TW201510045A - 具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種能以高效率賦予配向控制能、殘影特性優異、高信賴性之橫向電場驅動型液晶顯示元件。本發明提供一種具有液晶配向膜之基板之製造方法,前述液晶配向膜係藉由具有下述〔I〕、〔II〕及〔III〕之步驟而獲得之賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜:〔I〕使含有(A)在特定之溫度範圍展現液晶性之感光性側鏈型高分子及(B)有機溶劑之聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上形成塗膜之步驟,該感光性側鏈型高分子係具有自與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)(式中,R11為單鍵等,X為單鍵,R12為烴基)表示之取代基之環狀胺構造選出之一種以上之重複單位之側鏈型高分子;〔II〕對〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;及〔III〕使〔II〕中獲得塗膜進行加熱之步驟。
【化1】-R11-X-R12 (S)
Description
本發明係關於具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板之製造方法。更詳言之,係關於用以製造殘影特性優異之液晶顯示元件之新穎方法。
液晶顯示元件已知為輕量、薄型且低消耗電力之顯示裝置,近年來使用於大型電視機用途等已有驚人之發展。液晶顯示元件係例如藉由具備電極之一對透明基板夾持液晶層而成之構成。而且,液晶顯示元件係使用由有機材料所成之有機膜作為液晶配向膜以使液晶在基板間成為期望之配向狀態。
亦即,液晶配向膜係液晶顯示元件之構成構件,形成於與夾持液晶之基板的液晶鄰接之面上,擔任使該基板間之液晶配向成一定方向之角色。而且,液晶配向膜除了使液晶配向成例如相對於基板平行之方向等之一定方向之角色以外,有時亦要求能控制液晶之預傾角之角色。如此之液晶配向膜中之控制液晶配向之能力(以下稱
為配向控制能)係藉由對構成液晶配向膜之有機膜進行配向處理而賦予。
用以賦予配向控制能之液晶配向膜之配向處理方法,過去以來已知有摩擦法。所謂摩擦法係對基板上之聚乙烯醇或聚醯胺或聚醯亞胺等有機膜,以棉、尼龍、聚酯等布朝一定方向擦拭(摩擦)其表面,使液晶朝擦拭方向(摩擦方向)配向之方法。該摩擦法由於可簡便且比較安定地實現液晶之配向狀態,故已利用於以往之液晶顯示元件之製造製程。而且,液晶配向膜所用之有機膜主要係選擇耐熱性等信賴性或電特性優異之聚醯亞胺系之有機膜。
然而,擦拭由聚醯亞胺等所成之液晶配向膜表面之摩擦法存在有產生粉塵或靜電之問題。且,近年來由於液晶顯示元件之高精細化、或因對應之基板上之電極或液晶驅動用之切換主動元件(active element)所致之凹凸,而無法以布均一地擦拭液晶配向膜之表面,有時無法實現均一之液晶配向。
因此,積極地檢討光配向法作為不進行摩擦之液晶配向膜之另一配向處理方法。
光配向法有各種方法,但利用直線偏光或平行光(collimate light)於構成液晶配向膜之有機膜內形成異向性,且根據其異向性使液晶配向。
主要之光配向法已知有分解型之光配向法。例如,對聚醯亞胺膜照射偏光紫外線,利用分子構造之紫
外線吸收之偏光方向依存性而生成異向之分解。而且,利用未分解而殘留之聚醯亞胺使液晶配向(參照例如專利文獻1)。
又,光交聯型或光異構化型之光配向法亦為已知。例如,使用聚乙烯基桂皮酸酯,照射偏光紫外線,在與偏光平行之2個側鏈之雙鍵部分產生二聚化反應(交聯反應)。接著,使液晶朝與偏光方向正交之方向配向(參照例如,非專利文獻1)。且,使用側鏈上具有偶氮苯之側鏈型高分子時,照射偏光紫外線,在與偏光平行之側鏈之偶氮苯部份產生異構化反應,使液晶朝與偏光方向正交之方向配向(參照例如非專利文獻2)。
如上述之例,利用光配向法進行之液晶配向膜之配向處理方法不需要摩擦,而無產生粉塵或靜電之顧慮。而且,即使對於表面有凹凸之液晶顯示元件之基板仍可施以配向處理,成為工業生產製程上適宜之液晶配向膜的配向處理方法。
〔專利文獻1〕日本專利第3893659號公報
〔非專利文獻1〕M. Shadt等人, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2155 (1992)
〔非專利文獻2〕K. Ichimura等人, Chem. Rev. 100, 1847 (2000)
如上述,光配向法作為液晶顯示元件之配向處理方法,與過去以來工業上利用之摩擦法比較,不需要摩擦步驟本身,因此具有大的優點。而且,相較於利用摩擦使配向控制能大致成為一定之摩擦法相比較,光配向法可改變偏光的光之照射量而控制配向控制能。然而,光配向法在實現與利用摩擦法時之相同程度之配向控制能時,必須大量之偏光的光照射量,有無法實現安定之液晶配向之情況。
例如,上述專利文獻1所記載之分解型之光配向法必須對聚醯亞胺膜照射來自輸出500W之高壓水銀燈之紫外光60分鐘等,而有必要長時間且大量的紫外線照射。且,於二聚化型或光異構化型之光配向法時,有時亦需要數J(焦耳)~數十J左右之大量的紫外線照射。再者,光交聯型或光異構化型之光配向法時,由於液晶配向之熱安定性或光安定性差,因此作為液晶顯示元件時,有發生配向不良或顯示殘影之問題。尤其橫向電場驅動型之液晶顯示元件由於液晶分子係在面內切換,故液晶驅動後容易發生液晶之配向偏移,使起因於AC驅動之顯示殘影成為大的課題。
因此,對光配向法要求實現配向處理之高效率化或安定之液晶配向,且要求可高效率地進行對液晶配向膜賦予高的配向控制能之液晶配向膜或液晶配向劑。
本發明之目的係提供一種能以高效率賦予配向控制能、殘影特性優異之具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板及具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件。
此外,本發明之目的,除上述目的外,另提供即使在高溫、多濕等過度嚴苛條件下,仍不會使電壓保持率等特性下降,且具備高信賴性之橫向電場驅動型液晶元件及該元件用之液晶配向膜。
本發明人等為達成上述課題而進行積極檢討之結果,發現以下之發明。
<1>一種聚合物組成物,尤其是橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜製造用組成物,其係含有下列成分之聚合物組成物,尤其是橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜製造用組成物:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑,該(A)側鏈型高分子具有由具有環狀胺構造之第1重複單位及具有酚構造之第2重複單位所組成之群選出之
至少1種重複單位,前述環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)表示之取代基:【化1】-R 11 -X-R 12 (S)
(式中,R11為單鍵或可經取代之烴基,X為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造),前述酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以上述式(S)表示之取代基。
<2>上述<1>中,(A)成分較好具有引起光交聯、光異構化、或光弗萊斯重排(Fries rearrangement)之感光性側鏈。
<3>上述<1>或<2>中,較好前述第1重複單位係以下述式(1-1)表示,前述第2重複單位係以下述式(1-2)表示,
(式(1-1)中,R為氫原子或甲基,R11各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,X各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,R12各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基,m為0~4之整數),(式(1-2)中,R為氫原子或甲基,R11各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,X各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,R12各可相同亦可不同,具有與上述相同之定義,n為0~3之整數)。
<4>上述<1>~<3>之任一項中,較好前述第1重複單位係以下述式(1-1-1)表示,前述第2重複單位係以下述式(1-2-1)表示,
(式(1-1-1)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價連結基,R13各可相同亦可不同,為碳數1~5之烷基,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基),(式(1-2-1)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價連結基,R13為碳數1~5之烷基,R14為氫原子或碳數1~5之烷基)。
<5>上述<1>~<4>之任一項中,(A)成分具有選自由下述式(1)~(6)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、B、D各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-;S為碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子亦可取代為鹵基;T為單鍵或碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子亦可取代為鹵基;Y1表示選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環及碳數5~8之脂環式烴之環,或自該等取代基選出之相同或不同之2~6個環係透過鍵結基B鍵結而成之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-COOR0(式中,R0表
示氫原子或碳數1~5之烷基)、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;Y2係選自由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各自獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R51表示羥基、碳數1~6之烷氧基,或表示與Y1相同之定義;X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-,X之數為2時X可彼此相同亦可不同;Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基,且其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;q1與q2之一者為1且另一者為0;q3為0或1;P及Q各獨立為選自由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,但,X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時,-CH=CH-所鍵結之側的P或Q為芳香環,P之數為2以上時,P彼此可相同亦可不同,Q之數為2以上時,Q
彼此可相同亦可不同;l1為0或1;l2為0~2之整數;l1與l2均為0時,T為單鍵時A亦表示單鍵;l1為1時,T為單鍵時B亦表示單鍵;H及I各獨立為選自2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、及該等之組合之基。
<6>上述<1>~<4>之之任一者中,較好(A)成分具有選自由下述式(7)~(10)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、B、D、Y1、X、Y2及R51具有與上述相同之定義;l表示1~12之整數;m表示0~2之整數,m1、m2表示1~3之整數;n表示0~12之整數(但n=0時B為單鍵)。
<7>上述<1>~<4>之任一項中,較好(A)成分具有選自由下述式(11)~(13)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、X、l、m、m1及R51具有與上述相同之定義。
<8>上述<1>~<4>之任一項中,較好(A)成分具有以下述式(14)或(15)表示之感光性側鏈:
式中,A、Y1、l、m1及m2具有與上述相同之定義。
<9>上述<1>~<4>之任一項中,較好(A)成分具有以下述式(16)或(17)表示之感光性側鏈:
式中,A、X、l及m具有與上述相同之定義。
<10>上述<1>~<4>之任一項中,較好(A)成分具有選自由下述式(18)或(19)表示之感光性側鏈:
式中,A、B、Y1、q1、q2、m1及m2具有與上述相同之定義,R1表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基。
<11>上述<1>~<4>之任一項中,較好(A)成分具有以下述式(20)表示之感光性側鏈:
式中,A、Y1、X、l及m具有與上述相同之定義。
<12>上述<1>~<11>之任一項中,較好(A)成分具有選自由下述式(21)~(31)所組成之群之任一種液晶性側鏈:
式中,A、B、q1及q2具有與上述相同之定義;Y3亦較好為選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環及碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組
成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5~8之脂環式烴、碳數1~12之烷基、或碳數1~12之烷氧基;l表示1~12之整數,m表示0至2之整數,但式(23)~(24)中,全部m之合計為2以上,式(25)~(26)中,全部m之合計為1以上,m1、m2及m3各獨立表示1~3之整數;R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、以及烷基或烷基氧基;Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH=N-、-CF2-。
<13>一種具有液晶配向膜之基板之製造方法,其係前述液晶配向膜係藉由具有下列步驟而獲得賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜:〔I〕將上述<1>~<12>之任一項所記載之組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上而形成塗膜之步驟;〔II〕對〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;及
〔III〕使〔II〕中獲得之塗膜加熱之步驟。
<14>一種基板,其具有以上述<13>之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜。
<15>一種橫向電場驅動型液晶顯示元件,其具有如上述<14>之基板。
<16>一種液晶顯示元件之製造方法,係藉由具有下列步驟而獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件:準備如上述<14>之基板(第1基板)之步驟;獲得具有液晶配向膜之第2基板之步驟,係藉由具有下列步驟〔I’〕~〔III’〕而獲得賦予配向控制能之液晶配向膜:〔I’〕於第2基板上塗佈含有下列成分之聚合物組成物而形成塗膜之步驟:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑;〔II’〕對〔I’〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;〔III’〕使〔II’〕中獲得塗膜進行加熱之步驟;以及〔IV〕獲得液晶顯示元件之步驟,其係隔著液晶使前述第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式,使前述第1及第2基板對向配置。
此外,另一方面發現以下之發明。
<P1>一種具有液晶配向膜之基板之製造方法,其係
前述液晶配向膜係藉由具有下列步驟而獲得賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜:〔I〕將含有(A)及(B)之聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上而形成塗膜之步驟:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑,該(A)側鏈型高分子為具有由環狀胺構造或酚構造選出之一種以上之重複單位之側鏈型高分子,前述環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)表示之取代基,該酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以下述式(S)表示之取代基:【化12】-R 11 -X-R 12 (S)
(式中,R11為單鍵或可經取代之烴基,X為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造),〔II〕對〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;及〔III〕使〔II〕中獲得之塗膜加熱之步驟,<P2>上述<P1>中,(A)成分較好具有引起
光交聯、光異構化、或光弗萊斯重排(Fries rearrangement)之感光性側鏈。
<P3>上述<P1>中,較好前述重複單位係以下述式(1-1)或(1-2)表示,
(式(1-1)及式(1-2)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價之連結基,R11各為單鍵或可經取代之烴基,X各為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12各為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造,式(1-1)中,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基,m為0~4之整數,式(1-2)中,n為0~3之整數)。
<P4>上述<P1>中,較好前述重複單位係以下述式(1-1-1)或(1-2-1)表示,
(式(1-1-1)及式(1-2-1)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價連結基,R13各為碳數1~5之烷基,R14為氫原子或碳數1~5之烷基,式(1-1-1)中,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基)。
<P5>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有選自由下述式(1)~(6)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、B、D各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-;S為碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子亦可取代為鹵基;T為單鍵或碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子亦可取代為鹵基;Y1表示選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環及碳數5~8之脂環式烴之環,或自該等取代基選出之相同或不同之2~6個環係透過鍵結基B鍵結而成之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-COOR0(式中,R0表示氫原子或碳數1~5之烷基)、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、
-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;Y2係選自由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各自獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R51表示羥基、碳數1~6之烷氧基,或表示與Y1相同之定義;X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-,Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基,且其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;q1與q2之一者為1且另一者為0;q3為0或1;P及Q各獨立為選自由單鍵、2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,但,X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時,-CH=CH-所鍵結之側的P或Q為芳香環,H及I各獨立為選自2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、及該等之組合之基。
<P6>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有選自由下述式(7)~(10)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、B、D、Y1、X、Y2及R51具有與上述相同之定義;l表示1~12之整數;m表示0~2之整數,m1、m2表示1~3之整數;n表示0~12之整數(但n=0時B為單鍵)。
<P7>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有選自由下述式(11)~(13)所組成之群之任一種感光性側鏈:
式中,A、X、l、m及R51具有與上述相同之定義。
<P8>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有以下述式(14)或(15)表示之感光性側鏈:
式中,A、Y1、X、l、m1及m2具有與上述相同之定義。
<P9>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有以下述式(16)或(17)表示之感光性側鏈:
式中,A、X、l及m具有與上述相同之定義。
<P10>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有選自由下述式(18)或(19)表示之感光性側鏈:
式中,A、B、Y1、q1、q2、m1及m2具有與上述相同之定義,R1表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基。
<P11>上述<P1>或<P2>中,較好(A)成分具有以下述式(20)表示之感光性側鏈:
式中,A、Y1、X、l及m具有與上述相同之定義。
<P12>上述<P1>~<P11>之任一項中,較好(A)成分具有選自由下述式(21)~(31)所組成之群之任一種液晶性側鏈:
式中,A、B、q1及q2具有與上述相同之定義;
Y3較好為選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環及碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5~8之脂環式烴、碳數1~12之烷基、或碳數1~12之烷氧基;l表示1~12之整數,m表示0至2之整數,但式(25)~(26)中,全部m之合計為2以上,式(27)~(28)中,全部m之合計為1以上,m1、m2及m3各獨立表示1~3之整數;R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、以及烷基或烷基氧基;Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH=N-、-CF2-。
<P13>一種基板,其具有以上述<P1>~<P12>之任一項所製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜。
<P14>一種橫向電場驅動型液晶顯示元件,其具有如上述<P13>之基板。
<P15>一種液晶顯示元件之製造方法,其係藉由具有下列步驟而獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件:
準備如上述<P13>之基板(第1基板)之步驟;獲得具有液晶配向膜之第2基板之步驟,係藉由具有下列步驟〔I’〕~〔III’〕而獲得賦予配向控制能之液晶配向膜:〔I’〕於第2基板上塗佈含有下列成分(A)及(B)之聚合物組成物而形成塗膜之步驟:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑;〔II’〕對〔I’〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;〔III’〕使〔II’〕中獲得塗膜進行加熱之步驟;以及〔IV〕獲得液晶顯示元件之步驟,其係隔著液晶使第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式,使第1及第2基板對向配置。
<P16>一種橫向電場驅動型液晶顯示元件,其係藉上述<P15>製造。
<P17>一種橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜製造用之組成物,其係含有下列成分:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑,該(A)側鏈型高分子為具有由環狀胺構造或酚構造選出之一種以上之重複單位之側鏈型高分子,
前述環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)表示之取代基,該酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以下述式(S)表示之取代基:【化23】-R 11 -X-R 12 (S)
(式中,R11為單鍵或可經取代之烴基,X為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造)。
<P18>一種組成物,其特徵係上述<P17>中,前述重複單位係以下述式(1-1)或(1-2)表示:
式(1-1)及式(1-2)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價之連結基,R11各為單鍵或可經取代之烴基,X各為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12各為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,
R11及R12可相互鍵結形成環構造,式(1-1)中,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基,m為0~4之整數,式(1-2)中,n為0~3之整數。
<P19>一種組成物,其特徵為上述<P17>中,前述重複單位係以下述式(1-1-1)或(1-2-1)表示:
式(1-1-1)及式(1-2-1)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價連結基,R13各為碳數1~5之烷基,R14為氫原子或碳數1~5之烷基,式(1-1-1)中,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基。
依據本發明,可提供一種能以高效率賦予配向控制能、殘影特性優異之具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板及具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件。
以本發明之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件由於能以高效率賦予配向控制能,故即使長時間連續驅動
亦不損及顯示特性。
又,依據本發明,可提供除上述效果外,即使在高溫、多濕等過度嚴苛條件下,電壓保持率等特性仍不會下降,而具備高信賴性之橫向電場驅動型液晶顯示元件及該元件所用之液晶配向膜。
1‧‧‧側鏈型高分子膜
2、2a‧‧‧側鏈
3‧‧‧側鏈型高分子膜
4、4a‧‧‧側鏈
5‧‧‧側鏈型高分子膜
6、6a‧‧‧側鏈
7‧‧‧側鏈型高分子膜
8、8a‧‧‧側鏈
圖1係示意性說明本發明所用之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例的圖,係於感光性之側鏈使用交聯性有機基,所導入之異向性小時之圖。
圖2係示意性說明本發明所用之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例的圖,係於感光性之側鏈使用交聯性有機基,所導入之異向性大時之圖。
圖3係示意性說明本發明所用之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例的圖,係於感光性之側鏈使用引起光弗萊斯重排或異構化之有機基,所導入之異向性小時之圖。
圖4係示意性說明本發明所用之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例的圖,係於感光性之側鏈使用引起光弗萊斯重排或異構化之有機基,所導入之異向性大時之圖。
本發明人等進行積極研究之結果,獲得以下見解因而完成本發明。
本發明之製造方法中所用之聚合物組成物具有可展現液晶性之感光性側鏈型高分子(以下亦簡稱為側鏈型高分子),使用前述聚合物組成物獲得之塗膜為具有可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之膜。該塗膜不進行摩擦處理,而藉偏光照射進行配向處理。而且,偏光照射後,經歷使該側鏈型高分子膜進行加熱之步驟,成為被賦予配向控制能之塗膜(以下亦稱為液晶配向膜)。此時,僅藉偏光照射展現之異向性成為驅動力,使液晶性之側鏈型高分子本身藉自我組織化而有效地再配向。結果,可實現作為液晶配向膜之高效率配向處理,可獲得被賦予高配向控制能之液晶配向膜。
以下,針對本發明之實施形態加以詳細說明。
本發明之具有液晶配向膜之基板之製造方法係具有下列步驟:〔I〕將聚合物組成物,尤其是橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜製造用組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上而形成塗膜之步驟,該聚合物組成物,尤其是橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜
製造用組成物含有(A)及(B):(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑,該(A)側鏈型高分子具有由具有環狀胺構造之第1重複單位及具有酚構造之第2重複單位所組成之群選出之至少1種重複單位,前述環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)表示之取代基:【化26】-R 11 -X-R 12 (S)
(式中,R11為單鍵或可經取代之烴基,X為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造),前述酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以上述式(S)表示之取代基,〔II〕對〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;及〔III〕使〔II〕中獲得之塗膜加熱之步驟。
由上述步驟,可獲得被賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜,可獲得具有該
液晶配向膜之基板。
又,除上述所得之基板(第1基板)外,藉由準備第2基板,可獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件。
第2基板除使用不具有橫向電場驅動用之導電膜之基板代替具有橫向電場驅動用之導電膜之基板以外,藉由使用上述步驟〔I〕~〔III〕(由於使用不具有橫向電場驅動用之導電膜之基板,故為方便起見,有時於本申請案中簡稱為步驟〔I’〕~〔III’〕),可獲得具有被賦予配向控制能之液晶配向膜之第2基板。
橫向電場驅動型液晶顯示元件之製造方法具有下述步驟[IV]:〔IV〕隔著液晶使第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式,使上述獲得之第1及第2基板對向配置而獲得液晶顯示元件之步驟。藉此可獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件。
以下,針對本發明之製造方法具有之〔I〕~〔III〕、及[IV]之各步驟加以說明。
步驟〔I〕係將含有在特定之溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子及有機溶劑之聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上,形成塗膜。
關於基板並無特別限制,但所製造之液晶顯示元件為透過型時,較好使用透明性高之基板。該情況下並無特別限制,可使用玻璃基板、或丙烯酸基板或聚碳酸酯基板等塑膠基板等。
又,考慮對於反射型之液晶顯示元件之應用,亦可使用矽晶圓等不透明基板。
基板具有橫向電場驅動用之導電膜。
至於該導電膜,在液晶顯示元件為透過型時,可列舉為ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)等,但並不限於該等。
且,反射型之液晶顯示元件時,導電膜可列舉為鋁等之能使光反射之材料等,但並不限於該等。
於基板上形成導電膜之方法可使用過去習知之手法。
於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上,尤其是導電膜上塗佈聚合物組成物。
本發明之製造方法中使用之該聚合物組成物含有(A)在特定之溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子及(B)有機溶劑。
(A)成分為在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子。
(A)側鏈型高分子只要能以250nm~400nm波長範圍之光進行反應且在100℃~250℃之溫度範圍顯示液晶性即可。
(A)側鏈型高分子較好具有以250nm~400nm波長範圍之光進行反應之感光性側鏈。
(A)側鏈型高分子較好具有用以在100℃~250℃之溫度範圍顯示液晶性之介晶基(mesogenic group)。
該(A)側鏈型高分子具有選自由具有環狀胺構造之第1重複單位、及具有酚構造之第2重複單位所組成之群之至少1種重複單位。
環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以上述式(S)表示之取代基。
酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以上述式(S)表示之取代基。
至於上述環狀胺構造,形成其環構造之碳原子數較好為2個以上7個以下,更好為5個。
此外,作為上述酚構造,苯環上之羥基所鍵結之位置為任意,但較好為相對於該苯環中與主鏈側鍵結之碳原子為對位之位置。
作為重複單位(a1)之較佳構造,更具體而
言,於具有環狀胺構造者之情況下為具有受阻胺構造者,且為以下述式(1-1)表示之構造。
另一方面,具有酚構造者時為具有受阻酚構造者,且為以下述式(1-2)表示之構造。
式(1-1)及式(1-2)中,R為氫原子或甲基,A1為單鍵或2價之連結基,式(1-1)中,B1為氫原子、氧原子、鹵原子、羥基或1價有機基,m為0~4之整數。式(1-2)中,n為0~3之整數。R11、X及R12之定義與上述式(S)相同。
上述式(S)、上述式(1-1)及上述式(1-2)中,R11之烴基具體列舉為碳數1~10之2價鏈狀烴基、碳數3~15之2價脂環式烴基、及碳數6~20之2價芳香族烴基。該等中較好為亞甲基或碳數2~5之伸烷基。碳數2~5之伸烷基具體可列舉為伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基等,該等可為直鏈狀或分支狀之任一種。且,該烴基可具有之取代基可列舉為例如氟原子或氯原子等鹵原子、羥基等。
上述式(S)、上述式(1-1)及上述式(1-2)中,-R11-X-不為單鍵時,較好為-CO-O-、-CH2-CO-、或-CH2-CH(OH)-。
上述式(S)、上述式(1-1)及上述式(1-2)中,R12具體可列舉為碳數1~6之烷基、碳數6~12之芳基或碳數7~13之芳烷基。該情況下,芳基及芳烷基具有之苯環之氫原子亦可經甲醯基或碳數1~4之烷氧基取代。
R12之碳數1~6之烷基可列舉為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基等;碳數6~12之芳基可列舉為例如苯基、4-甲醯基苯基、3,4,5-三甲氧基苯基等;碳數7~13之芳烷基可列舉為苄基等。
R11及R12相互鍵結形成之環構造可列舉為例如自呋喃、噻吩、2H-吡喃及4H-吡喃等去除1個氫原子之基。
上述式(S)、上述式(1-1)及上述式(1-2)中,-R11-X-R12較好可列舉為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基、苯基、苄基、苯甲醯基、4-甲醯基苯甲醯基、2-羥基-2-苯基乙基、2-氧代-2-(3,4,5-三甲氧基苯基)乙基等。且,-R11-X-R12更好為碳數1~5之烷基,若為上述式(1-1)則最好為甲基或乙基,若為上述式(1-2)則最好為甲基或第三丁基。
上述式(1-1)中,m較好為0,上述式(1-2)中,n較好為0或1。該等m及n之關係、及上述-R11-X-R12之關係中,上述式(1-1)及上述式(1-2)較好為以下述式(1-1-1)及下述式(1-2-1)表示者。
式(1-1-1)及式(1-2-1)中,R13各為碳數1~5之烷基,式(1-2-1)中,R14為氫原子或碳數1~5之烷基。R、A1及B1之定義與上述式(1-1)及上述式(1-2)相同。
上述式(1-1)、上述式(1-2)、上述式(1-1-1)及上述式(1-2-1)中,A1較好為2價之連結基。A1之2價連結基可列舉為以下述式(A1)表示者。
【化29】-A 11 -A 12 -A 13 -A 14 -*1 (A1)
式中,A11為單鍵、亞甲基、碳數2~5之伸烷基或伸苯基,A12為單鍵、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-,A13為單鍵或可經取代之亞甲基或碳數2~5之伸烷基,A14為
單鍵、-O-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-NR’-或-NR’-CO-O-,R’為氫原子或碳數1~6之烷基。惟,A11、A12、A13及A14全部為單鍵者除外。*1表示鍵結於環狀胺構造之碳原子或酚構造之碳原子之鍵結鍵。
上述式(A1)中,A11及A13之碳數2~5之伸烷基可列舉為上述R11所例示者。此外,A13之亞甲基或碳數2~5之伸烷基可具有之取代基可列舉為上述R11所例示者。又,R’之碳數1~6之烷基可列舉為上述R12中例示者。
以上述式(A1)表示之2價連結基可列舉為例如以式(A1-1)~式(A1-17)表示之基,但並不限於該等。
式(A1-1)~式(A1-17)中,*1表示鍵結於環狀胺構造之碳原子或酚構造之碳原子之鍵結鍵。
上述式(A1-1)~式(A1-17)中,就較好地實現所得液晶配向膜之耐久性提高而言,A1之2價連結基較好為以式(A1-2)、式(A1-5)、式(A1-8)、式(A1-10)、式(A1-11)、式(A1-16)及式(A1-17)之任一者表示者,更好為以式(A1-2)、式(A1-5)及式(A1-10)之任一者表示者。
上述式(1-1)及上述式(1-1-1)中,B1之鹵原子可列舉為氟原子或氯原子等。
上述式(1-1)及上述式(1-1-1)中,B1之1價有機基可列舉為以下述式(B1)表示者。
【化31】-B 11 -B 12 (B1)
式中,B11為單鍵、-O-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-NR"-、或-CO-NR”-,R"為氫原子或碳數1~6之烷基。B12為碳數1~15之烷基、碳數6~12之芳基、碳數7~13之芳烷基、碳數3~10之1價雜環基、或碳數3~15之脂環式烴基,該等基具有之氫原子亦可經取代。
上述式(B1)中,R”之碳數1~6之烷基可列舉為上述R12中例示者。
上述式(B1)中,B12之碳數1~15之烷基可為直鏈狀或分支狀,列舉為例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基等;碳數6~12之芳基可列舉為例如苯基、甲苯基、4-乙基苯基、二甲基苯基、2,4,6-三甲基苯基、萘基、蒽基等;碳數7~13之芳烷基可列舉為例如苄基、苯乙基、α-甲基苄基、萘基甲基等;碳數3~10之1價雜環基列舉為含氮雜環化合物,可列舉為例如哌啶基、嗎啉基、吡啶基、吡嗪基等;碳數3~15之脂環式烴基可列舉為例如環戊基、環己基、4-甲基環己基等。
此外,B12之上述各基可具有之取代基可列舉
為例如氟原子或氯原子等鹵原子、羥基、硝基、氰基等。
以上述式(B1)表示之1價有機基(-B11-B12)可列舉為例如甲基、正丁基、正戊基、第三戊基、正辛基、苄基、4-乙基苯基、4-甲基環己基、甲氧基、辛氧基、環己基氧基、乙醯基、乙醯氧基、十四烷醯基、α-甲基苄基氧基、哌啶基羰基、嗎啉基羰基、2-羥基-2-甲基丙氧基、-O-CONH-C6H5等。
上述式(1-1)及上述式(1-1-1)中,就較好地實現所得液晶配向膜之耐久性提高而言,B1較好為氫原子、氧原子、氯原子、甲基、正丁基、正戊基、第三戊基、苄基、甲氧基、辛氧基、乙醯基、乙醯氧基、環己基氧基之任一者,更好為氫原子、氧原子、甲基、苄基、辛氧基之任一者。
具有受阻胺構造之重複單位(a1)具體可列舉為以下述式(a1-1-1)~(a1-1-20)(式中,R為氫原子或甲基)表示者。
獲得上述受阻胺構造之重複單位(a1)之單體可藉由組合有機化學之規定方法容易地合成。例如,若為獲得上述式(a1-1-1)~式(a1-1-16)之重複單位之單體,則可藉由依據習知之酯化反應使鹵化(甲基)丙烯醯
基與以下述式(C-1)(式中,A13、A14、B1及R13之定義與已說明者相同)表示之化合物反應而得。且,若為獲得上述式(a1-1-17)或式(a1-1-18)之重複單位之單體,則可藉由依據習知之醚化反應使鹵化2-丙烯基或鹵化9-癸基與以下述式(C-1)表示之化合物反應而得。又,若為獲得上述式(a1-1-19)或式(a1-1-20)之重複單位之單體,則可藉由依據習知之醯胺化反應使鹵化(甲基)丙烯醯基與下述式(C-1)中以NH2-取代OH-A13-A14-之化合物反應而得。
且,上述各單體亦可使用市售者,例如甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酯、及甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶酯分別以FA-712HM、FA-711MM,由日立化成工業股份有限公司銷售。
具有受阻酚構造之重複單位(a1)具體可列舉為以下述式(a1-2-1)~式(a1-2-10)(式中,R為氫原子或甲基)表示者。
獲得上述受阻酚構造之重複單位(a1)之單體可藉由組合有機化學之一定方法容易地合成。
重複單位(a1)就較佳地實現所得液晶配向膜之耐久性提升而言,受阻胺構造者優於具有受阻酚構造者。
聚合物[A]可單獨具有1種重複單位(a1),亦可組合2種以上而具有。其機制並不確定,但推測藉由使聚合物[A]具有重複單位(a1),由背光等所照射之紫外線被聚合物[A]適好地吸收,變得使該紫外線之影響難以及於自由使四羧酸二酐與二胺反應而得之聚醯胺酸及其醯亞胺化聚合物所組成之群之至少一種聚合物。藉此,即使長期使用亦能維持液晶之配向性能,而可獲得具有長期耐久性之液晶顯示元件。此外,就提高該效果而言,聚合物[A]中之重複單位(a1)之含有比例(或獲得重複單位
(a1)之單體的共聚合比例)於聚合物[A]全部重量(或合成聚合物[A]時使用之單體合計重量)中,較好為1重量%以上,更好為1重量%以上50重量%以下,又更好為1重量%以上30重量%以下,最好為1重量%以上20重量%以下。
(A)側鏈型高分子可使具有感光性之側鏈鍵結於主鏈上,對光感應而引起交聯反應、異構化反應、或光弗萊斯重排。具有感光性之側鏈之構造並無特別限制,但宜為對光感應而引起交聯反應或光弗萊斯重排之構造,更好為引起交聯反應者。該情況下,即使暴露於熱等之外部應力,仍可長時間安定地保持所實現之配向控制能。可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子膜之構造只要滿足該特性者,即無特別限制,但較好於側鏈構造上具有剛直之介晶成分。該情況下,以該側鏈型高分子作為液晶配向膜時,可獲得安定之液晶配向。
該高分子之構造可為例如具有主鏈及與其鍵結之側鏈,且該側鏈具有聯苯基、三聯苯基、苯基環己基、苯基苯甲酸酯基、偶氮苯基等介晶成分,與鍵結於前端部之對光感應而進行交聯反應或異構化反應之感光性基之構造,或具有主鏈及與其鍵結之側鏈,且該側鏈具有成為介晶成分且能進行光弗萊斯重排反應之苯基苯甲酸酯基之構造。
可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子膜之構造更具體之例較好為具有由選自由烴、丙烯酸酯、甲基
丙基酸酯、馬來醯亞胺、降冰片烯及矽氧烷所組成之群之至少1種構成之主鏈、及由下述式(1)至(6)之至少1種所成之側鏈之構造。
式中,A、B、D各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-;S為碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子可取代為鹵基;T為單鍵或碳數1~12之伸烷基,且其上所鍵結之氫原子可取代為鹵基;
Y1表示選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環及碳數5~8之脂環式烴之環,或自該等取代基選出之相同或不同之2~6個環係透過鍵結基B鍵結而成之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-COOR0(式中,R0表示氫原子或碳數1~5之烷基)、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;Y2係選自由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各自獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R51表示羥基、碳數1~6之烷氧基,或表示與Y1相同定義;X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-,X之數為2時X可彼此相同亦可不同;Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基,且其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;q1與q2之一者為1且另一者為0;q3為0或1;P及Q各獨立為選自由2價之苯環、萘環、聯苯環、
呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,但,X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時,-CH=CH-所鍵結之側的P或Q為芳香環,P之數為2以上時,P彼此可相同亦可不同,Q之數為2以上時,Q彼此可相同亦可不同;l1為0或1;l2為0~2之整數;l1與l2均為0時,T為單鍵時A亦表示單鍵;l1為1時,T為單鍵時B亦表示單鍵;H及I各獨立為選自2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、及該等之組合之基。
側鏈較好為選自由下述式(7)~(10)所組成之群之任一種感光性側鏈。
式中,A、B、D、Y1、X、Y2、及R51具有與上述相同之定義;
l表示1~12之整數;m表示0~2之整數,m1、m2表示1~3之整數;n表示0~12之整數(但n=0時B為單鍵)。
側鏈較好為選自由下述式(11)~(13)所組成之群選出之任一種感光性側鏈。
式中,A、X、l、m、m1及R51具有與上述相同之定義。
側鏈較好為以下述式(14)或(15)表示之感光性側鏈。
式中,A、Y1、l、m1及m2具有與上述相同之定
義。
側鏈較好為以下述式(16)或(17)表示之感光性側鏈:
式中,A、X、l及m具有與上述相同之定義。
此外,側鏈較好為以下述式(18)或(19)表示之感光性側鏈。
式中,A、B、Y1、q1、q2、m1及m2具有與上述相同之定義。
R1表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基。
側鏈較好為以下述式(20)表示之感光性側鏈。
式中,A、Y1、X、l及m具有與上述相同之定義。
此外,(A)側鏈型高分子較好具有選自由下述式(21)~(31)所組成之群之任一種液晶性側鏈。
式中,A、B、q1及q2具有與上述相同之定義;
Y3為選自1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環及碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群之基,其上所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代;R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5~8之脂環式烴、碳數1~12之烷基、或碳數1~12之烷氧基;l表示1~12之整數,m表示0至2之整數,但式(23)~(24)中,全部m之合計為2以上,式(25)~(26)中,全部m之合計為1以上,m1、m2及m3各獨立表示1~3之整數;R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、以及烷基或烷基氧基;Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH=N-、-CF2-。
本申請案係提供以下述式(1)~(11)表示之化合物(1)~(11);及以下述式(12)~(17)表示之化合物(12)~(17)作為光反應性及/或液晶性側鏈單體。
式中,R表示氫原子或甲基;S表示碳數2~10之伸烷基;R10表示Br或CN;S表示碳數2~10之伸烷基;u表示0或1;及Py表示2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基。且,v表示1或2。
上述可展現液晶性之感光性側鏈型高分子可藉由使上述具有感光性側鏈之光反應性側鏈單體及液晶性側鏈單體聚合而得。
液晶性側鏈單體為源自該單體之高分子可展現液晶性,且該高分子可於側鏈部位形成介晶基之單體。
側鏈具有之介晶基可為聯苯或苯基苯甲酸酯等單獨成為介晶構造之基,亦可為如苯甲酸等使側鏈彼此氫鍵結成為介晶構造之基。側鏈具有之介晶基較好為下述構造。
液晶性側鏈單體之更具體例較好為具有由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、馬來醯亞胺、降冰片烯及矽氧烷所組成之群之至少1種構成之主鏈、與由上述式(21)~(31)之至少1種所成之側鏈之構造。
(A)側鏈型高分子可藉由上述展現液晶性之光反應性側鏈單體之聚合反應而得。且,可藉由未展現液晶性之光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體之共聚合、或
展現液晶性之光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體之共聚合而得。再者,在不損及液晶性展現能之範圍內可與其他單體共聚合。
其他單體列舉為例如工業可取得之可自由基聚合反應之單體。
其他單體之具體例列舉為不飽和羧酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、丙烯腈、馬來酸酐、苯乙烯化合物及乙烯化合物等。
不飽和羧酸之具體例列舉為丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸等。
丙烯酸酯化合物列舉為例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸蒽酯、丙烯酸蒽基甲酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸3-甲氧基丁酯、丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、丙烯酸2-丙基-2-金剛烷酯、丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯及丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。
甲基丙烯酸酯化合物列舉為例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸萘酯、甲基丙烯酸蒽酯、甲基丙烯酸蒽基甲酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸異
冰片酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸3-甲氧基丁酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸2-丙基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯、及甲基丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。亦可使用(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3-甲基-3-氧雜環丁基)甲酯及(甲基)丙烯酸(3-乙基-3-氧雜環丁基)甲酯等之具有環狀醚基之(甲基)丙烯酸酯化合物。
乙烯基化合物列舉為例如乙烯基醚、甲基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、2-羥基乙基乙烯基醚、苯基乙烯基醚、及丙基乙烯基醚等。
苯乙烯化合物列舉為例如苯乙烯、甲基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯等。
馬來醯亞胺化合物列舉為例如馬來醯亞胺、N-甲基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、及N-環己基馬來醯亞胺等。
本實施形態之側鏈型高分子之製造方法並無特別限制,可利用工業上被處理之廣泛使用的方法。具體而言,可利用液晶性側鏈單體或光反應性側鏈單體之乙烯基,藉由陽離子聚合或自由基聚合、陰離子聚合而製造。該等中基於反應控制容易等之觀點,以自由基聚合最佳。
自由基聚合之聚合起始劑可使用自由基聚合起始劑、可逆加成-斷鏈型鏈轉移(RAFT)聚合試藥等之
習知化合物。
自由基熱聚合起始劑係藉由加熱至分解溫度以上而產生自由基之化合物。該自由基熱聚合起始劑列舉為例如酮過氧化物類(甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物等)、二醯基過氧化物類(乙醯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物等)、過氧化氫類(過氧化氫、第三丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫等)、二烷基過氧化氫類(二-第三丁基過氧化物、二異丙苯基過氧化物、二月桂醯基過氧化物等)、過氧縮酮類(二丁基過氧基環己烷等)、烷基過酯類(過氧基新癸酸第三丁酯、過氧基特戊酸第三丁酯、過氧基2-乙基環己酸第三戊酯等)、過硫酸鹽類(過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等)、偶氮系化合物(偶氮雙異丁睛、及2,2’-二(2-羥基乙基)偶氮雙異丁睛等)。該自由基熱聚合起始劑可單獨使用1種,或亦可組合2種以上使用。
自由基光聚合起始劑只要藉光照射起始自由基聚合之化合物即無特別限制。該自由基光聚合起始劑可列舉為二苯甲酮、米氏(Michael’s)酮、4,4’-雙(二乙胺基)二苯甲酮、呫噸酮、噻噸酮、異丙基呫噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌、苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、2-羥基-2-甲基-4’-異丙基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮、異丙基苯偶因醚、異丁基苯偶因醚、2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、樟腦醌、苯并蒽酮(benzanthrone)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉
基丙-1-酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、4-二甲胺基苯甲酸乙酯、4-二甲胺基苯甲酸異戊酯、4,4’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4,4’-三(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、2-(4’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4’-戊氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、4-[對-N,N-二(乙氧羰基甲基)]-2,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(2’-氯苯基)-s-三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(4’-甲氧基苯基)-s-三嗪、2-(對-二甲胺基苯乙烯基)苯并噁唑、2-(對-二甲胺基苯乙烯基)苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑、3,3’-羰基雙(7-二乙胺基香豆素)、2-(鄰-氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2-氯苯基)-4,4’,5,5’-肆(4-乙氧羰基苯基)-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二溴苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、3-(2-甲基-2-二甲胺基丙醯基)咔唑、3,6-雙(2-甲基-2-嗎啉基丙醯基)-9-正十二烷基咔唑、1-羥基環己基苯基酮、雙(5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦、3,3’,4,4’-四(第三丁基過氧基羰基)二
苯甲酮、3,3’,4,4’-四(第三己基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’-二(甲氧羰基)-4,4’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4’-二(甲氧羰基)-4,3’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、4,4’-二(甲氧羰基)-3,3’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2-(3-甲基-3H-苯并噻唑-2-亞基)-1-萘-2-基-乙酮、或2-(3-甲基-1,3-苯并噻唑-2(3H)-亞基)-1-(2-苯甲醯基)乙酮等。該等化合物可單獨使用,亦可混合2種以上使用。
自由基聚合法並無特別限制,可使用乳化聚合法、懸浮聚合法、分散聚合法、沉澱聚合法、塊狀聚合法、溶液聚合法等。
可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之聚合反應所使用之有機溶劑只要能使生成之高分子溶解者即無特別限制。其具體例列舉於下。
N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-甲基己內醯胺、二甲基亞碸、四甲基脲、吡啶、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、異丙醇、甲氧基甲基戊醇、二戊烯、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、甲基溶纖素、乙基溶纖素、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸
酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙基醚、乙基異丁基醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁基醚、二異丁基酮、甲基環己烯、丙基醚、二己基醚、二噁烷、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙基醚、環己酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇單乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺等。
該等有機溶劑可單獨使用,亦可混合使用。再者,即使為不使生成之高分子溶解之溶劑,在不使生成之高分子析出之範圍內,亦可混合於上述有機溶劑中使用。
且,自由基聚合中有機溶劑中之氧由於成為妨礙聚合反應之原因,故有機溶劑較好使用脫氣至可能程度者。
自由基聚合時之聚合溫度可選擇30℃~150℃之任意溫度,但較好為50℃~100℃之範圍。此外,反應可在任一濃度進行,但濃度過低時難以獲得高分子量之聚
合物,濃度過高時反應液之黏性變得過高而難以均一攪拌,故單體濃度較好為1質量%~50質量%,更好為5質量%~30質量%。反應初期係以高濃度進行,隨後,可追加有機溶劑。
上述之自由基聚合反應中,自由基聚合起始劑之比例相對於單體較多時,所得高分子之分子量變小,較少時所得高分子之分子量變大,故自由基起始劑之比率相對於所聚合之單體較好為0.1莫耳%~10莫耳%。且聚合時亦可追加各種單體成分或溶劑、起始劑等。
自利用上述反應獲得之可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子之反應溶液回收生成之高分子時,只要將反應溶液投入弱溶劑中使該等聚合物沉澱即可。沉澱所用之弱溶劑可列舉為甲醇、丙酮、己烷、庚烷、丁基溶纖素、庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醇、甲苯、苯、二乙基醚、甲基乙基醚、水等。投入弱溶劑中而沉澱之聚合物藉過濾回收後,可在常壓或減壓下,於常溫或加熱進行乾燥。且,使沉澱回收之聚合物再溶解於有機溶劑中、進行再沉澱回收之操作重複2~10次時,可減少聚合物中之雜質。此時之弱溶劑列舉為例如醇類、酮類、烴等,使用由該等中選出之3種以上之弱溶劑時,由於可更提高純化效率故較佳。
本發明之(A)側鏈型高分子之分子量考慮所
得塗膜之強度、塗膜形成時之作業性、及塗膜之均一性時,以GPC(凝膠滲透層析)法測定之重量平均分子量較好為2000~1000000,更好為5000~100000。
本發明所用之聚合物組成物較好以適於液晶配向膜之形成之方式調製成塗佈液。亦即,本發明所用之聚合物組成物較好將用以形成樹脂被膜之樹脂成分溶解於有機溶劑中而調製成溶液。此處,該樹脂成分為包含已說明之可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之樹脂成分。此時,樹脂成分之含量較好為1質量%~20質量%,更好為3質量%~15質量%,最好為3質量%~10質量%。
本實施形態之聚合物組成物中,前述樹脂成分全部可為可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子,但在不損及液晶展現能及感光性能之範圍內,亦可混合其等以外之其他聚合物。此時,樹脂成分中之其他聚合物之含量為0.5質量%~80質量%,較好為1質量%~50質量%。
該等其他聚合物列舉為例如由聚(甲基)丙烯酸酯或聚醯胺酸或聚醯亞胺等所成之不為可展現液晶性之感光性側鏈型高分子的聚合物等。
本發明所用之聚合物組成物中使用之有機溶劑只要能使樹脂成分溶解之有機溶劑即無特別限制。其具體例列舉
於下。
N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-甲基己內醯胺、2-吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮、N-乙烯基吡咯啶酮、二甲基亞碸、四甲基脲、吡啶、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、1,3-二甲基-咪唑啶酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、環己酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚等。該等可單獨使用,亦可混合使用。
本發明所用之聚合物組成物亦可含有上述(A)及(B)成分以外之成分。其例可列舉為塗佈聚合物組成物時提高膜厚均一性或表面平滑性之溶劑或化合物、提高液晶配向膜與基板之密著性之化合物等,但並不限於此。
提高膜厚均一性或表面平滑性之溶劑(弱溶劑)之具體例列舉如下。
例如,異丙醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纖素、乙基
溶纖素、丁基溶纖素、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單正丁基醚、丙二醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙基醚、乙基異丁基醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁基醚、二異丁基酮、甲基環己烯、丙基醚、二己基醚、1-己醇、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙基醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇單乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲基醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙基醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯、乳酸異戊酯等具有低表面張力之有機溶劑等。
該等弱溶劑可使用1種亦可混合複數種使
用。使用如上述之溶劑時,較好為以不使聚合物組成物中所含溶劑整體之溶解性顯著下降之方式,為溶劑全體之5質量%~80質量%,更好為20質量%~60質量%。
作為提高膜厚均一性或表面平滑性之化合物列舉為氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑及非離子系界面活性劑等。
更具體列舉為例如EF TOP(註冊商標)EF301、EF303、EF352(TOKEMU PRODUCTS公司製)、MEGAFAC(註冊商標)F171、F173、R-30(DIC公司製)、FLORARD FC430、FC431(住友3M公司製)、ASAHI GUARD(註冊商標)AG710(旭硝子公司製)、SURFLON(註冊商標)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(AGC Seimi Chemical公司製)等。該等界面活性劑之使用比例相對於聚合物組成物中含有之樹脂成分之100質量份,較好為0.01質量份~2質量份,更好為0.01質量份~1質量份。
作為提高液晶配向膜與基板之密著性之化合物之具體例列舉為如下所示之含有官能性矽烷之化合物等。
列舉為例如3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧羰
基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧羰基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、N-三甲氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、10-三甲氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、乙酸9-三甲氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、乙酸9-三乙氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、N-苄基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苄基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。
再者,除了提高基板與液晶配向膜之密著性以外,為防止構成液晶顯示元件時因背光造成之電特性下降等,亦可於聚合物組成物中含有如下之酚醛塑料(phenoplast)系或含環氧基之化合物之添加劑。以下列示具體之酚醛塑料系添加劑,但並不限於該構造。
具體之含有環氧基之化合物例示為乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油
醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、丙三醇二縮水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-間-二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二胺基二苯基甲烷等。
使用提高與基板之密著性之化合物時,其使用量相對於聚合物組成物中所含樹脂成分之100質量份較好為0.1質量份~30質量份,更好為1質量份~20質量份。使用量未達0.1質量份時無法期待密著性提高效果,多於30質量份時會有液晶之配向性變差之情況。
作為添加劑亦可使用光增感劑。較好為無色增感劑及三重態增感劑。
光增感劑有芳香族硝基化合物、香豆素(7-二乙胺基-4-甲基香豆素、7-羥基-4-甲基香豆素)、酮基香豆素、羰基雙香豆素、芳香族2-羥基酮、及經胺基取代之芳香族2-羥基酮(2-羥基二苯甲酮、單或二-對-(二甲胺基)-2-羥基二苯甲酮)、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮、苯并蒽酮、噻唑啉(2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘并噻唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(α-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉、2-(對-氟苯甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉)、噁唑
啉(2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘基噁唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(α-萘甲醯基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(β-萘甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(對-氟苯甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉)、苯并噻唑、硝基苯胺(間-或對-硝基苯胺、2,4,6-三硝基苯胺)或硝基苊(5-硝基苊)、(2-[(間-羥基-對-甲氧基)苯乙烯基]苯并噻唑、苯甲醯基烷基醚、N-烷基化酞酮(phthalone)、苯乙酮縮酮(2,2-二甲氧基苯基乙酮)、萘、蒽(2-萘甲醇、2-萘羧酸、9-蒽甲醇及9-蒽羧酸)、苯并吡喃、偶氮吲哚啶、呋喃香豆素等。
較好為芳香族2-羥基酮(二苯甲酮)、香豆素、酮香豆素、羰基雙香豆素、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮及苯乙酮縮酮。
聚合物組成物中除上述者以外,只要不損及本發明效果之範圍,亦可添加介電體或導電物質以改變液晶配向膜之介電率或導電性等電特性,進而亦可添加交聯性化合物以提高作成液晶配向膜時之膜硬度或緻密度。
將上述聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用導電膜之基板上之方法並無特別限制。
塗佈方法在工業上一般係以網版印刷、平版印刷、柔版印刷或噴墨法等進行之方法。至於其他塗佈方法有浸漬法、輥塗佈法、狹縫塗佈法、旋塗法(旋轉塗佈法)或噴
佈法等,可依據目的而使用該等。
將聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用導電膜之基板上後,可利用加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段,在50~200℃、較好50~150℃下使溶劑蒸發獲得塗膜。此時之乾燥溫度較好低於側鏈型高分子之液晶相展現溫度。
塗膜厚度太厚時,液晶顯示元件之消耗電力方面變得不利,太薄時會有液晶顯示元件之信賴性下降之情況,故較好為5nm~300nm,更好為10nm~150nm。
又,〔I〕步驟後,接續〔II〕步驟之前,亦可設有將形成有塗膜之基板冷卻至室溫之步驟。
步驟〔II〕係對步驟〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線。對塗膜之膜面照射偏光之紫外線時,係對基板自一定方向透過偏光板照射偏光之紫外線。使用之紫外線可使用波長100nm~400nm範圍之紫外線。較好,依據使用之塗膜種類,透過濾波器等選擇最適當波長。而且,例如以可選擇性誘發光交聯反應之方式,選擇使用波長290nm~400nm之範圍之紫外線。紫外線可使用例如自高壓水銀燈發射之光。
偏光之紫外線的照射量與使用之塗膜有關。照射量較好成為該塗膜中實現與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之紫外線之吸光度與垂直方向之紫外線吸光度之
差即△A的最大值(以下亦稱為△Amax)之偏光紫外線之量的1%~70%之範圍內,更好成為1%~50%之範圍內。
步驟〔III〕係加熱於步驟〔II〕中經偏光之紫外線照射之塗膜。藉由加熱,可對塗膜賦予配向控制能。
加熱可使用加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段。加熱溫度可考慮所使用之塗膜之展現液晶性之溫度加以決定。
加熱溫度較好在側鏈型高分子展現液晶性之溫度(以下稱為液晶展現溫度)之溫度範圍內。如塗膜之薄膜表面之情況下,塗膜表面之液晶展現溫度預估低於以整體觀察可展現液晶性之感光性側鏈型高分子時之液晶展現溫度。因此,加熱溫度更好在塗膜表面之液晶展現溫度之溫度範圍內。亦即,偏光紫外線照射後之加熱溫度之溫度範圍較好為將比使用之側鏈型高分子之液晶展現溫度之溫度範圍下限低10℃之溫度設為下限,將比其液晶溫度範圍上限低10℃之溫度設為上限之範圍的溫度。加熱溫度低於上述溫度範圍時,會有塗膜中藉由熱所致之異向性增幅效果不足之傾向,且加熱溫度過於高於上述溫度範圍時,會有塗膜之狀態接近等向性之液體狀態(等向相)之傾向,該情況下,難以利用自我組織化於一方向再配向。
又,液晶展現溫度係指使側鏈型高分子或塗膜表面自固體相轉移至液晶相時之玻璃轉移溫度(Tg)以上,係引
起自液晶相相轉移至各向同(isotropic)相(等向相)之各向同相轉移溫度(Tiso)以下之溫度。
加熱後所形成之塗膜厚度,基於步驟〔I〕所記述之相同理由,較好為5nm~300nm,更好為50nm~150nm。
藉由具有以上步驟,本發明之製造方法可高效率地實現對塗膜之異向性導入。而且,可高效率地製造附液晶配向膜之基板。
[IV]步驟係使〔III〕中獲得之於橫向電場驅動用之導電膜上具有液晶配向膜基板(第1基板),與同樣以上述〔I’〕~〔III’〕中獲得之不具有導電膜之附液晶配向膜基板(第2基板),以隔著液晶使兩者之液晶配向膜相對之方式對向的配置,以習知方法製作液晶胞,而製作橫向電場驅動型液晶顯示元件之步驟。又,步驟〔I’〕~〔III’〕係除了於步驟〔I〕中,使用不具有該橫向電場驅動用導電膜之基板替代具有橫向電場驅動用導電膜之基板以外,可與步驟〔I〕~〔III〕同樣進行。步驟〔I〕~〔III〕與步驟〔I’〕~〔III’〕之差異點由於僅上述導電膜之有無,故省略步驟〔I’〕~〔III’〕之說明。
若列舉液晶胞或液晶顯示元件製作之一例,則係準備上述第1及第2基板,將隔離物散佈在一片基板之液晶配向膜上,以使液晶配向膜面成為內側之方式,貼合另一片基板,減壓注入液晶並密封之方法,或者將液晶
滴加於散佈有隔離物之液晶配向膜面後貼合基板且進行密封之方法等。此時,一面之基板較好使用具有如橫向電場驅動用之梳齒構造之電極的基板。此時之隔離物直徑較好為1μm~30μm,更好為2μm~10μm。該隔離物直徑將決定夾持液晶層之一對基板間距離,亦即液晶層厚度。
本發明之附塗膜基板之製造方法係將聚合物組成物塗佈於基板上形成塗膜後,照射偏光之紫外線。接著,藉由進行加熱而高效率地實現對側鏈型高分子膜導入異向性,而製造具備液晶之配向控制能之附液晶配向膜之基板。
本發明所用之塗膜係利用藉由基於側鏈之光反應與液晶性之自我組織化引起之分子再配向原理,實現對塗膜之高效率異向性導入。本發明之製造方法,於側鏈型高分子具有光交聯性基作為光反應性基之構造時,係使用側鏈型高分子於基板上形成塗膜後,照射偏光之紫外線,接著進行加熱後製作液晶顯示元件。
以下,將使用具有光交聯性基作為光反應性基之構造之側鏈型高分子而實施之形態稱為第1形態,將使用具有光弗萊斯重排基或引起異構化之基作為光反應性基之構造之側鏈型高分子而實施之形態稱為第2形態加以說明。
圖1係示意性說明本發明之第1形態中,使用具有光交聯性基作為光反應性基之構造之側鏈型高分子之液晶配向膜的製造方法中之異向性導入處理之一例的
圖。圖1(a)係示意性顯示偏光照射前之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖1(b)係示意性顯示偏光照射後之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖1(c)係示意性顯示加熱後之側鏈型高分子膜狀態之圖,尤其是導入之異向性小之情況,亦即,本發明之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係使△A處於最大之紫外線照射量之1%~15%之範圍內時之示意圖。
圖2係示意性說明本發明之第1形態中,使用具有光交聯性基作為光反應性基之構造之側鏈型高分子之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例之圖。圖2(a)係示意性顯示偏光照射前之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖2(b)係示意性顯示偏光照射後之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖2(c)係示意性顯示加熱後之側鏈型高分子膜狀態之圖,尤其是導入之異向性大之情況,亦即,本發明之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之15%~70%之範圍內時之示意圖。
圖3係示意性說明本發明之第2形態中,使用具有光異構化性基、或以上述式(18)表示之光弗萊斯重排基作為光反應性基之構造的側鏈型高分子之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例之圖。圖3(a)係示意性顯示偏光照射前之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖3(b)係示意性顯示偏光照射後之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖3(c)係示意性顯示加熱後之側鏈型高
分子膜狀態之圖,尤其是導入之異向性小之情況,亦即,本發明之第2形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時之示意圖。
圖4係示意性說明本發明之第2形態中,使用具有以上述式(19)表示之光弗萊斯重排基作為光反應性基之構造的側鏈型高分子之液晶配向膜之製造方法中之異向性導入處理之一例之圖。圖4(a)係示意性顯示偏光照射前之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖4(b)係示意性顯示偏光照射後之側鏈型高分子膜狀態之圖,圖4(c)係示意性顯示加熱後之側鏈型高分子膜狀態之圖,尤其是導入之異向性大之情況,亦即,本發明之第2形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時之示意圖。
本發明之第1形態中,對塗膜之異向性導入處理中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~15%之範圍內時,係先於基板上形成塗膜1。如圖1(a)所示,於基板上形成之塗膜1具有側鏈2無規排列之構造。依據塗膜1之側鏈2之無規排列,側鏈2之介晶成分及感光性基亦無規配向,該塗膜1為等向性。
本發明之第1形態中,對塗膜之異向性導入處理中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之15%~70%之範圍內時,係先於基板上形成
塗膜3。如圖2(a)所示,於基板上形成之塗膜3具有側鏈4無規排列之構造。依據塗膜3之側鏈4之無規排列,側鏈4之介晶成分及感光性基亦無規配向,該塗膜2為等向性。
本發明之第2形態中,對塗膜之異向性導入處理中,使用利用具有光異構化性基、或以上述式(18)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之液晶配向膜時,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,係先於基板上形成塗膜5。如圖3(a)所示,於基板上形成之塗膜5具有側鏈6無規排列之構造。依據塗膜5之側鏈6之無規排列,側鏈6之介晶成分及感光性基亦無規配向,該側鏈型高分子膜5為等向性。
本發明之第2形態中,對塗膜之異向性導入處理中,使用利用具有以上述式(19)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之液晶配向膜時,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,係先於基板上形成塗膜7。如圖4(a)所示,於基板上形成之塗膜7具有側鏈8無規排列之構造。依據塗膜7之側鏈8之無規排列,側鏈8之介晶成分及感光性基亦無規配向,該塗膜7為等向性。
本實施之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~15%之範圍內時,對該等向性之塗膜1,照射偏光之紫外線。亦即,如
圖1(b)所示,排列於與紫外線之偏光方向平行之方向的側鏈2中之具有感光性基之側鏈2a之感光性基優先引起二聚化反應等之光反應。結果,進行光反應之側鏈2a之密度僅在照射紫外線之偏光方向變高,結果對塗膜1賦予非常小的異向性。
本實施之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之15%~70%之範圍內時,對該等向性之塗膜3,照射偏光之紫外線。若如此,則如圖2(b)所示,排列於與紫外線之偏光方向平行之方向的側鏈4中之具有感光性基之側鏈4a之感光性基優先引起二聚化反應等之光反應。結果,進行光反應之側鏈4a之密度僅在照射紫外線之偏光方向變高,結果對塗膜3賦予非常小的異向性。
本實施之第2形態中,使用利用具有光異構化性基、或以上述式(18)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之液晶配向膜,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,對該等向性之塗膜5,照射偏光之紫外線。若如此,則如圖3(b)所示,排列於與紫外線之偏光方向平行之方向之側鏈6中之具有感光性基之側鏈6a之感光性基優先引起光弗萊斯重排等之光反應。結果,進行光反應之側鏈6a之密度僅在照射紫外線之偏光方向變高,結果對塗膜5賦予非常小的異向性。
本實施之第2形態中,使用利用具有以上述
式(19)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之塗膜,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,對該等向性之塗膜7,照射偏光之紫外線。若如此,則如圖4(b)所示,排列於與紫外線之偏光方向平行之方向之側鏈8中之具有感光性基之側鏈8a之感光性基優先引起光弗萊斯重排等之光反應。結果,進行光反應之側鏈8a之密度僅在照射紫外線之偏光方向變高,結果對塗膜7賦予小的異向性。
其次,本實施之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~15%之範圍內時,加熱偏光照射後之塗膜1,成為液晶狀態。若如此,則如圖1(c)所示,塗膜1在與照射紫外線之偏光方向平行方向及垂直方向之間,產生之交聯反應之量不同。該情況下,由於與照射紫外線之偏光方向平行方向產生之交聯反應之量非常小,故該交聯反應部位發揮作為可塑劑之作用。因此,與照射紫外線之偏光方向垂直之方向之液晶性高於平行方向之液晶性,於與照射紫外線之偏光方向平行之方向進行自我組織化使含介晶成分之側鏈2再配向。結果,藉光交聯反應引起之塗膜1之非常小的異向性因熱而增大,對塗膜1賦予更大之異向性。
同樣地,本實施之第1形態中,〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之15%~70%之範圍內時,加熱偏光照射後之塗膜3,成為液晶狀態。若如此,則如圖2(c)所示,側鏈型高分子膜3在與照
射紫外線之偏光方向平行方向與垂直方向之間,產生之交聯反應之量不同。因此,於與照射紫外線之偏光方向平行之方向進行自我組織化使含介晶成分之側鏈4再配向。結果,藉光交聯反應引起之塗膜3之小的異向性因熱而增大,對塗膜3賦予更大的異向性。
同樣地,本實施之第2形態中,使用利用具有光異構性基、或以上述式(18)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之塗膜,於〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,加熱偏光照射後之塗膜5,成為液晶狀態。若如此,則如圖3(c)所示,塗膜5在與照射紫外線之偏光方向平行方向及垂直方向之間,產生之光弗萊斯重排反應之量不同。該情況下,於與照射紫外線之偏光方向垂直方向產生之弗萊斯重排體之液晶配向力比反應前之側鏈之液晶配向力更強,故於與照射紫外線之偏光方向垂直方向進行自我組織化使含介晶成分之側鏈6再配向。結果,藉光弗萊斯重排反應引起之塗膜5之非常小的異向性因熱而增大,對塗膜5賦予更大的異向性。
同樣地,本實施之第2形態中,使用利用具有以上述式(19)表示之光弗萊斯重排基之構造之側鏈型高分子之塗膜,於〔II〕步驟之紫外線照射量係△A處於最大之紫外線照射量之1%~70%之範圍內時,加熱偏光照射後之塗膜7,成為液晶狀態。若如此則如圖4(c)所示,側鏈型高分子膜7在與照射紫外線之偏光方向平行方
向及垂直方向之間,產生之光弗萊斯重排反應之量不同。由於光弗萊斯重排體8(a)之錨定力比重排前之側鏈8更強,故產生某一定量以上之光弗萊斯重排體時,於與照射紫外線之偏光方向平行方向進行自我組織化使含介晶成分之側鏈8再配向。結果,藉光弗萊斯重排反應引起之塗膜7之小的異向性因熱而增大,對塗膜7賦予更大的異向性。
因此,本發明之方法中使用之塗膜藉由依序進行對塗膜照射偏光紫外線與加熱處理,而高效率地導入異向性,可成為配向控制能優異之液晶配向膜。
因此,對本發明之方法所用之塗膜而言,使對塗膜之偏光紫外線之照射量與加熱處理之加熱溫度最適化。藉此可更高效率地實現對塗膜之異向性導入。
高效率地對本發明所用之塗膜導入異向性時之最適偏光紫外線之照射量係對應於該塗膜中使感光性基進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗萊斯重排反應之量最適之偏光紫外線之照射量。對本發明所用之塗膜照射偏光之紫外線之結果,進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗萊斯重排反應之側鏈之感光性基少時,無法成為充分之光反應性。該情況下,即使隨後加熱仍無法進行充分之自我組織化。另一方面,本發明所用之塗膜中,對於具有光交聯性基之構造照射偏光之紫外線之結果,經交聯反應之側鏈的感光性基過量時,側鏈間之交聯反應過度進行。該情況下,所得塗膜變得剛直,會有妨礙隨後之藉加
熱之自我組織化進行之情況。且,本發明所用之塗膜中,對具有弗萊斯重排基之構造照射偏光之紫外線之結果,經光弗萊斯重排反應之側鏈之感光性基變得過量時,塗膜之液晶性過度降低。該情況下,所得膜之液晶性亦降低,會有妨礙隨後藉加熱之自我組織化進行之情況。再者,對於具有光弗萊斯重排基之構造照射偏光之紫外線時,紫外線之照射量太多時,側鏈型高分子會光分解,而有妨礙隨後之藉加熱之自我組織化進行之情況。
因此,本發明所用之塗膜中,藉由偏光紫外線之照射使側鏈之感光性基進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗萊斯重排反應之最適量較好係成為其側鏈型高分子膜具有之感光性基之0.1莫耳%~40莫耳%,更好為0.1莫耳%~20莫耳%。藉由使進行光反應之側鏈之感光性基的量落在該範圍,可使隨後之藉加熱處理之自我組織化有效地進行,可於膜中高效率地形成異向性。
本發明之方法所用之塗膜藉由偏光之紫外線之照射量最適化,而使側鏈型高分子膜之側鏈中之感光性基之光交聯反應或光異構化反應、或光弗萊斯重排反應之量最適化。因此,與隨後之加熱處理一起,可高效率地實現對本發明所用之塗膜導入異向性。該情況下,關於較佳之偏光紫外線之量,可基於本發明所用之塗膜之紫外線吸收之評價進行。
亦即,針對本發明所用之塗膜,分別測定偏光紫外線照射後之與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之
紫外線吸收、及垂直方向之紫外線吸收。由紫外線吸收之測定結果,評價該塗膜中之與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之紫外線吸光度及垂直方向之紫外線吸光度之差的△A。接著,求出本發明所用塗膜中實現之△A之最大值(△Amax)與實現其之偏光紫外線之照射量。本發明之製造方法中,以實現該△Amax之偏光紫外線照射量作為基準,可決定液晶配向膜之製造中照射之較佳量的偏光紫外線量。
本發明之製造方法中,較好將對本發明所用之塗膜之偏光紫外線之照射量設為實現△Amax之偏光紫外線之量的1%~70%之範圍內,更好設為1%~50%之範圍內。本發明所用之塗膜中,實現△Amax之偏光紫外線之量的1%~50%之範圍內之偏光紫外線之照射量相當於使該側鏈型高分子膜具有之感光性基全體之0.1莫耳%~20莫耳%進行光交聯反應之偏光紫外線之量。
由上述,以本發明之製造方法,為了實現對塗膜之高效率之異向性導入,而以該側鏈型高分子之液晶溫度範圍作為基準,如上述般決定較佳之加熱溫度即可。因此,例如本發明所用之側鏈型高分子之液晶溫度範圍為100℃~200℃時,宜將偏光紫外線照射後之加熱溫度設為90℃~190℃。如此,對本發明所用之塗膜賦予更大的異向性。
如此,由本發明提供之液晶顯示元件顯示對光或熱等之外部應力之高的信賴性。
如上述,以本發明之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用基板或具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件成為信賴性優異者,可較好地利用於大畫面且高精細之液晶電視等中。
以下,利用實施例說明本發明,但本發明並不受限於該實施例。
實施例中使用之甲基丙烯酸單體MA1~MA5示於以下。
又,MA1及M2分別如下述合成。亦即,MA1係以專利文獻(WO2011-084546)所記載之合成法合成。MA2係以專利文獻(日本特開平9-118717)所記載之合成法合成。
MA3係使用可市售購入者。
MA4係使用可市售購入之M6BC(MIDORI化學股份有限公司製)。
MA5為文獻等未公開之新穎化合物。MA5係使用MA2及MA5-1合成,其細節說明於下述之「<化合物MA5之合成>」中。又,MA5-1係以文獻(Liquid Crystals(2005),32(8),1031-1044)所記載之合成法合成。
此外,本實施例中使用之試藥之簡寫示於以下。
(有機溶劑)
THF:四氫呋喃
NMP:N-甲基-2-吡咯啶酮
BC:丁基溶纖素
(有機合成試藥)
EDC:1-(3-二甲胺基丙基)-3-乙基碳二醯亞胺鹽酸鹽
DMAP:4-二甲胺基吡啶
(聚合起始劑)
AIBN:2,2’-偶氮雙異丁腈
於500mL四頸燒瓶中添加化合物MA2(20.00g,65.3mmol)、化合物MA5-1(14.09g,71.8mmol)、EDC(15.02g,78.4mmol)、DMAP(0.80g,6.53mmol)、THF(200g),在23℃進行反應。以HPLC進行反應追蹤,確認反應結束後,將反應溶液注入蒸餾水(1.2L)中,添加乙酸乙酯(2L),以分液操作去除水層。有機層以蒸餾水(500mL)洗淨3次後,以硫酸鎂使有機層乾燥。隨後,進行過濾,以蒸發器餾除溶劑,獲得油狀化合物之化合物MA5-2。接著,於所得化合物MA5-2中添加吡啶鎓對-甲苯磺酸(表記為PPTS)(1.59g,6.3mmol)、乙醇(100g),且在60℃進行加熱攪拌。以HPLC進行反應追蹤,確認反應結束後,以冰浴使反應溶液冷卻,且過濾析出之固體,以乙醇洗淨。所得固體經減壓乾燥,獲得19.2g(收率69%)之化合物MA5。
1H-NMR(400MHz,CDCl3,δ ppm):8.22-8.18(2H,m),8.17-8.14(2H,m),7.36-7.32(2H,m),7.00-6.96(2H,m),6.12-6.11(1H,m),5.57-5.55(1H,m),4.20-4.16(2H,m),4.06(2H,t),1.96-1.95(3H,m),1.90-1.46(8H,m)。
將MA1(1.99g,6.0mmol)、MA2(7.35g,24.0mmol)、MA3(0.33g,1.5mmol)溶解於THF(85.45g)中,以隔膜泵(diaphragm pump)進行脫氣後,添加AIBN(0.246g,1.5mmol)並進行再脫氣。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(2000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在室溫攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配向劑溶液A1。
將MA1(9.97g,30.0mmol)、MA3(0.41g,1.8mmol)、MA4(11.47g,30.0mmol)溶解於THF(126.7g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.49g,3.0mmol)並進行再脫氣且進行氮氣置換。隨後
在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(4000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在40℃攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配向劑溶液A2。
將MA1(9.97g,30.0mmol)、MA3(0.41g,1.8mmol)、MA5(12.79g,30mmol)溶解於THF(134.1g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.49g,3.0mmol)並進行再脫氣且進行氮氣置換。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(4000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在室溫攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配向劑溶液A3。
使用合成例1中獲得之液晶配向劑A1,以下述所示之順序進行液晶胞之製作。基板為30mm×40mm大小且厚
度0.7mm之玻璃基板,且使用配置使ITO膜經圖型化形成之梳齒狀之像素電極者。
像素電極具有複數排列有中央部分彎曲、ㄑ字形狀之電極要件而構成之梳齒狀形狀。各電極要件之短邊方向寬度為10μm,電極要件間之間隔為20μm。形成各像素之像素電極由於係複數排列有中央部分彎曲之ㄑ字形狀之電極要件之構成,故各像素之形狀並非長方形狀,而係具備與電極要件同樣於中央部分彎曲的粗體之類似ㄑ字之形狀。
各像素具有以其中央之彎曲部分為界而上下分割之彎曲部分之上側的第1區域與下側之第2區域。比較各像素之第1區域與第2區域時,成為構成其等之像素電極之電極要件之形成方向不同者。亦即,以後述之液晶配向膜之配向處理方向為基準時,像素之第1區域形成為像素電極之電極要件成為+15°之角度(順時針),像素之第2區域形成為像素電極之電極要件成為-15°之角度(順時針)。亦即,各像素之第1區域與第2區域係藉由像素電極與對向電極之間之施加電壓而引發之液晶於基板面內之旋轉動作(橫向切換,in plane switching)之方向互為相反方向之方式構成。
將合成例1中獲得之液晶配向劑A1旋塗於所準備之上述附電極之基板上。接著,以70℃之加熱板乾燥90
秒,形成膜厚100nm之液晶配向膜。接著,透過偏光板對塗膜面照射10mJ/cm2之313nm之紫外線後以140℃之加熱板加熱10分鐘,獲得附液晶配向膜之基板。且,亦對作為對向基板之未形成電極之具有高度4μm之柱狀隔離物之玻璃基板同樣形成塗膜,且施以配向處理。於其一基板之液晶配向膜上印刷密封劑(協立化學製之XN-1500T)。接著,以使液晶配向膜面所朝向之配向方向成為0°之方式貼合另一基板後,使密封劑熱硬化而製作空胞。以減壓注入法將液晶MLC-2014(Merck股份有限公司製)注入該空胞中,且密封注入口,獲得具備IPS(橫向切換)模式之液晶顯示元件之構成的液晶胞。
實施例2中,除了使用液晶配向劑A2,以200℃之加熱板加熱,實施例3中,除了使用液晶配向劑A3,以180℃之加熱板加熱以外,餘使用與實施例1相同之方法調製液晶胞。
針對如上述製造之液晶顯示元件,以光學顯微鏡觀察時,未觀察到漏光者評價為液晶配向性「良好」,觀察到漏光者評價為液晶配向性「不良」。
使用上述製作之液晶胞,在70℃溫度下施加5V之電壓60μs,測定16.67ms後之電壓且測定電壓保持率。將該初期電壓保持率設為VHR1(%)。隨後,在70℃之恆溫環境下,以頻率30Hz施加16Vpp之交流電壓168小時。隨後,使液晶胞之像素電極與對向電極之間短路後,以與上述相同之方法測定電壓保持率。將該電壓保持率設為VHR2(%)。由下述式求出電壓保持率之減少量△VHR(%),且記載於表1。
△VHR(%)=VHR1-VHR2
又,電壓保持率之測定係使用東洋技術公司製之電壓保持率測定裝置VHR-1。
實施例1之液晶配向性及VHR之結果示於表1。
將MA1(1.99g,6.0mmol)、MA2(7.35g,24.0mmol)溶解於THF(85.45g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.246g,1.5mmol)並進行再脫氣。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(2000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在室溫攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配
向劑溶液B1。除了使用以上述方法獲得之聚合物溶液作為液晶配向劑B1以外,餘與實施例1同樣調製液晶胞,測定電壓保持率及進行液晶配向性之評價。結果示於表1。
將MA1(9.97g,30.0mmol)、MA4(11.47g,30mmol)溶解於THF(124.3g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.49g,3.0mmol)並進行再脫氣且進行氮氣置換。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(4000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在40℃攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配向劑溶液B2。使用以上述方法獲得之聚合物溶液作為液晶配向劑B2。除了實施例1之加熱板之加熱溫度以200℃實施以外,餘使用相同方法調製液晶胞,測定電壓保持率且進行液晶配向性之評價。結果示於表1。
將MA1(9.97g,30.0mmol)、MA5(12.79g,30mmol)溶解於THF(131.8g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.49g,3.0mmol)並進行再脫氣且進行氮氣
置換。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於二乙基醚(4000ml)中,過濾所得沉澱物。以二乙基醚洗淨該沉澱物,在40℃之烘箱中減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末。
將NMP 54.0g添加於所得粉末6.0g中,在室溫攪拌3小時。於該溶液中添加BC(40.0g)並攪拌而獲得液晶配向劑溶液B3。使用以上述方法獲得之聚合物溶液作為液晶配向劑B3。除了實施例1之加熱板之加熱溫度在180℃實施以外,餘使用相同方法調製液晶胞,測定電壓保持率且進行液晶配向性之評價。結果示於表1。
將MA3(0.33g,10.0mmol)溶解於THF(30.9g)中,以隔膜泵進行脫氣後,添加AIBN(0.08g,0.5mmol)並進行再脫氣。隨後在50℃反應24小時,獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液T1。對該液晶配向劑溶液B150g添加0.8g之T1,獲得液晶配向劑B4。除了使用以上述方法獲得之聚合物溶液作為液晶配向劑B4以外,餘與實施例1同樣調製液晶胞,且測定電壓保持率。結果示於表1。
由表1可了解實施例1~3可形成一面顯示良好的液晶配向性一面維持良好的電特性之液晶配向膜。且,可知無MA3之比較例1、比較例2及比較例3之電壓保持率低。又,可知具有MA3但未共聚合至側鏈型高分子之比較例4未顯示良好的液晶配向性。
1‧‧‧側鏈型高分子膜
2、2a‧‧‧側鏈
Claims (16)
- 一種聚合物組成物,其係含有下列成分之聚合物組成物:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑,該(A)側鏈型高分子具有由具有環狀胺構造之第1重複單位及具有酚構造之第2重複單位所組成之群選出之至少1種重複單位,前述環狀胺構造係與氮原子鄰接之2個碳原子各具有2個以下述式(S)表示之取代基:【化1】-R 11 -X-R 12 (S)(式中,R11為單鍵或可經取代之烴基,X為單鍵、氧原子、硫原子、-CO-、-CO-O-或-O-CO-,R12為可經取代之烴基,惟,X不為單鍵時,R11及R12可相互鍵結形成環構造),前述酚構造係於對於羥基為鄰位之碳原子中之至少1個碳原子具有以上述式(S)表示之取代基。
- 如請求項1之組成物,其中(A)成分具有引起光交聯、光異構化、或光弗萊斯重排(Fries rearrangement)之感光性側鏈。
- 如請求項1或2之組成物,其中前述第1重複單 位係以下述式(1-1)表示,前述第2重複單位係以下述式(1-2)表示,
- 如請求項1~3中任一項之組成物,其中前述第1重複單位係以下述式(1-1-1)表示,前述第2重複單位係以下述式(1-2-1)表示,
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有選自由下述式(1)~(6)所組成之群之任一種感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有選自由下述式(7)~(10)所組成之群之任一種感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有選自由下述式(11)~(13)所組成之群之任一種感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有以下述式(14)或(15)表示之感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有以下述式(16)或(17)表示之感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有選自由下述式(18)或(19)所組成之群之任一種之感光性側鏈:
- 如請求項1~4中任一項之組成物,其中(A)成分具有以下述式(20)表示之感光性側鏈:
- 如請求項1~11中任一項之組成物,其中(A)成分具有選自由下述式(21)~(31)所組成之群之任一種液晶性側鏈:
- 一種具有液晶配向膜之基板之製造方法,其係前述液晶配向膜係藉由具有下列步驟而獲得賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜:〔I〕將如請求項1~12中任一項之組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上而形成塗膜之步驟;〔II〕對〔I〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;及 〔III〕使〔II〕中獲得之塗膜加熱之步驟。
- 一種基板,其具有以如請求項13之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜。
- 一種橫向電場驅動型液晶顯示元件,其具有如請求項14之基板。
- 一種液晶顯示元件之製造方法,其係藉由具有下列步驟而獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件:準備如請求項14之基板(第1基板)之步驟;獲得具有液晶配向膜之第2基板之步驟,係藉由具有下列步驟〔I’〕~〔III’〕而獲得賦予配向控制能之液晶配向膜:〔I’〕於第2基板上塗佈含有下列成分之聚合物組成物而形成塗膜之步驟:(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子,及(B)有機溶劑;〔II’〕對〔I’〕中獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟;〔III’〕使〔II’〕中獲得塗膜進行加熱之步驟;以及〔IV〕獲得液晶顯示元件之步驟,其係隔著液晶使前述第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式,使前述第1及第2基板對向配置。
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