TW309693B - - Google Patents

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經濟部中央標準局負工消費合作社印製 SGC693 a? B7 五、發明説明（1 ) 本發明涉及一種磁力增強之反應性離子蝕刻（MERIE )電漿反應器，尤詳言之，係關於一種具有一在晶片表面 有最小強度而通過晶片表面為徑向對稱之淺磁場的MER I E 電漿反應器。 一處理一基質諸如一半導體晶片之電漿反應器典型地 包括一含有一處理氣體之反應器腔室以及一支持晶片於反 應器内之支持座。為了藉由離子化處理氣體而觸發一電發 ，一射頻（RF)電源被施加於晶片支持座。此耦合至反應 器腔室内之RF源觸發並維持一電漿同時亦將離子吸向晶片 支持座。RF源在反應器腔室因電子之高荷質比而激勵電子 ，且被激勵之電子與處理氣體之中性物種（例如分子和自 由基）碰撞而造成離子。舉例而言，此離子與支持座上之 晶片反應Μ蝕刻其上之某些薄膜，同時，依離子與晶片表 面撞擊之能量而定，某些離子-晶片碰撞造成晶片表面上 的離子爨擊或濺射損傷。 此一霉漿反應器之基本限制是在電漿密度與對晶片之 離子轟擊損傷之間有一權衡。此係由於為了增加腔室中的 電漿離子密度，施加於晶片支持座之RF功率必須被增加， 此轉而增加晶片表面的離子能量，因此增加離子轟擊損傷 。此一權衡限制一電漿反應器之性能。在一實施一電漿触 刻程序的電漿反應器中，舉例而言，處理氣體為一蝕刻劑 諸如HF，CF3或CFS，且蝕刻速率大部分是由含氟離子之密 度決定，此又是由拘束施加至晶片支持座之RF功率而被限 制以避免對晶片之過度離子《擊。 _________ 良— —__„___ί 丁__II__象 - -» (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公缝） -4 - 4 A7 ^09693 〜___B7_ 五、發明説明（2 ) 另一問題是增加RF功率（為了增加電漿離子密度）而 增加腔室頂部與壁之濺射。此一增加之腔室頂部及壁之濺 射增加被引入腔室中的被濺射物質量而此物質會干擾蝕刻 程序。例如*若頂部為石英而在晶片上被實施之製程是一 二氧化矽蝕刻程序，則由頂部濺射的某些石英部分沈積在 晶片表面上且對抗蝕刻程序，因此減低蝕刻速率。（頂部 之濺射亦消耗了腔室的一棰昂貴組成部分）。另一個實例 是，如果處理氣體包括CF3，CHF3，CFs或CU，由之在内 部頂部表面上所形成之聚合物材料可能會被濺射至晶片表 面上，因此污染了晶片表面上的撤電子裝置。 在一電漿蝕刻程序中毋需增加晶片上之離子轟擊損傷 以及濺射的增強電漿離子密度技術為磁力增強反應性離子 蝕刻（MERIE)。在此技術中，上述的電漿反應器藉由添 加數個（典型地為四個）對稱放置在腔室侧邊的環形磁鐵 而被改善。典型地，每一磁鐵之直徑與反應器腔室之高度 相似。藉由這些磁鐵在腔室中所產生的MERIE磁場造成電 子--由於其高荷質比--除了由加在晶片支持座上的RF電源 所導致的垂直直線運動以外，引起一種複雜的圓形和螺旋 形蓮動。由MER1 E磁場所導致之電子圓形和螺旋形蓮動增 加電子的離子化碰撞，俾增加電漿離子密度。結果是離子 密度並蝕刻速度被增加。但是，由於加在晶片支持座上的 RF電源未增加*晶片上之離子轟擊損傷沒有成比例的增加 。此外，由MERIE磁場所導致的離子螺旋形蓮動未直接增 加離子-晶片碰撞能量。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 i、發明説明（3 伴隨此種MER IE技術的一項問題是，由於腔室中之磁 場係由（四個）分離而相鄰的磁鐵所造成，為故不連續者 。電漿離子易於集中在磁鐵之間的“隅角”區域，因此穿 過晶片表面造成不一致的蝕刻速率，此為一項重大缺失。 再者，已發現到電漿離子易於朝向晶片邊緣並遠離晶片中 心徙動，如此肋長了穿過晶片表面的不一致蝕刻速率。往 往蝕刻速率傾向於沿晶片之一特定半徑變化，晶片上之蝕 刻速率隨半徑而增加。 此一不一致蝕刻速率的問題已在MEfilE電漿反應器中 藉由旋轉由置放在腔室旁邊的數個（四個）磁鐵所造成的 磁場而被改善。典型地，此一旋轉係由應用腔室四周的電 磁鐵並在磁鐵繞組中所加之RF信號而達成，例如，一正弦 波RF信號被施加至間隔的磁鐵且相同頻率之一餘弦波RF信 號被加到其餘的磁鐵上。概念上是腔室内穿過晶片表面之 磁場旋轉分散隅角效應且減少離子集中，藉此減少穿過晶 片表面的電漿離子不一致性，因而對此問題提供一部分的 解決。 但是，此一解決方式引起兩項額外的問題。首先，ME RIE磁場之旋轉必須限制在低於十赫茲以避免腔室側壁之 過度加熱，因此限制了其效力。其次，MERIE磁場之旋轉 及因而電漿球在晶片表面周圍之旋轉造成在晶片表面上製 作之撤電子半導體構造的電荷損傷。例如，薄柵氧化物層 特別容易破損。此一破損起因於穿過晶片表面之變化磁場 和電漿密度對於反應器中之電漿處理期間已積聚在此種撤 ---------ί ------1Τ-----1^ (請先閱#-背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -6 6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〇09693 A7 B7 五、發明説明（4 ) 電子構造上之電荷造成相當大的力。 縱使磁場不旋轉，僅因穿過晶片表面之磁場本身不均 一即可能對撤電子構造造成電荷損傷，導致穿過晶片表面 的不一致電漿離子和電子密度。此棰穿過晶片表面之不均 一電漿離子和電子分佈導致不一致之電荷積聚Μ及穿過晶 片表面的電位差。此一電位差可能足Μ破壊較敏感的特徽 (例如晶片上之撤電子構造的薄柵氧化物層）。因此，發 明人在本文中認知到晶片表面的MERI Ε磁場本身是一項限 制MER1E反應器性能的問題。 因此，本發明之一目的為提供一MERIE磁場，其在晶 片表面具有最小強度且在反應器腔室中的其他地方具有最 大強度。 本發明之另一目的為提供一具有穿過晶片表面之一致 性的MERI Ε磁場。 本發明之一相關目的為提供一具有穿過晶片表面之徑 向對稱性的MERI Ε蜓場。 - - Τιϋ-一. - .’Η·)- .%_<丨上嘯1丨1_-~_ 斯11 本發明被具體實施在一處理一諸如具有一對稱軸之半 導體晶片的工作件之電漿反應器中，此反應器包括一具有 頂部之反應器腔室，一可供支持工作件於腔室内之頂部下 的支持座，一通入腔室之處理氣體供給源入口，一與支持 座耦合之RF電漿電源，Μ及一接近頂部之磁場，其在接近 頂部的一部分腔室内相對對稱軸提供一徑向對稱磁場。反 應器腔室頂部具有一環形的凹處由之朝上延伸。磁場源加 一穿過環形凹處之磁場。最好此係以提供數個一種型態之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 7 ---------^---批衣---J---riT--------0 .一 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 磁極（例如北極）於環形凹處内周，並提供數個相反型 態（例如南極）之磁極於環形凹處之外周而達成。在一較 佳實施例中，瓌形凹處具有一圓錐形橫斷面而使得其中央 較高而周邊較低（且因此較接近工作件），俾抵銷磁場源 之磁場中所固有的不一致性。徑向對稱之磁場有效地由頂 部穿透至腔室内一淺深度，且工作件上方之頂部高度超過 磁場之穿透深度。 在一較佳實施例中，磁場源為一頂部上方之磁軛，其 其有等間隔之徑向輻條對稱地相對頂部中之凹處設置。磁 軛包括分別面對環形凹處之内外周的内、外環面。每一輻 條在其各別端與磁軛之内、外環面連接。較佳地，包括徑 向輻條和内、外環面的磁軛係一體成型。磁場源最好為一 電磁鐵，具有設置在每一徑向輻條周圍之線圈繞組。 依據一較佳之實施例，環狀凹處具有一圓錐形横截面 ，此凹處之中心Μ—傾角朝一頂點向上延伸，該傾角被選 擇成可使電漿離子密度之分佈一致性最佳化。 磁軛之中心包括一連接於處理氣體入口之處理氣體蓮 篷頭。 第1Α圖係本發明第一實施例之電漿反應器側視圖，此 實施例使用一包括一具有多數徑向輻條而有線圈繞組在每 一輻條周圍的電磁鐵。 第1Β圖為對應於第1Α圖之一頂視圖。 第2A圖為本發明第二實施例之電漿反應器之側視圖， 此實施例使用一具有多數徑向輻條之磁鈪形狀的永久磁鐵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8 n· 1— I m -I- m n n· <i m !— tn LI m lr T n n In n ....... tn ' * ( •· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) Ο 第2B圖係對應於第2A圖之一頂視圖。 第3A圖為一相似於第2A圖之實施例的電漿反應器側視 圖，其中頂部板係以一頂部電極取代。 第3B圖係實施第3A圖之實施例之一方式的明|1_。 第4圖係一繪示第1A圖之腔室中的磁力線的侧視圖。 第5A，5B和5C圖為描繪電漿離子密度在頂部下方之各 水平平面之徑向分佈的曲線圖。 參閲第1A和1B圖，一 MERIE電漿反應器包括一腔室10 ，此腔室具有一支持座12M供支持一工作件諸如一半導體 晶片於腔室內。氣體入口 16供給一處理氣體（諸如一蝕刻 氣體）至腔室10內部。一被連接於支持座與地面之間的RF 電源18提供之電力Μ將腔室内之處理氣體離子化而提供並 維持一電漿於其内。電源18包括習知之阻抗匹配電路以在 電源18之輸出阻抗和腔室中之電漿所提供之負載阻抗之間 維持一阻抗匹配。腔室10係由一鋁、矽或石英所製成之圓 形頂部20，一圓筒形鋁側壁22和一底面24所圍繞。典型地 ，腔室10之頂部20和側壁22係被接地。-真空泵25控制腔 室10内部的壓力。 依據本發明，頂部20具有一向上延伸之環形凹處30。 此環形凹處30係Μ —内周圍壁32和外周圍壁34爲側面。處 理氣體和電漿充滿腔室10包括環形凹處30之內部。為了此 一目的，處理氣體入口 16可終止於一位於頂部20中的氣體 分配蓮篷頭36。蓮篷頭36例如可由聚四氟乙烯塑料形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 25>7公釐） 9 ^ϋ' —^^1· HI —^n ml ml n n^i In HI h nn —kn 一eJI - -1 — - n^n ml (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 i、發明説明（7 ) 一在腔室10内部被提供在頂部20上方的磁場源40包括 一磁軛42,此磁轭具有分別朝向環形凹處30之内、外周圍 壁32，34之外部表面的內、外周圍表面44, 46。磁軛42進 一步包括多數徑向輻條48，每一輻條48之兩端係被連接於 内、外周圍表面44 , 46之間。磁軛42之内周圍表面最好界 定一穀49*徑向輻條48由此轂發源。外周圍表面46界定一 輪50，徑向輻條48終止於此輪。在此較佳之實施例中，磁 扼42不具有放久磁性。反之，每一輻條48具有一約三十圈 沿輻條48等間隔之電磁繞組52。此提供一在磁軛42之内周 圍表面44具有一磁極（例如北極），且在外周圍表面46具 有相反磁極（例如南極）之磁場。繞組52係圍繞各輻條48 之徑向軸的單一導線。一電流源54提供在頂部20下方產生 一 500高斯磁場所需之電流。此電流源54可提供一 A.C.，D .C.或RF電流。 環形凹處30之頂表面可Μ—傾角0向上朝中心傾斜Μ 提供一圓錐形横截面，且徑向輻條48亦同樣地傾斜，如第 1Α圖中所繪示。此傾斜之目的是為了彌補由磁場源40所造 成之磁場的固有不一致性，此磁場傾向於在中心較強而在 接近頂部之周圍較弱。較佳地，環形凹處30之傾角0是在 30度至4 5度的範圍內。磁力線Μ傾角0直線延伸通過内、 外壁32，34之間的環形凹處30。結果，極少或沒有磁場到 達底下的工作件，此為一重大之優點。 在環形凹處內部之電漿的一電子被加在支持座12上之 RF電源W—大致垂直方向（在支持座12與頂部20之間）加 1· 1 1^1^1 nn ml ^^^1 *^^1— In 1^11 i^n 1...... tru I —«I--nn i (m In nn -I - -- » (請先閱_讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 10

309693 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（8 ) 速，水平延伸通過各内部環形凹處30之MERIE磁場造成電 子完成一繞一大致上垂直之軸的螺旋形蓮動。此一電子之 額外（螺旋形）運動產生一與處理氣體之中心粒子（分子 ，自由基）的較大董離子化碰撞，藉Μ提高腔室10内部之 内環形凹處30中之電漿離子產生。此在毋需增加RF源18之 功率之下提高整個腔室10中的電漿離子密度，因此在對晶 片之離子撞擊損傷方面未有一成比例的增加。 如果在腔室10内部之處理氣體包括一蝕刻劑諸如氟， 此一離子化程序產生氟離子和自由基而與某些材在晶片表 面上的材料（舉例而言，諸如矽襯墊，多晶矽層或二氧化 矽層）反應並將其蝕刻。因此*在一蝕刻程序中，較大的 電漿離子密度提供一較大之蝕刻速率而不會對晶片有成比 例的較大離子撞擊損傷。 第1Α和1Β圖之MERIE反應器的一項勝於習知MERIE反應 器之優點是磁場具有遠為較大之一致性且實際上為徑向對 稱者。此係由於包括徑向輻條48之磁軛42具有徑向對稱性 。結果，實際上在磁埸中沒有使電子或離子集中於接近晶 片表面的隅角，因此電漿離子密度更一致。此一電漿離子 密度之較大一致性在橫跨晶片表面之蝕刻速率上提供遠較 為大之一致性。，此為一重大優點。此種增加之一致性的 另一優點是其減低了電荷積聚及電荷損傷或擊穿損傷（在 晶片之微電子構造上），該種損傷在習知MERIE電漿反應 器中係由磁場之隅角或離子或電子之集中而造成。 第1A和1B圖之MERIE反應器的另一優點是MERJE磁場大 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 11 ------------裝----------訂-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 致上限制於環形凹處30内部且向離開頂部20方向迅速減少 (約成距離之平方）而使得在晶片處僅有極小或無磁場。 因此，不論有何種不均一可能存在於磁場對晶片表面影堪 極撤或無直接影堪。此減少了任何的磁場角隅效應Μ及電 荷集中在晶片表面，因而減少晶片表面上之徹電子構造的 電荷積聚Μ及電荷損傷。 對一特定電漿離子密度而言，加在晶片支持座12上的 RP電源可能隨著磁場源40之導人而減少，由於藉磁場源所 生成之MERIE磁場提高電漿離子了密度。結果，腔室頂部 和壁的濺射較少。一項優點是腔室頂部和壁的濺射減少可 減少被導入腔室10Μ及晶片上的濺射物質量，該物質會干 播蝕刻程序。例如，若頂部為石英且正被實施於晶片上之 程序為二氧化矽蝕刻程序，則由頂部所濺射之石英的某些 部分沈積在晶片表面上且與蝕刻程序相競爭，俥減少蝕刻 速率。（頂部20之濺射亦消耗腔室10之一昂貴組成部分） 。作為另一個資例，如果處理氣體包括[卩3或[卩6，在内部 頂部表面上由之所形成的聚合物材料可能被濺射至晶片表 面上，因而污染晶片表面上的撒電子装置。這些問題在本 發明中藉減少濺射而解決。 第1Α和1Β圖之實施例的又一優點是腔室操作壓力具有 一比感耦電漿反應器寬得多的範圍（1-350毫托）（其壓 力範圍大抵限制在5-20毫托）。 依據第1Α和1Β圖之實施例處理一8_英吋（20公分）直 徑半導體晶片的一棰實施方式，晶片支持座12具有一約8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 i線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 英时（20公分）之直徑，腔室具有一約12英时（30公分） 之直徑且每一徑向輻條48之外側直徑為大約1英吋（2. 5公 分）。環形凹處30之高度在大約爲1英时（2. 5公分）且環 形凹處之寬度為大約3英吋（7·5公分）。每一徑向輻條十 周圍之撓組包括有三十圈且由電流源54所加之電流係能在 頂部20之正下方產生一約500高斯之磁場強度。在此一實 施方式中，被加給晶片支持座12之RF電力大約是13.56MHz 1000瓦特且處理氣體（HF)滾速在一腔室壓力約_毫托 時為_〇 第2A和2B圖繪示另一具有第1A和1B圖之實施例優點的 實施例，但其中輻條48爲永久磁鐵，消除了第1A和1B圖中 繞組50與電流源52的需要。如同前文中所述，MERIE磁場 之徑向對稱減少或消除磁場角隅Μ及離子/電子集中在晶 片表面。第2Α和2Β圖之實施例一的MERIE磁場相當淺（如 同第1Α和1Β圖之實施例）因此晶片在MERIE磁場之範圍以 外，藉此可避免在晶片表面上的任何離子集中以及晶片表 面上的任何電荷損傷。晶片係在磁場之有效範圍下方，如 同第2Α和2Β圖所示，主要的MERIE磁場之磁力線聚集在晶 片和晶片支持座12高度的上方。 在第3A圖之實施例中，頂部20係以一在磁場源40下方 的頂部電極80取代。此頂部電極80係由一非磁性導電材料 (諸如多晶矽或鋁）所形成。實施第3A圖的一種方式為將 RF電源連接到支持座丨2和頂部電極80。較佳地，頂部電極 80係與腔室10之何任接地表面諸如圓筒形側壁22電絕緣。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· ,ιτ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐〉 13

Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五 '發明説明（11 ) 第3B圖繪示利用由Hong Chi ng Shan等人於 提 出之美國專利申請案號第08/ 名稱“ ”所揭露之發明.的另一棰實施第3A圖實施例的方式 (APM docket 791)。在此一實施方式中，RP電源18被連 接至一線圈電感器82M及支持座12和頂部電極80。此線圈 電感器82具有一可移動之接地抽頭84，其沿著電感器82之 位置決定RF電源在支持座12和頂部電極80之間的分配。較 佳者為將較大的RF電源部分加在晶片支持座12上而較小部 分加在頂部電極80上。為達成此一目的，接地抽頭84在一 與頂部電極80之接線較接近而距離與晶Η支持座12之接線 較遠之處接觸線圈電感器82上之一繞組。 第4圔為第1Α圖之腔室之一側視圖，繪示MERIE磁場之 場力線。第5A，5B和5C圖為說明在頂部20下方三個不同水 平面處（分別對應於第4圖中之平面A，B和C)之電漿離子 密度為其和腔室中心之徑向距離之函數的圖表。由於增加 之離子產生量係受MERIE磁場強度影湛，故在一特定徑向 位置的電漿離子密度為在該同一徑向位置之MERIE磁場強 度的函數。最接近頂部處，磁場--M及曲線A之電漿離子 密度分佈隨箸半徑增加而減少，因徑向輻條48之間的距 離隨半徑減少。磁場--以及電漿離子密度一接近磁軛40之 内周圍表面達一最大值且接著在中心迅速突然減少。電漿 離子密度之增加可藉由形成傾角0之圖錐形之環形凹處30 而被抵銷，傾角0作最佳之調整Μ提供最適當之抵銷。此 使磁場強度之徑向變動最小化。電漿離子密之徑向變動由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、1Τ 線

A7 B7 五、發明説明（l2 ) 於離子撗散而隨著與頂部之距離而漸消失（第5B圖），在 理論上接近晶片表面（第5C圖）變動已接近消失。為達成 此一最佳狀況，傾角0在一特定反應器之設計階段由熟練 之工人利用試誤法調整至獲得所需要之條件為止。較佳地 ，此傾角Θ在30至45度範圍内。 雖然在本文中已藉由參照特定之較佳實施例詳細說明 ，應瞭解的是在不脫離本發明之真正精神與範圍之下仍可 能有所變化及修改。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（13 ) 元件標號對照表 腔室......... ......10 磁場源......... .....40 支持座....... ......12 磁軛.......... .....42 氣體入口..... ......16 内周圍表面.... .....44 電源......... ......18 外周圍表面.... .....46 頂部......... ......20 m............ .....49 側壁......... ......22 輻條.......... .....48 底面......... ......24 H............ .....50 真空泵....... ......25 電磁繞組...... .....52 環形凹處..... ......30 電流源........ .....54 內周圍壁..... ......32 頂部電極...... .....80 外周圍壁..... ......34 線圈電感器.... .....82 蓮篷頭....... ......36 ----------私衣-------ΪΤ----- (請先M-讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 1.—種處理一工作件之電漿反應器，包括： 一反應器腔室包括一頂部，此頂部具有一被內、 外周圍側壁所限制之環形凹處； 一支持座Μ供支持該工作件於該腔室内之該頂部 下方； 一通入該腔室之處理氣體供給入口； 一耦合至該支持座之RF電漿電源；以及 一在該腔室外部且接近該頂部之磁場源，在該環 形凹處内提供一相對該腔室之一對稱軸的徑向對稱磁 場，該徑向對稱磁場具有一型態之磁極朝向該内周圍 壁，以及另一型態之磁極朝向該外周圍壁俾加给一大 抵直線地穿過該環形凹處之磁場。 2_如申請專利範圍第1項之反應器，其中該環形凹處具 有一圓錐形横截面，此圓錐形有一朝向一上方頂點之 傾角。 3 ·如申請專利範圍第2項之反應器，其中該傾角對應於 沿該腔室之一水平面的最佳磁場一致性。 4. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該磁場源包括 一磁轭，此磁軛包含數個徑向輻條位於該頂部之上且 位置對稱於該環形凹處之對稱軸，且内、外周圍磁軛 表面分別朝向該環形凹處之内、外周圍側壁，每一該 徑向輻條包括一對分別連接於該内、外周圍磁軛表面 之端部。 5. 如申請專利範圍第4項之反應器，進一步包括電磁嬈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） -.,17- --I - I I ] - I I - ί — —Γ ^-----, 線 ·* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 气 mk\ 申請專利範圍 組在每一該徑向輻條周圍以及一電流源連接至該繞組 以供给電滾j 輻條周圍之電磁繞組Μ及一經由該繞組被連接以供给 電流之電流源。 6-如申請專利範圍第4項之反應器，其中該徑向輻條包 括永久磁鐵。 7·如申請專利範圍第丨項之反應器，其中該徑向對稱磁 場穿透該頂部至該腔室内達一淺深度，且其中該頂部 在工作件上的高該深度 8 .如申請專利範圍第之反應器，其中該電流源供給 下列之一：— 流，（b) — A.C.電流以及（c) —R F電流。 9-如申請專利範圍第丨項之反應器，其中該頂部包括一 頂部電極，該RF電源係被連接至該支持座與該頂部電 極。 10. 如申請專利範圍第9項之反應器，進一步包括一在該 支持座與該頂部電極之間分配來自RP電源之電力的電 路。 11. 如申請專利範圍第10項之反應器，其中該電路包括一 連接通過該RF電源之線圈電感器Μ及一連接該線圈電 感器之一選擇繞組至地面的可移動接地抽頭。 12. 如申請專利範圍第1項之反應器，進一步包括一在該 頂部之一部分中的蓮篷頭處理氣體入口，係由該内周 圍側壁所包圍。 不纸浪尺.变通用中S蜀家標注（CNS ) Α4洗格（210X29?公釐） ---------^--------1T------^ (#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 18 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 309693 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 13. —種可供處理一工作件之電漿反應器，包括： 一反醮器腔室包括一頂部*此頂部具有一被內、 外周圍側壁所限制之環形凹處； 一支持座Μ供支持該工作件於該腔室内之該頂部 下方； 一通入該腔室之處理氣體供给入口； 一耦合至該支持座之RF電漿電源；以及 一在該腔室外部且接近該頂部之磁場源，包括具 有一型態之磁極朝向該内周圍壁，以及一相反型態之 磁極朝向該外周圍壁俾加给一大抵直線地穿過該環形 凹處之磁場。 14. 如申請專利範圍第13項之反應器，其中該環形凹處具 有一有一朝向一向上頂點之傾角的圖錐形横截面。 15. 如申請專利範圍第14項之反應器，其中該傾角對應於 沿該腔室之一水平面的最佳磁場一致性。 16. 如申請專利範圍第13項之反應器，其中該磁場源包括 一磁軛，，此磁軛包含數個徑向輻條位於該頂部之上 且位置對稱於該環形凹處之對稱軸，且内、外周圍磁 軛表面分別朝向該環形凹處之内、外周圍側壁，每一 該徑向輻條包括一對分別連接於該內、外周圍磁輛表 面之端部。 17. 如申請專利範圍第16項之反應器，進一步包括電磁撓 組在每一該徑向輻條周圍以及一電流源連接至該繞組 Μ供給電滾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I I I I I I I I i I I I ί I I 訂 I I I I n 線 請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 - D8 六、申請專利範圍 18·如申請專利範圍第16項之反應器，其中該徑向輻條包 括永久磁鐵。 19.如申請專利範圍第13項之反應器，其中該徑向對稱磁 場穿透該頂部至該腔室內逹一淺深度，且其中該頂部 在工作件上的高度超過該深度。 20 _如申請專利範圍第17項之反應器，其中該電流源供給 下列之一 ：（a) — D.C.電流，（b) — A.C.電滾Μ及（c) —R F電流。 21·如申請專利範圍第13項之反應器，其中該頂部包括一 頂部電極，該RF電源係被連接至該支持座與該頂部電 極。 22. 如申請專利範圍第21項之反應器，進一步包括一在該 支持座與該頂部電極之間分配來自RP電源之電力的電 路。 23. 如申請專利範圍第22項之反應器，其中該電路包括一 連接通過該RF電源之線圈電感器以及一連接該線圈電 感器之一選擇嬈組至地面的可移動接地抽頭。 24. 如申請專利範圍第13項之反應器，進一步包括一在該 頂部之一部分中的蓮篷頭處理氣體入口，係由該内周 圍側壁所包圍。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 11 n I I I ^ n I .1 L^ I n 線 ^請先ik讀背面之注意事項再填寫本頁) - 20 _