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TW201445535A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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TW201445535A
TW201445535A TW103114654A TW103114654A TW201445535A TW 201445535 A TW201445535 A TW 201445535A TW 103114654 A TW103114654 A TW 103114654A TW 103114654 A TW103114654 A TW 103114654A TW 201445535 A TW201445535 A TW 201445535A
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TW
Taiwan
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data
transistor
supplied
power source
organic light
Prior art date
Application number
TW103114654A
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English (en)
Inventor
Hai-Jung In
Jung-Bae Kim
Bo-Yong Chung
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含：複數個畫素；一掃描驅動器；一記憶體，用以儲存一畫素資料，其包含表示該等畫素中複數個第一電晶體之臨限電壓及遷移率之資訊；一定時控制器，用以修改一第一資料之一或多個位元以產生一第二資料，第一資料係因應於畫素資料而被修改；一資料驅動器，用以根據第二資料而產生複數個資料訊號；以及一控制驅動器，用以供應一第一控制訊號至一第一控制線及供應一第二控制訊號至一第二控制線，第一控制線共同耦合至該等畫素，其中各畫素用以儲存一當前訊框之一資料訊號並對應於一前一訊框之一資料訊號而發光。

Description

有機發光顯示裝置
本文所述之一或多個實施例係關於一種顯示裝置。
已開發出各種類型之平面顯示裝置。該等裝置就重量及效能而言優於陰極射線管(cathode ray tube；CRT)裝置。一種類型之平面顯示裝置係為有機發光顯示裝置。此種裝置利用有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示影像，而該等有機發光二極體基於一主動層(active layer)中電子與電洞之複合而發光。有機發光顯示裝置具有高的響應速度且驅動能耗低。
根據一個實施例，一種有機發光顯示裝置包含：複數個畫素，位於由複數個掃描線及複數個資料線所界定之複數個區域中；一掃描驅動器，用以驅動該等掃描線；一記憶體，用以儲存一畫素資料，該畫素資料包含表示該等畫素中複數個第一電晶體之臨限電壓及遷移率(mobility)之資訊；一定時控制器(timing controller)，用以修改一第一資料之一或多個位元以產生一第二資料，該第一資料係因應於該畫素資料而被修改；一資料驅動器，用以根據該第二資料而產生複數個資料訊號，並供應該等資 料訊號至該等資料線；以及一控制驅動器，用以供應一第一控制訊號至一第一控制線及供應一第二控制訊號至一第二控制線，該第一控制線共同耦合至該等畫素。各該畫素用以儲存一當前訊框之一資料訊號並因應於自一第一電源經由一有機發光二極體流至一第二電源之一電流量而發光，該電流量對應於一前一訊框之一資料訊號。
該定時控制器可產生該第二資料，以補償該等畫素中該等第一電晶體之該等臨限電壓及該等遷移率。
該顯示裝置可更包含一第一電源產生器，用以產生該第一電源；以及一第二電源產生器，用以產生該第二電源。
該控制驅動器可用以在一訊框之一第一週期期間供應該第一控制訊號並在該訊框之一第二週期期間供應該第二控制訊號。
該掃描驅動器可在該訊框之一第三週期期間依序供應複數個掃描訊號至該等掃描線，以及該資料驅動器可與該等掃描訊號同步地供應該等資料訊號至該等資料線。
該資料驅動器可在該第一週期期間依序供應一偏置電壓(bias voltage)及一參考電壓至該等資料線。
該偏置電壓可係為一用以關斷該等第一電晶體之一關斷偏置電壓(off-bias voltage)或一用以導通該等第一電晶體之一導通偏置電壓(on-bias voltage)。
該第一電源產生器或該第二電源產生器至少其中之一可控制該第一電源或該第二電源之一電壓，俾使該等畫素在供應該偏置電壓之一週期期間不發光。
各該畫素可包含：一有機發光二極體，具有一陰極，該陰極耦合至該第二電源；一畫素電路，用以控制因應於該前一訊框之資料訊號而被供應至該有機發光二極體之一電流量；以及一驅動器，用以儲存一當前訊框之資料訊號以及遞送該前一訊框之資料訊號至該畫素電路，其中該畫素電路包含：一第一電晶體，具有一閘極、一第一電極及一第二電極，該閘極耦合至一第一節點，該第一電極耦合至該第一電源，該第二電極耦合至該有機發光二極體之一陽極；一第二電晶體，耦合於該第一節點與該等資料線之間，並在供應該第一控制訊號時被導通；以及一第一電容器，耦合於該第一節點與該第一電源之間。
該驅動器可包含一第三電晶體，耦合至該等資料線及該第二節點，並在供應一掃描訊號時被導通；一第四電晶體，耦合於該第二節點與該第一節點之間，並在供應該第二控制訊號時被導通；以及一第二電容器，耦合於該第二節點與一初始電源之間。
110‧‧‧掃描驅動器
120‧‧‧控制驅動器
130‧‧‧資料驅動器
140‧‧‧畫素單元
142‧‧‧畫素
144‧‧‧畫素電路
144’‧‧‧畫素電路
146‧‧‧驅動器
146’‧‧‧驅動器
150‧‧‧定時控制器
160‧‧‧記憶體
170‧‧‧第一電源產生器
180‧‧‧第二電源產生器
C1‧‧‧第一電容器
C1’‧‧‧第一電容器
C2‧‧‧第二電容器
C2’‧‧‧第二電容器
CL1‧‧‧第一控制線
CL2‧‧‧第二控制線
D1~Dm‧‧‧資料線
Data1‧‧‧第一資料
Data2‧‧‧第二資料
DS‧‧‧資料訊號
DS(R)‧‧‧參考資料訊號
ELVDD‧‧‧第一電源
ELVSS‧‧‧第二電源
M1‧‧‧第一電晶體
M1’‧‧‧第一電晶體
M2‧‧‧第二電晶體
M2’‧‧‧第二電晶體
M3‧‧‧第三電晶體
M3’‧‧‧第三電晶體
M4‧‧‧第四電晶體
M4’‧‧‧第四電晶體
N1‧‧‧第一節點
N1’‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
N2’‧‧‧第二節點
OLED‧‧‧有機發光二極體
S1~Sn‧‧‧掃描線
T1‧‧‧第一週期
T2‧‧‧第二週期
T3‧‧‧第三週期
Vbias‧‧‧偏置電壓
Vint‧‧‧初始電源
Vref‧‧‧參考電壓
藉由參照圖式詳細闡述實例性實施例，本發明之特徵對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將變得容易瞭解，在圖式中：第1圖例示一有機發光顯示裝置之一實施例；第2圖例示第1圖所示裝置中之一畫素之一實施例；第3圖例示第2圖所示畫素之驅動波形之一第一實施例，該等驅動波形係在用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加；第4圖係為根據第一實施例例示驅動波形之一波形圖；第5圖係為例示驅動波形之一第二實施例之一波形圖； 第6圖係為例示驅動波形之一第三實施例之一波形圖；第7圖例示一畫素之另一實施例；第8圖例示第7圖所示畫素之驅動波形之一實施例，該等驅動波形係在用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加；第9圖例示驅動波形之另一實施例，該等驅動波形對應於用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期；第10圖例示驅動波形之另一實施例，該等驅動波形對應於用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期；以及第11圖例示驅動波形之另一實施例，該等驅動波形對應於用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期。
以下將參照圖式更充分地闡述實例性實施例；然而，本發明可實施為諸多不同形式，而不應被視為僅限於本文中所述之實施例。更確切而言，提供該等實施例係為了使本發明之揭露內容透徹且完整，並向所屬技術領域中具有通常知識者充分傳達實例性實施方案。
在圖式中，層及區域之尺寸可能為清晰地例示而誇大。應理解，當闡述一元件「位於」二個元件「之間」時，其可為該二個元件間之唯一元件，亦或可存在一或多個中間元件。通篇中相同之參考編號指代相同之元件。
第1圖例示一有機發光顯示裝置之一實施例，該有機發光顯示裝置包含一掃描驅動器10、一控制驅動器120、一資料驅動器130、一畫 素單元140、一定時控制器150、一記憶體160、一第一電源產生器170、以及第二電源產生器180。
掃描驅動器110供應複數個掃描訊號至掃描線S1-Sn。舉例而言，掃描驅動器110(其一實施例例示於第4圖中)可在一個訊框1F之一第三週期T3期間依序供應該等掃描訊號至該等掃描線S1-Sn。該等掃描訊號被設置成使包含於畫素142中之電晶體可被導通之一電壓。舉例而言，該等掃描訊號在當畫素142包含P溝道型金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體時被設置為一低電壓，以及在當畫素142包含n溝道型金屬氧化物半導體(NMOS)電晶體時被設置為一高電壓。
控制驅動器120分別供應一第一控制訊號至一第一控制線CL1及一第二控制訊號至一第二控制線CL2，該第一控制線CL1共同耦合至各別畫素142。舉例而言，控制驅動器120在一個訊框1F之一第一週期T1期間供應第一控制訊號，並在一第二週期T2期間供應第二控制訊號。
資料驅動器130被提供第二資料(data2)，並因應於該第二資料(data2)而產生資料訊號。在一個訊框1F之一第三週期T3期間，資料驅動器130供應資料訊號至資料線D1-Dm，以與欲被供應至掃描線S1-Sn之掃描訊號同步。資料驅動器130在第一週期T1之一部分期間供應一偏置電壓Vbias至資料線D1-Dm，並在第一週期T1之剩餘部分期間供應一參考電壓Vref。偏置電壓Vbias被設置成使分別包含於該等畫素142中之驅動電晶體可被導通(一導通偏置電壓)或關斷(一關斷偏置電壓)之一電壓。參考電壓Vref係用以初始化驅動電晶體之一閘極，且被設置成一預定電壓。舉例而言，參考電壓Vref可被設置成相同於偏置電壓Vbias之電壓。
畫素單元140包含位於由掃描線S1至Sn及資料線D1至Dm所 界定之區域中之畫素142。該等畫素142在第三週期T3期間對一當前訊框之資料訊號(當前資料訊號)充電，並同時因應於一前一訊框之資料訊號(先前資料訊號)而發光。該等畫素142在第三週期T3期間因應於該等先前資料訊號而控制自一第一電源ELVDD經由一有機發光二極體流至一第二電源ELVSS之一電流量。
記憶體160儲存畫素資料，該畫素資料包含分別包含於該等畫素142中之驅動電晶體之臨限電壓及遷移率有關之資訊。該畫素資料可被儲存於記憶體160中，舉例而言，在面板裝運之前進行儲存。
第一電源產生器170產生第一電源ELVDD並供應所產生之第一電源ELVDD至該等畫素142。第一電源產生器170可根據一驅動方法而在一個訊框1F中供應處於一預定(例如：高或低)電壓、或在不同時刻處於一高電壓及一低電壓之第一電源ELVDD。第一電源ELVDD之高電壓可係能夠使該等畫素142發光之一電壓。第一電源ELVDD之低電壓可係使該等畫素142不發光之一電壓。
第二電源產生器180產生第二電源ELVSS並供應所產生之第二電源ELVSS至該等畫素142。第二電源產生器180可根據一驅動方法而在一個訊框週期1F期間供應處於一預定(例如：高或低)電壓、或在不同時間處於一高電壓及一低電壓之第二電源ELVS。第二電源ELVSS之高電壓可係使該等畫素142不發光之一電壓。第二電源ELVSS之低電壓可係能夠使該等畫素142發光之一電壓。
定時控制器150修改自一外部來源供應之第一資料之位元，以因應於畫素資料而產生第二資料data2。第二資料data2可被產生俾使分別包含於該等畫素142中之驅動電晶體之臨限電壓及遷移率可得到補償。此 外，定時控制器150可因應於自一外部來源供應之同步訊號而控制掃描驅動器110、控制驅動器120、資料驅動器130、第一電源產生器170、及第二電源產生器180。
在第1圖中，顯示控制線CL1及CL2被耦合至控制驅動器120。然而，控制線CL1及CL2在其他實施例中可被耦合至掃描驅動器110。
第2圖例示一畫素之一實施例，舉例而言，該畫素可代表包含於第1圖所示畫素中之畫素。在第2圖中，為方便起見，將例示耦合至第n掃描線Sn及第m資料線Dm之一畫素。
參照第2圖，畫素142包含：一有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)；一畫素電路144，用以控制供應至有機發光二極體之一電流量以對應於一前一資料訊號；以及一驅動器146，用以儲存一當前資料訊號。
有機發光二極體之一陽極耦合至畫素電路144，且有機發光二極體之一陰極耦合至第二電源ELVSS。有機發光二極體產生具有預定亮度之光，該預定亮度對應於自畫素電路144供應之電流量。當在第三週期T3期間發光時，第一電源ELVDD可被設置成具有一低電壓，而第二電源ELVSS可被設置成具有一高電壓。
畫素電路144控制被供應至有機發光二極體之電流量以對應於一前一資料訊號。畫素電路144包含第一電晶體M1至第四電晶體M4以及一第一電容器C1。
第一電晶體M1(即，一驅動電晶體)之一第一電極耦合至第一電源ELVDD，且第一電晶體M1之一第二電極耦合至有機發光二極體之 陽極。第一電晶體M1之一閘極耦合至一第一節點N1。第一電晶體M1控制被供應至有機發光二極體之電流量以對應於施加至第一節點N1之一電壓。
第二電晶體M2之一第一電極耦合至資料線Dm，且第二電晶體M2之一第二電極耦合至第一節點N1。第二電晶體M2之一閘極耦合至第一控制線CL1。當供應第一控制訊號至第一控制線CL1時，第二電晶體M2被導通以耦合資料線Dm至第一節點N1。
第一電容器C1耦合於第一節點N1與第一電源ELVDD之間。第一電容器C1充以一電壓，其對應自驅動器146供應之前一資料訊號。
驅動器146儲存自資料線Dm供應之當前資料訊號，並供應儲存於前一訊框中之前一資料訊號至畫素電路144。驅動器146包含一第三電晶體M3、一第四電晶體M4、及一第二電容器C2。
第三電晶體M3之一第一電極耦合至資料線Dm，且第三電晶體M3之一第二電極耦合至第二節點N2。第三電晶體M3之一閘極耦合至掃描線Sn。當供應掃描訊號至掃描線Sn時，第三電晶體M3被導通，以將資料訊號自資料線Dm供應至第二節點N2。
第四電晶體M4之一第一電極耦合至第二節點N2，且第四電晶體M4之一第二電極耦合至第一節點N1。第四電晶體之一閘極耦合至第二控制線CL2。當供應第二控制訊號至第二控制線CL2時，第四電晶體M4被導通，以電性耦合第二節點N2至第一節點N1。
第二電容器C2耦合於第二節點N2與一固定電源(例如：一初始電源Vint)之間。當第三電晶體M3被導通時，第二電容器C2充以對應於當前資料訊號之一電壓。
第3圖例示驅動波形之一第一實施例，該等驅動波形對應於用於儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期。可在一面板裝運之前不止一次地供應該感測週期之驅動波形至畫素單元140。
參照第3圖，為使該等畫素處於發光狀態，在感測週期期間供應第一電源ELVDD之一高電壓及第二電源ELVSS之一低電壓。為導通各別畫素142所包含之第四電晶體M4，在感測週期期間供應第二控制訊號至第二控制線CL2。在感測週期期間，供應一參考資料訊號DS(R)至該等資料線D1-Dm。參考資料訊號DS(R)被設置成一特定資料訊號，該資料訊號處於資料驅動器130能夠供應之資料訊號之一電壓範圍內。
當依序供應掃描訊號至該等掃描線S1至Sn時，位於每一水平線中之各別畫素142中之第三電晶體M3被導通。當第三電晶體M3被導通時，參考資料訊號DS(R)被供應至第一節點N1。當參考資料訊號DS(R)被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1供應電流至有機發光二極體以對應於參考資料訊號DS(R)。
所有該等畫素142在感測週期期間產生具有預定亮度之光，以對應於同一資料訊號DS(R)。此後，利用一外部量測設備量測該等各別畫素142發出之光，並產生畫素資料並且將該畫素資料儲存於記憶體160中，以使一光差異得到補償。該畫素資料包含關於該等各別畫素142中所包含之第一電晶體M1之臨限電壓及遷移率之資訊。
第4圖例示用以驅動畫素之波形之一第一實施例。參照第4圖，該一個訊框1F被劃分成第一週期T1、一第二週期T2、以及一第三週期T3。在第一週期T1期間，施加一偏置電壓Vbias至該等各別畫素142所包含之第一電晶體M1，並初始化第一節點N1。在第二週期期間，供應儲存於驅 動器146中之前一資料訊號至畫素電路144。在第三週期T3期間，將當前資料訊號儲存於驅動器146中並發光以對應於前一資料訊號。以下，將詳細闡述該操作程序。
首先，在第一週期T1及第二週期T2期間，供應第二電源ELVSS之高位準值(high value)，以使有機發光二極體處於一非發光狀態。在第一週期T1期間，供應第一控制訊號至第一控制線CL1，以及供應偏置電壓Vbias及參考電壓Vref至資料線Dm。
當供應第一控制訊號至第一控制線CL1時，第二電晶體M2被導通。當第二電晶體M2被導通時，供應至資料線Dm之偏置電壓Vbias及參考電壓Vref被依序供應至第一節點N1。
當偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1被初始化至對應於偏置電壓Vbias之一導通偏置狀態或一關斷偏置狀態。舉例而言，當導通偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1被設置於導通偏置狀態，俾使第一電晶體M1之一電壓特性曲線(voltage characteristic curve)被初始化至導通偏置狀態。當關斷偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1被設置於關斷偏置狀態，俾使第一電晶體M1之一電壓特性曲線被初始化至關斷偏置狀態。
此後，供應參考電壓Vref至第一節點N1。當供應參考電壓Vref至第一節點N1時，所有該等畫素142之第一節點N1之電壓被初始化至參考電壓Vref。此時，參考電壓Vref可被設置至與在前一週期期間供應之偏置電壓相同之電壓。
在第二週期T2期間，供應第二控制訊號至第二控制線CL2。 當供應第二控制訊號至第二控制線CL2時，第四電晶體M4被導通。當第四電晶體M4被導通時，第二節點N2被電性耦合至第一節點N1。此時，第一電容器C1充電至在第二電容器C2中所儲存之前一資料訊號之一電壓。在第二週期T2期間，第一電晶體M1之一源極(第一電極)及閘極之電壓可藉由第一電容器C1及第二電容器C2之電荷共享而被設置為方程式1。
在方程式1中，Vdata表示前一資料訊號之一電壓。因所有該等畫素142在第二週期T2期間被設置至一關斷狀態，故第一電源ELVDD不會出現電壓降。因此，在所有該等畫素142中，充至第一電容器C1之一電壓被確定成對應於第一電源ELVDD之同一電壓。
在第三週期T3期間，供應第二電源ELVSS之低位準值。然後，第一電晶體M1控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於儲存於第一電容器C1中之前一資料訊號之電壓。前一資料訊號之一電壓可使第一電晶體M1之臨限電壓及遷移率得到補償以對應於畫素資料，俾使有機發光二極體可產生具有所期望亮度之光。
此外，在第三週期T3期間，可將每一畫素142之第一電源ELVDD之電壓設置成互不相同，以對應於第一電源之電壓降。然而，第一節點N1之電壓可藉由耦合第一電容器C1而發生變化以對應於第一電源ELVSS之一電壓改變。因此，無論第一電源ELVDD之電壓降如何，皆可顯示一具有所期望亮度之影像(即，無論第一電源ELVDD之電壓降如何，方 程式1所表示之電壓皆得以保持)。
依序供應該等掃描訊號至該等掃描線S1-Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3被導通。當第三電晶體M3被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
此外，資料驅動器130利用第二資料data2產生資料訊號。第二資料data2所具有之位元被設置成補償各別畫素142所包含之第一電晶體M1間之差異以對應於畫素資料，俾可顯示一具有均勻亮度之影像。
第5圖例示在一個訊框1F中所施加之驅動波形之一第二實施例，該訊框被劃分成一第一週期T1、一第二週期T2、及一第三週期T3。
在第一週期T1之一部分期間，供應第一電源ELVDD之低位準值，以使有機發光二極體處於一非發光狀態。在第一週期T1期間，供應第一控制訊號至第一控制線CL1，並依序供應偏置電壓Vbias及參考電壓Vref至資料線Dm。偏置電壓Vbias係與第一電源ELVDD之低位準值交疊。
當供應第一控制訊號至第一控制線CL1時，第二電晶體M2被導通。當第二電晶體M2被導通時，供應至資料線Dm之偏置電壓Vbias及參考電壓Vref被依序供應至第一節點N1。
當偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1被初始化於一導通偏置狀態或一關斷偏置狀態以對應於偏置電壓Vbias。偏置電壓Vbias被設置至一能夠導通第一電晶體M1之導通偏置電壓或一能夠關斷第一電晶體M1之關斷偏置電壓。
在第一週期T1之一剩餘部分期間，供應參考電壓Vref至第一 節點N1。在第一週期T1之該剩餘部分期間，供應第一電源ELVDD之高位準值。當參考電壓Vref被供應至第一節點N1時，每一畫素142之第一節點N1之電壓被初始化至參考電壓Vref。參考電壓Vref可被設置成關斷第一電晶體M1。舉例而言，參考電壓Vref可被設置至與關斷偏置電壓相同之電壓。當在供應參考電壓Vref之一週期期間第一電晶體M1被關斷時，無用之電流可不流經有機發光二極體。
在第二週期T2期間，供應第二控制訊號至第二控制線CL2以導通第四電晶體M4。當第四電晶體M4被導通時，第二節點N2電性耦合至第一節點N1。此時，第一電容器C1充電至在第二電容器C2中所儲存之前一資料訊號之一電壓。在第二週期T2期間，藉由第一電容器C1與第二電容器C2之電荷共享，第一電晶體M1之源極(第一電極)及閘極之電壓可根據方程式1加以設置。
在第二週期T2期間，供應第一電源ELVDD之高位準值及第二電源ELVSS之低位準值。因此，第一電晶體M1控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於儲存於第一電容器C1中之前一資料訊號之電壓。因此，在第二實施例中，有機發光二極體在第二週期T2期間及第三週期T3期間發光。
在第三週期T3期間，依序供應掃描訊號至該等掃描線S1至Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3被導通。當第三電晶體M3被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
第6圖例示在一個訊框1F期間所施加之驅動波形之一第三實施例，該訊框被劃分成第一週期T1、一第二週期T2、及一第三週期T3。
在第一週期T1期間，供應第一控制訊號至第一控制線CL1以及供應偏置電壓Vbias至資料線Dm。當供應第一控制訊號至第一控制線CL1時，第二電晶體M2被導通。當第二電晶體M2被導通時，供應至資料線Dm之偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1。在此種情形中，偏置電壓Vbias被設置至使第一電晶體M1被關斷之一電壓(即，一關斷偏置電壓)。此時，在第一週期T1期間，第一電晶體M1被初始化為一關斷偏置狀態。
在第二週期T2期間，供應第二控制訊號至第二控制線CL2，以導通第四電晶體M4。當第四電晶體M4被導通時，第二節點N2電性耦合至第一節點N1。此時，第一電容器C1充以在第二電容器C2中所儲存之前一資料訊號之一電壓。在第二週期T2期間，藉由第一電容器C1與第二電容器C2之電荷共享，第一電晶體M1之源極(第一電極)及閘極之電壓可根據方程式1而設置。
在第二週期T2期間，第一電晶體M1控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於儲存於第一電容器C1中之前一資料訊號之電壓。因此，在第三實施例中，在第二週期T2及第三週期T3期間，有機發光二極體發光。
在第三週期T3期間，依序供應掃描訊號至該等掃描線S1至Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3被導通。當第三電晶體M3被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
第7圖例示一畫素142之另一實施例。在該實施例中，在先前之實施例中被包含於畫素142中之PMOS電晶體M1至M4被替換為NMOS電晶體M1’至M4’。
參照第7圖，畫素142包含一有機發光二極體OLED、一畫素電路144’、及一驅動器146’。有機發光二極體產生具有預定亮度之光，以對應於自畫素電路144’供應之一電流量。
畫素電路144’控制被供應至有機發光二極體之電流量，以對應於前一資料訊號。畫素電路144’包含一第一電晶體M1’、一第二電晶體M2’、及一第一電容器C1’。第一電容器C1’耦合於一第一節點N1’與有機發光二極體之一陽極之間。第一電容器C1’充以對應於自驅動器146’供應之前一資料訊號之一電壓。
驅動器146’儲存自資料線Dm供應之當前資料訊號並將儲存於前一訊框中之前一資料訊號供應至畫素電路144’。驅動器146’包含一第三電晶體M3’、一第四電晶體M4’、及一第二電容器C2’。
第8圖例示如第7圖中所示之一畫素之驅動波形之另一實施例，該等驅動波形係在用以儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加。第8圖中之該等驅動波形係實質相同於第3圖中之驅動波形，只是訊號之極性發生改變以驅動NMOS電晶體。
在該實施例中，在一感測週期期間供應一第二控制訊號CL2，以導通該等各別畫素142中所包含之第四電晶體M4’。在該感測週期期間，一參考資料訊號DS(R)被供應至資料線D1-Dm。
然後，依序供應掃描訊號至掃描線S1至Sn，以導通每一水平線中該等各別畫素142之第三電晶體M3’。當第三電晶體M3’被導通時，參考資料訊號DS(R)被供應至第一節點N1。當參考資料訊號DS(R)被供應至第一節點N1時，第一電晶體M1’供應電流至有機發光二極體以對應於參考 資料訊號DS(R)。
然後，利用一外部量測設備量測該等各別畫素142發出之光，並產生畫素資料且將該畫素資料儲存於記憶體160中，俾可補償光差異。該畫素資料包含關於該等各別畫素142所包含之第一電晶體M1之臨限電壓及遷移率之資訊。
第9圖例示以NMOS電晶體構建(例如：第7圖中所示)之一畫素之驅動波形之一第四實施例，該等驅動波形係在用以儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加。第9圖中之該等驅動波形係實質相同於第4圖中之驅動波形，只是訊號之極性發生改變以驅動NMOS電晶體。
參照第9圖，在一個訊框1F之一第一週期T1及一第二週期T2期間，供應第一電源ELVDD之一低位準值以使有機發光二極體處於一非發光狀態。在第一週期T1期間，供應一第一控制訊號至第一控制線CL1以導通第二電晶體M2’。當第二電晶體M2’被導通時，在第一週期T1期間被供應至資料線Dm之偏置電壓及參考電壓Vref被依序供應至第一節點N1’。
當偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1’時，第一電晶體M1’被初始化至對應於偏置電壓Vbias之一導通偏置狀態或一關斷偏置狀態。當參考電壓Vref被供應至第一節點N1’時，該等各別畫素142所包含之第一節點N1’被初始化至參考電壓Vref。參考電壓Vref可被設置至與偏置電壓Vbias相同之電壓。
在第二週期T2期間，供應一第二控制訊號至一第二控制線CL2以導通第四電晶體M4’。當第四電晶體M4’被導通時，第二節點N2’電性耦合至第一節點N1’。在此種情形中，第一電容器C1’充以在第二電容器C2 中所儲存之一前一資料訊號之一電壓。
在第三週期T3期間，供應高位準之第一電源ELVDD。然後，第一電晶體M1’控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於在第一電容器C1中儲存之前一資料訊號之電壓。
在第三週期T3期間，依序供應掃描訊號至該等掃描線S1至Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3’被導通。當第三電晶體M3’被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2’中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
第10圖例示以NMOS電晶體構建(例如：第7圖中所示)之一畫素之驅動波形之一第五實施例，該等驅動波形係在用以儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加。第10圖中之該等驅動波形實質相同於第5圖中之驅動波形，只是訊號之極性發生改變以驅動NMOS電晶體。
參照第10圖，在一個訊框1F之一部分期間，供應第二電源ELVSS之高位準值以使有機發光二極體處於一非發光狀態。在第一週期T1期間，供應第一控制訊號且第二電晶體M2’被導通。當第二電晶體M2被導通時，在第一週期T1期間供應至資料線Dm之偏置電壓Vbias及參考電壓Vref被依序供應至第一節點N1’。偏置電壓Vbias係與第二電源ELVSS之高位準值交疊。
當偏置電壓Vbias被供應至第一節點N1’時，第一電晶體M1’被初始化至一導通偏置狀態或一關斷偏置狀態以對應於偏置電壓Vbias。此後，在第一週期T1之剩餘部分期間，參考電壓Vref被供應至第一節點N1’， 俾使第一節點N1’被初始化至參考電壓。在第一週期T1之剩餘部分期間，供應第二電源ELVSS之低位準值。參考電壓Vref可被設置成關斷第一電晶體M1’或可被設置至與關斷偏置電壓相同之電壓。
在第二週期T2期間，供應第二控制訊號至第二控制線CL2以導通第四電晶體M4’。當第四電晶體M4’被導通時，第二節點N2’電性耦合至第一節點N1’。此時，第一電晶體C1’充以在第二電容器C2’中儲存之前一資料訊號之一電壓。
在第二週期T2期間，供應第一電源ELVDD之高位準值及第二電源ELVSS之低位準值。因此，第一電晶體M1’控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於在第一電容器C1’中儲存之前一資料訊號之電壓。因此，在第五實施例中，有機發光二極體在第二週期T2及第三週期T3期間發光。
在第三週期T3期間，依序供應掃描訊號至該等掃描線S1-Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3’被導通。當第三電晶體M3’被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2’中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
第11圖例示以NMOS電晶體構建(例如：第7圖中所示)之一畫素之驅動波形之一第六實施例，該等驅動波形係在用以儲存畫素資料於一記憶體中之一感測週期期間被施加。第11圖中之該等驅動波形實質相同於第6圖中之驅動波形，只是訊號之極性發生改變以驅動NMOS電晶體。
參照第11圖，在一個訊框1F之一第一週期T1期間，供應一第一控制訊號至第一控制線CL1以及供應一偏置電壓Vbias至一資料線 Dm。當供應第一控制訊號至第一控制線CL1時，第二電晶體M2’被導通。當第二電晶體M2’被導通時，偏置電壓Vbias自資料線被供應至第一節點N1’。在此種情形中，偏置電壓Vbias被設置至一使第一電晶體M1’關斷之電壓(即，關斷偏置電壓)。在此種情形中，第一電晶體M1’在第一週期T1期間被初始化至一關斷偏置狀態。
在第二週期T2期間，供應第二控制訊號至第二控制線CL2以導通第四電晶體M4’。當第四電晶體M4’被導通時，第二節點N2’電性耦合至第一節點N1’。此時，第一電容器C1’充以在第二電容器C2’中所儲存之前一資料訊號之一電壓。
在第二週期T2期間，第一電晶體M1’控制自第一電源ELVDD經由有機發光二極體流至第二電源ELVSS之一電流量，以對應於在第一電容器C1’中所儲存之前一資料訊號之電壓。因此，在一個實施例中，有機發光二極體在第二週期T2及第三週期T3期間發光。
在第三週期T3期間，依序供應掃描訊號至該等掃描線S1-Sn。當供應掃描訊號至第n掃描線Sn時，第三電晶體M3’被導通。當第三電晶體M3’被導通時，自資料線Dm供應之當前資料訊號被儲存於第二電容器C2’中。在一個實施例中，重複上述程序以達成一所期望之灰度值。
根據一或多個實施例，有機發光二極體產生具有一特定顏色之光，以對應於自驅動電晶體供應之一電流量。在另一實施例中，有機發光二極體可產生白光以對應於自驅動電晶體供應之電流量。在此種情形中，利用一獨立之濾色器達成一彩色影像。
綜上所述，一種有機發光顯示裝置包含設置於複數個資料線 與複數個掃描線之交叉處之複數個畫素、以及以矩陣形式設置之電源線。每一畫素通常包含至少二個具有一有機發光二極體之電晶體、一驅動電晶體、及至少一個電容器。
此外，在該有機發光顯示裝置中，基於該等畫素之驅動電晶體之臨限電壓之差異，電流流經該等有機發光二極體。因該等臨限電壓可能隨時間變化，故不同之電流量可流經該等有機發光二極體，並可導致顯示品質不均勻。因此，由於該等各別畫素所包含之驅動電晶體之製造因素，該等驅動電晶體之特性可能會變化。因將一有機發光顯示裝置中所包含之所有電晶體製造成具有相同特性係不現實的，故導致該等驅動電晶體存在一臨限電壓差。
儘管已考慮過對該等各別畫素添加包含複數個電晶體及複數個電容器之補償電路之方法，然而添加補償電路可能會使該等畫素之設計複雜化並可導致良率或孔徑比下降。
根據本文所述之一或多個實施例，可利用儲存於一記憶體中之畫素資料來補償每一驅動電晶體之臨限電壓及遷移率。因此，可顯示具有均勻亮度之影像。此外，可自該等畫素中省卻用以補償臨限電壓之變化之一補償電路。因此，可簡化該等畫素之結構，此可提高良率及孔徑比。此外，無論第一電源之電壓降(IR-drop)如何，該等畫素皆可顯示均勻之影像。
本文中已揭露各種實例性實施例，且儘管使用各種具體用語，但該等用語僅用於一般性及描述性意義，並非用於限制目的。在某些情形中，如在本申請案提出申請之前所屬技術領域中具有通常知識者所易知，除非明確地指明，否則結合一特定實施例所闡述之特徵、特性、及/或 元件可單獨使用或可與結合其他實施例所闡述之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，所屬技術領域中具有通常知識者應理解，在不背離由下文申請專利範圍所述之本發明之精神及範圍之條件下，可作出各種形式及細節上之變化。
110‧‧‧掃描驅動器
120‧‧‧控制驅動器
130‧‧‧資料驅動器
140‧‧‧畫素單元
142‧‧‧畫素
150‧‧‧定時控制器
160‧‧‧記憶體
170‧‧‧第一電源產生器
180‧‧‧第二電源產生器
CL1‧‧‧第一控制線
CL2‧‧‧第二控制線
D1~Dm‧‧‧資料線
Data1‧‧‧第一資料
Data2‧‧‧第二資料
ELVDD‧‧‧第一電源
ELVSS‧‧‧第二電源
S1~Sn‧‧‧掃描線

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：複數個畫素，位於由複數個掃描線及複數個資料線所界定之複數個區域中；一掃描驅動器，用以驅動該等掃描線；一記憶體，用以儲存一畫素資料，該畫素資料包含表示該等畫素中複數個第一電晶體之臨限電壓及遷移率(mobility)之資訊；一定時控制器(timing controller)，用以修改一第一資料之一或多個位元以產生一第二資料，該第一資料係因應於該畫素資料而被修改；一資料驅動器，用以根據該第二資料而產生複數個資料訊號，並供應該等資料訊號至該等資料線；以及一控制驅動器，用以供應一第一控制訊號至一第一控制線及供應一第二控制訊號至一第二控制線，該第一控制線共同耦合至該等畫素，其中各該畫素用以儲存一當前訊框之一資料訊號並因應於自一第一電源經由一有機發光二極體流至一第二電源之一電流量而發光，該電流量對應於一前一訊框之一資料訊號。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該定時控制器產生該第二資料，以補償該等畫素中該等第一電晶體之該等臨限電壓及該等遷移率。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第一電源產生器，用以產生該第一電源；以及一第二電源產生器，用以產生該第二電源。
  4. 如請求項3所述之有機發光顯示裝置，其中該控制驅動器用以 在一訊框之一第一週期期間供應該第一控制訊號並在該訊框之一第二週期期間供應該第二控制訊號。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中該掃描驅動器在該訊框之一第三週期期間依序供應複數個掃描訊號至該等掃描線，以及該資料驅動器與該等掃描訊號同步地供應該等資料訊號至該等資料線。
  6. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中該資料驅動器在該第一週期期間依序供應一偏置電壓(bias voltage)及一參考電壓至該等資料線。
  7. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置，其中該偏置電壓係為一用以關斷該等第一電晶體之一關斷偏置電壓(off-bias voltage)或一用以導通該等第一電晶體之一導通偏置電壓(on-bias voltage)。
  8. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電源產生器或該第二電源產生器至少其中之一控制該第一電源或該第二電源之一電壓，俾使該等畫素在供應該偏置電壓之一週期期間不發光。
  9. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中各該畫素包含：一有機發光二極體，具有一陰極，該陰極耦合至該第二電源；一畫素電路，用以控制因應於該前一訊框之資料訊號而被供應至該有機發光二極體之一電流量；以及 一驅動器，用以儲存該當前訊框之資料訊號以及遞送該前一訊框之資料訊號至該畫素電路，其中該畫素電路包含：一第一電晶體，具有一閘極、一第一電極及一第二電極，該閘極耦合至一第一節點，該第一電極耦合至該第一電源，該第二電極耦合至該有機發光二極體之一陽極；一第二電晶體，耦合於該第一節點與該等資料線之間，並在供應該第一控制訊號時被導通；以及一第一電容器，耦合於該第一節點與該第一電源之間。
  10. 如請求項9所述之有機發光顯示裝置，其中該驅動器包含：一第三電晶體，耦合至該等資料線及該第二節點，並在供應一掃描訊號時被導通；一第四電晶體，耦合於該第二節點與該第一節點之間，並在供應該第二控制訊號時被導通；以及一第二電容器，耦合於該第二節點與一初始電源之間。
TW103114654A 2013-05-30 2014-04-23 有機發光顯示裝置 TW201445535A (zh)

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