果，就是在第1層 103a產生「截段」，其上面與端部以第2層103b 完全覆蓋，也可以防止第2層1 0 3 b的圖案處理之蝕刻 液侵入。 即是依據本實施例*比訊號線1 0 3的第2層 103b還縮小第1層l〇3a的線幅；第1層103a 之端未比第2層1 0 3 b之端還露出到外側，因而在進行 本紙張尺度速用中國國家標率（CNS > A4规格（210X297公釐） 15- ί 43664 9 Α7 Β7 五、發明説明（13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2層1 0 3 b的圖案處理時，由於使蝕刻液滲入到第1 層1 0 3 a的截段所形成的間隙之情況不致發生，所以不 致產生訊號線1 0 3的斷線不良β因而可以提供良品率較 高的陣列基板。 此處，第1層1 0 3 a的線幅與第2層1 0 3 b的線 幅之差，期望是考慮到形成這些各層的處理之位置對準精 度後決定。即是當各層進行圖案處理時，就是產生「位置 偏移」，第2層也能充分地覆蓋第1層，而決定各別的線 幅較爲理想。例如，當第1層進行圖案處理之位置對準精 度基準爲W 1，第2層進行圖案處理之位置對準精_度基準 爲W2時，第1層與第2層，會有比設計値，最大具有（ W1+W2)的相對性偏移之可能性。因此，在於此樣的 情況，由於第2層完全覆蓋第1層，所以在設計上期望是 具有第2層比第1層還寬（W1 +W2 ) X 2以上的線幅

Q 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相反地，在於本實施例，關於第3圖如前述過，在於 未與掃描線1 1 1交叉的部分，期望是形成爲比第2層還 加寬訊號線的第1層。.此情況，第1層與第2層的位置對 準精度分別設爲Wl、W2時，在設計上使其具有第1層 比第2層還寬（W1+W2) x2以上的線幅，因而就是 產生位置偏移，也能防止寄生容童的變化= 以上，例示具體例且針對本發明的實施彤態已說明過 。但是本發明並不一定受限於這些的具體例β 例如，在第4圖所示的具體例，在於與掃描線1 1 1 本紙張尺度通用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐> -16- A7 B7 ^3^4 9 五、發明説明（14) 的交叉部，縮減下層1 03 a的線幅，加寬上層1 〇3b 的線幅，因而調節這些的相對性線幅關係。但是本發明並 不受限於此，即是在於本發明，在於與掃描線1 1 1交叉 的截段部，上層的線幅比下層的線幅還寬，使其能覆蓋下 '層即可。因此，除了在第4圖所示的具體例外，其也下層 的線幅爲一定，在於將上層的線幅與掃描線的交叉部較爲 寬幅亦可。或者是上層的線幅爲一定，將下層的線幅在於 與掃描線的交叉部縮窄亦可。 此處，爲了降低訊號線與掃描線的耦合容量，而在交 叉部抑制這些的重叠面積而構成較爲理想。 · 另則，在於前述過的具體例，已例示過利用I T ◦膜 及A 1層構成訊號線的情況，但本發明並不受限於此。其 他選擇適當的材料作爲第1層及第2層的材料，也可以得 到與本發明同樣的效果。進而訊號線的層數並不限於2層 ，3層以上的積層構造亦可。3層以上的情況，特別是相 對地加寬積層比容易產生「截段」之層還上面的其中一層 之線幅，構成爲覆蓋「截段」即可。 另外，在於前述過的具體例，舉例說明掃描線與訊號 線的交叉部，但本發明並不受限於此。即是本發明當介隔 絕緣膜交叉2條配線的情況也同樣可以適用，且可以得到 同樣的效果。即是在於形成第1配線，在其上面設置絕緣 層，進而在其上面交叉第2配線而被形成之情況，形成爲 積層此第2配線之構造，並且在於交叉部’使該第2配線 的上層之線幅比第2配線的下層之配線還寬，因而可以防 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） J ： ； „ (、裝 ’訂 产 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局®：工消費合作社印製 -17- ί 4366 4 9 Α7 Β7 _ 五、發明説明（15 ) 止第2配線的斷線》 ‘ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進而，本發明並不受限於具體例所述的液晶顯示裝置 之陣列基板。本發明除此之外，在具有介隔絕緣膜交叉2 條配線之構成的全部顯示裝置用陣列基板，也可以同樣地 適甩而得到同樣的效果。 • 在上述過實施例，以I TO構成像素電極、訊號線的 一部分作爲透明導電膜，但以In、 Zn、 0所形成的所 謂IZO等也能使用。 另外，並不都是如本實施例的光透過型，例如若爲反 射型，則像素電極等可以利用不透明的金屬材料構成。另 外使用橫方向電界之I P S ( In Plane Switching)模式也 能使用》 〔發明效果〕 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 如以上所說明過，依據本發明，首先訊號線爲以複數 層，例如以2層之積層構造體|因而在任何一層產生「斷 線」時，也能藉由其他層確保電氣導通，且可以確保對於 訊號線斷線的冗長性。 其次，依據本發明，在於訊號線未與掃描線交叉的部 分，形成爲使其比其他層的線幅還相對性加寬與像素電極 同層而被形成訊號線的層之線幅，因而就是在第1層與第 2層之間產生位置偏移，在於顯示領域也能一定地維持訊 號線與像素電極的間隔’且可以解除這些之間寄生容量的 變化。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -18- 4366 4 c ◊ A 7 B7 經濟部智慧財產局"Κ工消費合作社印製 五、發明説明（16) 進而，依據本發明，針對訊號，在於與掃描線的交叉 部，更具體上•在於掃描線之端的段差部，形成爲第1層 的線幅比第2層的線幅還狹窄，因而可以有效地抑制與掃 描線的交差部之訊號線斷線。即是第1層在於掃描線之端 的段差部形成「截段」時，因此「截段」部分以第2層覆 蓋，所以解除在於第2層的圖案處理製程，蝕刻液滲入到 此「截斷j部分而造成訊號線完全斷線之不良。其結果* 顯著改善能具有微細圖案的高精細顯示之液晶顯示裝置等 的各種顯示裝置之製造良品率，且可以以低成本提供給各 種應用領域。 如以上所說明，依據本發明，可以以高良品率製造高 精細的顯示裝置用之陣列基板，對於產業上具有很大的貢 獻。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲例示本發明陣列基板的構成之槪略平面透 視圖。 第2圖係爲用本發明陣列基板的顯示裝置之A- A ~ 線槪略斷面圖》 第3圖係爲第1圖中Β — Β〔線之槪略斷面圖。 第4圖係爲第1圖中符號C的部分之擴大透視圖。 第5圖係爲第4圖中D_D/線之槪略斷面圖。 第6圖係爲例示過去的顯示裝置中訊號線與掃描線的 交叉部的齋成之槪略平面透視圖。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 Λ 本紙張尺度連用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 436649 A8 Bi C8 D8 89.10-^3 -f 月 a 修正補充 經濟部智葸时是局貧工消脅合作社印製 ~u ^六、申讀專Jj範圍 m2： 第88105159號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國8 9年1 0月修正 1 . 一種顯示裝置用陣列基板，其特徵爲具備： 基板、及被設在前述基板上之第1配線、及被設在前 述第1配線的上面之絕緣膜、及被設在前述絕緣層的上面 ，使其與前述第1配線交叉之第2配線： 前述第2配線至少具有第1導電層及被積層在前述第 1導電層的上面之第2導電層； 前述第2導電層，在於前述第2配線未與前述第1配 線交叉的部分，具有比前述第1導電層的線幅還小的線幅 :且前述第2導電層|在於前述第2配線與前述第1配線 交叉的段差部，具有比前述第1導電層的線幅還大的線幅 ，覆蓋前述第1導電層。 2 . —種顯示裝置用陣列基板，其特徵爲具備： 基板、及相互間略平行地被設在前述基板上之複數條 掃描線、及與前述複數條掃描線略正交而被設置之複數條 掃描線、及前述複數條掃描線與訊號線的交叉部其隔層之 絕緣膜、及分別被連接到前述複數條掃描線的其中一線及 前述複數條訊號線的其中一線之複數個開關元件、及分別 被連接到前述複數個開關元件之複數個像素電極； 前述複數條訊號線各別至少具有第1導電層及被積層 在前述第1導電層的上面之第2導電層‘* 前述第1導電層係由與前述像素電極相同的材料所構 本紙張&度逋用令8國家輮奉（CNS > A4規洛（210X297公釐） --1ΊΜ----「裝---；---7 1 訂------- (請先閲，讀背*-之注意事項再填寫本頁) · 4366 4 9 8 88 8 ABCD 經濟部智慧財是局負工消骨合作社印製 六、申請專利範圍 成； 前述第2導電層，在於前述訊號線未與前述掃描線交 叉的部分，具有比前述第1導電層的線幅還小的線幅；且 前述第2導電層，在於前述訊號線與前述掃描線交叉的段 差部，具有比前述第1導電層的線幅還大的線幅，覆蓋前 述第1導電層。 3 .如申請專利範圍第2項之顯示裝置用陣列基板， 其中前述基板具有透光性： 前述像素電極係由具有透光性的導屬性材料所構成。 4.如申請專利範圍第2或3項之顯示裝置用陣列基 板，其中前述像素電極與前述第1導電餍係以根據同樣的 光罩之圖案處理而被形成。 5 .如申請專利範圔第2或3項之顯示裝置用陣列基 板，其中前述訊號線在與前述掃描線交叉的段差部中之前 述第2導電層的前述線幅，係以即使前述第2導電層對於 前述第1導電層產生位置偏移也能覆蓋前述第1導電層之 方式地依據圖案處理精.度而設定》 6 .—種顯示裝置用陣列基板之製造方法，係針對於 具備有在基板上形成第1配線之製程、及在前述第1配線 的上面形成絕緣層之製程、及與前述第1配線交叉之方式 在前述絕緣層之上形成第2配線之製程之顯示裝置用陣列 基板之製造方法；其特徵爲： 形成前述第2配線之前述製程，至少具有藉由堆積第 1導電性材料進行圖案處理後而形成第1導電層之製程' (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 7 «ί· r 本紙張尺度適用中國Β家揉準（CNS > Α4规格（210X297公* ) -2- 43664 9 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 及藉由第2導電性材料堆積在前述第1導電層的上面進行 圖案處理後使第2導電層積層之製程； (請先閲讀背面之注^h項再球寫本頁) 前述第2配線在於未與前述第1配線交叉的部分具有 前述第2導電層比前述第1導電層的線幅邂小的線幅；且 在於前述第2配線與前述第1配線的段差部具有前述第2 導電層比前述第1導電層的線幅還大的線幅形成爲覆蓋前 述第-1導電層。 7 . —種顯示裝置用陣列基板之製造方法，係針對於 具有基板、及相互間略平行地被設在前述基板上之複數條 掃描線、及被設在前述複數條掃描線的上面之絕緣層、及 在於前述絕緣層的上面使其與前述複數條掃描線而被設置 之複數條掃描線、及分別被連接到前述複數條掃描線的其 中一線及前述複數條掃描線的其中一線之複數個開關元件 、及分別被連接到前述複數個開關元件之複數個像素電極 等的顯示裝置用陣列基板之製造方法：其特徵爲具備： 經濟部智慧財4局員工消費合作钍印製 前述複數條掃描線相互間略平行地形成在基板上之製 程、及前述絕緣層形成在前述複數條掃描線的上面之製程 、及第1導電性材料堆稹在前述絕緣層的上面進行圖案處 理後形成前述像素電極和構成前述複數條掃描線各別之複 數個第1導電層之製程、及第2導電性材料堆積在前述第 1導電層的上面進行圖案處理後形成被堆積在前述第2導 電層的上面之第2導電層之製程等： 在於前述訊號線未與前述掃描線交叉的部分具有前述 第2導電餍比前述第1導電層的線幅還小的線幅；且在於 -3 _ 本紙張尺度通用中圉國家椹率（CNS> Μ規格（210X297公釐） 43^6 4 9 AS Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述訊號線與前述掃描線交叉的段差部具有前述第2導電 層比前述第1導電層的線幅還小的線幅，形成爲覆蓋前述 第1導電層。 8.如申請專利範圍第6項或7項的顯示裝置用陣列 基板之製造方法，其中當前述第1導電性材料進行前述圖 案處理時所產生的位置偏移幅寬之最大値設爲W 1，而前 述第2導電性材料進行圖案處理時所產生的位置偏移幅寬 之最大値設爲W2時，在前述訊號線與前述掃描線交叉的 段差部，形成爲具有前述第2導電層比前述第1導電層的 線幅還大（W1+W2)x2以上之線幅。 <請先聞讀背面之注+項再填寫本頁 ί裝. 訂 經濟部智慈財/ί.局KKX消費合作社印製 本紙張尺度適用中困國家搮舉（CNS > Α4规格（210Χ297公釐） _ 4 —