TW201432947A - 發光二極體 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體，包括基板、與基板結合的電極、與電極電連接的發光二極體晶片、及圍設所述發光二極體晶片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對的頂面、連接底面與頂面外側邊緣的外側面及連接底面與頂面內側邊緣的內側面，所述內側面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過渡面，所述過渡面圍設形成收容孔收容所述發光二極體晶片於其內，所述反射面圍設形成反光孔用於反射發光二極體晶片發出的光線，所述過渡面與所述底面之間的夾角大於所述反射面與所述底面之間的夾角。

Description

發光二極體

本發明涉及一種半導體元件，尤係涉及一種發光二極體。

習知的發光二極體包括二間隔設置的電極、固定於所述電極上並與之電性連接的一發光二極體晶片及固定於所述電極上並圍繞所述發光二極體的一反射杯。所述反射杯通過射出成型的方式形成在所述電極上，包括貼設於電極的底面、自底面周緣向上延伸的外側面、與底面相對的頂面及自頂面中部向底面凹陷形成的內側面。所述內側面為一光滑的反射面並圍設形成一收容孔於其內，用於收容發光二極體晶片並反射發光二極體晶片發出的光線。為保障所述反射面能夠將發光二極體晶片發出的光線反射到較大的區域而使發光二極體具有較大的照射區域，通常使內側面儘量靠近底面，如此，用於形成反光杯的模具的該部分就要做的扁、窄，而在射出成型過程中，模具的扁、窄區域內的空氣不易完全被填料擠出而形成氣泡，從而導致脫模後反光杯的內側面與底面邊緣形成毛邊而影響反光杯的性能。

有鑒於此，有必要提供一種性能穩定的發光二極體。

一種發光二極體，包括基板、與基板結合的電極、與電極電連接的發光二極體晶片、及圍設所述發光二極體晶片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對的頂面、連接底面與頂面外側邊緣的外側面及連接底面與頂面內側邊緣的內側面，所述內側面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過渡面，所述過渡面圍設形成收容孔收容所述發光二極體晶片於其內，所述反射面圍設形成反光孔用於反射發光二極體晶片發出的光線，所述過渡面與所述底面之間的夾角大於所述反射面與所述底面之間的夾角。

本發明中，因反射面與底面之間增設有過渡面，並且過渡面與底面之間的夾角大於所述反射面與所述底面之間的夾角，因此，在形成所述反光杯時，進入模具內的填料能夠更加徹底的擠出模具內的空氣，從而避免模具內接近底面的狹窄區域因存在氣泡而導致成型的反光杯的底面、過渡面等處形成毛邊而影響反光杯的反射性能。並且，又因為反射面與所述底面之間的夾角小於過渡面與底面之間的夾角，在保障反光杯的反射性能的同時，使其能將發光二極體晶片發出的光線反射至較大的區域，從而保障發光二極體較大的照射範圍。

10．．．基板

20．．．第一電極

30．．．第二電極

40．．．發光二極體晶片

41．．．金屬導線

50．．．反光杯

51．．．底面

52．．．頂面

53．．．外側面

54．．．內側面

60．．．封裝體

100．．．發光二極體

541．．．反射面

543．．．過渡面

525．．．反光孔

527．．．收容孔

圖1為本發明的發光二極體的示意圖。

請參閱圖1，本發明的發光二極體100包括一基板10、形成於所述基板10上並間隔設置的一第一電極20及一第二電極30、固定於第一電極20上並與所述第一電極20及所述第二電極30電性連接的一發光二極體晶片40、固定於所述第一電極20及第二電極30上並圍設所述發光二極體晶片40的一反光杯50及填充於所述反光杯50內並包裹所述發光二極體晶片40的一封裝體60。當然，該發光二極體晶片40與反光杯50不一定固定於第一電極20、第二電極30上，其也可直接固定於基板10上。

所述基板10由導熱性能良好的絕緣材料製成，具有平整的上表面及平行於所述上表面的下表面。所述第一電極20性形成於所述基板10的左端，具體的，所述第一電極20的縱截面呈U形，自基板10的上表面左端向左延伸自下表面的左端。所述第二電極30形成於所述基板10的右端，具體的，所述第二電極30的縱截面呈U形，自基板10的上表面右端向右延伸自下表面的右端。

所述發光二極體晶片40固定在第一電極20上，並通過二金屬導線41分別與第一電極20及第二電極30電性連接。

所述反光杯50為一環狀體，通過射出成型或嵌入成型的方式形成。所述反光杯50包括與一底面51、與底面51平行相對設置的一頂面52、連接頂面52與底面51外側邊緣的一外側面53及連接頂面52與底面51內側邊緣的一內側面54。所述外側面53垂直連接所述頂面52及底面51。所述內側面54包括自頂面52中部傾斜向下凹陷的一反射面541及自反射面541底端傾斜延伸至底面51的一過渡面543。所述反射面541為一光滑的環面，其內表面圍設形成一反光孔525，用於反射所述發光二極體晶片40發出的光線。所述反光孔525的縱截面呈梯形，其孔徑自頂面52向下逐漸遞減。所述反射面541與平行於底面51的水平面之間形成有夾角α。所述夾角α大於等於15度並小於等於30度，用以保障反射面541能夠將發光二極體晶片40發出的光線反射向較大的區域，從而增加發光二極體100的照射範圍。

所述過渡面543為一光滑的環面，其內表面圍成一收容孔527，用於收容發光二極體晶片40於其內。所述收容孔527與所述反光孔525共軸並連通設置。所述收容孔527的縱截面也呈梯形，其直徑自與反光孔525連接的頂端向底面51逐漸減小。所述過渡面543與底面51之間形成有一夾角β，所述夾角β大於所述夾角α，以保障在形成所述反光杯50時，填料能夠進入模具內而完全擠出該部分的空氣，從而使底面51及過渡面543成型後為光滑的平面。在本實施例中，所述夾角β大於等於35並小於等於45度。並且，為了進一步保障模具對應底面51及過渡面543處的空氣被擠出，所述過渡面543的頂端到底面51之間的垂直距離H小於0.01毫米。所述收容孔527的深度大於或等於所述發光二極體晶片40自第一電極20向上凸伸的高度。

所述封裝體60為透明或半透明的矽膠，填滿所述反光孔525及收容孔527，並將發光二極體晶片40包裹在內而用以保護發光二極體晶片40免受水汽或灰塵等的污染。可以理解的，在其他實施例中，所述封裝體60可為混合有螢光粉的矽膠。

本發明中，因反射面541與底面51之間增設有過渡面543，並且過渡面543與底面51之間的夾角β大於所述反射面541與所述底面51之間的夾角α，因此，在形成所述反光杯50時，進入模具內的填料能夠更加徹底的擠出模具內的空氣，從而避免模具內接近底面51的狹窄區域因存在氣泡而導致成型的反光杯50的底面51、過渡面543等處形成毛邊而影響反光杯50的反射性能。並且，又因為反射面541與所述底面51之間的夾角α小於過渡面543與底面51之間的夾角β，在保障反光杯50的反射性能的同時，使其能將發光二極體晶片40發出的光線反射至較大的區域，從而保障發光二極體100較大的照射範圍。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10．．．基板

20．．．第一電極

30．．．第二電極

40．．．發光二極體晶片

41．．．金屬導線

50．．．反光杯

51．．．底面

52．．．頂面

53．．．外側面

54．．．內側面

60．．．封裝體

100．．．發光二極體

541．．．反射面

543．．．過渡面

525．．．反光孔

527．．．收容孔

Claims (10)

1. 一種發光二極體，包括基板、與基板結合的電極、與電極電連接的發光二極體晶片、及圍設所述發光二極體晶片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對的頂面、連接底面與頂面外側邊緣的外側面及連接底面與頂面內側邊緣的內側面，其改良在於：所述內側面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過渡面，所述過渡面圍設形成收容孔收容所述發光二極體晶片於其內，所述反射面圍設形成反光孔用於反射發光二極體晶片發出的光線，所述過渡面與所述底面之間的夾角大於所述反射面與所述底面之間的夾角。
2. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述反射面與所述底面之間的夾角大於等於15度且小於等於30度。
3. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述過渡面與所述底面之間的夾角大於等於35度且小於等於45度。
4. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述收容孔與所述發光孔共軸並連通設置。
5. 如申請專利範圍第4項所述發光二極體，其中，所述反光孔與收容孔的縱截面均呈梯形，所述反光孔的孔徑自頂面向下逐漸遞減，所述收容孔的直徑自與反光孔連接的頂端向底面逐漸減小。
6. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述過渡面的頂端到底面之間的垂直距離小於0.01毫米。
7. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述收容孔的深度大於或等於所述發光二極體晶片向上凸伸的高度。
8. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，所述電極形成於所述基板上並間隔設置，所述發光二極體晶片固定於電極上，所述反射杯的底面貼設於電極上。
9. 如申請專利範圍第1項所述發光二極體，其中，進一步包括收容於所述收容孔內並包裹所述發光二極體晶片的封裝體。
10. 如申請專利範圍第9項所述發光二極體，其中，所述封裝體填滿所述反光孔。