[go: up one dir, main page]

TW407397B - Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers and methods therefor - Google Patents

Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers and methods therefor Download PDF

Info

Publication number
TW407397B
TW407397B TW088103257A TW88103257A TW407397B TW 407397 B TW407397 B TW 407397B TW 088103257 A TW088103257 A TW 088103257A TW 88103257 A TW88103257 A TW 88103257A TW 407397 B TW407397 B TW 407397B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
output
input
level
signal
voltage
Prior art date
Application number
TW088103257A
Other languages
English (en)
Inventor
David R Hanson
Gerhard Mueller
Original Assignee
Siemens Ag
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag, Ibm filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW407397B publication Critical patent/TW407397B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0013Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018592Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only with a bidirectional operation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/09425Multistate logic
    • H03K19/09429Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

407S97 A7 B7_ 五、發明説明(f ) 發明#暑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關於緩衝電路。更特別地是,本發明是有 關緩衝電路其能接收降低之電壓輸入信號,並且以降低 之電壓輸出信號以驅動輸出。 在某些電路或積體電路,可以使用緩衝電路以接收一 輸入信號,並起源或匯集足夠的電流以驅動一輸出導體 (例如一匯流排導體),或是另外電路之輸入閘極以饗 應信號輸入。緩衝電路之一種熟知型式是三態緩衝電路 。三態緩衝電路具有一輸出端,其為三態,高或低。此 能使緩衝電路成為三態之能力是持別地有用當多個緩衝 電路被耦合至同一負載,因為此允許那些未處於活性狀 態以驅動匯流排的緩衝電路可以與匯流排解除耦合,以 致可避免匯流排上作信號競爭。 為了方便討論,第1圖圖示說明一簡化之習知技術之 反相三態緩衝電路100 ,其包括4個串聯之電晶體102 ,1 0 4 , 1 0 6及108 。p-型之場效應電晶體(p-FET)102 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被耦合以包圍vDD,而僅在當致能信號是高時才能導電 。諳注意除非另外指出,在此之所有之電晶體均為場效 應電晶體(FETS)。型之電晶體108被耦合至接地,也 僅在當致能信號是高時(即,當致能N信號是低時)才 導電。當致能信號是低時,電晶體1 〇 2及1 0 8斷開,因 而诰成輸出的三狀態。 當輸入信號是高且致能信號是高時,η - F E T 1 0 6及 n-FET 108將導電而將輸出拉至接地。同時,P-FET 104 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 at B7五、發明説明(x ) 是斷開以將輸出與VDD解除耦合。相反地,當輸入信號 是低而致能信號是高時,P-FET 1G2與104將導電將輸 出拉至VDD。同時,n-FET 106是斷開以將輸出與接地 解除網合。可以察覺的是,此反相之三態緩衝電路1〇〇 之輸出是其輸入值的倒數。 雖然第1圔之緩衝電路已存在了相當長的時間,它是 有缺點的。例如,因為三態緩衝電路100將其輸入反相 ,它須要一串接結構,以得到一非反相之三態緩衝電路 。為了串接,此反相之三態緩衝電路1〇〇之輸出可以被 串接至另一値反相之三態緩衝電路100之輸入,以獲得 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,方之夠等在法 如小中足此此無 例大徑有果-致 <寸途中如低導 體尺下徑為太能 晶在拉途因能可 電 } 或此是可 , 之 8 上在這量時 聯10拉得。流準 串及此使置電位 個 6 在以裝的壓 410為 ,的出電 。用,因大接輸之 路使 4 是的連所欲 電级10這當聯路所 衝出,。相串電至 緩輸 2 價是等衝動 態在10代須此緩驅 三 ,體之必過則載 之者晶大置通,負 相進電重裝以小出 反有之成個流很輸 非更聯造一 電置將 一 串面每的裝當 其驅載 路 , 地負 。電 載當至容衝 負適接電緩 容以連之態 電,到路三 的力測電將 體電感衝是 導的以緩點 出大可態缺 輸更路三個 了一 電他一 加要衝其另 增須緩及之 置面動以構 裝方驅容結 的這為電示 大路因之顯 C 用電 。體所 遲使衝載導中 延,緩負電圖 的而動出出 1 受然驅輸輸第 接 在動的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 407397 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 B7五、發明説明(3 ) 100反栢,通常不能K降低電壓輸入/降低電壓輸出之 三態鍰衝電路來運作。降低之電壓輸入是指輸入電壓低 於供應給晶片之完整的V DD 。在某些情況之下,此降低 的電壓可能足夠的低(例如,1伏特)而接近電晶體之 臨界電鼯(通常是在0.7伏特或K上)。同樣地,降低 的電壓輸出是指輸出電壓其低於供給晶片之完整的VDD 。因為降低之電颳信號(即,信號其振幄大小是在降低 之電壓範圍之内)在降低電路電力消耗方面有用的。而 無法將三態鑀衝器100反相Μ作為降低電壓之緩衝器來 運作,此代表一嚴重之缺點。 為了瞭解在鑀衝降低電壓信號所遭遇的問題,考慮設 想在一種情況,其中反相之三態緩衝器1〇〇之輸入是埵 輯地高,但是由一個降低之電壓信號來代表(例如約1 伏特)。在此情況之中,不但n-FET106如所期望地導 電,而且P-FET 104亦可輕微地接通,造成漏電電流通 過P-FET 104 (從Vdd經P-FET102 )。此漏電電流之出 規降低了鍰衝電路輸出上的信號(及/或大幅地增加了 電功率的消耗)。 第2圖說明另一個先前技術之三態媛衝電路,其是屬 於非反相型式。然而,此非-反相三態媛衝電路150再 次被發琨不能Μ —降低電壓輸入/降低電壓輸出之媛衝 電路而連作。為了瞭解非-反相三態鑀衝電路150之操 作,以及其在此方面的缺點,考慮設想一種情況當輸入 信號具有一完整的電壓範圍(即,從接地電位至VDD ) -5- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 407337 A7 B7 五、發明説明(4 ) 。當在線152上EU信號是低,P-FET 130是接通以将節 點154拉至VDD並且將輸出P-FET 156斷開。同時’節 點158藉由反相器之操作而變高。此高節黏158將 n-FET 162接通以將節點164拉低,因而將輸出H-FET 166 斷開❶因此,當致能信號EN變低時,輸出168與緩衝電路 之其餘部份解除耦合。如同可以看出,一個低的EN信號 造成緩衝電路150之三態。 當致能信號EN變高且輸入U0是高(例如,在VDD) ,此高輸入170造成n-FET 172導電。因此,節點164 被拉至接地電位,因而將輸出n-FET 166斷開,並將輸 出168與接地解除耦合。同時,此高致能信號“造成 n-FET 174也導電。因此,節點154被拉低。注意當输 入170是高的時P-FET 176被斷開,其將節點154與VDD 解除耦合。此低節點154將输出p-FET 156接通造成輸 出168被拉至VDDe因此,一高輸入170與高致能信號 EN造成輸出168變高至VDD。 相反地,當致能信號EN是高並且輸入170是低(例如 ,大約是接地電位),此低輸入170造成n-FET 172斷 開而將節點164與接地解除耦合。此低輪入170也造成 P-FET 176接通。随著p-FET 176被接通節點154被拉高 ,且輸出P-FET 156被斷開,因此將輸出168與VDD解 除網合。因為n-FET 174已經接通(由於高致能信號〇) ,當P-FET 176導電時節點164被拉高,因此接通n-FET 166將輸出168拉至接地。因此一低输入170及高致能 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *va 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 ay B7五、發明説明(4 ) 信號EH造成輸出168變低。 然而,非一反相三態緩衝電路150 ,當須要將一降壓 輸人信號傳導至其輸出時並不能蓮作。此習知技術缓衝 電路之缺點部份起因於,此輸入信號被使用於控制一或 多個電晶體閘極。當如此使用時,此輸入信號之降低電 壓之範圍造成一些P-FET輕徹地接通,甚至當此信號是 邏輯地高《例如,如果高邏輯狀態是以一降低之電壓信 號來代表(例如IV對2.5 V或是整個VDD範圍之較高者) ,此高邏輯輸入是以例如,在輸入170具有1伏待之降 低電壓來代表。 隨箸在輸入170具有1伏特n-FET 172將被接通,但 P-FET 176可能亦被接通雖然是輕撤地接通。這是因為 如果2.5V之VpD是在P-FET 176之源極,並且P-FET 176 之臨界電壓是0.7V。此在P-FET 176之閘極出現的IV可 能會造成此電晶體輕撤地接通。換言之,當它應該是斷 開時,在P-FET 176有漏電流流過。當此兩個電晶體均 導電時,電力的消耗不當地增加。隨著電晶體172與176 均接通,在敵點154及184之電壓可能不穩定及/或不 足夠良好界定,以將P-FET 156接通並將n-FET 166斷開 ,而將輸出168拉至所欲之高邏輯值。 從以上所述可以發覺,希望能有一種三態緩衝電路,以及其製造方法,其可以被使用於降低電壓信號之應用。 發明總秫 本發明在一實施例之中,是有關於一種三態緩衝電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40^97 A7 B7五、發明説明(l ) 用於在緩衝輸入節點接收一輸入信號,並且镳應於一緩 衝致能信號,傳導一輸出信號至緩衝輸出節點。此緩衝 電路包括一網合至緩衝輸入節點之輸入級》此輸入級被 設計,在當緩衝致能信號被致能時,接收輸入信號。此 緩衝電路更包括一耦合至輸入级之位準移位级。此位準 移位级被配置,在當緩衝致能信號被致能時,輸出一組 位準移位級控制信號以響應輸入信號β此組位準移位级 控制信號之電壓範圍是高於與輸入信號有關之電壓範圍 。此緩衝電路也包括一耦合至位準移位級之輸出級。此 輸出级被設計,在當緩衝致能信號被致能時,在緩衝輸 出節點,輸出一輸出倍號,以轡_此組位準移位級控制 信號。此輸出信號之電壓範圍是低於此組位準移位級控 制信號之電壓範圍。此输出级在當緩衝致能信號被除能 時,將緩衝輸出節點與輸入级以及位準移位級解除耦合。 在另一實施例中,本發明是有關一種方法以提供一輸 出信號以響應一輸入信號。此方法包括使用緩衝電路之 一輸入级以接收輸入信號。此方法更包括形成,使用緩 衝電路之一位準移位級,一組對輸入信號轡應之控制信 號。此組控制信號的電壓範圍是高於與輸入信號有關之 電壓範圍。此外,包括使用緩衝電路之輸出级,以輸出 一輸出信號,以響應此組控制信號。與此輸出信號有關 之電壓範圍是低於控制信號之電壓範圍。 本發明之此等以及其他的待點,將於以下之圖式以及 本發明詳細的描述中作更詳盡之説明。 -8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) A7__^五、發明説明(?) 圖 蜃 簡 之 式 佳 : 更件 至元 獲構 而結 ,之 明同 說柑 的表 細代 詳是 下碼 以號 及考 以參 圖的 附同 由相 證藉中 將其 明 , 發解 本瞭 之 以 路 f I tpBT 得 緩 態 三 相 反 之 術 技 知 習 之 化 簡1 示 顯 。 圖論 1 討 第便 方 可 衝 不。緩 亦路態 其電三 ff b , 9 /1 路緩簡 電之一 衝出之 緩輸例 態壓施 三電實 之低一 術降之 技 \ 明 知入發 習輸本 一 壓據 另電根 示低示 顯降顯 圖為圖 2fF3 第於第 用 壓 電 之 低 降 過 通 能 其 路 電 衝 緩 態 三 個! 表 代 它 > ο 路號 電信 例 施 實 〇 1 號 之信 明壓 發電 本之 據低 根降 並過 ,通 細能 仔其 常 , 非路 得電 示衝 顯緩 圖態 4 三 第個
低設 降代 之替 It 伊種 施各 實之 種路 各電 之衝 明緩 發態 本三 據之 根出 示輸 顯壓 圖電 12低 第降 至 \ 圖入 5 輸 第壓 B 註 之 明 發 明 說 細供 詳提 作便 例以 施節 實細 明的 説殊 個特 數多 之許 示示 所掲 中 , 圖中 附述 如描 考之 M參下 將以 明在 發 〇 本述 描 —--------k— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 技些 此一 知之 熟節 於細 對殊 ,持 地等 顯此 明有 很沒 ,在 而以 然可 。明 解發 瞭本 的 , 底言 徹而 一 士 明人 發之 本術 描本 細了 詳糊 未模 並地 ,要 中必 子非 例便 的以 他 , 其驟 在步 〇 程 行製 實或 下 / 之及 況構 情結 «{''J'^、'J 白 部知 全熟 或述 電輸 低調 降強 之於 效用 有使 常以 非 , 一 路 中衝 例緩 施態 實三 1 出 在輸 ,壓 於電 關低 是降 明 \ 0 發入 明本輸 發 壓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 Χ 297公釐) 407397 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(^ ) 出信號其具有一降低之電壓範圍以響應亦具有降低電壓 範圍之輸入信號。在一實施例中,此創新之降低電壓輸 入/降低電壓輸出三態緩衝電路,包括一輸入级以接收 降低電壓輸入信號,一位準移位级將所接收之降低電壓 輸入信號轉換成内部位準移位级控制信號,其具有較高 之電壓範圍,用以控制三態緩衝電路之輸出级。 當此三態緩衝電路藉由使緩衝致能信號去能而産生三 態,它基本上是與負載解除耦合。當此電路不是三態時 ,此輸出级輸出,以罌應内部位準移位級控制信號,其 為在降低電壓範圍内之一邏輯高或邏輯低之緵衝輸出信 號Ο 在某些情況之下,此緩衝電路被配置成不須要使用輸 入信號,其具有降低之電壓範圍,以控制輸入级的電晶 體閘極。這是與第1圖與第2圖之習知技術之情況相反 ,其中使用輸入信號以直接控制電晶體閘極。為了控制 輸出级,此輸入信號較佳是使用位準移位级而提昇至一 較高的電壓位準。因此,此輸入信號可能具有一電壓範 圍實質上並不大於電晶體之臨界電壓,此事實並不降低 緩衝電路之性能表現。 本發明之特色與優點可以參考以下之圖而獲得較佳的 瞭解。第3圖圖示說明,根據本發明之一實施例之一簡 化之三態緩衝電路200 ,包括輸入級202 ,位準移位级 204 ,以及輸出级206 。如所示,此緩衝致能信號被耦 合至輸入級202 ,以控制其中之電晶體。其將在端子208 -1 0 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 A7 B7五、發明説明(9 ) 之降低電壓輸入信號傳給位準移位级2Q4 如在此稍後 顯示,在某些實施例中也使用緩衝致能信號,以控制位 準移位级204及/或輸出级206之内的信號傳導。 在位準移位级204内,其中之電晶體將所接收之輸入 信號移位至一較高之電壓範圍以控制輸出级206之内電 晶體之閘極。此較高的電壓控制信號允許輸出級206之 内之電晶體可以以一較高的超過驅動電壓來控制,因此 允許輸出级206内之電晶體起源/匯集大量的電流,因 此更快地驅動聯接至緩衝輸出的負載至一所欲之降低電 壓位準。 第4圖圖示並根據本發明之一實施例詳細說明,一個三 態緩衝電路300 β其代表一個非反相三態鍰衝器能夠接 收降低之電壓輸入,並以其降低之電壓輸出以驅動負載 。緩衝電路300包括一輸入级302 , —位準移位級304 ,以及一輸出级306 。輸入移位级302包括兩锢場效應 電晶體(FET) 308 ,及310 ,其閘極由導體312上之緩 衝致能信號ΕΝΡ來控制。當緩衝致能信號被致能時(即 當信號ΕΝρ是高時),此降低之電壓輸入信號在緩衝輸 入節點314被接收,並由場效應電晶體308及310傳導 給節點316及318 。 應該注意到,雖然F Ε Τ 3 0 8及3 1 0在圖中以低-臨界 n-FETs來代(此低的臨界特性由環繞電晶體符號之圓圈 來代表),此並非一必要條件,只要此等輸入電晶體之 臨界電壓低於輸入電壓範圍。然而,對此等電晶體而言 -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 a7 B7五、發明説明() ,較佳(但非必須)使用低臨界電晶體。通常,低臨界 FET可能有較通常之FET (其可能在Q.6V至0.7V左右) 為低的臨界電壓(例如,約0.4V至0.5V)。 位準移位鈒304接收從輸入级302來之信號並將所接 收的信號移至較高之電壓範圍,以控制輸出级306中之 FET 320及322之閘極。取決於在輸入節點314上之降低 電壓之輸入信號之值,輸出级306輸出一邏輯低(VSS ) 或一邏輯高(降低電壓範圍之高值,或在此是 。因此,形成一降低電壓輸入/降低電壓輸出之緩衝電 路。 如同電晶體310與308 ,輸出電晶體320與322在圖 中是以低臨界n-FET來代表(此低臨界特點由圍嬈電晶 體符號之圓圈來代表)。雖然低臨界電晶體被所偏好以 作為輸出電晶體以作最適性能表現《但也可能使用一種 電晶體其可能具有一更典型之臨界電壓範圍。 為了方便作更進一步的瞭解,現在將三態緩衝電路300 的蓮作作詳細說明。設想一種情況,其中緩衝致能信號 被去能以使得三態缓衝器能進入三態模式,在第4圖的 電路中,當在導體312上之信號ENP是低時,進入三態 模式。隨著低的信號ΕΝρ ,η-型FET 3 0 8及310被斷開, 因此避免信號在輸入節點314被傳導至位準移位級304。 反相器324造成信號ENc (其為信號Efip之倒數)在 導體326上變高,因此將三態反相器328置入高阻抗狀 態,並將三態反相器之輸出與其輸入解除耦合。一高信-12- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 407397 A7 B7 ____ 五、發明説明(11 ) 號ENc亦將n-FET 330接通而將節點332拉低,因而將 η-型FET 320斷開。因此,緩衝器輸出334與電歷源V降低 3 3 6解除網合。 * 在導體上之低的信號ENp將P-型FET 338接通’ 因此將節點318拉高Μ將n-FET 340接通。當FET 340導 電時,節點342被拉至Vss,因而將偉準移位級304之
P-FET 344接通。當FET 344導電時,節點316被拉至VDD (藉由Vdd電壓源346 >而將P-FET 348斷開,因而將節 點342與VDD電懕源350解除耦合,並將節點342保持 I。》 在Vss位準(此由於FET 340導電)。 因為節點342是低,FET 322亦為斷開,因此將鍰衝 輪出334與Vss解除耦合。随著FET 320與322被斷開 »> ,緩衝輸出334與此嬡衝電路之其餘部份,及 Vss解除網合。換言之,媛衝電路300成為三態,並與 負載解除娥合。 當鑀衝致能信號被致能(即,當第4圖之EN p信號是 高時),緩衝電路300被從三態模式取出。因此,在緩 衝輸出334上之電壓值將在〇〜之範圍内變化,以 降低 響應在輸入節點314上之電壓值。 設想一種情況,當信號ENp是高,且一 Vss電壓位準 出規於輸人節點314上。此高信號ENp造成FET 308及 310接通,將Vss電壓位準各別傳導至節點318與316 。因為FET 310導電,節點316變低K接通FET 34δ , 藉以將節點342拉至V如(藉由V DD電壓源350 )。因 -13- 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 ^------1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 407397 A7 B7 五、發明説明(12 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為ENp是高且其反栢ENc信號是低,三態反相器328將 酣點342上之值傳導給節點332 ,造成節點332變低 (因為三態反相器328將相對於其輸入之輸出反相)。此 低信號EHc將PET 330斷開,藉Μ將節點332與Vss解 除耦合。因為節點332是在V ss , FET 320斷開W便將 緩衝_出3 3 4 與V 電壓源336解除耦合。 ^ ; 降低 低節點318 (P-FET 338藉由高ENp信號而斷開K確 保節點318保持低〉將FET 3 40斷開W將節點342與Vss 解除耦合並確保節點342保持在VDD位準(由於FET348 導電之事實)。隨著節點342在高的VDD位準,此完全 的Vdd電臞被施加於輸出FET 322之閘極,W允許FET 320經由鑀衝輸出334去起源電流至負載,並很快地將 鍰衝輪出334拉至VSS電壓位準。因此,位準移位鈒ϋ -厂、 304之出現存在,允許電晶體320及322之閘極被控制 信號所控制其完整的電壓範圍是V ss -V DD 。從Μ上所 述可Μ察覺,在當緩衝電路300不處於三態時,在輸入 節點314上之一輸人信號Vss ,造成在輸出節點334上 出現一輸出信號VSS 。 設想一種情況當信號ENp是高(即,緩衝電路30 0不 是處於三態)且在輸入節點314上出現一 電壓位 準。·此高信號ΕΝρ造成FET 308與310接通,而將V降低 電壓位準各別傳導給節點318與316 。因為FET 308導 電,電壓位準被傳導給節點318 ,因而接通PET 340 ,而將節點342拉至Vss 。當節點342被拉至Vss -14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 A7 B7五、發明説明(13 ) ,P-FET 344則完全被接通將節點316拉至VDD (藉由 VDD電壓源346 )。因此316是在VDD,雖然FET 310 之導電只造成V g %被從輸入節點3 1 4傳導至節點3 1 6 。 因為節點316是在Vdd電壓,此完整之VDr>電壓被施 加於P-PET 348之閘極,K將FET 3 4δ完全斷開。因而將 節點342與VDD電壓源350解除耦合並確保節點3 42停 留在Vss位準。應該察覺位準移备級30 4也運作,K將 在節點342之電壓穗定在Vss值,Μ確保FET 322完全 保持斷開,而將鍰衝輸出334與VSS解除耦合。否則的 話,在當V 被藉由PET 310被傳導至節點316時, FET 348可能會輕微地接通,而將在節點342之電壓拉 至所欲之Vss值之上,因而降低其性能表現及/或造成 鑀衝電路運作失常及/或消耗不當數量之電力。 當信號ENp是高,而其反相信號ENe是低時,在節點 342上之VSS值造成節點332變成VDD (因為三態反相 器328輸出其輸入之反相值)。此低信號ENc也將FET 330斷開,而將節點332與VSS解除聯结。隨著節點 332之處於高的Vdd位準,此完整之Vdd電壓被施加至 輸出FET 320之閘極,而允許FET 320經由緩衝輸出334 將電流發源至負載,並快速地將緩衝輸出334拉至ν#% 電顒位準(藉由V p车低1電壓源3 3 6 )。因此,位準移位 级304之存在出現,允許電晶體320與322之閘極被控 制信號控制,其具有從Vss至V DD之完整之電壓範圍。 因此可以由Μ上敘述察覺,在當緩衝電路300不處於三 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α·4規格(210Χ297公釐) 407397 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(W ) 態時,在輸入節點314上之一 V#%輸入信號會造成在 輸出節點334上出現一 Vjj#低輸出信號。 請注意雖然鑀衝電路300被設計成為一非反相之三態 鑀衝電路,但此非必要◊因此,在此本發明並不須要被 限制於降低電壓輸入/降低電壓輸出之三態緩衝電路之 反相(或非反相)之特色。 藉使用具有完整電壓範圍(vss -vDD )之控制信號以 控制輸出FET 320及322之閘極,而獲得一較高之超過驅 動電壓,Μ將這些FET接通或斷開。如果此降低之電壓 V降低被使用來控制這些輸出FET之閘極,此等FET必 須大一些,Μ便在相同的時間内起源/匯集,相同數量 的電流。因為本發明使用具有完全電壓範圍(Vss -VDD) 之控制信號來控制輸出FETs 3 20及322之閘極,此等FET 可Μ被作得小一些,而減少了其在晶片上使用的空間。 減少輸出FET之尺寸大小也減少了聯結至緩衝電路之 電容負載。此在應用方面是有利的,其中使用多個緩衝 電路Μ增強在一共同匯流排導體上的信號,而多個緩衝 電路輸出級可Μ被耦合至共同匯流排。藉由減少在每一 鍰衝電路中之輸出級之輸出FET有關之大小及電容,則 較少之電容負載被呈現於實際上驅動此匯流排導體之鍰 銜電路。隨著降低之電容負載,其潛能及電力消耗被有 利地降低。 第5至12_描述各種替代實皰例,其顯示各種典範的 方式,其中可Μ設計輸入級,位準移位級,及/或輸出 赛 IiT-^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙珉尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 407397 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 (1乂 ) 1 1 I 级 〇 在 此 等 圖 之 每 一 個 中 > 使 用 位 準 移 位 级 以 增 強 降 低 1 1 | 電 壓 之 輸 入 信 號 成 為 具 有 較 大 電 壓 範 圍 之 控 制 信 號 以 控 1 制 在 輸 出 级 中 之 輸 出 電 晶 體 Π-«* 〇 此 輸 出 電 晶 體 在 V 降 低 與 讀 1 1 v SS 之 間 以 串 聯 方 式 連 接 i 以 在 降 低 之 電 壓 範 圍 内 輸 出 閲 讀 1 背 1 信 號 〇 而 隨 箸 位 準 移 位 级 來 的 較 高 電 壓 控 制 信 號 將 此 等 面 之 1 注 I 輸 出 電 晶 體 接 通 及 斷 開 〇 此 等 電 晶 體 可 以 有 利 地 起 源 或 意 事 1 匯 集 大 量 之 電 流 9 而 以 降 低 之 潛 能 來 驅 動 負 載 〇 項 再 1 填 1 在 第 5 圖 中 9 是 藉 由 一 N0R 閘 極 39 2 而 非 如 第 4 圖 情 寫 本 況 中 之 __- 三 態 反 相 器 來 執 行 此 位 準 移 位 級 〇 在 第 6 圖 中 頁 1 1 9 是 使 用 一 傳 導 閘 極 40 2 而 非 位 準 移 位 级 0 傳 導 閘 極 1 I 4 0 2 蓮 作 5 以 在 節 點 40 4 及 4 0 6 兩 節 點 之 間 傳 導 電 壓 9 1 1 以 響 應 控 制 信 號 40 8 及 4 1 0 〇 位 準 移 位 级 包 含 傳 導 閘 極 1 訂 4 0 2 > 電 晶 體 4 1 2 4 1 4 及 4 1 6 9 以 確 保 當 具 有 降 低 電 1 I 壓 ( 例 如 1 伏 恃 ) 之 邏 輯 高 信 號 出 現 於 緩 衝 輸 入 時 » 節 1 1 點 40 4 保 持 低 〇 第 6 圖 緩 衝 器 之 其 餘 部 份 以 大 致 與 第 4 1 1 圖 之 緩 衝 器 相 類 似 的 方 式 運 作 〇 由 於 此 掲 示 » 對 於 熟 知 1 r 此 技 術 之 人 士 可 以 很 容 易 地 了 解 第 6 圖 緩 衝 器 之 蓮 作 〇 1 在 第 7 圖 中 9 在 位 準 移 位 级 中 使 用 一 反 相 器 50 2 9 以 1 | 提 供 具 有 在 V SS 與 v DD 之 間 之 電 壓 範 圍 之 控 制 信 號 給 輸 | 出 電 晶 體 〇 其 顯 示 兩 反 相 器 被 械合 至 電 晶 體 504 之 閘 極 1 » 以 起 源 足 夠 之 電 流 以 適 當 地 控 制 電 晶 體 50 4 〇 然 而 > 1 I 它 們 可 以 被 省 略 如 果 此 緩 衝 致 能 信 號 可 以 足 夠 地 控 制 電 1 1 晶 體 504- 0 在 輸 出 级 有 三 個 輸 出 電 晶 am* 體 9 其 中 電 晶 體 1 1 504 動 作 在 當 信 號 EN P 是 低 時 快 速 地 將 V 降 低 電 壓 源 與 1 1 -1 7 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(16) 輸出解除耦合.。然而,作為抵換,各個輸出電晶體504 itnii 及506可Μ被須要更大K降低在Vg#電壓源K及輸出 之間的串聯電胆。此更大的電晶體506可以造成更高的 電容負載,尤其當多個三態鍰衝器被聯结至相同的輸出 。在第8圖中,加上輸出電晶體602 Μ確保,在當ΕΝρ 信號是低時,亦快速地將VSS與輸出解除耦合。再次,卿& 此柢換造成更大的電晶體602與604 ,Μ克服串聯電阻 。第7與8圖之鍰衝器的其餘部份Μ大致上類似第4圖 之鑀衝器的方式運作。而由於此揭示說明,此等媛衝器 之蓮作可Μ很容易地被熟知此技術的人士所瞭解。 在第9鬮中,於位準移位級中使用一個三態反相器 702 。此三態反相器ίί)2Κ如同第4圖之三態反相器 328相類似的方式運作。於第10圖中,輸出級中之電晶 體802與804被耦合至信號ENpx (由位準移位级之反相 器8〇6與8〇8所錳生),Μ方便將輸出與Vss及V降低 快速解除聯结。然而,在輸出級所存在的4個串聯電晶 體,可能須要使用更大的裝置Μ克服串聯電胆。在第11 _中,輸出與Vss之解除聯結是Μ在第4圖之缓衡器中 相同的方式來執行。輸出與V # &之解除聯結是由電晶 _ 902來完成,然而其可能的代價是須要對電晶體902 與904使用較大的裝置。在第12圖中,輸出與V jr条值^之 解除耦合是與第4圖之緩衝器中所使用之相同的方式來 實行。輸出與vss之解除耦合是由電晶體1002來完成, 然而其可能的代價是須要對電晶體1002與1004使用更大 -1 8 ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) 407397 A7 B7 五、發明説明(17 ) 的裝置。第9至12圖之其餘的緩衝器是Μ與第4圖中之 緩衝器大致類似的方式運作。而此等鍰衝器的運作可Μ 由於此揭示說明的其餘部份,而為熟知此技術的人士很 容易地瞭解。 雖然本發明是藉由數個圖示說明的實胞例加以描述, 但是其修改,變換組合,Κ及等同物亦靨於本發明之範 圃。應該注意的是存在著許多替代的方式Κ實行本發明 的裝置與方法。因此,Μ下所附之申請專利範圍可以被 認為包括所有瑄些修改,變換組合,以及等同物,而屬 於本發明之精神與範圍。 β------ir------.il (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 at B7 五、發明説明(18 ) 符號之說明 100 反 相 二 態 緩 JStfT 衝 電 路 102,104,106,108 電 晶 體 130,176 p - ,場 效 應 電 晶 體 1 50 , 200,300 三 態 緩 衝 電 路 152 線 154,158,164,316,318 節 點 156 輸 出 P - 場 效 應 電 晶體 160,324 反 相 器 162,172,174 η - 場 效 應 電 晶 體 166 輸版-場效應電晶體 168 輸 出 170 輸 入 202,302 輸 入 級 204,304 位 準 移 位 级 206,306 輸 出 鈒 208 端 子 308 , 3 1 0 場 效 atg 應 電 晶 體 312,326 導 體 314 鍰 Str- 衝 輸 入 節 點 334 緩 衝 輸 出 346,350 V DD 電 壓 源 392 N0R 閘 極 402 傳 導 閘 極 -20- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明( 19 408,410 502,806,808 504,506,602 702 A7 B7 控制信號 反相器 輸出電晶體 三態反相器 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)

Claims (1)

  1. 公告胃笨 157號”降低疆輸入/降低離輸出之三態緩衝器及其方法”, 407397 (88 年6 m 申請專利範圍 信輸 入導 輸傳 收點 接節 點出 節輸 出衝 輸緩 衝在 緩而 在’ 於號 用信 ,能 路致 電衝 衝緩 緩於 態應 三響 種並 一號 計 設 被 级 入號 輸信 該入 ,輸 點該 節收 入接 輸, 衝時 緩能 該致 :至被 括合號 包耦信 其級能 ,入致 號輸衝 信一緩 出 當 配位 被移 级準 位位 移組 準一 位出 該輸 級時 入能 輸致 該被 至號 合信 0 転 級致 位衝 移緩 準當 位在 一 , 置 制 ; 控圍 级範 位壓 移電 準之 位關 組相 該號 , 信 號入 信輸 入該 輸於 該高 應是 響圍 以範 號壓 信電 制之 控號 級信 及 以 計 設 被 级 出 輸 該 级 位 移 準 位 該 至 合 耦 其 级 出 輸 點號 節信 出制 輸控 衝级 緩位 該移 在準 ,位 時組 能該 致應 被響 號以 信 , 能號 致信 衝出號 緩輸信 該該出 當出輸 在輸該 , 上 * 制 控 级 位 移 準 位 組 該 於 低 是 圍 範 壓 電 之 該解 ’級 時位 能移 去準 被位 號及 信以 能级 致入 衝輸 緩該 該與 當點 而節 , 出 圍輸 範衝 壓緩 電將 的级 號出 信輸 出 輸 該 中 其 路 .電 衝 緩 態 三 之 項 1-篥 圍 範 利 。專 合請 耦申 除如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言. ^丨. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第更 一 準 至位 合壓 耦電 被之 級供 位提 移所 準源 位壓 該電 ,一 源第 壓bb 電供 一 提 第其 至 , 合源 耦壓 被電 級二 入 輸 該 中 其 路 電 衝 緩 態 三 之 項 2 第 圍 範 。利 壓專 電請 之申 高如 電衝 應緩 效該 場由 二是 第極 値閘 一 之 及體 以晶 體電 晶應 電效 應場 效二 場第 一 及 第一 値第 一 該 括 , 包體 级晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 公告胃笨 157號”降低疆輸入/降低離輸出之三態緩衝器及其方法”, 407397 (88 年6 m 申請專利範圍 信輸 入導 輸傳 收點 接節 點出 節輸 出衝 輸緩 衝在 緩而 在’ 於號 用信 ,能 路致 電衝 衝緩 緩於 態應 三響 種並 一號 計 設 被 级 入號 輸信 該入 ,輸 點該 節收 入接 輸, 衝時 緩能 該致 :至被 括合號 包耦信 其級能 ,入致 號輸衝 信一緩 出 當 配位 被移 级準 位位 移組 準一 位出 該輸 級時 入能 輸致 該被 至號 合信 0 転 級致 位衝 移緩 準當 位在 一 , 置 制 ; 控圍 级範 位壓 移電 準之 位關 組相 該號 , 信 號入 信輸 入該 輸於 該高 應是 響圍 以範 號壓 信電 制之 控號 級信 及 以 計 設 被 级 出 輸 該 级 位 移 準 位 該 至 合 耦 其 级 出 輸 點號 節信 出制 輸控 衝级 緩位 該移 在準 ,位 時組 能該 致應 被響 號以 信 , 能號 致信 衝出號 緩輸信 該該出 當出輸 在輸該 , 上 * 制 控 级 位 移 準 位 組 該 於 低 是 圍 範 壓 電 之 該解 ’級 時位 能移 去準 被位 號及 信以 能级 致入 衝輸 緩該 該與 當點 而節 , 出 圍輸 範衝 壓緩 電將 的级 號出 信輸 出 輸 該 中 其 路 .電 衝 緩 態 三 之 項 1-篥 圍 範 利 。專 合請 耦申 除如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言. ^丨. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第更 一 準 至位 合壓 耦電 被之 級供 位提 移所 準源 位壓 該電 ,一 源第 壓bb 電供 一 提 第其 至 , 合源 耦壓 被電 級二 入 輸 該 中 其 路 電 衝 緩 態 三 之 項 2 第 圍 範 。利 壓專 電請 之申 高如 電衝 應緩 效該 場由 二是 第極 値閘 一 之 及體 以晶 體電 晶應 電效 應場 效二 場第 一 及 第一 値第 一 該 括 , 包體 级晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) C8 D8 407397 六、申請專利範圍 致能信號所控制,該第一與第二場效應電晶體之第一 端子是被設計以接收該輸入信號。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4.如申請專利範圍第3項之三態緩衝電路,其中該第一 與第二場效應電晶體之第二端子是各自被耦合至位準 移位级之第一與第二輸入節點。 5.如申請專利範圍4項之三態緩衝電路,其中該位準 移位级包括一第三場效應電晶體,一第四場效應電晶 體,以及一第五場效應電晶體, 一該第三場效應電晶體之閘極被耦合至該位準移位 级之第一輸入節點以及該第四場效應電晶體之第一端 子,該第四場效應電晶體之一閘極被耦合至該第三場 效應電晶體的第一端子, 該第五場效應電晶體之一閘極被耦合至該輸入節點 ,該第五場效應電晶體之一第一端子被耦合至vss 。 6. 如申請專利範圍第5項之三態緩衝電路,其中該第三 及第四場效應電晶體代表P-型場效應電晶體,該第一 ,第二,及第五場效應電晶體代表η -型場效應電晶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7. 如申請專利範圍第5項之三態緩衝電路,更包括一値 三態反相電路,該三態反相電路之一第一三態反相電 路端子被耦合至第三場效應電晶體之第一端子及第五 場效電晶體之一第二端子,該三態反相電路之一第二三 態反相電路端子被耦合至該輸出级的一輸入節點,該 三態反相電路之一第三三態反相電路端子被耦合至該 緩衝致能信號。 -2 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) A8407397 I六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 反輸至 出聯 兩 輸與 : 信高 ,圍 括供一源 一器合 輸串 該 該源 括 制是 號範 包提第壓 括相耦 該相 中 中壓 包 控圍 信壓 更極於電 包反被。中個 其 其電 , 組範 出電 出閘是 一 更該出子其兩 ,。,一 法;一壓 輸之 輸之體第 ,,輸端,的 路體路第 方號成電 個關 該體晶該 路出器路路間 電晶電在 之信形的及一有 中晶電 , 電輸相電電之 衝電衝其 號入以號以.出號 其電應合 衝器反相衝 5 緩應緩, 信輸,信,輸信 ,應效131 鍰相該反緩^態效態體。入收级制圍以出。法效場相 態反,態態與 三場三晶合輸接位控範,輸圍方場二式 三與號三三源 之型之電耦應以移組壓級該範之二第方 之入信四之壓 項Π-項應柑響級準該電出與壓項第及聯 項輸能第項電 。9 是2效式以入位,之輸,電12及一串 7 器致一 2 一 體第體第場方號輸之號關之號之第一第以 第相衝之第第晶圍晶圍出的信之路信有路倍號圍第該間 圍反緩路圍在電範電範輸聯出路電入號電制信範之,之 範 一該電範括應利應利値串輸電衝輸信衝控制利级號地 利有至相利包效專效專多以供衝緩該入緩組控專出信接 專具合反專是場請場請括間提緩該應輸該該該請輸制與 請其耦態請要出申出·申包之種用用響該用應於申該控源 申器被三申主輸如輸如级SS一使使以與使響低如對組壓 如相入該如級之.個 ·出 V. 號於 以是. 該電 • . 0 12 3 ir^- (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 ?88 D8六、申請專利範圍 與接地被設計成在該緩衝電路之輸出,提供與該輸出 信號有關之電壓範圍。 14.如申請專利範圍第12項之方法,更包括提供一緩衝 致能信號,其被設計成在當此緩衝致能信號被去能時 ,從耦合於該緩衝電路之負載,使得此缓衝電路成為 三態。 1 5 . —種三態緩衝電路,用於在緩衝輸入節點接收輸入 信號,並饗應於一緩衝致能信號,傳導輸出信號至緩 衝輸出節點,包括: 輸入裝置,用於在當緩衝致能信號被致能時,接收 該輸入信號,該輸入裝置被耦合至該緩衝輸入節點; 位準移位裝置,用於在當該緩衝致能信號被致能時 ,輸出一組控制信號以饗應該輸入信號,該位準移位 裝置被耦合至該輸入裝置,該組控制信號之電壓範圍 是高於與該輸入信號有關之電壓範圍;以及 輸出裝置,其耦合至該位準移位裝置,該輸出裝置 被設計成,在當該緩衝致能信號致能信時,在該鍰衝 輸出節點上輸出信號,以響應該組控制倍號,該輸出 信號的電壓範圍是低於該組控制信號之電壓範圍, 而當緩衝致能信號被去能時,該輸出裝置將緩衝輸 出節點與該輸入裝置及該位準移位裝置解除耦合。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之三態緩衝電路,其中該輸 出裝置被耦合於第一電壓源,該位準移位裝置被耦合 於第二電壓源,其提供之電壓高於第一電壓源所提供 -25- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 407397 g D8六、申請專利範圍 之電壓位準。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之三態緩衝電路,其中該輸 入裝置包括一第一場效應電晶體與一第二場效應電晶 體,該第一與第二場效應電晶體之閘極由該緩衝致能 信號所控制,該第一與第二場效應電晶體的第一端子 被設計以接收該輸入信號。 18. 如申請專利範圍第17項之三態緩衝電路,其中該第 一與第二場效應電晶體之第二端子被各別耦合至位準 移位裝置之第一與第二輸入節點。 19. 如申請專利範圍第18項之三態缓衝電路,其中該位 準移位裝置包括一第三場效應電晶體,一第四場效應 電晶體,以及一第五場效應電晶體, 該第三場效應電晶體之閘極被耦合至該位準移位裝 置之第一輸入節點以及該第四場效應電晶體之一第一 端子, 該第四場效應電晶體之閘極被耦合至第三場效應電 晶體之一第一端子;以及 該第五場效應電晶體之閘極被耦合至該輸入節點, 該第五場效應電晶體之第一端子被耦合至vss 。 2 0 .如申請專利範圍第1 6項之三態緩衝電路,其中該輸 出裝置包括一串聯連接,其主要由介於第一電壓源與 VSS之間的兩個輸出場效應電晶體所組成。 2 1 .如申請專利範圍第1 6項之三態緩衝電路,其中該輸 出裝置包括一串聯連接,其包含介於第一電壓源與 -2 6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 Λ C8 _407397_^_ 六、申請寻利範圍 V ss之間的兩個輸出場效應電晶體。 22.如申請專利範圍第21項之三態緩衝電路,其中該兩 個輸出埸效應電晶體是η -場效應電晶體。 2 3 .如申請專利範圍第1 6項之三態緩衝電路,其中該輸 出裝置包括介於第一電壓源與VSS之間至少三個串聯 耦合之輸出場效應電晶體。 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4规格(21 OX:29?公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW088103257A 1998-03-09 1999-03-03 Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers and methods therefor TW407397B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/037,289 US6181165B1 (en) 1998-03-09 1998-03-09 Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW407397B true TW407397B (en) 2000-10-01

Family

ID=21893533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088103257A TW407397B (en) 1998-03-09 1999-03-03 Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers and methods therefor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6181165B1 (zh)
EP (1) EP0942535B1 (zh)
JP (1) JPH11298313A (zh)
KR (1) KR100591520B1 (zh)
CN (1) CN1143314C (zh)
DE (1) DE69923097T2 (zh)
TW (1) TW407397B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307397B1 (en) * 1998-03-09 2001-10-23 Infineontechnologies Ag Reduced voltage input/reduced voltage output repeaters for high capacitance signal lines and methods therefor
US6313663B1 (en) * 1998-03-09 2001-11-06 Infineon Technologies Ag Full swing voltage input/full swing output bi-directional repeaters for high resistance or high capacitance bi-directional signal lines and methods therefor
US6472291B1 (en) * 2000-01-27 2002-10-29 Infineon Technologies North America Corp. Planarization process to achieve improved uniformity across semiconductor wafers
US6477608B1 (en) * 2000-04-26 2002-11-05 Motorola, Inc. Interface circuit for transferring data on bus between modules of integrated circuit with reduced delay
US6853233B1 (en) * 2000-09-13 2005-02-08 Infineon Technologies Ag Level-shifting circuitry having “high” output impedance during disable mode
US6501298B1 (en) * 2000-09-19 2002-12-31 Infineon Technologies Ag Level-shifting circuitry having “low” output during disable mode
US6559704B1 (en) 2001-06-19 2003-05-06 Lsi Logic Corporation Inverting level shifter with start-up circuit
US6815984B1 (en) * 2001-08-27 2004-11-09 Cypress Semiconductor Corp. Push/pull multiplexer bit
KR100465599B1 (ko) * 2001-12-07 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 데이타 출력 버퍼
US6768339B2 (en) * 2002-07-12 2004-07-27 Lsi Logic Corporation Five volt tolerant input scheme using a switched CMOS pass gate
US7528643B2 (en) * 2003-02-12 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
US7119578B2 (en) * 2003-11-24 2006-10-10 International Business Machines Corp. Single supply level converter
US7248076B2 (en) * 2005-02-23 2007-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dual-voltage three-state buffer circuit with simplified tri-state level shifter
US20070033427A1 (en) * 2005-07-19 2007-02-08 International Business Machines Corporation Power efficient cycle stealing
TWI449333B (zh) * 2006-12-22 2014-08-11 Fairchild Semiconductor 雙向訊號介面及相關系統及方法
JP4896159B2 (ja) * 2006-12-26 2012-03-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Cmos回路及び半導体装置
US7868657B1 (en) * 2009-07-22 2011-01-11 Qualcomm, Incorporated High voltage logic circuits
CN101877584A (zh) * 2010-06-24 2010-11-03 成都华微电子科技有限公司 双向三态缓冲器
CN102324924B (zh) * 2011-04-27 2013-08-21 钜泉光电科技(上海)股份有限公司 输出驱动器及输出驱动器的驱动能力输出方法
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9356586B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Qualcomm Incorporated Circuit and method to extend a signal comparison voltage range
US9350353B2 (en) * 2014-02-27 2016-05-24 Realtek Semiconductor Corp. Method and apparatus for equalizing a level shifted signal
KR101723304B1 (ko) * 2015-10-01 2017-04-07 (주)에코팜 조류 또는 두더지 퇴치기
US9762245B1 (en) 2016-06-14 2017-09-12 Globalfoundries Inc. Semiconductor structure with back-gate switching
WO2018137751A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Variable delay circuits
CN109104182B (zh) * 2018-09-28 2024-01-05 南京观海微电子有限公司 一种快速低功耗单端接口

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179299A (en) * 1990-11-05 1993-01-12 Ncr Corporation Cmos low output voltage bus driver
US5128560A (en) * 1991-03-22 1992-07-07 Micron Technology, Inc. Boosted supply output driver circuit for driving an all N-channel output stage
JPH04318394A (ja) * 1991-04-18 1992-11-09 Hitachi Ltd 半導体駆動回路
US5682110A (en) * 1992-03-23 1997-10-28 Texas Instruments Incorporated Low capacitance bus driver
KR940010671B1 (ko) * 1992-07-25 1994-10-24 금성일렉트론 주식회사 Cmos 3-스테이트 버퍼회로 및 그 제어방법
US5311083A (en) * 1993-01-25 1994-05-10 Standard Microsystems Corporation Very low voltage inter-chip CMOS logic signaling for large numbers of high-speed output lines each associated with large capacitive loads
JPH06244709A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Toshiba Corp データ入出力制御回路
US5418477A (en) * 1993-04-22 1995-05-23 International Business Machines Corporation Data output buffer pull-down circuit for TTL interface
JPH0738410A (ja) * 1993-07-21 1995-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd 出力バッファ回路
JPH08316819A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Toshiba Microelectron Corp トライステートバッファ回路
JP3548970B2 (ja) * 1995-05-25 2004-08-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
KR0172380B1 (ko) * 1995-06-17 1999-03-30 김광호 반도체 메모리장치의 데이터 출력버퍼
US5627487A (en) * 1995-06-28 1997-05-06 Micron Technology, Inc. Charge conserving driver circuit for capacitive loads
US5614859A (en) * 1995-08-04 1997-03-25 Micron Technology, Inc. Two stage voltage level translator
US5592104A (en) * 1995-12-13 1997-01-07 Lsi Logic Corporation Output buffer having transmission gate and isolated supply terminals
US5952847A (en) * 1996-06-25 1999-09-14 Actel Corporation Multiple logic family compatible output driver
US5764082A (en) * 1996-07-29 1998-06-09 Cirrus Logic, Inc. Circuits, systems and methods for transferring data across a conductive line

Also Published As

Publication number Publication date
DE69923097D1 (de) 2005-02-17
EP0942535A1 (en) 1999-09-15
JPH11298313A (ja) 1999-10-29
KR100591520B1 (ko) 2006-06-20
KR19990077697A (ko) 1999-10-25
EP0942535B1 (en) 2005-01-12
CN1143314C (zh) 2004-03-24
CN1241782A (zh) 2000-01-19
DE69923097T2 (de) 2006-03-02
US6181165B1 (en) 2001-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW407397B (en) Reduced voltage input/reduced voltage output tri-state buffers and methods therefor
JP4814791B2 (ja) レベル・シフター
TW448613B (en) On-chip termination
TW509965B (en) Mixed swing voltage repeaters for high resistance or high capacitance signal
CN110660431B (zh) 第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器
TWI374611B (en) I/o buffer with twice supply voltage tolerance using normal supply voltage devices
US6922083B2 (en) High speed sampling receiver with reduced output impedance
US20110298440A1 (en) Low voltage signaling
TW417283B (en) Voltage level shifting circuit
US20210005231A1 (en) Latching sense amplifier
TW200937863A (en) Level shifter circuit
CN110289848A (zh) 电压电平转换电路
TW410503B (en) A voltage level converter with single input via gate voltage
JP4510426B2 (ja) 出力データのスキューを減少させうる出力バッファ回路
TW321803B (zh)
TW503400B (en) Reduced voltage input/reduced voltage output repeaters for high resistance or high capacitance signal lines and methods therefor
TWI499901B (zh) 後驅動器、電子系統,及其控制方法
TW305956B (zh)
TW406375B (en) CMOS integrated circuit (IC)
CA1208309A (en) High speed drive circuit
TW451222B (en) Address strobe signal generator for memory device
TW432681B (en) Input buffer of semiconductor device
US8451669B2 (en) Multi-power domain design
CN106452391B (zh) 用于在电子设备中进行信号驱动的解耦电容电路及装置
US20030184358A1 (en) Low voltage level shifter with latching function

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees