JP5640854B2 - 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤 - Google Patents

Description

本技術は、導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤に関する。詳しくは、基体表面に導電パターン部が形成された導電性素子に関する。

従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「除去」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。

そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスに対する応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。

しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。

特開２００９−２６６０２５号広報

特開２００５−１４９８０７号広報

したがって、本技術の目的は、優れたスループットを実現できる導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、
第１の波面上に設けられた第１の層と、
第２の波面上に形成された第２の層と
を備え、
第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
第２の層は、第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
第１の層および第２の層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面、第２の波面および第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

第２の技術は、
第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
第１の波面、第２の波面および第３の波面のうち、第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
第１の波面、第２の波面および第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

本技術では、基体の第１の波面、第２の波面および第３の波面に形成した積層膜の状態の違いを利用して、第１の波面、第２の波面および第３の波面のうち、第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成することができる。

以上説明したように、本技術によれば、精細かつ高スループットの導電性素子を実現できる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、第１の領域、第２の領域および第３の領域の配置順序の変形例を示す断面図である。 図２Ａは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｂは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｃは、図１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図３Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。 図４Ａは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図４Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。 図５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。 図６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。 図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。 図８Ａ〜図８Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図９Ａ〜図９Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１２Ａは、図１１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｃは、図１１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図１３Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。 図１４Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図１４Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。 図１５Ａは、本技術の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１６Ａは、図１５Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｂは、図１５Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｃは、図１５Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。 図１７Ａは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の断面図である。図１７Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の断面図である。図１７Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第３の領域の断面図である。 図１８Ａは、本技術の第６の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１８Ｂは、第１の導電性素子の表面を拡大して示す斜視図である。 図１９Ａは、第１の導電性素子および第２の導電性素子の表面構造の第１の例を示す断面図である。図１９Ｂは、第１の導電性素子および第２の導電性素子の表面構造の第２の例を示す断面図である。 図２０は、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。 図２１Ａは、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。図２１Ｂは、第１の導電性素子の一構成例を示す分解斜視図である。 図２２は、図２１Ａに示した領域Ｒを拡大して表す平面図である。 図２３Ａは、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。図２３Ｂは、第１の導電性素子の一構成例を示す分解斜視図である。 図２４Ａは、本技術の第８の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示したアンテナコイルが形成された領域を拡大して表す平面図である。図２４Ｃは、図２４Ａに示した配線が形成された領域を拡大して表す平面図である。 図２５Ａは、本技術の第９の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図２５Ｃは、図２５Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。 図２６Ａは、参考例１に係る透明導電性シートの作製に用いた石英マスタの成形面を示す模式図である。図２６Ｂは、参考例１に係る透明導電性シートの導通／非導通評価ポイントを示す模式図である。 図２７は、除去時間と初期変化率の逆数（仮想厚さ変化）との関係を示すグラフである。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（平面および２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
２．第２の実施形態（３種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
３．第３の実施形態（導電パターン部を基体の両面に形成した例）
４．第４の実施形態（構造体を凹状とした例）
５．第５の実施形態（第１の層と第２の層とを他の構成とした例）
６．第６の実施形態（表示装置に対する適用例）
７．第７の実施形態（情報入力装置に対する適用例）
８．第８の実施形態（ＩＣカードに対する適用例）
９．第９の実施形態（表示装置に対する適用例）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２Ａは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｂは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図２Ｃは、図１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。以下では、導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第１の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃を有する基体２と、第１の領域Ｒ₁に形成された第１の層４₁と、第２の領域Ｒ₂に形成された第２の層４₂とを備える。第１の層４₁は、導電パターン部をなすように第１の領域Ｒ₁に連続的に形成されている。第２の層４₂は、導電パターン部をなすように第２の領域Ｒ₂に連続的に形成されている。第１の層４₁と第２の層４₂とで別々の導電パターン部を形成してもよく、第１の層４₁と第２の層４₂とで１つの導電パターン部を形成してもよい。

導電パターン部は、例えば、配線パターン部、電極パターン部などである。第１の層４₁は、２以上の層が積層された積層構造を有し、少なくとも導電性を有する層を含んでいることが好ましい。第２の層４₂は、第１の層４₁の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、少なくとも導電性を有する層を含んでいることが好ましい。ここで、第１の層４₁の一部の層とは、積層構造を有する第１の層の最上層から１層以上の層を除去した層、または、積層構造を有する第１の層の最上層から１層以上の層を島状などに不連続にし、残りの層を連続的とした層を意味する。

この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などである。

図１Ｂでは、第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃がこの順序で設けられているが、この順序は一例であり、これらの領域の順序は回路や素子の設計などに応じて所望の順序とすることが可能である。例えば、図１Ｃに示すように、第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂との間に第３の領域Ｒ₃を設け、第１の層４₁および第２の層４₂を別々の導電パターン部として機能させるようにしてもよい。すなわち、第１の領域Ｒ₁上に形成された第１の層４₁を第１の導電パターン部として機能させ、第２の領域Ｒ₂上に形成された第２の層４₂を第２の導電パターン部として機能させるようにしてもよい。

（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ₁の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４₁が連続的に形成されている。第２の領域Ｒ₂の基体表面には、例えば波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第３の領域Ｒ₂は、２つの第１の層４₁の間、２つの第２の層４₂の間、または第１の層４₁と第２の層４₂との間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ₁に連続的に形成された第１の層４₁は、第１の領域Ｒ₁の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。また、第２の領域Ｒ₂に連続的に形成された第２の層４₂も、第２の領域Ｒ₂の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。

平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、Ａｍ３：波面Ｓｗ３の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長、λｍ３：波面Ｓｗ３の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ３／λｍ３）＞１．８であると、波面Ｓｗ３を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗが破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２および振動の平均幅Ａｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。
また、波面Ｓｗ３の平均波長λｍ３、振動の平均幅Ａｍ３および比率（Ａｍ３／λｍ３）も、上述の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２および比率（Ａｍ２／λｍ２）と同様にして求めたものである。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３は、例えば、１次元的または２次元的な波面である。波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の両方を１次元的または２次元的な波面とすることも可能であるが、これに限られず、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうちの一方を１次元的な波面とし、他方を２次元的な波面とするようにしてもよい。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の波長λ２および波面Ｓｗ３の波長λ３は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。波長λ２および波長λ３が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の作製が困難となる傾向がある。一方、波長λ２および波長λ３が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる傾向がある。

波長λ２および波長λ３は、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、波長λ２および波長λ３は、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。波長λ２および波長λ３が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の作製が困難となる傾向がある。一方、波長λ２および波長λ３が３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を共にナノオーダーまたはミクロンオーダーの波面とすることも可能であるが、これに限られず、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうちの一方をナノオーダーの波長を有する波面とし、他方をミクロンオーダーの波長を有する波面とするようにしてもよい。

第３の領域Ｒ₃には第１の層４₁または第２の層４₂の一部の層（以下第３の層と称する。）が残留層として完全に存在しないことが好ましいが、第３の層が導電パターン部を形成せず、第３の領域Ｒ₃が絶縁領域として機能する程度であれば残留層として存在していてもよい。
第３の層が残留層として存在する場合には、第１の層４₁、第２の層４₂および第３の層が、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
（但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位
面積）
このような関係を満たす場合、具体的には、第１の領域Ｒ₁には第１の層４₁が連続的に形成されているとともに、第２の領域Ｒ₂には第２の層４₂が連続的に形成されているのに対して、第３の領域Ｒ３には第３の層が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。

また、第３の層が残留層として存在する場合には、第１の層４₁、第２の層４₂および第３の層が、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
（但し、ｄ１：第１の層４₁の平均厚さ、ｄ２：第２の層４₂の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
このような関係を満たす場合、具体的には、第３の層の平均厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の層４₁および第２の層４₂の平均厚さよりも薄く、第３の領域Ｒ₃が絶縁領域として機能することが好ましい。

なお、上述したように、第３の層は導電パターン部としては機能しないため、図１Ｂ、図１Ｃおよび図２Ｃでは、第３の層の図示を省略している。また、図１Ａでは、第１の領域Ｒ_1、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₂が直線状の形状を有している例が示されているが、第１の領域Ｒ_1、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₂の形状はこれに限定されるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。

（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体および共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理などを行うようにしてもよい。

基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、または溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルム状にはシート状が含まれるものと定義する。

（構造体）
波面Ｓｗ２は、例えば多数の構造体３₂が第２の領域Ｒ₂に配列された凹凸面である。波面Ｓｗ３は、例えば多数の構造体３₃が第３の領域Ｒ₃に凹凸面である。構造体３₂および構造体３₃は、例えば、基体１の表面に対して凸状を有している。構造体３₂および構造体３₃は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３₂および構造体３₃と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３₂および構造体３₃と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３₂および構造体３₃の底面側に構造体３₂および構造体３₃と一体成形された層であり、構造体３₂および構造体３₃と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。

構造体３₂および構造体３₃のアスペクト比が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＜（Ｈｍ３／Ｐｍ３）≦１．８
（但し、Ｈｍ２：構造体３₂の平均高さ、Ｈｍ３：構造体３₃の平均高さ、Ｐｍ２：構造体３₂の平均配置ピッチ、Ｐｍ３：構造体３₃の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ３／Ｐｍ３）＞１．８であると、構造体３₃を転写する際に剥離不良となり構造体３₃が破壊される傾向がある。

ここで、構造体３₂の平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、構造体３₂の高さが最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３₂の配置ピッチＰ２、および高さＨ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、構造体３₂の平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２を求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ２および平均高さＨｍ２を用いて、構造体３₂のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）を求める。
また、構造体３₃の平均配置ピッチＰｍ３、平均高さＨｍ３およびアスペクト比（Ｈｍ３／Ｐｍ３）も、上述の構造体３₃の平均配置ピッチＰｍ２、平均高さＨｍ２およびアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）と同様にして求めたものである。

構造体３₂および構造体３₃の配列としては、例えば、１次元配列または２次元配列を用いることができる。構造体３₂および構造体３₃を共に１次元配列または２次元配列とすることも可能であるが、これに限定されず、構造体３₂および構造体３₃のうちの一方を１次元配列とし、他方を２次元配列とするようにしてもよい。

構造体３₂および構造体３₃の配列としては、例えば、規則的または不規則的な配列を用いることができ、原盤の作製方法などに応じて上記配列のうちから適切な配列を選択することが好ましい。構造体３₂および構造体３₃を共に規則的または不規則的な配列とすることも可能であるが、これに限定されず、構造体３₂および構造体３₃のうちの一方を規則的配列とし、他方を不規則的配列とするようにしてもよい。

構造体３₂の配置ピッチＰ２および構造体３₃の配置ピッチＰ３は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、構造体３₂および構造体３₃の作製が困難となる傾向がある。配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる傾向がある。

配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３は、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３は、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が１００ｎｍ未満であると、構造体３₂および構造体３₃の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチＰ２および配置ピッチＰ３が３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

構造体３₂および構造体３₃を共にナノオーダーまたはミクロンオーダーの配置ピッチで配列することも可能であるが、これに限られず、構造体３₂および構造体３₃をのうちの一方をナノオーダーの配置ピッチで配列し、他方をミクロンオーダーの配置ピッチで配列するようにしてもよい。

以下に、図３Ａ〜図４Ｂを参照しながら、複数の構造体３₂が１次元配列または２次元配列された第２の領域Ｒ₂について具体的に説明する。なお、複数の構造体３₃が１次元配列または２次元配列された第３の領域Ｒ₃は、構造体３₃のアスペクト比が構造体３₂のアスペクト比と異なる以外の点では、第２の領域Ｒ₂と同様であるので、第３の領域Ｒ₃についての具体的説明は省略する。

図３Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３₂が、例えば、第２の領域Ｒ₂において複数列のトラックＴ上に２次元配列されて、２次元的な波面Ｓｗ２が形成されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。複数例のトラックＴ上に配列された複数の構造体３₂が、例えば、所定の規則的な配置パターンをなるようにしてもよい。規則的な配置パターンとしては、例えば、四方格子状、六方格子状などの格子状パターンが挙げられ、これらの格子状パターンを歪ませるようにしてもよい。構造体３₂の高さが基体１の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。また、構造体３₂をランダムに配列するようにしてもよい。

構造体３₂は、基体２の表面に対して傾斜した斜面を有することが好ましい。このような構造体３₂の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図７参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３₂の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。

図４Ａは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す斜視図である。図４Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３₂が、例えば、第２の領域Ｒ₂において複数列のトラックＴ上に、これらのトラックＴに沿うようにして１次元配列されて、１次元的な波面Ｓｗ２が形成されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。

構造体３₂は、例えば、一方向に向かって延在された柱状体であり、その断面形状は、例えば三角形状、頂部に曲率Ｒが付された三角形状、多角形状、半円形状、半楕円形状、放物線状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３₂の具体的形状としては、例えば、レンチキュラー形状、プリズム形状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３₂の高さが、トラック方向に向かって変化するようにしてもよい。また、構造体３₂が、トラック方向に断続するようにしてもよい。

（第１の層、第２の層）
図２Ａに示すように、第１の層４₁は、例えば、第１の領域Ｒ₁上に形成された導電層４ａ、導電層４ａ上に形成された第１の機能層４ｂと、第１の機能層４ｂ上に形成された第２の機能層４ｃとを備える。第１の層４₁を構成する各層の間に、必要に応じて密着層を設けるようにしてもよい。

図２Ｂに示すように、第２の層４₂は、例えば導電層４ａを備える。第２の層４₂が２層以上の層を有する場合には、第２の層４₂を構成する各層の間に、必要に応じて密着層を設けるようにしてもよい。

第２の層４₂は、第２の領域Ｒ₂において波面Ｓｗ２による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ２の表面形状に倣って形成され、波面Ｓｗ２と第２の層４₂との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。第２の層４₂の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。また、第３の領域Ｒ₃に第３の層が残留層として存在している場合には、第３の層は、第３の領域Ｒ₃において波面Ｓｗ３による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ３の表面形状に倣って形成され、波面Ｓｗ３と第３の層との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。

導電層４ａとしては、例えば、金属層、透明導電層、金属酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これらの層に限定されるものではない。第１の機能層４ｂの材料としては、少なくとも導電層４ａおよび第２の機能層４ｃとは異なる材料が好ましく、除去工程時にて導電層４ａおよび第２の機能層４ｃと溶解レート差が生じる材料がより好ましい。第２の機能層４ｃの材料としては、少なくとも導電層４ａおよび第１の機能層４ｂとは異なる材料が好ましく、除去工程時にて導電層４ａおよび第１の機能層４ｂと溶解レート差が生じる材料がより好ましい。

透明導電層としては、例えば、無機透明導電層を用いることができる。無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電層を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。金属層の材料としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第１の機能層４ｂは、少なくとも導電層４ａとは溶液に対する溶解度が異なっていることが好ましい。第１の機能層４ｂの材料としては、導電層４ａとは異なる材料を用いることが好ましい。具体的には、第１の機能層４ｂの材料としては、金属を用いることが好ましく、金属としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第１の機能層４ｂの材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができる。具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、例えば、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。遷移金属化合物としては、例えば、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣｒなる群より選ばれる少なくとも1種以上の化合物を用いることができる。上述の材料を２種以上含む混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｓｎ₂Ｏ₃−Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂などが挙げられる。

第１の機能層４ｂは、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。

第２の機能層４ｃは、導電層４ａおよび第１の機能層４ｂを保護するための層である。第２の機能層４ｃは、少なくとも導電層４ａまたは第１の機能層４ｂとは溶液に対する溶解度が異なっていることが好ましい。第２の機能層４ｃの材料としては、導電層４ａおよび第１の機能層４ｂとは異なる材料、または第１の機能層４ｂとは異なる材料を用いることが好ましい。具体的には、第２の機能層４ｃの材料としては、金属材料を用いることが好ましく、金属材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第２の機能層４ｃの材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができる。具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、例えば、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。遷移金属化合物としては、例えば、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣｒなる群より選ばれる少なくとも1種以上の化合物を用いることができる。上述の材料を２種以上含む混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｓｎ₂Ｏ₃−Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂などが挙げられる。

第２の機能層４ｃはアモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましいがこれらに限定されるものではない。

密着層は、各層の間の密着性を向上させるための層である。密着層としては、例えば、 金属層、酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これに限定されるものではない。

第１の領域Ｒ₁における積層膜４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。

［ロール原盤の構成］
図５Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図５Ｂは、図５Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ_1、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃が設定されている。ロール原盤１１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。なお、図５Ａおよび図５Ｂに示した第１の領域Ｒ_1、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の形状および配置順序は一例であって、これに限定されるものではなく、所望とする導電パターン部の形状に応じて適宜選択される。

図６Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図６Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。なお、第３の領域Ｒ₃は、第３の領域Ｒ₃の波面Ｓｗ３の比率（Ａｍ／λｍ）（Ａｍ：波面の振動の平均幅、λｍ：波面の平均波長）が第２の領域の波面Ｓｗ２に比して大きい以外の点では、第２の領域Ｒ₂と同様であるので、図示を省略する。

ロール原盤１１の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ₁に形成された平面Ｓｐ１は、基体２の第１の領域Ｒ₁に平面Ｓｐ１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ₂に形成された波面Ｓｗ２は、基体２の第２の領域Ｒ₂に波面Ｓｗ２を形成するためのものである。ロール原盤１１の第３の領域Ｒ₃に形成された波面Ｓｗ３は、基体２の第３の領域Ｒ₃に波面Ｓｗ３を形成するためのものである。具体的には、ロール原盤１１の波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３はそれぞれ、上述の基体２の表面の波面Ｓｗ２およびＳｗ３の凹凸形状を反転した形状を有している。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２₂および構造体１２₃はそれぞれ、上述の基体２の表面の構造体３₂および構造体３₃の凹凸形状を反転した形状を有している。

［露光装置の構成］
図７は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図７を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。

レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、例えば、所定の１次元パターンまたは２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、四方格子または六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを記録することができる。

［導電性素子の製造方法］
以下、図８Ａ〜図１０Ｃを参照しながら、本技術の第１の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。なお、この製造方法において転写工程以降の一部または全部のプロセスは、生産性を考慮して、ロール・ツー・ロールにより行うことが好ましい。

（レジスト成膜工程）
まず、図８Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図８Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図８Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃には潜像を形成し露光部とするのに対して、第１の領域Ｒ₁には潜像を形成せず非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、所定の１次元パターンまたは２次元パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に延びる細長い矩形状、またはトラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状などである。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図９Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃のレジスト層１３には、複数の開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ₁のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ₁全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。開口パターンとしては、１次元パターンおよび２次元パターンのいずれかを用いてもよく、それらを組合せて用いてもよい。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、図９Ｂに示すように、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃では、開口部を介してエッチングが進行し、凹状の構造体１２₂および構造体１２₃が形成される。これらの構造体１２₂および構造体１２₃は、例えば、トラックの延在方向に延びる柱状形状、またはトラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などを有する。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ₁では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。以上により、ロール原盤１１が得られる。

（転写工程）
次に、例えば、図９Ｃに示すように、ロール原盤１１と転写材料１６を塗布したフィルムなどの基体２を密着させ、紫外線などのエネルギー線を照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった基体２を剥離する。これにより、図１０Ａに示すように、平面Ｓｐ１が形成された第１の領域Ｒ₁と、波面Ｓｗ１が形成された第２の領域Ｒ₂と、波面Ｓｗ３が形成された第３の領域Ｒ₂とを有する基体２が得られる。

転写材料１６としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物である。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂などの他の硬化性樹脂と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタおよびヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（積層膜の成膜工程）
次に、図１０Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃に導電層、第１の機能層および第２の機能層をこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。積層膜４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、基体２を加熱しながら、積層膜４を形成するようにしてもよい。

（アニール工程）
次に、必要に応じて、積層膜４に対してアニール処理を施す。これにより、積層膜４または積層膜４に含まれる無機透明導電層などの層が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（積層膜の除去工程）
次に、図１０Ｃに示すように、積層膜４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第３の領域Ｒ₃では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では積層膜４が第１の層４₁として残留するとともに、第２の領域Ｒ₂では積層膜４の一部の層が第２の層４₂として残留する。具体的には例えば、第３の領域Ｒ₁では導電層、第１の機能層および第２の機能層が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では導電層、第１の機能層および第２の機能層が第１の層４₁として残留するとともに、第２の領域Ｒ₂では導電層が第２の層４₂として残留する。したがって、第１の領域Ｒ₁に形成された第１の層４₁と、第２の領域Ｒ₂に形成された第２の層４₂とは導電パターン部として機能するのに対して、第３の領域Ｒ₃は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。除去工程としては、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いることができる。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上を用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。

ここで、除去とは、（１）第３の領域Ｒ₃から積層膜４を完全になくすこと、（２）第３の領域Ｒ₃にて導電性を示さない程度まで積層膜４を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第３の領域Ｒ₃にて導電性を示さない程度の薄さまで積層膜４を薄くすることを意味する。

具体的には、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３１上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３１上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去してその厚さを平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

（洗浄工程）
次に、必要に応じて、除去処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。

第１の実施形態では、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜４を形成する。そして、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３に形成した積層膜の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の波面のうち、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を第１の層４₁として残すとともに、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の一部の層を第２の層４₂として残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子を実現できる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１１Ａは、本技術の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１２Ａは、図１１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｃは、図１１Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域に波面Ｓｗ１を有する点において、第１の実施形態とは異なっている。

（第１の領域）
第１の領域Ｒ₁の基体表面には波面Ｓｗ１が形成され、この波面Ｓｗ１上には第１の層４₁が連続的に形成されている。波面Ｓｗ１は、波面Ｓｗ２に比して小さい比率（Ａｍ／λｍ）（λｍ：波面の平均波長、Ａｍ：波面の振動の平均幅）を有している点以外は、波面Ｓｗ２と同様である。具体的には、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、Ａｍ３：波面Ｓｗ３の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長、λｍ３：波面Ｓｗ３の平均波長）
比率（Ａｍ３／λｍ３）＞１．８であると、波面Ｓｗ３を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗが破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２およびＳｗ３と同様にして測定したものである。

波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。

（構造体）
波面Ｓｗ１は、例えば多数の構造体３₁が第１の領域Ｒ₁に配列された凹凸面である。構造体３₁は、構造体３₂に比して小さい比率（Ｈｍ／Ｐｍ）（λｍ：構造体の平均配置ピッチ、Ａｍ：構造体の平均高さ）を有している点以外は、構造体３₂と同様である。具体的には、構造体３₁、構造体３₂および構造体３₃が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＜（Ｈｍ３／Ｐｍ３）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：構造体３₁の平均高さ、Ｈｍ２：構造体３₂の平均高さ、Ｈｍ３：構造体３₃の平均高さ、Ｐｍ１：構造体３₁の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：構造体３₂の平均配置ピッチ、Ｐｍ３：構造体３₃の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ３／Ｐｍ３）＞１．８であると、構造体３₃を転写する際に剥離不良となり構造体３₂が破壊される傾向がある。

ここで、構造体３₁の平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１および比率（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、第１の実施形態における構造体３₂および構造体３₃と同様にして測定したものである。

（第１の層）
第１の層４₁は、第１の領域Ｒ₁において構造体３₁による反射防止効果を阻害しないように、波面Ｓｗ１の形状に倣って形成され、波面Ｓｗ１と第１の層４₁の表面形状とがほぼ相似形状であることが好ましい。第１の層４₁の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。

［ロール原盤の構成］
図１３Ａは、基体２を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ₁に波面Ｓｗ１を有する点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤１１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第１の構造体１２₁を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の波面Ｓｗ１は、基体２の波面Ｓｗ１の凹凸を反転した形状を有している。

［導電性素子の製造方法］
第２の実施形態に係る導電性素子の製造方法は、波面Ｓｗ１と、波面Ｓｗ２と、波面Ｓｗ３との違い（例えば比率（Ａｍ／λｍ）の違い）を利用して、第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂と第３の領域Ｒ₃とに成膜された積層膜４の除去速度を変化させて、導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。

第２の実施形態における積層膜の除去工程では、積層膜４が形成された基体表面に対して除去処理を施すことにより、第３の領域Ｒ₃では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂では積層膜４が残留する。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

具体的には、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３１上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３１上に形成された積層膜４の状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ３上に形成された積層膜４を除去してその厚さを波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３のうち波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

第２の実施形態では、第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の全ての領域にそれぞれ波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２およびＳｗ３を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、導電パターン部として機能する第１の層４₁および第２の層４₂はそれぞれ、波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。

変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を基体表面に形成し、その基体表面上に積層膜４を形成することで、基体表面に形成した波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いに応じて、積層膜４の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いに応じて、除去溶液に対する積層膜４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。

基体表面の波面Ｓｗ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３をそれぞれ、ナノ構造体３₁、ナノ構造体３₂、ナノ構造体３₃により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。

＜３．第３の実施形態＞
図１４Ａは、本技術の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第３の実施形態に係る導電性素子１は、基体２の両主面に平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を形成し、基体両面に導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。図１４Ａでは、基体両主面における平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３の位置、面積、形状および配置順序などが同一となっているが、基体両主面における平面Ｓｐ１、波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ２の位置、面積、形状および配置順序などはこの例に限られるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の位置、面積、形状および配置順序などに設定することができる。

また、図１４Ｂに示すように、基体２の平面Ｓｐ１にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。スルーホールを形成するのは平面Ｓｐ１に限られるものではなく、波面Ｓｗ２に設けるようにしてもよい。基体２の両主面に対向して平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２が設けられている場合には、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２をスルーホールにより貫通し、基体２の両面に形成された導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。

第３の実施形態では、基体２の両面に導電パターン部を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路などを導電性素子１に搭載することが可能となる。

＜４．第４の実施形態＞
図１５Ａは、本技術の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１６Ａは、図１５Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｂは、図１５Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１６Ｃは、図１５Ｂに示した第３の領域の一部を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係る導電性素子１は、構造体３₁および構造体３₂が基体１の表面に対して凸状を有している点において、第１の実施形態のものとは異なっている。また、構造体３₁および構造体３₂のうち、一方を凹状のものとし、他方を凸状のものとすることも可能である。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂に、凹状と凸状の構造体３₁および構造体３₂が混在しているようにしてもよい。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

この第４の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜５．第５の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１７Ａは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の断面図である。図１７Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の断面図である。図１７Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る導電性素子の第３の領域の断面図である。
第５の実施形態に係る導電性素子は、第１の層４₁および第２の層４₂が以下の構成を有する点以外では、第１の実施形態のものと同様である。すなわち、第１の層４₁は、導電層４ａと第１の機能層４ｂとの間に第２の機能層４ｄとをさらに備えている。第２の層４₂は、導電層４ａ上に第２の機能層４ｄをさらに備えている。

第２の機能層４ｄは、少なくとも導電層４ａまたは第１の機能層４ｂとは溶液に対する溶解度が異なっていることが好ましい。第２の機能層４ｄの材料としては、導電層４ａおよび第１の機能層４ｂとは異なる材料、または第１の機能層４ｂとは異なる材料を用いることが好ましい。具体的には、第２の機能層４ｄの材料としては、金属を用いることが好ましく、金属としては、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

第２の機能層４ｄの材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができる。具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、例えば、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。遷移金属化合物としては、例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｂおよびＣｒなる群より選ばれる少なくとも1種以上の化合物を用いることができる。上述の材料を２種以上含む混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｓｎ₂Ｏ₃−Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂などが挙げられる。

第２の機能層４ｄはアモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましいがこれらに限定されるものではない。

［導電性素子の製造方法］
第５の実施形態に係る導電性素子の製造方法は、積層膜の成膜工程および積層膜の除去工程以外の点においては、第１の実施形態と同様である。したがって、以下では、積層膜の成膜工程および積層膜の除去工程のみを説明する。

（積層膜の成膜工程）
基体表面の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃に導電層４ａ、第２の機能層４ｄ、第１の機能層４ｂおよび第２の機能層４ｃをこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。

（積層膜の除去工程）
積層膜４が形成された基体表面に対して、除去処理を施す。これにより、第３の領域Ｒ₃では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では積層膜４が第１の層４₁として残留するとともに、第２の領域Ｒ₂では積層膜４の一部の層が第２の層４₂として残留する。具体的には例えば、第３の領域Ｒ₁では導電層４ａ、第２の機能層４ｄ、第１の機能層４ｂおよび第２の機能層４ｃが除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では導電層４ａ、第２の機能層４ｄ、第１の機能層４ｂおよび第２の機能層４ｃが第１の層４₁として残留するとともに、第２の領域Ｒ₂では導電層４ａおよび第２の機能層４ｄが第２の層４₂として残留する。したがって、第１の領域Ｒ₁に形成された第１の層４₁と、第２の領域Ｒ₂に形成された第２の層４₂とは導電パターン部として機能するのに対して、第３の領域Ｒ₃は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。

＜６．第６の実施形態＞
図１８Ａは、本技術の第６の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１８Ａに示すように、液晶表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の導電性素子１０１および第２の導電性素子１０２と、第１の導電性素子１０１および第２の導電性素子１０２の間に配置された液晶層（図示省略）とを備える。

図１８Ａに示すように、第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、直線状の第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃が交互に繰り返し設定されている。第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂の第１の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第１の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）がストライプ状に形成されている。

図１８Ａに示すように、第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、直線状の第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃が交互に繰り返し設定されている。第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂の第２の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第２の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）がストライプ状に形成されている。

第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂と、第２の基体２₂の第２の領域Ｒ₂とは、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基体２₁の第２の層（横電極）４₂と、第２の基体２₂の第２の層（縦電極）４₂とは、互いに直交する関係にある。

図１８Ｂは、第１の導電性素子の表面を拡大して示す斜視図である。図１８Ｂに示すように、第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂の一端には、第１の領域Ｒ₁が設定されている。この第１の領域Ｒ₁は、例えば線状などの細長い形状を有し、その一端が第２の領域Ｒ₂の一端に結合され、他端は第１の基体２₁の周縁部に設けられた端子部形成領域などに結合されている。第１の領域Ｒ₁の両端以外の周縁部分には第３の領域Ｒ₃が設定されている。第１の領域Ｒ₁の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第１の領域Ｒ₁の第１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４₁が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第１の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、横電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、端子形成領域まで延在されている。この端子形成領域に形成される端子を介して、駆動回路に配線である第１の層４₁が電気的に接続される。

また、図１９Ｂに示すように、第１の領域Ｒ₁にも波面Ｓｗ１を形成し、この波面Ｓｗ１上に第１の層４₁を連続的に形成するようにしてもよい。

第２の基体２₂の第２の領域Ｒ₂の一端にも、第１の基体２₁と同様に第１の領域Ｒ₁が設定され、この第１の領域Ｒ₁には第１の層４₁が連続的に形成される。したがって、縦電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、端子形成領域まで延在されている。

第６の実施形態では、波面の比率（Ａｍ／λｍ）の違いを利用して液晶表示素子の電極や配線などを作製することができる。また、例えば波面の波長を可視光の波長以下とした場合には、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。

＜７．第７の実施形態＞
図２０は、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。図２０に示すように、表示装置１１２上にタッチパネル（情報入力装置）２０１が設けられている。表示装置１１２とタッチパネル１１１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル１１１の表面にフロントパネル（表面部材）１１３をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル１１１とフロントパネル１１３とは、例えば粘着剤により貼り合わされる。

表示装置１１２としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。タッチパネル１１１は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。

図２１Ａは、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル１１１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の導電性素子２０１と第２の導電性素子２０２とを備える。

図２１Ｂは、第１の導電性素子の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の導電性素子２０２は第１の導電性素子２０１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、矩形状の第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃が交互に繰り返し設定されている。第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃における第１の基体２₁の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂の第１の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第１の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）がストライプ状に形成されている。

第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第２の基体２₂の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂の第２の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第２の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）がストライプ状に形成されている。

第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂と、第２の基体２₂の第２の領域Ｒ₂とは、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基体２₁の第２の層（横電極）４₂と、第２の基体２₂の第２の層（縦電極）４₂とは、互いに直交する関係にある。

図２２は、図２１Ａに示した領域Ｒを拡大して表す平面図である。第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂の一端には、第１の領域Ｒ₁が設定されている。この第１の領域Ｒ₁は、例えば線状などの細長い形状を有し、その一端が第２の領域Ｒ₂の一端に結合され、他端は第１の基体２₁の周縁部に設けられるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）に結合される。第１の領域Ｒ₁の両端以外の周縁部分には第３の領域Ｒ₃が設定されている。第１の領域Ｒ₁の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第１の領域Ｒ₁の第１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４₁が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第１の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、横電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、ＦＰＣが形成される領域まで延在されている。この領域に形成されるＦＰＣを介して、駆動回路に配線である第１の層４₁が電気的に接続される。

また、図１９Ｂに示すように、第１の領域Ｒ₁にも波面Ｓｗ１を形成し、この波面Ｓｗ１上に第１の層４₁を連続的に形成するようにしてもよい。

第２の基体２₂の第２の領域Ｒ₂の一端にも、第１の基体２₁と同様に第１の領域Ｒ₁が設定され、この第１の領域Ｒ₁には第１の層４₁が連続的に形成される。したがって、縦電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、ＦＰＣが形成される領域まで延在されている。

図２３Ａは、本技術の第７の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の導電性素子２１１と第２の導電性素子２１２とを備える。

図２３Ｂは、第１の導電性素子の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の導電性素子２１２は第１の導電性素子２１１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃が交互に繰り返し設定され、隣り合う第２の領域Ｒ₂の間は第３の領域Ｒ₃により隔てられている。第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、第２の領域Ｒ₃および第３の領域Ｒ₃が交互に繰り返し設定され、隣り合う第２の領域Ｒ₂の間は第３の領域Ｒ₃により隔てられている。第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃における第１の基体２₁および第２の基体２₂の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃における表面構造と同様である。

第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂は、所定形状の単位領域Ｃ₁をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ₂の間に設けられた第３の領域Ｒ₃は、所定形状の単位領域Ｃ₂をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基体２₁の第２の領域Ｒ₂は、所定形状の単位領域Ｃ₁をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ₂の間に設けられた第３の領域Ｒ₃は、所定形状の単位領域Ｃ₂をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ₁および単位領域Ｃ₂の形状としては、例えば菱形形状（ダイヤモンド形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂における第１の基体表面または第２の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃における第１の基体表面または第２の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、第１の基体２₁の両主面のうち、第２の基体２₂に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）が配列されている。また、第２の基体２₂の両主面のうち、第１の基体２₁に対向する一主面には、連続的に形成された第２の層４₂からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）が配列されている。横電極および縦電極は、第２の領域Ｒ₂と同様の形状を有する。

第１の導電性素子２１１の横電極と第２の導電性素子２１２の縦電極とは互いに直交する関係にある。第１の導電性素子２１１と第２の導電性素子２１２とを重ね合わせた状態において、第１の導電性素子２１１の第２の領域Ｒ₂と、第２の導電性素子２１２の第３の領域Ｒ₃とが重ね合わされ、第１の導電性素子２１１の第３の領域Ｒ₃と、第２の導電性素子２１２の第２の領域Ｒ₂とが重ね合わされる。

第１の基体２₁の第２の領域Ｒ₂の一端には、第１の領域Ｒ₁が設定されている。この第１の領域Ｒ₁は、例えば線状などの細長い形状を有し、その一端が第２の領域Ｒ₂の一端に結合され、他端は第１の基体２₁の周縁部に設けられるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）に結合される。第１の領域Ｒ₁の両端以外の周縁部分には第３の領域Ｒ₃が設定されている。第１の領域Ｒ₁の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第１の領域Ｒ₁の第１の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の第１の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、横電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、ＦＰＣが形成される領域まで延在されている。この領域に形成されるＦＰＣを介して、駆動回路に配線である第１の層４₁が電気的に接続される。

また、図１９Ｂに示すように、第１の領域Ｒ₁にも波面Ｓｗ１を形成し、この波面Ｓｗ１上に第１の層４₁を連続的に形成するようにしてもよい。

第２の基体２₂の第２の領域Ｒ₂の一端にも、第１の基体２₁と同様に第１の領域Ｒ₁が設定され、この第１の領域Ｒ₁には第１の層４₁が連続的に形成される。したがって、縦電極である第２の層４₂の一端から配線である第１の層４₁が引き出され、ＦＰＣが形成される領域まで延在されている。

第７の実施形態では、波面の比率（Ａｍ／λｍ）の違いを利用してタッチパネル１１１の電極や配線などを作製することができる。また、例えば波面の波長を可視光の波長以下とした場合には、タッチパネル１１１の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。

第７の実施形態に係る情報入力装置では、例えば横電極および縦電極を形成する第２の層４₂の有無にかかわらず、低反射および高透過率を実現できるため、電極の視認を抑制できる。これに対して、導電層などの層からなる電極を基体表面に形成する従来の情報入力装置（例えば、マトリクス式抵抗膜方式タッチパネルや静電容量式タッチパネルなど）では、導電層などの層と基体とは反射率が異なるため、電極が見えて表示品質が劣化する傾向がある。

＜８．第８の実施形態＞
図２４Ａは、本技術の第８の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図２４Ａに示すように、このＩＣカードは、いわゆる非接触型ＩＣカードであり、基体２と、アンテナコイルを形成する第２の層４₂と、ＩＣチップ３０１とを備える。第２の層４₂からなるアンテナコイルの両端がそれぞれ、第１の層４₁からなる配線を介してＩＣチップ３０１に対して接続されている。また、基体２の両面には外装材（図示省略）が設けられている。

基体２の形状としては、フィルム状、シート状、基板状を用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、ＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。基体２の材料としては、耐久性や利便性などの観点から、フレキシブル性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステルを用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。

図２４Ｂは、図２４Ａに示したアンテナコイルが形成された領域を拡大して表す平面図である。基体２の一主面の周縁部には、例えば、第２の領域Ｒ₂と第３の領域Ｒ₃とが交互に螺旋状に形成されている。第２の領域Ｒ₂および第３の領域Ｒ₃における基体２の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第２の領域Ｒ₂の基体表面には波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には第２の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の基体表面には波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、基体２の一主面の周縁部には、連続的に形成された第２の層４₂からなるアンテナコイルが第２の領域Ｒ₂の形状に倣って形成されている。

図２４Ｃは、図２４Ａに示した配線が形成された領域を拡大して表す平面図である。基体２の第２の領域Ｒ₂の端部には、第１の領域Ｒ₁が設定されている。この第１の領域Ｒ₁は、例えば線状などの細長い形状を有し、その一端が第２の領域Ｒ₂の一端に結合され、他端はＩＣチップ３０１の端子部形成領域などに結合されている。第１の領域Ｒ₁の両端以外の周縁部分には第３の領域Ｒ₃が設定されている。第１の領域Ｒ₁の表面構造は、上述の第１〜第５の実施形態のいずれかの第１の領域Ｒ₁の表面構造と同様である。

例えば、図１９Ａに示すように、第１の領域Ｒ₁の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には第１の層４₂が連続的に形成されている。これに対して、第３の領域Ｒ₃の基体表面には、例えば波面Ｓｗ３が形成され、この波面Ｓｗ３上には第１の層４₁および第２の層４₂などの層が形成されていない状態となっている。したがって、アンテナコイルである第２の層４₂の一端から配線が引き出され、ＩＣチップ３０１の端子形成領域まで延在されている。この端子形成領域に形成される端子を介して、ＩＣチップ３０１に配線である第１の層４₁が電気的に接続される。

また、図１９Ｂに示すように、第１の領域Ｒ₁にも波面Ｓｗ１を形成し、この波面Ｓｗ１上に第１の層４₁を連続的に形成するようにしてもよい。

外装材は、ＩＣカードの表面および裏面を構成するものであり、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチルテレフタレート）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール、配向ＰＥＴなどの高分子材料を主成分とするが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。

アンテナコイルは、基体２上に複数回巻回されて形成されたループコイル形状の電磁誘導コイルであり、その両端はＩＣチップ３０１に接続されている。アンテナコイルは、リーダ／ライタから発せられる交流磁界を受信して交流電圧を誘起し、その交流電圧をＩＣチップ３０１に供給する。

ＩＣチップ３０１は、アンテナコイルから供給される電力により駆動し、ＩＣカード内の各部を制御する。例えば、ＩＣチップ３０１は、アンテナコイルを介してリーダ／ライタと通信を行う。具体的には、リーダ／ライタとの相互認証やデータのやり取りなどを行う。

第８の実施形態では、波面の比率（Ａｍ／λｍ）の違いを利用してＩＣカードのアンテナコイルを作製することができる。したがって、ＩＣカードの生産性を向上することができる。

＜９．第９の実施形態＞
図２５Ａは、本技術の第９の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図２５Ｃは、図２５Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第９の実施形態において、第６の実施形態と同一の箇所または対向する箇所には同一の符号を付す。この表示装置４００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子４０１と、第１の導電性素子４０１と対向配置された第２の導電性素子４０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本技術を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本技術は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本技術を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。

マイクロカプセル層４０３は、多数のマイクロカプセル４３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。

第１の導電性素子４０１は、図２５Ｂおよび図２５Ｃに示すように、第２の導電性素子４０２と対向する波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する第１の基体２₁と、波面Ｓｗ２上に形成された第２の層４₂とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層４１１を介して、第１の基体２をガラスなどの支持体４１２に貼り合わせるようにしてもよい。第２の導電性素子４０２は、図２５Ｂおよび図２５Ｃに示すように、第１の導電性素子４０１と対向する波面Ｓｗ２および波面Ｓｗ３を有する第２の基体２₂と、波面Ｓｗ２上に形成された第２の層４₂とを備える。

第１の基体２₁および第２の基体２₂に形成された第２の層４₂は、表示装置４００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
この第９の実施形態において、上記以外のことは第６の実施形態と同様である。

＜本技術の構成＞
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、
上記第１の波面上に設けられた第１の層と、
上記第２の波面上に形成された第２の層と
を備え、
上記第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
上記第２の層は、上記第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
上記第１の層および上記第２の層は、導電パターン部を形成し、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）
（２）上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である（１）記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（３）上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である（１）記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（４）上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である（１）記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（５）上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である（１）記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（６）上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
上記第３の層は、上記第２の層の一部の層からなり、
上記第１の層、上記第２の層および上記第３の層が、以下の関係を満たす（１）から（５）のいずれか１項に記載の導電性素子。
Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
（但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位面積）
（７）上記第１の層および上記第２の層はそれぞれ、上記第１の波面および上記第２の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第３の層は、上記第３の波面上に不連続的に形成されている（６）記載の導電性素子。
（８）上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
上記第１の層、上記第２の層、および上記第３の層が、以下の関係を満たす（１）から（５）のいずれか１項に記載の導電性素子。
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
（但し、ｄ１：第１の層の平均厚さ、ｄ２：第２の層の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
（９）上記第１の層は、導電層と、該導電層上に形成された第１の機能層と、該第１の機能層上に形成された第２の機能層とを備え、
上記第２の層は、導電層を備える（１）から（８）のいずれか１項に記載の導電性素子。
（１０）上記導電層と上記第１の機能層との間に形成された第２の機能層をさらに備える（９）記載の導電性素子。
（１１）上記導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層であり、
上記酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる（９）または（１０）記載の導電性素子。
（１２）上記酸化物半導体は、アモルファスと多結晶との混合状態である（１１）記載の導電性素子。
（１３）上記第１の機能層および上記第２の機能層は異なる材料からなる（９）から（１２）のいずれか１項に記載の導電性素子
（１４）上記第１の機能層および上記第２の機能層は、金属層であり、
上記金属層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる（９）から（１３）のいずれか１項に記載の導電性素子。
（１５）上記第１の機能層および第２の機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる（９）から（１３）のいずれか１項に記載の導電性素子。
（１６）上記第１の機能層および第２の機能層は、アモルファスと多結晶とを混合した膜、または多結晶化した膜を少なくとも１種含んでいる（９）から（１５）のいずれか１項に記載の導電性素子。
（１７）（１）から（１６）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
（１８）（１）から（１６）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
（１９）（１）から（１６）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
（２０）（１）から（１６）のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
（２１）（１）から（１６）のいずれか１項に記載の導電性素子を作製する原盤。
（２２）第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面のうち、上記第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、上記第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

実施例では、導電性シートの表面抵抗は４端子抵抗測定器にて測定した。プローブ先端のプローブ径Ｒは１００μｍであり、プローブのピッチは１ｍｍである。

（参考例１）
（転写工程）
まず、図２６Ａに示すように、平面領域（第１の領域）Ｒ₁とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ₂とが成形面にストライプ状に形成された石英マスタを準備した。次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面のうち、ナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ₂には凸状のナノ構造体が多数形成されるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ₁には平坦面が形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２５０ｎｍ、構造体の高さは２００ｎｍ、構造体の形状は円錐台、構造体の配列は六方配置であった。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。

（除去工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施した光学シートを純水により洗浄した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。

（導通／非導通評価）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの表面について、テスターを用いて導通および非導通を、図２６Ｂに示すポイントで評価した。その評価結果を表１に示す。

表１は、参考例１に係る透明導電性シートの評価結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
透明導電性シート表面のうちナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ₂は絶縁状態となるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ₁は導通状態となる。したがって、インプリント工程、成膜工程および除去工程を順次行うだけで、配線や電極などの所望の導電パターン部を基体表面に形成できる。すなわち、スループットを向上することができる

（実施例１）
（転写工程）
まず、平面Ｓｐ１を有する第１の領域と、波面Ｓｗ２を有する第２の領域と、波面Ｓｗ３を有する第３の領域とがストライプ状に順次形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域と第３の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。

（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面における波面Ｓｗ１および波面Ｓｗ２の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表２に示す。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上に積層膜を形成した。
以下に、積層膜の構成を示す。
ＴｉＯｘ層（第２の機能層）／ＩＴＯ層（密着層）／Ａｇ層（第１の機能層）／ＩＴＯ層（密着層）／ＴｉＯｘ層（第２の機能層）／ＩＴＯ層（導電層）／光学シート成形面

以下に、各層の成膜条件を示す。

・ＴｉＯｘ層（第２の機能層）
成膜時真空度：０．２８Ｐａ程度
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
平板換算膜厚：１０ｎｍ

・ＩＴＯ層（密着層）
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１６
平板換算膜厚：２０ｎｍ

・Ａｇ層（第１の機能層）
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：１００ｎｍ

・ＩＴＯ層（導電層）
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１６
平板換算膜厚：４０ｎｍ

ここで、平板換算膜厚は、上述の光学シート表面にＩＴＯ層、ＴｉＯｘ層またはＡｇ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層、ＴｉＯｘ層またはＡｇ層を形成したときの膜厚であり、上述の光学シートの波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。

（除去工程）
次に、導電性シートをＰＨ３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、純水にて導電性シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。

（実施例２）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＺｒＯｘ層を用いる以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例３）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＴａＯｘ層を用いる以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例４）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＮｂＯｘ層を用いる以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例５）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＳｉＮｘ層を用いる以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例６）
第２の機能層として、ＴｉＯｘ層に代えてＳｉＯｘ層を用いる以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例７）
密着層として、ＩＴＯ層に代えてＳｎＯ₂層を用いる以外は実施例６と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

（実施例８）
密着層として、ＩＴＯ層に代えてＩｎ₂Ｏ₃層を用いる以外は実施例６と同様にして導電性シートを作製するとともに、除去工程前後の表面抵抗を測定した。

表２は、実施例１〜８に係る導電性シートの測定結果を示す。

上述の評価結果から以下のことがわかった。
導電性シート表面のうち、平面Ｓｐ１を有する第１の領域では、全ての層が除去工程後も残っているため低抵抗が保持されていた。
導電性シート表面のうち、波面Ｓｗ２を有する第２の領域では、除去工程前は不透明かつ低抵抗であるが、除去工程後は透明かつ高抵抗となった。これは、Ａｇ層以上の層が除去工程により除去され最下層のＩＴＯ層が残ったためと考えられる。
導電性シート表面のうち、波面Ｓｗ３を有する第３の領域では、除去工程前は不透明かつ低抵抗であるが、除去工程後は透明かつ絶縁状態となった。これは、全ての層が除去工程により除去されたためと考えられる。

（参考例２−１）
（成膜工程）
まず、平滑な表面を有するＰＥＴシートを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＴシート上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２０：１とした。また、ＩＴＯ層の膜厚が３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例２−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例２−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（除去工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例２−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例２−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例２−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例２−６）
浸漬時間を５０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例２−７）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例３−１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ナノ構造体が多数表面に形成されたＰＥＴシートが得られた。
以下に、ＰＥＴシート表面に形成されたナノ構造体の構成の詳細を示す。
構造体の配列：六方格子配列
構造体の凹凸形状：凸状
構造体の全体形状：円錐台
構造体の配置ピッチ：２５０ｎｍ
構造体の高さ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比：０．３６

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２０：１とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚である。本技術者らの知見によれば、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例３−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（除去工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層を除去した。

（洗浄工程）
次に、除去処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例３−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例４−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例５−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。

（参考例６−１）
（成膜工程、アニール工程）
以下のプレズムシート（住友スリーエム社製、商品名：Ｔ−ＢＥＦ）を用いる以外は参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
以下に、プレズムシートの構成の詳細を示す。
プリズム（構造体）の配列：１次元配列
プリズムの凹凸形状：凸状
プリズムの形状：断面２等辺三角形状の柱状体
プリズムの配置ピッチ：１０μｍ
プリズムの高さ：５μｍ
プリズムのアスペクト比：０．５０

（参考例６−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例６−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したプリズムシートを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（参考例６−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例６−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。

（参考例８−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。

（表面抵抗）
上述のようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表９に示す。

（初期変化率の逆数）
上述のようにようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表３および図２７に示す。
（初期変化率の逆数）＝（除去前のサンプルの表面抵抗）／（除去後のサンプルの表面抵抗）

表３は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの表面抵抗の評価結果を示す。

表４は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。

表３、表４および図２７から以下のことがわかる。
平坦面上にＩＴＯ層を形成した参考例２−１〜２−７では、除去によりＩＴＯ層の膜厚に殆ど変化せず、表面抵抗がほぼ一定となる傾向がある。これに対して、多数の構造体上にＩＴＯ層を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３では、除去によりＩＴＯ層の膜厚が急激に減少し、表面抵抗が急激に上昇する傾向がある。
ミクロンオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例６−１〜６−５でも、
ナノオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３と同様の傾向を示す。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の導電性素子に対して本技術を適用した例を説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、多層の導電性素子に対しても適用可能である。

また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、液晶表示素子に対して本技術を適用した例を説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式の種々の表示素子（例えばＥＬ素子、電子ペーパーなど）に対しても適用可能である。

また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対して本技術を適用した例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対しても本技術は適用可能である。

また、上述の実施形態では、電子機器の一例として表示装置に本技術を適用する例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、表示素子や配線素子（例えばプリント基板）などを備える種々の電子機器に対して適用可能である。

１ 導電性素子
２ 基体
３₁、３₂、３₃ 構造体
４ａ 導電層
４ｂ 第１の機能層
４ｃ 第２の機能層
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
Ｓｐ１ 平面
Ｓｗ１、Ｓｗ２、Ｓｗ３ 波面

Claims (22)

1. 第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、
   上記第１の波面上に設けられた第１の層と、
   上記第２の波面上に形成された第２の層と
   を備え、
   上記第１の層は、２以上の層が積層された積層構造を有し、
   上記第２の層は、上記第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、
   上記第１の層および上記第２の層は、導電パターン部を形成し、
   上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
   （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）
2. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
   （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
3. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
   ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
4. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である請求項１記載の導電性素子。
   （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
5. 上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第１の波面の波長λ１、上記第２の波面の波長λ２および上記第３の波面の波長λ３が、１００μｍ以下である請求項１記載の導電性素子。
   ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
6. 上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
   上記第３の層は、上記第２の層の一部の層からなり、
   上記第１の層、上記第２の層および上記第３の層が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
   Ｓ１＞Ｓ２＞Ｓ３
   （但し、Ｓ１：第１の層の単位面積、Ｓ２：第２の層の単位面積、Ｓ３：第３の層の単位面積）
7. 上記第１の層および上記第２の層はそれぞれ、上記第１の波面および上記第２の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第３の層は、上記第３の波面上に不連続的に形成されている請求項６記載の導電性素子。
8. 上記第３の波面上に形成された第３の層をさらに備え、
   上記第１の層、上記第２の層、および上記第３の層が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
   ｄ１＞ｄ２＞ｄ３
   （但し、ｄ１：第１の層の平均厚さ、ｄ２：第２の層の平均厚さ、ｄ３：第３の層の平均厚さ）
9. 上記第１の層は、導電層と、該導電層上に形成された第１の機能層と、該第１の機能層上に形成された第２の機能層とを備え、
   上記第２の層は、導電層を備える請求項１記載の導電性素子。
10. 上記導電層と上記第１の機能層との間に形成された第２の機能層をさらに備える請求項９記載の導電性素子。
11. 上記導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層であり、
    上記酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
12. 上記酸化物半導体は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項１１記載の導電性素子。
13. 上記第１の機能層および上記第２の機能層は異なる材料からなる請求項９記載の導電性素子。
14. 上記第１の機能層および上記第２の機能層は、金属層であり、
    上記金属層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、およびＮｄからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項１３記載の導電性素子。
15. 上記第１の機能層および第２の機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項１３記載の導電性素子。
16. 上記第１の機能層および第２の機能層は、アモルファスと多結晶とを混合した膜、または多結晶化した膜を少なくとも１種含んでいる請求項１５記載の導電性素子。
17. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
18. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
19. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
20. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
21. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の導電性素子を作製する原盤。
22. 第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
    上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面のうち、上記第３の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を第１の層として残すとともに、上記第２の波面上に形成された積層膜の一部の層を第２の層として残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
    を備え、
    上記第１の波面、上記第２の波面および上記第３の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
    ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）＜（Ａｍ３／λｍ３）≦１．８
    （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、Ａｍ３：第３の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長、λｍ３：第３の波面の平均波長）

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