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TW201423827A - 電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置 - Google Patents

電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置 Download PDF

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TW201423827A
TW201423827A TW102131480A TW102131480A TW201423827A TW 201423827 A TW201423827 A TW 201423827A TW 102131480 A TW102131480 A TW 102131480A TW 102131480 A TW102131480 A TW 102131480A TW 201423827 A TW201423827 A TW 201423827A
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TW
Taiwan
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substrate
processing apparatus
plasma
plasma processing
rotating
Prior art date
Application number
TW102131480A
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English (en)
Inventor
Toshihisa Nozawa
Masahide Iwasaki
Takenao Nemoto
Yasuo Kobayashi
Takehisa Saito
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

本發明目的為將旋轉載置台旋轉以同時處理複數個基板時，提高旋轉載置台半徑方向上之基板表面的處理均勻性。本發明設有：旋轉載置台，係由可自由旋轉般配設於處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置晶圓用的晶圓載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至處理室內；電漿產生部，係面向旋轉載置台而設置於處理室頂部，使產生處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉旋轉載置台時晶圓軌跡之內側直至外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對處理室內進行排氣。

Description

電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置
本發明係關於一種於處理室內配置有複數個半導體晶圓、液晶基板等被處理基板並對其施以處理的電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置。
此種電漿處理裝置係開發為設置有在處理室(腔室)內沿圓周方向載置複數片半導體晶圓(以下，簡稱為「晶圓」)的旋轉載置台(旋轉台)，一邊旋轉該旋轉載置台並對各晶圓進行成膜處理等的電漿處理裝置(例如參考下述專利文獻1)。根據此種所謂半批次式電漿處理裝置，由於可同時進行複數片晶圓之處理，故與一片接著一片進行處理的單片式電漿處理裝置相比，可提高生產率。
專利文獻1：日本專利特開第2011-151343號公報。
然而，此種半批次式電漿處理裝置中，由於當旋轉載置台旋轉時的晶圓軌跡，越接近旋轉載置台中心側會描繪出較小圓圈，而越接近旋轉載置台周緣側則會描繪出較大圓圈，即便以固定速度旋轉旋轉載置台，關於晶圓表面上各部位之圓周速度，在距旋轉載置台中心相同距離的部位雖相同，但在距旋轉載置台中心相異距離的部位則不相同。具體而言，於晶圓表面上，因距旋轉載置台旋轉中心較遠距離的部位移動較快速，故每單位時間所移動的距離亦將較大。
因此，想在旋轉載置台圓周方向整體表面上同時進行晶圓處理的情況，即使於旋轉載置台上整體表面形成一樣密度的電漿，但於各晶圓表面處，由於距旋轉載置台旋轉中心較近部位與較遠部位所接觸電漿的時間互異，故基板軌跡之內側直至外 側會有電漿處理不均勻的問題。
此點，上述專利文獻1之裝置中，係調整旋轉載置台之直徑方向上的電漿產生部長度，藉以調整從其旋轉中心側至周緣側的電漿量。然而，該專利文獻1之裝置中，係將旋轉載置台上於圓周方向上分為複數個區域，對每個區域進行相異處理，僅於圓周方向上一部分區域產生電漿，因此無法在旋轉載置台圓周方向整體上同時對各晶圓進行電漿處理。
故，本發明有鑑於此問題，其目的為提供一種在旋轉載置台整體表面同時對沿圓周方向載置於旋轉載置台之複數個基板進行處理時，於旋轉旋轉載置台時基板軌跡之內側直至外側能均勻地進行電漿處理的電漿處理裝置。
為解決上述課題，根據本發明之觀點，係提供一種電漿處理裝置，對配置於處理室內之複數個基板施以電漿處理，其具備：旋轉載置台，係由可自由旋轉般配設於該處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置該基板用的基板載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至該處理室內；電漿產生部，係面向該旋轉載置台而設置於該處理室頂部，使產生該處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉該旋轉載置台時該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對該處理室內進行排氣。
於本發明中，由於複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列，故可於旋轉載置台圓周方向整體表面上同時進行基板處理，與在一部分區域形成電漿的情況相比，可大幅縮短基板處理所需時間。此外，從旋轉旋轉載置台時基板軌跡之內側直至基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列的複數個微波導入機構，可使基板軌跡之內側直至外側的電漿處理調整成較均勻。藉此，基板處理之生產率可更加提高，並可使基板軌跡之內側直至外側均勻地進行電漿處理。
又，較佳地上述各微波導入機構係於圓周方向上各自成等 間隔般排列，且係排列成該各列之間隔從內側往外側越來越狹窄。據此，每單位時間所移動距離相等且距旋轉載置台中心相同距離的部位處可產生相同電漿密度的電漿，並且，每單位時間所移動距離相異的部位處，即每單位時間所移動距離較大且距旋轉載置台中心越遠距離的部位可產生電漿密度越高的電漿。藉此，可提高基板軌跡之內側直至外側的電漿處理之均勻性。
又，上述複數個微波導入機構從內側至外側至少配置有3列以上，微波導入機構最內側之列配置於該基板軌跡之內側，該微波導入機構最外側之列則配置於該基板軌跡之外側。該情況，較佳地上述微波導入機構最外側之列係從該基板軌跡之最外側，對應於該微波導入機構與該旋轉載置台的距離而間隔特定距離。據此，由於當處理室側壁附近之電漿電位產生位移時，可將該位移部分調整至基板軌跡之外側，故可將基板上之電漿電位調整成均勻。另外，上述微波導入機構之電功率可設定為從內側之列往外側之列依序增大。藉此，亦可於基板軌跡之內側直至外側調整電漿密度，故可提高處理之均勻性。
又，較佳地上述處理氣體供給部係於該處理室頂部，使導入該處理氣體用的複數個氣體孔沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列。又，可針對各列來調整從上述氣體孔所供給之氣體流量。又，上述旋轉載置台亦可沿圓周方向設置有讓處理氣體流通至該基板軌跡之內側用的貫通孔。據此，可調整各列之氣體孔的距離，藉以提高從基板軌跡之內側直至外側的電漿處理之均勻性。
又，上述各基板載置部具備有將該基板以靜電吸附用的靜電夾具，該靜電夾具係於絕緣體內具備電極板之結構，可對該電極板施加靜電吸附該基板用的直流電壓、及對該基板施加高頻偏壓用的偏壓用高頻電力兩者的結構。該情況，例如上述旋轉載置台之旋轉軸設置有電連接至該各基板載置部電極的端 子，係可一邊旋轉該旋轉載置台並將該直流電壓與該偏壓用高頻電力供給至該旋轉軸側端子的結構。據此，可一邊旋轉旋轉載置台並常態施加直流電壓或偏壓用高頻電力。
又，於上述各基板載置部與所載置之該基板之間處，可供給有傳熱氣體。該情況，於例如上述旋轉載置台之旋轉軸周圍設置有該傳熱氣體之導入溝，係可一邊旋轉該旋轉載置台並將該傳熱氣體供給至該導入溝的結構。據此，可一邊旋轉旋轉載置台並常態供給傳熱氣體。
又，上述各基板載置部之該靜電夾具下方側設置有冷卻該基板用的冷卻機構，該冷卻機構係使冷媒循環於導電性組件內所設置之冷媒流道般的結構。該情況，例如上述旋轉載置台之旋轉軸周圍設置有連通至該冷媒流道的冷媒導入溝與冷媒導出溝，可一邊旋轉該旋轉載置台並從該冷媒導入溝導入冷媒，從該冷媒導出溝導出冷媒的結構。據此，可一邊旋轉旋轉載置台並常態地使冷卻媒體流通於冷媒流道以冷卻基板。
又，上述旋轉載置台之該各基板載置部設置有貫通孔，可插入從下方將該基板抬起的升降銷，以貫穿該基板載置部與該旋轉載置台而相對該基板載置部使該基板上升/下降；該升降銷係藉由遠離該旋轉載置台而設置於該處理室底部之升降機構，從該貫通孔下方插入/穿出。該情況，上述升降機構可藉由磁性流體致動器，使該升降銷進行升降，又，上述升降銷可以磁性流體軸封加以密封。據此，可不干涉旋轉載置台之旋轉動作，而以升降銷進行基板的上升/下降。
又，以絕緣材料構成上述旋轉載置台時，於該各基板載置部之該靜電夾具下方側之該旋轉載置台內配置加熱該基板用的加熱器，以導電性材料構成上述旋轉載置台時，於該各基板載置部之該靜電夾具下方側經由具有接地電位之接地組件而配置加熱該基板用的加熱器。該情況，上述加熱器可沿該各基板載置部之圓周方向從內側至外側配置有複數個。又，於上述旋轉載置台下方遠離般配置有從下方加熱該旋轉載置台用的 加熱器。據此，可一邊以加熱器加熱晶圓，即便施加偏壓用高頻電力，亦可防止偏壓用高頻電力洩漏至加熱器。
為解決上述課題，根據本發明之另一觀點，係提供一種基板處理裝置，具備有可連接至對配置於處理室內之複數個基板施以電漿處理之電漿處理裝置的真空搬送室，其中，該電漿處理裝置具備：旋轉載置台，係由可自由旋轉般設置於該處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置該基板用的基板載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至該處理室內；電漿產生部，係面向該旋轉載置台而設置於該處理室頂部，使產生該處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉該旋轉載置台時該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對該處理室內氣氛進行排氣；且，該真空搬送室係在與該電漿處理裝置之間連接有暫存室，該暫存室係能暫時收納至少該電漿處理裝置之旋轉載置台能載置個數以上之該基板的結構。
根據本發明，若於電漿處理裝置實施電漿處理的期間將次一批欲處理之複數個基板搬送至暫存室，因在將次一批基板安裝至旋轉載置台110時僅需在其與暫存室之間進行基板交換，故可大幅縮短基板的搬出/搬入時間。
又，收納於該暫存室之基板可藉由設置於該真空搬送室之第1搬送手臂裝置，在其與該真空搬送室之間進行搬出/搬入，且藉由與該第1搬送手臂裝置分別設置之第2搬送手臂裝置，在其與該電漿處理裝置之間進行搬出/搬入。又，上述第2搬送手臂裝置可設置在連接於該暫存室與該電漿處理裝置間處的氣密搬送室中。據此，由於電漿處理裝置與暫存室的基板交換可完全以該第2搬送手臂裝置來進行，故可提高全體基板搬送的生產率。
根據本發明，在旋轉載置台整體表面同時對沿圓周方向載置於旋轉載置台的複數個基板進行處理時，可於旋轉旋轉載置 台時基板軌跡之內側直至外側均勻地進行電漿處理。
本發明可應用於在處理室內配置有複數個半導體晶圓、液晶基板等被處理基板並進行處理的電漿處理裝置及具備其之基板處理裝置。
100‧‧‧電漿處理裝置
100A、100B‧‧‧半批次式電漿處理裝置
102‧‧‧處理室
104‧‧‧側壁
106‧‧‧頂部
107‧‧‧介電體組件
108‧‧‧底部
110‧‧‧旋轉載置台
112‧‧‧旋轉台
113‧‧‧晶圓載置部
114‧‧‧旋轉軸
115‧‧‧絕緣組件
116‧‧‧貫通孔
118‧‧‧密封組件
120‧‧‧下端部
122‧‧‧通電用端子
130‧‧‧載置台驅動部
140‧‧‧靜電夾具
142‧‧‧電極
144‧‧‧貫通孔
150‧‧‧電刷
152‧‧‧直流電壓電源
154‧‧‧高頻電源
160‧‧‧排氣口
162‧‧‧排氣管
164‧‧‧排氣部
166、168‧‧‧貫通孔
170‧‧‧處理氣體供給部
172、172a‧‧‧氣體孔
172b、172c‧‧‧氣體孔
174、174a‧‧‧氣體流道
174b、174c‧‧‧氣體流道
176、176a‧‧‧配管
176b、176c‧‧‧配管
178‧‧‧處理氣體供給源
178a‧‧‧第1處理氣體供給源
178b‧‧‧第2處理氣體供給源
178c‧‧‧第3處理氣體供給源
179‧‧‧控制部
180、180a‧‧‧加熱器
180b、180c‧‧‧加熱器
182、182a‧‧‧加熱器
182b、182c‧‧‧加熱器
184‧‧‧接地組件
190‧‧‧冷媒流道
191‧‧‧圓板狀凸部
192‧‧‧導入配管
193‧‧‧導出配管
194‧‧‧導入管線
195‧‧‧導出管線
196、197‧‧‧環狀溝部
200‧‧‧電漿產生部
210‧‧‧微波輸出部
212‧‧‧微波電源
214‧‧‧微波振盪器
216‧‧‧放大器
218‧‧‧分配器
220‧‧‧微波供給部
221‧‧‧天線模組
222‧‧‧放大器區
224‧‧‧微波導入機構
226‧‧‧相移器
227‧‧‧可變增益放大器
228‧‧‧主放大器
228a‧‧‧輸入整合電路
228b‧‧‧半導體增輻元件
228c‧‧‧輸出整合電路
228d‧‧‧高Q值諧振電路
229‧‧‧阻隔器
230‧‧‧波導管
232‧‧‧外側導體
234‧‧‧內側導體
236‧‧‧反射板
240‧‧‧天線部
242‧‧‧平面槽孔天線
242a‧‧‧槽孔
244、246‧‧‧慢波材料
244a‧‧‧圓柱組件
248‧‧‧披覆導體
250‧‧‧調諧器
252a、252b‧‧‧芯塊
254a、254b‧‧‧滑動組件
260‧‧‧芯塊驅動部
262a、262b‧‧‧芯塊移動軸
264‧‧‧軸承座部
266‧‧‧框體
268a、268b‧‧‧旋轉驅動部
269‧‧‧芯塊控制器
270‧‧‧供電機構
272‧‧‧同軸線路
272a‧‧‧內側導體
272b‧‧‧外側導體
274‧‧‧微波電力入口埠
276‧‧‧饋送天線
276a‧‧‧第1極
276b‧‧‧第2極
276c‧‧‧反射部
277‧‧‧慢波材料
300‧‧‧電漿產生部
310‧‧‧導波管
311‧‧‧下方側導體部
312‧‧‧開口部
314‧‧‧介電體組件
320‧‧‧微波產生器
330‧‧‧柱塞
332‧‧‧反射板
334‧‧‧位置調整機構
400‧‧‧基板處理裝置
410‧‧‧電漿處理裝置
410C~410F‧‧‧單片式電漿處理裝置
420‧‧‧真空搬送室
430、450‧‧‧搬送手臂裝置
430A、430B‧‧‧暫存室
432‧‧‧導軌
440‧‧‧大氣搬送室
442‧‧‧收納容器
444‧‧‧收納台
446‧‧‧裝載埠
448‧‧‧定向器(預先校準台)
460A、460B‧‧‧暫存室
462‧‧‧基板保持部
470A、470B‧‧‧搬送手臂裝置
480A、480B‧‧‧搬送室
500‧‧‧升降機構
502‧‧‧升降銷
504‧‧‧框體
506‧‧‧軸部
510‧‧‧磁性流體軸封
512‧‧‧磁石
514‧‧‧球片
516‧‧‧磁性流體
520‧‧‧連桿機構
522‧‧‧連桿
530‧‧‧加熱器
LLA、LLB‧‧‧加載互鎖室
G‧‧‧閘閥
W‧‧‧晶圓
WG‧‧‧波導路徑
圖1係顯示本發明之實施形態的電漿處理裝置構成例之縱剖視圖。
圖2係圖1所示之電漿產生部的俯視圖。
圖3係圖1所示之旋轉載置台的俯視圖。
圖4係顯示圖1所示之電漿產生部構成的方塊圖。
圖5係顯示圖4所示之主放大器構成例的方塊圖。
圖6係顯示圖1所示之微波導入機構構成例的縱剖視圖。
圖7係於同實施形態之微波導入機構之配置例的說明用圖中，顯示電漿產生部上側面之一部分。
圖8係於同實施形態之微波導入機構之配置例的說明用圖中，顯示電漿處理裝置縱剖面之一部分。
圖9係顯示應用於同實施形態之電漿處理裝置的加熱器構成例之示意圖。
圖10係圖9所示之加熱器之配置例的說明用圖。
圖11係顯示應用於同實施形態之電漿處理裝置的加熱器另一構成例之示意圖。
圖12係顯示圖11中加熱器之配置例的說明用圖。
圖13係於本實施形態之處理氣體供給部之另一構成例的說明用圖中，顯示氣體孔之配置例的示意圖。
圖14係顯示應用圖13所示之處理氣體供給部的電漿處理裝置構成例之剖視圖。
圖15係形成本實施形態中往旋轉載置台中心方向的處理氣體流之構成的說明用圖。
圖16係圖15所示之旋轉載置台的俯視圖。
圖17係形成本實施形態中往旋轉載置台中心方向的處理氣 體流之構成變形例的說明用圖。
圖18係圖17所示之旋轉載置台的俯視圖。
圖19係顯示圖1所示之旋轉載置台之另一構成例的縱剖視圖。
圖20係顯示於圖19所示之旋轉載置台設置有加熱器情況之構成例的縱剖視圖。
圖21係顯示圖1所示之電漿產生部之另一構成例的縱剖視圖。
圖22係顯示圖21所示之電漿產生部的俯視圖。
圖23係顯示圖21所示之旋轉載置台的俯視圖。
圖24係顯示具備本實施形態之電漿處理裝置的基板處理裝置構成例的橫剖視圖。
圖25係顯示圖24所示之基板處理裝置構成例的縱剖視圖。
圖26係顯示圖25所示之升降機構構成例的縱剖視圖。
圖27A係使用本實施形態之升降機構而將晶圓安裝於旋轉載置台時的動作說明圖。
圖27B係圖27A之後續動作說明圖。
圖27C係圖27B之後續動作說明圖。
圖27D係圖27C之後續動作說明圖。
以下一邊參考添附圖式，詳細說明本發明之較佳實施形態。另外，於本說明書及圖式中，實質上具相同功機能結構的構成元件係賦予相同元件符號，以省略重複說明。
(電漿處理裝置)
首先，一邊參考圖式並說明本發明實施形態之電漿處理裝置的構成例。此處係舉出以複數個微波導入機構於處理室內產生表面波電漿，來對旋轉載置台上之複數個晶圓W進行蝕刻或成膜等電漿處理的半批次式電漿處理裝置之範例。
圖1係顯示本實施形態的半批次式電漿處理裝置之概略結構的剖視圖。圖2係圖1所示之電漿產生部的俯視圖。圖3係 圖1所示之旋轉載置台的俯視圖。另外，圖2中，係以虛線表示氣體孔172的位置，圖3中，係以一點鏈線表示旋轉載置台110上所配置之氣體孔172、微波導入機構224的位置，以虛線表示旋轉旋轉載置台110時晶圓W之軌跡(內側與外側)。
如圖1所示，電漿處理裝置100係具備由鋁等導電性材料所組成的處理室(腔室)102。處理室102係由上部具有開口部的圓筒狀側壁104、圓板狀頂部106、與圓板狀底部108所包圍的氣密處理容器所構成。頂部106係藉由螺栓等鎖固組件而可自由拆卸般設置。處理室102係呈電性接地。另外，處理室102之形狀不限於圓筒狀。亦可例如為方筒狀(例如盒狀)。
處理室102內設置有可自由旋轉之旋轉載置台110。此處，係以旋轉載置台110整體由陶瓷等絕緣組件所構成之情況為例。旋轉載置台110具備有於圓周方向載置複數個(此處為5片)晶圓W用的圓板狀旋轉台112、及於中央處支撐該旋轉台112的旋轉軸114。
旋轉軸114係可自由旋轉般貫穿設置於處理室102之底部108約略中央處的貫通孔116。貫通孔116於底部108與旋轉軸114之間處設置有O型環等密封組件118，以保持處理室102內之氣密狀態。另外，密封組件118不限於使用O型環。例如為減少微粒之產生，密封組件118亦可由磁性流體軸封所構成。
旋轉軸114之下端部120係插入於載置台驅動部130。載置台驅動部130係由馬達等所構成，用以例如沿順時計方向將旋轉軸114旋轉至指定方向。載置台驅動部130之下端具有開口，使得設置於旋轉軸114之下端部120底面的通電用端子122於下方露出。藉此，將所需電力(例如後述晶圓W之靜電吸附用直流電壓等)供給至旋轉載置台110時，藉由讓連接至電源之電刷150常態接觸通電用端子122，即便於旋轉載置台110之旋轉中，亦可將所需電力供給至通電用端子。
旋轉台112於圓周方向設置有載置晶圓W之晶圓載置部113。根據一次所欲處理之晶圓個數來設置同數量之晶圓載置 部113。如本實施形態般，一次處理5片晶圓W的情況，係如圖3所示般於圓周方向上成等間隔排列設置有5個晶圓載置部113。另外，晶圓載置部113的數量不限於圖中所示。
旋轉台112之晶圓載置部設置有以靜電吸附晶圓W並保持之靜電夾具140。圖1所示之靜電夾具140係安裝於旋轉台112上側面，例如於2片高分子聚亞醯胺膜之間或陶瓷之間，以絕緣狀態夾入有銅箔等導電膜所組成之電極142所構成。此種靜電夾具140可藉由將直流電壓施加至電極142所產生的庫侖力，吸著保持著靜電夾具140上之晶圓W。
本實施形態中，係構成為不僅可對靜電夾具140之電極142施加此種靜電吸附用直流電壓，亦可施加電漿處理時之偏壓用高頻電力。具體而言，各靜電夾具140之電極142係各自經由旋轉載置台110內之配線而連接至通電用端子122。且，接觸該通電用端子122之電刷150係連接有供給靜電吸附用直流電壓之直流電壓電源152，與供給偏壓用高頻電力之高頻電源154兩者。據此，由於能以靜電吸附著晶圓W，並將高頻偏壓施加至晶圓W，故可提高電漿處理之處理速率，亦可提高面內均勻性。
另外，於直流電壓電源152處，為防止偏壓用高頻電力洩漏，亦可設置有圖中未顯示之濾波器。又，旋轉台112全體以絕緣體材料所構成的情況中，如後述般設置有加熱晶圓W之電阻加熱元件所組成之加熱器的情況，可藉由於靜電夾具140下方側之旋轉台112處設置有加熱器，來防止偏壓用高頻電力洩漏至加熱器。
處理室102之側壁104設置有開啟/關閉晶圓搬入出口用的閘閥G。又，處理室102之底部108沿旋轉載置台110圓周方向設置有複數個排氣口160。該等排氣口160係各自經由排氣管162而連接有包含真空泵(圖中未顯示)的排氣部164。藉由該排氣部164對處理室102室內進行排氣，可在電漿處理中使處理室102內維持在指定的真空氣氛。
處理室102之頂部106處係配設有將指定處理氣體供給至處理室102內用的處理氣體供給部170，以及於處理室102內形成該處理氣體電漿用的電漿產生部200。此處之電漿產生部200係用於產生微波電漿，故有作為微波電漿源的功能。
此處之處理氣體供給部170係於頂部106處設置有複數個氣體孔172，使處理氣體呈噴淋(shower)狀供給之結構。該等氣體孔172係連通至形成於頂部106內部之氣體流道174。該氣體流道174係經由配管176而連接有處理氣體供給源178。來自處理氣體供給源178之處理氣體的流量係藉由圖中未顯示之質流控制器(MFC)等流量控制部，控制在指定流量而供給至氣體流道174。
藉此，由於可從氣體孔172均勻地噴出Ar氣體等處理氣體，故可使處理氣體快速地電漿化並產生均勻的電漿。氣體孔172係例如圖2所示般，沿頂部106圓周方向呈環狀排列成一列，並從頂部106中心側直至周緣側配置有複數列。圖2中，係顯示呈環狀排列有4列之情況作為範例。另外，氣體孔172之個數或列數不限於圖中所示。
(電漿產生部之構成例)
此處，一邊參考圖式，說明圖1所示之電漿產生部200的構成例。於此，係以在處理室102之頂部106處，設置有於處理室102內產生微波電漿用之複數個微波導入機構的電漿產生部200為例。圖4係顯示圖1所示之電漿產生部構成的方塊圖。圖5係顯示圖4所示之主放大器構成例的方塊圖。圖6係顯示圖1所示之微波導入機構構成例的縱剖視圖。
本實施形態之電漿產生部200係如圖1所示般自處理室102上部的開口部面對處理室102內部所設置。此處之電漿產生部200具備有分配成複數條路線並輸出微波的微波輸出部210，以及將微波輸出部210所輸出之微波引導至處理室102內並放射至處理室102內用的微波供給部220。
微波輸出部210具備有圖4所示之微波電源212、微波振 盪器214、將振盪出之微波增幅用的放大器216、以及將增幅後之微波分配成複數的分配器218。
微波振盪器214係以例如PLL(Phase-Locked Loop；相位鎖定迴路)方式振盪出特定頻率(例如2.45GHz)的微波。於分配器218中，在盡可能不造成微波損失之狀況下，平衡輸入側與輸出側之阻抗匹配並將由放大器216所增幅的微波進行分配。另外，除了2.45GHz以外，微波頻率可使用8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz、915MHz等。
微波供給部220具有將分配器218所分配之微波引導至處理室102內的複數個天線模組221。各天線模組221具備有主要將分配後之微波增幅的放大器區222，與微波導入機構224。
各微波導入機構224大致上分為圖1所示之傳送微波的同軸結構之波導管230，以及將該波導管230所傳送之微波放射至處理室102內的天線部240。波導管230內設置有對處理室102內負載(電漿)進行阻抗匹配用的調諧器250。
各微波導入機構224係配置於頂部106上。在頂部106處，於微波導入機構224的配置部位各自設置有石英等介電體所組成的介電體組件107。藉此，頂部106可具有微波傳輸板之功能。另外，各微波導入機構224之具體構成例將敘述於後。
各微波導入機構224係考慮到一邊旋轉旋轉載置台110並對各晶圓W進行電漿處理時的效率和面內均勻性，例如圖3所示般，沿旋轉載置台110圓周方向呈環狀排列成一列，從晶圓W軌跡之內側直至晶圓W軌跡之外側，間隔般排列有複數列。
如此，由於複數個微波導入機構224係沿圓周方向呈環狀排列，且由於可對旋轉載置台110圓周方向整體表面同時進行晶圓W的處理，故與僅於一部分區域產生電漿的情況相比，可大幅縮短晶圓W處理的所需時間。
此外，由於係從旋轉旋轉載置台110時晶圓W軌跡之內側直至晶圓W軌跡之外側，間隔般排列有複數列複數個微波導入 機構224，故可從晶圓W軌跡之內側直至外側將電漿處理調整成較均勻。藉此，可更加提高晶圓處理之生產率，並可從晶圓W軌跡之內側直至外側均勻地進行電漿處理。另外，各微波導入機構224之個數和列數不限於圖中所示。各微波導入機構224之配置詳細將敘述於後。
將微波從前述各微波導入機構224之天線部240往處理室102內放射時，該微波係於處理室102內之空間進行合成，而於處理室102內形成表面波電漿。
各天線模組221之放大器區222係例如圖4所示，具有相移器226、可變增益放大器227、構成固態放大器之主放大器228、與阻隔器229。此處之相移器226係可改變微波相位之結構，可藉由該調整而調變輻射特性。例如可藉由對每個天線模組調整相位，控制指向性而改變電漿分布。
可變增益放大器227係調整往主放大器228輸入之微波功率位準，調整各個天線模組之差異或進行電漿強度調整用的放大器。亦可根據各天線模組改變其可變增益放大器227，藉以使所產生之電漿產生分布差異。
此處之主放大器228可為具備例如圖5所示之輸入整合電路228a、半導體增幅元件228b、輸出整合電路228c、與高Q值諧振電路228d的固態放大器之結構。
阻隔器229係以天線部240進行反射並將朝向主放大器228之反射微波進行分離，具有循環器(Circulator)與假負載(同軸終端器)。循環器係將天線部240所反射之微波引導至假負載，假負載則將循環器所引導之反射微波轉換成熱能。
(微波導入機構之構成例)
其次，一邊參考圖式，說明微波導入機構224之具體構成例。此處，係以微波導入機構224可從傳送微波之波導管側部進行供給的情況為例。圖6係顯示本實施形態之微波導入機構具體構成例的剖視圖。由於各微波導入機構224均為相同構成，故此處以1個微波導入機構224作為代表進行說明。
如圖6所示，微波導入機構224具有傳送微波的同軸結構之波導管230，以及將波導管230所傳送之微波放射至處理室102內的天線部240。且，從微波導入機構224放射至處理室102內之微波係於處理室102內之空間進行合成，於處理室102內形成表面波電漿。
波導管230係將筒狀外側導體232以及設置於其中心處之棒狀內側導體234呈同軸狀般配置所構成，波導管230下端(前端)設置有天線部240。波導管230中，內側導體234係供給側，外側導體232係接地側。外側導體232以及內側導體234之上端(基端)為反射板236。
波導管230內設置有將處理室102內負載(電漿)阻抗與微波輸出部210之微波電源的特性阻抗進行匹配的調諧器250。調諧器250具有於波導管230內上下排列設置的2個芯塊(slug)252a、252b，以及滑動驅動該等芯塊的芯塊驅動部260。另外，本實施形態之微波導入機構224為並非從上部進行供給而是從側部進行供給之結構，故芯塊驅動部260可設置於反射板236外側(上方側)。
芯塊252a、252b係分別由設置於外側導體232與內側導體234之間的圓環狀介電體所組成，可在該等導體間上下滑動般設置。具體而言，圓環狀芯塊252a、252b係各自於其中央孔設置有具滑動性之樹脂所組成的滑動組件254a、254b。該等滑動組件254a、254b係各自配置於內側導體234內，插入至於其外周緣沿內側導體234長邊方向上形成的狹縫(圖中未顯示)，支撐著圓環狀芯塊252a、252b內周緣般形成突起狀。藉此，芯塊252a、252b可沿內側導體234上下般滑動。
且，滑動組件254a、254b各別與在內側導體234之內部空間沿其長邊方向所設置之外周緣處形成有螺紋的芯塊移動軸262a、262b進行螺合。具體而言，滑動組件254a、254b係各自設置有螺孔與通孔，於滑動組件254a之螺孔處與芯塊移動軸262a進行螺合，將芯塊移動軸262b插入通孔處。於另一 滑動組件254b之螺孔處與芯塊移動軸262b進行螺合，將芯塊移動軸262a插入通孔處。
上述芯塊移動軸262a、262b係藉由芯塊驅動部260進行旋轉驅動。具體而言，芯塊移動軸262a、262b係貫穿反射板236並延伸至芯塊驅動部260。芯塊移動軸262a、262b與反射板236之間設置有軸承(圖中未顯示)。又，內側導體234下端設置有由導體所組成的軸承座部264，芯塊移動軸262a、262b下端係可轉動般支承於該軸承座部264。芯塊驅動部260係於框體266內設置有能各自旋轉芯塊移動軸262a、262b之馬達或齒輪等所構成的旋轉驅動部268a、268b。另外，旋轉驅動部268a、268b之馬達各自設置有編碼器，藉由編碼器可檢測出芯塊252a、252b的位置。
據此，以旋轉驅動部268a旋轉芯塊移動軸262a而使滑動組件254a滑動，可藉以只讓芯塊252a進行升降；以旋轉驅動部268b旋轉芯塊移動軸262b而使滑動組件254b滑動，可藉以只讓芯塊252b進行升降。
芯塊252a、252b的位置係由芯塊控制器269所控制。具體而言，根據阻抗檢出器(圖中未顯示)所檢測出的輸入端阻抗值，與旋轉驅動部268a、268b之編碼器所偵測出的芯塊252a、252b位置資訊，芯塊控制器269會將控制信號傳送至旋轉驅動部268a、268b之馬達，藉由控制芯塊252a、252b的位置，以調整阻抗。芯塊控制器269會進行阻抗匹配，來使終端成為例如為50Ω。僅移動2個芯塊252a、252b中其中一者時，會描繪出通過史密斯圖之原點的軌跡，而同時移動兩者時則僅有相位會旋轉。
波導管230基端側之波導管230(外側導體232)側面處設置有供給微波(電磁波)的供電機構270。供電機構270具備有內側導體272a以及外側導體272b所組成之同軸線路272，以作為供給從放大器區222增幅後之微波用的饋電線。同軸線路272連接至設置於波導管230之外側導體232側面的 微波電力入口埠274，於同軸線路272之內側導體272a前端處，連接有朝波導管230之外側導體232內部水平般延伸的饋送天線276。
饋送天線276係作為例如形成於印刷電路板之PCB基板上的微帶線。從反射板236到饋送天線276之間處，設置有縮短反射波之實效波長用的鐵氟龍Teflon(登錄商標)等介電體所組成的慢波材料277。另外，在使用2.45G等頻率較高之微波的情況中，亦可不設置慢波材料277。此時，自饋送天線276所放射之電磁波係以反射板236進行反射，藉以將最大電磁波輸電至同軸結構之波導管230內。該情況，將從饋送天線276至反射板236的距離設定成約λg/4之半波長。
饋送天線276具有：天線本體，係例如於微波電力入口埠274處，具備連接至同軸線路272之內側導體272a而供給有電磁波的第1極276a、及接觸波導管230之內側導體234而將由第1極276a所供給之電磁波進行放射的第2極276b；以及環狀反射部276c，係從該天線本體兩側沿波導管230之內側導體234外側延伸。其中由入射至天線本體之電磁波與反射部276c所反射之電磁波而形成駐波。
饋送天線276係藉由放射微波(電磁波)，將微波電力供給至波導管230之外側導體232與內側導體234之間的空間處。且，供給至供電機構270之微波電力係朝向天線部240進行傳遞。
天線部240具有微波放射天線之功能。具體而言，天線部240具備：具有槽孔242a的平面槽孔天線242，以及設置於其上側面的慢波材料244。慢波材料244中心處貫穿插入有導體所組成之圓柱組件244a，來將上述軸承座部264和平面槽孔天線242相連接。藉此，內側導體234係經由軸承座部264以及圓柱組件244a而連接至平面槽孔天線242。
平面槽孔天線242前端側(下端側)配置有慢波材料246。另外，外側導體232下端係延伸至平面槽孔天線242為止，覆 蓋慢波材料244周圍。又，平面槽孔天線242以及慢波材料246周圍係以披覆導體248所覆蓋。
慢波材料244、246具有較真空更大的介電係數，例如由石英、陶瓷、聚四氟乙烯等氟系樹脂或聚醯亞胺系樹脂所構成。由於真空中微波波長會變長，故慢波材料244、246係選用具有較真空更大的介電係數者，藉此可縮短微波波長且讓天線變小。
又，慢波材料244、246可藉由其厚度來調整微波相位，調整其厚度使平面槽孔天線242位於駐波之「腹點」。藉此，可使反射最小，且平面槽孔天線242之放射能量呈最大化。
各微波導入機構224之慢波材料246係接觸到設於頂部106之各介電體組件107上側面般設置。且，主放大器228所增幅之微波係通過內側導體234與外側導體232周圍牆壁之間，並從平面槽孔天線242之槽孔242a穿透慢波材料246及頂部106之介電體組件107，而放射至處理室102內之空間。
於本實施形態中，主放大器228、調諧器250、及平面槽孔天線242係呈緊密配置。且，調諧器250與平面槽孔天線242係構成存在於1/2波長內的集總參數電路，且，由於平面槽孔天線242、慢波材料244、246的合成電阻設定為50Ω，故調諧器250會對電漿負載直接進行調諧，可以良好效率將能量傳達給電漿。
電漿處理裝置100之各構成部件係以具備有微處理器之控制部179所控制。控制部179具備儲存有電漿處理裝置100之製程程序及控制參數等製程配方的記憶部，和輸入方式及顯示器等，根據所選擇之製程配方來控制電漿處理裝置。
於前述結構之電漿處理裝置100中，進行晶圓W之電漿處理時，首先，一個接一個將5片晶圓W搬入至處理室102內，旋轉旋轉載置台110並一個接一個載置到各靜電夾具140上。對各靜電夾具140供給直流電壓而以靜電吸附晶圓W。
將5片晶圓全部載置到旋轉載置台110時，旋轉旋轉載置 台110，並開始電漿處理。即，從處理氣體供給部170將例如蝕刻氣體或成膜氣體等導入至處理室102內，且從電漿產生部200將微波導入至處理室102內並產生表面波電漿。藉此，對全部晶圓W施以電漿處理。
產生上述表面波電漿時，在電漿產生部200中，將微波輸出部210之微波振盪器214所振盪出之微波電力以放大器216增幅後，以分配器218分配成複數個部分，再將分配後之微波電力引導給微波供給部220。
於微波供給部220中，係以構成固態放大器之主放大器228將分配成複數個部分之微波電力個別地進行放大，再供給至各微波導入機構224之波導管230，以調諧器250自動匹配阻抗，而在實質上無功率反射的狀態下，經由天線部240之慢波材料244、平面槽孔天線242、慢波材料246及頂部106之介電體組件107放射至處理室102內，進行空間合成以產生表面波電漿。
本實施形態中，由於係沿旋轉載置台110圓周方向載置複數個晶圓W，故旋轉旋轉載置台110時的晶圓W軌跡係位於例如圖3所示般距旋轉載置台110中心距離最小之靠近中央部處所描繪的圓形軌跡(以一點鏈線表示的內側圓形)，與距旋轉載置台110中心距離最大之靠近周緣部處所描繪的圓形軌跡(以一點鏈線表示的外側圓形)之間的環狀區域。
故，本實施形態中，各微波導入機構224係例如圖2、圖3所示般，沿旋轉載置台110圓周方向呈環狀排列成一列，並從晶圓W軌跡之內側直至晶圓W軌跡之外側，間隔般排列有複數列。圖2、圖3中，係顯示呈環狀排列成3列之情況範例。
透過此種晶圓W軌跡之內側直至外側使各微波導入機構224呈環狀配置有複數列，則在旋轉旋轉載置台110時可使電漿產生於晶圓W所通過之環狀區域。藉此，可對各晶圓W以良好效率進行電漿處理。
此外，藉由從晶圓W軌跡之內側直至晶圓W軌跡之外側使各微波導入機構224排列有複數列，則於旋轉之各晶圓W 處，可提高旋轉載置台110中心至半徑方向之部位間的電漿處理之面內均勻性。即，由於產生於處理室102內之電漿會於處理室102側壁附近處產生扭曲，故藉由將各微波導入機構224配置於晶圓W軌跡之外側，可將各晶圓W之電漿調整成較均勻。
此處，一邊參考圖式，詳細說明此種微波導入機構224之配置。圖7、圖8係各自為微波導入機構224之配置的說明用圖。圖7中以虛線表示旋轉載置台110與晶圓W，以一點鏈線表示旋轉旋轉載置台110時晶圓W之軌跡(內側與外側)。
旋轉旋轉載置台110時晶圓W之軌跡係如圖7所示般，越靠近旋轉載置台110中心側則描繪出的圓圈越小，越靠近旋轉載置台110周緣側則描繪出的圓圈越大，故，即便以固定速度旋轉旋轉載置台110，晶圓W表面上的各點接觸電漿的時間係根據距旋轉載置台110中心的距離而異。具體而言，於各晶圓表面上，距旋轉載置台110中心之距離越近則接觸電漿的時間越長，距旋轉載置台110中心之距離越遠則接觸電漿之時間越短。
因此，即使於晶圓W軌跡上形成均勻密度之電漿，但於各晶圓W表面處，距旋轉載置台110中心相異距離的部位，例如旋轉載置台110中心側(軌跡內側)與周緣側(軌跡外側)接觸電漿的時間則相異，故無法均勻地進行電漿處理。
故，較佳地各微波導入機構224係各自於圓周方向呈等間隔Y排列，且排列成各列之間隔係從晶圓W軌跡之內側往外側越來越狹窄之結構。例如圖7、圖8所示般，當各微波導入機構224之列配置成3列時，各列微波導入機構224之圓周方向的間隔L係相同，距旋轉載置台110中心數來之第2列與第3列的距離R'比距旋轉載置台110中心最近之第1列與第2列的距離R更狹窄。
據此，距旋轉載置台110中心相同距離的部位中，於圓周方向上的電漿密度係相同，又，距旋轉載置台110中心之距離 越遠，則電漿密度越高，如此這般來產生電漿。藉此，於晶圓W處，不僅可提高旋轉載置台110圓周方向上的處理均勻性，亦可提高半徑方向上的處理均勻性。
較佳地調整各微波導入機構224之電功率時，係調整成使晶圓W表面上旋轉載置台110半徑方向之處理較均勻。具體而言，較佳地調整成使晶圓W上電漿電位幾乎相同。然而，縱使進行這般調整，由於電漿電位在處理室102之側壁104(接地電位)處為零，故如圖8(以一點鏈線表示的線)所示般，側壁104附近的電漿電位之變化會增大。其側壁104附近的電漿電位之變化大小係對應電漿產生部200與旋轉載置台110之距離D而改變。具體而言，電漿產生部200與旋轉載置台110之距離D越大，則側壁104附近的電漿電位之變化越大。
故，關於微波導入機構224之列中最靠近側壁104的外側之列，係從晶圓W軌跡中之最外側，對應於電漿產生部200與旋轉載置台110之距離D而遠離距離X。該情況，較佳地係將最外側微波導入機構224之列與晶圓W軌跡之最外側的距離X調整在電漿產生部200與旋轉載置台110之距離D的1/4~1/2範圍內。藉此，於晶圓W表面上較靠近側壁104的部分，可具有與晶圓W中央部分相同的電漿電位。藉此，可提高晶圓W表面上較靠近側壁104部分與中央部分之間的處理均勻性。另外，關於微波導入機構224之列中的最內側之列，藉由調整距晶圓W軌跡中最內側的距離Y，可調整晶圓W表面上旋轉載置台110中心側的電漿電位。
以上，雖係以調整微波導入機構224之配置，藉此距旋轉載置台110中心的距離越遠則電漿密度越高的情況為例，但不限於此。例如亦可調整各微波導入機構224之電功率。具體而言，微波導入機構224之電功率亦可從內側之列往外側之列依序變大。藉此，可使距旋轉載置台110中心的距離越遠則電漿密度越高般地產生電漿。
另外，本實施形態中雖係以微波導入機構224可從側部導 入微波，而在上部設置有芯塊驅動部260的情況為例，但微波導入機構224之結構不限於此。例如，亦可為從上部導入微波，而在側部設置有芯塊驅動部260的結構。
(加熱器)
其次，於圖1所示之電漿處理裝置100中，一邊參考圖式，說明設置有晶圓W加熱用的加熱器之情況。藉由設置有此種加熱器，可使電漿處理裝置100具有進行需加熱晶圓W之成膜處理或蝕刻處理之裝置的功能。
調整晶圓W溫度用之加熱器係有與旋轉載置台110間隔般設置的情況，以及直接設置於旋轉載置台110的情況。此處先以在旋轉載置台110下方間隔般配置加熱器來加熱旋轉載置台110的情況為例。圖9、圖10係將加熱器設置於旋轉載置台下方之情況構成例的說明用圖。另外，圖10中，係以一點鏈線表示加熱器180上旋轉載置台110與晶圓W的位置。
圖9所示之電漿處理裝置100中，係於旋轉載置台110下方配置有環狀加熱器180。此處之加熱器180係與旋轉載置台110間隔般配置，而不干涉旋轉載置台110之旋轉動作。例如亦可圖9所示般設置於處理室102之底部108。藉此，可透過環狀加熱器180從下方一邊旋轉旋轉載置台110而同時加熱，藉此可將各晶圓W調整成指定溫度。
該情況，亦可從旋轉載置台110中心側至周緣側分成複數個分區，於各分區配置有加熱器並可獨立地對各分區進行溫度控制。例如圖10所示般從旋轉載置台110中心側至周緣側分成3個分區的情況中，係如圖9所示般，各自將旋轉旋轉載置台110時通過靠近晶圓W軌跡最內側部分的內側分區加熱器180a、通過靠近晶圓W軌跡最外側部分的外側分區加熱器180c、以及通過前述二者之間的中間分區加熱器180b等安裝於處理室102之底部108。藉此，可獨立地對各分區進行加熱控制。
另外，各加熱器180a、180b、180c亦可如圖9所示般各自 分割成複數個而配置，亦可設置為一個單獨個體。將各加熱器180a、180b、180c分割設置之情況中，並不限於圖9所示之分割數量。
圖9、圖10所示之加熱器180中，係隔有間隔般對旋轉載置台110加熱，故旋轉載置台110係由熱傳導性佳的絕緣材，例如石英或石墨等所構成，加熱器180係以輻射熱加熱器所構成，如此可進行良好效率之加熱。又，由於此種結構亦可進行高溫加熱，故可使電漿處理裝置100具有可進行需將晶圓W高溫加熱之成膜處理的成膜裝置之功能。
其次，以調整晶圓W溫度之加熱器係直接設置於旋轉載置台110的情況為例。圖11、圖12係將加熱器設置於旋轉載置台的情況構成例之說明用圖。
圖11所示之電漿處理裝置100中，環狀加熱器182係直接配置於旋轉載置台110。此處之加熱器182係各自配置於各靜電夾具140下方側。亦可例如圖11所示般嵌入旋轉載置台110之各靜電夾具140下方側般設置。藉此，可一邊旋轉旋轉載置台110，並藉由各環狀加熱器182對各晶圓W加熱，藉此可將各晶圓W調整至指定溫度。
該情況，亦可從晶圓W中心側至周緣側呈同心圓狀分成複數個分區，將加熱器配置於各分區並可獨立地對各分區進行溫度控制。例如圖12所示般從晶圓中心側至周緣側分成3個分區的情況，係如圖11所示般，各自將最靠近晶圓W中心的內側分區加熱器182a、最靠近晶圓W周緣的外側分區加熱器182c、以及前述二者之間的中間分區加熱器182b等安裝於靜電夾具140下方側。藉此，可獨立地對各分區進行加熱控制。且，該情況可獨立地控制各晶圓W溫度。
圖11、圖12所示之加熱器182中，係從各靜電夾具140下方側加熱晶圓W，故亦可對晶圓W表面之面內溫度進行精細控制。此點，可使電漿處理裝置100具有可進行需精細控制晶圓W溫度之蝕刻處理的蝕刻裝置之功能。
(處理氣體供給部)
其次，於圖1所示之電漿處理裝置100中，一邊參考圖式，說明處理氣體供給部170之另一構成例。圖13、圖14係處理氣體供給部之另一構成例的說明用圖。圖14中係省略電漿產生部200。另外，圖13中，係以一點鏈線表示旋轉載置台110與晶圓W的位置。
如圖13所示，此處之處理氣體供給部170係從旋轉載置台110中心側至周緣側分成複數個分區，於各分區配置有加熱器並可獨立地將處理氣體供給至各分區之結構。例如圖13所示般從旋轉載置台110中心側至周緣側分成3個分區的情況，係各自將旋轉旋轉載置台110時通過靠近晶圓W軌跡最內側部分的內側分區氣體孔172a、通過靠近晶圓W軌跡最外側部分的外側分區氣體孔172c、以及前述二者之間的中間分區氣體孔172b等，沿各圓周方向1列接1列呈環狀排列形成。
如圖14所示，氣體孔172a、172b、172c係分別連通至各自獨立形成於處理室102之頂部106內部的氣體流道174a、174b、174c。該等氣體流道174a、174b、174c係各自經由配管176a、176b、176c而各自連接有第1、第2、第3處理氣體供給源178a、178b、178c。
第1、第2、第3處理氣體供給源178a、178b、178c可供給相同種類之處理氣體，亦可供給相異種類之處理氣體。來自該等處理氣體供給源178a、178b、178c的處理氣體流量係各自藉由圖中未顯示之質流控制器(MFC)等流量控制部而控制在指定流量，並供給至氣體流道174a、174b、174c。
根據圖13所示之氣體供給部170，可如圖14所示般將來自處理氣體供給源178a、178b、178c的處理氣體從氣體孔172a、172b、172c各自獨立地排出。從氣體孔172a、172b、172c所排出之處理氣體係朝旋轉載置台110之晶圓W排出，通過旋轉載置台110側部與處理室102側壁104之間而從排氣口160進行排氣。
另外，亦可於圖14所示之旋轉載置台110設置處理氣體會流過的貫通口，以形成從晶圓W上朝旋轉載置台110中心側流通的處理氣體流。具體而言，例如圖15、圖16所示般，於旋轉旋轉載置台110時晶圓W軌跡之內側呈環狀排列有複數個貫通孔166。
據此，如圖16所示，從氣體孔172a、172b、172c朝旋轉載置台110之晶圓W所排出的處理氣體不僅流入旋轉載置台110側部與處理室102之側壁104之間，亦會流入旋轉載置台110之貫通孔166，再從排氣口160排出。藉此，不僅可形成通過各晶圓W上並朝向旋轉載置台110周緣側的處理氣體流，亦可形成朝向中心側的處理氣體流，故於各晶圓W處，可更加提高旋轉載置台110半徑方向上的處理均勻性。
又，旋轉載置台110處之貫通孔166不限於圖15、圖16所示。例如圖17、圖18所示般，亦可如圍繞載置於旋轉載置台110之各晶圓W周圍般設置有貫通孔168。據此，於晶圓W上，不僅可形成朝向旋轉載置台110周緣側的處理氣體流，亦可形成朝向中心側的處理氣體流。又，由於圖16所示之貫通孔168係設置於各晶圓W周圍，可如圖15所示般於晶圓上形成從中心各自朝向周緣部整個圓周的處理氣體流，故可更加提高晶圓W整體表面上的處理均勻性。
(旋轉載置台之變形例)
其次，一邊參考圖式，說明本實施形態之電漿處理裝置中可應用之旋轉載置台另一構成例。此處，以圖1所示之電漿處理裝置110中，構成可冷卻各晶圓W之旋轉載置台110的情況為例。據此，可使電漿處理裝置100具有能一邊冷卻晶圓W並進行蝕刻處理的裝置之功能。圖19係將另一構成例之旋轉載置台應用於圖1所示之電漿處理裝置情況的剖視圖。圖19中旋轉載置台以外之結構皆與圖1所示相同，故省略其詳細說明。
圖19所示之旋轉載置台110係將由熱傳導性佳的材質，例如鋁等金屬所構成之旋轉台112與旋轉軸114以陶瓷等絕緣 組件115加以披覆般的結構。此處之旋轉軸114上端係插入至設置於旋轉台112中央的孔，旋轉軸114下端係自絕緣組件115突出並插入至載置台驅動部130。
旋轉載置台110之各晶圓載置部113處設置有冷卻晶圓W之冷卻機構。該冷卻機構係例如將冷媒流道190設置在形成於旋轉台112上側面的鋁等熱傳導性佳之金屬製圓板狀凸部191內，將來自冷凝器單元(圖中未顯示)的指定溫度之冷媒(例如冷卻水)從導入配管192導入至該冷媒流道190，並從導出配管193導出來循環供給冷卻媒體。
導入配管192、導出配管193係各自經由設置於旋轉台112與旋轉軸114內的導入管線194、導出管線195而連通至各晶圓載置部113之晶圓W的冷媒流道190。
旋轉軸114內之導入管線194、導出管線195係各自連通至形成於旋轉軸114之下端部120側面整個圓周處的環狀溝部196、197。環狀溝部196、197上下側係以O型環等密封組件所密封。另一方面，導入配管192、導出配管193係各自從載置台驅動部130側面而面向環狀溝部196、197般進行配置。
根據此種結構之冷卻機構，即便旋轉旋轉載置台110，由於導入配管192、導出配管19係常態面向且連通至環狀溝部196、197，故可一邊旋轉旋轉載置台110，一邊使冷媒循環於各晶圓載置部113之冷媒流道190。藉此，縱使是一邊旋轉旋轉載置台110並進行電漿處理的期間，仍可冷卻各晶圓W並控制在所需溫度。
另外，於旋轉載置台110之各晶圓載置部113處，靜電夾具140上側面與晶圓W內面之間，可設置有供給He氣體等傳熱氣體的傳熱氣體供給機構(圖中未顯示)。供給傳熱氣體以提高朝晶圓內面之熱傳導性，可藉以使晶圓溫度保持在所需溫度。圖中雖無特別顯示傳熱氣體供給機構特，但該傳熱氣體供給機構係與上述冷卻機構相同般，將連通至各靜電夾具140上側面之氣體管線設置於旋轉台112與旋轉軸114內部，該氣體 管線係連通至形成於旋轉軸114之下端部120側面整個圓周處的環狀溝部。且，藉由將傳熱氣體導入配管面向該環狀溝部並導入傳熱氣體，可一邊旋轉並將傳熱氣體供給至各晶圓W內面。另外，在同時設置有冷卻機構與傳熱氣體供給機構二者的情況中，該等環狀溝部係各自不相互干涉般，偏移設置於旋轉軸114之下端部120側面。
又，圖19所示之電漿處理裝置100亦可設置有加熱晶圓W之加熱器。例如可如上述圖9、圖10所示般於旋轉載置台110下方間隔般設置有加熱器180，亦可如圖11、圖12所示般於旋轉載置台110之各靜電夾具140下方設置有加熱器182。
順帶一提，縱使是如圖19所示般使用鋁等金屬製旋轉台112的情況中，若將加熱器182直接設置於各靜電夾具140下方之旋轉台112，則將偏壓用高頻電力施加至各靜電夾具140時，則不會有該偏壓用高頻電力經由旋轉台112而洩露至加熱器182之虞。
因此，於本實施形態中，使用金屬製旋轉台112的情況係例如圖20所示般在旋轉台112(圓板狀凸部191)與各靜電夾具140之間設置具接地電位的接地組件184，且於該接地組件184配置有加熱器182(182a、182b、182c)。該接地組件184可由例如陶瓷等絕緣組件所構成。藉此，可防止施加至各靜電夾具140之偏壓用高頻電力洩漏至加熱器182。另外，亦可於加熱器182處設置遮斷偏壓用高頻電力的濾波器，以代替所設置的接地組件184。
另外，圖13、圖14所示之處理氣體供給部170的結構亦可應用於圖19、圖20所示之電漿處理裝置100，亦可於旋轉載置台110處形成有圖15、圖16所示之貫通孔166，或圖17、圖18所示之貫通孔168。
(電漿產生部之另一構成例)
其次，一邊參考圖式，說明可應用於本實施形態之電漿處理裝置100的電漿產生部另一構成例。此處，係以將處理室102 內產生微波電漿用之複數個導波管配設於頂部106的電漿產生部300為例。圖21係顯示電漿產生部之另一構成例的剖視圖，圖22係從上方觀察圖21所示之電漿產生部300時的俯視圖，圖23係從上方觀察旋轉載置台110時的俯視圖。
另外，電漿產生部300以外之結構係與圖1所示相同，故省略其詳細說明。圖22中，以虛線表示氣體孔172的位置，圖23中，以一點鏈線表示配置於旋轉載置台110上之氣體孔172、傳送微波之導波管310、柱塞330之位置，以虛線表示旋轉旋轉載置台110時之晶圓W軌跡(內側與外側)。
圖21所示之電漿產生部300具備有將微波供給至處理室102內用的複數個導波管310。複數個導波管310係接地。各導波管310係矩形導波管，以定義出從頂部106中心側朝周緣側呈放射狀延伸的導波路徑WG。此處，以圖22所示般於頂部106處設置有8個導波管310為例。另外，導波管310之數量或形狀並不限於此。
各導波管310連接有微波產生器320。微波產生器320係產生例如約2.45GHz之微波，並將該微波供給至導波管310。
各導波管310具有從下方定義出波導路徑WG的下方側導體部311。下方側導體部311係接觸處理室102之頂部106上側面。下方側導體部311及頂部106係形成有貫穿該等下方側導體部311及頂部106的複數個開口部312。該等開口部312係各自使石英等介電體所組成之介電體組件314從頂部106下側面突出至下方般插入。藉此，可使頂部106具有微波傳輸板之功能。
各導波管310上部配置有面向各介電體組件314的柱塞330。各柱塞330具有反射板332及位置調整機構334。各柱塞330之反射板332係隔著導波管310與各介電體組件314相對。各柱塞330之位置調整機構334係具有調整反射板332之波導路徑WG距軸線Z方向距離之功能。
考慮到一邊旋轉旋轉載置台110並對各晶圓W進行電漿處 理時的效率和面內均勻性，例如圖22、圖23所示般，柱塞330與介電體組件314係沿旋轉載置台110圓周方向呈環狀排列成一列，並從晶圓W軌跡之內側直至晶圓W軌跡之外側，間隔般排列有複數列般設置。另外，各柱塞330與各介電體組件314之個數或列數並不限於圖中所示。
根據此種結構之電漿產生部300，一邊旋轉載置有5片晶圓W之旋轉載置台110，並藉由處理氣體供給部170將處理氣體供給至處理室102內。且，以微波產生器320產生微波。所產生之微波係傳遞於複數個導波管310並從複數個介電體組件314放出至處理室102內。藉此，於處理室102內產生處理氣體電漿，而於各晶圓W上施以指定之電漿處理。
另外，圖13、圖14所示之處理氣體供給部170的結構亦可應用於圖21所示之電漿處理裝置100，亦可於旋轉載置台110形成圖15、圖16所示之貫通孔166，及圖17、圖18所示之貫通孔168。又，可設置有圖9、圖10所示之加熱器180與圖11、圖12所示之加熱器182中任一者或二者，或是使用圖19、圖20所示之旋轉載置台110。
(基板處理裝置之構成例)
其次，一邊參考圖式，說明具備有可連接上述本實施形態電漿處理裝置之真空搬送室的基板處理裝置構成例。圖24係顯示本實施形態之基板處理裝置示意結構的橫剖視圖。圖25係圖24所示之基板處理裝置的縱剖視圖。
圖24所示之基板處理裝置400具備可連接複數個半批次式電漿處理裝置100與複數個單片式之電漿處理裝置410的真空搬送室(共通搬送室)420。
圖24所示之真空搬送室420係沿單方向形成較長5邊形之結構。真空搬送室420係經由閘閥G連接有位於其前端部的2個半批次式電漿處理裝置100A、100B；經由閘閥G於兩側部各自連接有2個般總計4個單片式之電漿處理裝置410C~410F；經由閘閥G連接有位於基端部的2個加載互鎖室LLA、 LLB。
加載互鎖室LLA、LLB具有在暫時保持晶圓W並進行壓力調整後，傳送至次一階段之功能。加載互鎖室LLA、LLB內部各自設置有可載置晶圓W的轉移台。
於真空搬送室420內，具備2個搬送手臂之雙臂機構的搬送手臂裝置(第1搬送手臂裝置)430係可自由地沿著真空搬送室420長邊方向上所設置之導軌432滑動般的結構。
此種搬送手臂裝置430中，其滑動方向之位置係對應於欲進行存取之腔室而預先設定好。此處係以預先設定真空搬送室420內接近前端側位置與接近基端側位置之情況為例。
例如對半批次式電漿處理裝置100A、100B與2個單片式電漿處理裝置420C、420D中任一者進行存取時，係將搬送手臂裝置430配置於接近前端側位置。於該位置處藉由旋轉搬送手臂，朝向欲存取之電漿處理裝置的方向，使搬送手臂前進/退出以進行晶圓W之搬出/搬入。
又，對2個單片式電漿處理裝置410E、410F與2個加載互鎖室LLA、LLB中任一者進行存取時，係將搬送手臂裝置430配置於接近基端側位置。於該位置處藉由旋轉搬送手臂，朝向欲存取之電漿處理的方向，使搬送手臂前進/退出以進行晶圓W之搬出/搬入。
加載互鎖室LLA、LLB係各自經由閘閥G連接至大氣壓氣氛之大氣搬送室440。於大氣搬送室440處，係將可收納複數(例如1批之分量25片)個晶圓W之收納容器442安裝至收納台444。於大氣搬送室440側壁處，係對應各收納台444般設置有作為晶圓W投入口的裝載埠446。
大氣搬送室440設置有作為晶圓W定位裝置的定向器(預先校準台)448。定向器448係例如於內部具備旋轉載置台以及以光學檢測晶圓W周緣部的光學感測器，以檢測出晶圓W之定向平面或凹槽等並進行位置校準。
於大氣搬送室440處，具備2個搬送手臂之雙臂機構的搬 送手臂裝置450係可自由地沿著真空搬送室440長邊方向滑動般設置。該搬送手臂裝置450可經由裝載埠446而對各收納容器442進行晶圓W搬出/搬入，且可經由閘閥G而對加載互鎖室LLA、LLB進行晶圓W搬出/搬入。
根據此種基板處理裝置400，從大氣搬送室440依需求將新晶圓W裝載至加載互鎖室後，以搬送手臂裝置430取出該晶圓，而搬送至實施處理的電漿處理裝置。
順帶一提，本實施形態之半批次式電漿處理裝置100A、100B中，係如上述般將複數個晶圓W安裝至旋轉載置台110後開始進行電漿處理。因此，若將此種半批次式電漿處理裝置100A、100B經由閘閥直接連接至真空搬送室420，則需一邊作動大氣搬送室440之搬送手臂裝置450與真空搬送室420之搬送手臂裝置430，一邊將晶圓W一個接一個進行交換。如此，將全部晶圓W安裝至旋轉載置台110之所需時間將會很長。
故，本實施形態之基板處理裝置400中，例如圖24、圖25所示般，較佳地各半批次式電漿處理裝置100A、100B係各自經由可暫時地收納至少能載置於旋轉載置台110之個數以上的晶圓W之暫存室460A、460B連接至真空搬送室420。例如圖25所示般，暫存室460A、460B係構成為可自由升降地設置有能夠將複數個晶圓W於上下方向進行排列並保持之基板保持部462。
據此，例如在半批次式電漿處理裝置中實施電漿處理期間，只要先將次一批欲處理之複數個晶圓W搬送至暫存室460，則在將次一批晶圓W安裝至旋轉載置台110時，只需在其與暫存室460之間進行晶圓W交換即可，故可大幅縮短晶圓W的搬出/搬入時間。
該情況，如圖24、圖25所示般，於各半批次式電漿處理裝置100A、100B與各暫存室460A、460B之間處，亦可設置有各自具備搬送手臂裝置(第2搬送手臂裝置)470A、470B的氣密搬送室480A、480B。各半批次式電漿處理裝置100A、 100B與各搬送室480A、480B之間、各搬送室480A、480B與各暫存室460A、460B之間、及各暫存室460A、460B與真空搬送室420之間，係各自經由閘閥G而連接。
據此，由於各半批次式電漿處理裝置100A、100B與各暫存室460A、460B之間的晶圓W交換可全部交由各搬送室480A、480B之搬送手臂裝置470A、470B來進行，因此可提高整體之晶圓W搬送生產率。另外，各搬送手臂裝置470A、470B可由圖24所示之具備2個搬送手臂的雙臂機構所構成，亦可由具備1個搬送手臂的單臂機構所構成。
又，在不設置搬送室480A、480B，而使各半批次式電漿處理裝置100A、100B直接連接至各暫存室460A、460B的情況中，搬送手臂裝置470A、470B亦可各自設置於各暫存室460A、460B處。
(晶圓之升降機構)
於上述本實施形態之半批次式電漿處理裝置100中，係說明設置有以升降銷於旋轉載置台110之各靜電夾具140處使晶圓W上升/下降的升降機構之情況。
如上述般因本實施形態中電漿處理裝置100之旋轉載置台110可旋轉，所以將晶圓W搬出/搬入時，可一邊旋轉旋轉載置台110，並一個接一個將晶圓W載置到靜電夾具140上。
因此，於此種電漿處理裝置100中設置有升降機構的情況中，不需在全部靜電夾具140上設置有升降機構。只要可於至少面對閘閥G之位置處使晶圓W上升/下降之結構即足夠。
故，本實施形態中，例如圖25所示般於閘閥G附近處，係於旋轉載置台110下方間隔般設置有可使升降銷502進行升降之升降機構500。又，在旋轉載置台110之各靜電夾具140的配置部位處，至少設置有3個貫通孔144，升降銷502能自下方經由貫通孔貫穿旋轉載置台110與靜電夾具140。
藉此，如圖24所示般，使靜電夾具140處於面向閘閥G之位置時驅動升降機構500，升降銷502會插入至該靜電夾具 140之貫通孔144，上升直到朝上方突出為止，藉以從靜電夾具140將晶圓W抬起。
此種升降機構500只要是能使升降銷502進行升降即可，其結構並無特別限制。升降機構500係例如可於框體內可自由升降般地支撐著升降銷，並設置有可升降驅動該升降銷502的馬達之結構。於升降銷502周圍設置有密封組件來加以密封。
此處之密封組件可使用O型環，又，亦可使用磁性流體軸封。磁性流體係例如使Fe3O4等微粒子於分散媒中呈膠體狀分散者，磁性流體軸封係於配置軸封之間隙處，沿著由磁石所形成之磁力線來保持磁性流體。以磁力保持於間隙處之磁性流體即便遇壓力差也不會流出，其作用係類似液狀的O型環效果。因此，磁性流體軸封中，由於不會有如O型環般固體相互接觸之情況，故可減少摩擦損失，防止因摩擦而產生微粒。
另外，由於上述之磁性流體軸封係以液體進行密封，在密封如升降銷502之直線運動的軸部之情況中，會有因軸部移動而牽引出磁性流體之虞。因此，升降銷502之升降行程不能太長。故，在升降銷502之升降行程較長的情況中，亦可使用例如連桿機構等使升降銷502進行升降。
此處，一邊參考圖式，說明使用此種磁性流體軸封的升降機構500之構成例。升降機構500係可於框體504內透過磁性流體軸封510而可自由升降般支撐著藉由馬達(圖中未顯示)等進行升降之軸部506。
例如圖26所示般，磁性流體軸封510係於插入有磁石512之球片(ball piece)514與軸部506之間隙處保持有磁性流體516般之結構。據此，可藉由磁石512之磁力線來保持磁性流體516，而將軸部506密封。
以連桿機構520而可自由升降般支撐著升降銷502。連桿機構520具備有可樞轉之連桿522，具有能將連桿522之樞轉移動轉換成升降銷502之升降移動的功能。藉由以軸部506使該連桿522升降，使支撐於連桿522前端之升降銷502連動升 降。據此，即便軸部506之升降行程較短，亦可達成較長之升降銷502之升降行程。
另外，升降機構500之框體504內亦可設置有抑制微粒產發生用的加熱器530。此處之磁性流體軸封510亦可作為圖1所示之旋轉載置台110的密封組件118。又，亦可設置有磁性流體致動器來取代設置磁性流體軸封510，用以使軸部506進行升降驅動。且，亦可直接藉由磁性流體致動器使升降銷進行升降。
其次，透過具備此種升降機構500之電漿處理裝置100，一邊參考圖式，說明將晶圓W載置於旋轉載置台110的情況之動作。圖27A~圖27D係本實施形態中將晶圓載置於旋轉載置台時的動作說明圖。此處係以將晶圓W載置於圖25所示之電漿處理裝置100A的靜電夾具140之情況為例並進行說明。
例如圖25所示般，將晶圓W載置於旋轉載置台110之靜電夾具140的情況中，旋轉旋轉載置台110，並如圖25、圖27A所示般將該靜電夾具140移動至面向閘閥G之位置。且，以升降機構500使升降銷502上升，如圖27B所示般將升降銷502插入至貫通孔144。
隨後，藉由搬送手臂裝置470A將晶圓W經由閘閥G搬入至電漿處理裝置100A內，如圖27C所示般將晶圓W載置於升降銷502上。且，以升降機構500使升降銷502下降，如圖27D所示般使晶圓W下降而載置於靜電夾具140處。接著使升降銷502下降並回到原始位置，即，回到不干涉旋轉載置台110之旋轉動作的位置。
以下，透過重覆進行圖27A~圖27D之動作，將晶圓W載置於旋轉載置台110之各靜電夾具140處。如此，當所有靜電夾具140上皆載置有晶圓W後，旋轉旋轉載置台110並開始電漿處理。
另外，圖24所示之基板處理裝置400中，雖以將暫存室430A、430B設置於電漿處理裝置100A、100B與真空搬送室 420之間處的情況為例，但不限於此。亦可將暫存室430A、430B設置於單片式電漿處理裝置410C~410F中任一者之配置位置處，以取代其位置。又，半批次式電漿處理裝置及單片式之電漿處理裝置的個數並不限於圖24所示。可連接該等處理裝置之真空搬送裝置亦不限於圖24所示。
以上，雖一邊參考所添附之圖式，說明了本發明之較佳實施形態，但無需多言，本發明並不限定於該等範例。該所屬技術領域中具有通常知識者應明瞭，可於所記載之申請專利範圍的範疇內，想到各種變更例或修正例，並了解該等亦當然屬於本發明之技術範圍中。
100‧‧‧電漿處理裝置
102‧‧‧處理室
104‧‧‧側壁
106‧‧‧頂部
107‧‧‧介電體組件
108‧‧‧底部
110‧‧‧旋轉載置台
112‧‧‧旋轉台
113‧‧‧晶圓載置部
114‧‧‧旋轉軸
116‧‧‧貫通孔
118‧‧‧密封組件
120‧‧‧下端部
122‧‧‧通電用端子
130‧‧‧載置台驅動部
140‧‧‧靜電夾具
142‧‧‧電極
150‧‧‧電刷
152‧‧‧直流電壓電源
154‧‧‧高頻電源
160‧‧‧排氣口
162‧‧‧排氣管
164‧‧‧排氣部
170‧‧‧處理氣體供給部
172‧‧‧氣體孔
174‧‧‧氣體流道
178‧‧‧處理氣體供給源
179‧‧‧控制部
200‧‧‧電漿產生部
210‧‧‧微波輸出部
220‧‧‧微波供給部
221‧‧‧天線模組
222‧‧‧放大器區
224‧‧‧微波導入機構
230‧‧‧波導管
240‧‧‧天線部
250‧‧‧調諧器
G‧‧‧閘閥
W‧‧‧晶圓

Claims (23)

  1. 一種電漿處理裝置，係對配置於處理室內之複數個基板施以電漿處理，其具備：旋轉載置台，係由可自由旋轉般配設於該處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置該基板用的基板載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至該處理室內；電漿產生部，係面向該旋轉載置台而設置於該處理室頂部，使產生該處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉該旋轉載置台時該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對該處理室內進行排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該各微波導入機構係於圓周方向上各自成等間隔般排列，且該各列之間隔從內側往外側越來越狹窄。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中該複數個微波導入機構係從內側至外側至少配置有3列以上；該微波導入機構最內側之列係配置於該基板軌跡之內側；該微波導入機構最外側之列係配置於該基板軌跡之外側。
  4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中該微波導入機構最外側之列係從該基板軌跡之最外側，以對應於該微波導入機構與該旋轉載置台的距離之距離而加以間隔。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿處理裝置，其中該微波導入機構之電功率係從內側之列往外側之列依序增大。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該處理氣體 供給部係於該處理室頂部，使導入該處理氣體用的複數個氣體孔沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中可針對各列來調整從該氣體孔所供給之氣體流量。
  8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該旋轉載置台係沿圓周方向設置有讓處理氣體流通至該基板軌跡之內側用的貫通孔。
  9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該各基板載置部係具備有將該基板靜電吸附用的靜電夾具；該靜電夾具係於絕緣體內具備電極板之結構，為可對該電極板施加靜電吸附該基板用的直流電壓、及對該基板施加高頻偏壓用的偏壓用高頻電力兩者的結構。
  10. 如申請專利範圍第9項之電漿處理裝置，其中該旋轉載置台之旋轉軸設置有電連接至該各基板載置部電極的端子，係可一邊旋轉該旋轉載置台並將該直流電壓與該偏壓用高頻電力供給至該旋轉軸側端子的結構。
  11. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中於該各基板載置部與所載置之該基板之間處，供給有傳熱氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理裝置，其中該旋轉載置台之旋轉軸周圍設置有該傳熱氣體之導入溝，係可一邊旋轉該旋轉載置台並將該傳熱氣體供給至該導入溝的結構。
  13. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該各基板載置部之該靜電夾具下方側設置有冷卻該基板用的冷卻機構；該冷卻機構係使冷媒循環於導電性組件內所設置之冷媒流道般的結構。
  14. 如申請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中該旋轉載 置台之旋轉軸周圍設置有連通至該冷媒流道的冷媒導入溝與冷媒導出溝，係可一邊旋轉該旋轉載置台並從該冷媒導入溝導入冷媒，從該冷媒導出溝導出冷媒的結構。
  15. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該旋轉載置台之該各基板載置部設置有貫通孔，可插入從下方將該基板抬起的升降銷，以貫穿該基板載置部與該旋轉載置台而相對該基板載置部使該基板上升/下降；該升降銷係藉由遠離該旋轉載置台而設置於該處理室底部之升降機構，從該貫通孔下方插入/穿出。
  16. 如申請專利範圍第15項之電漿處理裝置，其中該升降機構係藉由磁性流體致動器，使該升降銷進行升降。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之電漿處理裝置，其中該升降銷係以磁性流體軸封加以密封。
  18. 如申請專利範圍第9至16項中任一項之電漿處理裝置，其中以絕緣材料構成該旋轉載置台之情況，係於該各基板載置部之該靜電夾具下方側之該旋轉載置台內配置有加熱該基板用的加熱器；以導電性材料構成該旋轉載置台之情況，係於該各基板載置部之該靜電夾具下方側經由具有接地電位之接地組件而配置有加熱該基板用的加熱器。
  19. 如申請專利範圍第18項之電漿處理裝置，其中該加熱器係沿該各基板載置部之圓周方向從內側至外側配置有複數個。
  20. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之電漿處理裝置，其中於該旋轉載置台下方遠離般配置有從下方加熱該旋轉載置台用的加熱器。
  21. 一種基板處理裝置，係具備有可連接至對配置於處理室內之複數個基板施以電漿處理之電漿處理裝置的真空搬送室，其中該電漿處理裝置具備： 旋轉載置台，係由可自由旋轉般設置於該處理室內的旋轉軸所支撐，沿圓周方向複數排列設置有載置該基板用的基板載置部；處理氣體供給部，係將處理氣體供給至該處理室內；電漿產生部，係面向該旋轉載置台而設置於該處理室頂部，使產生該處理氣體電漿用的複數個微波導入機構沿圓周方向呈環狀排列成一列，並從旋轉該旋轉載置台時該基板軌跡之內側直至該基板軌跡之外側，間隔般排列有複數列；以及排氣部，係對該處理室內氣氛進行排氣；該真空搬送室係在與該電漿處理裝置之間連接有暫存室，該暫存室係能暫時收納至少該電漿處理裝置之旋轉載置台能載置個數以上之該基板的結構。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理裝置，其中收納於該暫存室之基板係藉由設置於該真空搬送室之第1搬送手臂裝置，在其與該真空搬送室之間進行搬出/搬入，且藉由與該第1搬送手臂裝置分別設置之第2搬送手臂裝置，在其與該電漿處理裝置之間進行搬出/搬入。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中該第2搬送手臂裝置係設置在連接於該暫存室與該電漿處理裝置間處的氣密室中。
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