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TW201738964A - 一種用於處理腔室的改進側注射噴嘴設計 - Google Patents

一種用於處理腔室的改進側注射噴嘴設計 Download PDF

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Abstract

本案之實施提供在熱處理期間改良氣體分佈的設備及方法。本案之一實施提供一種用於處理基板的設備，該設備包含界定處理容積的腔室主體，安置在處理容積中的基板支撐件，其中該基板支撐件具有基板支撐表面、耦接至腔室主體的入口的氣源組件、耦接至腔室主體的出口的排氣組件，及耦接至腔室主體的側壁的側氣體組件，其中該側氣體組件包含指向與基板支撐表面的邊緣相切的方向的氣體入口，以及其中該氣體入口、該腔室主體的入口，及該腔室主體的出口相對於彼此以約90°成角度地偏移，以及該氣體入口、該腔室主體的入口，及該腔室主體的出口藉由共面相交。

Description

一種用於處理腔室的改進側注射噴嘴設計
本案大體而言係關於半導體處理工具，且更特定言之係關於改良氣流分佈之反應器。
處理半導體基板用於多種應用，包括製造積體器件及微器件。處理基板的一方法包括在處理腔室內之基板的上表面上生長氧化物層。氧化物層可藉由在使用輻射熱源加熱基板時將基板暴露於氧氣或氫氣來沉積。氧自由基衝擊基板的表面以於矽基板上形成層（例如二氧化矽層）。
用於自由基氧生長之當前處理腔室具有受限的生長控制，從而引起不良的處理均勻性。例如，用於徑向氧生長和當前氣體入口設計的低處理腔室壓力要求導致氣體在高速下到達基板。氣體的高速度引起轟擊基板並阻止氣體在基板的邊緣處被充分加熱。另一方面，燃燒產生的氧自由基快速再組合以導致氧自由基的短生命週期。因此，由於高速氣體與短生命週期的氧自由基組合而導致的受限的生長控制導致在基板的中心更快之生長，且在基板的邊緣處不良之生長。
因此，存有改良氣流分佈以提供遍及基板（即從中心到邊緣）的更均勻之膜，薄膜生長的生長控制的需要。
本案的實施提供在熱處理期間改良氣體分佈的設備及方法。本案的一實施提供一種用於處理基板的設備，該設備包含界定處理容積的腔室主體，安置在處理容積中的基板支撐件，其中該基板支撐件具有基板支撐表面、耦接至腔室主體之入口的氣源組件、耦接至腔室主體之出口的排氣組件，及耦接至腔室主體之側壁的側氣體組件，其中該側氣體組件包含指向與基板支撐表面的邊緣相切的方向的氣體入口，以及其中該氣體入口、該腔室主體的入口，及該腔室主體的出口相對於彼此以約90°成角度地偏移，以及該氣體入口、該腔室主體的入口，及該腔室主體的出口藉由共面相交。
本案的另一實施提供一種用於處理基板的設備，該設備包含具有界定處理容積之側壁的底座環，其中該底座環具有穿過該等側壁形成的入口及出口，該入口及該出口在該底座環之相對側上形成；安置在該處理容積中的基板支撐件，其中該基板支撐件具有基板支撐表面、經定位以提供熱能至該處理容積的熱源、耦接至該底座環的出口的排氣組件及耦接至該底座環的側孔的側氣體組件，其中該側氣體組件包含指向該基板支撐表面的切線的氣體入口，以及該底座環的該側孔、該入口及該出口實質上安置在相同高度上。
本案的又一實施提供一種用於處理基板的方法，該方法包含提供界定處理容積的處理腔室，其中該處理腔室具有在該處理腔室之相對側上形成的進氣口及排氣口，將基板定位於該處理容積中，從該進口提供第一氣流至該出口，使用耦接至該出口的排氣組件抽空該處理容積，和在與該基板的邊緣相切的方向上從該處理腔室的側孔提供第二氣流使得該第二氣體的大部分沿朝向該出口的流動路徑流動。
圖1A為可用於實踐本案的實施的熱處理腔室100的示意橫截面表示。熱處理腔室100一般包括燈組件110、界定處理容積139的腔室組件130及安置在處理容積139中的基板支撐件138。處理單元124能夠為諸如熱退火、熱清洗、熱化學氣相沉積、熱氧化及熱氮化等之製程提供加熱基板104的受控熱循環。
燈組件110可定位於基板支撐件138的相對上方以經由石英窗114供熱至處理容積139。石英窗114安置在基板104與燈組件110之間。在一些實施中燈組件110可額外地或可替代地安置在基板支撐件138的相對下方。應注意，用於本案中之術語「上方」或「下方」並不指絕對方向。燈組件110經配置以安放熱源108，諸如複數個鹵鎢燈，以提供定製紅外線加熱構件至安置於基板支撐件138上的基板101。複數個鹵鎢燈可以以六邊形排列佈置。熱源108可連接至控制器107，該控制器107可控制熱源108之能量位準以實現對基板101的均勻或定製加熱分佈。在一個實施例中，熱源108能夠在從約50℃/s至約280℃/s的速率下迅速加熱基板101。
基板101可加熱至在約550攝氏度至約小於700攝氏度之範圍內變化的溫度。熱源108可提供基板101的分區加熱（溫度調諧）。可執行溫度調諧以在某個位置改變基板101的溫度而不影響在該基板的其餘部分的溫度。在一實施中，將基板101的中心加熱至一溫度，該溫度在高於基板101邊緣的溫度約10攝氏度至50攝氏度之間。
狹縫閥門137可安置在機械手的底座環140上以將基板101傳輸進和傳輸出處理容積139。基板101可放置在基板支撐件138上，基板支撐件138可經配置以垂直移動並圍繞中心軸123旋轉。氣體入口131可安置在底座環140上方且連接至氣源135以提供一或多種處理氣體至處理容積139。在來自氣體入口131的底座環140之相對側上形成的氣體出口134匹配至與泵/幫浦系統136流體連通的排氣組件124。排氣組件124界定排氣容積125，排氣容積125經由氣體出口134與處理容積139流體連通。
在一實施中，一或多個側孔122可在氣體入口131與氣體出口134之間的底座環140上方形成。側孔122、氣體入口131和氣體出口134可安置在實質相同的水平面或高度上。換言之，側孔122、氣體入口131及氣體出口134可藉由共面相交。如將在下文更詳細地論述，側孔122連接至側氣源，該側氣源經配置以改良接近基板101邊緣區域的氣體分佈均勻性。
圖1B為根據本案的一個實施的熱處理腔室100的示意橫截面俯視圖。如圖1B所示，氣體入口131和氣體出口134安置在處理容積139之相對側上。氣體入口131和氣體出口134兩者可具有近似等於基板支撐件138的直徑的直線或方位寬度。
在一實施中，氣源135可包含例如第一氣源141及第二氣源142之多個氣源，每一個氣源經配置以提供處理氣體。在操作期間，來自第一氣源141及第二氣源142之處理氣體可在進入安置在入口131上的注射筒體（cartridge）149之前混合、混成在一起。或者，在來自第一氣源141的處理氣體已被引進注射筒體149之後，來自第二氣源142的處理氣體可被引進注射筒體149。第一氣源141可提供具有低熱導率的氣體，從而控制燃燒反應。
在一實施中，第一氣源141提供諸如氧氣之含氧氣體，和第二氣源142提供諸如氫氣之含氫氣體。第二氣源142還可提供氧氣、氮氣或以上各者的混合、混成物。來自第一氣源141的氣體可在進入注射筒體149之前被加熱至第一溫度。第一溫度可約為300℃至約650℃，例如約550℃。來自第二氣源142的氣體可在室溫下提供至注射筒體149。或者，來自第一氣源141的氣體和來自第二氣源142的氣體兩者可在室溫下提供至注射筒體149。
在一實施中，注射筒體149具有在其中形成的細長通道150及在細長通道150之相對端上形成的兩個入口143、144。複數個注射孔穴151沿細長通道150均勻分佈並經配置以注射主氣流145至處理容積139。筒體149的兩個入口設計改良來自複數個注射孔穴151之每一個的氣流之間的均勻性。主氣流145可包括30%至50%體積的氫氣和50%至70%體積的氧氣，且具有從約20每分鐘標準升(standard liters per minute，slm)至約50slm範圍內變化的流速。流速以具有300mm直徑的基板101為基準，如此導致流速在從約0.028 slm/cm2 至約0.071 slm/cm2 的範圍內變化。
在泵/幫浦系統136的真空力下，主氣流145從氣體入口131引向氣體出口134。在一實施中，排氣組件124之排氣容積125經配置以延伸處理容積139以減小腔室結構對主氣流145的幾何形狀的影響。特定言之，排氣容積125經配置以沿主氣流145的方向延伸處理容積139。排氣容積125可改良跨處理容積139的主氣流145從入口131至出口134之均勻性。泵/幫浦系統136還可以用於控制處理容積139的壓力。在一實施中，處理容積內部的壓力從約1托至約19托之範圍內變化，諸如在約5托至約15托之間。
在一實施中，側注射組件147耦接至底座環140使得氣體經由側孔122沿側氣流148流動至處理容積139。側注射組件147、注射筒體149和排氣組件124相對於彼此以約90°成角度地偏移。例如，側注射組件147可位於注射筒體149和排氣組件124之間的底座環140的側面上，其中注射筒體149和排氣組件124安置在底座環140的相對端。側注射組件147、注射筒體149及排氣組件124可藉由共面相交。在一個實施中，側注射組件147、注射筒體149及排氣組件124彼此對準並安置在實質相同的水平面。
側注射組件147經由流量調整裝置146與氣源152流體連通，流量調整裝置146經配置以控制側氣流148的流速。氣源152可包括一或多個氣源。在一實施中，氣源152為提供諸如氫氣之含氫氣體的單個氣源。在一實施中，氣源152為提供諸如氧氣之含氧氣體的單個氣源。在一實施中，氣源152為提供諸如氫氣之含氫氣體及諸如氧氣之含氧氣體的混合、混成氣體的單個氣源。在另一實施中，氣源152是或者耦接至產生自由基至側孔122的遠端自由基源。
在一實施中，氣源152為產生氫自由基至側孔122的遠端電漿源(remote plasma source, RPS)。對於使用燈加熱基板和將氫氣及氧氣從狹縫閥門137注射進處理腔室100的製程，側注射組件147經配置以將氫自由基注射進處理容積139中。從側注射組件147引入的氫自由基提高沿基板101邊緣之反應速率，從而生成具有改良厚度均勻性的氧化物層。側氣流148可具有從約5 slm至約25 slm之範圍內變化的流速。對於具有300 mm直徑的基板，流速從約0.007 slm/cm2 至約0.035 slm/cm2 的範圍內變化。
在一些替代的實施中，氣源152可含有例如第一氣源153和第二氣源154之多個氣源，每一個氣源經配置以提供處理氣體。第一氣源153及第二氣源154可在化學成分中相同或不同。來自第一氣源153及第二氣源154的處理氣體可在進入流動調整裝置146之前混合、混成。在一實施中，側氣流148可被獨立地控制和可包括與主氣流145相同的氣體組分。側氣流148的組成和流速是形成具有改良厚度均勻性的氧化物層的重要因素。
在圖1B圖示的實施中，側注射組件147為向處理容積139展開的漏斗狀結構。換言之，側孔122具有逐漸向基板101增加的內徑。側注射組件147被匹配成將側氣流148的大部分引進呈中空錐形的基板101的邊緣。基板101的邊緣可指距離基板101的邊緣自0mm至15mm，例如10mm量測的邊緣區域。因為側注射組件147的漏斗狀結構向基板101之邊緣展開側氣流148的大部分，所以在邊緣區域處或附近增加基板101的氣體暴露。在一實施中，配置側注射組件147的內表面179使得其沿實質上與基板101的邊緣相切、或實質上與基板支撐件138的基板支撐表面的邊緣相切的方向189延伸。
另外，因為基板101沿逆時針方向197旋轉，從側注射組件147進入的側氣流148的大部分之氣體速度可減小5倍或更多，例如10倍，如此導致在基板101的邊緣處更快地生長。側氣流148的氣體速度可經由側氣流148的流速、基板101的轉速、側注射組件147的展開角度的一或多個來調整，使得側氣流148不能移動太快而阻止側氣流148與主氣流145充分反應，或太慢使得基板101的轉動可將側氣流148拖開基板101的邊緣而不能與主氣流145充分反應。結果，改良在基板的邊緣處的厚度輪廓。
側注射組件147可由諸如石英、石英襯裡、陶瓷、陶瓷塗層、鋁、不銹鋼、鋼等的任何合適的材料組成。
儘管圖1B圖示基板101沿逆時針方向旋轉，但基板102可能沿順時針方向旋轉並從側氣流148中獲益。
為進一步增加在基板101的邊緣處的側氣流的影響，側注射組件147可能經配置以具有指向基板101的邊緣的一或多個氣體入口。圖2A為根據本案之一實施的具有成角度的氣體管的側注射組件247的示意橫截面俯視圖。側注射組件247可代替圖1B圖示的側注射組件147使用。為清楚起見，僅圖示了側注射組件247和基板101。然而，可預想側注射組件247可耦接至在氣體入口131和氣體出口134之間的底座環140。側孔122、氣體入口131和氣體出口134可藉由共面相交，如上文根據圖1B所論述。
在圖2A的實施中，側注射組件247為具有在側注射組件247中形成的氣體入口249的細長結構。氣體入口249可為在橫截面中具有諸如矩形、正方形、圓形、多邊形、六邊形或任一其它合適形狀之任意期望形狀的細長通道。氣體入口249形成角度以經由側孔122（圖1B）提供側氣流248至處理容積139（圖1B）。側氣流248沿調整正處理的基板101之邊緣輪廓的流動路徑流動。在一實施中，配置氣體入口249使得氣體或自由基的氣體在存在氣體入口249之後，在實質上與基板101的邊緣相切、或實質上與基板支撐件138的基板支撐表面的邊緣相切的方向上流動。應預想，可調整氣體入口249的角度使得側氣流248向基板101（或基板支撐件138）的中心流動、接近基板101（或基板支撐件138）的周邊、或在基板101（或基板支撐件138）上的任意所期望的位置處空間分佈。
側注射組件247可包括如圖所示的單個氣體入口249。或者，側注射組件247可包括複數個氣體入口。在該情況中，氣體入口的數目可為約2個入口至約10個入口，數目可根據側注射組件247的尺寸和待處理的基板的尺寸而變化。若匹配多個氣體入口，則一或多個氣體入口249可經配置以向上朝向石英窗114（圖1A）以限制或阻止不需要的生長或其它反應發生，而其它氣體入口朝向基板101的邊緣，或朝向基板支撐件138的基板支撐表面的邊緣。或者，複數個氣體入口的每一個可指向同一方向。
在一些實施中，配置氣體入口249的角度使得側氣流248、氣體或自由基的氣體在接近基板101或基板支撐件138的基板支撐表面的切線的方向上流動。本文所述的術語「接近」指示在側氣流248和基板101的邊緣之間的距離。該距離可在基板101邊緣的約20 mm內，例如約5 mm至約10 mm。換言之，氣體或自由基的氣體（即，側氣流248）的流動路徑和平行於該氣體或自由基的氣體之流動路徑的基板101或基板支撐件138的基板支撐表面的切線分別為約5mm至約10mm。觀察到該氣體或自由基的氣體在接近該基板的切線的方向上的流動能夠沿基板101的邊緣逐漸增加物質濃度。
不管側氣流248（氣體或者自由基的氣體）是否在相切於或接近基板101之邊緣（或基板支撐件138的基板支撐表面之邊緣）的方向上流動，觀察到該氣體或者自由基的氣體沿基板101的邊緣明顯地提升反應速率。對於使用燈加熱基板和將氫氣和氧氣從狹縫閥門137注射處理腔室100的製程，側注射組件247經配置以提供氫自由基的側氣流248。在基板101的邊緣處或附近提供氫自由基活化在基板101的邊緣處或附近的氧氣，從而生成具有改良沿基板101邊緣的厚度均勻性的氧化物層。
在一示例性實施中，側注射組件247經配置以具有指向處理腔室100之氣體注射側面的氣體入口249，例如狹縫閥門137的氣體入口249。換言之，氣體入口249沿朝向該處理腔室的氣體注射側面的方向延伸。以此方式，氣體的大部分沿朝著處理腔室100的氣體注射側面的側氣流248流動並與從在基板101的邊緣（或基板支撐件138的基板支撐表面）處或附近的注射筒體149（圖1B）出來的（多種）處理氣體反應。
圖2B描繪另一示例性實施，其中側注射組件257經配置以具有指向處理腔室100的排氣側面的氣體入口259，例如泵/幫浦系統136的氣體入口259。換言之，氣體入口249沿朝向該處理腔室之排氣側面的方向延伸。以此方式，氣體的大部分沿朝著處理腔室100的排氣側面的側氣流258流動並與從在基板101的邊緣（或基板支撐件138的基板支撐表面）處或附近的注射筒體149（圖1B）出來的（多種）處理氣體反應。意外地觀察到，朝著該排氣側面的氫自由基的指引氣體將明顯增大在製程中之基板的邊緣處或附近與氧的反應，其中氧氣和氫氣從該狹縫閥門引進至該處理腔室，從而生成具有改良沿基板邊緣的厚度均勻性的氧化物層。
同樣，側注射組件247或257與氣源152流體連通。因此，側氣流248、258可為諸如氫氣的含氫氣體或諸如氫自由基的自由基氣體，如上文關於側注射組件147所論述。在任一種情況中，側氣流248、258可具有從約5 slm至約25 slm的範圍內變化的流速。流速以具有300mm直徑的基板101為基準，如此導致流速從約0.007 slm/cm2 至約0.035 slm/cm2 的範圍內變化。
氣體入口249、259可具有經改變尺寸（sized）以提供上文所論述的流速的直徑。例如，氣體入口249、259可具有範圍在約1 mm和約2 cm之間的直徑，諸如在約5 mm和約1 cm之間，例如約7 mm。氣體入口249、259的直徑可根據應用需要的氣體或氣體自由基的所期望氣體流速來變化。
側注射組件247、257可由諸如石英、石英襯裡、陶瓷、陶瓷塗層、鋁、不銹鋼、鋼等的任何合適的材料組成。
儘管圖2A和圖2B圖示基板101沿逆時針方向旋轉，但基板101可沿順時針方向旋轉並亦從側氣流248、258受益。
圖3為根據本案的另一實施的具有分體式氣體管的側注射組件347的示意橫截面俯視圖。側注射組件347具有分岔進兩個氣體入口349a、349b的氣體管369。側注射組件347功能類似於側注射組件247、257以引導氣體或自由基氣體的大部分沿側氣流348和側氣流358流動，側氣流348和側氣流358分別朝向處理腔室100的氣體注射側面（例如，狹縫閥門137）和處理腔室100的排氣側面（例如，泵/幫浦系統136）。額外地或可替代地，可配置氣體入口349a和349b使得側氣流348和側氣流358在相切於或接近基板101的邊緣（或基板支撐件138的基板支撐表面的邊緣）的方向上流動。
同樣，氣體或自由基氣體的側氣流348、358沿基板101的邊緣提升反應速率。對於使用燈加熱基板和將氫氣和氧氣從狹縫閥門137注射進處理腔室100的製程，側注射組件347可經配置以提供氫自由基的側氣流348、358。在基板101的邊緣處或附近提供氫自由基活化在基板101的邊緣處或附近的氧氣，從而生成具有改良沿基板101邊緣的厚度均勻性的氧化物層。
儘管在本申請案中論述熱處理腔室，但本案的實施可用於期望均勻氣體流動的任一處理腔室中。
本案的益處包括使用處理腔室中的改良側氣體組件以引導氣體或自由基氣體朝向基板的邊緣以控制遍及整個基板（即從中心至邊緣）的生長均勻性。側氣體組件具有經配置以指向處理腔室的氣體注射側面（例如，狹縫閥門）和/或處理腔室的排氣側面（例如，泵/幫浦系統）的成角度氣體入口。特定言之，意外地觀察到，藉由在相切於或接近基板邊緣的方向上流動氫自由基氣體來引導氫自由基氣體朝向排氣側面，將明顯增大在製程中的基板的邊緣處或附近與氧的反應，在該製程中氧氣和氫氣從該狹縫閥門被引進至該處理腔室，從而生成具有改良沿基板邊緣的厚度均勻性的氧化物層。結果，改良基板的整體厚度均勻性。
儘管上述內容針對本案的實施，但在不脫離本發明的基本範圍的情況下可設計本案的其它的和進一步的實施，並且本發明的範圍是由隨附的申請專利範圍確定。
100‧‧‧熱處理腔室 101‧‧‧基板 104‧‧‧基板 107‧‧‧控制器 108‧‧‧熱源 110‧‧‧燈組件 114‧‧‧石英窗 122‧‧‧側孔 123‧‧‧中心軸 124‧‧‧排氣組件 125‧‧‧排氣容積 130‧‧‧腔室組件 131‧‧‧氣體入口 134‧‧‧氣體出口 135‧‧‧氣源 136‧‧‧泵/幫浦系統 137‧‧‧狹縫閥門 138‧‧‧基板支撐件 139‧‧‧處理容積 140‧‧‧底座環 141‧‧‧第一氣源 142‧‧‧第二氣源 143‧‧‧入口 144‧‧‧入口 145‧‧‧主氣流 146‧‧‧流量調整裝置 147‧‧‧側注射組件 148‧‧‧側氣流 149‧‧‧注射筒體 150‧‧‧細長通道 151‧‧‧注射孔穴 152‧‧‧氣源 153‧‧‧第一氣源 154‧‧‧第二氣源 179‧‧‧內表面 189‧‧‧方向 197‧‧‧逆時針方向 247‧‧‧側注射組件 248‧‧‧側氣流 249‧‧‧氣體入口 257‧‧‧側注射組件 258‧‧‧側氣流 259‧‧‧氣體入口 347‧‧‧側注射組件 348‧‧‧側氣流 349a‧‧‧氣體入口 349b‧‧‧氣體入口 358‧‧‧側氣流 369‧‧‧氣體管
以上簡要概述的本案的上述詳述特徵能夠被詳細理解的方式，以及本案的更特定描述，可以參考本文中所描述的實施而獲得，該等實施中的一些實施繪示於附圖中。然而，應當注意，附圖僅繪示了本案的典型實施，因而不應視為對本案的範圍的限制，因為本案可承認其它等同有效實施。
圖1A為可用於實踐本案的實施的熱處理腔室的示意橫截面表示。
圖1B為根據本案的一實施的熱處理腔室的示意橫截面俯視圖。
圖2A為根據本案的一實施的具有成角度之氣體管的側注射組件的示意橫截面俯視圖。
圖2B為根據本案的另一實施的具有成角度之氣體管的側注射組件的示意橫截面俯視圖。
圖3為根據本案的一個實施的具有分體式氣體管之側注射組件的示意橫截面俯視圖。
為了便於理解，在儘可能的情況下，使用相同的元件符號來標示附圖中共通的相同元件。考慮到，在一實施中揭示的元件在沒有特定描述下可以有益地運用於其它實施中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
101‧‧‧基板
136‧‧‧泵/幫浦系統
137‧‧‧狹縫閥門
138‧‧‧基板支撐件
152‧‧‧氣源
247‧‧‧側注射組件
248‧‧‧側氣流
249‧‧‧氣體入口

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的設備，該設備包括： 一腔室主體，界定一處理容積； 一基板支撐件，安置在該處理容積中，其中該基板支撐件具有一基板支撐表面； 一氣源組件，與該腔室主體的一入口流體連通； 一排氣組件，與該腔室主體的一出口流體連通；以及 一側氣體組件，耦接至該腔室主體的一側壁，其中該側氣體組件包含指向與該基板支撐表面的邊緣相切的一方向的氣體入口，以及其中該氣體入口、該腔室主體的該入口，及該腔室主體的該出口相對於彼此以約90°成角度地偏移，以及該氣體入口、該腔室主體的該入口，及該腔室主體的該出口藉由一共面相交。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該氣源組件與一第一氣源流體連通。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該氣源組件進一步與一第二氣源流體連通，其中該第一氣源和該第二氣源在化學成分上不同。
  4. 如請求項2所述之設備，其中該側氣體元件與在化學成分上不同於該第一氣源的一第三氣源流體連通，和該側氣體組件的該氣體入口指向朝向該基板支撐表面的一邊緣的一方向。
  5. 如請求項4所述之設備，其中該第一氣源包含一含氧氣體，和該第二和第三氣源的每一個包含一含氫氣體。
  6. 如請求項1所述之設備，其中該側氣體組件與一第三氣源流體連通，該第三氣源包含一含氧氣體或一含氫氣體和一含氧氣體的一氣體混合、混成物，和該側氣體組件的該氣體入口指向朝向該基板支撐表面的一邊緣的一方向。
  7. 如請求項1所述之設備，其中該側氣體組件沿一流動路徑提供一氣流，該流動路徑在距平行於該流動路徑的該基板支撐表面的一切線約5 mm至10 mm的一距離處。
  8. 如請求項1所述之設備，其中該氣體入口組件和該排氣組件安置在該腔室主體的相對側上，和該腔室主體的該入口和該出口兩者具有近似等於該基板支撐件的一直徑的一直線或方位寬度。
  9. 一種用於熱處理一基板的設備，該設備包括： 一底座環，具有界定一處理容積的側壁，其中該底座環具有穿過該等側壁形成的一入口及一出口，該入口及該出口在該底座環的相對側形成； 一基板支撐件，安置在該處理容積中，其中該基板支撐件具有基板支撐表面； 一熱源，經定位以提供熱能至該處理容積； 一排氣組件，耦接至該底座環的該出口；以及 一側氣體組件，耦接至該底座環的一側孔，其中該側氣體組件包含指向該基板支撐表面的一切線的一氣體入口，以及該底座環的該側孔、該入口和該出口實質上安置在相同高度上。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該氣體入口是沿朝向該出口的一方向延伸的一細長通道。
  11. 如請求項9所述之設備，其中該氣體入口是向該處理容積展開的一漏斗狀結構。
  12. 如請求項9所述之設備，進一步包括： 一注射筒體，耦接至該入口中的該底座環，其中該注射筒體與包含一含氧氣體和一含氫氣體的一第一氣源流體連通。
  13. 如請求項12所述之設備，其中該側氣體組件與包含氫自由基的一第二氣源流體連通。
  14. 如請求項9所述之設備，其中該側氣體組件的該氣體入口指向與該基板支撐表面的邊緣相切的一方向。
  15. 如請求項9所述之設備，其中該底座環的該側孔、該入口和該出口相對於彼此以約90°成角度地偏移。
  16. 一種用於處理一基板的方法，該方法包括以下步驟： 將一基板定位在一處理腔室的一處理容積中，其中該處理腔室具有在該處理腔室的相對側上形成的一入口和一出口； 從該入口提供一第一氣流至該出口； 使用耦接至該出口的一排氣組件抽空該處理容積；以及 在與該基板的一邊緣相切的一方向上從該處理腔室的一側孔提供一第二氣流使得該第二氣體的大部分沿朝向該出口的一流動路徑流動。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟： 圍繞該基板的一中心連續地旋轉該基板。
  18. 如請求項17所述之方法，其中旋轉該基板之步驟包含以下步驟：沿一方向旋轉該基板使得在該基板的一邊緣處的該第二氣流的一速度減慢5倍或更多。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該第一氣流包含一含氧氣體和一含氫氣體，和該第二氣流包含氫自由基。
  20. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：使用安置在該處理容積上方或下方的一熱源加熱該基板。
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