TW201629602A - 畫素結構以及顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種畫素結構，其包括具有表面的基板、絕緣層以及畫素電極。絕緣層定義出第一區以及圍繞第一區的第二區。第一區具有第一區頂面而第二區具有第二區頂面。第一區頂面至表面的第一距離小於第二區頂面至表面的第二距離。畫素電極由第一區頂面連續地延伸至第二區頂面，其中畫素電極具有主幹開口以及連通於主幹開口的多個狹縫開口。主幹開口沿十字形軌跡分佈以劃分出多個配向區。同一個配向區中的狹縫開口彼此平行而在相鄰兩個狹縫開口之間定義出畫素電極的一個條紋部，且十字形軌跡的交叉處位於第一區中。另提供一種顯示面板。

Description

畫素結構以及顯示面板

本發明是有關於一種畫素結構以及顯示面板，且特別是有關於一種有助於提升光穿透率的畫素結構以及應用所述畫素結構的顯示面板。

目前，市場對於液晶顯示面板的性能要求包括高對比(high contrast ratio)、無灰階反轉(no gray scale inversion)、低色偏(low color shift)、高亮度(high luminance)、高色飽和度、快速反應與廣視角等特性。目前能夠達成廣視角要求的技術包括了扭轉向列型(Twisted Nematic,TN)液晶搭配廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-Plane Switching,IPS)液晶顯示面板、邊際場切換式(Fringe Field Switching)液晶顯示面板與多域垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶顯示面板等。

在習知多域垂直配向液晶顯示面板中，畫素電極會形成多個狹縫開口，藉此控制液晶層的多個液晶分子朝多種方向傾倒，從而達到廣視角的目的。然而，液晶分子在非均勻電場的作用下會感受到不同的電場大小與方向，導致部分液晶分子朝非預 期的方向傾倒，而在對應畫素電極的中間或邊緣處產生非期望的錯向線(disclination line)以及錯向點(disclination node)，進而影響顯示面板的光穿透率。

本發明提供一種畫素結構，其有助於提升光穿透率。

本發明提供一種顯示面板，其應用上述畫素結構而具有理想的光穿透率。

本發明的一種畫素結構，其包括基板、絕緣層以及畫素電極。基板具有表面。絕緣層配置於基板上而定義出第一區以及第二區且第二區圍繞在第一區周邊，其中第一區具有第一區頂面而第二區具有第二區頂面。第一區頂面至表面的第一距離小於第二區頂面至表面的第二距離。畫素電極配置於基板上，且畫素電極的至少部分面積由第一區頂面連續地延伸至第二區頂面，其中畫素電極具有主幹開口以及連通於主幹開口的多個狹縫開口。主幹開口沿十字形軌跡分佈以劃分出多個配向區。同一個配向區中的狹縫開口彼此平行而在相鄰兩個狹縫開口之間定義出畫素電極的一個條紋部，且十字形軌跡的交叉處位於第一區中。

本發明的一種顯示面板，其包括上述的多個畫素結構以及液晶層。液晶層的液晶分子由畫素結構驅動，且在畫素結構驅動下，液晶分子皆向第二區傾倒。

基於上述，本發明實施例的畫素結構利用畫素電極的邊 緣高於中心的設計，使液晶分子在驅動時穩定地向外傾倒，而有助於提升光穿透率，且使應用上述畫素結構的顯示面板能夠具有理想的光穿透率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10‧‧‧顯示面板

14‧‧‧液晶層

16‧‧‧對向基板

12、100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I‧‧‧畫素結構

110‧‧‧基板

120‧‧‧絕緣層

130、130A、130B、130C、130D、130E、130F、130G‧‧‧畫素電極

132‧‧‧條紋部

134、134A、134B、134C‧‧‧周邊連接部

136‧‧‧角落圖案部

138、138A、138B‧‧‧主幹連接部

A1、A1’‧‧‧第一區

A11’‧‧‧中心部

A12’‧‧‧凸出部

A2‧‧‧第二區

A3‧‧‧交界區

AA‧‧‧配向區

AD‧‧‧主動元件

B‧‧‧交界

CE‧‧‧共用電極層

CH‧‧‧通道層

D1‧‧‧第一距離

D2‧‧‧第二距離

DE‧‧‧汲極

DL‧‧‧資料線

E‧‧‧邊緣

G‧‧‧間隙

GE‧‧‧閘極

I-I、II-II、III-III、IV-IV‧‧‧剖線

IC‧‧‧內輪廓

IT、W、W1、W2、W3、W4、W5‧‧‧寬度

OC‧‧‧外輪廓

PL、PW‧‧‧分量

S1‧‧‧表面

SE‧‧‧源極

SL‧‧‧掃描線

SO‧‧‧狹縫開口

SUB‧‧‧透光基板

T1‧‧‧第一區頂面

T2‧‧‧第二區頂面

T3‧‧‧傾斜面

TO‧‧‧主幹開口

TP‧‧‧轉折點

U‧‧‧容置空間

X‧‧‧交叉處

θ‧‧‧夾角

圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。

圖1B是圖1A的畫素結構的一實施例的局部放大示意圖。

圖1C及圖1D分別是沿圖1B的剖線I-I、II-II的剖面示意圖。

圖1E是圖1C中區域C的另一實施型態。

圖2A是圖1A的畫素結構的另一實施例的局部放大示意圖。

圖2B及圖2C分別是沿圖2A的剖線III-III、IV-IV的剖面示意圖。

圖3至圖10分別是圖1A的畫素結構在其他實施例中的局部放大示意圖。

圖11是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。圖1B是圖1A的畫素結構的一實施例的局部放大示意圖。圖1C及圖1D分別是沿圖1B的剖線I-I、II-II的剖面示意圖。請參照圖1A至圖1D，畫素結構100包括基板110、絕緣層120以及畫素電極130。基板110可以是玻璃基板、矽基板、可撓式塑膠基板或是已知任何可應用於製作顯示面板的基板。基板110具有表面S1。絕緣層120以及畫素電極130配置於表面S1上，且絕緣層120以及畫素電極130不限於與表面S1直接接觸。

具體地，表面S1上可先製作有其他膜層或構件，才製作絕緣層120以及畫素電極130。舉例而言，製作畫素電極130之前，表面S1上可先形成有掃描線SL、資料線DL以及主動元件AD。掃描線SL與資料線DL彼此交錯，且例如是彼此垂直卻不相接觸。主動元件AD分別與掃描線SL、資料線DL以及畫素電極130電性連接。

如圖1A所示，主動元件AD具有閘極GE、、通道層CH、源極SE以及汲極DE，其中閘極GE連接於掃描線SL，源極SE連接於資料線DL而汲極DE連接於畫素電極130。主動元件AD中的閘極GE與通道層CH必須分隔開來而不相接觸，掃描線SL與資料線DL也必須彼此分隔而不相接觸，且畫素電極130也不能直接接觸於掃描線SL、資料線DL與通道層CH。因此，畫素結構100中設置有絕緣層120來實現這些構件之間的分隔。以本實施例而言，絕緣層120不需限定為單一層的結構，而可以是由多個絕 緣材料層堆疊而成。舉例而言，絕緣層120可包括未繪示的第一絕緣材料層以及第二絕緣材料層，其中第一絕緣材料層設置於閘極GE與通道層CH之間以及掃描線SL與資料線DL之間，而第二絕緣材料層設置於畫素電極130與資料線DL之間以及畫素電極130與通道層CH之間，但不限於此。在另一實施例中，絕緣層120也可為單一層的結構，且畫素結構100中可配置有其他絕緣層。另外，絕緣層120不需限定以單一材料組成，其中構成絕緣層120的絕緣材料可以選自由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、絕緣光阻材料、有機絕緣材料或其他可提供絕緣作用的材料中的其中一者或組合。

在製作畫素電極130之前，絕緣層120可以被圖案化而定義出第一區A1以及圍繞在第一區A1周邊的第二區A2。在本實施例中，第一區A1與第二區A2的交界B構成一封閉圖案。圖1B以粗虛線標示出第一區A1與第二區A2的交界B，其中粗虛線以內為第一區A1，而粗虛線以外為第二區A2。所述封閉圖案例如為圖1B所示的方形圖案，亦即，第一區A1與第二區A2的交界B沿著方形圖案的輪廓分佈。

第一區A1與第二區A2之間具有高低斷差。進一步而言，第一區A1具有第一區頂面T1，而第二區A2具有第二區頂面T2。第一區頂面T1以及第二區頂面T2可以為平行於表面S1的平面，且第一區頂面T1至表面S1的第一距離D1小於第二區頂面T2至表面S1的第二距離D2。舉例而言，第一距離D1與第二距 離D2的差可介於0.3微米至0.9微米之間，且較佳為0.5微米。

在本實施例中，絕緣層120由多層不同材料的絕緣材料層所構成時，絕緣層120在第一區頂面T1的材質與絕緣層120在第二區頂面T2的材質可以為相同或是不同。換言之，絕緣層120由多層不同材料的絕緣材料層所構成，且最頂層的絕緣材料層在第一區A1中局部被減薄而構成第一區頂面T1，則絕緣層120在第一區頂面T1的材質與絕緣層120在第二區頂面T2的材質可以為相同。另外，絕緣層120由多層不同材料的絕緣材料層所構成，且最頂層的絕緣材料層在第一區A1中完全被移除而使次頂層的表面構成第一區頂面T1，則絕緣層120在第一區頂面T1的材質與絕緣層120在第二區頂面T2的材質即可能為不同。

畫素電極130形成於絕緣層120之後，且畫素電極130與汲極DE彼此電性連接。如圖1C及圖1D所示，畫素電極130的至少部分面積由第一區頂面T1連續地延伸至第二區頂面T2。具體地，相對凹陷的第一區A1形成一凹陷的容置空間U，畫素電極130配置於此容置空間U內，且畫素電極130的邊緣由此相對凹陷的容置空間U向外延伸至相對凸起的第二區頂面T2。由於第二區頂面T2高於第一區頂面T1，因此位於第二區A2中的畫素電極130會高於位於第一區A1中的畫素電極130。藉由此架高畫素電極130邊緣的設計，本實施例畫素結構100應用於液晶顯示器時可改變驅動時電力線的走向及電力線的區域密度，從而能夠控制液晶分子往預定的方向傾倒。以負型液晶為例，負型液晶分子 在電場的作用下，其短軸會沿著電場的方向排列。架高畫素電極130邊緣的設計可使負型液晶分子在驅動時穩定地向外傾倒，從而能夠提升液晶效率，並可強化將錯向點(disclination node)限定於畫素結構100邊緣(如交界B的角落)的能力。如此一來，將有助於降低非期望的錯向線或錯向點在畫素結構100的中心區域(例如第一區A1)生成的機率。因此，畫素結構100的光穿透率可有效地提升，且應用畫素結構100的顯示面板可具有理想的光穿透率以及顯示品質。

在本實施例中，第一區頂面T1以及第二區頂面T2的交界B由一陡峭面構成，但不限於此。圖1E是圖1C中區域C的另一實施型態。如圖1E所示，依據不同的製程方式或製程參數，第一區A1與第二區A2之間可能存在一交界區A3，其中交界區A3具有連接於第一區頂面T1與第二區頂面T2之間的一傾斜面T3，且傾斜面T3與基板110的表面S1的夾角θ例如大於80度，以較佳地穩定液晶倒向。在本實施例中，第一區頂面T1與第二區頂面T2可以視為實質上平行，而傾斜面T3則連接於此兩頂面之間。

請再參照圖1B，本實施例的畫素電極130具有主幹開口TO以及連通於主幹開口TO的多個狹縫開口SO。主幹開口TO沿十字形軌跡分佈，以劃分出多個配向區AA(如4個配向區AA)。此外，十字形軌跡的交叉處X位於第一區A1中，且例如位於畫素電極130的中心，但不限於此。本實施例以主幹開口TO進行配向有助於縮減對應畫素電極130中間處的錯向線的線寬，從而能 夠在廣視角的優勢下兼顧光穿透率。在本實施例中，主幹開口TO的寬度IT例如介於2微米至8微米之間，且較佳為4微米。

同一個配向區AA中的狹縫開口SO彼此平行而在相鄰兩個狹縫開口SO之間定義出畫素電極130的一個條紋部132。在本實施例中，同一個配向區AA中的條紋部132在排列方向上的寬度W為定值，亦即條紋部132呈等寬的設計，但本發明不限於此。在另一實施例中，條紋部132的寬度W亦可由外而內地逐漸減少，亦即條紋部132的寬度W朝靠近交叉處X的方向逐漸減少。在此架構下，狹縫開口SO的寬度則由外(遠離交叉處X)而內(接近交叉處X)地逐漸增加。以下實施例皆適用此改良，便不再贅述。

畫素電極130可進一步包括周邊連接部134。周邊連接部134部分位於第一區A1中且部分位於第二區A2中。在本實施例中，周邊連接部134位於第一區A1中的寬度W1(即周邊連接部134位於第一區A1中的邊緣與交界B的水平距離)例如大於0微米且小於或等於4微米。此外，周邊連接部134位於第二區A2中的寬度W2(即周邊連接部134位於第二區A2中的邊緣與交界B的水平距離)例如介於2微米至10微米之間。

條紋部132由主幹開口TO向外延伸而連接至周邊連接部134。在本實施例中，周邊連接部134具有環形圖案而條紋部132位於環形圖案所環繞的面積內。此外，周邊連接部134的外輪廓OC及內輪廓IC(內輪廓由所有條紋部134與周邊連接部134之交界連線而成)實質上順應著(conform to)第一區頂面T1與第二區頂 面T2的交界B。因此，本實施例的周邊連接部134的外輪廓OC及內輪廓IC亦為方形，例如為正方形，但不限於此。在另一實施例中，畫素電極130也可以是長方形，且其長寬比可介於1至1.5之間。此時，周邊連接部134的外輪廓OC及內輪廓IC同為長方形。

圖2A是圖1A的畫素結構的另一實施例的局部放大示意圖。圖2B及圖2C分別是沿圖2A的剖線III-III、IV-IV的剖面示意圖。請參照圖2A至圖2C，畫素結構100A大致相同於畫素結構100，且相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。畫素結構100A與畫素結構100的主要差異在於，畫素結構100A的第一區A1’的面積具有一中心部A11’以及由中心部A11’向外延伸出去的多個凸出部A12’，且凸出部A12’的延伸軌跡朝向第一區A1’的中心延伸時將中心部A11’劃分成上述多個配向區AA。具體地，凸出部A12’例如分別對應主幹開口TO的末端且沿著主幹開口TO的十字形軌跡延伸出去。凸出部A12’的設置有助於使液晶倒向更為穩定，且能夠進一步強化將錯向點固定在凸出部A12’與周邊連接部134之重疊處的能力，使對應主幹開口TO的錯向線相對細且相對準直，從而有助於進一步提升光穿透率。在本實施例中，凸出部A12’在垂直其延伸方向上的寬度W3例如大於3微米。

以下以圖3至圖10說明畫素結構其他可實施的型態，但本發明不限於所列舉之實施例，任何所屬技術領域中具有通常知識者，當可將不同實施例之技術加以組合、變更，而其皆落入本 案所欲保護之發明。圖3至圖10分別是圖1A的畫素結構的其他實施例的局部放大示意圖。請先參照圖3，畫素結構100B大致相同於畫素結構100A，且相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。畫素結構100B與畫素結構100A的主要差異在於，畫素結構100B的畫素電極130A更包括角落圖案部136。角落圖案部136設置於周邊連接部134所構成的方形的角落。角落圖案部136的設置有助於進一步強化將錯向點固定於畫素結構100B邊緣(對應角落圖案部136的位置)的能力，使液晶倒向更為穩定。在本實施例中，角落圖案部136的凸出寬度W4(即角落圖案部136的邊緣至周邊連接部134的邊緣的最短距離)例如介於1微米至4微米之間。

請參照圖4，畫素結構100C大致相同於畫素結構100，且相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。畫素結構100C與畫素結構100的主要差異在於，畫素結構100C的第一區頂面T1與第二區頂面T2的交界B沿著一幾何圖案的輪廓分佈。所述幾何圖案在第一方向D1上的寬度是由中央向外逐漸縮小，且在垂直於第一方向D1的第二方向D2上的寬度是由中央向外逐漸縮小。並且，幾何圖案的相鄰兩邊緣E在主幹開口TO所劃分出的四個配向區AA中分別形成一個轉折點TP。各邊緣E對應主幹開口TO的十字型軌跡具有一長一短的分量PL、PW，且分量PL與分量PW的比值PL/PW大於或等於0.0185。

在本實施例中，周邊連接部134的外輪廓OC及內輪廓 IC皆維持前述方形的設計，且至少部分條紋部132重疊於第一區頂面T1與第二區頂面T2的交界B，且部分條紋部132由第一區頂面T1延伸至第二區頂面T2，但本發明不限於此。如圖5所示，畫素電極130B的周邊連接部134A的內輪廓IC亦可順應著第一區頂面T1與第二區頂面T2的交界B而具有與上述幾何圖案實質上相同的輪廓。或者，如圖6所示，畫素電極130C的周邊連接部134B的外輪廓OC及內輪廓IC可共同順應著第一區頂面T1與第二區頂面T2的交界B而具有與上述幾何圖案實質上相同的輪廓。在圖5及圖6的架構下，所有的條紋部132皆位於周邊連接部134A、134B之環形圖案所環繞的面積內，亦即，所有的條紋部132皆配置於第一區頂面T1上。此外，周邊連接部134A、134B重疊且橫越第一區頂面T1與第二區頂面T2的交界B。

在圖4至圖6的畫素結構100C、110D、100E中，利用周邊連接部134B的外輪廓OC、周邊連接部134A、134B的內輪廓IC以及交界B的其中至少一者採用輪廓漸變的設計，有助於進一步穩定液晶倒向，從而達到前述提升液晶效率及光穿透率的效果。

請參照圖7，畫素結構100F大致相同於畫素結構100，且相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。畫素結構100F與畫素結構100的主要差異在於，畫素結構100F的周邊連接部134C由多個間隙G分隔成多段且各間隙G位於主幹開口TO的末端。間隙G使周邊連接部134C彼此結構上分離，且間隙G可視 為主幹開口TO的延伸。亦即，間隙G與主幹開口TO同為鏤空結構。此外，各配向區AA的其中一條條紋部132朝向主幹開口TO沿伸出去而連接相鄰的配向區AA的其中一條條紋部132。具體地，朝向主幹開口TO沿伸出去的條紋部132的延伸部分構成多個主幹連接部138。主幹連接部138位於主幹開口TO中，以將各配向區AA的其中一條條紋部132連接至相鄰的配向區AA的其中一條條紋部132。此外，主幹連接部138不重疊十字形軌跡的交叉處X，亦即主幹連接部138暴露出交叉處X。在本實施例中，主幹連接部138彼此分離，且條紋部132及主幹連接部138相連在一起而形成V字形，但本實施例不用以限定主幹連接部138的形狀及其連接於條紋部132的方式。如圖8的畫素電極130E所示，條紋部132及所連接的主幹連接部138A亦可形成W字形。或者，圖9的畫素電極130F所示，位於主幹開口TO中的主幹連接部138B可彼此連接在一起而形成環繞於交叉處X周圍的方形結構。然而，但本發明不限於上述。

在畫素結構100F、100G、100H中，間隙G的設置有助於使液晶倒向更為穩定，且能夠進一步強化將錯向點固定在對應間隙G位置的能力，從而達到前述提升液晶效率及光穿透率的效果。在這些實施例中，間隙G的寬度W5(即周邊連接部134C的相鄰兩段之間的距離)例如大於1微米且小於或等於8微米。此外，寬度W1例如大於2微米，而寬度W2例如介於2微米至8微米之間。另外，如圖10所示，畫素結構100I的畫素電極130G在圖7 的架構下進一步包括圖3的角落圖案部136，以進一步強化將錯向點固定於畫素結構100I邊緣(對應角落圖案部136的位置)的能力。圖8及圖9的畫素結構100G、100H亦可同此改良，於此不再贅述。此外，圖10中的寬度W1、W2、W4、W5的範圍可參照上述，於此不再贅述。

圖11是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。請參照圖11，顯示面板10包括多個畫素結構12(圖11僅示意性繪示出一個)以及液晶層14，其中各畫素結構12可採用上述畫素結構100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I的其中一者。

顯示面板10可進一步包括一對向基板16。對向基板16配置於畫素結構12的對向，且液晶層14位於對向基板16與畫素結構12之間。此外，對向基板16可包括一透光基板SUB與配置其上的一共用電極層CE。共用電極層CE與畫素電極130分別位於液晶層14的相對兩側，且液晶層14的液晶分子LC依據畫素電極130與共用電極層CE之間的電場方向而改變其傾倒方向。以液晶分子LC為負型液晶分子為例，負型液晶分子的短軸會沿著電場的方向排列。在畫素結構12的驅動下，電場方向由畫素電極130指向共用電極層CE(近似垂直電場)。透過上述架高畫素電極130邊緣的設計，可令液晶分子LC皆向第二區A2傾倒，從而顯示面板10可具有良好的光穿透率以及顯示品質。

綜上所述，本發明實施例的畫素結構藉由架高畫素電極 邊緣的設計，使液晶分子在驅動時能夠穩定地向外傾倒，而有助於提升光穿透率，且使應用上述畫素結構的顯示面板能夠具有理想的光穿透率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧畫素結構

110‧‧‧基板

120‧‧‧絕緣層

130‧‧‧畫素電極

132‧‧‧條紋部

134‧‧‧周邊連接部

A1‧‧‧第一區

A2‧‧‧第二區

B‧‧‧交界

D1‧‧‧第一距離

D2‧‧‧第二距離

S1‧‧‧表面

SO‧‧‧狹縫開口

T1‧‧‧第一區頂面

T2‧‧‧第二區頂面

U‧‧‧容置空間

W1、W2‧‧‧寬度

Claims (19)

1. 一種畫素結構，包括：一基板，具有一表面；一絕緣層，配置於該基板上而定義出一第一區以及一第二區且該第二區圍繞在該第一區周邊，其中該第一區具有一第一區頂面而該第二區具有一第二區頂面，且該第一區頂面至該表面的一第一距離小於該第二區頂面至該表面的一第二距離；以及一畫素電極，配置於該基板上，且該畫素電極的至少部分面積由該第一區頂面連續地延伸至該第二區頂面，其中該畫素電極具有一主幹開口以及連通於該主幹開口的多個狹縫開口，該主幹開口沿十字形軌跡分佈以劃分出多個配向區，同一個配向區中的該些狹縫開口彼此平行而在相鄰兩個狹縫開口之間定義出該畫素電極的一個條紋部，且該十字形軌跡的交叉處位於該第一區中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中位於各該配向區的其中一條條紋部朝向該主幹開口沿伸出去而連接相鄰的配向區的其中一條條紋部。
3. 如申請專利範圍第2項所述之畫素結構，其中該畫素電極更包括多個主幹連接部，位於該主幹開口中，以將各該配向區朝向該主幹開口沿伸出去的該其中一條條紋部連接至該相鄰的配向區的該其中一條條紋部。
4. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該些主幹連接部不重疊該十字形軌跡的交叉處。
5. 如申請專利範圍第2項所述之畫素結構，其中該些條紋部重疊於該第一區頂面與該第二區頂面的交界。
6. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該畫素電極更包括一周邊連接部，部分位於該第一區中且部分位於該第二區中，且該些條紋部由該主幹開口向外延伸而連接至該周邊連接部。
7. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該周邊連接部具有環形圖案而該些條紋部位於該環形圖案所環繞的面積內。
8. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該些周邊連接部由多個間隙分隔成多段且各該間隙位於該主幹開口的末端。
9. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該周邊連接部的外輪廓為方形。
10. 如申請專利範圍第9項所述之畫素結構，其中該畫素電極更包括角落圖案部設置於該周邊連接部所構成的該方形的角落。
11. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該周邊連接部的外輪廓實質上順應著(conform to)該第一區頂面與該第二區頂面的交界。
12. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一區頂面與該第二區頂面的交界沿著一方形圖案的輪廓分佈。
13. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一區頂面與該第二區頂面的交界沿著一幾何圖案的輪廓分佈，該幾何圖案在一第一方向上的寬度是由中央向外逐漸縮小，且在一第二 方向上的寬度是由中央向外逐漸縮小，而該第一方向與該第二方向垂直。
14. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第二區連續的圍繞在該第一區周邊，且該第一區與該第二區的交界構成一封閉圖案。
15. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一區的面積具有一中心部以及由該中心部向外延伸出去的多個凸出部，且該些凸出部的延伸軌跡朝向該第一區的中心延伸時將該中心部劃分成多個配向區。
16. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該絕緣層在該第一區的厚度小於在該第二區的厚度。
17. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一距離與該第二距離的差介於0.3微米至0.9微米之間。
18. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一區與該第二區之間存在一交界區，該交界區具有連接於該第一區頂面與該第二區頂面之間的一傾斜面，該傾斜面與該基板的該表面的夾角大於80度。
19. 一種顯示面板，包括：多個如申請專利範圍第1至18項中任一項所述的畫素結構；以及一液晶層，該液晶層的液晶分子由該些畫素結構驅動，且在該些畫素結構驅動下，該些液晶分子皆向該第二區傾倒。