TW202434869A - 可撓曲感測器 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供了一種可撓曲感測器，其可從一第一狀態被拉伸為一第二狀態。所述可撓曲感測器包括一可拉伸基板以及複數個感測元件。可拉伸基板具有複數個島狀部分和複數個橋狀部分，其中所述複數個橋狀部分中的至少一個橋狀部分連接所述複數個島狀部分中的相鄰兩個島狀部分。所述複數個感測元件設置在所述可拉伸基板的所述複數個島狀部分上。所述複數個橋狀部分中的所述至少一個在所述第一狀態下具有一第一長度並且在所述第二狀態下具有一第二長度，而所述第一長度不同於所述第二長度。
Description
本揭露涉及一種可撓曲感測器，特別是涉及一種具有基板的圖案設計的可撓曲感測器。
感測器(例如紅外線熱感測器或光感測器)可作為生物感測器。然而，現有的感測器的可撓曲性不佳，進而限制了感測器的應用情境。因此，如何改善熱感測器的可撓曲性對於本領域來說仍是一項重要的議題。
在一些實施例中，本揭露提供了一種可撓曲感測器，其可從一第一狀態被拉伸為一第二狀態。可撓曲感測器包括一可拉伸基板以及複數個感測元件。可拉伸基板具有複數個島狀部分和複數個橋狀部分，其中橋狀部分中的至少一個連接島狀部分中的相鄰兩個島狀部分。感測元件設置在可拉伸基板的島狀部分上。橋狀部分中的至少一個在第一狀態下具有一第一長度並且在第二狀態下具有一第二長度，而第一長度不同於第二長度。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。本揭露中所敘述之電連接或耦接皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上組件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的組件、或上述組件的組合，但不限於此。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。申請專利範圍中可不使用相同術語，而依照申請專利範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在申請專利範圍中可能為第二組成元件。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此爲限。
另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
此外，用語“給定範圍爲第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。
本揭露的電子裝置可包括感測裝置，例如熱感測器。電子裝置可為可彎折、可撓曲或可拉伸的電子裝置。例如，本揭露的電子裝置可包括可撓曲感測器。本揭露的電子裝置可應用到顯示裝置、背光裝置、天線裝置、拼接裝置或其他適合的電子裝置，但不以此為限。顯示裝置可例如包括筆記型電腦、公共顯示器、拼接顯示器、車用顯示器、觸控顯示器、電視、監視器、智慧型手機、平板電腦、光源模組、照明設備或例如為應用於上述產品的電子裝置，但不以此為限。天線裝置可包括液晶天線裝置或其他適合的天線裝置。拼接裝置可例如包括顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可包括電子單元，其中電子單元可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體、感測器、積體電路等。二極體可包括發光二極體或光電二極體或變容二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)或無機發光二極體(in-organic light emitting diode)，無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。須注意的是，本揭露的電子裝置可為上述裝置的各種組合，但不以此為限。
請參考圖1到圖3，圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的俯視示意圖，圖2為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線A-A’的剖視示意圖，圖3為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線B-B’的剖視示意圖。根據本實施例，電子裝置100可包括可拉伸基板FS、設置在可拉伸基板FS上的電路結構CS以及設置在可拉伸基板FS上的複數個感測元件SE，但不以此為限。在本實施例中，電子裝置100可包括可撓曲感測器FD。在此情形下，感測元件SE可包括任何適合的熱感測元件或光感測元件，而電路結構CS可包括用於驅動熱感測元件或光感測元件的任何適合的電子元件。在一些實施例中，感測元件SE可包括其他類型的感測器。下文將以可撓曲感測器FD包括溫度感測器(或熱感測器)為例說明可撓曲感測器FD的各元件和膜層的結構。
可拉伸基板FS可包括可撓曲基板或至少部分為可撓曲基板。可拉伸基板FS的材料可包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料、或上述材料的組合。須注意的是，雖然圖2中可拉伸基板FS是以單層示出，但本實施例並不以此為限。在一些實施例中，可拉伸基板FS可包括多層結構。
可拉伸基板FS可為圖案化基板，包括複數個島狀部分IP以及複數個橋狀部分BP，其中複數個橋狀部分BP中的至少一個可連接相鄰兩個島狀部分IP。具體來說，如圖1所示，可拉伸基板FS的島狀部分IP可連接到至少一個橋狀部分BP，並藉由其所連接到的橋狀部分BP而連接到另一個島狀部分IP。如圖1所示，島狀部分IP可具有矩形形狀，而橋狀部分BP可具有條狀形狀，但不以此為限。在一些實施例中，島狀部分IP可具有圓形或其他適合的形狀。在一些實施例中，橋狀部分BP可包括具有弧形邊緣或非尖形邊緣的任何適合的非條狀形狀。島狀部分IP可配置為能在其上設置感測元件SE。在本實施例中，複數個感測元件SE設置在複數個島狀部分IP上。換言之，感測元件SE可對應於島狀部分IP設置，或是說設置在島狀部分IP上。此處的“感測元件SE對應於島狀部分IP設置”可指感測元件SE在可撓曲感測器FD的俯視方向(即方向Z，之後不再贅述)上重疊於或至少部分重疊於島狀部分IP。例如，在本實施例中，感測元件SE在可撓曲感測器FD的俯視方向上可重疊於島狀部分IP。下述關於“對應”的定義可參考上文，不再贅述。在本實施例中，如圖1和圖2所示，每一個感測元件SE可分別對應於島狀部分IP的其中一個設置，但不以此為限。換言之，一個感測元件SE可設置在一個島狀部分IP上。橋狀部分BP可配置為能改變其所連接的相鄰的島狀部分IP之間的距離。舉例來說，當可撓曲感測器FD產生形變(例如被拉伸)時，橋狀部分BP可產生變形，使得橋狀部分BP的尺寸(例如長度)可因形變而改變，藉此改變島狀部分IP之間的距離，但不以此為限。另一方面，藉由不同的圖案化設計，可設計出具不同尺寸的橋狀部分BP，進而改變相鄰的島狀部分IP之間的距離。換言之，島狀部分IP可提供設置於其上的感測元件SE的支撐效果，而橋狀部分BP可提供可撓曲元件FE本身的拉伸效果。
在本實施例中，在可撓曲感測器FD的俯視圖中，可拉伸基板FS的島狀部分IP可透過可拉伸基板FS的圖形具有急遽寬度變化的位置所定義，但不以此為限。具體來說，在可撓曲感測器FD的俯視圖(如圖1所示)中，可拉伸基板FS在島狀部分IP的邊緣EE處可具有急遽寬度改變，而由邊緣EE圍繞出的區域可定義為島狀部分IP的區域。例如，如圖1所示，可拉伸基板FS在一個島狀部分IP的邊緣EE1、邊緣EE2、邊緣EE3和邊緣EE4處的寬度急遽下降，而邊緣EE1、邊緣EE2、邊緣EE3和邊緣EE4所圍繞出的區域可定義為一個島狀部分IP的區域（即寬度未下降的區域定義為島狀部分IP），但不以此為限。在其他實施例中，島狀部分IP的區域可透過其他適合方式定義。在定義出島狀部分IP的區域後，可拉伸基板FS中除了島狀部分IP外的其他部分可定義為橋狀部分BP。具體來說，可拉伸基板FS中位於兩個相鄰的島狀部分IP之間的部分可定義為一個橋狀部分BP。或是說，一個橋狀部分BP的兩端可分別對應到相鄰的兩個島狀部分IP的邊緣EE。例如，如圖1和圖2所示，一個橋狀部分BP可定義為可拉伸基板FS在邊緣EE5和邊緣EE6之間的一部分，但不以此為限。
可撓曲感測器FD可透過拉伸可拉伸基板FS而產生形變。在此情形下，可撓曲感測器FD可被拉伸以貼附到任何適合的表面，例如曲面。如此，可增加可撓曲感測器FD的應用情境。具體來說，在本實施例中，可撓曲感測器FD可從一第一狀態被拉伸為一第二狀態。第一狀態可指可撓曲感測器FD未被拉伸時的狀態，例如圖1的第一狀態I所示。第二狀態可指可撓曲感測器FD以任意方式被拉伸後的狀態，例如圖1的第二狀態II所示。換言之，在第一狀態I時，可撓曲感測器FD的可拉伸基板FS可為未受到外力拉伸；而在第二狀態II時，可撓曲感測器FD的可拉伸基板FS可為受到外力拉伸而產生形變。如上文所述，由於可拉伸基板FS可藉由橋狀部分BP的變形而產生形變，橋狀部分BP的長度可因拉伸可拉伸基板FS而改變。在此情形下，一橋狀部分BP在第一狀態I下的長度和該橋狀部分BP在第二狀態II下的長度可不同。例如，如圖1所示，橋狀部分BP的其中一個在第一狀態I下可具有第一長度L1，而該橋狀部分BP在第二狀態II下可具有第二長度L2，其中第一長度L1不同於第二長度L2。在一些實施例中，第二長度L2可大於第一長度L1。在本實施例中，橋狀部分BP的長度可例如透過以下方式定義，但本揭露並不以此為限。在一實施例中，在可撓曲感測器FD的俯視圖中，一橋狀部分BP的長度可定義為該橋狀部分BP的兩端所對應到的邊緣EE之間的距離。例如，圖1中橋狀部分BP的第一長度L1可定義為邊緣EE5和邊緣EE6之間的距離。在一些實施例中，在可撓曲感測器FD的剖視圖中(如圖2所示)，相鄰的兩個島狀部分IP的邊緣EE(例如邊緣EE5和邊緣EE6)之間可定義出一橋狀部分BP，而該橋狀部分BP的長度(例如第一長度L1或第二長度L2)可定義為該橋狀部分BP的下底長度，或是說鄰近於支撐膜SUF的一側的長度。在一實施例中，可撓曲感測器FD還可包括支撐膜SUF，其中支撐膜SUF對應橋狀部分BP的部分可被移除並形成斷面(section)，如圖2所示。在此情形下，在可撓曲感測器FD的剖視圖中，橋狀部分BP的長度亦可定義為支撐膜SUF的斷面之間的距離。在其他實施例中，橋狀部分BP的長度可透過其他適合的方式定義，本揭露並不以此為限。
需注意的是，圖1所示的可拉伸基板FS的形狀僅為示例性的，本揭露並不以此為限。
根據本實施例，可撓曲感測器FD可包括至少一開口區域OPR。具體來說，可先定義出可撓曲感測器FD中島狀部分IP和橋狀部分BP所對應到的區域，而可撓曲感測器FD除了上述區域外的其他區域可定義為開口區域OPR，但不以此為限。另一方面，相鄰的島狀部分IP和橋狀部分BP所連接圈出的區域也可以定義為開口區域OPR。在本實施例中，如圖1所示，可拉伸基板FS可被圖案化以形成複數個島狀部分IP和複數個橋狀部分BP，而在可拉伸基板FS的圖案化製程中可在可拉伸基板FS中形成複數個開口OP1。具體來說，可先設置一整層可拉伸基板FS的材料層，並移除可拉伸基板FS的材料層對應於可撓曲感測器FD的開口區域OPR的一部分以形成開口OP1，藉此形成可拉伸基板FS，但不以此為限。在此情形下，開口OP1可對應到開口區域OPR。
在可撓曲感測器FD的俯視圖中，可撓曲感測器FD的開口區域OPR可被島狀部分IP和橋狀部分BP的其中複數個包圍。例如，如圖1所示，開口區域OPR可被四個島狀部分IP和四個橋狀部分BP包圍，或是說可透過四個島狀部分IP和四個橋狀部分BP圍繞出開口區域OPR的範圍，但不以此為限。在此情形下，四個島狀部分IP可設置在一個開口區域OPR的周圍。需注意的是，上述的開口區域OPR與島狀部分IP和橋狀部分BP的位置關係僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在其他實施例中，可拉伸基板FS可具有不同形狀，而開口區域OPR周圍的島狀部分IP和橋狀部分BP的數量可根據可拉伸基板FS的形狀而定。
圖2和圖3示出了可撓曲感測器FD的剖視示意圖。具體來說，圖2示出了可撓曲感測器FD沿經過島狀部分IP和橋狀部分BP的切線(即切線A-A’)的剖視圖，而圖3示出了可撓曲感測器FD沿經過島狀部分IP和開口區域OPR的切線(即切線B-B’)的剖視圖。詳言之，圖2示出了可拉伸基板FS的一個橋狀部分BP和透過該橋狀部分BP而彼此連接的兩個相鄰的島狀部分IP。此外，如圖3所示，由於本實施例的可拉伸基板FS對應於開口區域OPR的一部分可被移除，可拉伸基板FS可包括對應於開口區域OPR的開口，即上述的開口OP1。
如圖2(和圖3)所示，電路結構CS可設置在可拉伸基板FS上。在本實施例中，電路結構CS可對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP設置，或是說電路結構CS可設置在島狀部分IP上。具體來說，電路結構CS可包括複數個子電路結構SC，分別對應設置在島狀部分IP的其中一個的表面上。換言之，一個子電路結構SC可設置在一個島狀部分IP的表面上。在本實施例中，電路結構CS可透過圖案化製程以形成複數個子電路結構SC。電路結構CS可包括各種可應用於可撓曲感測器FD的導線、電路、主動元件和/或被動元件。例如，電路結構CS可包括驅動單元DU，其中驅動單元DU可電連接到可撓曲感測器FD中的任何適合的電子元件。例如，驅動單元DU可電連接到感測元件SE，藉此驅動其所電連接的感測元件SE，但不以此為限。驅動單元DU可例如包括薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，但不以此為限。具體來說，本實施例的電路結構CS可包括半導體層SM、導電層M1和導電層M2，其中半導體層SM可形成驅動單元DU的通道區CR、源極區SR以及汲極區DR，而導電層M1可形成驅動單元DU的閘極電極GE。導電層M2可位於導電層M1上，並可例如形成分別電連接到源極區SR和汲極區DR的源極電極SOE和汲極電極DOE。半導體層SM可包括半導體材料。半導體材料例如包括矽或金屬氧化物，例如為低溫多晶矽(low temperature polysilicon，LTPS)半導體、非晶矽(amorphous silicon，a-Si)半導體、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)半導體、或上述的組合，例如低溫多晶氧化物（low temperature polysilicon oxide，LTPO），但不以此為限。導電層M1和導電層M2可包括任何適合的導電材料，例如金屬材料，但不以此為限。如圖2所示，本實施例的電路結構CS還可包括設置在可拉伸基板FS上的絕緣層IL1、位於半導體層SM和導電層M1之間的絕緣層IL2和位於導電層M1和導電層M2之間的絕緣層IL3。絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3可包括任何適合的絕緣材料，例如有機絕緣材料或無機絕緣材料。在一些實施例中，絕緣層IL1可作為緩衝層。絕緣層IL2可例如為驅動單元DU中的閘極絕緣層。需注意的是，圖2(和圖3)所示的電路結構CS的結構僅為示例性的，本實施例並不以此為限。
具體來說，可先在可拉伸基板FS上形成連續的電路結構CS，並接著對電路結構CS進行一圖案化製程以形成複數個分別對應到島狀部分IP的子電路結構SC。在本實施例中，子電路結構CS的每一個可分別包括至少一個驅動單元DU，而子電路結構CS中的驅動單元DU可電連接到對應於該子電路結構的感測元件SE。詳言之，在一子電路結構CS中的驅動單元DU可電連接到設置在該子電路結構CS所位於的島狀部分上的感測元件SE。例如，如圖2所示，在本實施例中，一個島狀部分IP上可設置有一個感測元件SE，而設置在該島狀部分IP的表面上的子電路結構SC可包括至少一驅動單元DU(例如一個，但不以此為限)，電連接到該感測元件SE。在其他實施例中，當一個島狀部分IP上設置有多個感測元件SE時，設置在該島狀部分IP的表面上的子電路結構SC可包括複數個驅動單元DU，分別電連接到該些感測元件SE。
根據本實施例，如圖2和圖3所示，電路結構CS可不對應於開口區域OPR和可拉伸基板FS的橋狀部分BP設置。需注意的是，此處的“電路結構CS不對應於橋狀部分BP和開口區域OPR設置”可包括電路結構CS的絕緣層和導電層中的至少一層不對應於橋狀部分BP和開口區域OPR設置的情形。例如，如圖2和圖3所示，電路結構CS中的驅動單元DU或其他主動元件可不對應於橋狀部分BP和開口區域OPR設置。此外，如圖2所示，電路結構CS中的絕緣層(例如絕緣層IL1和絕緣層IL2)可不對應於橋狀部分BP設置。具體來說，在本實施例的電路結構CS的圖案化製程中，可將電路結構CS中的絕緣層IL1和絕緣層IL2對應到橋狀部分BP的部分移除，但不以此為限。再者，如圖3所示，電路結構CS中的導電層(包括導電層M1和導電層M2，但不以此為限)和絕緣層(包括絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3，但不以此為限)可不對應於開口區域OPR設置，但不以此為限。在一些實施例中，電路結構CS中的部分膜層可對應於開口區域OPR設置。透過使電路結構CS不對應於橋狀部分BP和/或開口區域OPR設置，可降低電路結構CS在可撓曲感測器FD形變時損壞的可能性，進而改善可撓曲感測器FD的可靠性。
根據本實施例，可撓曲感測器FD可包括至少一連接線CW，其中連接線CW可電連接分別位於相鄰兩個島狀部分IP上的感測元件SE，藉此在不同的島狀部分IP上的感測元件SE之間傳遞電訊號。具體來說，連接線CW可設置在可拉伸基板FS的至少一橋狀部分BP上，並可在該至少一橋狀部分BP上延伸。由於橋狀部分BP可連接兩個相鄰的島狀部分IP，而連接線CW可在橋狀部分BP上延伸，因此連接線CW的兩端可分別延伸到兩個相鄰的狀部分IP，並分別電連接到該兩個相鄰的島狀部分IP上的感測元件SE。具體來說，連接線CW的兩端可分別電連接到位於相鄰兩個島狀部分IP上的驅動單元DU，而位於該相鄰兩個島狀部分IP上的驅動單元DU可分別電連接到設置在該相鄰兩個島狀部分IP上的感測元件SE。如此，可透過連接線CW電連接不同的島狀部分IP上的感測元件SE。圖1示例性地示出了連接線CW在橋狀部分BP上延伸的情形，但連接線CW的數量和形狀並不以圖1所示為限。
在本實施例中，連接線CW可包括電連接到驅動單元DU的訊號線、可撓曲感測器FD中的其他適合走線或上述的組合，但不以此為限。例如，如圖1所示，連接線CW可包括掃描線SL和/或數據線DL。在本實施例中，一條掃描線SL可在複數個橋狀部分BP上延伸，藉此延伸經過複數個島狀部分IP。掃描線SL可大致上沿一方向延伸，例如方向X，但不以此為限。在此情形下，掃描線SL可經過沿方向X排列的複數個島狀部分IP。當掃描線SL經過一島狀部分IP時，其可電連接到該島狀部分IP上的驅動單元DU，例如電連接到驅動單元DU的閘極電極GE。換言之，在本實施例中，一條掃描線SL可電連接到沿方向X排列的複數個島狀部分IP上的驅動單元DU的閘極電極GE，但不以此為限。類似地，在本實施例中，一條數據線DL可在複數個橋狀部分BP上延伸，藉此延伸經過複數個島狀部分IP。數據線DL可大致上沿一方向延伸，例如方向Y，但不以此為限。在此情形下，數據線DL可經過沿方向Y排列的複數個島狀部分IP，並電連接到該些島狀部分IP上的驅動單元DU，例如電連接到該些驅動單元DU的源極電極DOE，但不以此為限。
在一些實施例中，連接線CW還可包括偏壓線BL，其中偏壓線BL可在橋狀部分BP上延伸，藉此電連接不同島狀部分IP上的感測元件SE的偏壓電極BE(細節於下文說明)，但不以此為限。
根據本實施例，如圖2所示，由於電路結構CS可不對應於可拉伸基板FS的橋狀部分BP設置，連接線CW可直接設置在橋狀部分BP上，即連接線CW可直接接觸橋狀部分BP。
在一些實施例中，如圖2所示，一個橋狀部分BP上可設置多條連接線CW，例如連接線CW1和連接線CW2，其中該些連接線CW可位於不同層，或是說由不同導電層所形成。例如，連接線CW1可與閘極電極GE同層，或是說可由導電層M1形成；連接線CW2可與源極電極DOE和/或汲極電極SOE同層，或是說可由導電層M2形成，但不以此為限。連接線CW1可與閘極電極GE在同一製程中形成，而連接線CW2可與源極電極SOE和/或汲極電極DOE在同一製程中形成，但不以此為限。連接線CW1可例如為上述的掃描線SL，而連接線CW2可例如為上述的數據線DL，但不以此為限。在此情形下，連接線CW1可直接設置在橋狀部分BP上，即連接線CW1直接接觸可拉伸基板FS的橋狀部分BP。連接線CW2設置在連接線CW1上。此外，連接線CW1與連接線CW2之間可設置有至少一絕緣層，例如上述的絕緣層IL3，但不以此為限。絕緣層IL3可隔絕連接線CW1和連接線CW2。具體來說，電路結構CS中設置在導電層M1和導電層M2之間的絕緣層IL3可延伸到橋狀部分BP並設置在連接線CW1和連接線CW2之間，但不以此為限。詳言之，在形成導電層M1(或閘極電極GE)的製程中可形成設置在橋狀部分BP上的連接線CW1，而在形成覆蓋導電層M1的絕緣層IL3時，絕緣層IL3可延伸到橋狀部分BP並覆蓋連接線CW1。如此，在形成導電層M2(或源極電極SOE/汲極電極DOE)的製程中可形成設置在絕緣層IL3上的連接線CW2，使得絕緣層IL3可隔絕連接線CW1和連接線CW2。需注意的是，在一些實施例中，連接線CW1和連接線CW2可設置其他絕緣層，並不以絕緣層IL3為限。除上述膜層外，電路結構CS的其他膜層(例如絕緣層IL1、絕緣層IL2、半導體層SM等)可不對應於橋狀部分BP設置。如此，可改善可撓曲感測器FD的可撓曲性，或是降低電路結構CS在可撓曲感測器FD形變時產生斷裂的可能性。
在一些實施例中，一橋狀部分BP上可僅設置一條連接線CW(例如連接線CW1、連接線CW2或其他連接線CW中的一者)，而該連接線CW可直接設置在該橋狀部分BP上，即直接接觸該橋狀部分BP。
根據本實施例，可撓曲感測器FD還可包括有機絕緣層OIL，其中有機絕緣層OIL設置在電路結構CS上。具體來說，如圖2(和圖3)所示，有機絕緣層OIL可設置在電路結構CS與感測元件SE之間。有機絕緣層OIL可包括任何適合的有機絕緣材料。有機絕緣材料可包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA))、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚醯亞胺以及聚酯、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、其它合適的保護材料或前述之組合，但不限於此。
根據本實施例，如圖2所示，有機絕緣層OIL可設置在橋狀部分BP上，或是說對應於橋狀部分BP設置。具體來說，如上文所述，由於電路結構CS可不對應於橋狀部分BP設置，有機絕緣層OIL可設置在橋狀部分BP上並覆蓋連接線CW，例如覆蓋連接線CW2。透過上述設計，有機絕緣層OIL可提供連接線CW的保護效果。此外，由於有機絕緣層OIL可具有較佳的彈性，可降低有機絕緣層OIL對於可撓曲感測器FD的可撓曲性的影響。在一些實施例中，有機絕緣層OIL可不對應於橋狀部分BP設置。
根據本實施例，如圖3所示，有機絕緣層OIL可不對應於可撓曲感測器FD的開口區域OPR設置。在此情形下，有機絕緣層OIL可為一圖案化膜層，而有機絕緣層OIL中可包括對應到開口區域OPR的開口OP2。在一些實施例中，有機絕緣層OIL可對應於開口區域OPR設置。在此情形下，有機絕緣層OIL可向下延伸並填入可拉伸基板FS的開口OP1。
如圖2(或圖3)所示，在本實施例中，電路結構CS(或子電路結構SC)可包括至少一凹槽RS。例如，電路結構CS的每一個子電路結構SC可包括一個凹槽RS，但不以此為限。在一些實施例中，一些子電路結構SC可包括凹槽RS，而另一些子電路結構SC可不包括凹槽RS。凹槽RS可透過移除電路結構CS(或子電路結構SC)的絕緣層的至少一部分所形成。例如，如圖2所示，本實施例的凹槽RS可透過移除絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3的一部分所形成，但不以此為限。在一些實施例中，凹槽RS可透過移除絕緣層IL2和絕緣層IL3的一部分所形成。在一些實施例中，凹槽RS可透過移絕緣層IL3的一部分所形成。根據本實施例，在可撓曲感測器FD的俯視圖中(如圖1所示)，凹槽RS可沿著島狀部分IP的邊緣設置。例如，凹槽RS可沿著島狀部分IP的邊緣EE1、邊緣EE2、邊緣EE3和邊緣EE4設置，但不以此為限。在可撓曲感測器FD的俯視圖中，設置在一島狀部分IP上的凹槽RS可圍繞設置在該島狀部分IP上的感測元件SE和驅動單元DU。換言之，在可撓曲感測器FD的俯視方向上，感測元件SE和驅動單元DU可位於凹槽RS圍出的範圍內且不重疊於凹槽RS。需注意的是，上述“凹槽RS圍繞驅動單元DU”可包括凹槽RS至少圍繞驅動單元DU的半導體層SM的情形，但不以此為限。
根據本實施例，有機絕緣層OIL可填入凹槽RS中，而有機絕緣層OIL填入凹槽RS的一部分可構成防斷裂結構AC，但不以此為限。換言之，防斷裂結構AC設置在凹槽RS內，而防斷裂結構AC的材料可包括有機絕緣材料(即有機絕緣層OIL的材料)。在此情形下，防斷裂結構AC可沿著島狀部分IP的邊緣設置，此外，在可撓曲感測器FD的俯視圖中，防斷裂結構AC可圍繞感測元件SE和驅動單元DU。凹槽RS可用於阻擋裂痕，以降低裂痕從凹槽RS處向內延伸並到達感測元件SE和/或驅動單元DU的情形。此外，由於凹槽RS中可設置包括有機絕緣材料的防斷裂結構AC，可降低電路結構CS的絕緣層中產生裂痕的可能性，進而改善可撓曲感測器FD的可靠性。需注意的是，雖然圖1示出了防斷裂結構AC包括環狀結構且重疊於連接線CW的結構，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，在可撓曲感測器FD的俯視圖中，防斷裂結構AC不重疊於連接線CW。在此情形下，防斷裂結構AC可包括複數個部分，而該些部分不重疊於連接線CW。
感測元件SE可對應於島狀部分IP且設置在有機絕緣層OIL上。在本實施例中，感測元件SE可包括絞鍊臂(hinge arm)HG、固定柱FP、吸收器(absorber)AB和熱敏電阻(thermistor)TH，但不以此為限。絞鍊臂HG設置在吸收器AB的兩側且連接於吸收器AB。熱敏電阻TH設置在吸收器AB上。位於吸收器AB的一側的絞鍊臂HG可具有一延伸部EP1，其中延伸部EP1可電連接到一接觸件CT，並透過該接觸件CT電連接到驅動單元DU。例如，可撓曲感測器FD可包括設置在有機絕緣層OIL上的導電層M3，其中導電層M3可形成接觸件CT。接觸件CT可填入穿過有機絕緣層OIL的穿孔V1並接觸驅動單元DU，例如接觸驅動單元DU的汲極電極DOE，藉此電連接到驅動單元DU。絞鍊臂HG的延伸部EP1可接觸於接觸件CT，藉此將感測元件SE電連接到接觸件CT。如此，可將感測元件SE電連接到驅動單元DU。位於吸收器AB的另一側的絞鍊臂HG可具有延伸部EP2，其中延伸部EP2可電連接到一偏壓電極(bias electrode)BE。偏壓電極BE可例如由設置在有機絕緣層OIL上的導電層M3所形成，但不以此為限。偏壓電極BE可提供一固定電壓，或是說提供一電訊號，而當吸收器AB接收到熱輻射時，熱敏電阻TH的電阻值可改變，進而改變接受到的電訊號，藉此達到感測熱的功能。固定柱FP可共形地設置在絞鍊臂HG的延伸部EP1和延伸部EP2上，但不以此為限。固定柱FP可用於固定絞鍊臂HG，藉此增加感測元件SE的可靠性。吸收器AB可包括鈦(titanium，Ti)、鈦化氮(titanium nitride，TiN)、其他適合的材料或上述材料的組合。熱敏電阻TH可包括釩氧化合物(VO
x)、非晶矽(amorphous silicon，a-Si)、其他適合的材料或上述材料的組合。絞鍊臂HG可包括鈦化氮、鈦、銅(copper，Cu)、鋁(aliminum，Al)、其他適合的材料或上述材料的組合。需注意的是，感測元件SE可包括任何適合的結構，並不以上述結構為限。
如上文所述，可撓曲感測器FD的連接線CW還可包括偏壓線BL，其中偏壓線BL可設置在橋狀部分BP上並電連接於不同的島狀部分IP上的偏壓電極BE之間，但不以此為限。偏壓線BL可與偏壓電極BE(即導電層M3)位於同一層或由相同導電層形成。偏壓線BL可與偏壓電極BE在同一製程中形成。如圖2所示，在一些實施例中，連接線CW還可包括連接線CW3，其中連接線CW3可設置在有機絕緣層OIL上。換言之，可透過有機絕緣層OIL隔絕連接線CW2和連接線CW3。連接線CW3可例如為上述的偏壓線BL，但不以此為限。換言之，連接線CW3可與偏壓電極BE位於同一層，或是說可由導電層M3形成。
根據本實施例，可撓曲感測器FD還可包括設置在感測元件SE上的光學元件層OEL。具體來說，如圖2(或圖3)所示，光學元件層OEL可包括複數個光學元件OE，而該些光學元件OE可分別對應到島狀部分IP的其中一個設置。換言之，一個島狀部分IP上可設置有一個光學元件OE，但不以此為限。在本實施例中，光學元件OE可包括非紅外線截止濾光片(non-IR cut filter)CFR、抗反射層ARF和絕緣層IN，但不以此為限。光學元件OE的設置可改善感測元件SE的精準度。具體來說，非紅外線截止濾光片CFR可用於過濾非紅外線的輻射，藉此降低感測元件SE接收到的雜訊，而抗反射層ARF可降低紅外線的反射。本實施例的非紅外線截止濾光片CFR可例如為帽蓋狀(cap-shaped)。例如，非紅外線截止濾光片CFR可包括水平部HP1和突出於水平部HP1的突出部PP1，但不以此為限。抗反射層ARF可設置在非紅外線截止濾光片CFR的兩側。具體來說，抗反射層ARF可設置在非紅外線截止濾光片CFR的水平部HP1的兩側。例如，抗反射層ARF可分別設置在非紅外線截止濾光片CFR的水平部HP1的表面S1和表面S2，但不以此為限。絕緣層IN可設置在位於非紅外線截止濾光片CFR的表面S2的一側的抗反射層ARF上。非紅外線截止濾光片CFR可例如包括矽，但不以此為限。絕緣層IN可例如包括聚醯亞胺，但不以此為限。
根據本實施例，光學元件OE可先在一載板上形成，而後以對位接合的方式設置在可拉伸基板FS的島狀部分IP上。具體來說，如圖2所示，可撓曲感測器FD可包括設置在有機絕緣層OIL上的密封金屬層SML1和設置在密封金屬層SML1上的密封材料層SSL1。密封金屬層SML1和密封材料層SSL1可例如在設置感測元件SE後才形成在有機絕緣層OIL上，但不以此為限。密封金屬層SML1和密封材料層SSL1的設置位置可根據光學元件OE的預定設置位置而決定。此外，在一載板上形成光學元件OE之後，可在光學元件OE上(例如，在非紅外線截止濾光片CFR的突出部PP1的表面上)設置密封金屬層SML2和密封材料層SSL2。接著，可使密封材料層SSL1對齊於密封材料層SSL2，並將密封材料層SSL2接合到密封材料層SSL1。如此，可將光學元件OE接合到可拉伸基板FS的島狀部分IP上。在本實施例中，密封金屬層SML1、密封材料層SSL1、密封金屬層SML2和密封材料層SSL2可構成密封元件SEL，即密封元件SEL可對應於島狀部分IP設置。具體來說，可撓曲感測器FD可包括複數個密封元件SEL，而該些密封元件SEL可分別設置在其中一個島狀部分IP上。根據本實施例，在可撓曲感測器FD的俯視圖中(如圖1所示)，密封元件SEL可沿著島狀部分IP的邊緣(例如邊緣EE1、邊緣EE2、邊緣EE3和邊緣EE4)設置，而密封元件SEL可圍繞感測元件SE和驅動單元DU。詳言之，設置在一島狀部分IP上的密封元件SEL可例如具有一封閉環形結構，而圍繞設置在該島狀部分IP上的感測元件SE和驅動單元DU。此外，在本實施例中，密封元件SEL還可圍繞凹槽RS(或是說防斷裂結構AC)，但不以此為限。
需注意的是，為了簡化附圖，圖3以及之後的附圖中僅示例性地示出密封元件SEL和光學元件OE，其結構可參考上文，故不再贅述。
如圖2所示，在將光學元件OE接合到島狀部分IP上並形成密封元件SEL之後，光學元件OE、密封元件SEL和有機絕緣層OIL 之間可形成一空間SP。空間SP可對應於島狀部分IP。具體來說，每一個島狀部分IP上可存在一空間SP。空間SP可用於容置感測元件SE，即感測元件SE可設置在空間SP中。在本實施例中，由於一個島狀部分IP上設置有一個感測元件SE，因此每個空間SP中可容置一個感測元件SE。根據本實施例，空間SP可處於真空狀態(vacuum)。如此，可降低熱能以其他方式傳遞到感測元件SE的情形，進而改善感測元件SE的精準度。
根據本實施例，可撓曲感測器FD還可包括支撐膜SUF，其中支撐膜SUF設置在可拉伸基板FS下。本實施例的支撐膜SUF可包括可撓曲基板或至少部分包括可撓曲基板。支撐膜SUF的材料可參考上述可拉伸基板FS的材料，但不以此為限。在一些實施例中，支撐膜SUF可與可拉伸基板FS包括相同材料。在一些實施例中，支撐膜SUF的材料可與可拉伸基板FS的材料不同。此外，雖然圖2(和圖3)中的支撐膜SUF是以單層示出，但本實施例並不以此為限。在一些實施例中，支撐膜SUF可包括多層結構。
根據本實施例，支撐膜SUF可對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP設置。具體來說，支撐膜SUF可設置在可拉伸基板FS的島狀部分IP下。支撐膜SUF可用於支撐位於其上的其他膜層和/或結構。換言之，透過使支撐膜SUF對應於島狀部分IP設置，可透過支撐膜SUF提供設置在島狀部分IP上的元件和/或膜層的支撐效果，例如子電路結構SC、感測元件SE和光學元件OE等。在本實施例中，支撐膜SUF可選用彈性較佳的材料，藉此改善可撓曲感測器 FD的可拉伸性。
根據本實施例，如圖2所示，支撐膜SUF可不對應於可拉伸基板FS的橋狀部分BP設置，但不以此為限。在一些實施例中，支撐膜SUF可對應於橋狀部分BP設置(例如圖11所示)。具體來說，支撐膜SUF可為一圖案化膜層，並可包括開口OP3，其中開口OP3可對應於橋狀部分BP。詳言之，可先在可拉伸基板FS下設置一整層支撐膜SUF的材料層，並在支撐膜SUF的圖案化製程中移除支撐膜SUF對應到橋狀部分BP的一部分以形成開口OP3。開口OP3可暴露出橋狀部分BP的表面，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，開口OP3可透過移除支撐膜SUF的一部分形成。在此情形下，支撐膜SUF可對應於橋狀部分BP設置，而支撐膜SUF對應到橋狀部分BP的部分的厚度可小於支撐膜SUF對應到島狀部分IP的部分的厚度。透過使支撐膜SUF不對應於橋狀部分BP設置，可改善可撓曲感測器FD的可撓曲性。
根據本實施例，如圖3所示，支撐膜SUF可對應於開口區域OPR設置。在此情形下，由於本實施例的電路結構CS和有機絕緣層OIL可不對應於開口區域OPR設置，支撐膜SUF對應於開口區域OPR的部分的表面可被暴露，但不以此為限。在一些實施例中，支撐膜SUF可不對應於開口區域OPR設置。需注意的是，雖然圖中未示出，可撓曲感測器FD還可包括對應於開口區域OPR設置的高分子材料。具體來說，高分子材料可填充於開口區域OPR中(例如可填滿開口區域OPR)。如此，可改善可撓曲感測器FD的可撓曲性。此處高分子材料對應於開口區域OPR設置的特徵可應用到本揭露各實施例與變化實施例的結構，之後不再贅述。
需注意的是，本實施例的可撓曲感測器FD的結構並不以上述內容和圖1到圖3所示結構為限，而可包括任何適合的元件和/或膜層。下文中將描述本揭露更多的實施例。為了簡化說明，下述實施例中相同的膜層或元件會使用相同的標註，且其特徵不再贅述，而各實施例之間的差異將會於下文中詳細描述。此外，圖1到圖3可視為僅繪示出部分的可撓曲感測器FD。例如，在一些實施例中，本揭露的可撓曲感測器FD可包括多個如圖1到圖3所示的重複結構，彼此相接，以下實施例亦同，不再贅述。
請參考圖4和圖5，圖4為本揭露第二實施例的電子裝置的俯視示意圖，圖5為本揭露第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖4僅示出了可拉伸基板FS的一個島狀部分IP及設置於其上的部分元件，而其餘元件和/或膜層在圖4中則被省略。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD1。根據本實施例，可撓曲感測器FD1的可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上可設置有複數個感測元件SE。此外，對應於一島狀部分IP設置的一子電路結構SC中可包括複數個驅動單元DU，分別電連接到設置在該島狀部分IP上的感測元件SE的其中一個。例如，如圖4所示，可撓曲感測器FD1的可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上可設置有四個感測像素SEP，但不以此為限。在本實施例中，一個感測像素SEP可例如由一個感測元件SE和電連接到該感測元件SE的驅動單元DU所定義。因此，圖1所示可為一個島狀部分IP上設置有一個感測像素SEP的結構。換言之，在本實施例的可撓曲感測器FD1中，一個島狀部分IP上可設置有四個感測元件SE。為了簡化附圖，圖4僅示例性地以方框示出感測像素SEP，而感測像素SEP所包括的感測元件SE和驅動單元DU的結構可參考上文及圖1到圖3所示結構，故不再贅述。在本實施例中，設置在一個島狀部分IP上的感測像素SEP(或是說感測元件SE)可例如以矩陣方式排列，但不以此為限。例如，圖4中設置在一個島狀部分IP上的感測像素SEP可排列成2*2的矩陣，但不以此為限。
根據本實施例，在可撓曲感測器FD1的俯視圖中(如圖4所示)，設置在一島狀部分IP上的密封元件SEL和防斷裂結構AC可沿著該島狀部分IP的邊緣設置，而密封元件SEL和防斷裂結構AC可圍繞設置在該島狀部分IP上的該些感測像素SEP，或是說圍繞設置在該島狀部分IP上的該些感測元件SE和驅動單元DU。此外，如圖5所示，由於可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上設置有多個感測元件SE，因此由密封元件SEL、光學元件OE和有機絕緣層OIL形成的一個空間SP中可容置多個感測元件SE。
在一些實施例中，如圖5所示，可撓曲感測器FD1還可包括一玻璃層UTG，其中玻璃層UTG可設置在光學元件層OEL上，或是說可設置在光學元件OE上。在本實施例中，玻璃層UTG可指厚度小於300微米(micrometer，μm)的玻璃層，但不此為限。在一些實施例中，如圖5所示，玻璃層UTG可為設置在光學元件層OEL上的一連續膜層。在一些實施例中，玻璃層UTG可為圖案化膜層，其中玻璃層UTG可對應於島狀部分IP設置。換言之，玻璃層UTG可設置在島狀部分IP上。在一些實施例中，雖然圖中未示出，玻璃層UTG與有機絕緣層OIL之間可填充可拉伸高分子材料。
需注意的是，雖然圖中並未示出可撓曲感測器FD1對應於開口區域OPR的結構，但其結構可參考圖3所示結構或本揭露其他實施例或變化實施例的結構，本揭露並不以此為限。
請參考圖6和圖7，圖6為本揭露第三實施例的電子裝置的剖視示意圖，圖7為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的俯視示意圖。為了簡化附圖，圖7僅示出了可拉伸基板FS的一個島狀部分IP及設置於其上的部分元件，而其餘元件和/或膜層在圖7中則被省略。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD2。根據本實施例，可撓曲感測器FD2還可包括支撐間隔體SPE，其中支撐間隔體SPE可對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP設置。具體來說，支撐間隔體SPE可設置在島狀部分IP上，並連接於有機絕緣層OIL與光學元件OE之間。換言之，支撐間隔體SPE可接觸有機絕緣層OIL和光學元件OE。一個島狀部分IP上可設置有一個或多個支撐間隔體SPE。在可撓曲感測器FD2的俯視圖中，支撐間隔體SPE可不重疊於感測元件SE。例如，本實施例的可撓曲感測器FD2的可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上可設置有複數個感測元件SE，而支撐間隔體SPE可設置在該些感測元件SE之間，或者支撐間隔體SPE可與感測元件SE錯位設置，但不以此為限。在一些實施例中，可撓曲感測器FD2的可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上可設置有一個感測元件SE，而支撐間隔體SPE可設置在該島狀部分IP上不對應於該感測元件SE的任何適合的位置。支撐間隔體SPE可提供設置在感測元件SE上的光學元件OE(或是說光學元件層OEL)的支撐效果，以改善可撓曲感測器FD2的可靠性。
在一些實施例中，如圖7所示，可撓曲感測器FD2的可拉伸基板FS的一個島狀部分IP上可設置有多個感測像素SEP(即設置有多個感測元件SE)，而該些感測像素SEP可以矩陣方式排列。在此情形下，支撐間隔體SPE可設置在該些感測像素SEP的間隙GP中。例如，在可撓曲感測器FD2的俯視圖中(如圖7所示)，支撐間隔體SPE可具有十字形狀，並設置在間隙GP中，但不以此為限。
需注意的是，可撓曲感測器FD2對應於開口區域OPR的結構可參考圖3所示結構或本揭露其他實施例或變化實施例的結構，本揭露並不以此為限。
請參考圖8和圖9，圖8為本揭露第四實施例的電子裝置的剖視示意圖，圖9為本揭露第四實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD3。根據本實施例，可撓曲感測器FD3可包括熱絕緣層HIL，其中熱絕緣層HIL可設置在島狀部分IP上並覆蓋感測元件SE。具體來說，熱絕緣層HIL可設置在由密封元件SEL、光學元件OE和有機絕緣層OIL所形成的空間SP中，並可包覆感測元件SE。熱絕緣層HIL可接觸於光學元件OE和有機絕緣層OIL。熱絕緣層HIL可包括具有低熱導率(thermal conductivity)的任何適合的材料，例如二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氧化鈦(TiO)、氧化鋁(AlO)、其他適合的材料或上述材料的組合。熱絕緣層HIL可提供設置在感測元件SE上的光學元件OE(或是說光學元件層OEL)的支撐效果，以改善可撓曲感測器FD3的可靠性。此外，由於熱絕緣層HIL包括低熱導率的材料，藉由使熱絕緣層HIL包覆感測元件SE可降低熱能以其他方式傳遞到感測元件SE的可能性，進而改善感測元件SE的精準度。
在一些實施例中，如圖9所示，設置在空間SP中的熱絕緣層HIL可包括第一子熱絕緣層SH1和第二子熱絕緣層SH2，其中第二子熱絕緣層SH2可設置在第一子熱絕緣層SH1上。第一子熱絕緣層SH1和第二子熱絕緣層SH2之間的介面IF例如切齊於熱敏電阻TH的下表面，但不以此為限。換言之，第二子熱絕緣層SH2可覆蓋感測元件SE中的熱敏電阻TH。第一子熱絕緣層SH1和第二子熱絕緣層SH2的材料可參考上述熱絕緣層HIL的材料，故不再贅述。在本實施例中，第二子熱絕緣層SH2的熱膨脹係數可大於第一子熱絕緣層SH1的熱膨脹係數。具體來說，第一子熱絕緣層SH1和第二子熱絕緣層SH2可包括不同材料，其中第二子熱絕緣層SH2的材料的熱膨脹係數可大於第一子熱絕緣層SH1的材料的熱膨脹係數。藉由使覆蓋熱敏電阻TH的第二子熱絕緣層SH2的熱膨脹係數大於第一子熱絕緣層SH1的熱膨脹係數，可降低熱敏電阻TH在熱膨脹過程中產生損壞的可能性。
本實施例中島狀部分IP上設置有熱絕緣層HIL的特徵可應用到本揭露各實施例與變化實施例中。此外，可撓曲感測器FD3對應於開口區域OPR的結構可參考圖3所示結構或本揭露其他實施例或變化實施例的結構，本揭露並不以此為限。
請參考圖10，圖10為本揭露第五實施例的電子裝置的剖視示意圖。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD4。圖10示出了可撓曲感測器FD4對應於開口區域OPR的部分的結構，而其餘部分的結構可參考本揭露各實施例與變化實施例的內容。根據本實施例，可撓曲感測器FD4的可拉伸基板FS可對應於開口區域OPR設置。換言之，本實施例的可拉伸基板FS可為一連續膜層而不被圖案化。在此情形下，可拉伸基板FS對應到感測元件SE、光學元件OE等的部分可定義為島狀部分IP，可拉伸基板FS對應到連接線CW的部分可定義為橋狀部分BP，而可拉伸基板FS剩餘的部分可對應到開口區域OPR。
在本實施例中，有機絕緣層OIL可對應於開口區域OPR設置。具體來說，如圖10所示，有機絕緣層OIL可設置在可拉伸基板FS對應到開口區域OPR的一部分上。由於電路結構CS和連接線CW可不對應於開口區域OPR設置，有機絕緣層OIL可直接設置在可拉伸基板FS上。換言之，有機絕緣層OIL在開口區域OPR可直接接觸可拉伸基板FS。
在本實施例中，支撐膜SUF對應於開口區域OPR的部分可包括至少一凹槽RS2。凹槽RS2可透過部分移除支撐膜SUF對應於開口區域OPR的部分所形成。在此情形下，支撐膜SUF對應到開口區域OPR的部分的厚度可小於支撐膜SUF對應到島狀部分IP的部分的厚度。例如，支撐膜SUF對應到開口區域OPR的部分可具有厚度T1，而支撐膜SUF對應到島狀部分IP的部分可具有厚度T2，其中厚度T1可小於厚度T2。透過上述設計，可改善可撓曲感測器FD4的可撓曲性。在一些實施例中，在形成凹槽RS2時可將支撐膜SUF對應於開口區域OPR的部分完全移除。在此情形下，凹槽RS2可暴露出可拉伸基板FS的表面，或是說支撐膜SUF可不對應於開口區域OPR設置。
需注意的是，本實施例的可撓曲感測器FD4對應於開口區域OPR的部分的結構設計可應用到本揭露各實施例與變化實施例中。此外，可撓曲感測器FD4對應於橋狀部分BP的結構可參考本揭露其他實施例或變化實施例的結構，本揭露並不以此為限。
請參考圖11，圖11為本揭露第六實施例的電子裝置的剖視示意圖。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD5。根據本實施例，可撓曲感測器FD5可包括一黏著層ADH，設置在可拉伸基板FS與支撐膜SUF之間。黏著層ADH可用於將支撐膜SUF貼附到可拉伸基板FS。黏著層ADH可包括任何適合的黏著材料。在本實施例中，黏著層ADH可對應於可拉伸基板FS設置，即可對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP和橋狀部分BP設置。黏著層ADH可為圖案化膜層，其中黏著層ADH的圖案可與可拉伸基板FS的圖案相同，但不以此為限。例如，本實施例的可拉伸基板FS可被圖案化而不對應於開口區域OPR設置(可參考圖2所示的可拉伸基板FS)，而對應於可拉伸基板FS設置的黏著層ADH可不對應於開口區域OPR設置。例如，黏著層ADH可包括對應於開口區域OPR的開口OP4，但不以此為限。此外，本實施例的支撐膜SUF可例如為一連續膜層，即支撐膜SUF可對於可拉伸基板FS和開口區域OPR設置，但不以此為限。
此外，在本實施例中，電路結構CS中的絕緣層(例如絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3)可設置在可拉伸基板FS的橋狀部分BP上，即電路結構CS中的絕緣層對應到橋狀部分BP的部分可不被移除，但不以此為限。在此情形下，設置在可拉伸基板FS的橋狀部分BP上的連接線CW可不直接接觸可拉伸基板FS。在一些實施例中，可撓曲感測器FD5對應到橋狀部分BP的部分的結構可為圖2所示結構。
請參考圖12，圖12為本揭露第六實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。圖12所示結構與圖11所示結構主要的差異之一在於支撐層SUF和黏著層ADH的結構設計。在本變化實施例中，可撓曲感測器FD5的黏著層ADH可為圖案化膜層，其中黏著層ADH可對應於島狀部分IP設置而不對應於橋狀部分BP設置。換言之，黏著層ADH可對應於部分的可拉伸基板FS設置。在此情形下，黏著層ADH可包括複數個部分P1，分別對應到一個島狀部分IP，其中該些部分P1可為獨立的且彼此分隔開的。部分P1的圖案可大致上與島狀部分IP的圖案相同，但不以此為限。
在本變化實施例中，支撐膜SUF可為對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP設置的圖案化膜層。具體來說，支撐膜SUF可不對應於開口區域OPR和橋狀部分BP設置。在此情形下，支撐膜SUF可包括複數個部分P2，分別對應到一個島狀部分IP，其中該些部分P2可為獨立的且彼此分隔開的。在本變化實施例中，黏著層ADH的一個部分P1可對應到支撐膜SUF的一個部分P2。此外，黏著層ADH的部分P1可例如與支撐膜SUF的部分P2具有相同的圖案，例如島狀部分IP的圖案，但不以此為限。
上述可撓曲感測器FD5包括黏著層ADH的特徵可應用到本揭露各實施例與變化實施例中。
請參考圖13，圖13為本揭露第七實施例的電子裝置的剖視示意圖。本實施例的電子裝置100可包括可撓曲感測器FD6。根據本實施例，可撓曲感測器FD6可包括一可拉伸支撐膜SSF，設置在光學元件層OEL上。具體來說，可拉伸支撐膜SSF可為設置在光學元件層OEL上的一連續膜層，但不以此為限。可拉伸支撐膜SSF可包括任何適合的可撓曲材料。可拉伸支撐膜SSF的材料可參考支撐膜SUF的材料，即可拉伸基板FS的材料，但不以此為限。在一些實施例中，可拉伸支撐膜SSF可與支撐膜SUF包括相同材料。在一些實施例中，可拉伸支撐膜SSF的材料可與支撐膜SUF的材料不同。
在本實施例中，可撓曲感測器FD6的支撐膜SUF和黏著層ADH可對應於可拉伸基板FS和開口區域OPR設置，但不以此為限。即，本實施例的支撐膜SUF和黏著層ADH可為連續膜層。在一些實施例中，可撓曲感測器FD6的支撐膜SUF和黏著層ADH的結構可參考圖11或圖12所示結構。
需注意的是，雖然圖中未示出，可撓曲感測器FD6還可包括對應於開口區域OPR設置的高分子材料(例如可拉伸高分子材料)。具體來說，高分子材料可填充於開口區域OPR中。如此，可改善可撓曲感測器FD6的可拉伸性，或可改善可撓曲感測器FD6的穩定性。
在本實施例中，光學元件層OEL可為一連續膜層，但不以此為限。具體來說，相較於上述實施例的光學元件層OEL，本實施例的光學元件層OEL可不被圖案化而形成彼此分隔開的複數個光學元件(圖未標)。在此情形下，對應於不同島狀部分IP設置的光學元件所包括的元件和膜層(例如上述的非紅外線截止濾光片CFR、抗反射層ARF和絕緣層IN)可彼此相連而呈連續結構。
本實施例中可撓曲感測器FD6包括可拉伸支撐膜SSF的特徵可應用到本揭露各實施例與變化實施例中。
以下將詳述本揭露的可撓曲感測器的製造方法。
請參考圖14到圖17，圖14到圖17為本揭露第八實施例的電子裝置的製造流程圖。本實施例的電子裝置的製造方法可應用到上述各實施例與變化實施例的可撓曲感測器。根據本實施例，電子裝置的製造方法可包括以下步驟：
S102：提供可拉伸基板，並在可拉伸基板上設置電路結構；
S104：在可拉伸基板上設置犧牲層和感測元件；
S106：在感測元件上設置保護層；
S108：將支撐膜設置在可拉伸基板相反於電路結構的一側；
S110：移除保護層和犧牲層；以及
S112：在感測元件上設置光學元件。
以下將詳述各步驟細節。
如圖14所示，本實施例的電子裝置的製造方法首先可包括步驟S102，提供可拉伸基板FS，並在可拉伸基板FS上設置電路結構CS。可拉伸基板FS和電路結構CS的結構可參考上文，故不再贅述。在一些實施例中，在可拉伸基板FS上設置電路結構CS前可先對可拉伸基板FS進行一圖案化製程，藉此移除可拉伸基板FS對應於開口區域(即上述的開口區域OPR)的一部分，進而形成島狀部分IP和橋狀部分BP。在此情形下，可拉伸基板FS可具有圖3所示結構。在一些實施例中，可先在可拉伸基板FS上設置電路結構CS，而後同時對可拉伸基板FS和電路結構CS進行一圖案化製程。例如，可在同一圖案化製程中移除可拉伸基板FS和電路結構CS對應到開口區域的一部分。在一些實施例中，可拉伸基板FS可不被圖案化，或是說可拉伸基板FS對應於開口區域的部分可不被移除，如上圖10所示。
在形成電路結構CS時，可同時形成連接線CW。連接線CW可例如與電路結構CS中的導電層位於同層，或是說由電路結構CS中的導電層所形成，但不以此為限。例如，如圖14所示，連接線CW1(例如上述的掃描線SL)可由導電層M1所形成，而連接線CW2(例如上述的數據線DL) 可由導電層M2所形成。連接線CW的位置設置可根據可拉伸基板FS的橋狀部分BP的位置而定。在一些實施例中，如圖14所示，電路結構CS中的絕緣層(例如絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3)對應到橋狀部分BP的部分可不被移除，其亦可參考圖11所示結構。在一些實施例中，電路結構CS中的絕緣層對應到橋狀部分BP的部分可被移除，除了設置在連接線CW1與連接線CW2之間的絕緣層IL3，其可參考圖2所示結構。此外，雖然圖未示出，電路結構CS對應到開口區域的一部分可透過一圖案化製程而被移除，如圖3所示。
在一些實施例中，在形成電路結構CS之後，還可在電路結構CS中形成凹槽RS。凹槽RS的結構可參考上文，故不再贅述。在一些實施例中，在形成電路結構CS之後，還可在電路結構CS上設置有機絕緣層OIL，其中有機絕緣層OIL可填入凹槽RS以形成防斷裂結構AC。有機絕緣層OIL的結構可參考上文，故不再贅述。
接著，可進行步驟S104，在可拉伸基板FS上設置犧牲層SAC和感測元件SE。詳言之，如圖14所示，在形成有機絕緣層OIL之後，可在有機絕緣層OIL上設置導電層M3，藉此形成接觸件CT和偏壓電極BE。之後，可在有機絕緣層OIL上設置犧牲層SAC。犧牲層SAC可覆蓋導電層M3。接著，可在對應於可拉伸基板FS的島狀部分IP的位置設置感測元件SE。一個島狀部分IP上可設置有一個或多個感測元件SE。感測元件SE可電連接到偏壓電極BE和接觸件CT。具體來說，在設置感測元件SE之前，可先在犧牲層SAC中形成穿孔V2，其中穿孔V2可暴露出偏壓電極BE和接觸件CT，而感測元件SE(例如感測元件SE的絞鍊臂HG)可延伸進入穿孔V2並接觸偏壓電極BE和接觸件CT。感測元件SE的結構可參考上文，故不再贅述。
接著，可進行步驟S106，在感測元件SE上設置保護層PL。具體來說，在形成感測元件SE之後，可在犧牲層SAC上設置保護層PL，其中保護層PL可覆蓋感測元件SE。保護層PL可包括任何適合的絕緣材料。
接著，可進行步驟S108，將支撐膜SUF設置在可拉伸基板FS相反於電路結構CS的一側。具體來說，如圖15所示，在形成保護層PL之後，可將圖14所示結構翻轉，並將支撐膜SUF貼附到可拉伸基板FS。在本實施例中，支撐膜SUF可例如透過黏著層ADH貼附到可拉伸基板FS，但不以此為限。在一些實施例中，支撐膜SUF與可拉伸基板FS之間可不包括黏著層ADH。黏著層ADH和支撐膜SUF的結構可參考上文，故不再贅述。在本實施例中，藉由設置覆蓋感測元件SE的保護層PL，可降低感測元件SE在貼附支撐膜SUF的製程中受到損壞的可能性。
之後，可進行步驟S110，移除保護層PL和犧牲層SAC。具體來說，將支撐膜SUF貼附到可拉伸基板FS之後，可將圖15所示結構翻轉，並移除保護層PL。在移除保護層之後PL，可接著移除犧牲層SAC。例如，可透過蝕刻移除犧牲層SAC，但不以此為限。在移除犧牲層SAC之後，可暴露出感測元件SE。
接著，可進行步驟S112，在感測元件SE上設置光學元件OE。具體來說，可先在一載板CR1上形成光學元件OE，再將光學元件OE轉移到感測元件SE上。載板CR1例如包括玻璃板，但不以此為限。詳言之，如圖17所示，可先在載板CR1上形成絕緣層IN，在絕緣層IN上形成抗反射層ARF，在抗反射層ARF上形成非紅外線截止濾光片CFR，並在非紅外線截止濾光片CFR上形成另一抗反射層ARF，藉此形成光學元件OE。非紅外線截止濾光片CFR可以突出部PP1遠離載板CR1的方式設置在抗反射層ARF上。需注意的是，雖然圖17示出了多個光學元件OE獨立地設置在載板CR1上的結構，但本實施例並不以此為限。在一些實施例中，不同的光學元件OE所包括的元件和膜層可為彼此相連的。
在載板CR1上形成光學元件OE後，可將光學元件OE以對位接合的方式設置在感測元件SE上。具體來說，可在有機絕緣層OIL上形成密封金屬層SML1和設置在密封金屬層SML1上的密封材料層SSL1，並在非紅外線截止濾光片CFR的突出部PP1上形成密封金屬層SML2和密封材料層SSL2。接著，可使密封材料層SSL1對齊於密封材料層SSL2，並將密封材料層SSL2接合到密封材料層SSL1。藉此將光學元件OE設置在感測元件SE上。之後，可移除載板CR1，藉此形成電子裝置。
請參考圖18，圖18為本揭露第八實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。根據本變化實施例，電子裝置的製造方法還可包括在載板CR1上和有機絕緣層OIL上設置對齊圖案。具體來說，在將光學元件OE以對位接合的方式設置在感測元件SE上的步驟之前，可在有機絕緣層OIL上設置對齊圖案ALP1，並在載板CR1上設置對齊圖案ALP2。對齊圖案ALP1和對齊圖案ALP2可協助使光學元件OE設置在預定設置位置。詳言之，可先根據光學元件OE的預定設置位置決定對齊圖案ALP1和對齊圖案ALP2的設置位置，而在設置光學元件OE的步驟中，可透過使載板CR1上的對齊圖案ALP2對齊於有機絕緣層OIL上的對齊圖案ALP1的方式將光學元件OE設置在感測元件SE上。如此，可降低光學元件OE的接合誤差。對齊圖案ALP1和對齊圖案ALP2可包括任何適合的絕緣材料。需注意的是，對齊圖案ALP1和對齊圖案ALP2的設置位置並不以圖18所示為限。在一些實施例中，對齊圖案ALP1和對齊圖案ALP2可對應於島狀部分IP設置，或是說對應於感測元件SE的設置區域設置。
請參考圖19到圖21，圖19到圖21為本揭露第九實施例的電子裝置的製造流程圖。本實施例的電子裝置的製造方法可應用到上述各實施例與變化實施例的可撓曲感測器。根據本實施例，電子裝置的製造方法可包括以下步驟：
S102：提供可拉伸基板，並在可拉伸基板上設置電路結構；
S104：在可拉伸基板上設置犧牲層和感測元件；
S106：在感測元件上設置保護層；
S108：將支撐膜設置在可拉伸基板相反於電路結構的一側；
S109：圖案化支撐膜和可拉伸基板；
S110：移除保護層和犧牲層
S112：在感測元件上設置光學元件；以及
S113：在光學元件上設置玻璃層。
以下將詳述各步驟細節。在本實施例的電子裝置的製造方法中，步驟S102到步驟S108的內容可參考上文，故不再贅述。
本實施例的電子裝置的製造方法還可包括步驟S109，圖案化支撐膜SUF和可拉伸基板FS。具體來說，如圖19所示，在將支撐膜SUF貼附到可拉伸基板FS(例如透過黏著層ADH)後，可對支撐膜SUF和/或可拉伸基板FS進行一圖案化製程，以移除支撐膜SUF和/或可拉伸基板FS對應於開口區域OPR的一部分。支撐膜SUF和/或可拉伸基板FS的圖案化製程可例如包括雷射蝕刻、濕式蝕刻或其他適合的製程。黏著層ADH可在支撐膜SUF和/或可拉伸基板FS的圖案化製程中被圖案化。需注意的是，在一些實施例中，可拉伸基板FS可不被圖案化，或是說可拉伸基板FS對應到開口區域OPR的一部分可不被移除。此外，雖然圖中未示出，在支撐膜SUF的圖案化製程中，支撐膜SUF對應到橋狀部分BP的部分可被移除，如圖2所示，但不以此為限。
在完成支撐膜SUF和/或可拉伸基板FS的圖案化製程後，可接著進行步驟S110和步驟S112，其內容可參考上文，故不再贅述。在完成步驟S112之後，可形成圖20所示結構。
本實施例的電子裝置的製造方法還可包括步驟S113，在光學元件OE上設置玻璃層UTG。具體來說，如圖21所示，在設置光學元件OE之後，可在光學元件OE上設置玻璃層UTG，藉此形成電子裝置。玻璃層UTG的特徵可參考上文，故不再贅述。在一些實施例中，在設置光學元件OE之後，可在光學元件OE上設置可拉伸支撐膜SSF而非玻璃層UTG，如圖13所示。在一些實施例中，雖然圖未示出，在光學元件OE上設置玻璃層UTG或可拉伸支撐膜SSF之後，還可對玻璃層UTG或可拉伸支撐膜SSF進行一圖案化製程，其中圖案化的玻璃層UTG或可拉伸支撐膜SSF可對應於島狀部分IP設置。
綜上所述，本揭露提供了一種可撓曲感測器，其包括可拉伸基板和設置在可拉伸基板上的感測元件。可拉伸基板包括島狀部分和連接於島狀部分之間的橋狀部分，感測元件可對應於島狀部分設置。本揭露的可撓曲感測器可具有良好的可撓曲性，進而增加可撓曲感測器的應用情境。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
100:電子裝置
AB:吸收器
AC:防斷裂結構
ADH:黏著層
ALP1,ALP2:對齊圖案
ARF:抗反射層
BE:偏壓電極
BL:偏壓線
BP:橋狀部分
CFR:非紅外線截止濾光片
CR:通道區
CR1:載板
CS:電路結構
CT:接觸件
CW,CW1,CW2,CW3:連接線
DL:數據線
DOE:汲極電極
DR:汲極區
DU:驅動單元
EE,EE1,EE2,EE3,EE4,EE5,EE6:邊緣
EP1,EP2:延伸部
FD,FD1,FD2,FD3,FD4,FD5,FD6:可撓曲感測器
FP:固定柱
FS:可拉伸基板
GE:閘極電極
GP:間隙
HG:絞鍊臂
HIL:熱絕緣層
HP1:水平部
IF:介面
IL1,IL2,IL3,IN:絕緣層
IP:島狀部分
L1:第一長度
L2:第二長度
M1,M2,M3:導電層
OE:光學元件
OEL:光學元件層
OIL:有機絕緣層
OP1,OP2,OP3,OP4:開口
OPR:開口區域
P1,P2:部分
PL:保護層
PP1:突出部
RS,RS2:凹槽
S1,S2:表面
SAC:犧牲層
SC:子電路結構
SE:感測元件
SEL:密封元件
SEP:感測像素
SH1:第一子熱絕緣層
SH2:第二子熱絕緣層
SL:掃描線
SM:半導體層
SML1,SML2:密封金屬層
SOE:源極電極
SP:空間
SPE:支撐間隔體
SR:源極區
SSF:可拉伸支撐膜
SSL1,SSL2:密封材料層
SUF:支撐膜
T1,T2:厚度
TH:熱敏電阻
UTG:玻璃層
V1,V2:穿孔
X,Y,Z:方向
A-A’,B-B’:切線
圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖2為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線A-A’的剖視示意圖。
圖3為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線B-B’的剖視示意圖。
圖4為本揭露第二實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖5為本揭露第二實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖6為本揭露第三實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖7為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖8為本揭露第四實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖9為本揭露第四實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖10為本揭露第五實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖11為本揭露第六實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖12為本揭露第六實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖13為本揭露第七實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖14、圖15、圖16、圖17為本揭露第八實施例的電子裝置的製造流程圖。
圖18為本揭露第八實施例的一變化實施例的電子裝置的剖視示意圖。
圖19、圖20、圖21為本揭露第九實施例的電子裝置的製造流程圖。
100:電子裝置
AC:防斷裂結構
BE:偏壓電極
BL:偏壓線
BP:橋狀部分
CT:接觸件
CW:連接線
DL:數據線
DU:驅動單元
EE,EE1,EE2,EE3,EE4,EE5,EE6:邊緣
FD:可撓曲感測器
FS:可拉伸基板
IP:島狀部分
L1:第一長度
L2:第二長度
OIL:有機絕緣層
OP1:開口
OPR:開口區域
RS:凹槽
SE:感測元件
SEL:密封元件
SL:掃描線
X,Y,Z:方向
A-A’,B-B’:切線
Claims (20)
- 一種可撓曲感測器，可從一第一狀態被拉伸為一第二狀態，包括： 一可拉伸基板，具有複數個島狀部分和複數個橋狀部分，其中所述複數個橋狀部分中的至少一個橋狀部分連接所述複數個島狀部分中的相鄰兩個島狀部分；以及 複數個感測元件，設置在所述可拉伸基板的所述複數個島狀部分上； 其中，所述複數個橋狀部分中的所述至少一個在所述第一狀態下具有一第一長度並且在所述第二狀態下具有一第二長度，而所述第一長度不同於所述第二長度。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，其中所述可撓曲感測器具有至少一開口區域，其中所述複數個島狀部分的其中四個設置在所述至少一開口區域的周圍。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，其中所述複數個感測元件的每一個分別對應設置在所述複數個島狀部分的其中一個上。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，其中所述複數個感測元件的其中多個設置在所述複數個島狀部分的其中一個上。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一支撐間隔體，設置在所述複數個島狀部分的其中一個上。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括： 一電路結構，設置在所述可拉伸基板上，所述電路結構包括複數個子電路結構，分別對應設置在所述複數個島狀部分的其中一個的表面上；以及 一有機絕緣層，設置在所述電路結構上； 其中，所述複數個子電路結構分別包括至少一驅動元件，且所述至少一驅動元件電連接到所述複數個感測元件的其中一個。
- 根據請求項6所述的可撓曲感測器，其中所述電路結構包括一凹槽，在所述可撓曲感測器的一俯視圖中，所述凹槽沿著所述複數個島狀部分的其中一個的邊緣設置且圍繞設置在所述複數個島狀部分的所述其中一個上的所述複數個感測元件的一部分。
- 根據請求項7所述的可撓曲感測器，其中所述有機絕緣層的一部分填入所述凹槽並且構成一防斷裂結構。
- 根據請求項6所述的可撓曲感測器，其中所述可撓曲感測器具有至少一開口區域，在所述可撓曲熱感測器的一俯視圖中，所述至少一開口區域被所述複數個島狀部分和所述複數個橋狀部分的其中複數個包圍，其中所述有機絕緣層在所述至少一開口區域直接接觸所述可拉伸基板。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一密封元件，對應設置在所述複數個島狀部分的其中一個上，在所述可撓曲感測器的一俯視圖中，所述密封元件沿著所述複數個島狀部分的所述其中一個的邊緣設置且圍繞設置在所述複數個島狀部分的所述其中一個上的所述複數個感測元件的一部分。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一光學元件層，設置在所述複數個感測元件上，所述光學元件層包括複數個光學元件，分別對應到所述複數個島狀部分。
- 根據請求項11所述的可撓曲感測器，還包括一玻璃層，設置在所述光學元件層上。
- 根據請求項11所述的可撓曲感測器，還包括一可拉伸支撐膜，設置在所述光學元件層上。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一支撐膜，設置在所述可拉伸基板下且對應於所述可拉伸基板的所述複數個島狀部分設置。
- 根據請求項14所述的可撓曲感測器，其中所述可撓曲感測器具有至少一開口區域，在所述可撓曲感測器的一俯視圖中，所述至少一開口區域被所述複數個島狀部分和所述複數個橋狀部分的其中複數個包圍，其中所述支撐膜還對應於所述至少一開口區域設置。
- 根據請求項15所述的可撓曲感測器，其中所述支撐膜對應到所述至少一開口區域的一部分的厚度小於所述支撐膜對應到所述複數個島狀部分的另一部分的厚度。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一熱絕緣層，對應設置在所述複數個島狀部分上且覆蓋所述複數個感測元件。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，其中所述可撓曲感測器具有至少一開口區域，在所述可撓曲感測器的一俯視圖中，所述至少一開口區域被所述複數個島狀部分和所述複數個橋狀部分的其中複數個包圍，其中所述可拉伸基板包括至少一開口，而所述至少一開口對應於所述至少一開口區域。
- 根據請求項1所述的可撓曲感測器，還包括一連接線，設置在所述複數個橋狀部分中的所述至少一個橋狀部分上並電連接所述複數個感測元件中的相鄰兩個感測元件。
- 根據請求項19所述的可撓曲感測器，還包括一防斷裂結構設置在所述複數個島狀部分的其中一個上，在所述可撓曲感測器的一俯視圖中，所述防斷裂結構不重疊於所述連接線。
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