TW201415067A - 導電性元件及其製造方法、配線元件及母盤 - Google Patents
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Abstract
本發明之導電性元件具備：具有第1波面、第2波面及第3波面之基體，設置於第1波面上之第1層，及形成於第2波面上之第2層。第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，第2層具有含有第1層之一部分之層之單層構造或積層構造，第1層及第2層形成導電圖案部。第1波面、第2波面及第3波面滿足0≦(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≦1.8(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)之關係。
Description
本技術係關於一種導電性元件及其製造方法、配線元件及母盤。詳細而言，係關於一種於基體表面形成有導電圖案部之導電性元件。
先前，作為於包含玻璃或塑膠等之絕緣性基材上形成特定之電路圖案之導電層的方法，廣泛使用利用光微影法之電路圖案形成方法。該電路圖案之形成方法中，通常使用步進&重複方式、或與其相近之方式。具體而言，該形成方法中，經過「塗佈金屬層」→「塗佈光阻」→「曝光」→「顯影」→「除去」→「剝離光阻」之步驟而形成電路圖案。因此，利用光微影法之電路圖案之形成方法為低產出量。
因此，為實現產出量之提高，提出有利用絲網印刷之電路圖案形成方法。該利用絲網印刷之電路圖案形成方法係介隔掩膜而利用刮漿板將金屬膏等塗佈於絕緣性基材上，其後進行煅燒而形成特定之電路圖案之導電層的方法。由於利用絲網印刷之電路圖案形成方法產出量優異，故正研究對各種器件之應用。例如專利文獻1中揭示有使用絲網印刷而形成觸控面板之電極之方法。又，專利文獻2中揭示有使用絲網印刷而形成圖像顯示裝置之電極之方法。
然而，絲網印刷存在掩膜價格較高、精度良好地將掩膜位置對準較為繁雜、掩膜之孔易堵塞等問題。因此，除絲網印刷以外，業界
期待可實現優異之產出量之電路圖案之形成方法。
[專利文獻1]
日本專利特開2009-266025號公報
[專利文獻2]
日本專利特開2005-149807號公報
因此，本技術之目的在於提供一種可實現優異之產出量之導電性元件及其製造方法、配線元件及母盤。
為解決上述課題，第1技術係一種導電性元件，其具備：基體；設置於基體之表面且具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；設置於第1波面上之第1層；及形成於第2波面上之第2層；且形狀層含有能量射線硬化性樹脂組合物，第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，第2層具有包含第1層之一部分之層之單層構造或積層構造，第1層及第2層形成導電圖案部，第1波面、第2波面及第3波面滿足以下之關係。
0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之
平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)第2技術係一種配線元件，其具備：基體；設置於基體之表面且具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；設置於第1波面上之第1層；及形成於第2波面上之第2層，且形狀層含有能量射線硬化性樹脂組合物，第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，第2層具有包含第1層之一部分之層之單層構造或積層構造，第1層及第2層形成導電圖案部，第1波面、第2波面及第3波面滿足以下之關係。
0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)第3技術係一種導電性元件之製造方法，其包括：於基體之表面塗佈能量射線硬化性樹脂組合物；一面相對於塗佈於基體之表面之能量射線硬化性樹脂組合物，使旋轉母盤之旋轉面旋轉密接，一面介隔旋轉面照射自設置於旋轉母盤內之能量射線源放射之能量射線，使能量射線硬化性樹脂組合物硬化，藉此於基體之表面形成具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；於第1波面、第2波面及第3波面上形成積層膜；及將第1波面、第2波面及第3波面中、形成於第3波面上之積層膜除去，與此相對，保留形成於第1波面上之積層膜作為第1層，並且保
留形成於第2波面上之積層膜之一部分之層作為第2層，藉此形成導電圖案部；且第1波面、第2波面及第3波面滿足以下之關係。
0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)
本技術中，所謂能量射線硬化性樹脂組合物，係指包含能量射線硬化性樹脂組合物作為主成分之組合物。作為能量射線硬化性樹脂組合物以外之調配成分，例如可使用熱硬化性樹脂、聚矽氧樹脂、有機微粒子、無機微粒子、導電性高分子、金屬粉、顏料等各種材料，但並不限定於該等，可根據所需之基體、導電性元件或配線元件之特性而使用各種材料。
又，所謂針對能量射線之不透過性，係指難以使能量射線硬化性樹脂組合物硬化之程度之不透過性。
單位區域較佳為藉由使旋轉母盤之旋轉面旋轉1周而形成之轉印區域。作為旋轉母盤，較佳為使用輥形母盤或帶形母盤，但只要具有設有凹凸形狀之旋轉面即可，並不限定於該等。
構造體之排列較佳為規則排列、不規則排列、及該等之組合。構造體之排列較佳為1維排列或2維排列。作為基體之形狀，較佳為使用具有2個主面之膜狀或板狀等形狀、具有3個以上之主面之多面體形狀、具有球面及自由曲面等曲面之曲面形狀、具有平面及球面之多面體形狀。較佳為於該等基體所具有之複數個主面中之至少1者上形成形狀層。較佳為基體具有至少1個平面或曲面，且於平面或曲面上形成形狀層。
於單位區域間不產生失配而連接形狀層之凹凸形狀之情形時，
不存在因單位區域間之失配導致之基體、導電性元件或配線元件之特性劣化或形狀混亂等。因此，可獲得具有優異之特性或外觀之導電性元件或配線元件。於凹凸形狀為次波長構造體之圖案等之情形時，即便於單位區域間亦可獲得優異之光學特性。
本技術中，利用於基體之第1波面、第2波面及第3波面上形成之積層膜之狀態之差異，將第1波面、第2波面及第3波面中、形成於第3波面上之積層膜除去，與此相對，保留形成於第1波面上之積層膜作為第1層，並且保留形成於第2波面上之積層膜之一部分之層作為第2層，藉此可形成導電圖案部。
如以上之說明，根據本技術，可實現精細且高產出量之導電性元件或配線元件。
1‧‧‧導電性元件
2‧‧‧基體
2a‧‧‧不透過層
2b‧‧‧透過層
3、31、32、33‧‧‧構造體
4‧‧‧積層膜
41‧‧‧第1層
42‧‧‧第2層
4a‧‧‧導電層
4b‧‧‧第1功能層
4c‧‧‧第2功能層
4m‧‧‧導電層
5‧‧‧金屬層
6‧‧‧形狀層
7‧‧‧導電材料
8‧‧‧基底層
10‧‧‧導電性元件
11‧‧‧輥形母盤
12、121、122、123‧‧‧構造體
13‧‧‧光阻層
14‧‧‧雷射光
15‧‧‧潛像
16‧‧‧轉印材料
21‧‧‧雷射光源
22‧‧‧光電元件
23、31‧‧‧反射鏡
24‧‧‧光電二極體
25‧‧‧調變光學系統
26‧‧‧聚光透鏡
27‧‧‧聲光元件
28‧‧‧透鏡
29‧‧‧格式器
30‧‧‧驅動器
32‧‧‧移動光學台
33‧‧‧擴束器
34‧‧‧物鏡
35‧‧‧轉軸馬達
36‧‧‧轉盤
37‧‧‧控制機構
110‧‧‧能量射線源
111‧‧‧基體供給輥
112‧‧‧捲繞輥
113、114‧‧‧導輥
115‧‧‧夾輥
116‧‧‧剝離輥
117‧‧‧塗佈裝置
118‧‧‧能量射線硬化性樹脂組合物
121‧‧‧搬送載台
130‧‧‧轉印裝置
131、132、134、135‧‧‧輥
133‧‧‧壓紋帶
136‧‧‧平坦傳送帶
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R3‧‧‧第3區域
Si‧‧‧背面
Sp‧‧‧轉印面
Sp1‧‧‧平面
Sw1、Sw2、Sw3‧‧‧波面
圖1A係表示本技術之第1實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖1B係沿如圖1A所示之B-B線之剖面圖。圖1C係表示第1區域、第2區域及第3區域之配置順序之變化例的剖面圖。
圖2A係將如圖1B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖2B係將如圖1B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖2C係將如圖1B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖3A係將2維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之立體圖。圖3B係將2維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之俯視圖。
圖4A係將1維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之立體圖。圖4B係將1維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之俯視圖。
圖5A係表示用以製作基體之輥形母盤之一構成例的立體圖。圖
5B係將如圖5A所示之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。
圖6A係將輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。圖6B係將第2區域之一部分放大表示之立體圖。圖6C係將第2區域之一部分放大表示之俯視圖。
圖7係表示輥形母盤曝光裝置之一構成例之概略圖。
圖8A~圖8C係用以說明本技術之第1實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖9A~圖9C係用以說明本技術之第1實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖10A~圖10C係用以說明本技術之第1實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖11A係表示本技術之第2實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖11B係沿如圖11A所示之B-B線之剖面圖。
圖12A係將如圖11B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖12B係將如圖11B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖12C係將如圖11B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖13A係將用以製作基體之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。圖13B係將如圖13A所示之輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。
圖14A係表示本技術之第3實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖14B係沿如圖14A所示之B-B線之剖面圖。圖14C係將如圖14B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖14D係將如圖14B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖15A係表示用以製作基體之輥形母盤之一構成例的立體圖。圖15B係將如圖15A所示之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。
圖16A係將輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。圖16B係將第2
區域之一部分放大表示之立體圖。圖16C係將第2區域之一部分放大表示之俯視圖。
圖17A~圖17C係用以說明本技術之第3實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖18A~圖18C係用以說明本技術之第3實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖19A~圖19C係用以說明本技術之第3實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖20A係表示本技術之第4實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖20B係沿如圖20A所示之B-B線之剖面圖。圖20C係將如圖20B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖20D係將如圖20B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖21A係將用以製作基體之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。圖21B係將如圖21A所示之輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。
圖22A係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖22B係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖22C係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之第1區域之層構成的剖面圖。
圖23A係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖23B係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖23C係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之第1區域之層構成的剖面圖。
圖24A係表示本技術之第7實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖24B係將如圖24A所示之導電性元件之一部分放大表示之剖面圖。
圖25A~圖25E分別為表示本技術之第7實施形態之導電性元件所具備之基體之第1~第5例的剖面圖。
圖26係表示本技術之第7實施形態的轉印裝置之構成之一例的概略圖。
圖27A~圖27E係用以說明本技術之第7實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
圖28係表示本技術之第8實施形態之轉印裝置之構成之一例的概略圖。
圖29係表示本技術之第9實施形態之轉印裝置之構成之一例的概略圖。
圖30A係表示本技術之第10實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖30B係表示本技術之第10實施形態之導電性元件之變化例的剖面圖。
圖31A、圖31B分別為表示本技術之第11實施形態之導電性元件所具備之基體之第1、第2例的剖面圖。
圖32A係表示本技術之第12實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖32B係表示本技術之第12實施形態之導電性元件之變化例的剖面圖。
圖33A係將如圖32B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖33B係將如圖32B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖33C係將如圖32B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。
圖34A係表示實施例1之透明導電性片材之製作所使用之輥形母盤之成形面的模式圖。圖34B係表示實施例1之透明導電性片材之導通/非導通評價點的模式圖。
圖35係表示實施例2-2之導電性片材表面之光學顯微鏡觀察圖像的圖。
圖36係表示蝕刻時間與相對於初始表面電阻之倒數(假想厚度變化)之關係之圖表。
一面參照圖式一面按照以下之順序對本技術之實施形態進行說明。
1.第1實施形態(利用平面及2種波面之差異而於基體表面形成導電圖案部之例)
2.第2實施形態(利用3種波面之差異而於基體表面形成導電圖案部之例)
3.第3實施形態(利用波面之有無而於基體表面形成導電圖案部之例)
4.第4實施形態(利用2種波面之差異而於基體表面形成導電圖案部之例)
5.第5實施形態(利用波面之有無而於基體表面形成導電圖案部之例)
6.第6實施形態(利用2種波面之差異而於基體表面形成導電圖案部之例)
7.第7實施形態(使用具有不透過性之基體之導電性元件之例)
8.第8實施形態(藉由載台搬送基體之轉印裝置之例)
9.第9實施形態(具備圓環狀之帶形母盤之轉印裝置之例)
10.第10實施形態(於基體之兩面形成導電圖案部之例)
11.第11實施形態(使用具有不透過性之複數個構造體之例)
12.第12實施形態(將構造體製成凹狀之例)
圖1A係表示本技術之第1實施形態之導電性元件之一構成例的俯
視圖。圖1B係沿如圖1A所示之B-B線之剖面圖。圖2A係將如圖1B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖2B係將如圖1B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖2C係將如圖1B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。以下，以於導電性元件1之主面之面內互相正交之2個方向分別作為X軸方向、及Y軸方向，將垂直於該主面之方向稱為Z軸方向。
第1實施形態之導電性元件1具備具有第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3之基體2、形成於第1區域R1中之第1層41、及形成於第2區域R2中之第2層42。第1層41係以形成導電圖案部之方式而連續地形成於第1區域R1中。第2層42係以形成導電圖案部之方式而連續地形成於第2區域R2中。可藉由第1層41與第2層42形成不同之導電圖案部，亦可藉由第1層41與第2層42形成1個導電圖案部。
導電圖案部例如為配線圖案部、電極圖案部等。第1層41較佳為具有積層有2層以上之層之積層構造，且至少包含具有導電性之層。第2層42較佳為具有包含第1層41之一部分之層之單層構造或積層構造，且至少包含具有導電性之層。此處，所謂第1層41之一部分之層，係指自具有積層構造之第1層之最上層起除去1層以上之層而得之層，或使自具有積層構造之第1層之最上層起1層以上之層成為島狀等而不連續、使其餘層連續之層。
該導電性元件1例如為印刷基板、圖像顯示元件、輸入元件等。作為印刷基板，例如可列舉剛性基板、柔性基板、剛性柔性基板等。作為圖像顯示元件，例如可列舉液晶顯示元件、電致發光(EL，electroluminescence)元件(例如有機EL元件、無機EL元件)、電子紙等。作為輸入元件，例如可列舉靜電電容式觸控面板、電阻膜式觸控面板等。
圖1B中，係依序設置有第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3，但
該順序為一例，該等區域之順序可根據電路或元件之設計等而設為所需之順序。例如，如圖1C所示，亦可於第1區域R1與第2區域R2之間設置第3區域R3，將第1層41及第2層42設為不同之導電圖案部而發揮功能。即，亦可將形成於第1區域R1上之第1層41設為第1導電圖案部而發揮功能，將形成於第2區域R2上之第2層42設為第2導電圖案部而發揮功能。
於第1區域R1之基體表面例如形成有平面Sp1，於該平面Sp1上連續地形成有第1層41。於第2區域R2之基體表面例如形成有波面Sw2，於該波面Sw2上連續地形成有第2層42。與此相對，成為於第3區域R3之基體表面係例如形成有波面Sw3、於該波面Sw3上未形成第1層41及第2層42等層之狀態。因此，第3區域R3係作為用以使2個第1層41之間、2個第2層42之間、或第1層41與第2層42之間絕緣之絕緣區域而發揮功能。與此相對，連續地形成於第1區域R1中之第1層41朝向第1區域R1之延伸方向並具有導電性，係作為導電圖案部而發揮功能。又，連續地形成於第2區域R2中之第2層42亦朝向第2區域R2之延伸方向並具有導電性，係作為導電圖案部而發揮功能。於基體2之表面例如設置有具有平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之形狀層。該形狀層含有下述之構造體32及構造體3。該形狀層例如包含能量射線硬化性樹脂組合物。
較佳為平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3滿足以下之關係。
(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：平面Sp1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，Am3：波面Sw3之振動之平均振幅，λm1：平面Sp1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長，λm3：波面Sw3之平均波長)
再者，由於平面Sp1可視為振動之平均振幅Am1為「0」之波面，
故可以上述方式定義平面Sp1之振動之平均振幅Am1、平均波長λm1及比率(Am1/λm1)。
若比率(Am3/λm3)>1.8，則於轉印波面Sw3時有成為剝離不良而破壞波面Sw之傾向。
此處，波面Sw2之平均波長λm2及振動之平均振幅Am2係以如下之方式而求出。首先，以包含波面Sw2之振動幅度達到最大之位置之方式切得導電性元件1之剖面，藉由穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)拍攝該剖面。繼而，根據所拍攝之TEM照片求出波面Sw2之波長λ2、及振動幅度A2。對自導電性元件1隨機選出之10處重複進行該測定，將測定值簡單平均(算術平均)而求出波面Sw2之平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2。繼而，使用該等平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2，求出波面Sw2之比率(Am2/λm2)。
又，波面Sw3之平均波長λm3、振動之平均振幅Am3及比率(Am3/λm3)亦為以與上述之波面Sw2之平均波長λm2、振動之平均振幅Am2及比率(Am2/λm2)相同之方式求出。
波面Sw2及波面Sw3例如為1維或2維波面。亦可將波面Sw2及波面Sw3兩者設為1維或2維波面，但並不限定於此，亦可將波面Sw2及波面Sw3中之一者設為1維波面，將另一者設為2維波面。
以包含波面Sw2及波面Sw3之振動幅度達到最大之位置之方式、使波面Sw2及波面Sw3朝向一個方向而切割時之剖面形狀例如為三角波形狀、正弦波形狀、2次曲線或重複2次曲線之一部分而得之波形狀、或者近似於該等之形狀等。作為2次曲線，可列舉圓、橢圓、抛物線等。
波面Sw2之波長λ2及波面Sw3之波長λ3較佳為100 μm以下，更佳為100 nm以上、100 μm以下之範圍內。若波長λ2及波長λ3未達100
nm，則有波面Sw2及波面Sw3之製作變得困難之傾向。另一方面，若波長λ2及波長λ3超過100 μm，則於壓印與膜形成時有階差、覆蓋產生問題而產生異常之傾向。
若就降低導電性元件表面之光之反射的觀點而言，波長λ2及波長λ3較佳為以降低反射為目的之光之波長頻帶以下。以降低反射為目的之光之波長頻帶例如為紫外光之波長頻帶、可見光之波長頻帶或紅外光之波長頻帶。此處，所謂紫外光之波長頻帶，係指10 nm以上、360 nm以下之波長頻帶，所謂可見光之波長頻帶，係指360 nm以上、830 nm以下之波長頻帶，所謂紅外光之波長頻帶，係指830 nm以上、1mm以下之波長頻帶。具體而言，波長λ2及波長λ3較佳為100 nm以上、350 nm以下，更佳為100 nm以上、320 nm以下，進而較佳為110 nm以上、280 nm以下之範圍內。若波長λ2及波長λ3未達100 nm，則有波面Sw2及波面Sw3之製作變得困難之傾向。另一方面，若波長λ2及波長λ3超過350 nm，則有產生可見光之繞射之傾向。
亦可將波面Sw2及波面Sw3均設為奈米級或微米級之波面，但並不限定於此，亦可將波面Sw2及波面Sw3中之一者設為具有奈米級之波長之波面，將另一者設為具有微米級之波長之波面。
較佳為於第3區域R3中完全不存在第1層41或第2層42之一部分之層(以下稱為第3層)作為殘留層，但若為第3層不形成導電圖案部、第3區域R3作為絕緣區域而發揮功能之程度，則第3層亦可作為殘留層而存在。
於第3層作為殘留層而存在之情形時，較佳為第1層41、第2層42及第3層滿足以下之關係。
S1>S2>S3
(其中，S1：第1層之單位面積，S2：第2層之單位面積，S3：第3層之單位面積)
於滿足此種關係之情形時，具體而言，較佳為於第1區域R1中連續地形成有第1層41，並且於第2區域R2中連續地形成有第2層42，與此相對，於第3區域R3中以島狀等形式不連續地形成有第3層。
又，於第3層作為殘留層而存在之情形時，較佳為第1層41、第2層42及第3層滿足以下之關係。
d1>d2>d3
(其中，d1：第1層41之平均厚度，d2：第2層42之平均厚度，d3：第3層之平均厚度)
於滿足此種關係之情形時，具體而言，較佳為第3層之平均厚度為實質上不表現導電性之程度地薄於第1層41及第2層42之平均厚度，第3區域R3作為絕緣區域而發揮功能。
再者，如上所述，由於第3層不作為導電圖案部而發揮功能，故於圖1B、圖1C及圖2C中，將第3層之圖示省略。又，圖1A中，例示有第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3具有直線狀之形狀之例，但第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3之形狀並不限定於此，可根據電路或元件之設計等製成所需之形狀。
基體2例如為具有透明性或不透明性之基體。作為基體2之材料，例如可使用塑膠材料等有機材料、玻璃等無機材料。
作為玻璃，例如可使用鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等(參照「化學便覽」基礎編、P.I-537、日本化學會編)。作為塑膠材料，就透明性、折射率、及分散等光學特性，進而就耐衝擊性、耐熱性、及耐久性等各種特性之觀點而言，較佳為：聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與其他(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯等之類之乙烯基單體之共聚物等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二乙二醇雙(烯丙基碳酸酯)(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；(溴化)雙酚A
型之二(甲基)丙烯酸酯之均聚物或共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯之胺基甲酸酯改性單體之聚合物及共聚物等之類之熱硬化性(甲基)丙烯酸系樹脂；聚酯尤其是聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及不飽和聚酯、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚芳酯、聚醚碸、聚醚酮、環烯烴聚合物(商品名：ARTON、ZEONOR)、環烯烴共聚物等。又，亦可使用考慮耐熱性之芳族聚醯胺系樹脂。
於將塑膠材料用作基體2之情形時，為進一步改善塑膠表面之表面能量、塗佈性、滑動性、平面性等，可設置下塗層作為表面處理。作為該下塗層，例如可列舉有機烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚胺基甲酸酯等。又，為獲得與設置下塗層相同之效果，亦可對基體2之表面進行電暈放電、UV照射處理等。
於基體2為塑膠膜之情形時，基體2例如可藉由將上述樹脂延伸、或於溶劑中稀釋後成膜為膜狀並乾燥等方法而獲得。又，基體2之厚度例如為25 μm~500 μm左右。
作為基體2之形狀，例如可列舉膜狀、板狀、塊狀，但並不特別限定於該等形狀。此處，將膜狀定義為包括片狀。
波面Sw2係例如較多之構造體32排列於第2區域R2中而成之凹凸面。波面Sw3係例如較多之構造體33排列於第3區域R3中而成之凹凸面。構造體32及構造體33例如與基體2之表面相對而具有凸狀。構造體32及構造體33例如與基體2分開成形，或以與基體2一體之方式而成形。於構造體32及構造體33與基體2分開成形之情形時，亦可視需要而於構造體32及構造體33與基體2之間具備基底層。基底層係於構造體32及構造體33之底面側以與構造體32及構造體33一體之方式而成形之層，係將與構造體32及構造體33相同之能量射線硬化性樹脂組合物
等硬化而成。基底層之厚度並無特別限定，可視需要而進行適當選擇。
較佳為構造體32及構造體33之縱橫比滿足以下之關係。
0<(Hm2/Pm2)<(Hm3/Pm3)≦1.8
(其中，Hm2：構造體32之平均高度，Hm3：構造體33之平均高度，Pm2：構造體32之平均配置間距，Pm3：構造體33之平均配置間距)
若比率(Hm3/Pm3)>1.8，則於轉印構造體33時有成為剝離不良而導致破壞構造體33之傾向。
此處，構造體32之平均配置間距Pm2及平均高度Hm2係以如下之方式而求出。首先，以包含構造體32之高度達到最大之位置之方式切得導電性元件1之剖面，藉由穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)拍攝該剖面。繼而，根據所拍攝之TEM照片求出構造體32之配置間距P2、及高度H2。對自導電性元件1隨機選出之10處重複進行該測定，將測定值簡單平均(算術平均)而求出構造體32之平均配置間距Pm2及平均高度Hm2。繼而，利用該等平均配置間距Pm2及平均高度Hm2，求出構造體32之縱橫比(Hm2/Pm2)。
又，構造體33之平均配置間距Pm3、平均高度Hm3及縱橫比(Hm3/Pm3)亦為以與上述之構造體32之平均配置間距Pm2、平均高度Hm2及縱橫比(Hm2/Pm2)相同之方式求出。
作為構造體32及構造體33之排列，例如可使用1維排列或2維排列。亦可將構造體32及構造體33均設為1維排列或2維排列，但並不限定於此，亦可將構造體32及構造體33中之一者設為1維排列，將另一者設為2維排列。
作為構造體32及構造體33之排列，例如可使用規則或不規則之排列，較佳為根據母盤之製作方法等而自上述排列中選擇適當之排列。
亦可將構造體32及構造體33均設為規則或不規則之排列，但並不限定於此，亦可將構造體32及構造體33中之一者設為規則排列，將另一者設為不規則排列。
構造體32之配置間距P2及構造體33之配置間距P3較佳為100 μm以下，更佳為100 nm以上100 μm以下之範圍內。若配置間距未達100 nm，則有構造體32及構造體33之製作變得困難之傾向。若配置間距P2及配置間距P3超過100 μm，則有於壓印與膜形成時階差、覆蓋產生問題而產生異常之傾向。
若就降低導電性元件表面之光之反射的觀點而言，配置間距P2及配置間距P3較佳為以降低反射為目的之光之波長頻帶以下。以降低反射為目的之光之波長頻帶例如為紫外光之波長頻帶、可見光之波長頻帶或紅外光之波長頻帶。此處，所謂紫外光之波長頻帶，係指10 nm以上、360 nm以下之波長頻帶，所謂可見光之波長頻帶，係指360 nm以上、830 nm以下之波長頻帶，所謂紅外光之波長頻帶，係指830 nm以上、1mm以下之波長頻帶。具體而言，配置間距P2及配置間距P3較佳為100 nm以上、350 nm以下，更佳為100 nm以上、320 nm以下，進而較佳為110 nm以上280 nm以下之範圍內。若配置間距P2及配置間距P3未達100 nm，則有構造體32及構造體33之製作變得困難之傾向。另一方面，若配置間距P2及配置間距P3超過350 nm，則有產生可見光之繞射之傾向。
亦可使構造體32及構造體33均以奈米級或微米級之配置間距排列，但並不限定於此，亦可使構造體32及構造體33中之一者以奈米級之配置間距排列，使另一者以微米級之配置間距排列。
以下一面參照圖3A~圖4B一面對1維排列或2維排列有複數個構造體32之第2區域R2進行具體說明。再者，由於1維排列或2維排列有複數個構造體33之第3區域R3在除構造體33之縱橫比與構造體32之縱橫
比不同以外之方面，係與第2區域R2相同，故省略對於第3區域R3之具體說明。
圖3A係將2維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之立體圖。圖3B係將2維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之俯視圖。複數個構造體32例如於第2區域R2中，2維排列於數列軌道T上而形成2維波面Sw2。作為軌道T之形狀，可使用直線狀、圓弧狀等，亦可使該等形狀之軌道T蜿蜒(搖擺)。排列於數列軌道T上之複數個構造體32例如可成為特定之規則之配置圖案。作為規則之配置圖案，例如可列舉四方晶格狀、六方晶格狀等晶格狀圖案，亦可使該等晶格狀圖案變形。構造體32之高度可於基體2之表面規則或不規則地變化。又，亦可將構造體32無規則地排列。
構造體32較佳為具有相對於基體2之表面傾斜之斜面。作為此種構造體32之具體之形狀，例如可列舉錐體狀、柱狀、針狀、半球狀、半橢圓球狀、多角形狀等，但並不限定於該等形狀，亦可採用其他形狀。作為錐體狀，例如可列舉頂部尖突之錐體形狀、頂部平坦之錐體形狀、頂部具有凸狀或凹狀之曲面之錐體形狀，但並不限定於該等形狀。又，亦可使錐體狀之錐面彎曲為凹狀或凸狀。於使用下述之輥形母盤曝光裝置(參照圖7)製作輥形母盤之情形時，作為構造體32之形狀，較佳為採用頂部具有凸狀之曲面之橢圓錐形狀、或頂部平坦之橢圓錐台形狀，使形成該等之底面之橢圓形的長軸方向與軌道T之延伸方向一致。
圖4A係將1維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之立體圖。圖4B係將1維排列有複數個構造體之第2區域放大表示之俯視圖。複數個構造體32例如於第2區域R2中，以沿該等軌道T之方式1維排列於數列軌道T上而形成1維波面Sw2。作為軌道T之形狀，可使用直線狀、圓弧狀等，亦可使該等形狀之軌道蜿蜒(搖擺)。
構造體32例如為朝向一個方向延伸之柱狀體，其剖面形狀例如可列舉三角形狀、頂部有曲率R之三角形狀、多角形狀、半圓形狀、半橢圓形狀、抛物線狀等，但並不限定於該等形狀。作為構造體32之具體形狀，例如可列舉雙凸形狀、稜鏡形狀等，但並不限定於該等形狀。構造體32之高度亦可朝向軌道方向而變化。又，構造體32亦可於軌道方向上產生間斷。
如圖2A所示，第1層41例如具備形成於第1區域R1上之導電層4a、形成於導電層4a上之第1功能層4b及形成於第1功能層4b上之第2功能層4c。於構成第1層41之各層之間亦可視需要而設置密接層。
如圖2B所示，第2層42例如具備導電層4a。於第2層42具有2層以上之層之情形時，於構成第2層42之各層之間亦可視需要而設置密接層。
為不阻礙第2區域R2中利用波面Sw2之抗反射效果，第2層42較佳為效仿波面Sw2之表面形狀而形成，波面Sw2與第2層42之表面形狀為大致相似之形狀。其原因在於可抑制因第2層42之形成導致之折射率分佈之變化，維持優異之抗反射特性及/或透過特性。又，於第3層作為殘留層而存在於第3區域R3中之情形時，為不阻礙第3區域R3中利用波面Sw3之抗反射效果，第3層較佳為效仿波面Sw3之表面形狀而形成，波面Sw3與第3層之表面形狀為大致相似之形狀。
作為導電層4a，例如可使用金屬層、透明導電層、金屬氧化物層、過渡金屬化合物層等，但並不限定於該等層。作為第1功能層4b之材料，較佳為至少與導電層4a及第2功能層4c不同之材料，更佳為於除去步驟時與導電層4a及第2功能層4c產生溶解速率差之材料。作為第2功能層4c之材料，較佳為至少與導電層4a及第1功能層4b不同之材料，更佳為於除去步驟時與導電層4a及第1功能層4b產生溶解速率
差之材料。
作為透明導電層，例如可使用無機透明導電層。無機透明導電層較佳為以透明氧化物半導體作為主成分。作為透明氧化物半導體，例如可使用：SnO2、InO2、ZnO及CdO等二元化合物，含有作為二元化合物之構成元素之Sn、In、Zn及Cd中之至少一種元素之三元化合物、或多元系(複合)氧化物。作為透明氧化物半導體之具體例，例如可列舉銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3、ZnO))、SZO、摻氟氧化錫(FTO)、氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO(In2O3、ZnO))等。尤其是就高可靠性、及低電阻率等觀點而言，較佳為銦錫氧化物(ITO)。就提高導電性之觀點而言，構成無機透明導電層之材料較佳為非晶質與多晶之混合狀態。作為金屬層之材料，例如可使用選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu及Nd所組成之群中之至少1種。
第1功能層4b較佳為對於溶液之溶解度至少與導電層4a不同。作為第1功能層4b之材料，較佳為使用與導電層4a不同之材料。具體而言，作為第1功能層4b之材料，較佳為使用金屬，作為金屬，例如可使用選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu及Nd所組成之群中之至少1種。
作為第1功能層4b之材料，例如可使用介電體材料或透明導電材料。具體而言，較佳為使用選自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、及過渡金屬化合物所組成之群中之至少1種，例如可使用選自由氧化物及過渡金屬化合物所組成之群中之至少1種。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg所組成之群中之1種以上之元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群中之1種以上之元素之氮化物。作為
硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群中之1種以上之元素之氟化物。作為過渡金屬化合物，例如可使用選自由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb及Cr所組成之群中之至少1種以上之化合物。作為包含2種以上之上述材料之混合物，例如可列舉ZnS-SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2、In2O3-CeO2、In2O3-Ga2O3、Sn2O3-Ta2O5、TiO2-SiO2等。
第1功能層4b較佳為包含至少1種處於非晶質與多晶之混合狀態之層、及處於多晶化狀態之層。
第2功能層4c係用以保護導電層4a及第1功能層4b之層。第2功能層4c較佳為對於溶液之溶解度至少與導電層4a或第1功能層4b不同。作為第2功能層4c之材料，較佳為使用與導電層4a及第1功能層4b不同之材料、或與第1功能層4b不同之材料。具體而言，作為第2功能層4c之材料，較佳為使用金屬材料，作為金屬材料，例如可使用選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu及Nd所組成之群中之至少1種。
作為第2功能層4c之材料，例如可使用介電體材料或透明導電材料。具體而言，較佳為使用選自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、及過渡金屬化合物所組成之群中之至少1種，例如可使用選自由氧化物及過渡金屬化合物所組成之群中之至少1種。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、zr、Cr、Bi及Mg所組成之群中之1種以上之元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群中之1種以上之元素之氮化物。作為
硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群中之1種以上之元素之氟化物。作為過渡金屬化合物，例如可使用選自由Al、AlTi、AlCu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、Ti、W、Au、Pt、Pd、Ni、Nb及Cr所組成之群中之至少1種以上之化合物。作為包含2種以上之上述材料之混合物，例如可列舉ZnS-SiO2、SiO2-Cr2O3-ZrO2、In2O3-CeO2、In2O3-Ga2O3、Sn2O3-Ta2O5、TiO2-SiO2等。
第2功能層4c較佳為包含處於非晶質與多晶之混合狀態之層、及處於多晶化狀態之層之至少1種，但並不限定於該等。
密接層係用以提高各層之間之密接性之層。作為密接層，例如可使用金屬層、氧化物層、過渡金屬化合物層等，但並不限定於此。
第1區域R1中之積層膜4之表面電阻較佳為5000 Ω/□以下。若超過5000 Ω/□，則電阻過分增大，有無法用作電極之傾向。
圖5A係表示用以製作基體之輥形母盤之一構成例的立體圖。圖5B係將如圖5A所示之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。輥形母盤11係用以製作導電性元件或配線元件之母盤。更具體而言，輥形母盤11係用以使平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3成形於上述之基體表面之母盤。輥形母盤11例如具有圓柱狀或圓筒狀之形狀，於其圓柱面或圓筒面設定有較多之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3。輥形母盤11之材料例如可使用玻璃，但並不特別限定於該材料。再者，如圖5A及圖5B所示之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3之形狀及配置順序為一例，並不限定於此，可根據所需之導電圖案部之形狀而適當選擇。
圖6A係將輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。圖6B係將第2區域之一部分放大表示之立體圖。圖6C係將第2區域之一部分放大表示之俯視圖。再者，由於第3區域R3在除第3區域R3之波面Sw3之比率(Am/λm)(Am：波面之振動之平均振幅、λm：波面之平均波長)大於第2區域之波面Sw2以外之方面，係與第2區域R2相同，故省略圖示。
輥形母盤11之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3分別與基體2之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3相對應。即，形成於輥形母盤11之第1區域R1之平面Sp1係用以於基體2之第1區域R1中形成平面Sp1者。形成於輥形母盤11之第2區域R2中之波面Sw2係用以於基體2之第2區域R2中形成波面Sw2者。形成於輥形母盤11之第3區域R3中之波面Sw3係用以於基體2之第3區域R3中形成波面Sw3者。具體而言，輥形母盤11之波面Sw2及波面Sw3分別具有將上述之基體2之表面之波面Sw2及Sw3之凹凸形狀反轉而得的形狀。即，輥形母盤11之構造體122及構造體123分別具有將上述之基體2之表面之構造體32及構造體33之凹凸形狀反轉而得的形狀。
圖7係表示輥形母盤曝光裝置之一構成例之概略圖。以下參照圖7，對輥形母盤曝光裝置之構成進行說明。再者，該輥形母盤曝光裝置例如可以光碟記錄裝置為基礎而構成。
雷射光源21係用以將附膜於作為記錄媒體之輥形母盤11之表面之光阻曝光的光源，例如使波長λ=266 nm之記錄用之雷射光14振動。自雷射光源21出射之雷射光14以平行光束之狀態直線前進，入射至光電元件(EOM：Electro Optical Modulator)22。透過光電元件22之雷射光14經反射鏡23反射而導入至調變光學系統25中。
反射鏡23由偏振分光鏡構成，具有反射其中一部分之偏光成分而使另一部分之偏光成分透過之功能。透過反射鏡23之偏光成分經光
電二極體24接收，基於該受光訊號而控制光電元件22，進行雷射光14之相位調變。
調變光學系統25中，雷射光14係藉由聚光透鏡26而聚光於含有玻璃(SiO2)等之聲光元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)27上。雷射光14經聲光元件27進行強度調變並發散後，藉由透鏡28得以平行光束化。自調變光學系統25出射之雷射光14經反射鏡31反射而水平且平行地導入至移動光學台32上。
移動光學台32具備擴束器33、及物鏡34。導入至移動光學台32之雷射光14經擴束器33整形為所需之光束形狀後，介隔物鏡34向輥形母盤11上之光阻層照射。輥形母盤11係載置於連接於轉軸馬達35上之轉盤36之上。然後，使輥形母盤11旋轉，同時使雷射光14於輥形母盤11之高度方向上移動，並且使雷射光14間歇性地向光阻層照射，藉此進行光阻層之曝光步驟。所形成之潛像成為於圓周方向上具有長軸之大致之橢圓形。雷射光14之移動係藉由移動光學台32朝向箭頭R方向移動而進行。
曝光裝置例如具備用以於光阻層形成與特定之1維圖案或2維圖案相對應之潛像之控制機構37。控制機構37具備格式器29與驅動器30。格式器29具備極性反轉部，該極性反轉部控制雷射光14對光阻層之照射時機。驅動器30接受極性反轉部之輸出而控制聲光元件27。
該輥形母盤曝光裝置中，以2維圖案於空間上連結之方式，對於每1軌道上，使極性反轉格式器訊號與記錄裝置之旋轉控制器同步而產生訊號，藉由聲光元件27進行強度調變。藉由於角速度恆定(CAV，Constant Angular Velocity)下，利用合適之轉速、合適之調變頻率及合適之移行間距進行圖案化，可記錄四方晶格或六方晶格圖案等特定之2維圖案。
以下一面參照圖8A~圖10C，一面對本技術之第1實施形態之導電性元件1之製造方法的一例進行說明。再者，該製造方法中，考慮到生產性，轉印步驟以後之一部分或全部製程較佳為藉由連續捲繞(Roll to Roll)進行。
首先，如圖8A所示，準備圓柱狀或圓筒狀之輥形母盤11。該輥形母盤11例如為玻璃母盤。繼而，如圖8B所示，於輥形母盤11之表面形成光阻層13。作為光阻層13之材料，例如可使用有機系光阻、及無機系光阻中之任一者。作為有機系光阻，例如可使用酚醛清漆系光阻或化學增幅型光阻。又，作為無機系光阻，例如可使用金屬化合物。
繼而，如圖8C所示，使用上述之輥形母盤曝光裝置，使輥形母盤11旋轉，同時向光阻層13照射雷射光(曝光光束)14。此時，一面使雷射光14於輥形母盤11之高度方向(平行於圓柱狀或圓筒狀之輥形母盤11之中心軸之方向)上移動，一面照射雷射光14。此時，於第2區域R2及第3區域R3中形成潛像，將其設為曝光部，與此相對，於第1區域R1中未形成潛像，將其設為非曝光部。與雷射光14之軌跡相對應之潛像15例如係以可見光之波長以下之間距形成。
潛像15例如係以於輥形母盤表面形成數列軌道之方式而配置，並且形成特定之1維圖案或2維圖案。潛像15例如為沿軌道之延伸方向延伸之細長之矩形狀、或為於軌道之延伸方向上具有長軸方向之橢圓形狀等。
繼而，例如一面使輥形母盤11旋轉，一面於光阻層13上滴下顯影液，如圖9A所示，對光阻層13進行顯影處理。如圖示所示，於藉由正型之光阻形成光阻層13之情形時，由於經雷射光14曝光之曝光部與
非曝光部相比，對於顯影液之溶解速度有所增加，故於光阻層13上形成與潛像(曝光部)15相對應之圖案。藉此，於第2區域R2及第3區域R3之光阻層13上形成複數之開口部，與此相對，成為於第1區域R1之光阻層13上未形成開口部，維持為整個第1區域R1由光阻層13覆蓋之狀態。即，於輥形母盤表面形成僅第2區域R2及第3區域R3具有開口圖案之掩膜。作為開口圖案，可使用1維圖案及2維圖案中之任一者，亦可將該等組合使用。
繼而，以形成於輥形母盤11之上之光阻層13之圖案(光阻圖案)作為掩膜，對輥形母盤11之表面進行輥蝕刻處理。藉此，如圖9B所示，於輥形母盤表面中之第2區域R2及第3區域R3中，經由開口部而進行蝕刻，從而形成凹狀之構造體122及構造體123。該等構造體122及構造體123例如有沿軌道之延伸方向延伸之柱狀形狀、或於軌道之延伸方向上具有長軸方向之橢圓錐形狀或橢圓錐台形狀等。另一方面，於輥形母盤表面中之第1區域R1中，由於該區域整體由光阻層13覆蓋，故未實施蝕刻，平面狀之輥形母盤表面得以維持。作為蝕刻方法，例如可使用乾式蝕刻。藉由以上方式，獲得輥形母盤11。
繼而，例如，如圖9C所示，使輥形母盤11與塗佈有轉印材料16之膜等基體2密接，照射紫外線等能量射線而使轉印材料16硬化後，將與已硬化之轉印材料16成為一體之基體2剝離。藉此，如圖10A所示，獲得具有形成有平面Sp1之第1區域R1、形成有波面Sw2之第2區域R2及形成有波面Sw3之第3區域R3之基體2。
作為轉印材料16，例如可使用能量射線硬化性樹脂組合物。能量射線硬化性樹脂組合物係可藉由照射能量射線而硬化之樹脂組合物。所謂能量射線，表示電子束、紫外線、紅外線、雷射光線、可見
光線、離子化射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波、高頻等可成為自由基、陽離子、陰離子等之聚合反應之誘因之能量射線。能量射線硬化性樹脂組合物可視需要而與其他樹脂混合使用，例如可與熱硬化性樹脂等其他硬化性樹脂混合使用。又，能量射線硬化性樹脂組合物可為有機無機混合材料。又，亦可混合2種以上之能量射線硬化性樹脂組合物而使用。作為能量射線硬化性樹脂組合物，較佳為使用藉由紫外線硬化之紫外線硬化樹脂。
紫外線硬化材料例如包含單官能單體、二官能單體、多官能單體等，具體而言，為單獨之如以下所示之材料或混合複數種而得者。
作為單官能單體，例如可列舉：羧酸類(丙烯酸)、羥基類(丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸4-羥基丁酯)、烷基、脂環類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環己酯)、其他功能性單體(丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、丙烯酸2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙酯、丙烯酸2-乙基己酯等。
作為二官能單體，例如可列舉三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙醚、丙烯酸胺基甲酸酯等。
作為多官能單體，例如可列舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙
烯酸酯等。
作為起始劑，例如可列舉2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。
作為填料，例如可使用無機微粒子及有機微粒子中之任一者。作為無機微粒子，例如可列舉SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2、Al2O3等金屬氧化物微粒子。
作為功能性添加劑，例如可列舉調平劑、表面調整劑、消泡劑等。作為基體2之材料，例如可列舉甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纖維素酯、三乙酸纖維素酯、乙酸丁酸纖維素、聚酯、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、環狀烯烴聚合物、環狀烯烴共聚物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、氟樹脂、酚樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、尼龍、聚縮醛、酚樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚醚酮、聚胺基甲酸酯等。除此以外，可根據用途而適當選擇，例如亦可使用玻璃材料、金屬材料、金屬化合物材料(例如陶瓷、磁體、半導體等)。作為玻璃材料，例如可列舉鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等。
基體2之成形方法並無特別限定，例如可使用射出成形法、擠壓成形法、澆鑄成形法等。亦可視需要而對基體表面實施電暈處理等表面處理。
繼而，如圖10B所示，藉由於基體表面之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3上積層2層以上之層而形成積層膜4。具體而言，例如藉由於基體表面之第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3上依序積層導電層、第1功能層及第2功能層而形成積層膜4。作為積層膜4之成膜方
法，例如，除熱CVD、電漿CVD、光CVD等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應由氣相析出薄膜之技術)以外，可使用真空蒸鍍、電漿輔助蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：使在真空中以物理方式汽化之材料凝聚於基板上而形成薄膜之技術)。又，亦可一面加熱基體2，一面形成積層膜4。
繼而，視需要而對積層膜4實施退火處理。藉此，積層膜4或積層膜4中所含之無機透明導電層等層成為例如非晶質與多晶之混合狀態。
繼而，如圖10C所示，對形成有積層膜4之基體表面實施蝕刻處理。藉此，於第3區域R3中將積層膜4除去，與此相對，於第1區域R1中積層膜4作為第1層41而殘留，且於第2區域R2中積層膜4之一部分之層作為第2層42而殘留。具體而言，例如，於第3區域R3中將導電層、第1功能層及第2功能層除去，與此相對，於第1區域R1中導電層、第1功能層及第2功能層作為第1層41而殘留，且於第2區域R2中導電層作為第2層42而殘留。因此，形成於第1區域R1中之第1層41與形成於第2區域R2中之第2層42作為導電圖案部而發揮功能，與此相對，第3區域R3作為上述導電圖案部間之絕緣區域而發揮功能。作為除去步驟，可使用乾式蝕刻或濕式蝕刻，亦可將兩者組合使用。作為乾式蝕刻，可使用電漿蝕刻、反應性離子蝕刻(RIE：Reactive Ion Etching)。作為濕式蝕刻之蝕刻液，例如可使用硫酸、鹽酸、硝酸及氯化鐵中之1種以上。又，亦可將草酸、磷酸‧乙酸‧硝酸之混合酸、硝酸鈰銨水溶液用作蝕刻液。
此處，所謂除去，係指：(1)使積層膜4自第3區域R3完全消除；
(2)使積層膜4成為不連續狀態(例如島狀之狀態)，直至於第3區域R3中不表現出導電性之程度；或(3)使積層膜4變薄為直至於第3區域R3中不表現出導電性之程度之薄厚。
具體而言，較佳為利用形成於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4實質性地除去，與此相對，使形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3中之平面Sp1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4除去，使其成為島狀等而不連續，與此相對，使形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3中之平面Sp1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4除去，使其厚度大幅薄於形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4之厚度。藉此，可於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3中之平面Sp1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
繼而，視需要而清洗實施有除去處理之基體表面。
藉由以上方式，可獲得作為目標之導電性元件1。
第1實施形態中，於具有平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之基體表面，積層2層以上之層而形成積層膜4。然後，利用形成於平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜之狀態之差異，將平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之波面中、形成於波面Sw3上之積層膜4除去，與此相對，保留形成於平面Sp1上之積層膜4作為第1層41，並且保留形成於波面
Sw2上之積層膜4之一部分之層作為第2層42，藉此形成導電圖案部。因此，可實現精細且高產出量之導電性元件。
圖11A係表示本技術之第2實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖11B係沿如圖11A所示之B-B線之剖面圖。圖12A係將如圖11B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖12B係將如圖11B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖12C係將如圖11B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。第2實施形態之導電性元件1於第1區域具有波面Sw1之方面與第1實施形態有所不同。於基體2之表面例如設置有具有波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之形狀層。該形狀層包含下述之構造體31、構造體32及構造體3。
於第1區域R1之基體表面形成有波面Sw1，於該波面Sw1上連續地形成有第1層41。波面Sw1除具有小於波面Sw2之比率(Am/λm)(λm：波面之平均波長、Am：波面之振動之平均振幅)之方面以外，與波面Sw2相同。具體而言，較佳為波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3滿足以下之關係。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：波面Sw1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，Am3：波面Sw3之振動之平均振幅，λm1：波面Sw1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長，λm3：波面Sw3之平均波長)
若比率(Am3/λm3)>1.8，則於轉印波面Sw3時有成為剝離不良而破壞波面Sw之傾向。
此處，波面Sw1之平均波長λm1、振動之平均振幅Am1及比率
(Am1/λm1)係以與第1實施形態中之波面Sw2及Sw3相同之方式而測定者。
以包含波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之振動幅度達到最大之位置之方式、使波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3朝向一個方向而切割時之剖面形狀例如為三角波形狀、正弦波形狀、2次曲線或重複2次曲線之一部分而得之波形狀、或近似於該等之形狀等。作為2次曲線，可列舉圓、橢圓、抛物線等。
波面Sw1之波長λ1、波面Sw2之波長λ2及波面Sw3之波長λ3較佳為100 μm以下，更佳為100 nm以上100 μm以下之範圍內。若波長λ1、波長λ2及波長λ3未達100 nm，則有波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之製作變得困難之傾向。另一方面，若波長λ1、波長λ2及波長λ3超過100 μm，則有於壓印與膜形成時階差、覆蓋產生問題而產生異常之傾向。
若就降低導電性元件表面之光之反射的觀點而言，波長λ1、波長λ2及波長λ3較佳為以降低反射為目的之光之波長頻帶以下。以降低反射為目的之光之波長頻帶例如為紫外光之波長頻帶、可見光之波長頻帶或紅外光之波長頻帶。
波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之形狀、波長及振動幅度可分別獨立選擇。具體而言，例如，波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3可分別獨立地設為1維或2維波面。又，波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之波長及振動幅度可分別獨立地設為奈米級或微米級之波長及振動幅度。
波面Sw1例如係較多之構造體31排列於第1區域R1中而成之凹凸面。構造體31除具有小於構造體32之比率(Hm/Pm)(Hm：構造體之平均配置間距、Pm：構造體之平均高度)之方面以外，與構造體32相同。具體而言，較佳為構造體31、構造體32及構造體33滿足以下之關
係。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)<(Hm3/Pm3)≦1.8
(其中，Hm1：構造體31之平均高度，Hm2：構造體32之平均高度，Hm3：構造體33之平均高度，Pm1：構造體31之平均配置間距，Pm2：構造體32之平均配置間距，Pm3：構造體33之平均配置間距)
若比率(Hm3/Pm3)>1.8，則於轉印構造體33時有成為剝離不良而導致破壞構造體33之傾向。
此處，構造體31之平均配置間距Pm1、平均高度Hm1及比率(Hm1/Pm1)係以與第1實施形態中之構造體32及構造體33相同之方式而測定者。
為不阻礙第1區域R1中利用構造體31之抗反射效果，第1層41較佳為效仿波面Sw1之形狀而形成，波面Sw1與第1層41之表面形狀為大致相似之形狀。其原因在於可抑制因第1層41之形成導致之折射率分佈之變化，維持優異之抗反射特性及/或透過特性。
圖13A係將用以製作基體2之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。圖13B係將如圖13A所示之輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。第2實施形態之輥形母盤11於第1區域R1具有波面Sw1之方面，與第1實施形態中者有所不同。
輥形母盤11之波面Sw1例如係藉由以可見光之波長以下之間距排列凹狀之構造體121而形成。輥形母盤11之波面Sw1具有將基體2之波面Sw1之凹凸反轉而得之形狀。
第2實施形態之導電性元件之製造方法於以下方面與第1實施形態有所不同：利用波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之差異(例如比率
(Am/λm)之差異)，使成膜於第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3中之積層膜4之除去速度產生變化，從而形成導電圖案部。
第2實施形態中之積層膜之除去步驟中，係藉由對形成有積層膜4之基體表面實施除去處理，於第3區域R3中將積層膜4除去，與此相對，於第1區域R1及第2區域R2中積層膜4殘留。藉此，可於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3中之波面Sw1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
具體而言，較佳為利用形成於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4實質性地除去，與此相對，使形成於波面Sw1及波面Sw2上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3中之波面Sw1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4除去，使其成為島狀等而不連續，與此相對，使形成於波面Sw1及波面Sw2上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3中之波面Sw1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3上之積層膜4之狀態等之差異，將形成於波面Sw3上之積層膜4除去，使其厚度大幅薄於形成於波面Sw1及波面Sw2上之積層膜4之厚度。藉此，可於波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3中之波面Sw1及波面Sw2上選擇性地形成導電圖案部。
第2實施形態中，由於第1區域R1、第2區域R2及第3區域R3之全部區域分別形成有波面Sw1、波面Sw2及Sw3，故可提高導電性元件1之抗反射特性。於製成此種構成之情形時，較佳為作為導電圖案部而發揮功能之第1層41及第2層42分別製成效仿波面Sw1及波面Sw2而成之
形狀。其原因在於，藉此可抑制抗反射特性及/或透過特性之效果之降低。
使實施有調變(例如振幅調變及/或頻率調變)之波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3形成於基體表面，於該基體表面上形成積層膜4，藉此可根據形成於基體表面之波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之調變之差異，使積層膜4之狀態產生變化。因此，可根據基體2之波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之調變之差異，使積層膜4對於除去溶液之溶解度產生變化。即，可利用基體2之波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之調變之差異，於基體表面形成所需之導電圖案部。
於分別藉由奈米構造體31、奈米構造體32、奈米構造體33形成基體表面之波面Sw1、波面Sw2及波面Sw3之情形時，亦可提高視認性及光學特性。可於不使光學特性劣化之情況下實現所需之電阻。
圖14A係表示本技術之第3實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖14B係沿如圖14A所示之B-B線之剖面圖。圖14C係將如圖14B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖14D係將如圖14B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。以下，以於導電性元件1之主面之面內互相正交之2個方向作為X軸方向、及Y軸方向，將垂直於其主面中方向稱為Z軸方向。
第3實施形態之導電性元件1具備具有交替形成之第1區域R1及第2區域R2之基體2、第1區域R1及第2區域R2中形成於第1區域R1中之積層膜4。積層膜4以形成導電圖案部之方式而連續地形成於第1區域R1中。導電圖案部例如為配線圖案部、電極圖案部等。積層膜4較佳為積層2層以上之層而成之積層膜，且至少包含導電層4a。
該導電性元件1例如為印刷基板、圖像顯示元件等。作為印刷基
板，例如可列舉剛性基板、柔性基板、剛性柔性基板等。作為圖像顯示元件，例如可列舉液晶顯示元件、電致發光(EL)元件(例如有機EL元件、無機EL元件)等。
於第1區域R1之基體表面例如形成有平面Sp1，於該平面Sp1上連續地形成有積層膜4。另一方面，成為於第2區域R2之基體表面係例如形成有波面Sw2、於該波面Sw2上未形成有積層膜4之狀態。因此，第2區域R2係作為用以使形成於鄰接之第1區域R1中之積層膜4之間絕緣之絕緣區域而發揮功能。與此相對，連續地形成於第1區域R1中之積層膜4朝向第1區域R1之延伸方向並具有導電性，係作為導電圖案部而發揮功能。於基體2之表面例如設置有具有平面Sp1及波面Sw2之形狀層。該形狀層包含下述之構造體3。
較佳為平面Sp1、及波面Sw2滿足以下之關係。
(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)≦1.8
(其中，Am1：平面Sp1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，λm1：平面Sp1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長)
再者，由於平面Sp1可視為振動之平均振幅Am1為「0」之波面，故可以上述方式定義平面Sp1之振動之平均振幅Am1、平均波長λm1及比率(Am1/λm1)。
若比率(Am2/λm2)>1.8，則於轉印波面Sw2時有成為剝離不良而破壞波面Sw2之傾向。
此處，波面Sw2之比率(Am2/λm2)係按以下之方式而求出。首先，以包含波面Sw2之振動幅度達到最大之位置之方式切得導電性元件1之剖面，藉由穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)拍攝該剖面。繼而，根據所拍攝之TEM照片求出波面Sw2
之波長λ2、及振動幅度A2。對自導電性元件1隨機選出之10處重複進行該測定，將測定值簡單平均(算術平均)而求出波面Sw2之平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2。繼而，使用該等平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2求出波面Sw2之比率(Am2/λm2)。
波面Sw2例如為具有可見光之波長以下之波長之1維或2維波面，具體而言，係以可見光之波長以下之配置間距1維或2維排列較多之構造體3而成之凹凸面。
以包含波面Sw2之振動幅度達到最大之位置之方式、使波面Sw2朝向一個方向而切割時之剖面形狀例如為三角波形狀、正弦波形狀、2次曲線或重複2次曲線之一部分而得之波形狀、或近似於該等之形狀等。作為2次曲線，可列舉圓、橢圓、抛物線等。
波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 nm以上之範圍。若平均波長λm2未達100 nm，則有波面Sw2之製作變得困難之傾向。
又，波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 μm以下之範圍。若平均波長λm2超過100 μm，則於壓印與膜形成時，階差、覆蓋會產生問題而產生異常。
較佳為於第2區域R2中完全不存在積層膜4或其之一部分作為殘留膜，但若為第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能之程度，則亦可作為殘留膜而存在。於殘留膜存在於第2區域R2中之情形時，較佳為形成於第1區域R1中之積層膜4與形成於第2區域R2中之殘留膜滿足以下之關係。
S1>S2
(其中，S1：積層膜之面積，S2：殘留膜之面積)
於滿足此種關係之情形時，較佳為積層膜4連續地形成於第1區域R1中，與此相對，殘留膜以島狀等形式不連續地形成於第2區域R2中。
又，於殘留膜存在於第2區域R2中之情形時，較佳為形成於第1區域R1中之積層膜4與形成於第2區域R2中之殘留膜滿足以下之關係。
d1>d2
(其中，d1：積層膜之厚度，d2：殘留膜之厚度)
於滿足此種關係之情形時，較佳為殘留膜之厚度為實質上不表現導電性之程度地薄於積層膜4之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。
再者，如上所述，由於殘留膜不作為導電圖案部而發揮功能，故於圖14B、及圖14D中將殘留膜之圖示省略。又，於圖14A中，例示連續地形成於第1區域R1中之積層膜4、即導電圖案部具有直線狀之形狀之例，但導電圖案部之形狀並不限定於此，可根據電路或元件之設計等製成所需之形狀。
以下依序對構成導電性元件1之基體2、構造體3、及積層膜4進行說明。
基體2與上述之第1實施形態相同。
波面Sw2例如為於第2區域R2中排列較多之構造體3而成之凹凸面。構造體3例如與基體2之表面相對而具有凸狀。構造體3例如與基體2分開成形，或以與基體2一體之方式而成形。於構造體3與基體2分開成形之情形時，亦可視需要而於構造體3與基體2之間具備基底層。基底層係於構造體3之底面側以與構造體3一體之方式而成形之層，係將與構造體3相同之能量射線硬化性樹脂組合物等硬化而成。基底層之厚度並無特別限定，可視需要而進行適當選擇。
較佳為構造體3之縱橫比(Hm/Pm)滿足以下之關係。
0<(Hm/Pm)≦1.8
(其中，Hm：構造體3之平均高度，Pm：構造體3之平均配置間距)
若(Hm/Pm)>1.8，則於轉印構造體3時有成為剝離不良而破壞構造體3之傾向。
積層膜4例如具備形成於第1區域R1上之導電層4a、形成於導電層4a上之功能層4b。積層膜4較佳為包含不同之除去速度之材料，具體而言，較佳為包含不同之除去速度之積層膜。作為導電層4a，例如可使用金屬層、透明導電層、金屬氧化物層、過渡金屬化合物層等，但並不限定於該等。作為功能層4b之材料，較佳為至少與導電層4a不同之材料，更佳為進而於除去步驟時產生溶解速率差者。
作為透明導電層，例如可使用無機透明導電層。無機透明導電層較佳為以透明氧化物半導體作為主成分。作為透明氧化物半導體，例如可使用：SnO2、InO2、ZnO及CdO等二元化合物，含有作為二元化合物之構成元素之Sn、In、Zn及Cd中之至少一種元素之三元化合物、或多元系(複合)氧化物。作為透明氧化物半導體之具體例，例如可列舉銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3、ZnO))、SZO、摻氟氧化錫(FTO)、氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO(In2O3、ZnO))等。尤其是就高可靠性、及低電阻率等觀點而言，較佳為銦錫氧化物(ITO)。就提高導電性之觀點而言，構成無機透明導電膜之材料較佳為非晶質與多晶之混合狀態。
作為金屬層之材料，例如可使用選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti及Cu所組成之群中之至少1種。
作為功能層4b，較理想為至少相對於導電層4a而言，對於蝕刻劑之溶解度或蝕刻速率不同，亦較理想為例如藉由SiO2等金屬氧化物層或過渡金屬化合物、進而結晶狀態不同之同種膜，功能層4b產生多晶
化，蝕刻劑耐性得以提高之狀態。功能層4b較佳為包含至少1種處於非晶質與多晶之混合狀態之層、及處於多晶化狀態之層。又，作為功能層4b，若為相對於導電層4a而言溶解速率不同者，則亦可使用金屬，若為與導電層4a不同種類之材料，則可使用含有選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti及Cu所組成之群中之至少1種之材料。
第1區域R1中之積層膜4之表面電阻較佳為5000 Ω/□以下。若超過5000 Ω/□，則電阻過分增大，有無法用作電極之傾向。
圖15A係表示用以製作基體之輥形母盤之一構成例的立體圖。圖15B係將如圖15A所示之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。輥形母盤11係用以使構造體3成形於上述之基體表面之母盤。輥形母盤11例如具有圓柱狀或圓筒狀之形狀，於其圓柱面或圓筒面交替設定有較多之第1區域R1及第2區域R2。圖15A及圖15B中例示有第1區域R1及第2區域R2朝向圓周方向而形成為環狀之情形，但第1區域R1及第2區域R2之形狀並不限定於該例，可根據所需之導電圖案部之形狀、即形成於第2區域之積層膜4之形狀進行適當選擇。作為輥形母盤11之材料，例如可使用玻璃，但並不特別限定於該材料。
圖16A係將輥形母盤之一部分放大表示之剖面圖。圖16B係將第2區域之一部分放大表示之立體圖。圖16C係將第2區域之一部分放大表示之俯視圖。於輥形母盤11之第2區域R2中例如以可見光之波長以下之間距較多地配置有作為凹部之構造體12，與此相對，於第1區域R1中例如未形成作為凹部之構造體12，係將其製成平面狀。
輥形母盤11之第1區域R1、及第2區域R2分別與基體2之第1區域R1、及第2區域R2相對應。即，形成於輥形母盤11之第1區域R1之平面Sp1係用以於基體2之第1區域R1中形成平面Sp1者。形成於輥形母盤11
之第2區域R2之波面Sw2係用以於基體2之第2區域R2中形成波面Sw2者。具體而言，輥形母盤11之波面Sw2具有將上述之基體2之表面之波面Sw2之凹凸形狀反轉而得的形狀。即，輥形母盤11之構造體12具有將上述之基體2之表面之構造體3之凹凸形狀反轉而得的形狀。
以下一面參照圖17~圖19，一面對本技術之第3實施形態之導電性元件1之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖17A所示，準備圓柱狀或圓筒狀之輥形母盤11。該輥形母盤11例如為玻璃母盤。繼而，如圖17B所示，於輥形母盤11之表面形成光阻層13。作為光阻層13之材料，例如可使用有機系光阻、及無機系光阻中之任一者。作為有機系光阻，例如可使用酚醛清漆系光阻或化學增幅型光阻。又，作為無機系光阻，例如可使用1種或含2種以上之金屬化合物。
繼而，如圖17C所示，使用上述之輥形母盤曝光裝置，使輥形母盤11旋轉，同時向光阻層13照射雷射光(曝光光束)14。此時，一面使雷射光14於輥形母盤11之高度方向(平行於圓柱狀或圓筒狀之輥形母盤11之中心軸之方向)上移動，一面照射雷射光14。此時，僅於與配線圖案間之絕緣區域相對應之第2區域R2中形成潛像，將其設為曝光部，與此相對，與導電圖案部相對應之第1區域R1未曝光，將其設為非曝光部。與雷射光14之軌跡相對應之潛像15例如係以可見光之波長以下之間距形成。
潛像15例如係以於輥形母盤表面形成數列軌道之方式而配置，並且形成四方晶格圖案或六方晶格圖案等特定之2維圖案。潛像15例如為於軌道之延伸方向上具有長軸方向之橢圓形狀。
繼而，例如一面使輥形母盤11旋轉，一面於光阻層13上滴下顯影液，如圖18A所示，對光阻層13進行顯影處理。如圖示所示，於藉由正型之光阻形成光阻層13之情形時，由於經雷射光14曝光之曝光部與非曝光部相比，對於顯影液之溶解速度有所增加，故於光阻層13上形成與潛像(曝光部)15相對應之圖案。藉此，於第2區域R2之光阻層13上形成四方晶格圖案或六方晶格圖案等特定之2維圖案之開口部，與此相對，成為於第1區域R1之光阻層13上未形成開口部，維持為整個第1區域R1由光阻層13覆蓋之狀態。即，於輥形母盤表面形成僅第2區域R2具有開口圖案之掩膜。
繼而，以形成於輥形母盤11之上之光阻層13之圖案(光阻圖案)作為掩膜，對輥形母盤11之表面進行輥蝕刻處理。藉此，於輥形母盤表面中之第2區域R2中，經由開口部而進行蝕刻，如圖18B所示，於第2區域R2中形成於軌道之延伸方向上具有長軸方向之橢圓錐形狀或橢圓錐台形狀等構造體(凹部)12。另一方面，於輥形母盤表面中之第1區域R1中，由於該區域整體由光阻層13覆蓋，故未實施蝕刻，平面狀之輥形母盤表面得以維持。作為蝕刻方法，例如可使用乾式蝕刻。
繼而，例如，如圖18C所示，使輥形母盤11與塗佈有轉印材料16之膜等基體2密接，照射紫外線等能量射線而使轉印材料16硬化後，將與已硬化之轉印材料16成為一體之基體2剝離。藉此，如圖19A所示，獲得具有形成有平面Sp1之第1區域R1與形成有波面Sw2之第2區域R2之基體2。
繼而，如圖19B所示，藉由於基體表面之第1區域R1及第2區域R2
上積層2層以上之層而形成積層膜4。具體而言，例如藉由於基體表面之第1區域R1及第2區域R2上依序積層導電層4a、功能層4b而形成積層膜4。作為積層膜4之成膜方法，例如，除熱CVD、電漿CVD、光CVD等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應由氣相析出薄膜之技術)以外，可使用真空蒸鍍、電漿輔助蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：使在真空中以物理方式汽化之材料凝聚於基板上而形成薄膜之技術)。又，亦可一面加熱基體2，一面形成積層膜4。
繼而，視需要而對積層膜4實施退火處理。藉此，積層膜4或積層膜4中所含之無機透明導電層成為例如非晶質與多晶之混合狀態。
繼而，如圖19C所示，對形成有積層膜4之基體表面實施蝕刻處理。藉此，於第2區域R2中將積層膜4除去，與此相對，於第1區域R1中積層膜4殘留。具體而言，例如，於第2區域R2中將導電層4a、功能層4b除去，與此相對，於第1區域R1中導電層4a、功能層4b殘留。因此，形成於第1區域R1中之積層膜4作為導電圖案部而發揮功能，與此相對，第2區域R2作為上述導電圖案部間之絕緣區域而發揮功能。作為蝕刻，可使用濕式蝕刻或乾式蝕刻，亦可將兩者組合使用。作為濕式蝕刻之蝕刻液，例如可使用硫酸、鹽酸、硝酸及氯化鐵中之1種以上。又，亦可將草酸、磷酸‧乙酸‧硝酸之混合酸、硝酸鈰銨水溶液用作蝕刻液。作為乾式蝕刻，可使用電漿蝕刻、反應性離子蝕刻(RIE：Reactive Ion Etching)。
此處，所謂除去，係指：(1)使積層膜4自第2區域R2完全消除；(2)使積層膜4成為不連續狀態(例如島狀之狀態)，直至於第2區域R2中不表現出導電性之程度；或(3)使積層膜4變薄為直至於第2區域R2中
不表現出導電性之程度之薄厚。
具體而言，較佳為利用形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，將形成於波面Sw2上之積層膜4實質性地除去，與此相對，使形成於平面Sp1上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於平面Sp1及波面Sw2中之平面Sp1上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，將形成於波面Sw2上之積層膜4除去，使其成為島狀等而不連續，與此相對，使形成於平面Sp1上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於平面Sp1及波面Sw2中之平面Sp1上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，使形成於波面Sw2上之積層膜4之厚度大幅薄於形成於平面Sp1上之積層膜4之厚度。藉此，可於平面Sp1及波面Sw2中之平面Sp1上選擇性地形成導電圖案部。
繼而，視需要而清洗實施有蝕刻處理之基體表面。
藉由以上方式，可獲得作為目標之導電性元件1。
第3實施形態中，於具有平面Sp1及波面Sw2之基體表面，積層2層以上之層而形成積層膜4。然後，利用形成於平面Sp1及波面Sw2上之積層膜4之狀態之差異，將平面Sp1及波面Sw2之波面中、形成於波面Sw2上之積層膜4除去，與此相對，保留形成於平面Sp1上之積層膜4，藉此形成導電圖案部。因此，可實現精細且高產出量之導電性元件1。
圖20A係表示本技術之第4實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖20B係沿如圖20A所示之B-B線之剖面圖。圖20C係將如圖20B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖20D係將如圖20B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。第4實施形態之導電性元件1於以下方面與第3實施形態有所不同：利用形成於第1區域R1中之第1波面Sw1與形成於第2區域R2中之第2波面Sw2之差異(例如振動之平均振幅之差異)，使成膜於第1區域R1與第2區域R2中之積層膜4之蝕刻速度產生變化，從而形成配線圖案等。
於第1區域R1之基體表面形成有第1波面Sw1，於該第1波面Sw1上連續地形成有積層膜4。另一方面，成為於第2區域R2之基體表面係形成有第2波面Sw2、於該第2波面Sw2上未形成有積層膜4之狀態。第1波面Sw1及第2波面Sw2例如為具有可見光之波長以下之波長之波面。因此，第2區域R2係作為使形成於鄰接之第1區域R1中之積層膜4之間絕緣之絕緣區域而發揮功能。與此相對，連續地形成於第1區域R1中之積層膜4朝向第1區域R1之延伸方向並具有導電性，係作為導電圖案部而發揮功能。於基體2之表面例如設置有具有第1波面Sw1及第2波面Sw2之形狀層。該形狀層包含下述之構造體31及32。
波面Sw1之平均波長λm1、及波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 μm以下之範圍。若平均波長λm1、及平均波長λm2超過100 μm，則於壓印與膜形成時，階差、覆蓋會產生問題而產生異常。
為不阻礙第1區域R1中利用第1構造體31之抗反射效果，積層膜4較佳為效仿第1構造體31之表面形狀而形成，第1構造體31與積層膜4之表面形狀為大致相似之形狀。其原因在於可抑制因積層膜4之形成導致之折射率分佈之變化，維持優異之抗反射特性及/或透過特性。構成積層膜4之材料較佳為非晶質與多晶之混合狀態。其原因在於即
便於降低第1構造體31之高度之情形時，亦可以不阻礙第1構造體31之抗反射效果之膜厚形成積層膜4。即，其原因在於可維持積層膜4效仿第1構造體31之形狀而成之形狀。
較佳為第2波面Sw2之振動之平均振幅Am2相對於平均波長λm2之比率(Am2/λm2)大於第1波面Sw1之振動之平均振幅Am1相對於平均波長λm1之比率(Am1/λm1)。其原因在於藉此可同時實現光學特性與電性選擇性。具體而言，較佳為比率(Am1/λm1)及比率(Am2/λm2)滿足以下之關係。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8
(其中，Am1：波面Sw1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，λm1：波面Sw1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長)
若比率(Am2/λm2)>1.8，則於轉印波面Sw2時有成為剝離不良而破壞波面Sw2之傾向。
此處，波面Sw1之比率(Am1/λm1)係以與第3實施形態中之波面Sw2相同之方式而測定者。
波面Sw1、及波面Sw2之形狀、波長及振動幅度可分別獨立選擇。具體而言，例如，波面Sw1、及波面Sw2可分別獨立地設為1維或2維波面。又，波面Sw1、及波面Sw2之波長及振動幅度可分別獨立地設為奈米級或微米級之波長及振動幅度。
較佳為於第2區域R2中完全不存在積層膜4之一部分作為殘留膜，但若為第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能之程度，亦可作為殘留膜而存在。於此情形時，較佳為形成於第1區域R1中之積層膜4之面積大於形成於第2區域R2中之積層膜4或其之一部分之面積。具體而言，較佳為積層膜4連續地形成於第1區域R1中，與此相對，積層膜4或其之一部分以島狀等形式不連續地形成於第2區域R2中。又，較佳為形成
於第2區域R2中之積層膜4或其之一部分之厚度為實質上不表現導電性之程度地薄於形成於第1區域R1中之積層膜4之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。
第1波面Sw1例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第1構造體31而成之凹凸面。第2波面Sw2例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第2構造體32而成之凹凸面。較佳為第1構造體31之平均縱橫比(Hm1/Pm1)大於第2構造體32之平均縱橫比(Hm2/Pm2)。具體而言，較佳為第1構造體31、及第2構造體32滿足以下之關係。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)≦1.8
(其中，Hm1：第1構造體31之平均高度，Hm2：第2構造體32之平均高度，Pm1：第1構造體31之平均配置間距，Pm2：第2構造體32之平均配置間距)
若比率(Hm2/Pm2)>1.8，則於轉印第2構造體32時有成為剝離不良而破壞構造體32之傾向。
此處，第1構造體31之縱橫比(Hm1/Pm1)、及第2構造體32之縱橫比(Hm2/Pm2)係以與第3實施形態中之構造體3之縱橫比(Hm/Pm)相同之方式而測定者。
第1構造體31、及第2構造體32中，除上述以外，可設為與第3實施形態中之構造體3相同。再者，第1構造體31、及第2構造體32之配置圖案或形狀等無需相同，兩構造體亦可採用不同之配置圖案或形狀等。
圖21A係將用以製作基體2之輥形母盤之一部分放大表示之立體圖。圖21B係將如圖21A所示之輥形母盤之一部分放大表示之剖面
圖。第4實施形態之輥形母盤11於以下方面與第3實施形態中者有所不同：於第1區域R1及第2區域R2兩區域中分別具備第1波面Sw1及第2波面Sw2。
輥形母盤11之第1波面Sw1例如係藉由以可見光之波長以下之間距排列凹狀之第1構造體121而形成。輥形母盤11之第2波面Sw2例如係藉由以可見光之波長以下之間距排列凹狀之第2構造體122而形成。輥形母盤11之第1波面Sw1、第2波面Sw2分別具有將基體2之第1波面Sw1、第2波面Sw2之凹凸反轉之形狀。
輥形母盤11之第1區域R1及第2區域R2分別與基體2之第1區域R1及第2區域R2相對應。即，形成於輥形母盤11之第1區域R1中之凹狀之構造體121係用以形成於基體2之第1區域R1中形成之凸狀之構造體31者。形成於輥形母盤11之第2區域R2中之凹狀之構造體122係用以形成於基體2之第2區域R2中形成之凸狀之構造體32者。較佳為第2構造體122之縱橫比大於第1構造體121之縱橫比。
第4實施形態中之蝕刻步驟中，藉由對形成有積層膜4之基體表面實施蝕刻處理，於第2區域R2中將積層膜4除去，與此相對，於第1區域R1中積層膜4殘留。具體而言，較佳為利用利用形成於第1波面Sw1及第2波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，將形成於第2波面Sw2上之積層膜4實質性地除去，與此相對，使形成於第1波面Sw1上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於第1波面Sw1及第2波面Sw2中之第1波面Sw1上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於第1波面Sw1及第2波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，將形成於第2波面Sw2上之積層膜4除去，使其成為島狀等而不連續，與此相對，使形成於第1波面Sw1上之積層膜4以連續地連接之方式殘留。藉此，可於第1波面Sw1及第2波面Sw2
中之第1波面Sw1上選擇性地形成導電圖案部。
又，較佳為利用形成於第1波面Sw1及第2波面Sw2上之積層膜4之膜質或相狀態等之差異，使形成於第2波面Sw2上之積層膜4之厚度大幅薄於形成於第1波面Sw1上之積層膜4之厚度。藉此，可於第1波面Sw1及第2波面Sw2中之第1波面Sw1上選擇性地形成導電圖案部。
第4實施形態中，由於第1區域R1及第2區域R2兩區域分別形成有構造體31及構造體32，故可提高導電性元件1之抗反射特性。於製成此種構成之情形時，較佳為作為導電圖案部而發揮功能之第1區域R1之積層膜4製成效仿形成於第1區域R1中之構造體31之形狀而成的形狀。其原因在於，藉此可抑制抗反射特性及/或透過特性之效果之降低。
使實施有調變(例如振幅調變及/或頻率調變)之波面形成於基體表面，於該基體表面上形成積層膜4，藉此可根據基體2之波面之調變之差異，使積層膜4之狀態產生變化。因此，可根據基體2之波面之調變之差異，使積層膜4對於蝕刻溶液之溶解度產生變化。即，可利用基體2之波面之調變之差異，於基體表面形成所需之導電圖案部。
於藉由奈米構造體形成基體表面之波面之情形時，亦可提高視認性及光學特性。可於不使光學特性劣化之情況下實現所需之電阻。
於基體表面形成包含導電層之配線之先前之資訊輸入裝置(例如數位式電阻觸控面板或靜電電容式觸控面板等)中，由於導電層與基材反射率不同，故有配線可見、顯示品質劣化之傾向。與此相對，本技術之實施形態之資訊輸入裝置中，無論有無積層膜4，均實現低反射及高透過率，故可抑制配線之視認。
圖22A係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之一構成例的
俯視圖。圖22B係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖22C係表示本技術之第5實施形態之導電性元件之第1區域之層構成的剖面圖。以下，以於導電性元件1之電路形成面之面內互相正交之2個方向作為X軸方向、及Y軸方向，將垂直於該電路形成面之方向稱為Z軸方向。
第5實施形態之導電性元件1具備具有交替形成之第1區域R1及第2區域R2之基體2、第1區域R1及第2區域R2中以形成配線圖案部(導電圖案部)之方式而連續地形成於第1區域R1中之導電層4m。導電層4m例如為具有導電性之單層膜。此處，作為導電圖案部之一例而對配線圖案部形成於第1區域R1中之情形進行說明，但導電圖案部並不限定於配線圖案部，可製成具有導電性之各種圖案，例如可製成電極圖案部等。
又，就降低表面電阻之觀點而言，如圖22C所示，較佳為於第1區域R1之基體表面上進而具備與導電層4m相鄰接而形成之金屬層5。該導電性元件1例如為印刷基板、圖像顯示元件、資訊輸入裝置等。作為印刷基板，例如可列舉剛性基板、柔性基板、剛性柔性基板等。作為圖像顯示元件，例如可列舉液晶顯示元件、電致發光(EL)元件(例如有機EL元件、無機EL元件)等。
成為於第2區域R2之基體表面係形成有例如具有可見光之波長以下之波長之波面Sw2，於該波面Sw2上未形成導電層4m，或不連續地形成有導電層4m之狀態。波面Sw2例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之構造體3而成之凹凸面。另一方面，於第1區域R1之基體表面例如形成有平面Sp1，於該平面Sp1上連續地形成有導電層4m。因此，第2區域R2係作為用以使形成於鄰接之第1區域R1中之導電層4m之間絕緣之絕緣區域而發揮功能。與此相對，連續地形成於
第1區域R1中之導電層4m朝向第1區域R1之延伸方向並具有導電性，係作為配線圖案部(導電圖案部)而發揮功能。
較佳為平面Sp1、及波面Sw2滿足以下之關係。
(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)≦1.8
(其中，Am1：平面Sp1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，λm1：平面Sp1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長)
再者，由於平面Sp1可視為振動之平均振幅Am1為「0」之波面，故可以上述方式定義平面Sp1之振動之平均振幅Am1、平均波長λm1及比率(Am1/λm1)。
若比率(Am2/λm2)>1.8，則於轉印波面Sw2時有成為剝離不良而破壞波面Sw2之傾向。
波面Sw2例如為具有可見光之波長以下之波長之1維或2維波面，具體而言，係以可見光之波長以下之配置間距1維或2維排列較多之構造體3而成之凹凸面。
波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 nm以上之範圍。若平均波長λm2未達100 nm，則有波面Sw2之製作變得困難之傾向。
又，波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 μm以下之範圍。若平均波長λm2超過100 μm，則於壓印與膜形成時，階差、覆蓋會產生問題而產生異常。
較佳為於第2區域R2中完全不存在導電層4m，但若第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能，則導電層4m亦可存在。於此情形時，較佳為形成於第1區域R1中之導電層4m之面積大於形成於第2區域R2中之導電層4m之面積。具體而言，較佳為導電層4m連續地形成於第1區域R1中，與此相對，導電層4m以島狀等形式不連續地形成於第2區域R2中。又，形成於第2區域R2中之導電層4m之厚度亦可為實質上不表現
導電性之程度地薄於形成於第1區域R1中之導電層4m之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。
更具體而言，較佳為於第2區域R2中完全不存在導電層4m或其之一部分作為殘留膜，但若為第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能之程度，則亦可作為殘留膜而存在。於殘留膜存在於第2區域R2中之情形時，較佳為形成於第1區域R1中之導電層4m與形成於第2區域R2中之殘留膜滿足以下之關係。
S1>S2
(其中，S1：導電層之面積，S2：殘留膜之面積)
於滿足此種關係之情形時，較佳為導電層4m連續地形成於第1區域R1中，與此相對，殘留膜以島狀等形式不連續地形成於第2區域R2中。
又，於殘留膜存在於第2區域R2中之情形時，較佳為形成於第1區域R1中之導電層4m與形成於第2區域R2中之殘留膜滿足以下之關係。
d1>d2
(其中，d1：導電層之厚度，d2：殘留膜之厚度)
於滿足此種關係之情形時，較佳為殘留膜之厚度為實質上不表現導電性之程度地薄於導電層4m之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。
再者，圖22A中例示連續地形成於第1區域R1中之導電層4m、即配線具有直線狀之形狀之例，但配線之形狀並不限定於此，可根據電路設計等製成所需之形狀。又，於導電層4m以不連續等方式形成於第2區域R2中之情形時，由於導電層4m不作為配線而發揮功能，故省略圖示。即，將殘留膜之圖示省略。
以包含波面Sw2之振動幅度達到最大之位置之方式、使波面Sw2朝向一個方向而切割時之剖面形狀例如為三角波形狀、正弦波形狀、
2次曲線或重複2次曲線之一部分而得之波形狀、或近似於該等之形狀等。作為2次曲線，可列舉圓、橢圓、抛物線等。
波面Sw2之振動之平均振幅Am2相對於平均波長λm2之比率(Am2/λm2)較佳為1.8以下。若比率(Am2/λm2)超過1.8，則於轉印構造體時，有成為剝離不良而破壞構造體之傾向。
此處，波面Sw2之平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2係以如下之方式而求出。首先，以包含導電層4m之波面Sw2之振動幅度達到最大之位置之方式使導電性元件1朝向一個方向而切割，藉由穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)拍攝該剖面。繼而，根據所拍攝之TEM照片求出波面Sw2之波長λ2、及振動幅度A2。對自導電性元件1隨機選出之10處重複進行該測定，將測定值簡單平均(算術平均)而求出波面Sw2之平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2。繼而，使用該等平均波長λm2、及振動之平均振幅Am2求出波面Sw2之比率(Am2/λm2)。
以下依序對構成導電性元件1之基體2、構造體3、導電層4m、及金屬層5進行說明。
基體2與上述之第1實施形態相同。
於第2區域R2中之基體2之表面排列有較多之作為凸部之構造體3。藉此，於第2區域R2中之基體2之表面形成波面Sw2。構造體3例如與基體2分開成形，或以與基體2一體之方式而成形。於構造體3與基體2分開成形之情形時，亦可視需要而於構造體3與基體2之間具備基底層。基底層係於構造體3之底面側以與構造體3一體之方式而成形之層，係將與構造體3相同之能量射線硬化性樹脂組合物等硬化而成。基底層之厚度並無特別限定，可視需要而進行適當選擇。
較佳為構造體3之縱橫比(Hm/Pm)滿足以下之關係。
0<(Hm/Pm)≦1.8
(其中，Hm：構造體3之平均高度，Pm：構造體3之平均配置間距)
若(Hm/Pm)>1.8，則於轉印構造體3時有成為剝離不良而破壞構造體3之傾向。
導電層4m例如為透明導電層等。透明導電層例如為無機透明導電膜。導電層4m例如為單層膜。
無機透明導電膜較佳為以透明氧化物半導體作為主成分。作為透明氧化物半導體，例如可使用：SnO2、InO2、ZnO及CdO等二元化合物，含有作為二元化合物之構成元素之Sn、In、Zn及Cd中之至少一種元素之三元化合物、或多元系(複合)氧化物。作為透明氧化物半導體之具體例，例如可列舉銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3、ZnO))、SZO、摻氟氧化錫(FTO)、氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO(In2O3、ZnO))等。尤其是就高可靠性、及低電阻率等觀點而言，較佳為銦錫氧化物(ITO)。就提高導電性之觀點而言，構成無機透明導電膜之材料較佳為非晶質與多晶之混合狀態。
作為構成導電層4m之材料，亦可含有金屬膜。作為金屬膜之材料，例如可使用選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、及Cu所組成之群中之至少1種。又，導電層4m亦可含有選自由導電性高分子、金屬奈米粒子、及奈米碳管所組成之群中之至少1種作為主成分。
第1區域R1中之導電層4m之表面電阻較佳為5000 Ω/□以下。若超過5000 Ω/□，則電阻過分增大，有無法用作電極之傾向。
圖23A係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖23B係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。圖23C係表示本技術之第6實施形態之導電性元件之第1區域之層構成的剖面圖。第6實施形態之導電性元件1於以下方面與第5實施形態有所不同：利用形成於第1區域R1中之第1波面Sw1與形成於第2區域R2中之第2波面Sw2之差異(例如振動之平均振幅之差異)，使成膜於第1區域R1與第2區域R2中之導電層4m之蝕刻速度產生變化，從而形成配線圖案部等。
成為於第2區域R2之基體表面係例如形成有具有可見光之波長以下之波長之第2波面Sw2，於該第2波面Sw2上未形成導電層4m，或不連續地形成有導電層4m之狀態。又，形成於第2區域R2中之導電層4m之厚度亦可為實質上不表現導電性之程度地薄於形成於第1區域R1中之導電層4m之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。另一方面，於第1區域R1之基體表面例如形成有具有可見光之波長以下之波長之第1波面Sw1，於該第1波面Sw1上連續地形成有導電層4m。因此，第2區域R2係作為用以使形成於鄰接之第1區域R1中之導電層4m之間絕緣之絕緣區域而發揮功能。與此相對，連續地形成於第1區域R1中之導電層4m朝向第1區域R1之延伸方向並具有導電性，係作為配線圖案部(導電圖案部)而發揮功能。
第1波面Sw1例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第1構造體31而成之凹凸面。第2波面Sw2例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第2構造體32而成之凹凸面。又，就降低表面電阻之觀點而言，如圖23C所示，較佳為於基體表面進而具備金屬層
5。
為不阻礙第1區域R1中利用第1構造體31之抗反射效果，導電層4m較佳為效仿第1構造體31之表面形狀而形成，第1構造體31與導電層4m之表面形狀為大致相似之形狀。其原因在於可抑制因導電層4m之形成導致之折射率分佈之變化，維持優異之抗反射特性及/或透過特性。構成導電層4m之材料較佳為非晶質與多晶之混合狀態。其原因在於即便於降低第1構造體31之高度之情形時，亦可以不阻礙第1構造體31之抗反射效果之膜厚形成導電層4m。即，其原因在於即便於降低第1構造體31之高度之情形時，亦可維持導電層4m效仿第1構造體31之形狀而成之形狀。
較佳為第2波面Sw2之振動之平均振幅Am2相對於平均波長λm2之比率(Am2/λm2)大於第1波面Sw1之振動之平均振幅Am1相對於平均波長λm1之比率(Am1/λm1)。其原因在於藉此可同時實現光學特性與電性選擇性。第2波面Sw2之振動之平均振幅Am2相對於平均波長λm2之比率(Am2/λm2)較佳為1.8以下。若比率(Am2/λm2)超過1.8，則於轉印第2構造體32時，有成為剝離不良而破壞第2構造體32之傾向。較佳為第2波面之振動之平均振幅Am2大於第1波面之振動之平均振幅Am1。
又，第1波面Sw1之平均波長λm1、及波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 nm以上之範圍。若平均波長λm1、及平均波長λm2未達100 nm，則有波面Sw2之製作變得困難之傾向。第1波面Sw1之平均波長λm1、及波面Sw2之平均波長λm2較佳為100 μm以下之範圍。若平均波長λm1、及平均波長λm2超過100 μm，則於壓印與膜形成時，階差、覆蓋會產生問題而產生異常。
較佳為第2構造體32之平均縱橫比大於第1構造體31之平均縱橫比。第1構造體31之平均配置間距Pm1、平均高度Hm1、平均縱橫比(Hm1/Pm1)較佳為分別與第1波面Sw1之平均波長λm1、振動之平均振
幅Am1、比率(Am1/λm1)相同。第2構造體32之平均配置間距Pm2、平均高度Hm2、平均縱橫比(Hm2/Pm2)較佳為分別與第2波面Sw2之平均波長λm2、振動之平均振幅Am2、比率(Am2/λm2)相同。
具體而言，較佳為第2波面Sw2之振動之平均振幅Am2相對於平均波長λm2之比率(Am2/λm2)大於第1波面Sw1之振動之平均振幅Am1相對於平均波長λm1之比率(Am1/λm1)。其原因在於藉此可同時實現光學特性與電性選擇性。更具體而言，較佳為比率(Am1/λm1)及比率(Am2/λm2)滿足以下之關係。
0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)≦1.8
(其中，Am1：波面Sw1之振動之平均振幅，Am2：波面Sw2之振動之平均振幅，λm1：波面Sw1之平均波長，λm2：波面Sw2之平均波長)
若比率(Am2/λm2)>1.8，則於轉印波面Sw2時有成為剝離不良而破壞波面Sw2之傾向。
此處，波面Sw1之比率(Am1/λm1)係以與第1實施形態中之波面Sw2相同之方式而測定者。
波面Sw1、及波面Sw2之形狀、波長及振動幅度可分別獨立選擇。具體而言，例如，波面Sw1、及波面Sw2可分別獨立地設為1維或2維波面。又，波面Sw1、及波面Sw2之波長及振動幅度可分別獨立地設為奈米級或微米級之波長及振動幅度。
較佳為於第2區域R2中完全不存在導電層4m之一部分作為殘留膜，但若為第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能之程度，則亦可作為殘留膜而存在。於此情形時，較佳為形成於第1區域R1中之導電層4m之面積大於形成於第2區域R2中之導電層4m或其之一部分之面積。具體而言，較佳為導電層4m連續地形成於第1區域R1中，與此相對，導電層4m或其之一部分以島狀等形式不連續地形成於第2區域R2中。
又，形成於第2區域R2中之導電層4m或其之一部分之厚度亦可為實質上不表現導電性之程度地薄於形成於第1區域R1中之導電層4m之厚度，第2區域R2作為絕緣區域而發揮功能。
形成於第1區域R1中之第1構造體31例如與形成於第2區域R2中之第2構造體32同樣地形成六方晶格圖案、準六方晶格圖案、四方晶格圖案、或準四方晶格圖案等規則之晶格圖案。又，如下所述，亦可將第1構造體31無規則地排列。再者，第1區域R1之第1構造體31與第2區域R2之第2構造體32之配置圖案無需相同，兩區域之構造體亦可採用不同之配置圖案。
第1波面Sw1例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第1構造體31而成之凹凸面。第2波面Sw2例如係以可見光之波長以下之配置間距形成較多之第2構造體32而成之凹凸面。較佳為第2構造體32之平均縱橫比(Hm2/Pm2)大於第1構造體31之平均縱橫比(Hm1/Pm1)。具體而言，較佳為第1構造體31、及第2構造體32滿足以下之關係。
0<(Hm1/Pm1)<(Hm2/Pm2)≦1.8
(其中，Hm1：第1構造體31之平均高度，Hm2：第2構造體32之平均高度，Pm1：第1構造體31之平均配置間距，Pm2：第2構造體32之平均配置間距)
若比率(Hm2/Pm2)>1.8，則於轉印第2構造體32時有成為剝離不良而破壞構造體32之傾向。
此處，第1構造體31之縱橫比(Hm1/Pm1)、及第2構造體32之縱橫比(Hm2/Pm2)係以與第1實施形態中之構造體3之縱橫比(Hm/Pm)相同之方式而測定者。
第1構造體31、及第2構造體32中，除上述以外，可設為與第5實
施形態中之構造體3相同。再者，第1構造體31、及第2構造體32之配置圖案或形狀等無需相同，兩構造體亦可採用不同之配置圖案或形狀等。
圖24A係表示本技術之第7實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖24B係將如圖24A所示之導電性元件之一部分放大表示之剖面圖。如圖24B所示，導電性元件10具備基體2、設置於基體2之表面且具有平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之形狀層6、設置於平面Sp1上之第1層41及形成於波面Sw2上之第2層42。以下將形成有形狀層6之第1面適當稱為正面，將與其為相反側之第2面適當稱為背面。
導電性元件10具有帶狀之形狀，可捲繞為輥狀而製成所謂之原片。導電性元件10較佳為具有可撓性。其原因在於，藉此可將帶狀之導電性元件捲繞為輥狀而製成原片，提高搬送性或操作性等。於帶狀之導電性元件10上重複設置有複數之導電性元件1，藉由沖裁帶狀之導電性元件10之特定區塊，可獲得複數之導電性元件1。該導電性元件1例如為印刷基板等配線元件，係用於各種電子機器較佳者。
如圖24A所示，導電性元件10例如具有至少1週期以上之轉印區域(單位區域)TE。此處，1週期之轉印區域TE係藉由將下述之輥形母盤旋轉1周而轉印之區域。即，1週期之轉印區域TE之長度相當於輥形母盤之周面之長度。於鄰接之2個轉印區域TE之邊界部，較佳為形狀層6之凹凸形狀不存在失配性，2個轉印區域TE係無縫連接。其原因在於，藉此可獲得具有優異之特性或外觀之導電性元件10。此處，所謂失配性，係指利用構造體32及構造體33之凹凸形狀等之物理性構成不連續。作為失配性之具體例，例如可列舉轉印區域TE所具有之特定之凹凸圖案之週期性的混亂、或鄰接之單位區域間之重疊、間隙、或未
轉印部等。
基體2之材料並無特別限定，可根據用途而適當選擇，例如可使用塑膠材料、玻璃材料、金屬材料、金屬化合物材料(例如陶瓷、磁體、半導體等)。作為塑膠材料，例如可列舉三乙酸纖維素、聚乙烯醇、環狀烯烴聚合物、環狀烯烴共聚物、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、甲基丙烯酸系樹脂、尼龍、聚縮醛、氟樹脂、酚樹脂、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醚醚酮、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物等。作為玻璃材料，例如可列舉鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等。作為金屬材料及金屬化合物材料，例如可列舉矽、氧化矽、藍寶石、氟化鈣、氟化鎂、氟化鋇、氟化鋰、硒化鋅、溴化鉀等。
作為基體2之形狀，例如可列舉片狀、板狀、塊狀，但並不特別限定於該等形狀。此處，將片狀定義為包含膜。基體2較佳為整體具有帶狀之形狀，且朝向基體2之長度方向，作為單位區域之轉印區域TE係連續地形成。作為基體2之正面及背面之形狀，例如可使用平面及曲面中之任一者，可將正面及背面均製成平面或曲面，亦可將正面及背面中之一者製成平面，將另一者製成曲面。
基體2具有針對用以使用以形成形狀層6之能量射線硬化性樹脂組合物硬化之能量射線之不透過性。本說明書中，所謂能量射線，係表示用以使用以形成形狀層6之能量射線硬化性樹脂組合物硬化之能量射線。對於基體2之表面，例如亦可藉由印刷、塗佈、真空成膜等而形成裝飾層或功能層。
基體2具有單層構造或積層構造。此處，積層構造係積層2層以
上之層而成之積層構造，積層構造中之至少1層為具有針對能量射線之不透過性之不透過層。作為形成積層構造之方法，例如可列舉藉由融著或表面處理等將層間直接貼合之方法、介隔接著層或黏著層等貼合層將層間貼合之方法，但並無特別限定。貼合層亦可含有吸收能量射線之顏料等材料。又，於將基體2製成積層構造之情形時，可將具有針對能量射線之不透過性之不透過層與具有針對能量射線之透過性之透過層組合。又，於基體2具備2層以上之不透過層之情形時，該等可具有互不相同之吸收特性。
作為透過層之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂塗佈材料等透明之有機膜、或者透明之金屬膜、無機膜、金屬化合物膜或該等之積層體，但並無特別限定。作為不透過層之材料，例如可使用含有顏料之丙烯酸系樹脂塗佈材料等有機膜、或者金屬膜、金屬化合物膜或該等之積層體，但並無特別限定。作為顏料，例如可使用碳黑等具有光吸收性之材料。
圖25A~圖25E分別為表示基體之第1~第5例之剖面圖。
如圖25A所示，基體2係具有單層之構造、基體整體具有針對能量射線之不透過性之不透過層。
如圖25B所示，基體2具有2層構造，具備具有針對能量射線之不透過性之不透過層2a與具有針對能量射線之透過性之透過層2b。不透過層2a係配置於背面側，透過層2b係配置於正面側。
如圖25C所示，基體2具有2層構造，具備具有針對能量射線之不透過性之不透過層2a與具有針對能量射線之透過性之透過層2b。不透過層2a係配置於正面側，透過層2b係配置於背面側。
如圖25D所示，基體2具有3層構造，具備具有針對能量射線之透過性之透過層2b及形成於該透過層2b之兩個主面、具有針對能量射線之不透過性之不透過層2a、2a。其中一層不透過層2a係配置於背面側，另一層不透過層2a係配置於正面側。
如圖25E所示，基體2具有3層構造，具備具有針對能量射線之不透過性之不透過層2a及形成於該不透過層2a之兩個主面、具有針對能量射線之透過性之透過層2b、2b。其中一層透過層2b係配置於背面側，另一層透過層2b係配置於正面側。
形狀層6具有連續形成有具有特定之凹凸圖案之轉印區域TE之表面。形狀層6例如係2維排列複數個構造體32及構造體33而成之層，可視需要而於複數個構造體32及構造體33與基體2之間具備基底層8。基底層8係於構造體32及構造體33之底面側以與構造體32及構造體33一體之方式而成形之層，係將與構造體32及構造體33相同之能量射線硬化性樹脂組合物硬化而成。基底層8之厚度並無特別限定，可視需要而進行適當選擇。複數個構造體32及構造體33例如於基體2之表面以形成數列軌道T之方式而排列。以形成數列軌道之方式排列之複數個構造體32及構造體33例如亦可形成四方晶格狀或六方晶格狀等規則之特定之配置圖案。構造體32及構造體33之高度可於基體2之表面規則或不規則地變化。
於基體2與形狀層6之間，為改善兩者之密接層，較佳為設置下塗層。作為下塗層，例如可使用丙烯酸系之表面處理劑、矽烷偶合劑等。
形狀層6係藉由使能量射線硬化性樹脂組合物硬化而形成。形狀
層6較佳為藉由使塗佈於基體2上之能量射線硬化性樹脂組合物自與基體2相反之側進行聚合等硬化反應而形成。其原因在於，藉此可使用具有針對能量射線之不透過性者作為基體2。轉印區域TE間較佳為能量射線硬化性樹脂組合物之硬化度不產生失配而連接。能量射線硬化性樹脂組合物之硬化度之失配例如為聚合度之差。
能量射線硬化性樹脂組合物係可藉由照射能量射線而硬化之樹脂組合物。所謂能量射線，表示電子束、紫外線、紅外線、雷射光線、可見光線、離子化射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波、高頻等可成為自由基、陽離子、陰離子等之聚合反應之誘因之能量射線。能量射線硬化性樹脂組合物可視需要而與其他樹脂混合使用，例如可與熱硬化性樹脂等其他硬化性樹脂混合使用。又，能量射線硬化性樹脂組合物可為有機無機混合材料。又，亦可混合2種以上之能量射線硬化性樹脂組合物而使用。作為能量射線硬化性樹脂組合物，較佳為使用藉由紫外線硬化之紫外線硬化樹脂。作為紫外線硬化樹脂，例如可使用丙烯酸酯系、甲基丙烯酸酯系、或環氧系之紫外線硬化樹脂。
又，作為形狀層6之材料，除上述之能量射線硬化性樹脂組合物以外，亦可使用具有耐熱性之全氫聚矽氮烷等煅燒後可獲得無機膜之材料、矽系樹脂材料等。
又，能量射線硬化性樹脂組合物亦可視需要而含有填料、功能性添加劑、溶劑、無機材料、顏料、抗靜電劑、增感色素等。作為填料，例如可使用無機微粒子及有機微粒子中之任一者。作為無機微粒子，例如可列舉SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2、Al2O3等金屬氧化物微粒子。作為功能性添加劑，例如可列舉調平劑、表面調整劑、吸收劑、消泡劑等。
圖26係表示本技術之第7實施形態的轉印裝置之構成之一例的概略圖。該轉印裝置具備輥形母盤11、基體供給輥111、捲繞輥112、導輥113、114、夾輥115、剝離輥116、塗佈裝置117及能量射線源110。
於基體供給輥111上係以將片狀等之基體2捲繞為輥狀，經由導輥113而可連續地送出基體2之方式配置。捲繞輥112係以可捲繞具有藉由該轉印裝置轉印凹凸形狀而成之形狀層6之基體2之方式而配置。導輥113、114係以可搬送帶狀之基體2之方式而配置於該轉印裝置內之搬送路徑上。夾輥115係以可與輥形母盤11夾持自基體供給輥111送出之塗佈有能量射線硬化性樹脂組合物之基體2之方式而配置。輥形母盤11具有用以形成形狀層6之轉印面，其內部具備1個或複數個能量射線源110。後文對輥形母盤11進行詳細說明。剝離輥116係以可將藉由使能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而得之形狀層6自輥形母盤11之轉印面剝離之方式而配置。
基體供給輥111、捲繞輥112、導輥113、114、夾輥115、及剝離輥116之材質並無特別限定，可根據所需之輥特性而適當選用不鏽鋼等金屬、橡膠、聚矽氧等。作為塗佈裝置117，例如可使用具備塗佈機等塗佈設備之裝置。作為塗佈機，例如考慮到塗佈之能量射線硬化性樹脂組合物之物性等，可適當使用凹版塗佈機、線棒塗佈機、及模塗機等塗佈機。
輥形母盤11例如為具有圓筒狀之形狀之母盤，具有形成於其表面之轉印面Sp、形成於與其相反之內側之內周面即背面Si。於輥形母盤11之內部例如形成有藉由背面Si而形成之圓柱狀之空腔部，該空腔部具備1個或複數個能量射線源110。於轉印面Sp上例如形成有凹狀或凸狀之複數個構造體，藉由使該等構造體之形狀轉印於塗佈於基體2上之能量射線硬化性樹脂組合物，可於基體2之表面形成形狀層6。即，
於轉印面Sp上形成有將基體2之形狀層6所具有之凹凸形狀反轉而得之圖案。
輥形母盤11具有針對自能量射線源110放射之能量射線之透過性，以可使自能量射線源110放射併入射至背面Si之能量射線自轉印面Sp放射出之方式構成。藉由該自轉印面Sp放射出之能量射線，使塗佈於基體2上之能量射線硬化性樹脂組合物118硬化。輥形母盤11之材料只要為具有針對能量射線之透過性者即可，並無特別限定。作為具有針對紫外線之透過性之材料，較佳為使用玻璃、石英、透明樹脂、有機無機混合材料等。作為透明樹脂，例如可列舉聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Poly(methyl methacrylate))、聚碳酸酯(PC，poly carbonate)等。作為有機無機混合材料，例如可列舉聚二甲基矽氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)等。亦可於輥形母盤11之轉印面Sp及背面Si中之至少一者上形成具有透明性之金屬膜、金屬化合物膜或有機膜。
1個或複數個能量射線源110係以可向塗佈於基體2上之能量射線硬化性樹脂組合物118照射能量射線之方式而被支撐於輥形母盤11之空腔部內。於輥形母盤11具備複數個能量射線源110之情形時，該等能量射線源110較佳為以形成1列或2列以上之列之方式而配置。作為能量射線源，只要為可放射出電子束、紫外線、紅外線、雷射光線、可見光線、離子化射線(X射線、α射線、β射線、γ射線等)、微波、或高頻等能量射線者即可，並無特別限定。作為能量射線源之形態，例如可使用點狀光源、線狀光源，並無特別限定，亦可組合使用點狀光源與線狀光源。於使用點狀光源作為能量射線源之情形時，較佳為將複數個點狀光源排列為直線狀等而構成線狀光源。線狀光源較佳為以平行於輥形母盤11之旋轉軸之方式而配置。作為放射出紫外線之能量射線源，例如可列舉低壓水銀燈、高壓水銀燈、短弧放電燈、紫外線發光二極體、半導體雷射、螢光燈、有機電致發光、無機電致發光、
發光二極體、光纖等，但並不特別限定於該等。又，亦可進而於輥形母盤11之內部設置狹縫，使自能量射線源110放射之能量射線經由該狹縫而向能量射線硬化性樹脂組合物118照射。此時，亦可使能量射線硬化性樹脂組合物118利用藉由吸收能量射線而產生之熱而硬化。
該第7實施形態中，除上述以外之構成係與第1實施形態相同。
圖27A~圖27E係用以說明本技術之第7實施形態之導電性元件之製造方法之一例的步驟圖。
首先，以與上述之第1實施形態相同之方式實施「光阻成膜步驟」至「蝕刻步驟」，從而製作如圖27A所示之輥形母盤11。
繼而，如圖27B所示，於輥形母盤11內之收容空間(空腔部)內配置1個或複數個能量射線源110。能量射線源110較佳為以與輥形母盤11之寬度方向Dw或旋轉軸1之軸方向平行之方式配置。
繼而，視需要而對將塗佈能量射線硬化性樹脂組合物118之基體2之表面實施電暈處理、電漿處理、火焰處理、UV處理、臭氧處理、噴射處理等表面處理。繼而，將表面處理劑塗佈於基體2之表面，視需要而進行乾燥及/或硬化，藉此於基體2之表面形成下塗層。作為表面處理劑，例如可使用以乙酸丁酯稀釋丙烯酸系之表面處理劑等而得之處理溶液、矽烷偶合劑等。
繼而，如圖27C所示，於長條之基體2或輥形母盤11上塗佈或印刷能量射線硬化性樹脂組合物118。塗佈方法並無特別限定，例如可使用朝向基體上或母盤上之灌注、旋轉塗佈法、凹版塗佈法、模塗法、棒式塗佈法等。作為印刷方法，例如可使用凸版印刷法、平版印
刷法、凹版印刷(gravure printing)法、凹版印刷法、橡膠版印刷法、絲網印刷法等。繼而，視需要而進行溶劑除去或預烘烤等加熱處理。
繼而，如圖27D所示，一面使輥形母盤11旋轉，一面使其轉印面Sp密接於能量射線硬化性樹脂組合物118上，並且使自輥形母盤11內之能量射線源110出射之能量射線自輥形母盤11之轉印面Sp之側向能量射線硬化性樹脂組合物118照射。藉此，能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而形成形狀層6。具體而言，能量射線硬化性樹脂組合物118之硬化反應係自輥形母盤11之轉印面Sp側向基體2之表面測依序進行，藉由所塗佈或印刷之全部能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而形成形狀層6。基底層8之有無、或基底層8之厚度例如可藉由調整輥形母盤11對基體2之表面之壓力而選擇。繼而，將形成於基體2上之形狀層6自輥形母盤11之轉印面Sp剝離。藉此，如圖27E所示，於基體2之表面形成形狀層6。該轉印步驟中，以上述之方式，以具有帶狀之基體2之長度方向作為輥形母盤11之旋轉進行方向而轉印凹凸形狀。其後，亦可進行後烘烤等處理。
此處，對使用如圖26所示之轉印裝置之轉印步驟進行具體說明。
首先，自基體供給輥111送出長條之基體2，使送出之基體2通過塗佈裝置117之下方。繼而，藉由塗佈裝置117於通過塗佈裝置117之下方之基體2上塗佈能量射線硬化性樹脂組合物118。繼而，使塗佈有能量射線硬化性樹脂組合物118之基體2經由導輥113而朝向輥形母盤11搬送。
繼而，藉由輥形母盤11與夾輥115夾緊送入之基體2，以防止氣泡進入基體2與能量射線硬化性樹脂組合物118之間。其後，一面使能量射線硬化性樹脂組合物118密接於輥形母盤11之轉印面Sp上，一面沿輥形母盤11之轉印面Sp搬送基體2，並且使自1個或複數個能量射線源
110放射之能量射線經由輥形母盤11之轉印面Sp而向能量射線硬化性樹脂組合物118照射。藉此，能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而形成形狀層6。繼而，藉由剝離輥116自輥形母盤11之轉印面Sp剝離形狀層6，從而獲得形成有形狀層6之長條之基體2。繼而，經由導輥114將所得之基體2向捲繞輥112搬送，藉由捲繞輥112捲繞長條之基體2。藉此，獲得捲繞有長條之基體2之原片。
繼而，以與上述之第1實施形態相同之方式實施「積層膜之成膜步驟」至「清洗步驟」，藉此獲得如圖24A所示之帶狀之導電性元件10。繼而，視需要而將帶狀之導電性元件10沖裁為特定形狀，藉此獲得導電性元件1。
再者，「轉印步驟」中，亦可暫時不捲繞基體2，藉由連續捲繞(Roll to Roll)連續進行「積層膜之成膜步驟」至「清洗步驟」。
再者，對於上述之第2~第5實施形態、及下述之第10~第11實施形態之導電性元件1，亦可採用第7實施形態中之基體2之構成。於採用此種構成之情形時，作為導電性元件之製造方法，較佳為使用第7實施形態中之導電性元件之製造方法。
圖28係表示本技術之第8實施形態之轉印裝置之構成之一例的概略圖。該轉印裝置具備輥形母盤11、塗佈裝置117及搬送載台121。第8實施形態中，對與第7實施形態相同之部位標註相同之符號並省略說明。搬送載台121係以可將載置於該搬送載台121上之基體2朝向箭頭a之方向搬送之方式構成。
繼而，對具有上述構成之轉印裝置之運行之一例進行說明。
首先，藉由塗佈裝置117於通過塗佈裝置117之下方之基體2上塗佈能量射線硬化性樹脂組合物118。繼而，將塗佈有能量射線硬化性樹脂組合物118之基體2向輥形母盤11搬送。繼而，一面使能量射線硬
化性樹脂組合物118密接於輥形母盤11之轉印面Sp上一面搬送，並且使自設置於輥形母盤11內之1個或複數個能量射線源110放射之能量射線經由輥形母盤11之轉印面Sp而向能量射線硬化性樹脂組合物118照射。藉此，能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而形成形狀層6。繼而，藉由將搬送載台向箭頭a之方向搬送，將形狀層6自輥形母盤11之轉印面Sp剝離。藉此，可獲得形成有形狀層6之長條之基體2。繼而，視需要而藉由以上方式獲得作為目標之基體2。
圖29係表示本技術之第9實施形態之轉印裝置之構成之一例的概略圖。該轉印裝置具備輥131、132、134、135、作為帶形母盤之壓紋帶133、平坦傳送帶136、1個或複數個能量射線源110及塗佈裝置117。第9實施形態中，對與第7實施形態相同之部位標註相同之符號並省略說明。
壓紋帶133為帶形母盤之一例，具有環狀之形狀，於其外周面例如2維排列有複數個構造體。壓紋帶133具有針對能量射線之透過性。平坦傳送帶136具有環狀之形狀，其外周面係設為平坦面。於壓紋帶133與平坦傳送帶136之間形成有基體2之厚度程度之間隙，塗佈有能量射線硬化性樹脂組合物118之基體2可於該等帶之間移行。
輥131與輥132係相隔配置，藉由該等輥131與輥132，壓紋帶133由其內周面支撐，使壓紋帶133之形狀保持為細長之長圓形狀等。藉由使配置於壓紋帶133之內側之輥131與輥132旋轉驅動，從而使壓紋帶133旋轉移行。
輥134及輥135分別與輥131及輥132相向配置。藉由該等輥134與輥135，平坦傳送帶136由其內周面支撐，使平坦傳送帶136之形狀保持為細長之長圓形狀等。藉由使配置於平坦傳送帶136之內側之輥134與輥135旋轉驅動，從而使平坦傳送帶136旋轉移行。
於壓紋帶133之內側配置有1個或複數個能量射線源110。1個或複數個能量射線源110係以可對於壓紋帶133與平坦傳送帶136之間移行之基體2照射能量射線之方式保持。線狀光源等能量射線源110較佳為以平行於壓紋帶133之寬度方向而配置。能量射線源110之配置位置只要為由壓紋帶133之內周面形成之空間內即可，並無特別限定。例如，亦可配置於輥131及輥132中之至少一者之內部。於此情形時，較佳為藉由具有針對能量射線之透過性之材料形成輥131及輥132。
繼而，對具有上述構成之轉印裝置之運行之一例進行說明。
首先，藉由塗佈裝置117於通過塗佈裝置117之下方之基體2上塗佈能量射線硬化性樹脂組合物118。繼而，於旋轉之壓紋帶133與平坦傳送帶136之間之間隙，自輥131、134側送入塗佈有能量射線硬化性樹脂組合物118之基體2。藉此，壓紋帶133之轉印面與能量射線硬化性樹脂組合物118密接。繼而，一面維持該密接狀態，一面使自能量射線源110放射之能量射線經由壓紋帶133而向能量射線硬化性樹脂組合物118照射。藉此，使能量射線硬化性樹脂組合物118硬化而於基體2上形成形狀層6。繼而，將壓紋帶133自形狀層6剝離。藉此獲得作為目標之基體2。
圖30A係表示本技術之第10實施形態之導電性元件之一構成例的剖面圖。第10實施形態之導電性元件1於以下方面與第1實施形態有所不同：於基體2之兩個主面形成平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3，從而於基體兩面形成導電圖案部。圖30A中，基體兩個主面中之平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之位置、面積、形狀及配置順序等相同，但基體兩個主面中之平面Sp1、波面Sw2及波面Sw3之位置、面積、形狀及配置順序等並不限定於該例，可根據電路或元件之設計等而設定為所需之位置、面積、形狀及配置順序等。
又，如圖30B所示，亦可於基體2之平面Sp1上形成通孔(貫通孔)，於該通孔中嵌入導體油墨等導電材料7，使形成於基體2之兩面之電路等導電圖案部電性連接。形成通孔者並不限定於平面Sp1，亦可設置於波面Sw2上。於使平面Sp1及波面Sw2與基體2之兩個主面相對向而設置之情形時，亦可藉由通孔將平面Sp1及波面Sw2貫通，使形成於基體2之兩面之導電圖案部電性連接。
具有上述之構成之基體2例如可以如下之方式而製作。首先，一面搬送具有帶狀之基體2，一面於其兩面塗佈能量射線硬化性樹脂組合物。繼而，使配置於基體2之兩面側之旋轉母盤(例如輥形母盤或帶形母盤)之轉印面密接於能量射線硬化性樹脂組合物上，並且自旋轉母盤內之能量射線源向能量射線硬化性樹脂組合物照射能量射線。藉此，能量射線硬化性樹脂組合物硬化而於基體2之兩面形成形狀層6。再者，亦可將2個旋轉母盤以介隔基體2而對向之方式配置，一面藉由兩母盤夾持基體2，一面於能量射線硬化性樹脂組合物上轉印形狀。
第10實施形態中，由於係於基體2之兩面形成導電圖案部，故與第1實施形態相比，可使較多之電路等搭載於導電性元件1上。
圖31A係表示本技術之第11實施形態之導電性元件所具備之基體之第1例的剖面圖。圖31B係表示本技術之第11實施形態之導電性元件所具備之基體之第2例的剖面圖。第11實施形態之導電性元件1於以下方面與第1實施形態或第10實施形態之導電性元件1有所不同：形狀層6具有針對能量射線之不透過性。此種具有不透過性之構造體3例如可藉由於能量射線硬化性樹脂組合物中添加吸收能量射線之顏料等材料而形成。
該第11實施形態中，除上述以外係與第1實施形態或第10實施形態相同。
圖32A係表示本技術之第12實施形態之導電性元件之一構成例的俯視圖。圖32B係沿如圖32A所示之B-B線之剖面圖。圖33A係將如圖32B所示之第1區域之一部分放大表示之剖面圖。圖33B係將如圖32B所示之第2區域之一部分放大表示之剖面圖。圖33C係將如圖32B所示之第3區域之一部分放大表示之剖面圖。第12實施形態之導電性元件1於以下方面與第1實施形態中者有所不同：構造體31及構造體32相對於基體2之表面而言具有凹狀。又，亦可將構造體32及構造體33中之一者製成凹狀者，將另一者製成凸狀者。亦可於第2區域R2及第3區域R3中混合存在凹狀與凸狀之構造體31及構造體32。
該第12實施形態中，除上述以外係與第1實施形態相同。
該第12實施形態中，由於係將第1實施形態中之凸形狀之構造體32及構造體33之形狀反轉而製成凹形狀，故可獲得與第1實施形態相同之效果。
以下藉由實施例對本技術進行具體說明，但本技術並不僅限定於該等實施例。
以下之實施例、比較例及參考例中，導電性片材之表面電阻係藉由4端子電阻測定機而測定。再者，將探針前端針之直徑設為R100 μm，將針之間距設為1 mm。
首先，如圖34A所示，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋矽烷偶合劑，製備表面處理溶液。然
後，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此，獲得如下之光學片材：片材表面中，於奈米構造體形成區域(第2區域)R2中形成有較多之凸狀之奈米構造體，與此相對，於平面區域(第1區域)R1中形成有平坦面。構造體之配置間距為250 nm，構造體之高度為200 nm，構造體之形狀為圓錐台，構造體之排列為六方晶格排列。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。將極限真空度設為0.00015 Pa，將成膜時真空度設為0.24 Pa，於成膜時導入Ar氣體與O2氣體，將其混合比率設為Ar：O2=200：13。又，以使膜厚以平板換算達到30 nm之方式調整成膜條件。再者，平板換算膜厚與構造體頂部之膜厚大致相等。
繼而，對形成有ITO層之光學片材實施150℃、30分鐘之於空氣中之退火。藉此，ITO層之多晶化得以促進。繼而，為確認該促進之狀態而藉由X射線繞射(X-ray diffraction：XRD)測定ITO層，結果確認In2O3之波峰。
繼而，將已實施退火處理之光學片材浸漬於PH為3左右之溶液中20秒。
繼而，藉由純水清洗已實施除去處理之光學片材。
藉由以上方式可獲得作為目標之透明導電性片材。
對於以上述方式獲得之實施例1之透明導電性片材之表面，使用測試器於如圖34B所示之點對導通及非導通進行評價。將其評價結果示於表1。
表1表示實施例1之透明導電性片材之評價結果。
根據表1可知以下內容。
透明導電性片材表面中，奈米構造體形成區域(第2區域)R2為絕緣狀態，與此相對，平面區域(第1區域)R1為導通狀態。因此，藉由僅依序進行轉印步驟(壓印步驟)、成膜步驟及除去步驟，可於基體表面形成配線或電極等所需之導電圖案部。即，可提高產出量。
對以上述方式獲得之實施例1之透明導電性片材之密接性進行評價。其結果可知，藉由於含有聚醯亞胺之片材與含有紫外線硬化樹脂之奈米構造體之間設置含有矽烷偶合劑之下塗層，可提高兩者之密接性。
再者，雖省略詳細內容，但於使用含有聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或環烯烴共聚物(COC)之片材之情形時，藉由設置含有矽烷偶合劑之下塗層，亦可提高片材與奈米構造體之密接性。又，於使用丙烯酸系之表面處理劑或其之混合劑代替矽烷偶合劑作為表面處理劑之情形時，同樣可獲得密接性提高之效果。
首先，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋矽烷偶合劑，製備表面處理溶液。然後，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域與第2區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表2。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。
以下表示ITO層成膜時之成膜條件。
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：13
平板換算膜厚：36 nm
此處，平板換算膜厚係於與在光學片材表面形成ITO層之情形相
同之成膜條件下，於平板上形成ITO層時之膜厚，與波面頂部之膜厚大致相等。
繼而，於保持真空狀態之情況下，藉由濺鍍法於ITO層上形成Ag層。
以下表示Ag層成膜時之成膜條件。
成膜時真空度：0.11 Pa
氣體種類：Ar氣體
氣體流量：100 sccm
平板換算膜厚：200 nm
繼而，測定以上述方式製作之光學片材之表面電阻。將其結果示於表2。
繼而，將光學片材浸漬於PH=3左右之溶液中20秒。
繼而，藉由純水清洗光學片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。將其結果示於表2。
首先，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋矽烷偶合劑，製備表面處理溶液。然
後，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域與第2區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表3。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。
以下表示ITO層成膜時之成膜條件。
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：13
平板換算膜厚：40 nm
此處，平板換算膜厚係於與在光學片材表面形成ITO層之情形相同之成膜條件下，於平板上形成ITO層時之膜厚，與波面頂部之膜厚大致相等。
繼而，於保持真空狀態之情況下，藉由濺鍍法於ITO層上形成Ag層。
以下表示Ag層成膜時之成膜條件。
成膜時真空度：0.11 Pa
氣體種類：Ar氣體
氣體流量：100 sccm
平板換算膜厚：200 nm
繼而，測定以上述方式製作之光學片材之表面電阻。將其結果示於表3。
繼而，將光學片材浸漬於PH=3左右之溶液中60秒。
繼而，藉由純水清洗光學片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。將其結果示於表3。
繼而，使用光學顯微鏡觀察以上述方式製作之導電性片材之表面。將其結果示於圖35。
表2表示實施例2-1之導電性片材之測定結果。
表3表示實施例2-2之導電性片材之測定結果。
根據表2、表3可知以下內容。
導電性片材表面中，於具有波面之第2區域，除去步驟中將ITO層及Ag層除去而成為絕緣狀態，與此相對，於具有平面之第1區域，除去步驟中未將ITO層及Ag層除去而保留，導通狀態得以維持。
因此，即便於為降低電阻而將膜構成製成多層構造之情形時，亦可確保除去選擇性，可於平面區域保留ITO層及Ag層。即，可容易地製作低電阻之配線。
首先，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋矽烷偶合劑，製備表面處理溶液。然後，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照
射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域與第2區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表4。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。
以下表示ITO層成膜時之成膜條件。
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：13
平板換算膜厚：36 nm
此處，平板換算膜厚係於與在光學片材表面形成ITO層之情形相同之成膜條件下，於平板上形成ITO層時之膜厚，與構造體頂部之膜厚大致相等。
繼而，於保持真空狀態之情況下，藉由濺鍍法於ITO層上形成Ag層。
以下表示Ag層成膜時之成膜條件。
成膜時真空度：0.11 Pa
氣體種類：Ar氣體
氣體流量：100 sccm
平板換算膜厚：200 nm
繼而，測定以上述方式製作之光學片材之表面電阻。將其結果
示於表4。
繼而，將光學片材浸漬於PH=3左右之溶液中20秒。
繼而，藉由純水清洗光學片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。將其結果示於表4。
表4表示實施例2-3之導電性片材之測定結果。
根據表4可知以下內容。
導電性片材表面中，於具有較高之比率(Am/λm=0.76)之第2區域，除去步驟中將ITO層及Ag層除去而成為絕緣狀態。與此相對，於具有較低之比率(Am/λm=0.6)之第1區域，除去步驟中未將ITO層及Ag層除去而保留，導通狀態得以維持。
因此，即便於在第1區域與第2區域兩區域中形成波面之情形時，藉由調整比率(Am/λm)之大小，亦可確保除去選擇性，可於具有較低之比率(Am/λm=0.6)之第1區域保留ITO層及Ag層。即，可容易
地製作低電阻之配線。
首先，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋丙烯酸系之表面處理劑，製備表面處理溶液。繼而，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域與第2區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表5。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。
以下表示ITO層成膜時之成膜條件。
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：13
平板換算膜厚：36 nm
此處，平板換算膜厚係於與在光學片材表面形成ITO層之情形相同之成膜條件下，於平板上形成ITO層時之膜厚，與構造體頂部之膜厚大致相等。
繼而，於保持真空狀態之情況下，藉由濺鍍法於ITO層上形成SiO2層。
以下表示SiO2層成膜時之成膜條件。
成膜時真空度：0.28 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
Ar氣體流量：100 sccm
O2氣體流量：180 sccm
平板換算膜厚：5 nm
繼而，測定以上述方式製作之光學片材之表面電阻。將其結果示於表5。
繼而，將光學片材浸漬於PH=3左右之溶液中60秒。
繼而，藉由純水清洗光學片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。將其結果示於表5。
除省略SiO2層之形成以外，以與實施例3-1相同之方式製作光學片材。又，亦以與實施例3-1相同之方式測定除去步驟前後之光學片材之表面電阻。將其結果示於表6。
表5表示實施例3-1之導電性片材之測定結果。
表6表示比較例3-1之光學片材之測定結果。
根據表5、表6可知以下內容。
於實施例3-1中，導電性片材表面中於具有波面之第2區域，除去步驟中將ITO層及SiO2層除去而成為絕緣狀態，與此相對，於具有平面之第1區域，除去步驟中未將ITO層及SiO2層除去而保留，導通狀態得以維持。
於僅形成有ITO層之比較例3-1中，若經由60秒之除去步驟，則無論波面及平面，均將ITO層除去而成為絕緣狀態。
因此，即便於採用使用作為光阻層之SiO2層代替作為金屬層之
Ag層之多層構造的情形時，亦可確保除去選擇性，可於平面區域保留ITO層及SiO2層。又，藉由於ITO層上積層SiO2層，可提高除去步驟中之ITO層之耐性，飛躍性地提高除去選擇性。
首先，準備於成形面以條紋狀形成有平面區域(第1區域)R1與奈米構造體形成區域(第2區域)R2之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋丙烯酸系之表面處理劑，製備表面處理溶液。繼而，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域與第2區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表7。
繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之成形面上形成ITO層。
以下表示ITO層成膜時之成膜條件。
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：13
平板換算膜厚：36 nm
此處，平板換算膜厚係於與在光學片材表面形成ITO層之情形相同之成膜條件下，於平板上形成ITO層時之膜厚，與構造體頂部之膜厚大致相等。
繼而，於保持真空狀態之情況下，藉由濺鍍法於ITO層上形成SiO2層。
以下表示SiO2層成膜時之成膜條件。
成膜時真空度：0.28 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
Ar氣體流量：100 sccm
O2氣體流量：180 sccm
平板換算膜厚：5 nm
繼而，測定以上述方式製作之光學片材之表面電阻。將其結果示於表7。
繼而，將光學片材浸漬於PH=3左右之溶液中60秒。
繼而，藉由純水清洗光學片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。將其結果示於表7。
除省略SiO2層之形成以外，以與實施例3-2相同之方式製作光學片材。又，亦以與實施例3-2相同之方式測定除去步驟前後之光學片
材之表面電阻。將其結果示於表8。
表7表示實施例3-2之導電性片材之測定結果。
表8表示比較例3-2之光學片材之測定結果。
根據表7、表8可知以下內容。
於實施例3-2中，導電性片材表面中於具有較高之比率(Am/λm=0.64)之第2區域，除去步驟中將ITO層及SiO2層除去而成為絕緣狀態。與此相對，於具有較低之比率(Am/λm=0.52)之第1區域，除去步驟中未將ITO層及SiO2層除去而保留，導通狀態得以維持。
於僅形成ITO層之比較例3-2中，若經由60秒之除去步驟，則無論較高之比率(Am/λm)之大小，均將ITO層除去而成為絕緣狀態。
因此，即便於採用使用作為光阻層之SiO2層代替作為金屬層之Ag層之多層構造的情形時，藉由調整比率(Am/λm)之大小，亦可確保除去選擇性，可於具有較低之比率(Am/λm=0.52)之第1區域保留ITO層及SiO2層。又，藉由於ITO層上積層SiO2層，可提高除去步驟中之ITO層之耐性，飛躍性地提高除去選擇性。
首先，製作於成形面上以條紋狀依序形成具有平面Sp1之第1區域、具有波面Sw2之第2區域及具有波面Sw3之第3區域之輥形母盤。繼而，於輥形母盤之空腔部配置複數個UV光源。
繼而，藉由乙酸丁酯稀釋丙烯酸系之表面處理劑，製備表面處理溶液。繼而，藉由所製備之表面處理溶液對含有聚醯亞胺之片材之表面進行處理，藉此形成下塗層。
繼而，於設置有下塗層之片材之表面塗佈紫外線硬化樹脂。然後，一面使輥形母盤旋轉，一面使其轉印面密接於塗佈有紫外線硬化樹脂之片材上，並且一面自輥形母盤之轉印面側向紫外線硬化樹脂照射功率100 mJ/cm2之紫外線而使其硬化，一面將其剝離。藉此製作轉印有輥形母盤之第1區域、第2區域及第3區域之光學片材(奈米壓印膜)。
繼而，測定所製作之光學片材之轉印面中之波面Sw2及波面Sw3之平均波長λm及振動之平均振幅Am，根據該等測定值求出比率(Am/λm)。將其結果示於表9。
繼而，藉由濺鍍法於光學片材之成形面上形成積層膜。
以下表示積層膜之構成。
TiOx層(第2功能層)/ITO層(密接層)/Ag層(第1功能層)/ITO層(密接層)/TiOx層(第2功能層)/ITO層(導電層)/光學片材成形面以下表示各層之成膜條件。
‧TiOx層(第2功能層)
成膜時真空度：0.28 Pa左右
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
平板換算膜厚：10 nm
‧ITO層(密接層)
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：16
平板換算膜厚：20 nm
‧Ag層(第1功能層)
成膜時真空度：0.11 Pa
氣體種類：Ar氣體
氣體流量：100 sccm
平板換算膜厚：100 nm
‧ITO層(導電層)
極限真空度：0.00015 Pa
成膜時真空度：0.24 Pa
氣體種類：Ar氣體與O2氣體之混合氣體
混合氣體之混合比率(體積比率)：Ar：O2=200：16
平板換算膜厚：40 nm
此處，平板換算膜厚係於與在上述之光學片材表面形成ITO層、TiOx層或Ag層之情形相同之成膜條件下於平板上形成ITO層、TiOx層
或Ag層時之膜厚，與上述之光學片材之波面頂部之膜厚大致相等。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。
繼而，將導電性片材浸漬於PH為3左右之溶液中60秒。
繼而，藉由純水清洗導電性片材。
藉由以上方式製作作為目標之導電性片材。
繼而，測定以上述方式製作之導電性片材之表面電阻。
使用ZrOx層代替TiOx層作為第2功能層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用TaOx層代替TiOx層作為第2功能層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用NbOx層代替TiOx層作為第2功能層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用SiNx層代替TiOx層作為第2功能層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用SiOx層代替TiOx層作為第2功能層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用SnO2層代替ITO層作為密接層，除此以外，以與實施例9相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
使用In2O3層代替ITO層作為密接層，除此以外，以與實施例9相同之方式製作導電性片材，並測定除去步驟前後之表面電阻。
表9-1、表9-2表示實施例4~11之導電性片材之測定結果。
根據上述之評價結果可知以下內容。
導電性片材表面中，由於在具有平面Sp1之第1區域，於除去步驟後全部之層亦得以殘留，故低電阻得以保持。
導電性片材表面中，於具有波面Sw2之第2區域，除去步驟前為不透明且低電阻，但除去步驟後成為透明且高電阻。一般認為，其原因在於：藉由除去步驟而除去Ag層以上之層，最下層之ITO層得以殘
留。
導電性片材表面中，於具有波面Sw3之第3區域，除去步驟前為不透明且低電阻，但除去步驟後成為透明且絕緣狀態。一般認為，其原因在於：藉由除去步驟而除去全部之層。
首先，準備具有平滑之表面之PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)片材。繼而，藉由濺鍍法於PET片材上形成ITO層。將極限真空度設為0.00015 Pa，將成膜時真空度設為0.24 Pa，於成膜時導入Ar氣體與O2氣體，將其混合比率設為Ar：O2=20：1。又，以ITO層之膜厚達到30 nm之方式調整成膜條件。
繼而，對形成有ITO層之PET片材實施150℃、60分鐘之空氣中之退火。藉此，ITO層之多晶化得以促進。繼而，為確認該促進之狀態而藉由X射線繞射(X-ray diffraction：XRD)測定ITO層，結果確認In2O3之波峰。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
首先，製作具有以與參考例1-1相同之方式進行成膜步驟及退火步驟而實施退火處理之ITO層之PET膜。
繼而，將已實施退火處理之PET膜浸漬於PH為3左右之溶液中10秒，對ITO層進行蝕刻。
繼而，對已實施除去處理之PET片材依序進行純水清洗、IPA(異
丙醇)清洗、純水清洗。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
將浸漬時間變更為20秒，除此以外，以與參考例1-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為30秒，除此以外，以與參考例1-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為40秒，除此以外，以與參考例1-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為50秒，除此以外，以與參考例1-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為60秒，除此以外，以與參考例1-2相同之方式獲得光學片材。
首先，準備於成形面形成有凹狀之奈米構造體之石英母模。繼而，於形成有奈米構造體之石英母模上塗佈紫外線硬化樹脂，使附易接著層之PET片材密接並照射紫外線而使其硬化，並且將PET片材剝離。藉此，可獲得於表面形成有較多之奈米構造體之PET片材。
以下表示形成於PET片材表面之奈米構造體之構成之詳細內容。
構造體之排列：六方晶格排列
構造體之凹凸形狀：凸狀
構造體之整體形狀：圓錐台
構造體之配置間距：250 nm
構造體之高度：90 nm
構造體之縱橫比：0.36
繼而，藉由濺鍍法於形成有奈米構造體之PET片材表面上形成ITO層。將極限真空度設為0.00015 Pa，將成膜時真空度設為0.24 Pa，於成膜時導入Ar氣體與O2氣體，將其混合比率設為Ar：O2=20：1。又，以使膜厚以平板換算達到30 nm之方式調整成膜條件。再者，平板換算膜厚係於與在形成有奈米構造體之PET片材表面形成ITO層之情形相同之成膜條件下於平板上形成ITO層時之膜厚。根據本技術者等人之見解，平板換算膜厚與構造體頂部之膜厚大致相等。
繼而，對形成有ITO層之PET片材實施150℃、60分鐘之空氣中之退火。藉此，ITO層之多晶化得以促進。繼而，為確認該促進之狀態而藉由X射線繞射(X-ray diffraction：XRD)測定ITO層，結果確認In2O3之波峰。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
首先，製作具有以與參考例2-1相同之方式進行成膜步驟及退火步驟而實施退火處理之ITO層之PET膜。
繼而，將已實施退火處理之PET膜浸漬於PH為3左右之溶液中10秒，除去ITO層。
繼而，對已實施除去處理之PET片材依序進行純水清洗、IPA清洗、純水清洗。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
將浸漬時間變更為20秒，除此以外，以與參考例2-2相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為120 nm，將縱橫比設為0.48，除此以外，以與參考例2-1相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為120 nm，將縱橫比設為0.48，除此以外，以與參考例2-2相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為120 nm，將縱橫比設為0.48，除此以外，以與參考例2-3相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為155 nm，將縱橫比設為0.62，除此以外，以與參考例2-1相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為155 nm，將縱橫比設為0.62，除此以外，以與參考例2-2相同之方式獲得光學片材。
將構造體之配置間距設為250 nm，將構造體之高度設為155 nm，將縱橫比設為0.62，除此以外，以與參考例2-3相同之方式獲得光學片材。
製作具有除使用以下之稜鏡片(Sumitomo 3M公司製造、商品名：T-BEF)以外，以與參考例3-1相同之方式進行成膜步驟及退火步驟而實施退火處理之ITO層之稜鏡片材。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
以下表示稜鏡片之構成之詳細內容。
稜鏡(構造體)之排列：1維排列
稜鏡之凹凸形狀：凸狀
稜鏡之形狀：剖面為等腰三角形狀之柱狀體
稜鏡之配置間距：10 μm
稜鏡之高度：5 μm
稜鏡之縱橫比：0.50
首先，製作具有以與參考例5-1相同之方式進行成膜步驟及退火步驟而實施退火處理之ITO層之稜鏡片材。
繼而，將已實施退火處理之稜鏡片材浸漬於PH為3左右之溶液中10秒，對ITO層進行蝕刻。
繼而，對已實施蝕刻處理之稜鏡片材依序進行純水清洗、IPA清
洗、純水清洗。
藉由以上方式獲得作為目標之光學片材。
將浸漬時間變更為20秒，除此以外，以與參考例5-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為30秒，除此以外，以與參考例5-2相同之方式獲得光學片材。
將浸漬時間變更為40秒，除此以外，以與參考例5-2相同之方式獲得光學片材。
藉由4端針法測定以上述方式獲得之參考例1-1~5-5之光學片材表面之表面電阻值。將其結果示於表10。
藉由以下之式求出以上述方式獲得之參考例1-1~5-5之光學片材表面之初始變化率的倒數(假想厚度之變化)。將其結果示於表11及圖36。
(初始變化率之倒數)=(除去前之樣品之表面電阻)/(除去後之樣品之表面電阻)
表10表示參考例1-1~5-5之光學片材之表面電阻之評價結果。
表11表示參考例1-1~5-5之光學片材之初始變化率之倒數的評價結果。
根據表10、表11及圖36可知以下內容。
於在平坦面上形成ITO層之參考例1-1~1-7中，ITO層之膜厚幾乎未因除去而產生變化，有表面電阻大致恆定之傾向。與此相對，於在較多之構造體上形成ITO層之參考例2-1~2-3、參考例3-1~3-3、參考例4-1~4-3中，ITO層之膜厚因除去而急劇減少，有表面電阻急劇上升之傾向。
即便於以微米級之配置間距形成較多之構造體之參考例5-1~5-5中，亦表現出與以奈米級之配置間距形成較多之構造體之參考例2-1
~2-3、參考例3-1~3-3、參考例4-1~4-3相同之傾向。
以上已對本技術之實施形態進行具體之說明，但本技術並不限定於上述實施形態，可基於本技術之技術性思想進行各種變形。
例如，上述之實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只不過為例子，亦可視需要而使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，只要不脫離本技術之主旨，則上述之實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等可互相組合。
又，上述之實施形態中，係已說明將本技術應用於在單面或兩面形成有配線之單層之導電性元件之例，但本技術並不限定於該例，亦可應用於多層之導電性元件。
又，上述之實施形態中，以於平面狀之基體表面形成配線之情形為例進行說明，但形成配線之面並不限定於平面，亦可於曲面狀之基體表面形成配線。
再者，本技術亦可採用如以下之構成。
(1)一種導電性元件，其具備基體；設置於上述基體之表面且具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；設置於上述第1波面上之第1層；及形成於上述第2波面上之第2層；且上述形狀層含有能量射線硬化性樹脂組合物，上述第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，上述第2層具有含有上述第1層之一部分之層之單層構造或積層
構造，上述第1層及上述第2層形成導電圖案部，上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係：0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)。
(2)如上述(1)之導電性元件，其中於上述形狀層之表面，具有特定之凹凸圖案之單位區域為不產生凹凸形狀之失配而連續地形成，上述基體相對於用以使上述能量射線硬化性樹脂組合物硬化之能量射線具有不透過性。
(3)如上述(2)之導電性元件，其中上述基體具有帶狀之形狀，上述單位區域為朝向上述基體之長度方向而連續地形成。
(4)如上述(2)之導電性元件，其中上述凹凸形狀之失配為上述特定之凹凸圖案之週期性的混亂。
(5)如上述(2)之導電性元件，其中上述凹凸形狀之失配為鄰接之單位區域間之重疊、間隙、或未轉印部。
(6)如上述(2)之導電性元件，其中上述單位區域間為上述能量射線硬化性樹脂組合物之硬化度不產生失配而連接。
(7)如上述(6)之導電性元件，其中上述能量射線硬化性樹脂組合物
之硬化度之失配為聚合度之差。
(8)如上述(1)至(7)中任一項之導電性元件，其中上述形狀層係藉由使塗佈於上述基體之表面之能量射線硬化性樹脂組合物自與上述基體相反之側起進行硬化反應而形成。
(9)如上述(2)之導電性元件，其中上述單位區域係藉由使旋轉母盤之旋轉面旋轉1周而形成之轉印區域。
(10)如上述(2)之導電性元件，其中上述凹凸圖案係藉由將凸狀或凹狀之複數個構造體1維排列或2維排列而形成。
(11)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為可見光之波長以下：(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
(12)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第1波面之波長λ1、上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為可見光之波長以下：0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
(13)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且
上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為100 μm以下：(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
(14)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第1波面之波長λ1、上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為100 μm以下：0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
(15)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其進而具備形成於上述第3波面上之第3層，上述第3層含有上述第2層之一部分之層，且上述第1層、上述第2層及上述第3層滿足以下之關係：S1>S2>S3(其中，S1：第1層之單位面積，S2：第2層之單位面積，S3：第3層之單位面積)。
(16)如上述(15)之導電性元件，其中上述第1層及上述第2層分別連續地形成於上述第1波面及上述第2波面上，與此相對，上述第3層為於上述第3波面上不連續地形成。
(17)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其進而具備形成於上述第3波面上之第3層，且上述第1層、上述第2層、及上述第3層滿足以下之關係：d1>d2>d3(其中，d1：第1層之平均厚度，d2：第2層之平均厚度，d3：第3
層之平均厚度)。
(18)如上述(1)至(10)中任一項之導電性元件，其中上述第1層具備導電層、形成於該導電層上之第1功能層及形成於該第1功能層上之第2功能層，且上述第2層具備導電層。
(19)如上述(18)之導電性元件，其進而具備形成於上述導電層與上述第1功能層之間之第2功能層。
(20)如上述(18)之導電性元件，其中上述導電層為含有氧化物半導體之透明導電層，且上述氧化物半導體含有銦錫氧化物、或氧化鋅。
(21)如上述(20)之導電性元件，其中上述氧化物半導體為非晶質與多晶之混合狀態。
(22)如上述(18)之導電性元件，其中上述第1功能層及上述第2功能層含有不同之材料。
(23)如上述(22)之導電性元件，其中上述第1功能層及上述第2功能層為金屬層，且上述金屬層含有選自由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti、Cu及Nd所組成之群中之至少1種。
(24)如上述(22)之導電性元件，其中上述第1功能層及第2功能層含有
選自由氧化物及過渡金屬化合物所組成之群中之至少1種。
(25)如上述(24)之導電性元件，其中上述第1功能層及第2功能層至少含有1種混合非晶質與多晶而成之膜、或多晶化之膜。
(26)一種配線元件，其具備如上述(1)至(25)中任一項之導電性元件。
(27)一種資訊輸入裝置，其具備如上述(1)至(25)中任一項之導電性元件。
(28)一種顯示裝置，其具備如上述(1)至(25)中任一項之導電性元件。
(29)一種電子機器，其具備如上述(1)至(25)中任一項之導電性元件。
(30)一種母盤，其係製作如上述(1)至(25)中任一項之導電性元件。
(31)一種母盤，其係製作如上述(26)之配線元件。
(32)一種導電性元件之製造方法，其包括：於基體之表面塗佈能量射線硬化性樹脂組合物；一面使旋轉母盤之旋轉面對於塗佈於上述基體之表面之能量射線硬化性樹脂組合物旋轉密接，一面使自設置於上述旋轉母盤內之能量射線源放射之能量射線介隔上述旋轉面進行照射，使上述能量射線硬化性樹脂組合物硬化，藉此於上述基體之表面形成具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；於上述第1波面、第2波面及第3波面上形成積層膜；及
將上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面中、形成於上述第3波面上之積層膜除去，與此相對，保留形成於上述第1波面上之積層膜作為第1層，並且保留形成於上述第2波面上之積層膜之一部分之層作為第2層，藉此形成導電圖案部；且上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係：0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8
(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)。
1‧‧‧導電性元件
2‧‧‧基體
31、32、33‧‧‧構造體
41‧‧‧第1層
42‧‧‧第2層
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R3‧‧‧第3區域
Sp1‧‧‧平面
Sw2、Sw3‧‧‧波面
Claims (20)
- 一種導電性元件，其具備：基體；設置於上述基體之表面且具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；設置於上述第1波面上之第1層；及形成於上述第2波面上之第2層；且上述形狀層含有能量射線硬化性樹脂組合物，上述第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，上述第2層具有含有上述第1層之一部分之層之單層構造或積層構造，上述第1層及上述第2層形成導電圖案部，上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係：0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)。
- 如請求項1之導電性元件，其中於上述形狀層之表面，具有特定之凹凸圖案之單位區域為不產生凹凸形狀之失配而連續地形成，且上述基體相對於用以使上述能量射線硬化性樹脂組合物硬化之能量射線具有不透過性。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述基體具有帶狀之形狀，且上述單位區域為朝向上述基體之長度方向而連續地形成。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述凹凸形狀之失配為上述特定之凹凸圖案之週期性的混亂。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述凹凸形狀之失配為鄰接之單位區域間之重疊、間隙、或未轉印部。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述單位區域間為上述能量射線硬化性樹脂組合物之硬化度不產生失配而連接。
- 如請求項6之導電性元件，其中上述能量射線硬化性樹脂組合物之硬化度之失配為聚合度之差。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述形狀層係藉由使塗佈於上述基體之表面之能量射線硬化性樹脂組合物自與上述基體相反之側進行硬化反應而形成。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述單位區域係藉由使旋轉母盤之旋轉面旋轉1周而形成之轉印區域。
- 如請求項2之導電性元件，其中上述凹凸圖案係藉由將凸狀或凹狀之複數個構造體1維排列或2維排列而形成。
- 如請求項1之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為可見光之波長以下：(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
- 如請求項1之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第1波面之波長λ1、上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為可見光之波長以下： 0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
- 如請求項1之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為100 μm以下：(Am1/λm1)=0、0<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
- 如請求項1之導電性元件，其中上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係，且上述第1波面之波長λ1、上述第2波面之波長λ2及上述第3波面之波長λ3為100 μm以下：0<(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8。
- 如請求項1之導電性元件，其進而具備形成於上述第3波面上之第3層，上述第3層含有上述第2層之一部分之層，且上述第1層、上述第2層及上述第3層滿足以下之關係：S1>S2>S3(其中，S1：第1層之單位面積，S2：第2層之單位面積，S3：第3層之單位面積)。
- 如請求項15之導電性元件，其中上述第1層及上述第2層分別連續地形成於上述第1波面及上述第2波面上，與此相對，上述第3層為於上述第3波面上不連續地形成。
- 如請求項1之導電性元件，其進而具備形成於上述第3波面上之第3層，且上述第1層、上述第2層、及上述第3層滿足以下之關係：d1>d2>d3(其中，d1：第1層之平均厚度，d2：第2層之平均厚度，d3： 第3層之平均厚度)。
- 一種配線元件，其具備：基體；設置於上述基體之表面且具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；設置於上述第1波面上之第1層；及形成於上述第2波面上之第2層；且上述形狀層含有能量射線硬化性樹脂組合物，上述第1層具有積層有2層以上之層之積層構造，上述第2層具有含有上述第1層之一部分之層之單層構造或積層構造，上述第1層及上述第2層形成導電圖案部，上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係：0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)。
- 一種導電性元件之製造方法，其包括：於基體之表面塗佈能量射線硬化性樹脂組合物；一面使旋轉母盤之旋轉面對於塗佈於上述基體之表面之能量射線硬化性樹脂組合物旋轉密接，一面使自設置於上述旋轉母盤內之能量射線源放射之能量射線介隔上述旋轉面進行照射，使上述能量射線硬化性樹脂組合物硬化，藉此於上述基體之表面形成具有第1波面、第2波面及第3波面之形狀層；於上述第1波面、第2波面及第3波面上形成積層膜；及 將上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面中、形成於上述第3波面上之積層膜除去，與此相對，保留形成於上述第1波面上之積層膜作為第1層，並且保留形成於上述第2波面上之積層膜之一部分之層作為第2層，藉此形成導電圖案部；且上述第1波面、上述第2波面及上述第3波面滿足以下之關係：0≦(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≦1.8(其中，Am1：第1波面之振動之平均振幅，Am2：第2波面之振動之平均振幅，Am3：第3波面之振動之平均振幅，λm1：第1波面之平均波長，λm2：第2波面之平均波長，λm3：第3波面之平均波長)。
- 一種母盤，其係用以製作如請求項1至18項中任一項之導電性元件、或配線元件。
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