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TW201417073A - 主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方法 - Google Patents

主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方法 Download PDF

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TW201417073A
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Abstract

本發明係有關於一種主動式矩陣有機發光二極體(Active Matrix OLED,AMOLED)之畫素驅動電路及其方法，以利用N型電晶體來驅動有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)。而畫素驅動電路之架構係以五薄膜電晶體及二電容(5T2C)之組合來達成，以解決N型電晶體之臨界電壓因劣化而造成其臨界電壓之偏移、OLED因長時間操作導致其跨壓用電壓差上升、以及IR-drop之問題。進而提升顯示的均勻性而讓OLED有更佳的顯示效果。

Description

主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方 法
本發明係關於一種畫素驅動電路及其方法，尤指一種使用N型電晶體來驅動有機發光二極體之主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素驅動電路及其方法。
在眾多種類的平面顯示器中，有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器技術為極具潛力的新興平面顯示技術。而OLED顯示器依驅動方式又可分為被動式矩陣有機發光二極體(Passive Matrix OLED,PMOLED)與主動式矩陣有機發光二極體(Active Matrix OLED,AMOLED)兩種。由於AMOLED驅動電路的每一畫素皆有一電容儲存資料，讓每一畫素皆維持在發光狀態。因此，AMOLED耗電量明顯小於PMOLED，加上其驅動方式適合發展大尺寸與高解析度之顯示器，使得AMOLED成為未來發展的主要方向。
在AMOLED中，其所用的薄膜電晶體(Thin-film transistor,TFT)依背板製程技術可區分為N型電晶體及P型電晶體二種驅動型式。請參考圖1A及圖1B，係分別為習知使用N型電晶體及P型電晶體驅動有機發光二極體之AMOLED畫素驅動電路示意圖。其中，圖1A及圖1B為一般傳統的二薄膜電晶體結合一電容(2T1C)之AMOLED畫素驅動電路。如圖1A所示，當掃描線SCAN掃描到此畫素驅動電 路900A時，資料線DATA將輸入對應的資料電壓至薄膜電晶體940A之汲極(Drain)端，並傳遞至電容920A以維持住資料電壓。此時的薄膜電晶體910A將進入飽和區，而使得流經有機發光二極體930A之電流IA維持在IA=K(VGS-VT)2，其中，K=1/2(μ n＊COX)(W/L)，μn為電子漂移率(electron mobility)，COX為氧化層電容(oxide capacitance)，(W/L)為薄膜電晶體910A的閘極寬長比，VGS為薄膜電晶體910A之閘極端G及其源極端S之間的電壓差，VT為薄膜電晶體910A之臨界電壓(threshold voltage)，而該薄膜電晶體係會依該VGS電壓是否大於該臨界電壓而判斷是否為開啟狀態。並使得有機發光二極體930A依據資料電壓而持續發光，直到下次掃描線SCAN再次掃描到此畫素驅動電路900A。同樣地，圖1B所述之習知的畫素驅動電路900B，亦將如同畫素驅動電路900A之驅動方式而讓有機發光二極體930B發光，故在此不做贅述。
由上述可知，有機發光二極體930A、930B所表現出的亮度是由各自流經有機發光二極體930A、930B之電流大小所決定。而對於使用N型電晶體驅動有機發光二極體之AMOLED畫素驅動電路而言，目前仍有以下問題需要解決：
(1)N型電晶體之臨界電壓偏移問題：其係因為薄膜電晶體製程上的差異或是長時間操作之後產生劣化(degradation)而造成臨界電壓的變異，使得AMOLED顯示不均勻。
(2)電流電阻降(IR-drop)問題：圖2係習知多個畫素驅動電路組成之AMOLED顯示器示意圖。由圖2可知，隨著第一電壓線950的拉長，第一電壓線950上的內阻△R逐漸增加，而產生一個電壓降(即驅動電流IIN×內阻△R)，使得第一電壓VIN為VIN-IIN×△R而逐漸衰減(即越遠離第一電壓線950則因內阻△R越大，而造成驅動電壓VIN因為△R越大而逐漸變小)，進而使得驅動有機發光二極體的N型電晶體所產生的電流值隨著驅動電壓線950的拉長而逐漸下降。又隨著面板的尺寸越來越大，影響會越來越明顯，最後產生面板亮度不均勻的情況，故考量到發展大尺寸面板時，IR-drop是不能忽略其嚴重性的問題。
(3)有機發光二極體(OLED)跨壓用電壓差上升問題：由於材料老化的現象，OLED處在長時間操作下，會發生跨壓用電壓差逐漸上升且發光效率下降的問題。而跨壓用電壓差的上升可能會影響到N型電晶體的操作，若OLED接在N型電晶體上，當OLED的跨壓用電壓差上升時將會直接影響到N型電晶體的閘極與源極之跨壓用電壓差，也就是直接影響到流經OLED的電流，而產生顯示不良問題。
發明人爰因於此，本於積極發明之精神，亟思一種主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方法，以利用N型電晶體來驅動有機發光二極體，並同時結合多個薄膜電晶體及電容，進而補償N型電晶體之臨界電壓偏移、IR-drop、以及有機發光二極體(OLED)跨壓用電壓差上升之問題，幾經研究實驗終至完成本發明。
鑑於先前技術中，使用N型電晶體之AMOLED畫素驅動電路，會有N型電晶體之臨界電壓偏移、IR-drop、以及有機發光二極體(OLED)跨壓用電壓差上升之問題。本發明利用多個薄膜電晶體結合電容所組成之AMOLED畫素驅動電路來解決上述三個問題，使得驅動OLED之N型電晶體在輸入相同資料的情況下，流經OLED的電流相同且不會隨著時間增長而衰減，且流經OLED的電流不會隨著OLED跨壓用電壓差增加、電晶體本身的臨界電壓偏移、AMOLED畫素驅動電路之第二電壓(VSS)電壓位準變動而改變，遂可解決IR-drop造成顯示不良之疑慮。
為達成上述目的，本發明提供了一種主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路，包括一驅動開關、一有機發光二極體、一電壓補償開關、一儲存電容、一資料寫入開關、一重置單元、以及一預充電單元。其中，驅動開關具有一第一節點，且驅動開關電連接一第一電壓。有機發光二極體具有一第二節點以及一第三節點，且上述第三節點連接一第二電壓。電壓補償開關連接於驅動開關及上述第二節點之間，以根據一補償訊號來補償該驅動開關之臨界電壓。儲存電容為連接於第一節點以及上述第二節點之間。資料寫入開關為連接第一節點及一資料訊號，以根據一掃描訊號傳送資料訊號至儲存電容。重置單元則連接第一節點及一重置參考電壓，以根據一重置訊號重置第一節點之電壓。而預充電單元則連接上述第二節點及一充電電 壓，以根據一預充電訊號將上述第二節點之電壓充電至充電電壓。其中，當畫素驅動電路於一預充電狀態時，重置單元接收重置訊號及欲充電單元接收預充電訊號；當畫素驅動電路於一補償狀態時，重置單元接收重置訊號及電壓補償開關接收補償訊號；當畫素驅動電路於一資料寫入狀態時，資料寫入開關接收掃描訊號；而當畫素驅動電路於一發光狀態時，電壓補償開關接收補償訊號。
此外，本發明之畫素驅動電路可依序以預充電狀態、補償狀態、資料寫入狀態、及發光狀態重複運作。
再者，本發明之驅動開關、電壓補償開關、以及資料寫入開關可為N型電晶體開關。而驅動開關可具有一驅動汲極以及一驅動源極。電壓補償開關可具有一補償閘極、一補償汲極、以及一補償源極。資料寫入開關可具有一寫入閘極、一寫入汲極、以及一寫入源極。其中，驅動汲極電連接第一電壓，第一節點連接寫入源極，驅動源極連接補償汲極，寫入閘極連接掃描訊號，寫入汲極連接資料訊號，補償閘極連接補償訊號，補償源極連接上述第二節點。
再者，本發明之重置單元、以及預充電單元可為電晶體開關。
另外，本發明可更包含一補償電容，連接於第一電壓以及上述第二節點之間。
此外，本發明亦提供了一種主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路之方法。畫素驅動電路包含一具有一第一節點之驅動開關、一具有一第二節點以及一第三節點之 有機發光二極體、一連接於驅動開關及上述第二節點之間之電壓補償開關、一連接於第一節點以及上述第二節點之間之儲存電容、一連接於第一節點及一資料訊號之間之資料寫入開關、一連接於第一節點及一重置參考電壓之間之重置單元、以及一連接於上述第二節點及一充電電壓之間之預充電單元。上述方法包含步驟：(A)於一預充電狀態時，重置單元接收一重置訊號以及預充電單元接收一預充電訊號，以據此傳送重置參考電壓至第一節點，並將上述第二節點之電壓充電至充電電壓；(B)於一補償狀態時，重置單元接收一重置訊號以及電壓補償開關接收一補償訊號，以據此傳送重置參考電壓至第一節點，並補償驅動開關的臨界電壓至上述第二節點；(C)於一資料寫入狀態時，資料寫入開關接收掃描訊號，以據此傳送資料訊號至儲存電容；(D)於一發光狀態時，電壓補償開關接收補償訊號，以根據資料訊號驅動有機發光二極體。
以上的概述與接下來的詳細說明皆為示範性質，是為了進一步說明本發明的申請專利範圍。而有關本發明的其他目的與優點，將在後續的說明與圖示加以闡述。
首先，請參考圖3，係為一具有本發明之畫素驅動電路的主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)驅動裝置示意圖。如圖3所示，AMOLED驅動裝置10包含一電源供應單元20、一掃描驅動單元30、一資料驅動單元40、及複數個畫 素驅動電路100，掃描驅動單元30連接複數個平行配置之掃描線SCAN1~SCANn，資料驅動單元40則連接複數個平行配置且與該掃描線SCAN1~SCANn絕緣垂直相交之資料線DATA1~DATAn。其中，複數個畫素驅動電路100係呈依掃描線與資料線所成陣列排列。而資料驅動單元40係透過複數個資料線DATA1~DATAn，以分別連接各行畫素驅動電路100。掃描驅動單元30係透過複數個掃描線SCAN1~SCANn，以分別連接各列畫素驅動電路100。而電源供應單元20則提供各個畫素驅動單元100所需電力。使AMOLED驅動電路10得以驅動各個畫素驅動單元100中的有機發光二極體(OLED)發光。
請同時參考圖4，係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路100示意圖。為了方便說明，以第一行第一列的畫素驅動電路100來描述其技術特徵，即與資料線DATA1及掃瞄線SCAN1連結之畫素驅動電路100。如圖4所示，畫素驅動電路100包括一驅動開關110、一電壓補償開關120、一預充電單元130、一資料寫入開關140、一重置單元150、一有機發光二極體160、一儲存電容Cs、及一補償電容Cm。其中，驅動開關110具有一第一節點A(即該驅動開關110之驅動閘極)、一驅動汲極、以及一驅動源極。電壓補償開關120具有一補償閘極、一補償汲極、以及一補償源極。而資料寫入開關140則具有一寫入閘極、一寫入汲極、以及一寫入源極。驅動汲極係電連接電源供應單元20所產生之一第一電壓VDD，以提供畫素驅動電路100所需電力。驅動源極係連 接補償汲極。而第一節點A則連接寫入源極。在本實施例中，驅動開關110、電壓補償開關120、及資料寫入開關140皆為一N型電晶體開關。
有機發光二極體160係具有一第二節點B以及一第三節點。其第二節點B連接電壓補償開關120之補償源極，而其第三節點則連接一第二電壓VSS。在本實施例中，第二電壓VSS之電壓準位係為相對低於第一電壓VDD之電壓準位，當然，第二電壓VSS亦可為0 V之接地電位。
電壓補償開關120係連接於驅動開關110及第二節點B之間。其中，電壓補償開關120之補償閘極連接一補償訊號Em，以根據補償訊號Em來補償驅動開關的臨界電壓，使第一節點與第二節點之電壓差為該驅動開關之臨界電壓。儲存電容Cs則為連接於第一節點A以及第二節點B之間。而補償電容Cm則為連接在驅動汲極以及第二節點B之間。
資料寫入開關140為連接於第一節點A及資料線DATA1之間。其中，寫入汲極係連接於資料線DATA1，以接收資料訊號VDATA，而寫入閘極則連接掃描線SCAN1，以接收一掃描訊號Sn，並根據掃描訊號Sn傳送資料訊號VDATA至儲存電容Cs。
重置單元150則連接第一節點A及一重置參考電壓VREF之間，以根據一重置訊號Rst重置第一節點A之電壓。在本實施例中，重置單元150係為一N型電晶體開關，並具有一重置汲極、一重置閘極、及一重置源極。其中，重置 汲極係接收重置參考電壓VREF，重置閘極係接收重置訊號Rst，而重置源極則連接驅動開關110之第一節點A。
而預充電單元130則連接有機發光二極體160之第二節點B及一充電電壓VP之間，以根據一預充電訊號Pre將第二節點B之電壓充電至充電電壓VP。在本實施例中，預充電單元130係為一N型電晶體開關，並具有一預充電汲極、一預充電閘極、及一預充電源極。其中，預充電汲極係接收充電電壓VP，預充電閘極係接收預充電訊號Pre，而預充電源極則連接有機發光二極體160之第二節點B。
接著，請同時參考圖5，係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路100處於預充電狀態、補償狀態、資料寫入狀態、及發光狀態時序圖。對於驅動AMOLED之畫素驅動電路100來說，係依序以一預充電狀態、一補償狀態、一資料寫入狀態、及一發光狀態之重複運作，來達成本發明之目的及功效。以下將以(120,130,140,150)為0或1，來分別代表電壓補償開關120、預充電單元130、資料寫入開關140、及重置單元150為關閉"0"或開啟"1"之狀態。舉例來說，如圖5所示，若畫素驅動電路100處於預充電狀態，則(120,130,140,150)=(0,1,0,1)。其代表電壓補償開關120及資料寫入開關140為關閉狀態，而預充電單元130及重置單元150為開啟狀態。接下來將以(120,130,140,150)之關閉"0"或開啟"1"狀態，來說明預充電狀態、補償狀態、資料寫入狀態、及發光狀態之運作，並請同時參考圖6及圖7A~7D。其中，圖6係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路流程圖。而圖 7A~7D係分別代表本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於預充電狀態、補償狀態、資料寫入狀態、及發光狀態之示意圖。
如圖6及圖7A所示，當畫素驅動電路100處於預充電狀態時，(120,130,140,150)=(0,1,0,1)。此時，重置單元150接收到重置訊號Rst，以及預充電單元130接收到預充電訊號Pre。重置參考電壓VREF將經由重置單元150傳遞至第一節點A，以將第一節點A之電位提升至重置參考電壓VREF。而第二節點B之電位將提升至充電電壓VP(步驟S610)。
接下來，如圖6及圖7B所示，當畫素驅動電路100處於補償狀態時，(120,130,140,150)=(1,0,0,1)。此時，重置單元150接收到重置訊號Rst，以及電壓補償開關120接收到補償訊號Em。重置參考電壓VREF將經由重置單元150傳遞至第一節點A，以持續維持第一節點A之電位為重置參考電壓VREF。而第二節點B之電位將會由充電電壓VP往第一電壓VDD拉升，直到第二節點B之電位達到重置參考電壓VREF減去驅動開關110之臨界電壓Vt(未繪於圖式)，即第二節點B之電位為VREF-Vt。才會使得驅動開關110關閉而停止拉升第二節點B之電位，以進一步使第一節點與第二節點之電壓差為該驅動開關之臨界電壓而可以補償驅動開關的臨界電壓(步驟S620)。
再來，如圖6及圖7C所示，當畫素驅動電路100處於資料寫入狀態時，(120,130,140,150)=(0,0,1,0)。此時， 資料寫入開關140接收掃描訊號Sn。資料訊號VDATA將經由資料寫入開關140寫入第一節點A，並將資料訊號VDATA儲存至儲存電容Cs。而此時第二節點B之電位將被抬升至VREF-Vt+a(VDATA-VREF)。其中，"a"為儲存電容Cs在彼此並聯之儲存電容Cs、補償電容Cm、及有機發光二極體160之內部電容Coled中所佔的比例，意即"a"=Cs/(Cs+Cm+Coled)(步驟S630)。
接下來，如圖6及圖7D所示，當畫素驅動電路100處於發光狀態時，(120,130,140,150)=(1,0,0,0)。此時，電壓補償開關120接收補償訊號Em。使得第二節點B之電位將會達到Voled+VSS，其中，Voled為有機發光二極體160的導通電壓。而第一節點A之電位將會被抬升至Vt+(1-a)(VDATA-VREF)+Voled+VSS。其中，"a"=Cs/(Cs+Cm+Coled)。而第一節點A與第二節點B之間的跨壓用電壓差將為Vt+(1-a)(VDATA-VREF)。此時的驅動開關110將進入飽和區，使得流經有機發光二極體160的驅動電流ID將維持在ID=K[(1-a)(VDATA-VREF)]2。其中K=1/2(μn＊COX)(W/L)，μn為電子漂移率(electron mobility)，COX為氧化層電容(oxide capacitance)，(W/L)則為驅動開關110的閘極寬長比，而"a"則為Cs/(Cs+Cm+Coled)。並使得有機發光二極體130根據資料訊號VDATA而持續發光，直到下次掃描線SCAN1再次掃描到此畫素驅動電路100。(步驟S640)。
如圖1B及圖7D所示，相較於圖1B之薄膜電晶體910A進入飽和區之電壓差VGS。圖7D之驅動開關110進入飽和區之第一節點A與第二節點B之間的跨壓用電壓差將可受到補償。而使得在接收到相同資料訊號DATA的情況下，流經有機發光二極體160之驅動電流ID為相同且不隨時間增長而衰減。此外，由上述可知，驅動電流ID係與驅動開關110之臨界電壓Vt及第二電壓VSS無關，因而可解決IR-drop之問題。另外，有機發光二極體160因使用過久劣化而導致跨壓用電壓差上升，進而影響驅動開關110之第一節點與驅動源極之間的跨壓用電壓差的問題，亦可在調整第一節點A與第二節點B之間的跨壓用電壓差而獲得補償。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
10‧‧‧AMOLED驅動裝置
20‧‧‧電源供應單元
30‧‧‧掃描驅動單元
40‧‧‧資料驅動電路
100‧‧‧畫素驅動電路
110‧‧‧驅動開關
120‧‧‧電壓補償開關
130‧‧‧預充電單元
140‧‧‧資料寫入開關
150‧‧‧重置單元
160‧‧‧有機發光二極體
900A‧‧‧畫素驅動電路
900B‧‧‧畫素驅動電路
910A‧‧‧薄膜電晶體
920A‧‧‧電容
930A‧‧‧有機發光二極體
930B‧‧‧有機發光二極體
940A‧‧‧薄膜電晶體
950‧‧‧第一電壓線
A‧‧‧第一節點
B‧‧‧第二節點
Cm‧‧‧補償電容
C‧‧‧第三節點
Cs‧‧‧儲存電容
DATA‧‧‧資料線
Em‧‧‧補償訊號
G‧‧‧閘極端
IA‧‧‧電流
IIN‧‧‧驅動電流
Pre‧‧‧預充電訊號
Rst‧‧‧重置訊號
S‧‧‧源極端
SCAN‧‧‧掃描線
Sn‧‧‧掃描訊號
VDATA‧‧‧資料訊號
VDD‧‧‧第一電壓
VIN‧‧‧驅動電壓
VP‧‧‧充電電壓
VREF‧‧‧重置參考電壓
VSS‧‧‧第二電壓
△R‧‧‧內阻
DATA1~DATAn‧‧‧資料線
SCAN1~SCANn‧‧‧掃描線
S610-S640‧‧‧步驟
圖1A係習知使用N型電晶體驅動有機發光二極體之AMOLED畫素驅動電路示意圖。
圖1B係習知使用P型電晶體驅動有機發光二極體之AMOLED畫素驅動電路示意圖。
圖2係習知多個畫素驅動電路組成之AMOLED驅動電路示意圖。
圖3係本發明一較佳實施例之AMOLED驅動電路示意圖。
圖4係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路示意圖。
圖5係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於預充電狀態、補償狀態、資料寫入狀態、及發光狀態時序圖。
圖6係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路流程圖。
圖7A係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於預充電狀態示意圖。
圖7B係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於補償狀態示意圖。
圖7C係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於資料寫入狀態示意圖。
圖7D係本發明一較佳實施例之畫素驅動電路處於發光狀態示意圖。
100‧‧‧畫素驅動電路
110‧‧‧驅動開關
120‧‧‧電壓補償開關
130‧‧‧預充電單元
140‧‧‧資料寫入開關
150‧‧‧重置單元
160‧‧‧有機發光二極體
A‧‧‧第一節點
B‧‧‧第二節點
Cm‧‧‧補償電容
C‧‧‧第三節點
Cs‧‧‧儲存電容
Em‧‧‧補償訊號
Pre‧‧‧預充電訊號
Rst‧‧‧重置訊號
Sn‧‧‧掃描訊號
VDATA‧‧‧資料訊號
VDD‧‧‧第一電壓
VP‧‧‧充電電壓
VREF‧‧‧重置參考電壓
VSS‧‧‧第二電壓

Claims (10)

  1. 一種主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路，包括：一驅動開關，具有一第一節點，且該驅動開關電性連接一第一電壓；一有機發光二極體，具有一第二節點以及一第三節點，且該第三節點電性連接一第二電壓；一電壓補償開關，連接於該驅動開關及該第二節點之間，以根據一補償訊號使第一節點與第二節點之電壓差為該驅動開關之臨界電壓；一儲存電容，連接於該第一節點以及該第二節點之間；一資料寫入開關，連接該第一節點及一資料訊號，以根據一掃描訊號傳送該資料訊號至該儲存電容；一重置單元，連接該第一節點及一重置參考電壓，以根據一重置訊號重置該第一節點之電壓為該重置參考電壓；以及一預充電單元，連接該第二節點及一充電電壓，以根據一預充電訊號將該第二節點之電壓充電至該充電電壓；其中，當該畫素驅動電路於一預充電狀態時，接收該重置訊號及該預充電訊號；當該畫素驅動電路於一補償狀態時，接收該重置訊號及該補償訊號；當該畫素驅動電路於一資料寫入狀態時，接收該掃描訊號：而當該畫素驅動電路於一發光狀態時，接收該補償訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素驅動電路，其中，該畫素驅動電路係依序以該預充電狀態、該補償狀態、該資料寫入狀態、及該發光狀態重複運作。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素驅動電路，其中，該驅動開關、該電壓補償開關、該重置單元、該預充電單元、以及該資料寫入開關係為N型電晶體開關。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之畫素驅動電路，其中，該驅動開關具有一驅動閘極、一驅動汲極以及一驅動源極，該電壓補償開關具有一補償閘極、一補償汲極、以及一補償源極，該資料寫入開關具有一寫入閘極、一寫入汲極、以及一寫入源極，該驅動汲極電性連接該第一電壓，而該驅動閘極係為該第一節點，該第一節點電性連接該寫入源極，該驅動源極連接該補償汲極，該寫入閘極連接該掃描訊號，該寫入汲極連接該資料訊號，該補償閘極連接該補償訊號，該補償源極連接該第二節點。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之畫素驅動電路，其更包含一補償電容，連接於該驅動汲極以及該第二節點之間。
  6. 一種主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路之方法，該畫素驅動電路包含一具有一第一節點之驅動開關、一具有一第二節點以及一第三節點之有機發光二極體、一連接於該驅動開關及該第二節點之間之電壓補償開關、一連接於該第一節點以及該第二節點之間之儲存電容、一連接於該第一節點及一資料訊號之間之資料寫入開關、一連接於該第一節點及一重置參考電壓之間之重置單 元、以及一連接於該第二節點及一充電電壓之間之預充電單元，該方法包含步驟：(A)於一預充電狀態時，該重置單元接收一重置訊號以及該預充電單元接收一預充電訊號；(B)於一補償狀態時，該重置單元接收一重置訊號以及該電壓補償開關接收一補償訊號；(C)於一資料寫入狀態時，該資料寫入開關接收該掃描訊號；以及(D)於一發光狀態時，該電壓補償開關接收該補償訊號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，步驟(A)係用以傳送該重置參考電壓至該第一節點，並將該第二節點之電壓充電至該充電電壓。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，步驟(B)係用以傳送該重置參考電壓至該第一節點，並使該第一節點與第二節點之電壓差係為該驅動開關之臨界電壓。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，步驟(C)係用以傳送該資料訊號至該儲存電容。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，步驟(D)係用以根據資料訊號驅動該有機發光二極體。
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