TW202239909A - 工件加工用片 - Google Patents

Abstract

議題：提供拾取性及抗靜電性皆優異之工件加工用片。解決方式：一種工件加工用片1，其為具備基材11與黏著劑層12之工件加工用片1，基材11具備：相對於黏著劑層12位於近位之表面層111、相對於黏著劑層12位於遠位之背面層113、及位於表面層111與背面層113之間之中間層112，表面層111及背面層113含有抗靜電劑，在溫度23℃及相對濕度50％RH的環境下針對基材11進行拉伸試驗時，在拉伸伸度250％中之拉伸應力為6.5MPa以上且10MPa以下。

Description

工件加工用片

本發明為關於半導體晶圓等工件的加工所使用之工件加工用片。

矽、砷化鎵等半導體晶圓、各種封裝類等係在大直徑的狀態下被製造，並在被切斷（切割）成晶片、被剝離（拾取（pick up））後，被移至下一個步驟亦即黏裝（mount）步驟。此時，半導體晶圓等工件在被積層於具備基材及黏著劑層之黏著片（以下有時稱為「工件加工用片」）上的狀態下，進行背磨、切割、清洗、乾燥、擴片、拾取、黏片（mounting）等加工。

例如，已完成背面研削的半導體晶圓會被貼附在片上，並在該片上進行切割。藉由切割，半導體晶圓被個片化成多個半導體晶片。其後，從片將多個半導體晶片一個個地拾取。

又，作為另一方法，在上述切割後，被支撐在上述片上之多個半導體晶片會被轉移到另一片，並從該另一片將多個半導體晶片一個個地拾取。

如上述般之從片拾取半導體晶片係使用晶粒頂出器（die ejector）等裝置而進行。此裝置從該片中之與已貼附半導體晶片的面為相反側的面，將半導體晶片一個個地上推，而與其他半導體晶片分開。藉由如此將1個半導體晶片上推，而變得容易進行利用筒夾的拾取。又，此時，可因應需要擴展（expand）該片而在半導體晶片間製作間隙，藉此更容易進行上推及拾取。

作為上推的方式，有使用1個或多個銷或針的方式。在此方式中，銷或針的前端以點接觸該片，並以點上推半導體晶片。然而，近年來正在發展半導體晶片的薄膜化，又，正發展使用硬質且更容易破裂的材料作為半導體材料，因此半導體晶片變得更脆弱。在操作處理此種半導體晶片之情形，若銷或針的上推量大，則有半導體晶片破損之虞。

在專利文獻1中，為了獲得適當的擴展性及優異的拾取性，公開了一種切割薄膜，其基材包含特定的隨機聚丙烯（A）與特定的烯烴系彈性體（B），並規定該烯烴系彈性體（B）的100％拉伸應力。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第5494132號

[發明所欲解決的問題]

然而，若指定的處理步驟結束，則從被接著體剝離工件加工用片，但此時在工件加工用片與被接著體之間會發生被稱為剝離帶電之靜電。此種靜電會成為灰塵等附著於工件、裝置等之原因，且會成為工件等的破壞之原因。因此，對於工件加工用片亦要求抗靜電性。

又，在半導體晶圓的切割步驟後，一般而言，會進行所得之晶片的清洗。具體而言，將已載置多個晶片之工件加工用片吸附並固定在旋轉台，在工件加工用片上進行由超純水所進行之晶片的清洗、及之後的乾燥（風乾）。此等處理結束後，會使已載置多個晶片之工件加工用片離開旋轉台，但本發明人等確認到，在此離開時也會產生剝離帶電。

然而，如專利文獻1般之以往的工件加工用片並非對應抗靜電性者，會發生如上述般的剝離帶電的問題。

本發明為有鑑於此種實際狀況而完成者，目的在於提供拾取性及抗靜電性皆優異之工件加工用片。 [用以解決問題的手段]

為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件加工用片，其為具備基材與黏著劑層的工件加工用片，所述黏著劑層積層於前述基材中的單面側，所述工件加工用片的特徵在於，前述基材具備：相對於前述黏著劑層位於近位之表面層、相對於前述黏著劑層位於遠位之背面層、及位於前述表面層與前述背面層之間之中間層，並且，前述表面層及前述背面層含有抗靜電劑，在溫度23℃及相對濕度50％RH的環境下針對前述基材進行拉伸試驗時，在拉伸伸度250％中之拉伸應力為6.5MPa以上且10MPa以下（發明1）。

上述發明（發明1）中，藉由表面層及背面層含有抗靜電劑，而成為具有優異的抗靜電性者。又，藉由表面層含有抗靜電劑且基材具有上述拉伸物性，而在從該工件加工用片拾取晶片時的拾取性優異。

上述發明（發明1）中，較佳為前述表面層、前述中間層及前述背面層分別含有烯烴系熱塑性彈性體及聚烯烴系樹脂的至少1種（發明2）。

上述發明（發明1、2）中，較佳為前述中間層含有苯乙烯系熱塑性彈性體（發明3）。

上述發明（發明1～3）中，較佳為前述中間層不含有抗靜電劑，或前述中間層以分別少於前述表面層及前述背面層的含量（單位：質量％）含有抗靜電劑（發明4）。

上述發明（發明1～4）中，較佳為前述抗靜電劑為高分子型抗靜電劑（發明5）。

上述發明（發明1～5）中，較佳為前述黏著劑層中之與基材為相反側的面的表面電阻率為1.0×10 ¹³Ω／□以下（發明6）。

上述發明（發明1～6）中，較佳為切割片（發明7）。 [發明功效]

本發明之工件加工用片的拾取性及抗靜電性皆優異。

[用以實施發明的形態]

以下，針對本發明的實施形態進行說明。 圖1中，揭示本發明的一實施形態之工件加工用片的剖面圖。圖1所示之工件加工用片1具備基材11與黏著劑層12，所述黏著劑層12積層於基材11中的單面側。

如圖1所示，上述基材11具備：相對於黏著劑層12位於近位之表面層111、相對於黏著劑層12位於遠位之背面層113、及位於表面層111與背面層113之間之中間層112。

本實施形態之工件加工用片1中，表面層111及背面層113含有抗靜電劑。而且，在溫度23℃及相對濕度50％RH的環境下針對基材11進行拉伸試驗時，在拉伸伸度250％中之拉伸應力為6.5MPa以上且10MPa以下。以下，有將關於拉伸應力之物性稱為「拉伸物性」之情形。此外，本說明書中之拉伸試驗的具體測量方法如同後述的試驗例所示。

本實施形態之工件加工用片1，藉由表面層111及背面層113含有抗靜電劑，而成為具有優異的抗靜電性者。因此，可良好地抑制在從工件加工用片1分離剝離片、工件等時的剝離帶電。再者，在進行工件加工用片1上的工件的清洗及乾燥後，亦可良好地防止工件加工用片1從旋轉台分開時的剝離帶電。

又，本實施形態之工件加工用片1，藉由表面層111含有抗靜電劑且基材11具有上述拉伸物性，而在從該工件加工用片1拾取晶片時的拾取性優異。具體而言，可使拾取時上推晶片所使用之銷或針的上推量減少。其結果，可有效地抑制起因於該上推而受到晶片破損等損傷的狀況。藉由表面層111含有抗靜電劑而獲得優異的拾取性之原因雖仍未被確定，但能考慮是因發揮作為某種添加劑的效果。又，藉由基材11具有上述拉伸物性而獲得優異的拾取性之原因，能考慮是因該基材11發揮以黏著劑層12與晶片的接觸面會因上推而變小之方式進行變形的硬度、延伸性等。

本實施形態中之基材11，由獲得優異的拾取性之觀點而言，由上述拉伸試驗所導致之在拉伸伸度250％中之拉伸應力為6.5MPa以上，較佳為6.6MPa以上，特佳為6.7MPa以上，再佳為6.8MPa以上。又，由獲得同樣優異的拾取性之觀點而言，在上述拉伸伸度250％中之拉伸應力為10MPa以下，較佳為9.8MPa以下，特佳為9.4MPa以下，再佳為9.0MPa以下。

本實施形態中之基材11，由獲得優異的拾取性之觀點而言，由上述拉伸試驗所導致之在拉伸伸度100％中之拉伸應力較佳為5.0MPa以上，特佳為5.2MPa以上，再佳為5.4MPa以上。又，由獲得同樣優異的拾取性之觀點而言，在上述拉伸伸度100％中之拉伸應力較佳為7.8MPa以下，特佳為7.4MPa以下，再佳為7.0MPa以下。

1.工件加工用片的構成 1－1.基材 本實施形態中之基材11，如同上述，具備表面層111、中間層112及背面層113。

（1）表面層 本實施形態之工件加工用片1中，表面層111含有抗靜電劑。藉此，成為獲得優異的抗靜電性且拾取性亦優異者。此外，如後述般，抗靜電劑成為切割時產生切削片的原因，但藉由使表面層111的厚度薄化、使中間層112中之抗靜電劑的含量為無或少，而比起基材全體含有抗靜電劑之情形，可相當程度減少切削片的產生。

本實施形態中之抗靜電劑未被特別限定，可使用公知者。作為抗靜電劑的例子，可列舉低分子型抗靜電劑、高分子型抗靜電劑等，但由獲得優異的拾取性之觀點及由難以從所形成之層產生滲出（bleed out）之觀點而言，較佳為高分子型抗靜電劑。

作為高分子型抗靜電劑，可列舉聚醚酯醯胺、聚醚聚烯烴嵌段共聚物等具有聚醚單元之共聚物，在此等共聚物中可包含鹼金屬鹽、鹼土類金屬鹽等金屬鹽、離子液體等。

表面層111中之抗靜電劑的含量較佳為3質量％以上，特佳為5質量％以上，再佳為10質量％以上。藉此，成為抗靜電性及拾取性更優異者。又，該含量較佳為40質量％以下，特佳為35質量％以下，再佳為30質量％以下。藉此，可減少切削片的產生。

作為構成表面層111之抗靜電劑以外的材料，只要滿足前述的拉伸物性則未被特別限定，但為了滿足前述的拉伸物性，較佳為含有烯烴系熱塑性彈性體（以下，有稱為「烯烴系彈性體」之情形）及聚烯烴系樹脂的至少1種，特佳為至少含有烯烴系彈性體且依據期望更含有聚烯烴系樹脂。根據此等成分，變得容易滿足前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。此外，「烯烴系彈性體」為包含源自烯烴或其衍生物（烯烴系化合物）之結構單元的共聚物，為在包含常溫的溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性之材料。

作為烯烴系彈性體的例子，可列舉包含選自由乙烯・丙烯共聚物、乙烯・α－烯烴共聚物、丙烯・α－烯烴共聚物、丁烯・α－烯烴共聚物、乙烯・丙烯・α－烯烴共聚物、乙烯・丁烯・α－烯烴共聚物、丙烯・丁烯・α－烯烴共聚物及乙烯・丙烯・丁烯・α－烯烴共聚物所組成之群組的至少1種樹脂者。此等之中，較佳為乙烯・丙烯共聚物。

表面層111中之烯烴系彈性體的含量較佳為3質量％以上，特佳為5質量％以上，再佳為7質量％以上。又，該含量較佳為50質量％以下，特佳為47質量％以下，再佳為45質量％以下。藉由表面層111中之烯烴系彈性體的含量在上述的範圍中，而變得更容易達成前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

表面層111藉由含有聚烯烴系樹脂，而在製膜時的製膜性、碎屑抑制等之點上為優異。此外，在本說明書中，所謂聚烯烴系樹脂，係指將烯烴作為單體之同元聚合物或共聚物、或將烯烴與烯烴以外的分子作為單體之共聚物，且為聚合後的樹脂中之基於烯烴單元的部分的質量比例為1.0質量％以上之樹脂。

聚烯烴系樹脂只要為不妨礙前述的拉伸物性且能獲得所期望的效果者，則未被特別限定。構成聚烯烴系樹脂之高分子可為直鏈狀，亦可具有側鏈。又，亦可具有芳環、脂肪族環。

作為構成聚烯烴系樹脂之烯烴單體，例示碳數2～8的烯烴單體、碳數3～18的α－烯烴單體、具有環狀結構之烯烴單體等。作為碳數2～8的烯烴單體，例示乙烯、丙烯、2－丁烯、辛烯等。作為碳數3～18的α－烯烴單體，例示丙烯、1-丁烯、4－甲基－1－戊烯、1－己烯、1－辛烯、1－癸烯、1－十二烯、1－十四烯、1－十八烯等。作為具有環狀結構之烯烴單體，例示降莰烯、環戊二烯、環己二烯、二環戊二烯及四環十二烯（tetracyclododecene）以及此等的衍生物等。

聚烯烴系樹脂可單獨一種或混合二種以上而使用。

在上述的聚烯烴系樹脂的具體例之中，較佳為使用包含乙烯作為主要聚合單元之聚乙烯及包含丙烯作為主要聚合單元之聚丙烯的至少一者。

作為上述聚丙烯，一般而言，可列舉均聚聚丙烯、隨機聚丙烯及嵌段聚丙烯。此等可單獨一種或混合二種以上而使用。本實施形態中，由擴展性之觀點而言，較佳為使用隨機聚丙烯。

在聚烯烴系樹脂含有聚乙烯之情形中，聚乙烯可為高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及直鏈狀低密度聚乙烯中之任一者，亦可為此等的二種以上的混合物。

表面層111中之聚烯烴系樹脂的含量，由製膜性及碎屑抑制之觀點而言，較佳為10質量％以上，特佳為13質量％以上，再佳為16質量％以上。又，由拾取性之觀點而言，該含量較佳為36質量％以下，特佳為33質量％以下，再佳為30質量％以下。

表面層111亦較佳為含有烯烴系彈性體以外的熱塑性彈性體，尤其苯乙烯系熱塑性彈性體（以下，有稱為「苯乙烯系彈性體」之情形）。苯乙烯系彈性體為包含源自苯乙烯或其衍生物（苯乙烯系化合物）之結構單元的共聚物，且為在包含常溫之溫度區域中具有橡膠狀的彈性且具有熱塑性之材料。藉由表面層111含有苯乙烯系彈性體，而抑制在切割時產生切削片。

作為苯乙烯系彈性體，可列舉苯乙烯－共軛二烯共聚物及苯乙烯－烯烴共聚物等，其中，較佳為苯乙烯－共軛二烯共聚物。作為苯乙烯－共軛二烯共聚物的具體例，可列舉苯乙烯－丁二烯共聚物、苯乙烯－丁二烯－苯乙烯共聚物（SBS）、苯乙烯－丁二烯－丁烯－苯乙烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯－苯乙烯共聚物（SIS）、苯乙烯－乙烯－異戊二烯－苯乙烯共聚物等未氫化苯乙烯－共軛二烯共聚物；苯乙烯－乙烯／丙烯－苯乙烯共聚物（SEPS：苯乙烯－異戊二烯－苯乙烯共聚物的氫化物）、苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS：苯乙烯－丁二烯共聚物的氫化物）等氫化苯乙烯－共軛二烯共聚物等。苯乙烯系熱塑性彈性體可為氫化物（加氫物）亦可為未氫化物，但較佳為氫化物。上述之中，由切削片抑制效果之觀點及容易達成前述的拉伸物性之觀點而言，較佳為氫化苯乙烯－共軛二烯共聚物，特佳為苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）。

苯乙烯系彈性體中之源自苯乙烯或苯乙烯系化合物之結構單元的含量較佳為5質量％以上，特佳為10質量％以上，再佳為15質量％以上。藉此，變得更容易達成前述的拉伸物性，又，成為切削片抑制效果更優異者。又，上述結構單元的含量較佳為50質量％以下，特佳為45質量％以下，再佳為40質量％以下。

表面層111含有苯乙烯系彈性體之情形，表面層111中之苯乙烯系彈性體的含量較佳為1質量％以上，特佳為25質量％以上，再佳為30質量％以上。又，該含量較佳為45質量％以下，特佳為40質量％以下，再佳為35質量％以下。藉由表面層111中之苯乙烯系彈性體的含量在上述的範圍中，而變得容易滿足前述的拉伸物性。

作為上述以外的成分，表面層111亦較佳為含有酸改質樹脂。本說明書中，所謂「酸改質樹脂」，意指源自酸成分之結構被加成在高分子鏈而成者。源自酸成分之結構，可成為酸酐的形態，亦可為具有羧基者。藉由表面層111如上述般含有酸改質樹脂，而基材11與黏著劑層12的附著性會提升，可抑制拾取時黏著劑殘留於晶片側。

作為酸性樹脂的主鏈，較佳可列舉例如乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯－（甲基）丙烯酸酯共聚物等乙烯－丙烯酸系共聚物。根據此樹脂，會提升表面層111與黏著劑層12的附著性，且容易滿足前述的拉伸物性。此外，本說明書中，所謂（甲基）丙烯酸，意指丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。其他的類似用語亦同樣。

作為上述（甲基）丙烯酸酯，較佳為烷基的碳數為1～4的（甲基）丙烯酸烷酯。例如，可較佳列舉（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸n－丁酯等。其中，更佳為（甲基）丙烯酸乙酯，特佳為丙烯酸乙酯。

乙烯－（甲基）丙烯酸酯共聚物中之源自（甲基）丙烯酸酯之結構的含量較佳為1質量％以上，特佳為3質量％以上。又，該含量較佳為30質量％以下，特佳為25質量％以下。藉由上述含量在上述的範圍中，而變得容易滿足前述的拉伸物性。

在將樹脂進行酸改質中，較佳為使樹脂與不飽和羧酸進行反應。作為不飽和羧酸，可列舉例如順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、順丁烯二酸酐、伊康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降莰烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。此等可單獨一種或組合二種以上而使用。上述之中，由與黏著劑層12的附著性之觀點而言，特佳為順丁烯二酸酐。

上述酸改質樹脂中之酸成分量（源自酸成分之結構的量）較佳為1質量％以上，特佳為2質量％以上。又，該酸成分量較佳為7質量％以下，特佳為5質量％以下。藉由上述酸成分量在上述的範圍中，而更加提升表面層111與黏著劑層12的附著性。

表面層111含有酸改質樹脂之情形，表面層111中之酸改質樹脂的含量較佳為5質量％以上，特佳為8質量％以上，再佳為10質量％以上。藉此，更加提升表面層111與黏著劑層12的附著性。又，該含量較佳為35質量％以下，特佳為30質量％以下，再佳為25質量％以下。藉此，成為容易滿足前述的拉伸物性者。

表面層111亦可含有上述的成分以外的其他成分，例如，一般的工件加工用片的基材所能使用的成分。作為此種成分的例子，可列舉阻燃劑、塑化劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等各種添加劑。作為此等添加劑的含量，雖未被特別限定，但較佳為設為表面層111會發揮所期望的功能之範圍。

（2）中間層 在本實施形態中，作為構成中間層112之材料，只要滿足前述的拉伸物性則未被特別限定，但為了滿足前述的拉伸物性，較佳為含有烯烴系彈性體及聚烯烴系樹脂的至少1種，更佳為至少含有烯烴系彈性體且依據期望更含有聚烯烴系樹脂，特佳為至少含有烯烴系彈性體且依據期望更含有聚烯烴系樹脂及苯乙烯系彈性體。根據此等成分，變得容易滿足前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。尤其，若中間層112含有苯乙烯系彈性體，則變得更容易達成前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

較佳的烯烴系彈性體、聚烯烴系樹脂及苯乙烯系彈性體，分別與表面層111所例示者同樣。

中間層112中之烯烴系彈性體的含量較佳為30質量％以上，特佳為35質量％以上，再佳為40質量％以上。又，該含量較佳為60質量％以下，特佳為55質量％以下，再佳為50質量％以下。藉由中間層112中之烯烴系彈性體的含量在上述的範圍中，變得更容易達成前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

中間層112中之聚烯烴系樹脂的含量較佳為15質量％以上，特佳為20質量％以上，再佳為25質量％以上。又，該含量較佳為45質量％以下，特佳為40質量％以下，再佳為35質量％以下。藉由中間層112中之聚烯烴系樹脂的含量在上述的範圍中，變得更容易達成前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

中間層112中之苯乙烯系彈性體的含量較佳為10質量％以上，特佳為15質量％以上，再佳為20質量％以上。又，該含量較佳為40質量％以下，特佳為35質量％以下，再佳為30質量％以下。藉由中間層112中之苯乙烯系彈性體的含量在上述的範圍中，變得更容易達成前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

於此，雖中間層112亦可含有抗靜電劑，但由容易抑制產生切削片之觀點而言，中間層112較佳為不含有抗靜電劑。在中間層112含有抗靜電劑之情形中，中間層112較佳為以比表面層111及背面層113更少的含量（單位：質量％）含有抗靜電劑。其含量，具體而言，在中間層112中較佳為小於5質量％，更佳為小於3質量％，特佳為小於1質量％，最佳為0質量％。中間層112含有抗靜電劑之情形，其含量的下限値例如為0.01質量％以上。本發明人等發現抗靜電劑成為在切割時產生切削片之原因，但如上述般，藉由不含有抗靜電劑、或其含量少的中間層112存在於表面層111（較佳為薄層）之下，而比起基材全體含有抗靜電劑之情形，可相當程度地減少切削片的產生。

與表面層111同樣地，中間層112亦可含有上述的成分以外的其他成分，例如，一般的工件加工用片的基材所能使用之成分。

（3）背面層 在本實施形態中，背面層113含有抗靜電劑。藉此，能獲得優異的抗靜電性。另一方面，如同前述，抗靜電劑成為切割時產生切削片之原因，但通常切割刀片不會到達背面層113，因此背面層113即使含有抗靜電劑，亦不會成為產生切削片之原因。

作為背面層113中之抗靜電劑，可使用與表面層111中之抗靜電劑同樣者。

背面層113中之抗靜電劑的含量較佳為10質量％以上，特佳為20質量％以上，再佳為30質量％以上。藉此，成為容易發揮良好的抗靜電性者。又，該含量較佳為50質量％以下，特佳為45質量％以下，再佳為40質量％以下。藉此，變得更容易達成前述的拉伸物性。

作為構成背面層113之抗靜電劑以外的材料，只要滿足前述的拉伸物性則未被特別限定，但為了滿足前述的拉伸物性，較佳為含有烯烴系彈性體及聚烯烴系樹脂的至少1種，特佳為至少含有烯烴系彈性體且依據期望更含有聚烯烴系樹脂。根據此等成分，變得容易滿足前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。

較佳的烯烴系彈性體及聚烯烴系樹脂，分別與表面層111所例示者同樣。

背面層113中之烯烴系彈性體的含量較佳為30質量％以上，特佳為35質量％以上，再佳為40質量％以上。又，該含量較佳為85質量％以下，特佳為80質量％以下，再佳為75質量％以下。藉由背面層113中之烯烴系彈性體的含量在上述的範圍中，而變得更容易達成前述的拉伸物性。

背面層113含有聚烯烴系樹脂之情形，由製膜性及碎屑抑制之觀點而言，其含量較佳為10質量％以上，特佳為15質量％以上，再佳為20質量％以上。又，由拾取性之觀點而言，該含量較佳為50質量％以下，特佳為45質量％以下，再佳為40質量％以下。

此外，背面層113較佳為不含有苯乙烯系彈性體作為熱塑性彈性體。若含有苯乙烯系彈性體，則有在製膜時會引起阻塞、影響拾取性之可能性。背面層113即使含有苯乙烯系彈性體，其含量亦較佳為2質量％以下，特佳為1質量％以下。

與表面層111及中間層112同樣地，背面層113亦可含有上述的成分以外的其他成分，例如一般的工件加工用片的基材所能使用之成分。

（4）基材的表面處理 為了提高與該黏著劑層12的附著性，亦可對基材11中之積層黏著劑層12的面施以底漆處理、電暈處理、電漿處理、粗化處理（消光加工）等的表面處理。作為粗面化處理，可列舉例如壓紋加工法、噴砂加工法等。此等之中，較佳為施以電暈處理。

（5）基材的製法 本實施形態中之基材11的製造方法未被特別限定，可使用例如，T型模（T-DIE）法、圓型模法等熔融擠壓法；壓延機法；乾式法、濕式法等溶液法等。此等之中，由效率佳地製造基材之觀點而言，較佳為採用熔融擠壓法，特佳為採用T型模法。

又，藉由熔融擠壓法製造基材11之情形，只要將構成各層之成分分別進行混練，使用公知的擠壓機，從所得之混練物直接同時擠壓（共擠壓）多層而製膜，或在暫時製造顆粒（pellet）後同時擠壓（共擠壓）多層而製膜即可。

（6）基材的物性等 （6－1）厚度 本實施形態中之表面層111的厚度較佳為10μm以下，特佳為8μm以下，再佳為4μm以下。如此，藉由相對於黏著劑層12位於近位之表面層111的厚度為薄，而可一邊發揮所期望的抗靜電性一邊良好地抑制切削片的產生。

又，表面層111的厚度較佳為1μm以上，特佳為2μm以上，再佳為3μm以上。藉此，變得容易良好地發揮抗靜電性，且成為拾取性更優異者。又，在表面層111含有酸改質樹脂之情形中，成為與黏著劑層12的附著性更優異者。

本實施形態中之中間層112的厚度較佳為40μm以上，特佳為50μm以上，再佳為60μm以上。藉此，變得容易滿足前述的拉伸物性，成為拾取性更優異者。又，工件加工用片1成為容易具有適當強度者，成為容易良好地支撐固定於工件加工用片1上之工件者。中間層112的厚度較佳為100μm以下，特佳為90μm以下，再佳為80μm以下。藉此，變得容易滿足前述的拉伸物性。

本實施形態中之背面層113的厚度較佳為2μm以上，特佳為4μm以上，再佳為8μm以上。藉此，成為工件加工用片1的抗靜電性更優異者。又，背面層113的厚度較佳為40μm以下，特佳為30μm以下，再佳為25μm以下。藉此，變得容易滿足前述的拉伸物性。

本實施形態中作為基材11全體的厚度較佳為50μm以上，特佳為60μm以上，再佳為70μm以上。又，該厚度較佳為140μm以下，特佳為120μm以下，再佳為100μm以下。藉由作為基材11全體的厚度在上述範圍中，變得容易滿足前述的拉伸物性，又，成為容易良好地支撐固定於工件加工用片1上之工件者。

（6－2）表面電阻率 基材11中之表面層111側的面的表面電阻率較佳為1.0×10 ¹³Ω／□以下，特佳為1.0×10 ¹²Ω／□以下，再佳為1.0×10 ¹¹Ω／□以下。藉此，本實施形態之工件加工用片1可發揮優異的抗靜電性。此外，上述表面電阻率的下限値未被特別限定，例如可為1.0×10 ⁸Ω／□以上，尤其可為1.0×10 ⁹Ω／□以上。本說明書中之表面電阻率的測量方法的詳細內容如同後述的試驗例所記載。

1－2.黏著劑層 作為本實施形態中之構成黏著劑層12之黏著劑，只要可發揮對於被接著體之充分黏著力（尤其，如足以進行工件的加工般之對於工件的黏著力）則未被特別限定。作為構成黏著劑層12之黏著劑的例子，可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸乙酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。此等之中，由容易發揮所期望的黏著力之觀點而言，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。

本實施形態中之構成黏著劑層12之黏著劑雖可為不具有活性能量線硬化性的黏著劑，但較佳為具有活性能量線硬化性的黏著劑（以下，有稱為「活性能量線硬化性黏著劑」之情形）。藉由黏著劑層12為由活性能量線硬化性黏著劑所構成，可藉由照射活性能量線而使黏著劑層12硬化，且容易使工件加工用片1對於被接著體之黏著力降低。尤其，藉由照射活性能量線，變得能容易地從該工件加工用片1分離加工後的工件。

作為構成黏著劑層12之活性能量線硬化性黏著劑，可為將具有活性能量線硬化性的聚合物作為主成分者，亦可為將活性能量線非硬化性聚合物（不具有活性能量線硬化性的聚合物）與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物作為主成分者。又，活性能量線硬化性黏著劑亦可為具有活性能量線硬化性的聚合物與具有至少1個以上的活性能量線硬化性基的單體及／或寡聚物之混合物。

上述具有活性能量線硬化性的聚合物，較佳為已在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基（活性能量線硬化性基）之（甲基）丙烯酸酯聚合物（以下有稱為「活性能量線硬化性聚合物」之情形）。此活性能量線硬化性聚合物，較佳為使丙烯酸系聚合物與含不飽和基的化合物進行反應所得者，所述丙烯酸系聚合物具有含官能基的單體單元，所述含不飽和基的化合物具有與該官能基結合之官能基。此外，本說明書中，所謂（甲基）丙烯酸，意指丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。其他的類似用語亦同樣。再者，「聚合物」中亦包含「共聚物」的概念。

上述具有含官能基的單體單元之丙烯酸系聚合物亦可為使含官能基的單體與其他單體一起聚合而成者。作為此種含官能基的單體及其他單體、以及上述的含不飽和基的化合物，可使用公知者，例如可使用國際公開第2018／084021號所公開者。

上述活性能量線硬化性聚合物的重量平均分子量較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量較佳為150萬以下，特佳為100萬以下。此外，本說明書中之重量平均分子量（Mw）為藉由凝膠滲透層析法（GPC法）所測量之標準聚苯乙烯換算的値。

作為上述的活性能量線非硬化性聚合物成分，可使用例如使含不飽和基的化合物進行反應前的上述丙烯酸系聚合物。

作為上述活性能量線非硬化性聚合物成分的丙烯酸系聚合物的重量平均分子量較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量較佳為150萬以下，特佳為100萬以下。

又，作為上述的具有至少1個以上的活性能量線硬化性基之單體及／或寡聚物，可使用例如多元醇與（甲基）丙烯酸之酯等。

此外，在使用紫外線作為用於使活性能量線硬化性黏著劑硬化的活性能量線之情形中，較佳為在該黏著劑中添加光聚合起始劑。又，在該黏著劑中，亦可添加活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分、交聯劑等。

本實施形態中之黏著劑層12的厚度較佳為1μm以上，特佳為3μm以上，再佳為5μm以上。又，黏著劑層12的厚度較佳為70μm以下，特佳為30μm以下，再佳為15μm以下。藉由黏著劑層12的厚度為上述的範圍，本實施形態之工件加工用片1成為容易發揮所期望的黏著性者。

1－3.剝離片 在本實施形態之工件加工用片1中，在將黏著劑層12中之與基材11為相反側的面（以下，有稱為「黏著面」之情形）貼附至工件前的期間，以保護該面為目的，可將剝離片積層於該面。

上述剝離片的構成為任意，例示藉由剝離劑等將塑膠薄膜進行剝離處理而成者。作為該塑膠薄膜的具體例，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯（polybutylene terephthalate）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）等聚酯薄膜以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為上述剝離劑，可使用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，此等之中，較佳為便宜且能獲得穩定性能之聚矽氧系。

針對上述剝離片的厚度並無特別限制，例如可為16μm以上且250μm以下。

1－4.其他 在本實施形態之工件加工用片1中，可在黏著劑層12中之與基材11為相反側的面積層接著劑層。此情形，本實施形態之工件加工用片1可使用作為切割－晶粒接著片。在該片中，將工件貼附在接著劑層中之與黏著劑層12為相反側的面，將該工件與接著劑層一起進行切割，藉此可獲得晶片，所述晶片已積層經個片化之接著劑層。該晶片藉由此經個片化之接著劑層而變得能容易地固定於搭載該晶片之對象。作為構成上述的接著劑層之材料，較佳為使用含有熱塑性樹脂與低分子量的熱硬化性接著成分者、含有B－階段（半硬化狀）的熱硬化型接著成分者等。

又，在本實施形態之工件加工用片1中，亦可在黏著劑層12中之黏著面積層保護膜形成層。此情形，本實施形態之工件加工用片1可使用作為保護膜形成兼切割用片。在此種片中，將工件貼附在保護膜形成層中之與黏著劑層12為相反側的面，將該工件與保護膜形成層一起進行切割，藉此獲得晶片，所述晶片已積層經個片化之保護膜形成層。作為該工件，較佳為使用已在單面形成電路者，此情形，通常在與已形成該電路之面為相反側的面積層保護膜形成層。經個片化之保護膜形成層係藉由在指定的時間點使其硬化，而可將具有充分耐久性之保護膜形成於晶片。保護膜形成層較佳為由未硬化的硬化性接著劑所組成。

2.工件加工用片的物性 在本實施形態之工件加工用片1中，黏著劑層12中之與基材11為相反側的面（黏著面）的表面電阻率較佳為1.0×10 ¹³Ω／□以下，特佳為1.0×10 ¹²Ω／□以下，再佳為1.0×10 ¹¹Ω／□以下。藉此，本實施形態之工件加工用片1可具有優異的抗靜電性。此外，上述表面電阻率的下限値未被特別限定，例如可為1.0×10 ⁸Ω／□以上，尤其可為1.0×10 ⁹Ω／□以上。此外，在黏著劑層12為活性能量線硬化性之情形，上述表面電阻率為對於黏著劑層12照射活性能量線而使該黏著劑層12硬化後的値。

3.工件加工用片的製造方法 本實施形態之工件加工用片1的製造方法未被特別限定。例如，較佳為在剝離片上形成黏著劑層12後，在該黏著劑層12中之與剝離片為相反側的面積層基材11中之表面層111側的面，藉此獲得工件加工用片1。

上述的黏著劑層12的形成可藉由公知的方法進行。例如，製備塗布液，所述塗布液含有用於形成黏著劑層12之黏著性組合物、及依據期望的溶劑或分散介質。然後，在剝離片之具有剝離性的面（以下，有稱為「剝離面」之情形）塗布上述塗布液。接著，藉由使所得之塗膜乾燥，而可形成黏著劑層12。

上述的塗布液的塗布可藉由公知的方法進行，例如，可藉由棒塗布法、刮刀塗布法、輥塗布法、刮刀塗布法、模具塗布法、凹版塗布法等進行。此外，塗布液只要能進行塗布則其特性未被特別限定，用於形成黏著劑層12之成分有被含有作為溶質之情形，亦有被含有作為分散質之情形。又，剝離片可作為步驟材料而進行剝離，亦可在貼附至被接著體前的期間保護黏著劑層12。

在用於形成黏著劑層12之黏著性組合物含有前述的交聯劑之情形中，較佳為藉由改變上述的乾燥的條件（溫度、時間等），或藉由另外設置加熱處理，而使塗膜內的聚合物成分與交聯劑之交聯反應進行，以所期望的存在密度在黏著劑層12內形成交聯結構。再者，為了使上述的交聯反應充分地進行，可在貼合黏著劑層12與基材11後，例如在23℃、相對濕度50％的環境下靜置數日進行所謂的熟化。

4.工件加工用片的使用方法 本實施形態之工件加工用片1可使用於半導體晶圓等工件的加工用。亦即，在將本實施形態之工件加工用片1的黏著面貼附在工件後，可在工件加工用片1上進行工件的加工。因應該加工，本實施形態之工件加工用片1會被使用作為背磨片、切割片、擴展片、拾取片等。於此，作為工件的例子，可列舉半導體晶圓、半導體封裝等半導體部件、玻璃板等玻璃部件。

本實施形態之工件加工用片1，如同前述，因拾取性優異，故較佳為是在至少包含拾取步驟之步驟中所使用的片。例如，可為從切割起至拾取為止所使用之切割片，亦可為將進行切割所得之晶片進行轉移而使用於拾取之轉移片。

又，本實施形態之工件加工用片1，如同前述，藉由適當選定表面層111及中間層112的材料及厚度，而可良好地抑制在切割時產生切削片。此情形，在上述的工件加工用片之中，本實施形態之工件加工用片1特別適合使用作為切割片。

再者，本實施形態之工件加工用片1，如同前述，具有優異的抗靜電性。本實施形態之工件加工用片1可抑制分離剝離片之際、分離工件之際等的剝離帶電。再者，本實施形態之工件加工用片1亦可有效地抑制在已將工件加工用片固定於旋轉台的狀態下，進行晶片的清洗及乾燥後，在使工件加工用片從旋轉台分離之際的剝離帶電。因此，本實施形態之工件加工用片1亦可較佳地使用於此種清洗、乾燥。

此外，在本實施形態之工件加工用片1具備前述的接著劑層之情形中，該工件加工用片1可使用作為切割－晶粒接著片。再者，在本實施形態之工件加工用片1具備前述的保護膜形成層之情形中，該工件加工用片1可使用作為保護膜形成兼切割用片。

又，在本實施形態之工件加工用片1中之黏著劑層12為由前述的活性能量線硬化性黏著劑所構成之情形中，在使用之際，亦較佳為照射如下述般的活性能量線。亦即，在工件加工用片1上結束工件的加工且從工件加工用片1分離（拾取）加工後的工件（晶片）之情形中，較佳為在該分離前對於黏著劑層12照射活性能量線。藉此，黏著劑層12會硬化，黏著片對於加工後的工件之黏著力會良好地降低，變得容易分離加工後的工件。

以上說明的實施形態為用於容易理解本發明所記載者，並非用於限定本發明所記載者。因此，上述實施形態所公開的各要素亦包含屬於本發明的技術範圍之所有設計變更、均等物等。

例如，在本實施形態之工件加工用片1中之基材11與黏著劑層12之間、或基材11中之與黏著劑層12為相反側的面，亦可積層其他層。又，在表面層111中之與中間層112為相反側的面、表面層111與中間層112之間、中間層112與背面層113之間、及、背面層113中之與中間層112為相反側的面，亦可分別積層其他層。 [實施例]

以下，藉由實施例等而更具體地說明本發明，但本發明的範圍不受限於此等實施例等。

〔實施例1〕 （1）基材的製作 分別使隨機聚丙烯樹脂（Japan Polypropylene公司製，產品名「NOVATEC　FX3B」）28質量份、烯烴系彈性體（Japan Polypropylene公司製，產品名「WELNEX　RFX4V」）42質量份、及高分子型抗靜電劑（三洋化成公司製，產品名「PELECTRON PVL」）30質量份乾燥後，利用雙軸混練機進行混練，藉此獲得表面層用及背面層用的顆粒。

又，分別使隨機聚丙烯樹脂（Japan Polypropylene公司製，產品名「NOVATEC　FX3B」）30質量份、烯烴系彈性體（Japan Polypropylene公司製，產品名「WELNEX　RFX4V」）45質量份、及作為苯乙烯系彈性體的苯乙烯－乙烯／乙烯・丙烯－苯乙烯嵌段共聚物（SEEPS）（Kuraray公司製，「HYBRAR-7311F」，苯乙烯比例：12質量％）25質量份乾燥後，利用雙軸混練機進行混練，藉此獲得中間層用顆粒。

使用如同上述所得之二種的顆粒，藉由小型T型模擠壓機（東洋精機製作所公司製，產品名「LABO PLASTOMILL」）進行共擠壓成形，獲得依序積層厚度4μm的表面層、厚度72μm的中間層及厚度4μm的背面層而成之3層結構的基材。

（2）黏著性組合物的製備 藉由溶液聚合法，使丙烯酸n－丁酯60質量份、甲基丙烯酸甲酯10質量份、及丙烯酸2－羥乙酯30質量份進行聚合，獲得（甲基）丙烯酸酯聚合物。接著，添加相當於相對於構成上述（甲基）丙烯酸酯聚合物之丙烯酸2－羥乙酯80莫耳％的量的2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯（MOI），且以相對於上述（甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份為0.13質量份的量添加作為含錫觸媒的二丁基錫二月桂酸酯（DBTDL）。之後，以50℃使其反應24小時，藉此獲得已在側鏈導入活性能量線硬化性基之（甲基）丙烯酸酯聚合物。藉由後述的方法測量該活性能量線硬化型聚合物的重量平均分子量，結果為50萬。

在溶劑中混合由上述所得之已在側鏈導入活性能量線硬化性基之（甲基）丙烯酸酯聚合物100質量份（固體成分換算，以下相同）、作為光聚合起始劑的2－羥基－1－｛4－［4－（2－羥基－2－甲基－丙醯基）－苄基］苯基｝－2－甲基－丙烷－1－酮（BASF公司製，產品名「Omnirad 127」）2質量份、及作為交聯劑的三羥甲丙烷改質甲苯二異氰酸酯（trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate）（Tosoh公司製，產品名「CORONATE L」）1質量份，獲得黏著性組合物的塗布液。

（3）黏著劑層的形成 對於在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面形成聚矽氧系的剝離劑層而成之剝離片（LINTEC公司製，產品名「SP－PET381031」）的剝離面，塗布由上述步驟（2）所得之黏著性組合物的塗布液，藉由加熱使其乾燥，藉此獲得在剝離片上形成厚度5μm的黏著劑層而成之積層體。

（4）黏著片的製作 對於由上述步驟（1）所得之基材中的表面層側的面施以電暈處理，並與由上述步驟（3）所得之積層體中的黏著劑層側的面貼合，藉此獲得工件加工用片。

於此，前述的重量平均分子量（Mw）為使用凝膠滲透層析法（GPC）並利用以下的條件所測量（GPC測量）之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測量條件＞ ・測量裝置：Tosoh公司製，HLC－8320 ・GPC管柱（依以下的順序通過）：Tosoh公司製 TSK gel superH－H TSK gel superHM－H TSK gel superH2000 ・測量溶劑：四氫呋喃 ・測量溫度：40℃

〔實施例2～5、比較例1〕 除了將用於形成基材的各層之顆粒的組成及各層的厚度如同表1所記載般進行變更以外，與實施例1同樣地進行而製造工件加工用片。

此外，在實施例2～5中，在表面層中進一步摻合作為酸改質樹脂的乙烯－丙烯酸乙酯共聚物的順丁烯二酸酐加成物（SK　Functional　polymer公司製，產品名「BONDINE　LX4110」，丙烯酸乙酯含量：5質量％，酸成分量：3質量％）。

又，在實施例3中，在表面層中進一步摻合32質量份之作為苯乙烯系彈性體的苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）（旭化成公司製，產品名「Tuftec H1062」，苯乙烯比例：18質量％）。

再者，在實施例2及3中，作為中間層的苯乙烯系彈性體，使用苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）（旭化成公司製，產品名「Tuftec H1062」，苯乙烯比例：18質量％）。在實施例4中，作為中間層的苯乙烯系彈性體，使用苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）（旭化成公司製，產品名「Tuftec H1041」，苯乙烯比例：30質量％）。在實施例5中，作為中間層的苯乙烯系彈性體，使用苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯共聚物（SEBS）（旭化成公司製，產品名「Tuftec H1517」，苯乙烯比例：43質量％）。

〔比較例2〕 使用與實施例1同樣的裝置，製作由單層的乙烯－甲基丙烯酸共聚物（DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司製，產品名「NUCREL 　N0903HC」）所組成之薄膜（厚度：80μm）。將對於所得之薄膜中的黏著劑層積層側的面照射1次2.2秒鐘的10kGy的電子射線者作為基材。使用此基材，與實施例1同樣地進行而製造工件加工用片。

〔比較例3〕 使用與實施例1同樣的裝置，製作由單層的乙烯－甲基丙烯酸共聚物（DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司製，產品名「NUCREL 　N0903HC」）所組成之薄膜（厚度：80μm）。將對於所得之薄膜中的黏著劑層積層側的面照射2次各2.2秒鐘的10kGy的電子射線者作為基材。使用此基材，與實施例1同樣地進行而製造工件加工用片。

〔試驗例1〕（拉伸試驗） 將由實施例及比較例所製造之基材裁斷成10mm×140mm的試驗片，遵循JIS　K7161：2014，測量在溫度23℃及相對濕度50％RH中之拉伸彈性率。具體而言，將上述試驗片，利用拉伸試驗機（ORIENTEC公司製，產品名「TENSILONRTA－T－2M」），設定成夾頭間距離100mm後，以200mm／min的速度進行拉伸試驗，測量在拉伸伸度100％及250％中之拉伸應力（MPa）。此外，測量係以基材成形時的擠壓方向（MD方向）進行。將結果揭示於表2。

〔試驗例2〕（拾取性的評價） 利用磨床（DISCO公司製，產品名「DFG8540」），以＃2000研削至150μm為止，準備剛研削後的矽晶圓（線內（in-line））、及研削後經過7日的矽晶圓（7日後）。

從由實施例及比較例所製造之工件加工用片將剝離片剝離後，使用貼膜機（tape mounter）（LINTEC公司製，產品名「Adwill　RAD2500m／12」），將所露出之黏著劑層的露出面貼附於上述矽晶圓的研削面。接著，使切割用環狀框附著於工件加工用片中之上述露出面的周緣部（不與矽晶圓重疊的位置）。再者，配合環狀框的外徑，裁斷工件加工用片。

接著，使用切割裝置（DISCO公司製，產品名「DFD6362」），利用以下的切割條件進行切割，藉此將矽晶圓個片化成10mm×10mm的尺寸的晶片。 ＜切割條件＞ 晶圓的厚度：150μm 刀片：DISCO公司製，產品名「ZH05－SD2000－N1－50CC」 刀片旋轉數：30000rpm 切削速度：60mm／sec 刀片高度：0.060mm 切削水量：1.0L／min 切削水溫度：20℃

切割後，在氮氣環境下，對於工件加工用片的黏著劑層，透過基材，使用紫外線照射裝置（LINTEC公司製，產品名「RAD－2000m／12」）照射紫外線（UV）（照度：230mW／cm ²，光量：190mJ／cm ²），使黏著劑層硬化。

接著，使用拾取裝置（Canon Machinery公司製，產品名「BESTEM　D02」），利用以下的拾取條件，從工件加工用片拾取晶片。 ＜拾取條件＞ ・拾取方式：4銷 ・拾取速度：20mm／s ・銷上推量：150～450μm

針對線內矽晶圓之情形及研削7日後的矽晶圓之情形，將各自的拾取晶片所需的銷上推量的結果揭示於表2。然後，採用線內的結果及7日後的結果之中上推量大者，基於以下的基準，評價拾取性。將評價結果揭示於表2。 ◎：上推量小於200μm 〇：上推量為200μm以上且小於250μm ×：上推量為250μm以上

〔試驗例3〕（表面電阻率的測量） 將由實施例及比較例所製造之基材在23℃、50％相對濕度下增濕24小時後，使用DIGITAL ELECTROMETER（ADVANTEST公司製），以施加電壓100V測量表面層側的面的表面電阻率。將結果揭示於表2。

又，將由實施例及比較例所製造之工件加工用片裁斷成100mm×100mm，將此作為表面電阻率測量用樣本。對於該表面電阻率測量用樣本中之黏著劑層，透過基材，使用紫外線照射裝置（LINTEC公司製，產品名「RAD－2000」）照射紫外線（UV）（照度：230mW／cm ²，光量：190mJ／cm ²），使黏著劑層硬化。將該UV照射後的表面電阻率測量用樣本在23℃、50％相對濕度下增濕24小時後，將剝離片剝離，與上述同樣地測量所露出之黏著劑層側的面（黏著面）的表面電阻率。亦將此結果揭示於表2。

〔試驗例4〕（抗靜電性的評價） 使用磨床（DISCO公司製，產品名「DFG8540」），研削6吋矽晶圓的單面直到厚度成為350μm為止。對於該研削面，使用貼合機，貼附從由實施例及比較例所製造之工件加工用片將剝離片剝離而露出之黏著劑層的露出面。

從貼附起20分鐘後，與試驗例2同樣地進行切割，藉此將矽晶圓個片化成晶片。切割後，在已藉由吸附而將工件加工用片固定於旋轉台上的狀態下，如同上述，進行所得之晶片的清洗及乾燥。然後，在從旋轉台拿起工件加工用片後，立刻使用測量器（Prostat公司製，產品名「PFK－100」）測量工件加工用片的靜電壓（V）。然後，基於以下的基準，評價抗靜電性。將靜電壓及評價結果揭示於表2。 ○：靜電壓為300V以下 ×：靜電壓大於300V

[表1]

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	比較例1	比較例2	比較例3
各層的厚度（表面層／中間層／背面層）（μm）	4／72／4	4／72／4	4／72／4	4／72／4	4／56／20	4／72／4	單層　80μm	單層　80μm
組成 （質量份）	表面層	聚丙烯	NOVATEC　FX3B （Japan Polypropylene公司製）	28	18	18	18	23	40	NUCREL N0903HC （DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司製）照射1次電子射線	NUCREL N0903HC （DOW-MITSUI POLYCHEMICALS公司製）照射2次電子射線
烯烴系彈性體	WELNEX　RFX4V （Japan Polypropylene公司製）	42	42	10	37	37	60
苯乙烯系彈性體	Tuftec H1062 （旭化成公司製）	－	－	32	－	－	－
酸改質樹脂	BONDINE LX4110 （SK　functional polymer公司製）	－	15	15	20	15	－
抗靜電劑	PELECTRON PVL （三洋化成公司製）	30	25	25	25	25	－
中間層	聚丙烯	NOVATEC　FX3B （Japan Polypropylene公司製）	30	30	30	30	30	28
烯烴系彈性體	WELNEX　RFX4V （Japan Polypropylene公司製）	45	45	45	45	45	39
苯乙烯系彈性體	HYBRAR 7311F （Kuraray公司製）	25	－	－	－	－	33
Tuftec H1062 （旭化成公司製）	－	25	25	－	－	－
Tuftec H1041 （旭化成公司製）	－	－	－	25	－	－
Tuftec H1517 （旭化成公司製）	－	－	－	－	25	－
背面層	聚丙烯	NOVATEC　FX3B （Japan Polypropylene公司製）	28	－	－	－	－	28
烯烴系彈性體	WELNEX　RFX4V （Japan Polypropylene公司製）	42	70	70	70	70	42
抗靜電劑	PELECTRON PVL （三洋化成公司製）	30	30	30	30	30	30

[表2]

		拾取性	表面電阻率 （Ω/□）	抗靜電性
拉伸伸度 100％	拉伸伸度 250％	線內	7日後	評價	基材的 表面層側 的面	UV照射後 的黏著面	靜電壓 （V）	評價
上推量 （μm）	上推量 （μm）
實施例1	5.84	6.86	150	150	◎	1.9x 10 9	9.5x 10 9	100	〇
實施例2	5.61	7.11	150	150	◎	3.1x 10 9	1.6x 10 10	150	〇
實施例3	5.86	7.29	150	150	◎	3.3x 10 9	1.7x 10 9	170	〇
實施例4	6.63	8.36	150	150	◎	6.1x 10 9	3.1x 10 10	280	〇
實施例5	7.12	9.28	200	150	〇	4.2x 10 9	2.1x 10 10	240	〇
比較例1	5.76	7.04	350	250	×	1.1x 10 15	1.7x 10 14	2000	×
比較例2	18.2	26.2	450	200	×	4.4x 10 15	6.6x 10 14	3000	×
比較例3	20.3	30.6	450	200	×	4.7x 10 15	6.9x 10 14	3300	×

如由表2可知，由實施例所製造之工件加工用片的拾取性及抗靜電性皆優異。 [產業利用性]

本發明的工件加工用片可適合地使用於半導體晶圓等工件的加工。

1:工件加工用片 11:基材 111:表面層 112:中間層 113:背面層 12:黏著劑層

圖1為本發明的一實施形態之工件加工用片的剖面圖。

1:工件加工用片

11:基材

111:表面層

112:中間層

113:背面層

12:黏著劑層

Claims (7)

1. 一種工件加工用片，其為具備基材與黏著劑層的工件加工用片，前述黏著劑層積層於前述基材中的單面側，前述工件加工用片的特徵在於， 前述基材具備：相對於前述黏著劑層位於近位之表面層、相對於前述黏著劑層位於遠位之背面層、及位於前述表面層與前述背面層之間之中間層， 前述表面層及前述背面層含有抗靜電劑， 在溫度23℃及相對濕度50％RH的環境下針對前述基材進行拉伸試驗時，在拉伸伸度250％中之拉伸應力為6.5MPa以上且10MPa以下。
2. 如請求項1之工件加工用片，其中，前述表面層、前述中間層及前述背面層分別含有烯烴系熱塑性彈性體及聚烯烴系樹脂的至少1種。
3. 如請求項1之工件加工用片，其中，前述中間層含有苯乙烯系熱塑性彈性體。
4. 如請求項1之工件加工用片，其中，前述中間層不含有抗靜電劑，或 前述中間層以分別少於前述表面層及前述背面層的含量（單位：質量％）含有抗靜電劑。
5. 如請求項1之工件加工用片，其中，前述抗靜電劑為高分子型抗靜電劑。
6. 如請求項1之工件加工用片，其中，前述黏著劑層中之與基材為相反側的面的表面電阻率為1.0×10 ¹³Ω／□以下。
7. 如請求項1至6中任一項之工件加工用片，其為切割片。

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