TW423164B - Photoelectric transducer - Google Patents

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A7 423164 B7_ 五、發明說明Ο ) 發明背景 發明領域 本發明關於一種一維或二維光電轉換器，其中一包括 多數個使用例如Ρ η接面的光感應器的一半導體電路。詳 言之•本發明關於一種光電轉換器具有一可有效降低諸如 固定類形雜訊或類似者之雜訊的電路結構。 相關技術的敘述 近來將光感應器及一周邊電路設於相同基體上的光電 轉換器已被積極硏發。 例如，已提出者爲一線性感應器，其中一運算放大器 及光感應器被形成於相同的半導體基體上（日本電視學會 期刊第47冊第9期（1 993)第1 180頁。）一影 像感應器具有一取樣—保持電路（日本公開申請案（Kokai )第4 — 22377 1號（1992)，及一固態影像拾 取裝置具有一由一運算放大器所構成的內部參考電壓產生 電路（日本專利公開申請案（kokai )第1 — 6 5 2 1 5號 ( 1 9 9 7 )。 一般而言，一運算放大器的偏壓利用一定電流源而被 產生。當使用M0S (金屬氧化半導體電晶體以形成此一 定電流源電路時，一般例如一如圖1所示的CMOS (互 補式Μ 0 S )定電流源電路（11.0^£〇1^11,0,(：.丁£1]165:信號 處理的類比M0S積體電路，第127頁，圖4，5)被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------I----裝--------訂-!— I!-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • 4 - A7 423164 B7___ 五、發明說明（2 ) 使用。一如曰本專利公開申請案（kokai )第7 — 4 4 2 5 4號（1 9 9 4 )所揭示的CMOS定電流源電路亦被提 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 出。 如圖1所示的C Μ 0 S定電流源電路係藉由將一前級 電流鏡電路及一後級電流鏡電路在一電源V d D及地線之間 以串聯連接而得。一定電壓源輸出V ^ i係自前級電流鏡電 路及後級電流鏡電路的一連接點取得，亦即，前級電流鏡 電路包括一 PMOS電晶體Q4，其源極被接至電源VDD ’及一pM〇S電晶體Q3 pMOS電晶體Q4及 PMOS電晶體Q3的閘極被相互連接，且pMOS電晶 體的間極及汲閘被直接連接，以使每一汲極對負載側供以 相同的電流I , : a s。後級電流鏡電路包括一 η Μ 0 S電晶體Q 1，其源極被接至地線，以及一 η Μ 0 S電晶體Q 2其源極經由電阻R被接至地線， nM〇 S電晶體Q 1及nM0SQ2的閘極被互相連接， 經濟郤智慧財產局員工消費合作社印製 且η Μ 0 S電晶體Q 1的閘極及汲極被直接相接，以使每 一汲極自負載側獲得相同的電流。電流鏡電路的一固定電 流通過電阻R。由產生於電阻R的一電壓及nMO S電晶 體Q 2的源極-汲極電壓所提供的輸出電壓被當成此電壓 源的定電壓源V〇1而輸出s 但是，本發明的發明人發現在傳統的光電轉換器中， 其C Μ 0 S定電流源電路及光感應器被形成於相同的半導 體基體上，該CM〇 S定電流源電路產生固定型雜訊。 當一電壓被供至MO S電晶體的閘極時，且在一通道 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公3Π A7 423164 B7___ 五、發明說明（3 ) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 被形成的狀態下，一電壓被供於源極和汲極之間，載子被 在通道中汲極端附近的電場集中而加速，而產生雪崩倍增 。大部份由雪崩倍增所產生的載子導致一基體電流。此熱 載子的再結合的過程中發生光射出。藉由所發射的光在同 樣的半導體基體產生新的電子-電洞對。部份所產生的載 子經由半導體基體擴散且在光感應器中混合。由於混合的 程度並非對所有的光感應器皆爲定値，固定型雜訊因而產 生。 圖2爲顯示在具有傳統CMO S定電流源電路的一維 光電轉換器中的固定型雜訊的產生方式的簡圖，以及該半 導體基體的一平面圖。在圖2中，顯示具有如圖1所示的 電流鏡電路之相同構造的定電流源電路。前級電流鏡電路 pMO S電晶體，且後級電流鏡電路包括nMO S電晶體 。這些電路被設於一光感應器陣列的第四至第六光感應器 元件附近。應了解在定電流源被設置之部份的一暗輸出較 其它位元輸出爲大，因而造成固定型雜訊。 發明槪述 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 本發明的一目的爲提供一形成於相同半導體基體上的 一光電轉換器，其可降低雜訊。 本發明的另一目的爲提供一具有當CMO S定電流源 電路及光感應器被形成於相同半導體基體上時可降低雜訊 的一CMOS定電流源電路的光電轉換器。 依前述之一點，達成這些目的的本發明係關於一光電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（4 ) 轉換器，其一包括一包含一第一pMO S電晶體的電流鏡 定電流源；該p Μ 0 S電晶體的源極被連至一正電源供應 器，一第二pMO S電晶體，其源極被接至正電源，且其 閘極及汲極被接至第一 pM〇 S電晶體的閘極，一第一 nMO S電晶體其源極被接至一參考電位，且其閘極及汲 極被接至第一pMO S電晶體的汲極，以及一第二 nMO S電晶體，其源極經由一電阻被接至參考電位，且 其閘極被接至第一 n MO S電晶體的閘極且其汲極被接至 第二pMO S電晶體的汲極，以及多數個光感應器，其包 括一第一傳導型半導體基體及多數個第二傳導型/半導體 區，其被形成於第一傳導型半導體基體的表面附近。電流 鏡電路及多數個光感應器被形成於相同的半導體基體上。 降壓裝置被設於第二nMO S電晶體的汲極及第二 p M S 0電晶體的汲極之間。 依照另一點，達成上述目的的本發明係有關一種光電 轉換器，其包括一包含連接至一正電源的pMO S電晶體 的一第一電流鏡電路，一包括連接至一參考電位以便接收 第一電流鏡定電流源的個別電流的第二電流鏡電路，一定 電壓源輸出電路用以輸出來自第一電流鏡電路及第二電流 鏡電路之接點的一定電壓源，多數個包括一第一傳導型半 導體基體及多數形成於該第一傳導型半導體基體表面附近 的第二傳導型/半導體區的光感應器，一源極隨耦器電路 ·· 用以將光感應器的光電荷轉換爲一電壓並輸出該所得電壓 ，及一設於源極隨耦器電路及正電源間的開關MO S電晶 本紙張尺度適用中國囡家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ -裝 -- ------訂--I------線 《請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 體。這些電路及構件被形成於相同的半導體基體上。開關 MO S電晶體的閘極被接至定電壓源輸出電路，且降壓裝 置被設於第一電流鏡電路及第二電流鏡電路的一接點上。 依照另一點’達成上述目的的本發明係有關一定電流 源電路，其中一包括第二傳導型MO S電晶體的電流鏡電 路及一包括一第一傳導型MO S電晶體的一電流鏡電路被 串聯於電源供應器之間，以及多數個由形成於一第一傳導 型半導體基體的表面附近的第二傳導型半導體所形成的光 感應器。該定電流源電路及多數個光感應器被形成於相同 半導體基體上。降壓被設於電流鏡電路的串聯連接之一， 以便抑制混合在多數光感應器中的雜散載子。 依照另一點，達成以上目的的本發明係關於一光電轉 換器包括至少多數的電晶體，其包括形成於相同半導體晶 片上的一光感應器單元，及用以抑制在多數電晶體中之因 雪崩倍增而造成的光感應器之雜訊的控制裝置。 本發明的前述及其它目的，優點將藉由以下之較隹實 施例，連同所附圖式之敘述而變得淸楚易懂。 圖式之簡要敘述 圖1爲說明傳統的CM〇 S定電流源電路的一等效電 路之圖， 圖2爲說明在傳統光電轉換器中的固定型雜訊的產生 的簡圖； 圖3爲本發明的第一實施例中的三像素的一等效電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公楚〉 -8- -------------裝- ------訂-------一-線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 4 23 164 - Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 的說明圖； 圖4爲說明第一實施例中的一光感應器元件及一 C Μ 0 S電晶體的構造之截面圖；以及 圖5爲本發明的一第三實施例中的一等效電路的一說 明圖。 主要元件對照表 1 ’ 2 η Μ 0 S電晶體 3，4 nMOS電晶體 6，7，8， pMOS電晶體 9 η Μ〇S電晶體 10，10 一，10 " 光二極體 1 2 ’ 1 2 一，1 2 " 重設開關 1 3，1 3 一，1 3 # ρ Μ 0 S 電晶體 11，11一，11" ρ Μ 0 S 電晶體 10 0 η型半導體基體 10 1 埋層 102 晶晶層 10 3 ρ型區 10 4 η型區 1 0 5 阻障層 5 電阻 2 0 定電流源 2 1 共同輸出線 本紙張尺度適用中國國家螵準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- - J / ----- -------I I --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 423164 ________B7____ 五、發明說明（7 ) 2 2 移位暫存器 2 3 光感測器陣列 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 4 運算放大器 2 5 電流鏡電路 較佳實施例的敘述 由本發明的發明人及其它人所作的實驗結果顯示 nMO S電晶體的一基體電流較pMO S電晶體者大出四 至五位數（數量級）。可將之考慮爲其係導因於電子的游 離率較電洞爲大，雖然其亦導因於井濃度/汲極擴散層濃 度之特性。 對於雜散載子量及一 Μ 0 S電晶體工作點間之關係而 言，雜散載子量係取決於源極一汲極電壓’更甚於閘極電 壓。當源極-汲極電壓增加時，雜散載子量增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由以上討論得知，本發明的發明人及其它人得知當源 極-汲極電壓增加時，nM〇 S電晶體產生雜散載子且雜 散載子量增加，且亦發現在傳統C Μ ◦ S定電流源中，如 圖1所示的nMOS電晶體Q2產生雜散載子，以及藉由 降壓裝置減少此η Μ 0 S電晶體的源極一汲極電壓，由雜 散載子引起的固定型雜訊可被降低。 藉由使用nMO S電晶體以外之裝置，諸如一電阻， 一二極體，一 PM〇 S電晶體’一雙極電晶體或類似者作 爲降壓裝置，雜散載子可被更有效地降低。 由降壓裝置所達成的電壓下降量可被採用以確保源極 -10 - 本紙張足度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 > 297公釐） < 23 彳 Μ Α7 Β7 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -汲極電壓，以使η Μ 0 S電晶體的工作點位於一飽和區 。藉由將降壓量設定以接近其閘極被接至另一 nMO S電 晶體的閘極以形成一電流鏡電路（如圖1中所示之 nMO S電晶體Q 1 )的源極_汲極電壓値，可避免由於 在MO S電晶體的飽和區中之電流的改變所引起的鏡精確 度破壞，並達成一具有高精確度的電流鏡電路及定電流源 <在供一由一 CMO S定電流源電路中所產生的電流的情 形下，其使用包括CMO S電晶體的電流鏡電路，由於其 爲一所需之偏壓電流，相同的，可藉由在一 η Μ 0 S電晶體的汲極及p Μ 0 S電晶體的汲極間設一降 壓裝置而達成相同效果。 雜散載子係擴散於半導體基體中的少量載子。在考慮 到在η型半導體基體中的電洞的擴散長度較短之下，可利 用一η型半導體基體以降低固定型雜訊。 在本發明中除了一作爲η型半導體基體之典型η -型 矽晶圓外，亦可採用一具有形成於一 η型矽晶圓上的η型 磊晶層之基體，一具有於一 η型矽晶圓中的高密度η型埋 層及一 η型磊晶層，及類似者。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印5衣 由雜散載子所造成的電流量非常小。所以，當本發明 的構造被用於——儲存電荷的光電轉換器時較被用於電流 讀取式光電轉換器時其降低固定型雜訊的效果爲大。 當然，本發明不僅可有效降低一維光電轉換器之固定 型雜訊，而對二維光電轉換器也有效。上述功效已被敘述 於本發明的一功用中。 -ΤΓ- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Α7 4 2 3 ί 6' 4 _一_ Β7____ 五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，依照本發明的每一較佳實施例的具有一電流鏡 型CMOS CMOS定電流源電路之光電轉換器的構造 將於下敘述。 第一實施例 圖3爲顯示本發明的一第一實施例的三像素的一等效 電路圖。圖4爲在第一實施例中的一光感應器元件及一 CMO S電晶體的一截面圖。 在一依照第一實施例的一光電轉換器中，pMOS電 1 1 /及1 1 〃的閘極，及重設開關1 2 ' 2"的汲極被連接至光二極體1 0，1 0 >及 點，且產生在光二極體10，1〇< ，10" 分別被自PM0S源極隨耦器的輸出端VQ1， 3所讀取。作爲源極隨耦器的pMO S電晶體： 一，1 1"分別使用PM0S電晶體1 3， 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 晶體1 1 ， 1 2 < 及 1 1 0 〃的接 的信號電荷 V ϋ 2 及 V 0 1 1，1 1 1 3 < 及 1 載的定電流 其閘極及汲 ρ Μ 0 S 電 。由定電流 3 #作爲定電流源負載雖然具有定電流源負 源具有與上述習知技術中類似的電路構造，但 極互相直接連接的PMO S電晶體6被設於一 晶體1的汲極及η Μ 0 S電晶體3的汲極之間 源所產生的電流藉由一包括一 pMO S電晶體 8及pMOS電晶體1 3 ’ 1 3 <及1 3"的電流鏡電路 而被用作一包括一nM〇S電晶體9的源極隨耦器的定電 流負載。同時在此電流鏡部份中，η Μ 0 S電晶體9的源 極一汲極電壓使用一 pMO S電晶體7而被降低。 -12- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公芨） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ^3 1 b4 ' a? B7 五、發明說明（10) 在如圖4中所示的光感應器元件及CMO S電晶體的 截面圖中，一 η型埋層1 〇 1及一 η型磊晶層1 〇 2被形 成於一 η型半導體基體1 0 0上。在η型半導體基體 100，η型埋層1〇1及磊晶層102中的雜質濃度分 別爲約1 0 1 6 c m…3，最後1 0 1 8 c m — 3及約1 〇 1 5 cm 3 〇 一 P型區1 0 3及一 η型區被形成於一光二極體部份 的磊晶層的一表面部份，且一 η型埋層1 〇 5被形成於該 光感應器元件周圍。依照第一實施例的像素結構，即使若 作爲雜散載子的電洞被產生於η型基體中，被混入像素中 由包含一光二極體的光二極體元件所產生的電洞可藉由η 型阻障區1 0 5所提供的電位屏障而被減低。 雖然圖3顯示僅三個像素的等效電路，該第一實施例 實際上係關於具有例如2 3 4個像素的一維光電轉換器。 '以下表1顯示第一實施例與習知技術間之比較結果，其中 習知技術不具有有關固定型雜訊的pMO S電晶體6及7 ，在定電流源中的電流I 2及I 2，在當作每一光感應器元 件的一輸出負載的電流鏡部份中的電流I 3，以及個別節點 A _ Ε上的電壓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------I-----· --------訂--------- ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ 23164 * A7 B7 五、發明說明（11 表一 固定型雜訊

第一實施例 約5 m V

習知技術 約 2 6 m V

約 2 0 y A

約 2 Q μ A

約 6 0 v A

在A點的電壓 約3 .8 V 約3 .8 V 在B點的電壓 約1 • 3 V 在C點的電壓 約1 • 2 V 約1 .2 V 在D點的電壓 約3 .4 V 約3 .4 V 在E點的電壓 約1 -3 V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局異工消費合作社印製 如以上所述，依照第—實施例1藉由使用降壓裝置以 降低造成雜散載子的一 n M 0 s電晶體的源極一汲極電晶 體，由固定型所引起的固定型雜訊可被大幅減少。 實施例 圖5爲顯示本發明的第二實施·例中的一等效電路圖° 第二實施例有關一藉由使用一運算放大器2 4達成一光感 應器陣列2 3的一共同輸出線2 1的阻抗轉換以輸出一信 號的一光電轉換器。一移位暫存器2 2提供一用以自光感 應器陣列2 3的個別.光感應器元件序列讀取信號。光感應 器陣列2 3，移位暫存器2 2，一定電流源2 0及其輸出 端，及運算放大器2 4被形成於相同的半導體基體上。光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210x 297公蜚） -14- 4 2 3 164 a7 _B7_ 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 感應器陣列2 3的每一光感應器元件具有如圖3所示的光 二極體及源極隨耦器的'構造，或其它適當構造。運算放大 器2 4可具有如圖3所示之構造，或其它適當構造。 在第二實施例中，電阻5被用作定電流源2 0及一電 流鏡電路2 5的nMOS電晶體的源極_汲極電壓的降壓 tj-h 裝置。 由輸出2 0所產生的電流利用電流鏡電路2 5被供至 運算放大器2 4。 當作在光感應器陣列2 3中的光電轉換的結果的一信 號輸出由移位暫存器被序列地供至共同輸出線2 1。共同 輸出線21被連接至運算放大器24的一輸入端。 光感應器陣列2 3，輸出電路2 0，電流鏡電路2 5 及運算放大器2 4被形成於相同的η型半導體基體上。 在第二實施例的光電轉換器中的固定型雜訊約爲7 mV，相對於在無電阻5的習知技術中的3 4mV。因此 ，本發明的功效可被確認。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第二實施例中，使用一維光感應器陣列的情形已被 說明。當使用一二維結構時，藉由執行水平方向及垂直方 向上的陣列構造之掃描：一信號可被序列地逐線讀取且一 影像可被自一運算放大器時序地讀取。在此情形中，藉由 使用圖3或5中用以驅動該運算放大器的定電流源，由在 設於定電流源的附近的光感應器陣列中的雜散載子之混合 所引起的固定型雜訊可被大幅抑制。 其中以上所示的光感應器陣列中的固定型雜訊被抑制 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印*1^ 123 164 - A7 ___B7_____ 五、發明說明（13 ) 的一讀取影像信號由一取樣-保持電路，一用以移除在個 別光感應器元件中之敏感性變異的遮蔽（shading )電路，一 茄瑪（gamma)電路及類似者所處理，且一高品質影像信號被 輸出。由此一光電轉換器所讀取的影像被一影印機，一傳 真機，一影像掃描機或類似者所有效使用及處理。 如以上所述，在前述的實施例中，藉由提供一用以降 低在C Μ 0 S定電流源或電流鏡電路中的η Μ 0 S電晶體 的源極一汲極電壓之運算放大器裝置，由產生於半導體基 體中的雜散載子所引起的固定型雜訊可被大幅降低。因此 ，本發明功效顯著。 雖然在本發明中控制裝置係有關在每—上述實施例中 的C Μ ◦ S定電流源中的降壓裝置，控制裝置不限定於該 降壓裝置。亦即，控制裝置包括具有減少由於在包括設於 相同基體上之光感應器陣列的光電轉換器中的雪崩倍增所 引起的光感應器陣列的電晶體產生的雜訊之功效的任何裝 置。 如圖式中所標明的個別組件爲光電轉換器技術中所熟 知的，且其特定結構及運作對於實現本發明之最佳模式並 非關鍵性因素。 ’ 雖然本發明已藉由目前所認定的最佳實施例而被敘後 述，應了解本發明共不限定於所揭示之實施例。相反的， 本發明係涵蓋在所附申請專利範圍的精神及範圍之下的不 同變更設計及等效配置。以下申請專利範圍應從寬詮譯以 便包含所有上述變更設計及等效結構及功能。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ---------1---裝--------訂· J — —---*5^ (請先閱讀背面之生意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 423164 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種光電轉換器包含： 一電流鏡電路包含： (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 一第一 pMO S電晶體具有一源極，一閘極及一汲極 ，且其源極被接至一正電源供應器， 一第一 pMO S電晶體具有一源極，一聞極及一汲極 ，且其源極被接至一正電源供應器，且其閫極及汲極被接 至該第一pMO S電晶體的閘極， 一第一nMO S電晶體具有一源極，一閘極及一汲極 ，且其源極被接至一參考電位，且其閘極及汲極被接至該 第一pMOS電晶體的汲極，以及 一第二η Μ 0 S電晶體具有一源極，一閘極及汲極， 且其源極經由一電阻被接至該參考電位，其閘極被接至該 第二nMO S電晶體的閘極，且其汲極被接至該第二 ρ Μ 0 S電晶體的汲極.： 多數個光感應器包含一第一傳導型半導體基體及多數 個形成於該第一傳導型半導體基體的表面附近的第二傳導 型半導體區，該電流鏡電路及該多數個光感應器被形成於 相同的半導體基體上，以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 降壓裝置，其被設於該第二nMO S電晶體的汲極及 該第二p Μ 0 S電晶體的汲極之間。 2 .如申請專利範圍第1項所述之光電轉換器’其中 該降壓裝置包含一電阻，一二極體’一 PMO S電晶體， 一 η ρ η電晶體；及一ρ η ρ電晶體中之任一者。 3 .如申請專利範圍第1或2項所述之光電轉換器， -17- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 其中該第一傳導型爲一；.η型，且其中該第二傳導型爲一 p 型。 4 ·如申請專利範圍第1或2項所述之光電轉換器， 其中該光感應器包含電荷儲存裝置。 .5. —種光電轉換器包含：’ 一第一電流鏡電路包含連接至一正電源供應器的 ρ Μ 0 S電晶體； 一第二電流鏡電路包含連接至一參考電位的n MO S 電晶體以接收該第一電流鏡電路的個別電流； 一定電壓輸出電路用以自該第一電流鏡電路及該第二 電流鏡電路的一接點輸出一定電壓源； 多數個光感應器包含一第一傳通型半導體基體及多數 個形成於該第一傳導型半導體基體的表面附近的第二導通 型第二半導體區； 一源極隨耦器電路用以將該光感應器的光電荷轉換舄 一電壓並將所得電壓輸出：以及 一開關MO S電晶體，其設於該源極隨耦器電路的輸 出及該正電源供應器之間，這些電路及構件被形成於相同 的半導體基體上， 其中該開關MO S電晶體的閘極被接至該固定電壓輸 出電路的輸出，且其中該降壓裝置被設於該第一電流鏡電 路及該第二電流鏡電路的接點之一。 6 . —光電轉換器包含： 一定電流源電路其中一包含第二傳導型MO S電晶體 ----------I * π Ί-----·ίιίιιι1· Γ 请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -18- 4 23 164 I D8 六、申請專利範圍 的一電流鏡電路及一包含第一傳導型MO S電晶體的電流 鏡電路被串聯於電源之間：以及 多數個由形成於一第一傳導型半導體基體的表面附近 的一第二傳導型半導體所形成的光感應器，該定電流源電 路及該多數個光感應器被形成於相同的半導體基體上， 其中降壓裝置被形成於電流鏡電路的串聯連接中之一 上以抑制混和於該多數個光感應器中的雜散載子。 7 . —種光電轉換器包含： 多數個電晶體包含一形成於相同半導體晶片中的光感 應器單元；以及 控制裝置用以抑制由在該多數個電晶體中之一的雪崩 倍增所造成的雜訊。 8 .如申請專利範圍第7項所述的光電轉換器，其中 該電晶體具有至少二個主電極，且其中該控制裝置控制該 主該一電晶體電極間的電壓》 ------1---I--- · I----II 訂·-----I I 1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 -