TW201925334A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供可得到線熱膨脹係數低、可抑制翹曲，且可抑制流痕產生之硬化物的樹脂組成物等。
其解決手段為一種樹脂組成物，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材。

Description

樹脂組成物

本發明係關於樹脂組成物。進一步地，本發明係關於使用樹脂組成物之電路基板，及半導體晶片封裝。

近年來，智慧型手機、平板型裝置等小型的高功能電子機器之需求增大，伴隨於此，此等小型的電子機器所用之半導體晶片封裝用絕緣層亦要求進一步高功能化。如此之絕緣層，例如已知有使樹脂組成物硬化所形成者(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本特表2016-534164號公報

[發明所欲解決之課題]

近年來，更小型之半導體晶片封裝受需求，半導體晶片封裝所用之絕緣層，係要求更薄。因此，線熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion。CTE，有稱為熱膨脹率者)低，可抑制翹曲的絕緣層之開發係受到期望。
為了抑制翹曲，可考量對樹脂組成物添加液狀成分或柔軟成分，但此時容易產生流痕(flow mark)，兼顧翹曲之抑制與流痕之抑制尚留有課題。

又，用以形成絕緣層之樹脂組成物，亦可考量使用作為半導體晶片封裝之密封材。前述之課題，在使用樹脂組成物作為半導體晶片封裝之密封材時亦會同樣地產生。

本發明係有鑑於前述課題而創出者，其目的為提供可得到線熱膨脹係數低、可抑制翹曲，且可抑制流痕產生之硬化物的樹脂組成物；具有含有前述樹脂組成物之樹脂組成物層的樹脂薄片；包含以前述樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層之電路基板；以及包含前述樹脂組成物之硬化物的半導體晶片封裝。

[用以解決課題之手段]

本發明者為了解決前述課題而深入探討的結果，發現藉由組合含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材之樹脂組成物，可解決前述課題，而完成本發明。
亦即，本發明包含下述者。

[1] 一種樹脂組成物，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材。
[2] 如[1]之樹脂組成物，其中(C)成分為聚輪烷。
[3] 如[1]或[2]之樹脂組成物，其中以樹脂組成物之不揮發成分為100質量%時，(C)成分之含量為0.1質量%以上且10質量%以下。
[4] 如[1]~[3]中任一項之樹脂組成物，其中(C)成分為粒子狀。
[5] 如[1]~[4]中任一項之樹脂組成物，其中(C)成分之平均粒徑為100nm以上且20000nm以下。
[6] 如[1]~[5]中任一項之樹脂組成物，其中(C)成分包含含有環糊精類之環狀分子。
[7] 如[1]~[6]中任一項之樹脂組成物，其中(C)成分包含含有聚乙二醇鏈之軸分子。
[8] 如[1]~[7]中任一項之樹脂組成物，其中(C)成分中之軸分子的重量平均分子量，為3000以上且100000以下。
[9] 如[1]~[8]中任一項之樹脂組成物，其中以環狀分子最大限度地包藏1個軸分子的量為100%時，(C)成分中之環狀分子之包藏量(inclusion amount)為10%以上且90%以下。
[10] 如[1]~[9]中任一項之樹脂組成物，其中以樹脂組成物之不揮發成分為100質量%時，(D)成分之含量為50質量%以上。
[11] 如[1]~[10]中任一項之樹脂組成物，其中(B)成分含有酚系硬化劑及酸酐系硬化劑之任一者。
[12] 如[1]~[11]中任一項之樹脂組成物，其係半導體密封用或絕緣層用之樹脂組成物。
[13] 如[1]~[12]中任一項之樹脂組成物，其係液狀之樹脂組成物。
[14] 一種電路基板，其包含藉由如[1]~[13]中任一項之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
[15] 一種半導體晶片封裝，其包含如[14]之電路基板，與搭載於前述電路基板之半導體晶片。
[16] 一種半導體晶片封裝，其包含半導體晶片，與密封前述半導體晶片的如[1]~[13]中任一項之樹脂組成物的硬化物。

[發明之效果]

依照本發明，可提供可得到線熱膨脹係數低、可抑制翹曲，且可抑制流痕產生之硬化物的樹脂組成物；包含以前述樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層的電路基板；以及包含前述樹脂組成物的硬化物之半導體晶片封裝。

以下，顯示實施形態及例示物，以詳細說明本發明。惟，本發明不限定於以下所列舉的實施形態及例示物，可於不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍任意變更來實施。

[1.樹脂組成物]
本發明之樹脂組成物，含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材。藉由組合含有前述之(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材，樹脂組成物，可得到可得到線熱膨脹係數低、可抑制翹曲，且可抑制流痕產生的硬化物之本發明之所期望之效果。該樹脂組成物之硬化物，可活用其優良特性，而較佳地使用作為半導體晶片封裝之絕緣層及密封材。

又，前述樹脂組成物，亦可組合於(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材，而進一步含有任意之成分。任意之成分例如可列舉(E)硬化促進劑等。

[2.(A)環氧樹脂]
樹脂組成物含有(A)環氧樹脂。(A)環氧樹脂，例如可列舉聯二甲酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。其中尤以縮水甘油胺型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂及雙酚F型環氧樹脂為佳。環氧樹脂可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。

(A)環氧樹脂較佳為1分子中具有2個以上之環氧基。以環氧樹脂之不揮發成分為100質量%時，較佳至少50質量%以上為1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂。其中，樹脂組成物尤以組合含有於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下亦稱為「液狀環氧樹脂」)，與於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下亦稱為「固體狀環氧樹脂」)為佳。液狀環氧樹脂，較佳為1分子中具有2個以上之環氧基的液狀環氧樹脂。固體狀環氧樹脂，較佳為1分子中具有3個以上之環氧基的固體狀環氧樹脂。

液狀環氧樹脂，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂，及具有丁二烯構造之環氧樹脂；更佳為脂肪族環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂。

液狀環氧樹脂之具體例子，可列舉DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「828US」、「jER828EL」、「825」、「Epikote 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、Nagase ChemteX公司製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、Daicel公司製之「CEL2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油基環己烷型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)、DIC公司製之「EXA-850CRP」(雙酚A型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YED-216D」(脂肪族環氧樹脂)、ADEKA公司製之「EP-3950S」、「EP-3980S」(縮水甘油胺型環氧樹脂)；住友化學公司製之「ELM-100H」(縮水甘油胺型環氧樹脂)等。此等可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。

固體狀環氧樹脂，較佳為聯二甲酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂；更佳為聯二甲酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂，及伸萘基醚型環氧樹脂。

固體狀環氧樹脂之具體例子，可列舉DIC公司製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)；DIC公司製之「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製之「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂)；DIC公司製之「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000L」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；日本化藥公司製之「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製之「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YX8800」(蒽型環氧樹脂)；大阪瓦斯化學公司製之「PG-100」、「CG-500」；三菱化學公司製之「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。此等可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。

合併使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為(A)成分時，該等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計，較佳為1：0.01~1：20之範圍。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比成為如此範圍，可得到i)帶來適度的黏著性、ii)可得到充分的可撓性，操作性提高，以及iii)可得到具有充分的斷裂強度之硬化物等之效果。由上述i)~iii)之效果的觀點，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計，更佳為1：0.01~1：15之範圍、又更佳為1：0.01~1：1之範圍。

樹脂組成物中之(A)成分的含量，就得到顯示良好的機械強度、絕緣信賴性之絕緣層的觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為1質量%以上、更佳為5質量%以上、又更佳為7質量%以上。環氧樹脂之含量的上限，只要發揮本發明之效果則無特殊限定，較佳為30質量%以下、更佳為20質量%以下、又更佳為15質量%以下。
再者，本發明中，樹脂組成物中之各成分的含量，只要無另外明示，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時的值。

(A)成分之環氧當量，較佳為50~5000、更佳為50~3000、又更佳為80~2000、又再更佳為110~1000。藉由成為該範圍，硬化物之交聯密度變得充分，可帶來表面粗度小的絕緣層。再者，環氧當量可遵照JIS K7236測定，其係包含1當量環氧基之樹脂的質量。

(A)成分之重量平均分子量，較佳為100~ 5000、更佳為250~3000、又更佳為400~1500。此處，環氧樹脂之重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。

[3.(B)硬化劑]
樹脂組成物含有硬化劑作為(B)成分。(B)硬化劑通常係具有與(A)環氧樹脂反應而使樹脂組成物硬化之功能。(B)硬化劑可1種單獨使用、亦能夠以任意比率組合2種以上來使用。

(B)硬化劑可使用可與環氧樹脂反應而使樹脂組成物硬化之化合物，例如可列舉酸酐系硬化劑、酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、碳二亞胺(carbodiimide)系硬化劑等。其中就顯著得到本發明之效果的觀點，尤以酸酐系硬化劑及酚系硬化劑為佳。

酸酐系硬化劑，可列舉1分子中具有1個以上之酸酐基的硬化劑。酸酐系硬化劑之具體例子，可列舉鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基降莰烯二酸酐、氫化甲基降莰烯二酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二側氧基四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧基二鄰苯二甲酸二酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二側氧基-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(偏苯三甲酸酐)、苯乙烯與馬來酸共聚合之苯乙烯/馬來酸樹脂等之聚合物型的酸酐等。

酸酐系硬化劑之市售品，可列舉新日本理化公司製之「MH-700」等。

酚系硬化劑，可列舉1分子中具有1個以上、較佳為具有2個以上之鍵結於芳香環(苯環、萘環等)的羥基之硬化劑。其中尤以具有鍵結於苯環的羥基之化合物為佳。又，就耐熱性及耐水性之觀點，較佳為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑。進一步地，就密合性之觀點，較佳為含氮酚系硬化劑、更佳為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。特別就高度滿足耐熱性、耐水性，及密合性的觀點，較佳為含有三嗪骨架之酚酚醛清漆硬化劑。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之市售品，可列舉明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、「MEH-8000H」；日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」；新日鐵住金化學公司製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-495V」、「SN-375」、「SN-395」；DIC公司製之「TD-2090」、「TD-2090-60M」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」；群榮化學公司製之「GDP-6115L」、「GDP-6115H」、「ELPC75」等。

活性酯系硬化劑，可列舉1分子中具有1個以上之活性酯基的硬化劑。其中，活性酯系硬化劑尤以酚酯類、硫酚酯類、N-羥胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等的1分子中具有2個以上之反應活性高之酯基的化合物為佳。該活性酯系硬化劑，較佳為藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應所得到者。特別就耐熱性提高之觀點，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得到的活性酯系硬化劑、更佳為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得到的活性酯系硬化劑。

羧酸化合物例如可列舉安息香酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。

酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛清漆等。此處，「二環戊二烯型二酚化合物」，係指酚2分子對二環戊二烯1分子縮合而得到之二酚化合物。

活性酯系硬化劑之較佳具體例子，可列舉包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造之活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物、包含酚酚醛清漆之苄醯化物的活性酯化合物。其中尤以包含萘構造之活性酯化合物、包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物更佳。「二環戊二烯型二酚構造」，係表示由伸苯基-伸二環戊基-伸苯基所構成的2價構造。

活性酯系硬化劑之市售品，就包含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物而言可列舉「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000」、「HPC-8000H」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L」、「EXB-8000L-65TM」、「EXB-8150-65T」(DIC公司製)；就包含萘構造之活性酯化合物而言可列舉「EXB9416-70BK」(DIC公司製)；就包含酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物而言可列舉「DC808」(三菱化學公司製)；就包含酚酚醛清漆之苄醯化物的活性酯化合物而言可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)；就酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑而言可列舉「DC808」(三菱化學公司製)；就酚酚醛清漆之苄醯化物的活性酯系硬化劑而言可列舉「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。

氰酸酯系硬化劑，例如可列舉雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚，及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂；由酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生的多官能氰酸酯樹脂；此等氰酸酯樹脂一部分三嗪化之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之具體例子，可列舉Lonza Japan公司製之「PT30」及「PT60」(均為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)；「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)；「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯之一部分或全部三嗪化而成為三聚體的預聚物)等。

苯并噁嗪系硬化劑之具體例子，可列舉昭和高分子公司製之「HFB2006M」、四國化成工業公司製之「P-d」、「F-a」。

碳二亞胺系硬化劑之具體例子，可列舉日清紡化學公司製之「V-03」、「V-07」等。

就顯著得到本發明之所期望之效果的觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(B)成分之含量，較佳為1質量%以上、更佳為2質量%以上、又更佳為3質量%以上；較佳為20質量%以下、更佳為15質量%以下、又更佳為10質量%以下。

(A)環氧樹脂與(B)硬化劑之量比，以[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基之合計數]的比率計，較佳為1：0.01~1：2之範圍、更佳為1：0.05~1：3、又更佳為1：0.1~1：1.5。此處，硬化劑之反應基，係指活性羥基等，依硬化劑之種類而不同。又，環氧樹脂之環氧基之合計數，係指對於全部之環氧樹脂，將各環氧樹脂的固體成分質量除以環氧當量之值予以合計之值，硬化劑之反應基之合計數，係指對於全部之硬化劑，將各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值予以合計之值。藉由使環氧樹脂與硬化劑之量比成為如此範圍，樹脂組成物之硬化物的耐熱性會更加提高。

[4.(C)具有輪烷構造之化合物]
樹脂組成物，含有具有輪烷構造之化合物，作為(C)成分。輪烷構造，係指具有環狀分子、以貫通於環狀分子的方式被包藏的直鏈狀之軸分子，及將軸分子之末端封鎖而使環狀分子不會脫落之封鎖基的構造。可認為輪烷構造由於環狀分子與軸分子不會鍵結故具有柔軟性。其結果，藉由於樹脂組成物中含有具有輪烷構造之化合物，可降低樹脂組成物之黏度，進而可抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。

(C)成分只要具有輪烷構造則無特殊限定，較佳為具有複數個之環狀分子及軸分子的至少任一者之聚輪烷、更佳為具有複數個之環狀分子的聚輪烷。聚輪烷中之環狀分子的個數(包藏量)，只要係環狀分子之個數為2個以上之範圍內則無特殊限定，例如，當將1個軸分子以貫通複數個環狀分子之狀態包藏時，當以環狀分子最大限度地包藏1個軸分子的量(最大包藏量)為100%時，較佳為10%以上、更佳為15%以上、又更佳為20%以上；較佳為90%以下、更佳為85%以下、又更佳為80%以下。藉由使環狀分子之個數(包藏量)成為如此範圍內，可更加抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。包藏量可藉由軸分子之長度與環狀分子之厚度而決定。例如，軸分子為聚乙二醇，環狀分子為α-環糊精分子時，最大包藏量係由實驗求出(參照Macromolecules 1993, 26, 5698-5703)。

輪烷構造中之軸分子，可使用分子量10000以上且可將末端以封鎖基化學修飾之直鏈狀分子。「直鏈狀」係表示實質上為直鏈，只要軸分子所貫通之環狀分子可旋轉或移動，則軸分子亦可具有分支鏈。軸分子例如可列舉聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚(甲基)丙烯酸纖維素系樹脂、聚丙烯醯胺、聚環氧乙烷、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯縮醛系樹脂、聚乙烯基甲基醚、多胺、聚伸乙亞胺、酪蛋白、明膠、澱粉、聚烯烴、聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、丙烯腈-苯乙烯共聚物等共聚物、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、聚乙烯縮丁醛、聚異丁烯、聚四氫呋喃、聚醯胺、聚醯亞胺、聚二烯、聚矽氧烷、聚脲、聚硫醚、聚磷腈、聚酮、聚伸苯、聚鹵化烯烴與其衍生物等。此等之中尤宜使用聚乙二醇鏈。此等亦可於聚輪烷中混合存在有2種以上。

軸分子之長度，只要環狀分子可旋轉或移動，則無特殊限定。軸分子之長度可使用重量平均分子量來表示。軸分子之重量平均分子量，較佳為3000以上、更佳為4000以上、又更佳為5000以上；較佳為100000以下、更佳為90000以下、又更佳為85000以下。藉由使軸分子之重量平均分子量成為如此範圍內，可更加抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。軸分子之重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

軸分子通常具有包含封鎖基之分子反應於兩末端具有官能基之分子的前述官能基而鍵結的構造。官能基較佳例如可列舉醯胺基、羥基、羧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、環氧基、乙烯基等。

輪烷構造中之環狀分子係可將軸分子於貫通的狀態包藏之環狀分子，可使用具有至少一個反應基(官能基)的分子，以使得可與(B)硬化劑反應。環狀分子，係指實質上為環狀之分子，「實質上為環狀」，意指包含未完全閉環者，其係亦包含具有字母「C」之一端與多端未鍵結而重疊的螺旋構造者之概念。環狀分子例如可列舉環糊精類、冠醚類、穴醚(cryptand)類、大環狀胺類、杯芳烴類、環芳烴類等。此等之中尤以環糊精類為佳。此等亦可於聚輪烷中混合存在有2種以上。

環糊精類例如可列舉α-環糊精、β-環糊精、γ-環糊精、二甲基環糊精及葡萄糖苷基環糊精、此等之衍生物或改質體等。

環狀分子較佳為包含反應基。反應基例如可列舉羥基、羧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、環氧基、乙烯基等，其中尤以羥基為佳。藉由使環狀分子具有反應基，可透過(B)硬化劑使環狀分子彼此或(C)成分與(A)環氧樹脂交聯。又，亦可使一方之環狀分子的反應基，與另一方之環狀分子的反應基交聯。其結果，可抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。反應基可單獨具有1種、亦可具有2種以上。

反應基亦可不直接鍵結於環狀分子。例如，環狀分子為環糊精時，環糊精本身所存在之羥基為反應基，對該羥基加成羥基丙基時，羥基丙基之羥基亦為反應基。進一步地，透過羥基丙基之羥基進行ε-己內酯之開環聚合，而具有己內酯鏈時，位於己內酯鏈中之聚酯部位的相反側末端之羥基亦為反應基。

每1個環狀分子，可具有1個環狀分子之反應基、亦可具有2個以上。

環狀分子之重量平均分子量，較佳為5000以上、更佳為6000以上、又更佳為7000以上；較佳為1500000以下、更佳為1400000以下、又更佳為1350000以下。藉由使環狀分子之重量平均分子量成為如此範圍內，可更加抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。環狀分子之重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

輪烷構造中之封鎖基，只要係具有環狀分子不會脫落之程度的體積之構造則無特殊限定。封鎖基例如可列舉環糊精基、金剛烷基、二硝基苯基、三苯甲基等。其中尤以金剛烷基為佳。此等可於聚輪烷中單獨具有1種、亦可具有2種以上。

(C)具有輪烷構造之化合物全體的重量平均分子量，較佳為10000以上、更佳為15000以上、又更佳為20000以上；較佳為1500000以下、更佳為1400000以下、又更佳為1350000以下。藉由使(C)具有輪烷構造之化合物全體的重量平均分子量成為如此範圍內，可更加抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。(C)具有輪烷構造之化合物全體的重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

(C)具有輪烷構造之化合物的羥基價，較佳為45mgKOH/g以上、更佳為50mgKOH/g以上、又更佳為55mgKOH/g以上；較佳為120mgKOH/g以下、更佳為115mgKOH/g以下、又更佳為110mgKOH/g以下。藉由使羥基價成為如此範圍內，與(A)環氧樹脂、(B)硬化劑，及另一方的環狀分子所具有之反應基的反應變得更容易。羥基價可遵照JIS K0070測定。

(C)具有輪烷構造之化合物亦可為液狀，但較佳為以粒子狀而包含於樹脂組成物中。粒子狀之(C)成分容易分散，且可降低樹脂組成物之黏度。

(C)具有輪烷構造之化合物之平均粒徑，較佳為100nm以上、更佳為500nm以上、又更佳為800nm以上；較佳為50000nm以下、更佳為40000nm以下、又更佳為30000nm以下。具有如此之平均粒徑的(C)具有輪烷構造之化合物，容易於樹脂組成物內均勻分散，樹脂組成物之黏度容易降低。平均粒徑可藉由與後述(D)無機填充材之平均粒徑的測定相同的方法來測定。

(C)具有輪烷構造之化合物，例如可藉由國際公開第01/83566號、日本特開2005-154675號公報、日本專利第4482633號等記載的方法合成。

(C)具有輪烷構造之化合物亦可使用市售品。市售品例如可使用Advanced Softmaterials公司製之「SH2400B-007」、「SH1310P」、「SeRM Super Polymer A1000」等。

(C)具有輪烷構造之化合物之含量，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為0.1質量%以上、更佳為0.2質量%以上、又更佳為0.3質量%以上；又，較佳為10質量%以下、更佳為9質量%以下、又更佳為8質量%以下、5質量%以下，或3質量%以下。藉由使(C)具有輪烷構造之化合物之含量成為如此範圍內，可降低樹脂組成物之黏度，可抑制樹脂組成物之硬化物的翹曲。

[5.(D)無機填充材]
樹脂組成物含有無機填充材作為(D)成分。藉由使用(D)無機填充材，可使樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數為小，又，可抑制翹曲。

(D)無機填充材之材料，係使用無機化合物。(D)無機填充材之材料，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、菫青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯，及磷酸鎢酸鋯等。此等之中，就顯著得到本發明之所期望之效果的觀點，尤以二氧化矽特別適宜。二氧化矽例如可列舉不定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又，二氧化矽較佳為球形二氧化矽。(D)無機填充材可1種單獨使用、亦能夠以任意比率組合使用2種以上。

通常，(D)無機填充材係以粒子的狀態包含於樹脂組成物中。(D)無機填充材之平均粒徑，較佳為0.1 μm以上、更佳為0.2μm以上、特佳為0.3μm以上、0.4μm以上、0.5μm以上，或1.0μm以上；較佳為10μm以下、更佳為8.0μm以下、特佳為7.0μm以下。藉由使(D)無機填充材之平均粒徑為前述範圍，樹脂組成物中之(D)無機填充材的填充性增高，可顯著得到本發明之所期望之效果。特別是藉由使(D)無機填充材之平均粒徑為前述範圍之下限以上，可有效地提高樹脂組成物之壓縮成型性，可減低流痕。又，藉由使(D)無機填充材之平均粒徑為前述範圍，通常以樹脂組成物之硬化物來形成絕緣層時，可使絕緣層之表面粗度為低。

(D)無機填充材等之粒子之平均粒徑，可藉由基於米氏(Mie)散射理論之雷射繞射/散射法來測定。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，以體積基準製成粒子之粒徑分布，由其粒徑分布作為中位直徑來測定平均粒徑。測定樣品較佳可使用將粒子藉由超音波而分散於水等之溶劑中者。雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，可使用堀場製作所公司製「LA-500」等。

如前述之(D)無機填充材，例如可列舉新日鐵住金MATERIALS公司製「ST7030-20」；龍森公司製「MSS-6」、「AC-5V」；新日鐵住金MATERIALS公司製「SP60-05」、「SP507-05」；Admatechs公司製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」；Denka公司製「UFP-30」、「SFP-130MC」、「FB-7SDC」、「FB-5SDC」、「FB-3SDC」；Tokuyama公司製「Silfil NSS-3N」、「Silfil NSS-4N」、「Silfil NSS-5N」；Admatechs公司製「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」、「FE9」等。

(D)無機填充材較佳經適切的表面處理劑表面處理。藉由經表面處理，可提高(D)無機填充材之耐濕性及分散性。表面處理劑例如可列舉含氟矽烷偶合劑、胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等。

表面處理劑之市售品，例如可列舉信越化學工業公司製「KBM22」(二甲基二甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM5783」(N-苯基-3-胺基辛基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧基型矽烷偶合劑)等。其中尤以含有氮原子之矽烷偶合劑為佳、更佳為含有苯基之胺基矽烷系偶合劑、又更佳為N-苯基-3-胺基烷基三甲氧基矽烷。又，表面處理劑可1種單獨使用、亦能夠以任意比率組合2種以上來使用。

以表面處理劑進行表面處理的程度，可藉由(D)無機填充材之每單位表面積的碳量來評估。(D)無機填充材之每單位表面積的碳量，就提高(D)無機填充材之分散性的觀點，較佳為0.02mg/m² 以上、更佳為0.1mg/m² 以上、特佳為0.2mg/m² 以上。另一方面，就抑制樹脂組成物之熔融黏度及以薄片形態之熔融黏度的上昇之觀點，前述碳量較佳為1mg/m² 以下、更佳為0.8mg/m² 以下、特佳為0.5mg/m² 以下。

(D)無機填充材之每單位表面積的碳量，可於將表面處理後之(D)無機填充材藉由溶劑(例如，甲基乙基酮(以下有略稱為「MEK」者))洗淨處理之後來測定。具體而言，係將充分量之甲基乙基酮，與經表面處理劑表面處理的(D)無機填充材混合，於25℃超音波洗淨5分鐘。之後，去除上清液，使固體成分乾燥後，可使用碳分析計，測定(D)無機填充材之每單位表面積的碳量。碳分析計可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」。

樹脂組成物中之(D)無機填充材之量，相對於樹脂組成物中之不揮發成分100質量%而言，較佳為50質量%以上、更佳為60質量%以上、又更佳為70質量%以上、80質量%以上；較佳為95質量%以下、更佳為93質量%以下、又更佳為91質量%以下。藉由使(D)無機填充材之量為前述範圍，可顯著地得到本發明之所期望之效果，特別可使樹脂組成物之線熱膨脹係數有效果地為低。

[6.(E)硬化促進劑]
樹脂組成物亦可含有(E)硬化促進劑作為任意成分。藉由使用硬化促進劑，於使樹脂組成物硬化時可促進硬化。

(E)硬化促進劑例如可列舉磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。其中尤以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑及金屬系硬化促進劑為佳；更佳為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑及金屬系硬化促進劑。硬化促進劑可1種單獨使用、亦可組合2種以上使用。

磷系硬化促進劑，例如可列舉三苯基膦、鏻硼酸鹽化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等。其中尤以三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽為佳。

胺系硬化促進劑，例如可列舉三乙胺、三丁胺等之三烷胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯、4-吡咯啶基吡啶等。其中尤以4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯為佳。

咪唑系硬化促進劑，例如可列舉2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加合體。其中尤以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為佳。

咪唑系硬化促進劑，亦可使用市售品，例如可列舉三菱化學公司製之「P200-H50」；四國化成公司製「2E4MZ」等。

胍系硬化促進劑，例如可列舉二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等。其中尤以二氰二胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯為佳。

金屬系硬化促進劑，例如可列舉鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。有機金屬錯合物之具體例子，可列舉乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等之有機鈷錯合物；乙醯丙酮銅(II)等之有機銅錯合物；乙醯丙酮鋅(II)等之有機鋅錯合物；乙醯丙酮鐵(III)等之有機鐵錯合物；乙醯丙酮鎳(II)等之有機鎳錯合物；乙醯丙酮錳(II)等之有機錳錯合物等。有機金屬鹽，例如可列舉辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

樹脂組成物含有(E)硬化促進劑時，(E)硬化促進劑之量，就顯著得到本發明之所期望之效果的觀點，相對於樹脂組成物之樹脂成分100質量%而言，較佳為0.01質量%~3質量%、更佳為0.03質量%~1.5質量%、又更佳為0.05質量%~1質量%。

[7.(F)任意添加劑]
樹脂組成物，於上述成分以外，亦可進一步含有任意添加劑，作為任意成分。如此之添加劑，例如可列舉有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物；熱可塑性樹脂；增黏劑；消泡劑；調平劑；密合性賦予劑；著色劑；難燃劑等之樹脂添加劑。此等添加劑，可單獨使用1種、亦能夠以任意比率組合使用2種以上。

上述樹脂組成物，亦可依需要含有溶劑，但較佳為實質上不含溶劑的無溶劑之樹脂組成物。如此地，即使不含溶劑，前述樹脂組成物，當使用壓縮成型法成型時亦可流動化，可實現優良的壓縮成型性。因而，該樹脂組成物，可作為無溶劑用樹脂組成物使用。藉由作為無溶劑用樹脂組成物使用，可抑制流痕產生。「實質上不含溶劑」，係指例如溶劑之含量，相對於無溶劑樹脂組成物全體而言，為1質量%以下。

[8.樹脂組成物之製造方法]
樹脂組成物，例如可藉由將摻合成分使用旋轉混合器等之攪拌裝置攪拌的方法來製造。

[9.樹脂組成物之特性]
上述樹脂組成物，壓縮成型性優良。因而，於電路基板或半導體晶片上藉由壓縮成型法形成樹脂組成物層時，可將樹脂組成物填充至各個角落。因此，藉由使前述之樹脂組成物層硬化，可得到絕緣信賴性優良的絕緣層及密封信賴性優良的密封層。

例如，將上述樹脂組成物，於12吋矽晶圓上，使用壓縮模具裝置(鑄模溫度：130℃、模具壓力：6 MPa、硬化時間：10分鐘)予以壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。此時，通常可一邊抑制流痕產生，一邊填充樹脂組成物。

又，依照上述樹脂組成物，可得到可抑制翹曲的硬化物之層。因此，藉由使用該樹脂組成物，可得到可抑制電路基板及半導體晶片封裝之翹曲的絕緣層及密封層。例如，使用上述樹脂組成物，藉由實施例記載之方法，於12吋矽晶圓上形成樹脂組成物之硬化物層，製作試樣基板。此時，將試樣基板以35℃、260℃及35℃之順序加熱及冷卻時，以實施例記載的方法所測定之翹曲量，通常可為未達2mm。

又，依照上述樹脂組成物，可得到線熱膨脹係數低的硬化物。因此，藉由使用該樹脂組成物，可得到線熱膨脹係數低的絕緣層及密封層。
例如，使用上述樹脂組成物，藉由實施例記載之方法，製造評估用硬化物，進行該評估用硬化物之線熱膨脹係數的測定。此時，所得之線熱膨脹係數，通常為10 ppm/℃以下、較佳為9.5ppm/℃以下、更佳為9ppm/℃以下。下限並無特別限制，通常係0ppm/℃、較佳為1ppm/℃以上。

又，上述樹脂組成物，通常可得到玻璃轉移點溫度(Tg)高的硬化物。因此，藉由使用該樹脂組成物，可得到玻璃轉移點溫度高的絕緣層及密封層。
例如，使用上述樹脂組成物，藉由實施例記載之方法，製造評估用硬化物，進行該評估用硬化物之玻璃轉移點溫度的測定。此時，所得之玻璃轉移點溫度，通常為130℃以上、較佳為140℃以上、更佳為150℃以上。上限並無特別限制，通常為300℃以下、較佳為290℃以下。

又，上述樹脂組成物，通常顯示黏度低的特性。因此，藉由使用該樹脂組成物，使用壓縮模具裝置進行壓縮成型時的操作性變得優良。
例如，使用RE80型黏度計(測定對象之樹脂組成物0.2~0.3ml、測定室溫度25.0℃)，轉子之旋轉數設定為1 rpm，計測120秒後的黏度。此時，樹脂組成物之黏度通常可為未達500Pa･s、較佳可為未達400Pa･s。

本發明者如下述般推測藉由本發明之樹脂組成物而得到如前述之優良優點的機制。惟，本發明之技術範圍不受下述說明的機制所限制。
上述樹脂組成物由於含有柔軟性優良的(C)具有輪烷構造之化合物，故黏度之上昇受到抑制，並且壓縮成型時之流動性優良。因此，樹脂組成物可容易地進入小的間隙，故達成優良的壓縮成型性。
又，樹脂組成物所含有的(D)無機填充材，相較於樹脂成分而言，溫度變化所致之膨脹及收縮的程度小。因而，可使樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數為低。
又，如前所述，(D)無機填充材由於溫度變化所致之膨脹及收縮的程度小，故即使產生溫度變化，亦可使由該溫度變化所產生的應力為小。又，(C)具有輪烷構造之化合物可作為柔軟的可撓成分而發揮功能，因此即使於硬化物內產生應力，(C)具有輪烷構造之化合物亦可吸收其應力。因此，可抑制可成為翹曲原因的應力之產生，因此可抑制翹曲。

前述之樹脂組成物可為液狀、亦可為固體狀，但於其成型時較佳為液狀。例如，於常溫(例如20℃)下為液狀之樹脂組成物，可在不進行特別的溫度調整下，於常溫以壓縮成型法進行成型，亦可加熱至適切的溫度來以壓縮成型法進行成型。又，於常溫下為固體狀的樹脂組成物，通常可藉由將該溫度調整為較高溫度(例如130℃)而成為液狀，因此可藉由加熱等之適切的溫度調整來以壓縮成型法進行成形。前述樹脂組成物，通常，即使不含溶劑，於適切的溫度下亦可成為液狀，例如，可使用作為液狀密封材。

[10.樹脂組成物之用途]
活用上述優點，藉由前述樹脂組成物之硬化物，可形成密封層及絕緣層。因而，該樹脂組成物，可作為半導體密封用或絕緣層用之樹脂組成物使用。

例如，前述之樹脂組成物，可作為用以形成半導體晶片封裝之絕緣層的樹脂組成物(半導體晶片封裝之絕緣層用之樹脂組成物)，及用以形成電路基板(包含印刷配線板)之絕緣層的樹脂組成物(電路基板之絕緣層用之樹脂組成物)，而適合地使用。

又，例如，前述之樹脂組成物，可作為用以密封半導體晶片之樹脂組成物(半導體晶片密封用之樹脂組成物)，而適合地使用。

可適用以前述之樹脂組成物的硬化物所形成之密封層或絕緣層的半導體晶片封裝，例如可列舉FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝、Fan-out型WLP (Wafer Level Package)、Fan-in型WLP、Fan-out型PLP (Panel Level Package)、Fan-in型PLP。

又，前述之樹脂組成物，亦可作為底膠填充材(underfill material)使用，例如，可作為將半導體晶片連接於基板之後所用的MUF(Molding Under Filling)之材料使用。

進一步地，前述之樹脂組成物，可使用於利用樹脂薄片、預浸體等之薄片狀層合材料、阻焊劑、晶粒接合材、填孔樹脂、零件埋入樹脂等樹脂組成物的廣泛用途。

[11.樹脂薄片]
本發明之樹脂薄片，具有支持體，與設置於該支持體上之樹脂組成物層。樹脂組成物層為含有本發明之樹脂組成物之層，通常係以樹脂組成物形成。

樹脂組成物層之厚度，就薄型化之觀點，較佳為600μm以下、更佳為550μm以下、又更佳為500μm以下、400μm以下、350μm以下、300μm以下，或200μm以下。樹脂組成物層之厚度下限並無特殊限定，例如可為1 μm以上、5μm以上、10μm以上等。

支持體例如可列舉由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔、脫模紙，較佳為由塑膠材料所構成之薄膜、金屬箔。

使用由塑膠材料所構成之薄膜作為支持體時，塑膠材料例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(以下有略稱為「PET」者)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有略稱為「PEN」者)等之聚酯；聚碳酸酯(以下有略稱為「PC」者)；聚甲基丙烯酸甲酯(以下有略稱為「PMMA」者)等之丙烯酸聚合物；環狀聚烯烴；三乙醯基纖維素(以下有略稱為「TAC」者)；聚醚硫醚(以下有略稱為「PES」者)；聚醚酮；聚醯亞胺等。其中尤以聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯為佳；特佳為價格便宜的聚對苯二甲酸乙二酯。

使用金屬箔作為支持體時，金屬箔例如可列舉銅箔、鋁箔等。其中尤以銅箔為佳。銅箔可使用由銅的單金屬所構成之箔、亦可使用由銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所構成之箔。

支持體於與樹脂組成物層接合之面，亦可施以消光處理、電暈處理、抗靜電處理等之處理。

又，亦可使用於與樹脂組成物層接合之面具有脫模層的附有脫模層之支持體，作為支持體。附有脫模層之支持體的脫模層所使用之脫模劑，例如可列舉選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂，及聚矽氧樹脂所成之群的1種以上之脫模劑。脫模劑之市售品，例如可列舉醇酸樹脂系脫模劑之琳得科公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。又，附有脫模層之支持體，例如可列舉東麗公司製之「Lumirror T60」；帝人公司製之「Purex」；Unitika公司製之「Unipeel」等。

支持體之厚度，較佳為5μm~75μm之範圍、更佳為10μm~60μm之範圍。再者，使用附有脫模層之支持體時，較佳為附有脫模層之支持體全體的厚度為上述範圍。

樹脂薄片，例如可將樹脂組成物使用模塗佈器等之塗佈裝置塗佈於支持體上而製造。又，亦可依需要將樹脂組成物溶解於有機溶劑調製樹脂塗料，並塗佈該樹脂塗料來製造樹脂薄片。藉由使用溶劑，可調整黏度，提高塗佈性。使用樹脂塗料時，通常係於塗佈後使樹脂塗料乾燥，形成樹脂組成物層。

有機溶劑例如可列舉丙酮、甲基乙基酮及環己酮等之酮溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽珞蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯溶劑；賽珞蘇及丁基卡必醇等之卡必醇溶劑；甲苯及二甲苯等之芳香族烴溶劑；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可1種單獨使用、亦能夠以任意比率組合使用2種以上。

乾燥可藉由加熱、熱風吹送等之公知方法實施。乾燥條件，係以樹脂組成物層中的有機溶劑之含量通常成為10質量%以下、較佳成為5質量%以下的方式乾燥。雖亦依樹脂塗料中之有機溶劑的沸點而異，但例如使用含有30質量%~60質量%之有機溶劑的樹脂塗料時，可藉由於50℃~150℃乾燥3分鐘~10分鐘，形成樹脂組成物層。

樹脂薄片亦可依需要，包含支持體及樹脂組成物層以外之任意層。例如，於樹脂薄片中，樹脂組成物層之未與支持體接合之面(亦即與支持體相反側之面)，亦可設置準支持體的保護薄膜。保護薄膜之厚度，例如為1 μm~40μm。藉由保護薄膜，可防止對樹脂組成物層表面之灰塵等之附著或傷痕。樹脂薄片具有保護薄膜時，藉由剝離保護薄膜即可使用樹脂薄片。又，樹脂薄片可捲繞為輥狀來保存。

樹脂薄片可適合地使用於在半導體晶片封裝之製造中形成絕緣層(半導體晶片封裝之絕緣用樹脂薄片)。例如，樹脂薄片可使用於形成電路基板之絕緣層(電路基板之絕緣層用樹脂薄片)。使用如此基板之封裝的例子，可列舉FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝。

又，樹脂薄片可適合地使用於密封半導體晶片(半導體晶片密封用樹脂薄片)。可適用之半導體晶片封裝，例如可列舉Fan-out型WLP、Fan-in型WLP、Fan-out型PLP、Fan-in型PLP等。

又，亦可將樹脂薄片使用於將半導體晶片連接於基板之後所用的MUF之材料。

進一步地，樹脂薄片可使用於要求高的絕緣信賴性之其他廣泛的用途。例如，樹脂薄片可適合地使用於形成印刷配線板等之電路基板的絕緣層。

[12.電路基板]
本發明之電路基板，包含藉由本發明之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。該電路基板，例如可藉由包含下述步驟(1)及步驟(2)之製造方法來製造。
(1)於基材上形成樹脂組成物層之步驟。
(2)將樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟。

步驟(1)中，係準備基材。基材例如可列舉玻璃環氧基板、金屬基板(不鏽鋼或冷壓延鋼板(SPCC)等)、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板。又，基材亦可於表面具有銅箔等之金屬層作為該基材之一部分。例如，亦可使用於兩方的表面具有可剝離之第一金屬層及第二金屬層的基材。使用如此之基材時，通常，可作為電路配線發揮功能的作為配線層之導體層，係形成於第二金屬層之與第一金屬層相反側之面。具有如此之金屬層的基材，例如可列舉三井金屬礦業公司製之附有載體銅箔之極薄銅箔「Micro Thin」。

又，亦可於基材之一方或兩方的表面形成導體層。以下的說明中，有將包含基材與形成於該基材表面之導體層的構件，適當稱為「附有配線層之基材」者。導體層中所包含的導體材料，例如可列舉含有選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群的1種以上之金屬的材料。導體材料可使用單金屬、亦可使用合金。合金例如可列舉選自上述群的2種以上之金屬的合金(例如鎳/鉻合金、銅/鎳合金及銅/鈦合金)。其中就導體層形成之通用性、成本、圖型化之容易性的觀點，尤以作為單金屬之鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅；及作為合金之鎳/鉻合金、銅/鎳合金、銅/鈦合金之合金為佳。其中尤以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬；及鎳/鉻合金為更佳，特佳為銅的單金屬。

導體層，例如為了作為配線層發揮功能，亦可經圖型加工。此時，導體層之線(電路寬)/間隙(電路間之寬)比，並無特殊限制，較佳為20/20μm以下(亦即間距為40μm以下)、更佳為10/10μm以下、又更佳為5/5μm以下、又再更佳為1/1μm以下、特佳為0.5/0.5μm以上。間距不需於導體層全體皆為相同。導體層之最小間距，例如可為40μm以下、36μm以下，或30μm以下。

導體層之厚度雖依電路基板之設計而異，但較佳為3μm~35μm、更佳為5μm~30μm、又更佳為10μm~ 20μm、特佳為15μm~20μm。

導體層，例如可藉由包含：於基材上層合乾膜(感光性阻劑薄膜)之步驟、使用光罩對乾膜以特定條件進行曝光及顯影而形成圖型，得到圖型乾膜之步驟、以經顯影之圖型乾膜為鍍敷遮罩，藉由電解鍍敷法等之鍍敷法形成導體層之步驟，及將圖型乾膜剝離之步驟之方法而形成。乾膜可使用由光阻組成物所構成的感光性之乾膜，例如可使用以酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等之樹脂所形成的乾膜。基材與乾膜之層合條件，可與後述基材與樹脂薄片之層合條件相同。乾膜之剝離，例如可使用氫氧化鈉溶液等之鹼性的剝離液來實施。

準備基材後，於基材上形成樹脂組成物層。於基材表面形成有導體層時，樹脂組成物層的形成，較佳以導體層被埋入於樹脂組成物層的方式進行。

樹脂組成物層的形成，例如係藉由將樹脂薄片與基材層合來進行。該層合例如可藉由自支持體側將樹脂薄片加熱壓接於基材，於基材貼合樹脂組成物層來進行。將樹脂薄片加熱壓接於基材的構件(以下有稱為「加熱壓接構件」者)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥等)等。再者，較佳為以樹脂薄片充分隨附於基材之表面凹凸的方式，隔著耐熱橡膠等之彈性材來壓製，而非將加熱壓接構件直接壓於樹脂薄片上。

基材與樹脂薄片之層合，例如可藉由真空貼合法來實施。真空貼合法中，加熱壓接溫度，較佳為60℃~160℃、更佳為80℃~140℃之範圍。加熱壓接壓力，較佳為0.098MPa~1.77MPa、更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍。加熱壓接時間，較佳為20秒~400秒、更佳為30秒~300秒之範圍。層合較佳為於壓力13hPa以下之減壓條件下實施。

於層合之後，亦可藉由在常壓下(大氣壓下)，例如將加熱壓接構件自支持體側進行壓製，來進行經層合之樹脂薄片的平滑化處理。平滑化處理之壓製條件，可為與上述層合之加熱壓接條件相同的條件。再者，層合與平滑化處理，亦可使用真空貼合機連續地進行。

又，樹脂組成物層的形成，例如可藉由壓縮成型法進行。成型條件，可採用與後述形成半導體晶片封裝之密封層的步驟中之樹脂組成物層之形成方法相同的條件。

於基材上形成樹脂組成物層之後，將樹脂組成物層熱硬化，形成絕緣層。樹脂組成物層之熱硬化條件，雖亦依樹脂組成物之種類而異，但硬化溫度通常係120℃~240℃之範圍(較佳為150℃~220℃之範圍、更佳為170℃~200℃之範圍)、硬化時間係5分鐘~120分鐘之範圍(較佳為10分鐘~100分鐘、更佳為15分鐘~90分鐘)。

將樹脂組成物層熱硬化之前，亦可對樹脂組成物層，實施以低於硬化溫度之溫度加熱的預備加熱處理。例如，將樹脂組成物層熱硬化之前，通常可於50℃以上且未達120℃(較佳為60℃以上且110℃以下、更佳為70℃以上且100℃以下)的溫度下，將樹脂組成物層預備加熱通常5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘、更佳為15分鐘~120分鐘)。

如以上般，可製造具有絕緣層之電路基板。又，電路基板之製造方法，亦可進一步包含任意步驟。
例如，使用樹脂薄片來製造電路基板時，電路基板之製造方法，亦可包含將樹脂薄片之支持體剝離的步驟。支持體可於樹脂組成物層之熱硬化之前剝離、亦可於樹脂組成物層之熱硬化之後剝離。

電路基板之製造方法，例如亦可包含於形成絕緣層之後，將該絕緣層之表面予以研磨的步驟。研磨方法並無特殊限定。例如，可使用平面研削盤將絕緣層之表面予以研磨。

電路基板之製造方法，例如亦可包含將導體層層間連接之步驟(3)，即所謂對絕緣層開孔之步驟。藉此可於絕緣層形成通孔(via hole)、透孔(through hole)等之孔洞。通孔之形成方法，例如可列舉雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等。通孔之尺寸或形狀可依電路基板之設計而適當決定。再者，步驟(3)亦可藉由絕緣層之研磨或研削來進行層間連接。

通孔形成後，較佳進行去除通孔內之膠渣的步驟。該步驟有稱為除膠渣步驟者。例如，藉由鍍敷步驟來進行對絕緣層上形成導體層時，亦可對通孔進行濕式的除膠渣處理。又，藉由濺鍍步驟來進行對絕緣層上形成導體層時，亦可進行電漿處理步驟等之乾式除膠渣步驟。進一步地，可藉由除膠渣步驟對絕緣層實施粗化處理。

又，於絕緣層上形成導體層之前，亦可對絕緣層進行粗化處理。依照該粗化處理，通常係將包含通孔內之絕緣層的表面粗化。作為粗化處理，可進行乾式及濕式之任意粗化處理。乾式粗化處理的例子，可列舉電漿處理等。又，濕式粗化處理的例子，可列舉依序進行以膨潤液之膨潤處理、以氧化劑之粗化處理，及以中和液之中和處理的方法。

形成通孔後，於絕緣層上形成導體層。藉由於形成有通孔的位置形成導體層，新形成的導體層與基材表面之導體層導通，進行層間連接。導體層之形成方法，例如可列舉鍍敷法、濺鍍法、蒸鍍法等，其中尤以鍍敷法為佳。於適合的實施形態中，係藉由半加成法、全加成法等之適切的方法對絕緣層之表面鍍敷，形成具有所期望之配線圖型的導體層。又，樹脂薄片中之支持體為金屬箔時，可藉由減成法，形成具有所期望之配線圖型的導體層。所形成之導體層的材料，可為單金屬、亦可為合金。又，該導體層可具有單層構造、亦可具有包含2層以上之不同種類的材料之層的複層構造。

此處，詳細說明於絕緣層上形成導體層之實施形態的例子。於絕緣層之表面，藉由無電解鍍敷形成鍍敷種子層。接著，於所形成之鍍敷種子層上，對應於所期望之配線圖型，形成使鍍敷種子層之一部分露出的遮罩圖型。於所露出之鍍敷種子層上，藉由電解鍍敷形成電解鍍敷層之後，去除遮罩圖型。之後，將不要的鍍敷種子層藉由蝕刻等之處理而去除，可形成具有所期望之配線圖型的導體層。再者，形成導體層時，用於形成遮罩圖型的乾膜，係與上述乾膜相同。

電路基板之製造方法，亦可包含將基材去除之步驟(4)。藉由將基材去除，可得到具有絕緣層，與被埋入於該絕緣層的導體層之電路基板。該步驟(4)，例如可於使用具有可剝離之金屬層的基材時來進行。

[13.半導體晶片封裝]
本發明之第一實施形態之半導體晶片封裝，包含上述電路基板，與搭載於該電路基板之半導體晶片。該半導體晶片封裝，可藉由於電路基板接合半導體晶片來製造。

電路基板與半導體晶片之接合條件，可採用半導體晶片之端子電極與電路基板之電路配線可進行導體連接的任意條件。例如，可採用於半導體晶片之倒裝晶片構裝中所使用的條件。又，例如，亦可於半導體晶片與電路基板之間，隔著絕緣性之接著劑來接合。

接合方法的例子，可列舉將半導體晶片壓接於電路基板之方法。作為壓接條件，壓接溫度係通常為120℃~240℃之範圍(較佳為130℃~200℃之範圍、更佳為140℃~180℃之範圍)、壓接時間係通常為1秒~60秒之範圍(較佳為5秒~30秒)。

又，接合方法之其他例子，可列舉將半導體晶片迴焊於電路基板以接合的方法。迴焊條件可為120℃~300℃之範圍。

將半導體晶片接合於電路基板後，可將半導體晶片以模具底膠填充材填充。該模具底膠填充材，可使用上述樹脂組成物，又，亦可使用上述樹脂薄片。

本發明之第二實施形態之半導體晶片封裝，包含半導體晶片，與密封該半導體晶片之前述樹脂組成物的硬化物。如此之半導體晶片封裝中，通常，樹脂組成物之硬化物係作為密封層而發揮功能。第二實施形態之半導體晶片封裝，例如可列舉Fan-out型WLP。

如此之半導體晶片封裝之製造方法，包含
(A)將臨時固定薄膜層合於基材之步驟、
(B)將半導體晶片臨時固定於臨時固定薄膜上之步驟、
(C)於半導體晶片上形成密封層之步驟、
(D)將基材及臨時固定薄膜自半導體晶片剝離之步驟、
(E)於半導體晶片之經剝離基材及臨時固定薄膜之面，形成作為絕緣層之再配線形成層之步驟、
(F)於再配線形成層上，形成作為導體層之再配線層之步驟，以及
(G)於再配線層上形成阻焊劑層之步驟。
又，前述半導體晶片封裝之製造方法，亦可包含
(H)將複數個半導體晶片封裝，切割為個別的半導體晶片封裝，而單片化之步驟。

(步驟(A))
步驟(A)為將臨時固定薄膜層合於基材之步驟。基材與臨時固定薄膜之層合條件，可與電路基板之製造方法中的基材與樹脂薄片之層合條件相同。

基材例如可列舉矽晶圓；玻璃晶圓；玻璃基板；銅、鈦、不鏽鋼、冷壓延鋼板(SPCC)等之金屬基板；FR-4基板等之使環氧樹脂等滲入玻璃纖維而經熱硬化處理的基板；由BT樹脂等之雙馬來醯亞胺三嗪樹脂所構成的基板等。

臨時固定薄膜，可使用可自半導體晶片剝離，且可將半導體晶片臨時固定之任意的材料。市售品可列舉日東電工公司製「Revalpha」等。

(步驟(B))
步驟(B)為將半導體晶片臨時固定於臨時固定薄膜上之步驟。半導體晶片之臨時固定，例如可使用倒裝晶片接合器、晶片接合器等之裝置來進行。半導體晶片之配置的佈局及配置數，可依臨時固定薄膜之形狀、大小、作為目的之半導體封裝的生產數等而適切地設定。例如，亦可使半導體晶片整列為複數行且複數列之矩陣狀，來進行臨時固定。

(步驟(C))
步驟(C)為於半導體晶片上形成密封層之步驟。密封層係藉由上述樹脂組成物之硬化物所形成。密封層通常係以包含於半導體晶片上形成樹脂組成物層之步驟，與使該樹脂組成物層熱硬化而形成密封層之步驟的方法形成。

活用樹脂組成物之優良的壓縮成型性，樹脂組成物層之形成，較佳為藉由壓縮成型法進行。壓縮成型法中，通常係將半導體晶片及樹脂組成物配置於模中，於該模內對樹脂組成物施加壓力及依需要之熱，形成被覆半導體晶片之樹脂組成物層。

壓縮成型法之具體的操作，例如可如下述般進行。作為壓縮成型用之模，係準備上模及下模。又，對如前述般臨時固定於臨時固定薄膜上的半導體晶片，塗佈樹脂組成物。將經塗佈樹脂組成物之半導體晶片，與基材及臨時固定薄膜一起安裝於下模。之後，將上模與下模合模，對樹脂組成物施加熱及壓力，進行壓縮成型。

又，壓縮成型法之具體的操作，例如亦可如下述般進行。作為壓縮成型用之模，係準備上模及下模。於下模載置樹脂組成物。又，將半導體晶片與基材及臨時固定薄膜一起安裝於上模。之後，將上模與下模合模，使載置於下模之樹脂組成物接觸於安裝於上模的半導體晶片，施加熱及壓力進行壓縮成型。

成型條件係依樹脂組成物之組成而異，可採用適切的條件以達成良好的密封。例如，成型時之模的溫度，較佳為樹脂組成物可發揮優良壓縮成型性的溫度，較佳為80℃以上、更佳為100℃以上、特佳為120℃以上；較佳為200℃以下、更佳為170℃以下、特佳為150℃以下。又，成形時所施加的壓力，較佳為1MPa以上、更佳為3 MPa以上、特佳為5MPa以上；較佳為50MPa以下、更佳為30MPa以下、特佳為20MPa以下。硬化時間，較佳為1分鐘以上、更佳為2分鐘以上、特佳為5分鐘以上；較佳為60分鐘以下、更佳為30分鐘以下、特佳為20分鐘以下。通常，樹脂組成物層形成後，模係被移除。模之移除，可於樹脂組成物層之熱硬化前進行、亦可於熱硬化後進行。

樹脂組成物層的形成，亦可藉由將樹脂薄片與半導體晶片層合來進行。例如，可藉由將樹脂薄片之樹脂組成物層與半導體晶片加熱壓接，於半導體晶片上形成樹脂組成物層。樹脂薄片與半導體晶片之層合，通常可使用半導體晶片以取代基材，與電路基板之製造方法中樹脂薄片與基材的層合同樣地進行。

於半導體晶片上形成樹脂組成物層之後，使該樹脂組成物層熱硬化，得到被覆半導體晶片之密封層。藉此，進行以樹脂組成物之硬化物密封半導體晶片。樹脂組成物層之熱硬化條件，可採用與電路基板之製造方法中之樹脂組成物層的熱硬化條件相同的條件。進一步地，於使樹脂組成物層熱硬化之前，亦可對樹脂組成物層實施於低於硬化溫度之溫度加熱的預備加熱處理。該預備加熱處理之處理條件，可採用與電路基板之製造方法中之預備加熱處理相同的條件。

(步驟(D))
步驟(D)為將基材及臨時固定薄膜自半導體晶片剝離之步驟。剝離方法較期望採用因應臨時固定薄膜之材質的適切之方法。剝離方法例如可列舉將臨時固定薄膜加熱、發泡或膨脹而剝離的方法。又，剝離方法例如可列舉通過基材對臨時固定薄膜照射紫外線，使臨時固定薄膜之黏著力降低而剝離的方法。

將臨時固定薄膜加熱、發泡或膨脹而剝離的方法中，加熱條件通常為100℃~250℃、1秒~90秒或5分鐘~15分鐘。又，於照射紫外線使臨時固定薄膜之黏著力降低而剝離的方法中，紫外線之照射量通常為10mJ/cm² ~ 1000mJ/cm² 。

(步驟(E))
步驟(E)，為於半導體晶片之經剝離基材及臨時固定薄膜之面，形成作為絕緣層之再配線形成層之步驟。

再配線形成層之材料，可使用具有絕緣性之任意材料。其中，就半導體晶片封裝之製造容易性的觀點，尤以感光性樹脂及熱硬化性樹脂為佳。又，該熱硬化性樹脂亦可使用本發明之樹脂組成物。

形成再配線形成層後，為了使半導體晶片與再配線層層間連接，亦可於再配線形成層形成通孔。

再配線形成層之材料為感光性樹脂時之通孔之形成方法中，通常係對再配線形成層之表面，通過遮罩圖型照射活性能量線，使照射部之再配線形成層光硬化。活性能量線例如可列舉紫外線、可見光線、電子束、X射線等，特佳為紫外線。紫外線之照射量及照射時間，可依感光性樹脂適切地設定。曝光方法例如可列舉使遮罩圖型密合於再配線形成層而曝光之接觸曝光法、不使遮罩圖型密合於再配線形成層，而使用平行光線來曝光之非接觸曝光法等。

使再配線形成層光硬化之後，使再配線形成層顯影，去除未曝光部，而形成通孔。顯影係濕式顯影、乾式顯影均可進行。顯影之方式例如可列舉浸漬方式、槳式方式、噴霧方式、毛刷方式、刮擦方式等，就解像性之觀點，較宜為槳式方式。

再配線形成層之材料為熱硬化性樹脂時之通孔之形成方法，例如可列舉雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等。其中尤以雷射照射為佳。雷射照射可使用利用碳酸氣雷射、UV-YAG雷射、準分子雷射等之光源的適切之雷射加工機來進行。

通孔之形狀並無特殊限定，一般而言係圓形(大致圓形)。通孔之頂徑(top diameter)，較佳為50μm以下、更佳為30μm以下、又更佳為20μm以下；較佳為3μm以上、較佳為10μm以上、更佳為15μm以上。此處，通孔之頂徑，係指於再配線形成層之表面的通孔之開口直徑。

(步驟(F))
步驟(F)，為於再配線形成層上，形成作為導體層之再配線層之步驟。於再配線形成層上形成再配線層之方法，可為與電路基板之製造方法中對絕緣層上之導體層的形成方法相同。又，亦可重複進行步驟(E)及步驟(F)，交互堆積再配線層及再配線形成層(增層)。

(步驟(G))
步驟(G)為於再配線層上形成阻焊劑層之步驟。阻焊劑層之材料，可使用具有絕緣性之任意材料。其中，就半導體晶片封裝之製造容易性的觀點，尤以感光性樹脂及熱硬化性樹脂為佳。又，熱硬化性樹脂亦可使用本發明之樹脂組成物。

又，步驟(G)中，亦可依需要進行形成凸塊之凸塊化加工。凸塊化加工能夠以焊球、鍍焊等之方法進行。又，凸塊化加工中之通孔的形成，可與步驟(E)同樣地進行。

(步驟(H))
半導體晶片封裝之製造方法，於步驟(A)~(G)以外，亦可包含步驟(H)。步驟(H)，為將複數個半導體晶片封裝切割為個別的半導體晶片封裝而單片化之步驟。將半導體晶片封裝切割為個別的半導體晶片封裝之方法並無特殊限定。

本發明之第三實施形態之半導體晶片封裝，係為例如於圖1顯示一例的半導體晶片封裝100中，以本發明之樹脂組成物之硬化物形成再配線形成層130或阻焊劑層150的半導體晶片封裝。

[14.半導體裝置]
構裝上述半導體晶片封裝之半導體裝置，例如可列舉供電氣製品(例如電腦、行動電話、智慧型手機、平板型裝置、可穿戴裝置、數位相機、醫療機器，及電視機等)及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及航空機等)等的各種半導體裝置。

[實施例]

以下，顯示實施例以具體說明本發明。惟，本發明不限定於以下實施例。以下之說明中，表示量的「份」及「%」，只要無另外指明，分別意指「質量份」及「質量%」。又，以下所說明之操作，只要無另外指明，係於常溫常壓之環境進行。

[所使用之(D)成分]
無機填充材A：使用將「ST7030-20」(新日鐵住金MATERIALS公司製、平均粒徑6.2μm)以「KBM573」(信越化學工業公司製、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)處理過者作為無機填充材A。

[實施例1]
將脂環式環氧樹脂(Daicel公司製、「CEL2021P」、環氧當量136g/eq.)2份、無機填充材A 110份、聚輪烷微粒子(Advanced Softmaterials公司製、「SH2400B-007」、軸分子包含聚乙二醇鏈，環狀分子包含環糊精類)0.6份、酸酐硬化劑(新日本理化公司製、「MH-700」、酸酐當量164g/eq.)10份、伸萘基醚型環氧樹脂(DIC公司製、「HP6000L」、環氧當量213g/eq.)3份、縮水甘油胺型環氧樹脂(ADEKA公司製、「EP3950S」、環氧當量95g/eq.) 7份、硬化促進劑(四國化成公司製、「1B2PZ」)0.1份予以混合，以混合器均勻分散，製作樹脂組成物。

[實施例2]
實施例1中，將聚輪烷微粒子(Advanced Softmaterials公司製、「SH2400B-007」)0.6份，變更為聚輪烷(Advanced Softmaterials公司製、「SH1310P」之甲基乙基酮40%溶液、軸分子包含聚乙二醇鏈，環狀分子包含環糊精類)1.5份。除了以上事項以外係與實施例1同樣地製作樹脂組成物。

[實施例3]
實施例1中，將脂環式環氧樹脂(Daicel公司製、「CEL2021P」、環氧當量136g/eq.)2份，變更為雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製、「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品、環氧當量169g/eq.)2份。除了以上事項以外係與實施例1同樣地製作樹脂組成物。

[實施例4]
將脂環式環氧樹脂(Daicel公司製、「CEL2021P」、環氧當量136g/eq.)3份、無機填充材A 110份、聚輪烷微粒子(Advanced Softmaterials公司製、「SH2400B-007」)1份、含有三嗪之酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製、「LA-7054」、羥基當量125g/eq.、氮含量約12重量%、固體成分60重量%之MEK溶液)8.3份、伸萘基醚型環氧樹脂(DIC公司製「HP6000L」、環氧當量213g/eq.)4份、縮水甘油胺型環氧樹脂(ADEKA公司製、「EP3950S」、環氧當量95g/eq.)8份、硬化促進劑(四國化成公司製、「1B2PZ」)0.1份予以混合，以混合器均勻分散，製作樹脂組成物。

[實施例5]
實施例4中，將含有三嗪之酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「LA-7054」、羥基當量125g/eq.、氮含量約12重量%、固體成分60重量%之MEK溶液)8.3份，變更為液狀酚醛清漆型酚硬化劑(明和化成公司製、「MEH-8000H」、酚性羥基當量141g/eq.)5份。除了以上事項以外係與實施例4同樣地製作樹脂組成物。

[比較例1]
實施例1中，將聚輪烷微粒子(Advanced Softmaterials公司製、「SH2400B-007」)0.6份，變更為橡膠粒子(Ganz化成公司製、Staphyloid AC3816N)0.6份。除了以上事項以外係與實施例1同樣地製作樹脂組成物。

[比較例2]
實施例1中，將聚輪烷微粒子(Advanced Softmaterials公司製、「SH2400B-007」)0.6份，變更為聚丁二烯環氧樹脂(日本曹達公司製、「JP200」、環氧當量210~2406/eq.) 2份。除了以上事項以外係與實施例1同樣地製作樹脂組成物。

[黏度之測定]
於RE80型黏度計(東機產業公司製)之測定室將測定對象之樹脂組成物0.2~0.3ml秤取至注射器。測定時將黏度計之測定室以外部循環型恆溫槽溫度管理於25.0℃。將轉子之旋轉數設定為1rpm，計測120秒後之黏度(單位：Pa･s)。黏度為500Pa･s以上者進行壓縮模具時操作性困難故為「×」，黏度為400Pa･s以上且未達500Pa･s者為「△」、黏度未達400Pa･s者為「○」。

[流痕之評估]
於12吋矽晶圓上，將實施例及比較例所製造之樹脂組成物，使用壓縮模具裝置(鑄模溫度：130℃、壓力：6 MPa、硬化時間：10分鐘)壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。之後，於150℃加熱60分鐘後，目視樹脂組成物層之表面確認流痕。流痕於晶圓全體存在者為「×」、流痕僅於晶圓端部存在者為「△」、無流痕者為「○」。

[翹曲之測定]
於12吋矽晶圓上，將實施例及比較例所製造之樹脂組成物，使用壓縮模具裝置(鑄模溫度：130℃、壓力：6 MPa、硬化時間：10分鐘)壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。之後，於150℃加熱60分鐘，使樹脂組成物層熱硬化。藉此，得到包含矽晶圓與樹脂組成物層之硬化物層的試樣基板。

使用陰影疊紋測定裝置(Akorometrix公司製、「ThermoireAXP」)，測定將前述試樣基板依序於35℃、260℃及35℃加熱及冷卻時之翹曲量。測定係根據電子情報技術產業協會規格之JEITA EDX-7311-24進行。具體而言，係以藉由測定區域之試樣基板面的全部數據之最小平方法所算出之假想平面為基準面，由該基準面求出垂直方向之最小值與最大值的差作為翹曲量。翹曲量未達2 mm者評估為「○」、翹曲量2mm以上者評估為「×」。

[線熱膨脹係數(CTE)及玻璃轉移點溫度(Tg)之測定]
於12吋SUS晶圓上，將實施例及比較例所製造之樹脂組成物，使用壓縮模具裝置(鑄模溫度：130℃、壓力：6 MPa、硬化時間：10分鐘)壓縮成型，形成厚度300μm之樹脂組成物層。之後，於150℃加熱60分鐘後，自SUS晶圓剝離樹脂組成物層，得到硬化物。將硬化物切斷為寬5mm、長度15mm之試驗片，使用Rigaku公司製熱機械分析裝置(Thermo Plus TMA8310)，以拉伸荷重法進行熱機械分析。

將試驗片安裝於前述裝置後，以荷重1g、昇溫速度5℃/分鐘之測定條件連續測定2次。求出第2次測定中由25℃至150℃之平均線熱膨脹係數。玻璃轉移點溫度係由第2次測定中尺寸變化訊號的斜率變化的點算出。玻璃轉移點溫度130℃以上時為「○」、未達130℃時為「×」。又，將玻璃轉移點溫度之測定中試驗片產生龜裂者標記為「龜裂」。

實施例1~5、比較例1~2之調製所用之成分與其摻合量(以不揮發成分換算)示於下述表。

確認到即使不含有(E)成分時，雖有程度差但仍歸屬於與上述實施例同樣的結果。

100‧‧‧半導體晶片封裝

130‧‧‧再配線形成層

150‧‧‧阻焊劑層

[圖1]圖1為示意性顯示作為本發明之第二實施形態之半導體晶片封裝的一例之Fan-out型WLP的截面圖。

Claims (16)

1. 一種樹脂組成物，其含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)具有輪烷構造之化合物，及(D)無機填充材。
2. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分為聚輪烷。
3. 如請求項1之樹脂組成物，其中以樹脂組成物之不揮發成分為100質量%時，(C)成分之含量為0.1質量%以上且10質量%以下。
4. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分為粒子狀。
5. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分之平均粒徑為100nm以上且20000nm以下。
6. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分包含含有環糊精類之環狀分子。
7. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分包含含有聚乙二醇鏈之軸分子。
8. 如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分中之軸分子的重量平均分子量，為3000以上且100000以下。
9. 如請求項1之樹脂組成物，其中以環狀分子最大限度地包藏1個軸分子的量為100%時，(C)成分中之環狀分子之包藏量(inclusion amount)為10%以上且90%以下。
10. 如請求項1之樹脂組成物，其中以樹脂組成物之不揮發成分為100質量%時，(D)成分之含量為50質量%以上。
11. 如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分含有酚系硬化劑及酸酐系硬化劑之任一者。
12. 如請求項1之樹脂組成物，其係半導體密封用或絕緣層用之樹脂組成物。
13. 如請求項1之樹脂組成物，其係液狀之樹脂組成物。
14. 一種電路基板，其包含藉由如請求項1~13中任一項之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
15. 一種半導體晶片封裝，其包含如請求項14之電路基板，與搭載於前述電路基板之半導體晶片。
16. 一種半導體晶片封裝，其包含半導體晶片，與密封前述半導體晶片的如請求項1~13中任一項之樹脂組成物的硬化物。