[go: up one dir, main page]

TW201622102A - 微發光二極體顯示器以及組裝 - Google Patents

微發光二極體顯示器以及組裝 Download PDF

Info

Publication number
TW201622102A
TW201622102A TW104129955A TW104129955A TW201622102A TW 201622102 A TW201622102 A TW 201622102A TW 104129955 A TW104129955 A TW 104129955A TW 104129955 A TW104129955 A TW 104129955A TW 201622102 A TW201622102 A TW 201622102A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
led
metal
electrode
dielectric
doped semiconductor
Prior art date
Application number
TW104129955A
Other languages
English (en)
Inventor
立德 張
Original Assignee
英特爾股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英特爾股份有限公司 filed Critical 英特爾股份有限公司
Publication of TW201622102A publication Critical patent/TW201622102A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8314—Electrodes characterised by their shape extending at least partially onto an outer side surface of the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

結晶(微)LED顯示器組裝、製造上述顯示器組裝的方法、可從其傳送(微)LED至顯示器組裝的結晶LED源極基板、及製造上述源極基板的方法。LED元件可能藉由取放或其他工具而被準備用於傳送至一接合基板。錨固和釋放結構使LED元件能以導電聚合物被附接及電性耦接至接合基板。LED元件可能被準備用於傳送至接合基板，該接合基板具有使元件能以黏合劑被附接至接合基板及電性耦接於自對準區域互連金屬化之自對準LED電極金屬化結構。在附接LED元件之後，材料可能被建立於LED元件及與接合基板分開之顯示器組裝周圍。

Description

微發光二極體顯示器以及組裝
本發明係關於微發光二極體顯示器以及組裝。
近幾年，顯示器技術已迅速進步作為對電子裝置的重要使用者介面。迄今，液晶顯示器(LCD)技術已經是主要的顯示器技術用於大型型式(例如，電視)及行動裝置兩者。然而，目前LCD為基顯示器從背光來源(例如，LED或CFL等等)只通過至5%的光而導致差的功率效率、不足日光顯示照明、及差的視角。
已對有機發光二極體(OLED)顯示器技術花費大量研究及開發。OLED顯示器儘管不是很顯著，但相對於LCD增進顯示功率效率。OLED技術目前也遭受顏色衰退之苦，導致降低的顯示器耐久性/使用期。
研究下之另一次世代顯示器技術係為結晶LED，也稱為無機LED(iLED)。結晶LED顯示器依賴結晶半導體LED晶片的陣列。結晶LED顯示器例如可能利 用用於一個圖片元件或像素的一個LED晶片。結晶LED的功率效率係為比OLED更有效率一個等級，然而未對顯示應用顯示高容量製造程序。結晶LED的其中一個技術挑戰係為大量極小的結晶LED必須從單晶增長/製造介質轉成以能夠控制發光的方式電性互連的空間較大型陣列。 針對目前顯示器解析度(例如，HD)，可能預期數十萬個結晶LED元件在一平方英吋顯示器面積內，其中每個結晶LED元件為微米尺度(例如，側面為5μm或更少)。已產生在單晶裝置及傳統毫米取放組裝之間之挑戰之微尺寸組裝的大量裝置及其小尺寸。
就其本身而論，結晶LED顯示器及用於上述顯示器之組裝的技術會是有益的。
101‧‧‧方法
105-150‧‧‧操作
201‧‧‧磊晶圓
205‧‧‧外延基板
206‧‧‧緩衝層
207‧‧‧LED膜堆疊
210‧‧‧p型金屬膜
212‧‧‧接合材料層
214‧‧‧接合材料層
220‧‧‧托架
225‧‧‧n型金屬膜
227‧‧‧蓋層
230‧‧‧LED元件
We‧‧‧寬度
232‧‧‧溝渠
235‧‧‧間隔介電質
Wt‧‧‧寬度
Ws‧‧‧寬度
245‧‧‧錨狀物
249‧‧‧自由間隔空隙
250‧‧‧LED接合源極基板
330‧‧‧LED柱子
331‧‧‧遮罩
332‧‧‧元件間溝渠
333‧‧‧遮罩
334‧‧‧元件內溝渠
Wi‧‧‧寬度
350‧‧‧結晶LED接合源極基板
401‧‧‧方法
460-480‧‧‧操作
505‧‧‧接合基板
514‧‧‧釋放層
527‧‧‧介電質保護層
540‧‧‧第一背板金屬互連
545‧‧‧第二背板金屬互連
550‧‧‧導電聚合物元件
265‧‧‧建立介電質
560‧‧‧導電互連
565‧‧‧建立介電質
570‧‧‧觸控感測器層
575‧‧‧顯示器蓋
501‧‧‧LED顯示器組裝
502‧‧‧LED顯示器組裝
601‧‧‧方法
605-650‧‧‧操作
701‧‧‧磊晶圓
706‧‧‧第一摻雜半導體區
707‧‧‧半導體LED膜堆疊
708‧‧‧第二互補摻雜半導體區
712‧‧‧接合材料層
720‧‧‧托架
710‧‧‧金屬LED電極
730‧‧‧結晶LED元件
732‧‧‧溝渠
735‧‧‧間隔介電質
740‧‧‧金屬電極
Wt2‧‧‧寬度
Wm‧‧‧寬度
745‧‧‧錨狀物
750‧‧‧結晶LED接合源極基板
749‧‧‧自由間隔空隙
832‧‧‧元件間溝渠
834‧‧‧元件內溝渠
Wi‧‧‧寬度
830‧‧‧LED
850‧‧‧LED接合源極基板
901‧‧‧方法
995‧‧‧操作
1005‧‧‧接合基板
1014‧‧‧釋放層
1075‧‧‧蓋層
1070‧‧‧觸控感測器層
1040‧‧‧金屬側蓋互連
1045‧‧‧光學穿透黏合劑
1060‧‧‧區域互連
1031‧‧‧IC
1065‧‧‧介電質
1067‧‧‧介電質
1085‧‧‧未接地接點
1090‧‧‧金屬背板互連
1095‧‧‧分離電容器
1092‧‧‧建立
1050‧‧‧結晶LED顯示器組裝
1100‧‧‧行動手持裝置
1101‧‧‧前端
1102‧‧‧後端
1104‧‧‧結晶LED顯示器組裝
1106‧‧‧輸入/輸出裝置
1108‧‧‧整合天線
1112‧‧‧導航特徵
1105‧‧‧攝像機
1110‧‧‧閃光
本文所述之材料藉由實例且非藉由附圖中之限制來說明。為了簡化及清楚說明，圖中所示之元件不一定按比例繪示。例如，一些元件的維度可能為了清楚而相對於其他元件地放大。又，在考量到適當之處，在圖中已重複參考標號以指示對應或類似元件。在圖中：第1圖係為根據實施例之繪示製造適用於組裝至顯示器中之結晶LED元件之方法的流程圖；第2A、2B、2C、2D、2E、2F、及2G圖係為依照實施例之當進行第1A圖所示之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖； 第2H圖係為依照實施例之第2G圖所示之結晶LED元件的平面圖；第2I圖係為依照實施例之當進行第1A圖所示之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖；第2J圖係為依照實施例之第2I圖所示之結晶LED元件的平面圖；第2K圖係為依照實施例之在完成第1A圖所示之方法之後之示範結晶LED元件的剖面圖；第3A、3B、3C、3D、及3E圖係為依照替代實施例之當進行第1A圖所示之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖；第4圖係為根據實施例之繪示組裝結晶LED元件至顯示器中之方法的流程圖；第5A、5B、5C、5D、及5E圖係為依照實施例之當進行第4圖所示之方法之示範操作時組裝至顯示器中之示範結晶LED元件的剖面圖；第6圖係為根據替代實施例之繪示製造適用於組裝至顯示器中之結晶LED元件之方法的流程；第7A、7B、7C、7D、7E、及7F圖係為依照實施例之當進行第6圖所示之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖；第7G圖係為依照實施例之第7F圖所示之結晶LED元件的平面圖；第7H圖係為依照實施例之當進行第6圖所示 之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖；第7I圖係為依照實施例之第7H圖所示之結晶LED元件的平面圖；第7J圖係為依照實施例之在完成第6圖所示之方法之後之示範結晶LED元件的剖面圖；第8A圖係為依照實施例之當進行第6圖所示之方法之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖；第8B圖係為依照實施例之第8A圖所示之結晶LED元件的平面圖；第8C圖係為依照替代實施例之在完成第6圖所示之方法之後之示範結晶LED元件的剖面圖；第9圖係為根據替代實施例之繪示組裝結晶LED元件至顯示器中之方法的流程圖；第10A、10B、10C、10D、10E、10F、及10G圖係為依照實施例之當進行第9圖所示之方法之示範操作時組裝至顯示器中之示範結晶LED元件的剖面圖；及第11圖繪示依照實施例之合併結晶LED顯示器之行動計算裝置的前及後視圖。
【發明內容及實施方式】
說明關於附圖的一或更多實施例。儘管詳細說明及討論具體配置及布置，但應了解這只是為了示範目的。相關領域中之技藝者將認知在不違反本說明之精神及 範疇下其他配置及布置係可能的。相關領域之技藝者將了解本文所述之技術及/或布置可能在有別於本文詳細所述之各種其他系統及應用中採用。
參考下列對附圖的詳細說明，其形成關於此點之部分及說明示範實施例。此外，了解到可能利用其他實施例且在不違反主張之標的範疇下進行結構及/或邏輯改變。也應注意到例如上、下、頂、底、等等的方向及參考可能僅用以促進說明圖中的特徵。因此，不以限制含意來採用下列詳細說明且僅藉由所附之申請專利範圍及其等效者來定義主張之標的範疇。
在下列說明中，提出許多細節。然而，本領域之技藝者將了解可能無須這些具體細節來實作本發明之實施例。在一些實例中，以方塊圖形式而非詳細地顯示熟知方法及裝置以避免混淆本發明之實施例。貫穿此說明書提到的「實施例」或「一個實施例」表示關於實施例所述之特定特徵、結構、功能、或特性係包括在本發明之至少一實施例中。因此，在貫穿此說明書之各個地方中的詞彙「在實施例中」或「在一個實施例中」之出現不一定係指本發明之相同實施例。再者，可能以任何適當方式在一或更多實施例中結合特定特徵、結構、功能、或特性。例如，在關聯於兩個實施例之特定特徵、結構、功能、或特性不互斥之任何地方，第一實施例可能結合第二實施例。
如說明及所附之申請專利範圍所使用，單數形式「一」及「該」也打算包括複數形式，除非內文以其 他方式清楚指示。也將了解如本文所使用之「及/或」之詞係指且包含一或更多關聯列出之項目的任何及所有可能結合。
本文可能使用「耦接」及「連接」之詞及其衍生詞來說明元件之間的功能或結構關係。應了解這些詞不打算作為彼此的同義字。反而，在特定實施例中，可能使用「連接」來指示二或更多元件係彼此直接實體、光學、或電連接。可能使用「耦接」來指示二或更多元件係彼此直接或間接(它們之間具有其他中間元件)實體或電連接，及/或二或更多元件彼此協作或互動(例如，如在因果關係)。
如本文所使用之「上方」、「下方」、「之間」、「上」係指一個元件或材料關於其他元件或材料的相對位置，其中這樣的實體關係係值得注意的。例如，在材料的內文中，設置於另一材料上方或下方的一個材料或材料可能直接接觸或可能具有一或更多中間材料。此外，設置於兩個材料或材料之間的一個材料可能直接接觸兩層或可能具有一或更多中間層。相比之下，在第二材料或材料「上」的第一材料或材料係直接接觸於此第二材料/材料。在元件組裝之內文中做出類似區別。
如本說明書中及申請專利範圍中所使用，加入「至少一個」或「一或更多」之詞的一列項目能表示所列項目的任何組合。例如，「A、B、或C之至少一者」之詞彙能表示A；B；C；A且B；A且C；B且C；或 A、B且C。
本文所述係為結晶(微)LED顯示器組裝、製造上述顯示器組裝的方法、LED可能從其被傳送至顯示器的結晶LED源極基板、及製造上述源極基板的方法。技術及顯示器組裝對將數十萬至數百萬的μLED整合進顯示器中特別有利。本文也簡稱為LED的μLED具有微米尺寸的最大側向維度，且有利地具有不超過5μm的最長側向長度。顯示器組裝實施例、源極基板實施例、及本文示範之製造技術係可高度縮放適用於例如1-5μm範圍的LED。雖然為了簡明而在本文內文中敘述少量或甚至單一LED，但也了解源極基板實施例、及所示範的技術可用於大量LED的協作製造/組裝。
第1圖係為根據實施例之繪示製造適用於組裝至顯示器中之結晶LED元件之方法101的流程圖。可能利用方法101以製造LED源極基板，LED元件可能從其被傳送以組裝結晶LED顯示器。第2A-2K圖係為依照實施例之當進行方法101之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖及平面圖。
方法101需要適用於從在操作105接收的半導體LED膜堆疊產生LED源極基板的晶圓級處理。半導體LED膜堆疊可能是覆蓋外延基板的連續膜以形成單晶主體(例如，LED磊晶圓)。一般來說，可能利用任何已知的半導體LED膜堆疊。在第2A圖所示的示範實施例中，磊晶圓201包括外延基板205、緩衝層206、及外延地增 長在緩衝層206上的半導體LED膜堆疊207。在實施例中，LED膜堆疊207包括一或更多半導體異質接面，例如形成量子井、等等。半導體LED膜堆疊207包括至少兩個互補摻雜半導體區(層)；在二極體堆疊架構中的p型摻雜層及n型摻雜層。在特定實施例中，半導體LED膜堆疊207係異質外延的III-N半導體膜堆疊，例如包含GaN及/或其合金，如InGaN。然而，半導體LED膜堆疊207的組成係取決於想要的發射帶，且本文實施例並不限於此態樣。
外延基板205可能是適用於增長LED半導體膜堆疊的任何已知基板。例如，基板205可能是許多材料，包括但不限於：矽；鍺；SiGe；像GaAs、InP的III-V混合物、像GaN、3C-SiC的III-N混合物；藍寶石等等。緩衝層206可能是適用於從外延基板205之合成物/微結構轉變成LED膜堆疊207之合成物/微結構的任何已知架構。
回到第1圖，方法101繼續操作110，其中電極金屬係沉積在LED膜堆疊上。電極金屬之組成可能隨著LED膜堆疊的功能改變，例如用以提供適用於提供歐姆接點、穿隧接點、等等的想要金屬功函數。在一示範實施例中，在操作110沉積的金屬係為適用於製造至LED膜堆疊之p型摻雜半導體層之接點的p型金屬。在操作110中可能利用任何已知的沉積技術，例如但不限於PVD、CVD、電解、或無電鍍。如第2B圖進一步所示， 在LED膜堆疊207之p型摻雜半導體層上覆蓋沉積p型金屬膜210。也如第2B圖所示，例如介電質(如SiOx)的接合/釋放材料層212可能更沉積在p型金屬膜210上。
回到第1圖，方法101繼續操作115，其中LED膜及金屬電極堆疊係耦接至托架。在操作120中，LED及金屬電極堆疊從LED磊基板分開。操作115及120實作允許LED膜堆疊夾在兩個相對金屬電極之間的晶圓級薄膜傳送。若在操作105接收的LED磊基板已包括藏在LED膜堆疊下的金屬電極膜，則可能不需要晶圓級膜傳送操作115及120。作為一實例，這裡在操作115及120之內文中敘述的晶圓級薄膜傳送可能在方法101之上游進行。在操作115，可能利用本領域中已知的任何技術來將LED膜及電極堆疊耦接至托架。在一實施例中，耦接是長期穩固的，例如使用LED膜與電極堆疊之間的任何(熱)壓縮接合至托架。在另一實施例中，耦接是較短期的，例如使用於LED膜與電極堆疊與托架之間的靜電耦接。在操作120，可能利用本領域中已知的任何技術來從外延基板分開LED膜與電極堆疊。例如，可能利用雷射發射或CMP/研磨及清潔來移除外延基板。在第2C圖所示之示範實施例中，接合材料層212(例如，SiOx黏合劑)係壓縮/熱/UV接合於托架220，其進一步包括另一接合材料層214(例如，SiOx黏合劑)。替代地，只有其中一個接合材料212或214可能存在。托架220可能是任何金屬、半導體、或具有足夠平坦的介電質材料，且可能藉由托架 220之較大平坦促進來自托架220之LED元件的隨後批次傳送。在一有利實施例中，托架220係為(單)結晶矽基板，例如用於IC製造所採用之類型的晶圓。如第2D圖進一步所示，從外延基板205分開LED膜(例如，藉由雷射發射)暴露LED膜堆疊207的第二摻雜半導體區(例如，n型摻雜層)。
回到第1圖，方法101繼續操作125，其中第二金屬電極膜被沉積在由操作120所暴露之LED膜堆疊的表面上。第二電極金屬之組成可能隨著LED膜堆疊的功能改變，例如用以提供適用於提供歐姆接點、穿隧接點、等等的想要金屬功函數。在一示範實施例中，在操作125沉積的金屬係為適用於製造至LED膜堆疊之n型摻雜半導體層之接點的n型金屬。在操作125中可能利用任何已知的沉積技術，例如但不限於PVD、CVD、電解、或無電鍍。如第2E圖進一步所示，在LED膜堆疊207之n型摻雜半導體層上覆蓋沉積n型金屬膜225。
回到第1圖，方法101繼續操作130，其中在第二金屬電極膜上沉積保護介電質蓋材料。操作130係非必要的，但有利地保護LED電極金屬免於在後續處理期間受到侵蝕。介電質蓋材料可能是適用於此目的之本領域中已知的任何材料。可能在操作130中利用任何已知沉積技術，例如但不限於PVD及CVD。如第2F圖進一步所示，在n型金屬LED電極膜225上覆蓋沉積碳摻雜氮化矽(CDN)膜227。
回到第1圖，方法101繼續操作135，其中藉由將溝渠蝕刻至LED半導體膜堆疊中來形成複數個LED元件。在操作135中可能利用任何已知光刻遮罩圖案化及薄膜蝕刻程序。在操作135中之遮罩特徵的維度大體上設定將合併至顯示器中之LED元件的維度。在有利實施例中，蝕刻操作135蝕刻穿過第一金屬電極膜、穿過第二金屬電極膜、及穿過在定義每個LED元件之側壁之兩個電極之間的整個半導體LED膜堆疊。藉由此技術，第一金屬電極的佔用面積至少等於LED半導體膜堆疊及第二電極所佔用的面積(即，兩個LED電極具有相同佔用面積且符合半導體膜堆疊)。在操作140中，在LED元件側壁上形成介電質側壁間隔。可能在LED元件上保形地沉積任何已知的介電質材料，例如但不限於SiOx,SiON、SiN、CDO、及CDN。接著使用適用於選擇介電質材料之本領域中已知的任何各向異性蝕刻程序來進行各向異性蝕刻以在每個LED元件之金屬及半導體側壁上形成至少部分自對準側壁塗層。如下方進一步所述，介電質間隔側壁塗層使後續錨固程序能獨立於LED封裝。介電質間隔側壁塗層所提供的自由度可能更使錨固力能被調整成低於如果例如也為LED封裝採用錨固材料可能的力量。
第2G圖係為在操作135之其概括及藉由在操作140之介電質間隔之封裝之後之結晶LED元件230的剖面圖。在示範實施例中，每個LED元件230之側向元件寬度We被圖案化以不超過5μm。如進一步所示，間隔 介電質235(例如，CDN)當作在LED元件230上的自對準側壁介電質塗層。在包括蓋層227的實施例中，可能藉由一或更多介電質材料(例如，CDN)在5/6側面上封裝LED元件230。在有利實施例中，選擇用於間隔形成之介電質材料的厚度以確保間隔介電質235具有小於在操作135(第1圖)中蝕刻至LED膜堆疊中之溝渠232之名義側向寬度Wt一半的側向厚度(或寬度Ws)。間隔寬度的限制確保在相鄰LED元件上的兩個介電質間隔留下在溝渠232之底部暴露的一部分基板材料(例如，接合材料212)。第2H圖係為依照實施例之與第2G圖相同階段之結晶LED元件230的上下平面圖。雖然LED元件230在第2G圖所示之示範實施例中係為矩形(例如，正方形)，但可能圖案化LED元件230以具有替代形狀(例如，圓形佔用面積)。
回到第1圖，方法101繼續操作145，其中LED元件錨狀物被圖案化準備用於從托架之LED元件的控制釋放。LED元件錨狀物被形成在操作135中所蝕刻的溝渠內，貫穿LED元件側壁之部分，儘管仍留下釋放劑可以底切LED元件之出入口。藉由存在LED元件之介電質間隔塗層側壁，可能獨立於涉及關聯於LED元件之封裝地形成LED錨狀物。在第2I圖所示之示範實施例中，凹陷一或更多接合材料層212、214之至少一部分。在上述實施例中，材料層212、214係功能性地接合及釋放層兩者。在替代實施例中，凹陷作為部分之LED元件錨固操作的釋放層係有別於接合層。釋放層可能以藉由介電質 間隔235及保護LED元件230之蓋材料227所遮罩的覆蓋蝕刻程序來凹陷於介電質間隔235下方。在所示實施例中，穿過材料層212、214之各向異性蝕刻程序停止在托架220上。錨狀物材料接著沉積至鄰近LED元件230之間的凹陷溝渠中、填充至少凹陷釋放層及由介電質間隔排列的溝渠之一部分。錨狀物材料可能被回填至溝渠中，例如以旋塗程序與LED元件230之上表面平面化。平面化錨狀物材料可能接著被圖案化成複數個分開錨狀物。由介電質間隔側壁塗層提供的自由度可能使錨固力能藉由降低低於如果例如也為LED封裝採用錨固材料可能的錨固點被調整。在一有利實施例中，錨狀物材料係為旋塗至溝渠中的感光聚合物材料(例如，光阻)。接著將光阻光刻圖案化(即，暴露及顯影)成填入溝渠且維持鄰近LED元件230之間分開的分開LED元件錨狀物245，如第2J圖進一步所示，其係為依照實施例之第2I圖所示之結晶LED元件230的平面圖。
回到第1圖，方法101繼續操作150，其中從托架可控制地釋放錨固的LED元件。在釋放操作150之後，LED元件僅藉由在操作145中形成的錨狀物維持附接於托架。在實施例中，藉由側向地蝕刻沉積於LED元件及托架之間之釋放層來從托架釋放LED元件。第2K圖係為依照實施例之在完成方法101之後之結晶LED接合源極基板250的剖面圖。如所示，例如以任何等方性乾或濕化學蝕刻劑(例如，HF)、底切複數個結晶LED元件230 來側向地蝕刻源極LED接合/釋放層212、214。設置在托架220上的錨狀物245接著被延伸在每個LED元件230之整個側向面積或佔用面積上的自由間隔空隙249圍繞。在對錨狀物材料採用感光聚合物的示範實施例中，每個錨狀物245係為接觸塗覆至少兩個鄰近LED元件230(例如，四個最近LED元件230被每個錨狀物245連接)之側壁介電質(間隔235)的聚合物柱子。在於第二金屬LED電極225上施加介電質蓋材料的示範實施例中，可能移除此介電質蓋材料以重新暴露第二金屬LED電極225準備傳送LED元件至顯示器組裝。如第2K圖進一步所示，在移除介電質蓋材料227之後，側壁介電質235之上表面平面於第一金屬電極210之暴露表面以及第二金屬電極227之暴露表面。取決於用以移除蓋材料之技術的選擇性，錨狀物245可能延伸在第二金屬電極227之暴露表面上方，如第2K圖所示。替代地，錨狀物245可能凹陷於或大體上平面於第二金屬電極227之暴露表面。接著以LED元件現在準備好拾起及接合至LED顯示器組裝來大體上完成方法101。
在進一步實施例中，可能稍微修改方法101以將上述每個LED元件分成複數個LED為了電多餘充分以避免需要電測試每個LED元件。已知e測試(e-testing)每個元件之每個LED元件的微米側向維度可能是不切實際的，然而任何給定LED元件可能不可操作為LED元件生產的函數(例如，由於半導體LED膜堆疊的缺陷)。因此 在有利實施例中，一或更多元件內溝渠被蝕刻穿過第二金屬電極膜及上述之每個LED元件之LED半導體膜堆疊。LED元件藉此被分成在每個LED元件中之至少一個LED具有極高之函數機率的足夠數量之LED。在每個LED內所需的LED數量係為缺陷密度/叢集的函數。在第一金屬LED電極上停止元件內溝渠，如此每個元件內的所有LED被第一金屬LED電極平行地電性耦接。針對上述實施例，溝渠蝕刻操作135可能牽涉兩個遮罩操作：一個定義上述之元件間溝渠，及另一個定義元件內溝渠。兩個遮罩蝕刻可能以本領域中已知的任何方式來進行。在兩階段溝渠蝕刻操作之後，更利用操作140中的介電質間隔形成來完全地回填元件內溝渠。
第3A、3B、3C、3D、及3E圖係為依照每個LED元件被分成複數個LED之替代實施例之當進行方法101之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖。第3A圖繪示描繪分開LED元件的第一遮罩溝渠蝕刻。遮罩331定義分開相鄰LED元件230之元件間溝渠332的位置。元件間溝渠蝕刻可能大體上如上面操作135之內文中所述，然而在清除LED元件堆疊之前停止蝕刻(例如，停止在第一金屬電極膜210上)。第3B圖繪示描繪每個LED元件內之分開LED柱子的第二遮罩溝渠蝕刻。遮罩333定義分開每個LED元件230內之相鄰LED柱子330之元件內溝渠334的位置。例如，用於遮罩333的特徵可能具有次微米級中的側向CD。元件內溝渠蝕刻可能大體上如 上面操作135之內文中所述，然而在清除LED元件堆疊之前停止蝕刻(例如，停止在第一金屬電極膜210上)。由於遮罩333留下開口元件間溝渠332，因此溝渠332內的蝕刻前端在蝕刻元件內溝渠期間繼續進行穿過第一金屬電極膜210，藉此完成描繪LED元件230。第3C圖進一步繪示介電質間隔形成(例如，在第1圖之操作140中進行)。在元件內溝渠334具有小於側壁介電質間隔235之側向寬度Ws兩倍之側向寬度Wi的有利實施例中，介電質間隔235回填元件內溝渠334。不完全以間隔介電質回填元件間溝渠332，因此可能在形成LED元件錨狀物期間凹陷接合/釋放材料層212/214，大體上如上所述及如第3D及3E圖進一步所示。如第3E圖所示，結晶LED接合源極基板350具有許多上述用於結晶LED接合源極基板250的結構特徵，在每個元件230中有額外多餘的LED 330。再次以LED接合源極基板350之LED元件現在準備好拾起/接合至LED顯示器組裝來大體上完成方法101。多餘LED對修補缺陷是有用的。一旦檢查，藉由以集中離子束移除至上電極的金屬連接能分離缺陷LED 330。將在剩餘良好的LED之間重新分布電流。電流將接著獨立於缺陷元件地設定發光。
第4圖係為根據實施例之繪示組裝結晶LED元件至顯示器組裝中之方法401的流程圖。方法401中利用的LED元件可能從LED接合源極基板(如LED接合源極基板250(第2K圖)或LED接合源極基板350(第3E圖)) 被拾起及/或傳送。第5A、5B、5C、5D、及5E圖係為依照實施例之當進行方法401之示範操作時組裝至顯示器中之示範結晶LED元件的剖面圖。
回到第4圖，方法401開始於操作460，其中接收LED接合基板。接合基板505會是顯示器基板或用於建立顯示器的暫存基板。第5A圖進一步繪示暫存基板實施例。接合基板505係以釋放層514覆蓋，其可能是任何介電質(例如，黏接聚合物)。在建立之後，可能在釋放層514移除LED顯示器組裝且接著在釋放之後重新使用接合基板505。因此，接合基板505可能是本領域已知之任何基板材料以適用於建立，其具有足夠平坦用於所採用的LED接合程序且具有充分大面積(例如，大型式)以容納想要的顯示器面積。示範接合基板材料係為玻璃。第5A圖所示之示範實施例更包括介電質保護層527，其用以在建立及釋放之後保護LED顯示器組裝。示範保護層材料包括SiON、SiN、及CDN。在替代實施例中，不採用介電質保護層527。
設置在接合基板上方係為顯示器背板介面，具有用以連接第一LED電極與顯示器背板(例如，驅動電路、存取電晶體、及/或離散電子產品、等等)的第一背板金屬互連。在第5A圖所示的示範實施例中，第一背板金屬互連540係為陣列在接合基板505上的墊片。針對LED顯示器係用以包括5μmX5μm LED元件之陣列的示範實施例，第一背板金屬互連540可能是具有約25μm之間距的 10μm金屬墊片。第二背板互連545也是陣列在接合基板505上的金屬墊片(例如，具有類似間距，但較小的墊片尺寸)。第二背板互連545係電性耦接至第二LED電極，且因而電性絕緣於第一背板金屬互連540。第一及第二背板金屬互連540、545可能被接收作為接合基板開始材料的特徵(即，方法401的製造上游)、或沉積及圖案化作為部分的LED顯示器組裝建立(例如，使用任何已知金屬沉積程序以沉積任何已知的互連金屬化)。
回到第4圖，方法401繼續操作465，其中導電聚合物被施加至接合基板的區域。導電聚合物係用以當LED顯示器組裝被建立在LED元件周圍時將LED元件附接至接合基板，且用以電性連接其中一個背板金屬互連至在LED元件之第一/背側上的金屬電極。在一個有利實施例中，導電聚合物係為感光導電膜(例如，導電光阻)。上述材料之實例係為摻有導電聚合物(例如聚苯胺)的基本光阻(例如，SU-8 25)。一些導電光阻公式已在技術文獻被說明為具有在1ohm-cm之範圍的電阻。在此電阻中，針對5μmX5μm LED元件，依照本文實施例採用之預期可貢獻給約0.5μm厚之導電聚合物的寄生電阻係為~200ohm的範圍。針對此尺寸的元件，這仍比典型(p型)接觸電阻(例如，>2kohm)小很多。
導電聚合物可能被旋塗在接合基板上，且如第5A圖所示地被圖案化成設置於第一背板金屬互連540上的導電聚合物元件550。導電聚合物元件的圖案化及對 準對於10μm金屬互連墊片係非關鍵的，導電聚合物元件可能具有為25μm間距之10-15μm的側向維度。導電光阻實施例可能有利地以直向光刻暴露/顯影程序被光學地描繪。非感光導電聚合物實施例可能更依賴光刻遮罩程序及後續蝕刻/溶劑分解程序以將導電聚合物圖案化成元件。
回到第4圖，方法401繼續操作470，其中複數個LED元件被附接至導電聚合物。更具體來說，每個LED元件之第一金屬LED電極被電接觸於導電聚合物地放置。導電聚合物係用以將第一金屬LED電極耦接至顯示器背板金屬互連。在第5B圖所示之示範實施例中，LED元件230被施用具有直接接觸於導電聚合物元件550之第一金屬LED電極210。LED元件230與導電聚合物元件550之間的對準是非關鍵的，且可能使用任何傳送印刷/取放接合技術從LED結晶LED接合源極基板傳送LED元件230。例如，可能以印刷戳記或取放頭從源極基板拾起複數個LED元件，其中金屬LED電極225面對戳記/頭。複數個元件之各者的金屬電極210接著被放置接觸於導電聚合物且取放頭與複數個LED元件分開。在一個有利實施例中，採用室溫壓縮接合來將第一金屬LED元件210附接至導電聚合物元件550。在進一步實施例中，對初始接合利用室溫接合，其接著以高溫(例如，140-180℃)固化、及/或導電聚合物之UV固化。
第5A及5B圖繪示在將複數個LED元件230附接至導電聚合物之前將導電聚合物圖案化成複數個分開 導電聚合物元件550的示範實施例。然而，在替代實施例中，在接合LED元件230之後進行導電聚合物的圖案化。例如，可能利用全面曝光來移除未以自對準方式接合LED元件的所有導電聚合物。針對非感光導電聚合物實施例，可能在將LED元件附接至導電聚合物之後進行自對準導電聚合物蝕刻/溶劑分解。
回到第4圖，方法401繼續操作475，其中以電性耦接第二金屬LED電極的至少導電互連來建立LED顯示器組裝。在有利實施例中，其中第二金屬LED電極係設置於LED元件的發光表面，也設置在LED元件之發光表面的至少一部分導電互連係在LED元件之發射帶內光學穿透。在第5C圖所示的一個示範實施例，接觸金屬LED電極225的導電互連560係為ITO。光學穿透互連接著例如透過任何傳統建立互連技術耦接至第二背板金屬互連545。LED元件230及互連金屬化被封裝在建立介電質265中，其可能是任何已知材料，例如但不限於熱固環氧樹脂及/或建立介電質膜(例如，味之素(Ajinomoto)建立膜(Build-up Film)、等等)。在進一步實施例中，LED顯示器組裝更包括觸控感測器層，包括例如用於電容性、電感性、光學、或其他已知觸控感測器網路的金屬化。如第5C圖進一步所示，觸控感測器層570係設置在封裝LED元件230之建立介電質265上。
回到第4圖，方法401繼續操作480，其中將顯示器蓋附接至LED組裝且從顯示器組裝移除接合基 板。在第5D圖所示的示範實施例中，顯示器蓋575係設置在觸控感測器層570上且可能是在LED元件之發射帶內光學穿透的任何材料，例如但不限於玻璃、或藍寶石(氧化鋁Al2O3)。取決於顯示器蓋575的厚度，LED顯示器組裝501可能依據接合基板505之移除而可能是可彎曲的或堅硬的。例如，其中顯示器蓋575係在數十微米的等級，LED顯示器組裝502可能以主要為蓋厚度之函數之曲率半徑而可能是可彎曲的。藉由提供結構支援LED顯示器組裝501的顯示器蓋575，接合基板505可能以保留顯示器背板介面(例如，金屬互連540、545)及複數個LED元件230的建立來與建立介電質565分開。例如，可能利用雷射發射/分離程序來促使在釋放層514及保護層527之介面的分離。方法401接著大體上完成，其中LED顯示器組裝現在具有大體上如第5D圖所示排列之數十萬或數百萬LED元件。顯示器組裝接著準備安裝/整合至電子裝置(例如，行動計算平台/手持裝置)中。第5E圖繪示方法401利用源極基板350形成大體上如上面LED顯示器組裝501之內文中所述的LED顯示器組裝502之替代實施例。
第6圖係為根據替代實施例之繪示製造結晶LED接合源極基板之方法601的流程。方法601係替代於方法101(第1圖)用於製造LED源極基板，LED元件從其可能被傳送以組裝結晶LED顯示器組裝。儘管方法101設置LED元件具有相對兩側的金屬LED電極(前和後LED 元件)，但方法601設置LED元件具有單側的金屬LED電極(前或後LED元件)。可能採用自對準圖案化技術以維持具有最小臨界的圖案化/覆蓋條件的小LED元件佔用面積。
方法601包含適用於從在操作605接收之半導體LED膜堆疊產生LED源極基板的晶圓級處理。半導體LED膜堆疊可能是覆蓋外延基板的連續膜以形成單晶主體(例如，LED磊晶圓)。一般來說，可能利用任何已知的半導體LED膜堆疊。在第7A圖所示的示範實施例中，磊晶圓701包括外延基板205、緩衝層206、及包括至少第一摻雜半導體區706、及外延地生長在緩衝層206上之第二互補摻雜半導體區708的半導體LED膜堆疊707。在實施例中，LED膜堆疊707包括一或更多半導體異質接面，例如形成量子井、等等。在示範實施例中，第一摻雜半導體區706係為n型摻雜層且半導體區708係為完成二極體堆疊架構的p型摻雜層。在特定實施例中，半導體LED膜堆疊707係異質外延的III-N半導體膜堆疊，例如包含GaN及/或其合金，如InGaN。然而，半導體LED膜堆疊707的特定組成係取決於想要的發射帶，且本文實施例並不限於此態樣。
如上所述，外延基板205可能是適用於增長LED半導體膜堆疊的任何已知基板。例如，基板205可能是許多材料，包括但不限於：矽；鍺；SiGe；像GaAs、InP的III-V混合物；像GaN、3C-SiC的III-N混合物； 藍寶石等等。緩衝層206可能是適用於從外延基板205之合成物/微結構轉變成LED膜堆疊207之合成物/微結構的任何已知架構。也如第7A圖所示，接合材料層712(例如如SiOx的介電質)可能更沉積在摻雜半導體層708上。
回到第6圖，方法601繼續操作610，其中LED膜堆疊被傳送至托架基板。若在操作605接收的LED磊基板適用於支援LED接合源極基板，則可能不需要晶圓級膜傳送操作610。例如，若在操作605接收的外延基板已包括在適當平托架(例如，矽晶圓)之正確層順序的LED半導體膜堆疊(例如，n型摻雜層在p型摻雜層上)，托架之後會從在膜堆疊(例如，包括釋放層)中製造的LED元件分離。針對膜傳送係有利的示範實施例，可能遵循本領域中已知的任何技術，於操作610將LED半導體堆疊耦接至托架。在一實施例中，耦接是長期穩固的，例如使用LED膜與托架之間的任何(熱)壓縮接合。在另一實施例中，耦接是較短期的，例如使用暫時黏接聚合物及/或托架與LED膜-電極堆疊之間的靜電耦接。同樣地，在操作610，可能利用本領域中已知的任何技術來從外延基板分開LED膜堆疊。例如，可能利用雷射發射或CMP/研磨及清潔來移除外延基板。在第7B圖所示之示範實施例中，接合材料層712係壓縮接合於呈現在托架720上的接合材料層(例如，SiOx)。接著移除外延基板而暴露互補摻雜LED半導體區或層706，如第7C圖進一步所示。
回到第6圖，方法601繼續操作615，其中電 極金屬被沉積在LED膜堆疊上。電極金屬之組成可能隨著LED膜堆疊的功能改變，例如用以提供適用於提供歐姆接點、穿隧接點、等等的想要金屬功函數。在一示範實施例中，在操作615沉積的金屬係為適用於製造至n型摻雜半導體層之接點的n型金屬。在一些實施例中，n型接觸金屬形成具有沉積在接觸金屬上之巨大材料的電極堆疊。在操作615中可能利用任何已知的沉積技術，例如但不限於PVD、CVD、電解、或無電鍍。如第7D圖進一步所示，n型金屬膜係沉積在n型摻雜半導體層706上且被圖案化成陣列於LED膜堆疊上之複數個第一金屬LED電極710。在操作615中可能採用任何已知的光刻圖案化及遮罩蝕刻程序或遮罩電鍍程序。在一示範實施例中，操作615牽涉Cu電鍍電極710。
回到第6圖，方法601繼續操作620，其中藉由將溝渠蝕刻至LED半導體膜堆疊中來形成複數個LED元件。溝渠蝕刻停止在埋藏的第二摻雜半導體區上。可能以利用以蝕刻第一金屬LED電極的相同圖案來遮罩蝕刻(例如，溝渠蝕刻在電極蝕刻之後而不移除定義電極的光阻)及/或可能利用第一金屬LED電極作為用於溝渠蝕刻的遮罩。描繪LED元件的溝渠因此自對準第一金屬LED電極。因此，LED元件的發光表面面積會大約等於第一金屬LED電極的面積。在溝渠蝕刻操作620之後，在操作625中，在第一金屬LED電極及在第一摻雜半導體區之側壁周圍形成介電質間隔。可能在LED元件上保形地沉積任 何已知的介電質材料，例如但不限於SiOx，SiON、SiN、CDO、及CDN。接著使用用於選擇介電質材料之本領域中已知的任何各向異性蝕刻程序來進行各向異性蝕刻。
第7E圖係為在操作620之其描繪及在操作625被介電質間隔封裝之後的結晶LED元件730之剖面圖。在示範實施例中，LED元件之側向元件寬度We被圖案化以不超過5μm。如進一步所示，間隔介電質735(例如，CDN)當作至LED元件730的自對準側壁介電質塗層。在有利實施例中，選擇用於間隔形成之介電質材料的厚度以確保介電質間隔735具有小於在操作620(第6圖)中蝕刻至LED膜堆疊中之溝渠732之名義側向寬度Wt一半的側向厚度或寬度Ws)。在示範實施例中，Ws小於0.1μm。如此間隔寬度確保在相鄰LED元件上的兩個介電質間隔在溝渠732之底部留下暴露的一部分摻雜半導體區708。
回到第6圖，方法601繼續操作630，其中第二金屬LED電極膜被沉積接觸於暴露於相鄰LED元件之間之LED膜堆疊之第二摻雜半導體區。以保形沉積程序將金屬電極膜覆蓋沉積在LED元件上以確保金屬電極膜沿著間隔介電質側壁。第二電極金屬之組成可能隨著LED膜堆疊的功能改變，例如用以提供適用於提供歐姆接點、穿隧接點、等等的想要金屬功函數。在一示範實施例中，在操作630沉積的金屬係為適用於製造至p型摻雜半導體層之接點的p型金屬。在進一步實施例中，p型金屬可能 是在多金屬堆疊中的一個材料。在一實施例中，p型金屬係為鋁(Al)，在另一實施例中，p型金屬係為在一層鎳(Ni)上的金(Au)。可能在操作630利用可適當保形的任何已知沉積技術，例如但不限於CVD及ALD電解、或無電鍍。
接著各向異性地覆蓋蝕刻第二電極金屬膜以至少部分自對準金屬LED電極間隔與在操作625上形成的介電質間隔。在示範實施例中，以無額外光刻遮罩來蝕刻金屬LED電極膜以形成鄰近於介電質間隔的完全自對準金屬電極間隔。各向異性蝕刻程序可能是已知用於利用的特定p型金屬之任何者。例如，能以氯基乾蝕刻程序蝕刻Al及Au兩者同時留下未蝕刻的Cu電極710及SiN間隔介電質735。形成在操作625的自對準金屬電極維持接觸(例如，p接觸)LED堆疊的第二摻雜半導體區。在自對準金屬電極具有小於兩相鄰介電質側壁間隔之間之溝渠寬度一半的側向寬度之有利實施例中，可能藉由連續溝渠蝕刻穿過第二摻雜半導體層與自對準至第二金屬LED電極之蝕刻來完成LED元件之描繪。
在第7F圖所示的示範實施例中，p型金屬膜之各向異性蝕刻形成圍繞金屬電極710之周邊的金屬電極740。金屬電極740係自對準於且接觸於介電質側壁735。在金屬電極膜之未遮罩各向異性蝕刻之後，金屬電極740往z高度凹陷低於金屬LED電極710。介電質側壁間隔735分開兩個電極710、740。在有利實施例中，選 擇用於自對準p接觸之金屬電極材料的厚度以確保金屬電極740具有小於在間隔介電質735之兩個厚度填充於操作620(第6圖)中蝕刻至LED膜堆疊中之一部分溝渠之後剩下之溝渠732之名義側向寬度Wt2一半的側向厚度(或寬度Wm)。金屬電極寬度接著確保在相鄰LED元件上的兩個自對準金屬電極留下在溝渠732之底部暴露的一部分摻雜半導體區708。金屬電極740的自對準部分可能例如具有小於0.1μm的側向寬度Wm，且有利地只有數百奈米。溝渠蝕刻接著清理摻雜半導體區708且可能有利地進一步蝕刻穿過釋放層712的至少部分厚度。在所示實施例中，穿過釋放層712之各向異性蝕刻停止在托架720上。第7G圖係為依照實施例之第7F圖所示之結晶LED元件的平面圖。LED元件730在第7G圖所示之示範實施例中係為矩形(例如，正方形)。然而，LED元件730可能具有替代形狀(例如，圓形佔用面積)。第7G圖更繪示金屬LED電極740如何形成圍繞金屬電極710之周邊接點，其中介電質間隔735設置於其之間。
回到第6圖，方法601繼續操作645，其中LED元件錨狀物被形成在分開相鄰LED元件的溝渠內。錨狀物被圖案化準備用於從托架之LED元件的控制釋放。LED元件錨狀物被形成在操作620及635中所蝕刻的溝渠內，貫穿LED元件側壁之部分，儘管仍留下釋放劑可以底切LED元件之出入口。如第7H圖進一步所示，錨狀物材料接著沉積至鄰近LED元件之間的溝渠中、填充 至少凹陷釋放層及由金屬LED電極740排列的溝渠之一部分。錨狀物材料可能被回填至溝渠732中，例如以旋塗程序與LED元件730之上表面平面化。平面化錨狀物材料可能接著被圖案化成複數個分開錨狀物745。在一有利實施例中，錨狀物材料係為旋塗至溝渠732中的感光聚合物材料(例如，光阻)。接著將光阻光刻圖案化(即，暴露及顯影)成填入溝渠且維持鄰近LED元件730之間分開的分開LED元件錨狀物745，如第7I圖進一步所示，其係為依照實施例之第7H圖所示之結晶LED元件730的平面圖。
回到第6圖，方法601繼續操作650，其中從托架可控制地釋放錨固的LED元件。在釋放操作650之後，LED元件僅藉由在操作645中形成的錨狀物維持附接於托架。在實施例中，藉由側向地蝕刻沉積於LED元件及托架之間之釋放層來從托架釋放LED元件。第7J圖係為依照實施例之在完成方法601之後之結晶LED接合源極基板750的剖面圖。如所示，例如以任何等方性乾或濕化學蝕刻劑(例如，HF)、底切複數個結晶LED元件730來側向地蝕刻源極LED接合/釋放層712。設置在托架720上的錨狀物745接著被延伸在每個LED元件730之整個側向面積或佔用面積上的自由間隔空隙749圍繞。在對錨狀物材料採用感光聚合物的示範實施例中，每個錨狀物745係為接觸至少兩個鄰近LED元件730之金屬電極740的聚合物柱子(例如，四個最近LED元件730被每個錨狀 物745連接)。在一些實施例中，錨狀物745可能放在LED 730的邊緣或選定一對角落。接著以LED元件準備好傳送/接合至LED顯示器組裝來大體上完成方法601。
第8A圖係為依照每個LED元件被分成複數個LED之替代實施例之當進行方法601之示範操作時示範結晶LED元件的剖面圖。第8B圖係為第8A圖所示之結晶LED元件的平面圖。第8C圖係為依照每個LED元件被分成複數個LED之替代實施例之在完成方法601之後之示範結晶LED元件的剖面圖。
第8A圖繪示描繪分開LED元件的元件間溝渠。元件間溝渠可能在形成描繪每個LED元件730內之多餘LED之元件內溝渠834之後形成。在操作620利用的蝕刻遮罩(未描述)可能進一步定義分開相鄰LED之元件內溝渠834，連同元件間溝渠832的位置。例如，元件內溝渠834可能定義具有子微米級中之側向CD的LED柱子。元件內溝渠蝕刻可能在清除LED膜堆疊之前停止，例如停止在(p型)摻雜半導體層708上。如上所述形成介電質間隔735及自對準金屬LED電極740。在元件內溝渠834具有大於側壁介電質間隔735之側向寬度Ws兩倍之側向寬度Wi的有利實施例中，若其厚度大於溝渠中之介電質間隔725之間之溝渠834中的剩餘空間一半，則金屬電極740回填元件內溝渠834。不完全以自對準間隔介電質、或自對準電極金屬回填元件間溝渠832。因此，可能凹陷接合/釋放材料層712且大體上如上所述且如第8B及 8C圖進一步所示地形成LED元件錨狀物。如第8C圖所示，結晶LED接合源極基板850具有許多上述用於結晶LED接合源極基板750的結構特徵，在每個元件730中有額外多餘的LED 830。再次以LED接合源極基板850之LED元件準備好拾起/接合至LED顯示器組裝來大體上完成方法601。用於修補多餘LED 830之多餘LED 830及程序的優點大體上與上述用於多餘LED 330相同。
第9圖係為根據替代實施例之繪示組裝結晶LED元件至顯示器中之方法901的流程圖。方法901中利用的LED元件可能從某個LED接合源極基板(如LED接合源極基板750(第7J圖)或LED接合源極基板850(第8C圖))被拾起及/或傳送。第10A-10G圖係為依照實施例之當進行方法901之示範操作時組裝至顯示器中之示範結晶LED元件的剖面圖。
參照第9圖，方法901開始於操作960，其中接收LED接合基板。在操作965中，在接合基板塗上光學穿透黏合劑。如第10A圖進一步所示，接合基板1005係以釋放層1014覆蓋，其可能是任何介電質(例如，SiOx)。接合基板1005當作LED顯示器組裝被建立於上方的暫時支架。在建立之後，可能在釋放層1014移除LED顯示器組裝且接著在釋放之後重新使用接合基板1005。因此，接合基板1005可能是本領域已知之任何基板材料以適用於建立，其具有足夠平坦用於所採用的LED傳送程序且具有足夠表面面積(例如，大型式)用於想要的顯示 器面積。一個示範接合基板材料係為玻璃。
在實施例中，在接合基板之釋放層上沉積蓋。蓋也在從接合基板分開顯示器組裝之後當作LED顯示器蓋。第10A圖繪示示範蓋層1075且可能是已知適用於顯示器蓋應用的任何材料，例如但不限於玻璃及藍寶石(Al2O3)。在進一步實施例中，且也如第10A圖所示，接合基板1005更包括觸控感測器層1070且可能包括例如相容於任何已知電容性、電感性、或光學觸控技術的一或更多圖案化材料層。
在實施例中，在接合基板上沉積金屬側蓋互連。金屬側蓋互連可能是金屬墊片及/或用以提供互連至金屬LED電極的線路。在第10A圖所示的示範實施例中，金屬側蓋互連1040係以給定間距(例如，25μm)陣列在接合基板1005上之給定側向維度(例如，1μm)的墊片以容納在相鄰金屬側蓋互連1040之間的LED元件。
在第10A圖進一步所示的實施例中，對在接合基板1005上的區域塗上光學穿透黏合劑1045(例如，以與側蓋互連1040之間距差不多的間距陣列)。可能利用任何技術來施加黏合劑且黏接材料可能是任何商業上可用的產品，已知實施例並不限於此態樣。
回到第9圖，方法901繼續操作970，其中LED元件被附接至接合基板。例如，可能利用壓縮接合及/或熱/UV接合/固化技術來將LED元件被附接至黏接區。可能藉由使用傳送印刷/取放頭、或之類從源極基板(例 如，源極基板750或850)拾起複數個LED元件來從LED接合源極基板傳送LED元件。針對一個示範實施例，金屬LED電極將面對印刷頭且LED膜堆疊的摻雜半導體(例如，p型)層可能被放置接觸於具有暴露在上側之金屬電極之接合基板。方法901接著繼續操作975，其中在LED元件及接合基板表面之剩餘部分上沉積金屬膜。LED元件的暴露電極以及在接合基板上的任何暴露側蓋互連將也以在操作975沉積的金屬膜覆蓋。在有利實施例中，以提供良好階梯覆蓋(例如，保形沉積程序)的技術來沉積金屬膜。在金屬沉積之後，可能例如使用任何已知的光刻圖案化及已知用於特定金屬組成的金屬蝕刻程序來進行金屬膜的圖案化。圖案化操作係用以電性絕緣金屬場與LED元件、從非LED區(例如IC、感測器等等被接合至接合基板的地方)移除金屬膜。金屬圖案化操作可能更電性彼此絕緣相鄰LED元件。金屬圖案化是非關鍵的，因為針對示範1-5μmX1-5μm LED元件，金屬圖案化之側向維度係在微米範圍中且重疊容限在2-5μm範圍中。
第10B圖繪示在完成操作975之後的一個示範實施例。藉由光學穿透黏合劑1045來將兩個LED元件730附接(例如，以任何傳送印刷或取放技術)至接合基板1005，其中摻雜半導體層708接觸於黏合劑1045。IC 1031也已藉由光學穿透黏合劑1045附接至接合基板1005。沉積在LED元件730上的是金屬區域互連1060，其係為在圖案化之後在操作975沉積之金屬膜的剩餘物。 區域互連1060接觸至少金屬LED電極740之側壁及側蓋互連1040。在示範實施例中，區域互連1060更沉積在第二摻雜半導體區708之側壁上、介電質間隔735上、及在金屬LED電極710上。如第10B圖進一步所示，已圖案化金屬區域互連1060以從IC 1031移除互連金屬膜且用以電性分開在相鄰LED元件之間的區域互連。每個區域互連1060電性耦接一個金屬LED電極740至一個側蓋互連1040(雖然區域互連1060的其他圖案化及互連係可能的)。
回到第9圖，方法901繼續操作980，其中藉由在LED元件周圍沉積第一介電質及將介電質凹陷於LED元件之上部分的下方來保護接觸金屬LED電極及側蓋互連的一部分區域互連。就其本身而言，介電質可能有利地當作自對準非犧牲遮罩用於之後蝕刻區域互連的不受保護部分。在一個有利實施例中，可能利用旋塗介電質以平面化至高於其中一個LED電極但不高於其他LED電極的層級。在第10C圖所示之示範實施例中，介電質1065係沉積在區域互連1060上，其覆蓋第二摻雜半導體區708之側壁、金屬LED電極740之側壁、介電質間隔735、及金屬電極710，但平面化程序將介電質1065凹陷於金屬LED電極710及至少一部分介電質間隔735下方。
回到第9圖，方法901繼續操作985，其中蝕刻暴露在介電質上方的區域互連金屬。金屬蝕刻係用以彼 此絕緣LED電極而不破壞在其中一個LED電極與側蓋互連之間的自對準電互連。可能在操作985中利用提供足夠選擇性給金屬LED電極710的任何金屬蝕刻程序。作為一個實例，操作985牽涉選擇性給區域互連金屬的濕化學蝕刻。在金屬蝕刻之後，在操作987中沉積第二介電質。此介電質覆蓋區域互連金屬的暴露邊緣(即，金屬蝕刻前端是當終止蝕刻操作985時)。在第10D圖所示的示範實施例中，金屬蝕刻操作985牽涉從金屬LED電極710及從至少介電質間隔735部分移除金屬區域互連1060。介電質1067接著被沉積且平面化在LED元件730周圍(且在IC 1031周圍)，圍繞金屬LED電極710之側壁及/或鄰近於金屬LED電極710之側壁的介電質間隔735之部分。在一個有利實施例中，介電質1067係為旋塗材料，其可能與介電質1065相同或不同組成。
回到第9圖，方法901繼續操作990，其中互連係電性耦接至最後LED電極。在有利實施例中，操作990涉及信賴在操作987施用的第二介電質而形成未接地接點至LED電極當作停止、電性絕緣未接地互連與區域互連金屬及/或其他LED電極。未接地互連可能以任何方式進行。在一個示範實施例中，介電質被建立在平面化LED元件及蝕刻穿過建立介電質的開口上。蝕刻停止在底層介電質及LED電極金屬。在第10E圖所示的示範實施例中，未接地接點1085電性耦接金屬LED電極710與金屬背板互連1090。未接地接點1085延伸穿過沉積在介電 質1067上的建立介電質1080。介電質1067當作用於未接地接點1085的蝕刻停止，如由側向懸於LED電極710之未接地接點1085，但不延伸穿過介電質1067且避免短路區域互連1060所證明。若希望，則在互連1090層的其他互連會經由分開通孔製造程序(未顯示於第10E圖)來接觸互連1040/1060。
回到第9圖，方法901繼續操作993，其中介電質及互連建立例如以ABF或替代材料繼續以進一步透過線接合或焊接接合至顯示器背板介面來合併任何顯示器背板介面及/或整合分離電路元件，如電容器、電感器、或感測器。在第10F圖所示的示範實施例中，分離電容器1095被焊接接合至建立1092中的互連。回到第9圖，方法901繼續操作995，其中使用已知適用於在方法901中採用之耦接基板之特定類型的任何技術從接合基板分開LED建立。例如，在第10G圖所示的實施例中，採用雷射分離/切割程序來分開基板1005(例如，玻璃)與在釋放層1014(例如，第10F圖)的顯示器蓋1075以達到所示的結晶LED顯示器組裝1050。取決於顯示器蓋1075及各種介電質建立材料的厚度及機械特性，結晶LED顯示器組裝1050可能是彈性的，能夠主要依賴於顯示器蓋之厚度的曲率半徑範圍。如第10圖所示，LED光能通過光學穿透黏合劑而不額外光遺失穿過穿透導電電極。這對顯示器的功率消耗是有利的。接著以結晶LED顯示器組裝1050準備好被直接安裝至電子裝置(例如，行動手持裝置)來大 體上完成方法901。
如上所述，LED顯示器組裝501或LED顯示器組裝1050可能合併至以各種實體樣式或型式因子具體化的電子裝置中。第11圖繪示依照實施例之合併結晶LED顯示器之行動計算手持裝置700的前及後視圖。在實施例中，例如，裝置1100可能實作成具有無限能力的行動計算裝置。行動計算裝置可能係指任何裝置，例如具有處理系統及行動電源或供應器，如一或更多電池。行動計算裝置之實例可能包括超輕薄膝上型電腦、平板電腦、觸控板、可攜式電腦、手持電腦、掌上型電腦、個人數位助理(PDA)、蜂巢式電話、組合蜂巢式電話/PDA、電視、智慧型裝置(例如，智慧型手機、平板或智慧型電視)、行動網路裝置(MID)、信息裝置、資料通訊裝置、等等。行動計算裝置之實例也可能包括配置以被個人穿戴的電腦及/或媒體擷取/傳輸裝置，如手腕電腦、手指電腦、戒指電腦、眼鏡電腦、皮帶扣背夾電腦、臂帶電腦、鞋子電腦、衣服電腦、及其他可穿戴電腦。在各種實施例中，例如，行動計算裝置可能實作成能夠執行電腦應用程式、以及語音通訊及/或資料通訊的智慧型手機。雖然可能藉由舉例以實作成智慧型手機之行動電腦裝置來說明一些實施例，但可能知道也可能使用其他無線行動計算裝置來實作其他實施例。實施例並不限於此內文。
如第11圖所示，行動手持裝置1100可能包括具有前端1101及後端1102的外殼。例如根據上述之示 範實施例，裝置1100包括結晶LED顯示器組裝1104。裝置1100更包括輸入/輸出(I/O)裝置1106及整合天線1108。裝置1100也可能包括導航特徵1112。I/O裝置1106可能包括任何適當I/O裝置用於輸入資訊至行動計算裝置中。用於I/O裝置1106之實例可能包括字母數字鍵盤、數字小鍵盤、觸控墊、輸入鍵、按鈕、開關、麥克風、揚音器、語音辨識裝置及軟體、等等。資訊也可能藉由麥克風(未顯示)輸入裝置1100、或可能被語音辨識裝置數位化。實施例不限於此內文。整合至至少後端1102中的是攝像機1105(例如，包括鏡頭、光圈及成像感測器)及閃光1110，這兩者可能是串流視頻被顯示在結晶LED顯示器組裝1104通過之CM的組件。
儘管已關於各種實作地說明本文提出的某些特徵，但此說明不打算以限制意義來解釋。因此，本文所述之實作的各種修改、以及本揭露屬於之領域中之技藝者顯而易見的其他實作被認為落在本揭露之精神及範疇內。
將認定發明範疇不限於所述之實施例，而在不違反所附之申請專利範圍之範疇下能以修改及替代來實作。例如，上述實施例可能包括如下方進一步提出之特徵的特定組合。
在一或更多第一實施例中，一種結晶LED顯示器包括具有複數個背板金屬互連的顯示器背板介面。顯示器更包括複數個LED元件。複數個LED元件之各者更包括半導體LED膜堆疊、第一金屬LED電極，在LED膜 堆疊之第一表面上、及第二金屬LED電極，在第一表面對面之半導體膜堆疊之第二表面上。顯示器更包括複數個導電聚合物元件，每個導電聚合物元件將第一金屬LED電極電性耦接至至少一個背板金屬互連。
在第一實施例之進一步中，顯示器背板介面更包含第二金屬互連的陣列。顯示器更包含複數個光學穿透導電互連，每個光學穿透互連電性耦接至至少一個LED元件的第二金屬電極，且電性耦接至至少一個第二金屬互連。
在緊接著上方實施例之進一步中，導電聚合物具有小於1ohm-cm的電阻。複數個LED元件之各者具有不超過5μm的長度。顯示器更包含光學穿透蓋，設置於在顯示器背板介面對面之複數個LED元件上方。
在第一實施例之進一步中，每個LED元件更包含在LED膜堆疊之所有半導體側壁上方的介電質側壁間隔、第一金屬LED電極的所有側壁、及圍繞介電質側壁間隔的建立材料。
在一或更多第二實施例中，一種結晶LED顯示器包括具有複數個背板金屬互連的顯示器背板介面。顯示器更包括複數個LED元件。複數個LED元件之各者更包括半導體LED膜堆疊、第一金屬LED電極，在LED膜堆疊之第一表面上、第二金屬LED電極，在第一表面對面之半導體膜堆疊之第二表面上、及在LED膜堆疊之半導體側壁上方的介電質側壁間隔，在第一金屬LED電極 之金屬側壁、及第二金屬LED電極之金屬側壁上方。顯示器更包括圍繞介電質側壁間隔的建立材料。
在緊接著上方實施例之進一步中，每個LED元件更包含複數個LED，電平行穿過導電聚合物及光學穿透導電互連地耦接第一及第二金屬互連。在LED元件內的每個LED包含LED膜堆疊之柱子，直接接觸於第一金屬LED電極且與元件內的其他LED橫向地隔開側壁間隔介電質。
在一或更多第三實施例中，一種結晶LED顯示器組裝方法包括接收一接合基板，包括陣列在基板上的複數個第一金屬互連。方法包括施用直接接觸第一金屬互連的導電聚合物。方法包括將複數個LED元件附接至導電聚合物，其中每個LED元件之第一金屬LED電極電接觸導電聚合物。方法包括將導電聚合物圖案化成複數個分開導電聚合物元件，每個聚合物元件接觸至少一LED元件及至少一第一金屬互連。方法包括建立接合基板，具有電接觸於每個LED元件之第二金屬電極的導電互連。方法包括將蓋附接至建立，蓋在LED元件之發射帶內光學穿透。方法包括以固定複數個LED元件的建立來分開接合基板與建立。
在緊接著上方實施例之進一步中，將導電聚合物圖案化成複數個分開導電聚合物元件更包含沉積感光導電膜在接合基板上，及對準第一金屬互連地將感光導電膜光學描畫成導電聚合物元件。
在第三實施例之進一步中，將導電聚合物圖案化成複數個分開導電聚合物元件係在將複數個LED元件附接至導電聚合物之前進行。
在第三實施例之進一步中，複數個LED元件之各者更包括半導體LED膜堆疊，第一金屬LED電極係在LED膜堆疊之第一側上，第二金屬LED電極係在第一側對面之LED膜堆疊之第二側上，且顯示器背板介面更包括陣列於基板上的複數個第二金屬互連。
在緊接著上方實施例之進一步中，將LED元件附接至複數個導電聚合物元件之各者更包含第一金屬LED電極之室溫壓縮接合至導電聚合物。
在第三實施例之進一步中，將LED元件附接至複數個導電聚合物元件之各者更包含以傳送印刷頭從源極基板拾起複數個LED元件、每個LED元件之第二金屬電極面對印刷頭、將每個LED元件之第一金屬電極接觸於導電聚合物、及分開印刷頭與複數個LED元件。
在緊接著上方實施例之進一步中，源極基板更包含複數個LED元件，附接至具有設置於複數者之相鄰者之間之錨狀物的托架。源極基板更包含設置在半導體側壁上的介電質側壁間隔、第一金屬電極的側壁、及每個LED元件之第二金屬電極的側壁、設置於錨狀物與LED元件之間的介電質塗層。源極基板更包含自由間隔空隙，設置於第一金屬電極與托架之間，空隙圍繞每個錨狀物。
在一或更多第四實施例中，一種結晶LED接 合源極基板包括托架、及設置於托架上方的複數個LED元件。每個LED元件更包含一半導體LED膜堆疊，包括設置於第一金屬LED電極與第二金屬LED電極之間的至少第一及第二摻雜半導體區，第一金屬LED電極面對托架且與托架隔開自由間隔空隙。每個LED元件更包含設置於LED膜堆疊之側壁上方的側壁介電質塗層、第一金屬LED電極、及第二金屬LED電極。LED接合源極基板更包括複數個錨狀物，設置於隔開每個LED元件與鄰近LED元件的溝渠內，每個錨狀物設置於托架上且由自由間隔空隙環繞。
在第四實施例之進一步中，自由間隔空隙在LED元件之整個區域上延伸。複數個錨狀物之各者包含一聚合物柱子，接觸至少兩個相鄰LED元件的側壁介電質。
在第四實施例之進一步中，側壁介電質之表面係平面於第一金屬電極的暴露表面，且複數個錨狀物之各者接觸至少兩個相鄰LED元件的側壁介電質。
在緊接著上方實施例之進一步中，第一金屬電極佔據的佔用面積符合LED半導體膜堆疊及第二電極的佔用面積。
在第四實施例之進一步中，每個LED元件更包含接觸第一金屬電極的複數個LED，每個LED包含LED半導體膜堆疊之柱子且與相鄰LED隔開延伸穿過第二金屬電極與LED半導體膜堆疊的一元件內溝渠，且設 置於第一金屬電極上，及介電質側壁塗層回填元件內溝渠。
在第四實施例之進一步中，LED半導體膜堆疊包含III-N族半導體，托架包含結晶矽基板，且每個LED元件具有不超過5μm的側向長度。
在一或更多第五實施例中，一種製造結晶LED接合源極基板之方法包括沉積第一金屬電極膜在覆蓋外延基板之半導體LED膜堆疊上方。方法包括傳送LED膜及電極堆疊至托架，第一金屬電極膜面對托架。方法包括沉積第二金屬電極膜在LED膜堆疊上方。方法更包括藉由蝕刻溝渠成LED膜堆疊、第一金屬電極膜、及第二金屬電極膜來形成複數個LED元件，每個LED元件具有由溝渠蝕刻定義的側壁。方法更包括形成介電質間隔在LED元件側壁上。方法更包括在溝渠內形成LED元件錨狀物，錨狀物貫穿LED元件側壁的部分。方法更包括藉由側向地蝕刻在LED元件與托架之間的釋放層從托架釋放LED元件，除了錨狀物之外。
在第五實施例之進一步中，藉由蝕刻溝渠來形成複數個LED元件更包含形成遮罩的蝕刻穿過第二金屬電極膜、LED膜堆疊、及第一金屬電極膜。在溝渠內形成LED元件錨狀物更包含凹陷釋放層在未被介電質間隔遮罩之溝渠的底部，及沉積錨狀物材料至溝渠中、至少填充凹陷的釋放層及由介電質間隔排列的溝渠之一部分。
在第五實施例之進一步中，沉積錨狀物材料 至溝渠中更包含施用光阻在LED元件上。形成LED元件錨狀物更包含將光阻光刻圖案化成錨狀物。
在第五實施例之進一步中，方法更包括沉積保護介電質材料層在第二金屬電極膜上，且在從托架釋放LED元件之後移除保護介電質材料層。
在第五實施例之進一步中，方法更包含以穿過第二金屬電極膜及LED半導體膜堆疊蝕刻的一或更多元件內溝渠將每個LED元件分成複數個LED，元件內溝渠停止在第一金屬電極膜上。在LED元件側壁上形成介電質間隔回填元件內溝渠。
在一或更多第六實施例中，一種結晶LED顯示器包含光學穿透蓋。LED顯示器更包含顯示器背板介面，具有複數個金屬背板互連，陣列在蓋對面的表面上。LED顯示器更包含複數個LED元件，設置於顯示器背板介面與蓋之間。複數個LED元件之各者更包括外延半導體LED膜堆疊。複數個LED元件之各者更包括第一金屬LED電極，電接觸於其中一個背板互連與LED膜堆疊之第一摻雜半導體區。複數個LED元件之各者更包括第二金屬LED電極，接觸於LED膜堆疊之第二摻雜半導體區，第二金屬LED電極形成鄰近於LED元件且與第一金屬LED電極隔開一中間介電質間隔的側壁。顯示器更包括複數個金屬側蓋互連，各設置於鄰近LED元件之間。顯示器更包括複數個金屬區域互連，每個區域互連電性耦接至每個LED元件之第二金屬電極，且電性耦接至至少 一個側蓋互連。
在第六實施例之進一步中，顯示器更包含光學穿透黏接元件，設置於第一金屬LED電極與蓋之間。
在第六實施例之進一步中，每個背板互連包含至第一金屬LED電極的未接地接點，未接地接點懸於第一金屬LED電極之上且與第二金屬LED電極隔開一中間介電質層。
在第六實施例之進一步中，區域互連接觸第二摻雜半導體區的側壁與第二金屬LED電極的側壁。
在第六實施例之進一步中，顯示器更包含設置於LED元件與蓋之間的一或更多觸控感測器層。光學穿透黏接元件係設置於第一金屬LED電極與觸控感測器層之間。側蓋互連係設置於觸控感測器層上。區域互連延伸於觸控感測器層上方。
在第六實施例之進一步中，顯示器更包含設置於觸控感測器層上方的IC晶片或感測器之至少一者，具有一光學穿透黏接元件設置於之間。
在一或更多第七實施例中，結晶LED顯示器組裝方法包含接收一LED接合基板。方法包含以光學穿透黏合劑將複數個LED元件附接至接合基板。每個LED元件更包括：外延半導體LED膜堆疊；第一金屬LED電極，電接觸於LED膜堆疊之第一摻雜半導體區；第二金屬LED電極，接觸於LED膜堆疊之第二摻雜半導體區，第二金屬LED電極形成圍繞LED元件的周邊且與第一金 屬LED電極隔開一中間介電質間隔。方法更包含沉積金屬膜在第一及第二金屬LED電極上。方法更包含藉由平面化圍繞LED元件之第一介電質來保護接觸第二金屬電極及側蓋互連的金屬膜之部分。方法更包含藉由蝕刻暴露在平面化介電質上之金屬膜之不受保護部分來從第一金屬LED電極凹陷金屬膜。方法更包含藉由平面化圍繞LED元件之第二介電質來遮罩凹陷的金屬膜。方法更包含建立介電質在平面化的LED元件之上，其中金屬背板互連接觸第一金屬LED電極。方法更包含從LED建立移除接合基板。
在第七實施例之進一步中，接合基板包括金屬側蓋互連的陣列且每個LED元件鄰近於其中一個側蓋互連。沉積金屬膜在第一及第二金屬LED電極上更包含沉積金屬膜在LED膜堆疊之第二摻雜半導體區之側壁、第二金屬LED電極之側壁上、介電質間隔上方、至少一個側蓋互連上、及第一金屬LED電極上。
在緊接著上方實施例之進一步中，保護接觸第二金屬電極及側蓋互連的金屬膜之部分更包含沉積第一介電質在LED膜堆疊之第二摻雜半導體區之側壁、第二金屬LED電極之側壁上、介電質間隔、及第一金屬LED電極上。保護接觸第二金屬電極及側蓋互連的金屬膜之部分更包含凹陷第一介電質於第一金屬LED電極、及至少一部分的介電質間隔下方。
在緊接著上方實施例之進一步中，蝕刻金屬 膜之不受保護部分更包含從第一金屬LED電極及從至少介電質間隔之部分移除金屬膜。平面化圍繞LED元件之第二介電質更包含沉積第二介電質在金屬膜之未蝕刻部分上及介電質間隔的至少一些暴露部分上。
在第七實施例之進一步中，平面化圍繞LED元件之第二介電質更包含圍繞第一金屬LED電極的側壁。建立介電質在平面化的LED元件之上，其中金屬背板互連接觸第一金屬LED電極更包含沉積建立介電質在第二介電質上及在第一金屬LED電極上、蝕刻開口穿過建立介電質、在第二介電質上及第一金屬LED電極上蝕刻停止、及耦接被開口暴露之第一金屬LED電極與背板互連。
在緊接著上方實施例之進一步中，方法更包含以光學穿透黏合劑將一或更多IC或感測器附接至鄰近於LED元件的接合基板。方法更包含藉由光刻遮罩及金屬蝕刻從一或更多IC或感測器移除金屬膜。方法包含蝕刻開口穿過建立介電質，更包含蝕刻穿過建立介電質的第二開口，其暴露一或更多IC或感測器。方法包含耦接由第二開口暴露之一或更多IC或感測器與背板互連。
在第七實施例之進一步中，方法更包含從包括可移除地錨固至托架之複數個LED元件之結晶LED接合源極基板移除複數個LED元件。
在緊接著上方實施例之進一步中，方法更包含製造結晶LED接合源極基板，該製造包括形成接觸於 LED膜堆疊之第一摻雜半導體區的第一金屬LED電極、藉由蝕刻溝渠成LED半導體膜堆疊來形成複數個LED元件、在第二摻雜半導體區蝕刻停止、形成在第一金屬LED電極及第一摻雜半導體區之側壁周圍的介電質間隔、沉積接觸於LED膜堆疊之第二摻雜半導體區的第二金屬LED電極膜、藉由進行第二金屬LED電極膜之未遮罩蝕刻來自對準第二金屬LED電極與介電質間隔、及藉由側向地蝕刻第二摻雜半導體區與托架之間之釋放層從托架釋放LED元件。
在一或更多第八實施例中，一種結晶LED接合源極基板包含托架、及設置於拖架上方的複數個LED元件。每個LED元件更包含外延半導體LED膜堆疊，包括：至少第一及第二摻雜半導體區、第一金屬LED電極，接觸於第一摻雜半導體區；介電質側壁間隔，在第一金屬LED電極及第一摻雜半導體區之側壁周圍；第二金屬LED電極，更包含鄰近於介電質間隔且與第二摻雜半導體區電接觸的金屬間隔。LED接合源極基板更包含複數個錨狀物，設置於隔開每個LED元件與鄰近LED元件的溝渠內，每個錨狀物設置於托架上且由托架與LED元件之間的一自由間隔空隙環繞。
在第八實施例之進一步中，自由間隔空隙在LED元件之整個區域上延伸，複數個錨狀物之各者包含一聚合物柱子，接觸介電質側壁間隔或至少兩個相鄰LED元件的金屬側壁間隔。
在第八實施例之進一步中，介電質側壁間隔係平面於第一金屬電極的暴露表面。第二金屬電極被凹陷於第一金屬電極的暴露表面下方。複數個錨狀物之各者接觸至少兩個相鄰LED元件的第二金屬電極。
在第八實施例之進一步中，介電質側壁間隔圍繞第一金屬LED電極的周邊。第二金屬電極圍繞介電質側壁間隔的周邊。
在緊接著上方實施例之進一步中，每個LED元件更包含接觸第一摻雜半導體區的複數個LED，每個LED包含LED半導體膜堆疊之柱子且與相鄰LED隔開延伸穿過第一金屬電極與第一摻雜半導體區的一元件內溝渠，且設置於第二摻雜半導體區上。介電質側壁間隔係設置於元件內溝渠之兩個相對側壁上。金屬側壁間隔係設置於在鄰近於介電質側壁間隔之元件內溝渠內的第二摻雜半導體區之部分上。
在第八實施例之進一步中，LED半導體膜堆疊包含III-N族半導體，托架包含結晶矽基板，且每個LED元件具有不超過5μm的側向長度。
在一或更多第九實施例中，一種製造結晶LED接合源極基板的方法包含沉積第一金屬電極膜在覆蓋托架的連續外延半導體LED膜堆疊上，LED膜堆疊包括至少第一及第二互補摻雜半導體區。方法更包含將第一金屬電極膜圖案化成複數個第一金屬LED電極。方法更包含藉由蝕刻溝渠成LED半導體膜堆疊來形成複數個LED 元件，在第二摻雜半導體區蝕刻停止。方法更包含形成在第一金屬LED電極及第一摻雜半導體區之側壁周圍的介電質側壁間隔。方法更包含沉積在介電質側壁間隔上且接觸於LED膜堆疊之第二摻雜半導體區的第二金屬LED電極膜。方法更包含藉由進行第二金屬LED電極膜之未遮罩蝕刻來自對準第二金屬LED電極與介電質側壁間隔，其形成鄰近於介電質側壁間隔的金屬側壁間隔。方法更包含在溝渠內形成LED元件錨狀物，錨狀物貫穿相鄰LED元件。方法更包括藉由蝕刻穿過LED膜堆疊之第二摻雜半導體區及側向地蝕刻第二摻雜半導體區與托架之間之釋放層從托架釋放LED元件，除了錨狀物之外。
在第九實施例之進一步中，方法更包含進行第二金屬LED電極膜之未遮罩各向異性蝕刻以將第二金屬LED電極凹陷於第一金屬LED電極的下方。
在第九實施例之進一步中，方法更包含接收一單晶LED外延基板，其包括覆蓋基板的連續外延半導體LED膜堆疊、及傳送LED半導體膜堆疊至托架，其中釋放層設置於托架與LED膜堆疊之間。
在第九實施例之進一步中，在溝渠內形成LED元件錨狀物更包含將釋放層凹陷在未被第二金屬LED電極遮罩之溝渠的底部、沉積錨狀物材料至溝渠中、至少填充凹陷的釋放層及由第二金屬LED電極排列的溝渠之一部分。
在緊接著上方實施例之進一步中，沉積錨狀 物材料至溝渠中更包含施用光阻在LED元件上，且形成LED元件錨狀物更包含將光阻光刻圖案化成錨狀物。
在第九實施例之進一步中，方法更包含以穿過第一金屬電極膜及LED膜堆疊之至少第一摻雜半導體區蝕刻的一或更多元件內溝渠將每個LED元件分成複數個LED，元件內溝渠停止在LED膜堆疊之第二摻雜區上。方法更包含形成介電質側壁間隔在LED元件側壁上，暴露在介電質側壁間隔之相鄰部分之間之LED膜堆疊之第二摻雜區之部分。方法更包含自對準第二金屬LED電極與介電質側壁間隔，以第二金屬LED電極回填第二摻雜區之暴露部分。
在一或更多第十實施例中，一種LED元件包括外延半導體LED膜堆疊，包括至少第一及第二摻雜半導體區。LED元件更包括第一金屬LED電極，接觸於第一摻雜半導體區。LED元件更包括介電質側壁間隔，在第一金屬LED電極及第一摻雜半導體區之側壁周圍。LED元件更包括第二金屬LED電極，更包含鄰近於介電質側壁間隔且與第二摻雜半導體區電接觸的金屬側壁間隔。
在第十實施例之進一步中，第一金屬LED電極具有至少1μm2的佔用面積。介電質側壁間隔具有小於0.1μm的側向寬度。金屬側壁間隔具有小於0.1μm的側向寬度。
在第十實施例之進一步中，介電質側壁間隔係平面於第一金屬電極的暴露表面。第二金屬電極被凹陷 於第一金屬電極的表面下方。
在第十實施例之進一步中，介電質側壁間隔圍繞第一金屬LED電極的周邊，且金屬側壁間隔圍繞介電質間隔的周邊。
在第十實施例之進一步中，LED元件更包含複數個LED，接觸第一摻雜半導體區。每個LED包含LED半導體膜堆疊之柱子且與相鄰LED隔開延伸穿過第一摻雜半導體區的一元件內溝渠，且設置於第二摻雜半導體區上。介電質側壁間隔係設置於元件內溝渠之兩個相對側壁上。金屬側壁間隔係設置於鄰近於介電質側壁間隔之元件內溝渠內的第二摻雜半導體區之部分上。
在緊接著上方實施例之進一步中，金屬側壁間隔回填在介電質側壁間隔之相鄰區之間的間隔。
在一或更多第十一實施例中，一種製造結晶LED的方法包含沉積第一金屬電極膜在覆蓋基板的連續外延半導體LED膜堆疊上，LED膜堆疊包括至少第一及第二互補摻雜半導體區。方法更包含將第一金屬電極膜圖案化成複數個第一金屬LED電極。方法更包含藉由蝕刻溝渠成LED半導體膜堆疊來形成複數個LED元件，在第二摻雜半導體區蝕刻停止。方法更包含形成在第一金屬LED電極及第一摻雜半導體區之側壁周圍的介電質側壁間隔。方法更包含沉積在介電質側壁間隔上且接觸於LED膜堆疊之第二摻雜半導體區的第二金屬LED電極膜。方法更包含藉由進行第二金屬LED電極膜之未遮罩蝕刻來自對 準第二金屬LED電極與介電質側壁間隔，其形成鄰近於介電質側壁間隔的金屬側壁間隔。
在緊接著上方實施例之進一步中，進行第二金屬LED電極膜之未遮罩各向異性蝕刻將第二金屬LED電極凹陷於第一金屬LED電極的下方。
在第十一實施例之進一步中，方法更包含以穿過第一金屬電極膜及LED膜堆疊之至少第一摻雜半導體區蝕刻的一或更多元件內溝渠將每個LED元件分成複數個LED，元件內溝渠停止在LED膜堆疊之第二摻雜區上。形成介電質側壁間隔在LED元件側壁上暴露在介電質側壁間隔之相鄰部分之間之LED膜堆疊之第二摻雜區之部分。自對準第二金屬LED電極與介電質側壁間隔以第二金屬LED電極回填第二摻雜區之暴露部分。
然而，實施例不限於上面實例，且在各種實作中，上述實施例可能包括只進行上述特徵之子集、進行上述特徵之不同順序、進行上述特徵之不同組合、及/或進行除了明確列出之那些特徵之外的額外特徵。因此，發明範圍應參考所附之申請專利範圍，連同這些申請專利範圍享有之等效者的完整範疇來確定。
207‧‧‧LED膜堆疊
230‧‧‧LED元件
235‧‧‧間隔介電質
501‧‧‧LED顯示器組裝
527‧‧‧介電質保護層
540‧‧‧第一背板金屬互連
545‧‧‧第二背板金屬互連
560‧‧‧導電互連
565‧‧‧建立介電質
570‧‧‧觸控感測器層
575‧‧‧顯示器蓋

Claims (18)

  1. 一種結晶LED顯示器，包含：一光學穿透蓋；一顯示器背板介面，具有複數個金屬背板互連，陣列在該蓋對面的表面上；複數個LED元件，設置於該顯示器背板介面與該蓋之間，該複數個LED元件之各者更包括：一外延半導體LED膜堆疊；一第一金屬LED電極，電接觸於該些背板互連之一者與該LED膜堆疊之一第一摻雜半導體區；及一第二金屬LED電極，接觸於該LED膜堆疊之一第二摻雜半導體區，該第二金屬LED電極形成鄰近於該LED元件且與該第一金屬LED電極隔開一中間介電質間隔的側壁；複數個金屬側蓋互連，各設置於鄰近LED元件之間；及複數個金屬區域互連，每個區域互連電性耦接至每個LED元件之該第二金屬電極，且電性耦接至該些側蓋互連之至少一者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示器，更包含：一光學穿透黏接元件，設置於該第一金屬LED電極與該蓋之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示器，其中該些背板互連之各者包含至該第一金屬LED電極的一未接地接 點，該未接地接點懸於該第一金屬LED電極之上且與該第二金屬LED電極隔開一中間介電質層。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示器，其中該區域互連接觸該第二摻雜半導體區的側壁與該第二金屬LED電極的側壁。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之顯示器，更包含設置於該LED元件與該蓋之間的一或更多觸控感測器層，且其中：一光學穿透黏接元件係設置於該第一金屬LED電極與該觸控感測器層之間；該些側蓋互連係設置於該觸控感測器層上；及該區域互連延伸於該觸控感測器層上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示器，更包含設置於該觸控感測器層上方的IC晶片或感測器之至少一者，具有以一光學穿透黏接元件設置於之間。
  7. 一種結晶LED接合源極基板，包含：一托架；複數個LED元件，設置於該托架上方，其中每個LED元件更包含：一外延半導體LED膜堆疊，包括至少第一及第二摻雜半導體區；一第一金屬LED電極，接觸於該第一摻雜半導體區；一介電質側壁間隔，在該第一金屬LED電極及 該第一摻雜半導體區之側壁周圍；及一第二金屬LED電極，更包含鄰近於該介電質間隔且與該第二摻雜半導體區電接觸的一金屬間隔；及複數個錨狀物，設置於隔開每個LED元件與鄰近LED元件的溝渠內，該些錨狀物之各者設置於該托架上且由該托架與LED元件之間的一自由間隔空隙環繞。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之LED接合源極基板，其中：該自由間隔空隙在該LED元件之整個區域上延伸；該複數個錨狀物之各者包含一聚合物柱子，接觸該介電質側壁間隔或至少兩個相鄰LED元件的金屬側壁間隔。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之LED接合源極基板，其中：該介電質側壁間隔係平面於該第一金屬電極的一暴露表面；該第二金屬電極被凹陷於該第一金屬電極的該暴露表面下方；及該複數個錨狀物之各者接觸至少兩個相鄰LED元件的該第二金屬電極。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之LED接合源極基板，其中：該介電質側壁間隔圍繞該第一金屬LED電極的周邊；及 該第二金屬電極圍繞該介電質側壁間隔的周邊。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之LED接合源極基板，其中：每個LED元件更包含接觸該第一摻雜半導體區的複數個LED，每個LED包含該LED半導體膜堆疊之柱子且與相鄰LED隔開延伸穿過該第一金屬電極與該第一摻雜半導體區的一元件內溝渠，且設置於該第二摻雜半導體區上；及該介電質側壁間隔係設置於該元件內溝渠之兩個相對側壁上；及該金屬側壁間隔係設置於在鄰近於該介電質側壁間隔之該元件內溝渠內的該第二摻雜半導體區之部分上。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之LED接合源極基板，其中：該LED半導體膜堆疊包含一III-N族半導體；該托架包含一結晶矽基板；及該些LED元件之各者具有不超過5μm的側向長度。
  13. 一種LED元件，包含：一外延半導體LED膜堆疊，包括至少第一及第二摻雜半導體區；一第一金屬LED電極，接觸於該第一摻雜半導體區；一介電質側壁間隔，在該第一金屬LED電極及該第一摻雜半導體區之側壁周圍；及 一第二金屬LED電極，更包含鄰近於該介電質側壁間隔且與該第二摻雜半導體區電接觸的一金屬側壁間隔。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之LED元件，其中：該第一金屬LED電極具有至少1μm2的面積；該介電質側壁間隔具有小於0.1μm的側向寬度；及該金屬側壁間隔具有小於0.1μm的側向寬度。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之LED元件，其中：該介電質側壁間隔係平面於該第一金屬電極的一暴露表面；及該第二金屬電極被凹陷於該第一金屬電極的表面下方。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之LED元件，其中：該介電質側壁間隔圍繞該第一金屬LED電極的周邊；及該金屬側壁間隔圍繞該介電質間隔的周邊。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之LED元件，其中：該LED元件更包含複數個LED，接觸該第一摻雜半導體區，每個LED包含該LED半導體膜堆疊之柱子且與相鄰LED隔開延伸穿過該第一摻雜半導體區的一元件內溝渠，且設置於該第二摻雜半導體區上；該介電質側壁間隔係設置於該元件內溝渠之兩個相對側壁上；及該金屬側壁間隔係設置於鄰近於該介電質側壁間隔之該元件內溝渠內的該第二摻雜半導體區之部分上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之LED元件，其中該金屬側壁間隔回填在介電質側壁間隔之相鄰區之間的間隔。
TW104129955A 2014-10-17 2015-09-10 微發光二極體顯示器以及組裝 TW201622102A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2014/061052 WO2016060676A1 (en) 2014-10-17 2014-10-17 Microled display & assembly

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201622102A true TW201622102A (zh) 2016-06-16

Family

ID=55747062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104129955A TW201622102A (zh) 2014-10-17 2015-09-10 微發光二極體顯示器以及組裝

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10128307B2 (zh)
EP (1) EP3207570A4 (zh)
KR (1) KR102300517B1 (zh)
CN (1) CN106716641B (zh)
TW (1) TW201622102A (zh)
WO (1) WO2016060676A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI613488B (zh) * 2017-06-19 2018-02-01 友達光電股份有限公司 顯示面板與形成微組件支架的方法
TWI643328B (zh) * 2017-10-13 2018-12-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置
TWI674465B (zh) * 2018-10-12 2019-10-11 致伸科技股份有限公司 顯示模組
TWI692088B (zh) * 2018-05-16 2020-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 微型led顯示面板製作方法及顯示面板
TWI745842B (zh) * 2019-03-25 2021-11-11 大陸商廈門市三安光電科技有限公司 微發光元件、微發光二極體及微發光二極體轉移方法
TWI753769B (zh) * 2021-02-03 2022-01-21 致伸科技股份有限公司 具按鍵輸入功能的觸控板
TWI781616B (zh) * 2021-05-12 2022-10-21 鴻海精密工業股份有限公司 顯示面板及顯示面板的製備方法

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106097900B (zh) * 2016-06-22 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板
US10978327B2 (en) 2016-10-10 2021-04-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-structure transfer system
US10276764B2 (en) * 2016-12-21 2019-04-30 Glo Ab Micro-lensed light emitting device
WO2018137139A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 Goertek. Inc Micro-led device, display apparatus and method for manufacturing a micro-led device
US10903194B2 (en) 2017-04-24 2021-01-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro light-emitting diode display with 3D orifice plating and light filtering
US10910535B2 (en) 2017-11-08 2021-02-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for making light emitting device LED arrays
CN107910414B (zh) * 2017-11-21 2020-02-14 歌尔股份有限公司 Led显示器制备方法及led显示器
TWI637481B (zh) 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法
TWI653751B (zh) * 2017-12-05 2019-03-11 宏碁股份有限公司 具修補架構之微型化發光裝置及相關製造和修補方法
US10811401B1 (en) * 2017-12-08 2020-10-20 Facebook Technologies, Llc Maintaining alignment between a LED device and a backplane during bonding
FR3076075B1 (fr) * 2017-12-22 2020-01-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent
TWI679762B (zh) * 2018-03-06 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
KR102479762B1 (ko) * 2018-03-06 2022-12-21 삼성전자주식회사 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
FR3079350B1 (fr) 2018-03-22 2020-03-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage emissif a led et procede de fabrication d'un tel dispositif
KR20190114334A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
KR102521582B1 (ko) 2018-04-03 2023-04-12 삼성전자주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10566194B2 (en) * 2018-05-07 2020-02-18 Lam Research Corporation Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning
US20190378749A1 (en) * 2018-06-12 2019-12-12 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Micro-vacuum module for semiconductor device transfer and method for transferring semiconductor device using the micro-vacuum module
US11295972B2 (en) 2018-06-12 2022-04-05 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Layout structure between substrate, micro-LED array and micro-vacuum module for micro-LED array transfer using micro-vacuum module, and method for manufacturing micro-LED display using the same
TWI699870B (zh) * 2018-06-14 2020-07-21 啟端光電股份有限公司 發光二極體之承載結構及其製造方法
EP3588540A1 (en) * 2018-06-27 2020-01-01 Facebook Technologies, LLC Monitoring dry-etching of polymer layer for transferring semiconductor devices
US10998215B2 (en) 2018-06-27 2021-05-04 Facebook Technologies, Llc Monitoring dry-etching of polymer layer for transferring semiconductor devices
CN208674170U (zh) * 2018-09-18 2019-03-29 云谷（固安）科技有限公司 发光装置
US10672891B2 (en) * 2018-10-04 2020-06-02 International Business Machines Corporation Stacked gate all around MOSFET with symmetric inner spacer formed via sacrificial pure Si anchors
JP2020085960A (ja) * 2018-11-16 2020-06-04 株式会社ブイ・テクノロジー フルカラーｌｅｄ表示パネル
TWI697828B (zh) 2018-11-29 2020-07-01 宏碁股份有限公司 具備超音波觸控的電子裝置
JP2020092159A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロｌｅｄ実装構造、マイクロｌｅｄディスプレイ及びマイクロｌｅｄディスプレイの製造方法
JPWO2020136848A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法
CN109753185B (zh) * 2019-01-11 2021-10-19 广东省半导体产业技术研究院 一种触摸显示装置的制造方法及触摸显示装置
KR102702650B1 (ko) 2019-02-28 2024-09-06 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치, 전자 장치 제조 방법, 및 발광 소자 전이 방법
US11538852B2 (en) * 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
JP7274929B2 (ja) * 2019-05-13 2023-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102723703B1 (ko) 2019-05-28 2024-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020246855A1 (ko) * 2019-06-05 2020-12-10 한양대학교 에리카산학협력단 마이크로 led 전사 방법
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备
KR102243109B1 (ko) * 2019-07-02 2021-04-22 한국과학기술원 웨이퍼 레벨 전사를 이용한 중/소형 디스플레이의 대량 제조방법 및 대형 디스플레이 제조 방법
KR102275366B1 (ko) * 2019-09-26 2021-07-12 주식회사 소프트에피 반도체 발광부를 이송하는 방법
CN111029360B (zh) * 2019-11-19 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示器件的制作方法
CN113261120B (zh) * 2019-11-27 2023-03-24 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 多面发光电路板及其制作方法
US11594663B2 (en) 2019-12-20 2023-02-28 Nanosys, Inc. Light emitting diode device containing a micro lens array and method of making the same
FR3109018A1 (fr) * 2020-04-06 2021-10-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif a matrice de diodes photo-emettrices et/ou photo-receptrices
CN115699320A (zh) * 2020-06-28 2023-02-03 华为技术有限公司 器件及其制造方法
US12002912B2 (en) 2020-07-31 2024-06-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus having the same
WO2022032523A1 (zh) * 2020-08-12 2022-02-17 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法以及显示装置
CN114156262A (zh) * 2020-09-08 2022-03-08 柏弥兰金属化研究股份有限公司 微led模块的制造方法
DE102020215562A1 (de) 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements, verfahren zur herstellung elektrischer kontakte und optoelektronisches halbleiterbauelement
CN112652697A (zh) * 2021-01-14 2021-04-13 上海大学 一种柔性Micro LED基板结构及其制备方法
JPWO2022209764A1 (zh) * 2021-03-29 2022-10-06
US20220399398A1 (en) * 2021-06-09 2022-12-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR20230033218A (ko) * 2021-08-30 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법
CN114171540B (zh) * 2021-12-08 2024-11-22 镭昱光电科技(苏州)有限公司 微显示led芯片结构及其制作方法
KR20240011610A (ko) 2022-07-19 2024-01-26 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조방법
WO2024183901A1 (en) * 2023-03-08 2024-09-12 Applied Materials, Inc. System and methods for processing light emitting diodes and microstructures
TWI847894B (zh) * 2023-10-19 2024-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6514782B1 (en) * 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US7045375B1 (en) * 2005-01-14 2006-05-16 Au Optronics Corporation White light emitting device and method of making same
WO2011069242A1 (en) 2009-12-09 2011-06-16 Cooledge Lighting Inc. Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus
US8193610B2 (en) 2010-08-10 2012-06-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming B-stage conductive polymer over contact pads of semiconductor die in Fo-WLCSP
US8476649B2 (en) * 2010-12-16 2013-07-02 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with accessible electrodes and methods of manufacturing
TWI535077B (zh) * 2012-05-24 2016-05-21 台達電子工業股份有限公司 發光單元及其發光模組
FR2992465B1 (fr) * 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
US9356070B2 (en) * 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
DE102012217957B4 (de) * 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US9229597B2 (en) * 2013-02-22 2016-01-05 Nthdegree Technologies Worldwide, Inc. Integrated capacitive touch screen and LED layer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI613488B (zh) * 2017-06-19 2018-02-01 友達光電股份有限公司 顯示面板與形成微組件支架的方法
TWI643328B (zh) * 2017-10-13 2018-12-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置
US10490536B2 (en) 2017-10-13 2019-11-26 PlayNitride Inc. Display apparatus using micro light-emitting diodes as display pixels
TWI692088B (zh) * 2018-05-16 2020-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 微型led顯示面板製作方法及顯示面板
TWI674465B (zh) * 2018-10-12 2019-10-11 致伸科技股份有限公司 顯示模組
TWI745842B (zh) * 2019-03-25 2021-11-11 大陸商廈門市三安光電科技有限公司 微發光元件、微發光二極體及微發光二極體轉移方法
TWI753769B (zh) * 2021-02-03 2022-01-21 致伸科技股份有限公司 具按鍵輸入功能的觸控板
TWI781616B (zh) * 2021-05-12 2022-10-21 鴻海精密工業股份有限公司 顯示面板及顯示面板的製備方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106716641A (zh) 2017-05-24
WO2016060676A1 (en) 2016-04-21
US20180233536A1 (en) 2018-08-16
US10128307B2 (en) 2018-11-13
KR102300517B1 (ko) 2021-09-13
CN106716641B (zh) 2021-07-09
EP3207570A4 (en) 2018-03-14
KR20170073590A (ko) 2017-06-28
EP3207570A1 (en) 2017-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201622102A (zh) 微發光二極體顯示器以及組裝
US10886153B2 (en) Display including an LED element having a pressure sensitive adhesive (PSA) for micro pick and bond assembly of the display
US9484332B2 (en) Micro solar cell powered micro LED display
CN108878620B (zh) 制造基于led的发射型显示装置的方法
US10147622B2 (en) Electric-programmable magnetic module
US10297722B2 (en) Micro-light emitting diode with metal side mirror
US20150111329A1 (en) Transfer-bonding method for light emitting devices
CN107924964A (zh) 发光面板及制备此类发光面板的方法
CN117136435A (zh) 互连界面处的有源器件层
WO2017171812A1 (en) Micro light emitting diode
CN111864025A (zh) 微型发光二极管及其制作方法、显示装置
CN110429098B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
GB2617283A (en) Method of fabricating an integrated structure for an optoelectronic device and integrated structure for an optoelectronic device
KR20210094580A (ko) 마이크로 디바이스 카트리지 구조
CN111712927A (zh) 导电结构、形成导电结构的方法以及半导体设备
CN115101634A (zh) 微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法
CN115425123B (zh) 红光微型led芯片制备方法、红光微型led芯片以及显示装置
CN116169152A (zh) 发光芯片的转移方法、显示面板和显示装置
CN116913942A (zh) 外延片结构、外延功能器件及制备方法
CN116825939A (zh) 红光微型led器件制备方法、红光微型led器件以及显示装置
TW202508017A (zh) 微裝置匣體結構