TW201320429A - 顯示裝置之製造方法及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係於反射電極層(111)之上層成膜a-ITO層(112)並統括地進行蝕刻之後，將a-ITO層(112)轉換為p-ITO層(114)，利用p-ITO層(114)與成膜於該p-ITO層(114)上方之透明電極層之耐蝕刻性之差異而積層透明電極層，從而於子像素(71R．71G．71B)之間變更透明電極層(121)的膜厚。

Description

顯示裝置之製造方法及顯示裝置

本發明係關於一種於各子像素中之反射電極層上積層有透明電極層，並且於顯示色不同之子像素間使透明電極層之合計膜厚不同的顯示裝置之製造方法及此種顯示裝置。

近年來，於多種商品及領域中活用有平板顯示器，而要求平板顯示器之進一步之大型化、高畫質化、低耗電化。

於如上所述之狀況下，設有利用有機材料之電場發光(Electro Luminescence：電致發光、以下記作「EL」)之有機EL元件之有機EL顯示裝置係作為全固體型且於低電壓驅動、快速響應性、自發光性、視角廣闊特性等方面優異之平板顯示器而受到高度關注。

有機EL顯示裝置具有例如如下之構成：於包含設置有TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)之玻璃基板等之基板上，設置有電性連接於TFT之有機EL元件。

有機EL元件係可利用低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光元件，其具有依序積層有第1電極、有機EL層、第2電極之構造。

作為用以使利用如上所述之有機EL元件之有機EL顯示裝置全彩化之方式，已知有例如(1)將發出紅(R)、綠(G)、藍(B)之光之有機EL元件作為子像素而排列於基板上之方式、(2)組合白色發光之有機EL元件與濾光片而選擇各子像素中之發光色之方式。

近年來，於該等方式中，提出有利用微空腔效應而使發光色度或發光效率提高之方法(例如參照專利文獻1、2)。

所謂微空腔，係指藉由發出之光於陽極與陰極之間進行多次反射並發生共振，而發射光譜變陡，且峰波長之發光強度放大之現象。

微空腔效應可藉由將例如陽極或陰極之反射率及膜厚、有機層之層厚等設計為最佳而獲得。

作為對有機EL元件導入如上所述之共振構造即微空腔構造之方法，已知有例如針對每一發光色改變各子像素中之有機EL元件之光徑長之方法。

作為針對每一發光色改變各子像素中之有機EL元件之光徑長之方法，可列舉於反射電極與半透明電極之間積層包含發光層之有機EL層與透明電極層之方法。

即，例如，於頂部發光型之有機EL元件之情形時，可列舉如下之方法：將陽極設為反射電極層與透明電極層之積層構造，針對每一子像素，改變陽極之反射電極層上之透明電極層之膜厚。

於頂部發光型之有機EL元件之情形時，如此般將陽極設為反射電極層與透明電極層之積層構造，適當積層有機EL層之後，對陰極使用例如製成薄膜之半透明之銀等而作為半透明電極，藉此可對有機EL元件導入微空腔構造。

當如此般對有機EL元件導入微空腔構造時，自發光層發出，並通過陰極而射出之光之光譜較有機EL元件不具有微空腔構造之情形變陡，且朝向正面之出射強度大幅度增 大。

專利文獻1、2中揭示有藉由針對每一子像素改變積層數而積層同一材料之透明電極層，而對有機EL元件導入微空腔構造之有機EL顯示裝置。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2007-280677號公報(2007年10月25日公開)」

[專利文獻2]日本公開專利公報「日本專利特開2005-116516號公報(2005年4月28日公開)」

[專利文獻3]日本公開專利公報「日本專利特開2009-129604號公報(2009年6月11日公開)」

然而，於如上述般藉由改變透明電極層之膜厚而改變微空腔效應，調整發光色之方式之有機EL顯示裝置中，針對各色之每一子像素恰當地變更透明電極層之膜厚之方法尚不清楚。

再者，於專利文獻1中未揭示用以針對各色之每一子像素而變更透明電極之膜厚之方法。

另一方面，於專利文獻2中，作為對積層之透明電極層使用同一材料而針對各色之每一子像素變更透明電極之膜厚之方法，揭示有以下之方法。

首先，一面按照B→G→R之順序變更積層抗蝕圖案之子 像素，一面於反射電極層上交替地積層透明電極層與抗蝕圖案。

繼而，對R之子像素積層抗蝕圖案之後，將R之子像素之抗蝕圖案作為遮罩而對最上層之透明電極層進行蝕刻，使G之子像素之抗蝕圖案露出，此時以R及G之子像素之抗蝕圖案為遮罩，對從上至下第2個透明電極層進行蝕刻。

然後，使B之子像素之抗蝕圖案露出，此時以R、G、B之子像素之抗蝕圖案為遮罩，對最下層之透明電極層進行蝕刻，藉此圖案形成所有透明電極層。

最後，以R、G、B之子像素之抗蝕圖案為遮罩，對反射電極層進行蝕刻而將其圖案化。

然而，於專利文獻2中，為了於抗蝕圖案上積層透明電極層，若抗蝕劑與透明電極層之密接性不充分，則有於處理中發生透明電極層之膜剝落，而導致圖案不良或步驟污染之危險性。

又，當將積層有抗蝕劑之基板投入於濺鍍裝置內時，有垃圾等異物附著，而良率降低之虞，並且有引起缺陷或膜厚不均、膜質不均(光學性質之面內分佈)之可能性。

又，如專利文獻2中記載般，於在抗蝕圖案上積層透明電極之情形時，若抗蝕圖案之厚度較厚，則有成為抗蝕圖案之暗影之部分變大，而於該成為暗影之部分透明電極層中產生缺陷，或產生膜厚不均之虞。因此，難以將透明電極層設定為最適於各色之子像素之膜厚，且無法以高精細之圖案形成子像素。

因此，若僅單純地積層透明電極層，則難以針對各色之每一子像素變更透明電極之膜厚。

作為針對各色之每一子像素變更透明電極之膜厚之方法，考慮例如以下之方法。

圖13(a)~(f)係按步驟表示針對每一子像素，變更陽極之反射電極層上之透明電極層之膜厚之方法之一例的剖面圖。

以下，參照圖13(a)~(f)，對如上述般針對每一子像素，變更陽極之反射電極層上之透明電極層之膜厚之方法進行說明。

首先，如圖13(a)所示，利用濺鍍法等於支撐基板301上成膜含有銀(Ag)等反射電極材料之反射電極層302。

繼而，針對各色之每一子像素，藉由光微影術於上述反射電極層302上形成未圖示之抗蝕圖案，將該等抗蝕圖案作為遮罩而對反射電極層302進行蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗該等抗蝕圖案。

藉此，如圖13(b)所示，以針對各色之每一子像素將反射電極層302分離之方式進行圖案化。

繼而，如圖13(c)所示，於反射電極層302上成膜例如IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)而形成IZO層303作為透明電極層，藉由光微影術，僅於R之子像素形成抗蝕劑311。

繼而，如圖13(d)所示，藉由草酸，對露出之IZO層303進行蝕刻而將其去除之後，將抗蝕劑311剝離，藉此僅於R 之子像素形成經圖案化之IZO層303作為第1 IZO層。

然後，如圖13(e)所示，以覆蓋R之子像素之IZO層303以及G及B之子像素之反射電極層302之方式再次成膜IZO而形成IZO層304，進而，藉由光微影術，僅於R及G之子像素形成抗蝕劑312。

然後，如圖13(f)所示，將抗蝕劑312作為遮罩而藉由草酸對IZO層304進行蝕刻，並將抗蝕劑312剝離，藉此於子像素R及G形成經圖案化之IZO層304作為第2 IZO層。

如此般，若為了獲得微空腔效應，而針對每一子像素改變透明電極層之積層數，則於例如子像素包含R、G、B之子像素之情形時，至少需要3次光微影術及蝕刻、抗蝕劑剝離。

換言之，為了針對每一子像素變更陽極之反射電極層上之透明電極層之膜厚，如圖13之(a)~(f)所示，需要3次光微影術。再者，若包含反射電極層之圖案化，則需要4次光微影術。又，於圖13(f)中，於對B之像素進而形成透明電極層之情形時，需要更多1次光微影術。

因此，如上述般，若為了獲得微空腔效應，使用同一材料之透明電極層而針對每一子像素改變電極之厚度，則需要用以進行至少3次(若包含用以反射電極層之圖案化之光微影術，則為至少4次)光微影術及蝕刻、抗蝕劑剝離之裝置。因此，製造線上所需之用以進行上述處理之光微影術裝置(黃光製程(photo process)裝置)之數量變多。

於光微影術中，需要高價之裝置或材料。因此，若如上 述般針對每一子像素改變電極之厚度，則導致整個裝置之成本提高及佔據面積增加。

進而，由於光微影術需要進行固定時間之顯影處理或烘烤處理等，故難以縮短處理節拍。

因此，理想的是使光微影術之次數儘可能地少。

又，於如上述般重複進行抗蝕劑之剝離及烘烤之情形時，若上述重複次數變多，則反射電極層之表面粗糙或發生氧化而反射效率降低。又，有因反射電極之表面粗糙而發生電極間漏電，而導致像素缺陷之虞。

又，根據反射電極材料之種類，若上述反射電極層處於暴露狀態(即露出狀態)，則有當例如為了提高抗蝕劑之濕潤性而進行紫外線照射時發生氧化而反射特性降低，或耐溶劑性較低而溶劑滲入之可能性。因此，於如上所述之反射電極層含有如上所述之反射電極材料之情形時，不理想的是反射電極層成為暴露狀態。

因此，若欲於各子像素之反射電極層上積層透明電極層，則為此需要光微影術，從而光微影術之次數進一步增加。

再者，於專利文獻3中揭示有如下之方法：藉由積層結晶性不同之ITO，而於經圖案化之反射電極層上成膜具有結晶性之ITO並將其圖案化之後，積層非晶質之ITO，藉此利用2次光微影術針對每一子像素變更透明電極層之膜厚。即，於專利文獻3中，若包含反射電極層之圖案化，則光微影術之次數為3次。

然而，於專利文獻3中，於第1及第3子像素成膜具有結晶性之ITO並將其圖案化之後，於第1子像素與第2子像素積層非晶質之ITO並將其圖案化，藉此針對每一子像素變更透明電極層之膜厚。

即，專利文獻3係每當光微影術時於2個子像素形成相同膜厚之透明電極層之圖案，針對每次光微影術變更形成透明電極層之圖案之子像素，藉此減少光微影術之次數，因此，對具有結晶性之ITO進行蝕刻而於2個子像素形成相同膜厚之透明電極層之圖案。

因此，於專利文獻3中，利用2個透明電極層之膜厚之組合而決定各子像素之光徑長。因此，光徑長之設定存在制約，而難以任意地變更光徑長。

本發明係鑒於上述問題點而完成，本發明之目的在於提供一種於各子像素中之反射電極層上積層有透明電極層，並且可於顯示色不同之子像素間任意地變更反射電極層上之透明電極層之膜厚之實用之顯示裝置之製造方法，並且削減光微影術之次數。又，本發明之進一步之目的在於提供一種針對顯示色不同之每一子像素而透明電極層之膜厚不同，並且可利用實用之方法製造之顯示裝置。

為了解決上述課題，本發明之顯示裝置之製造方法之特徵在於：該顯示裝置中各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電 極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，該顯示裝置之製造方法包含如下步驟：成膜反射電極層；第1透明電極層成膜步驟，其係於上述反射電極層之上層成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層；圖案化步驟，其係藉由光微影術對上述含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層及上述反射電極層統括地進行蝕刻而將其等圖案化；第1透明電極層結晶化步驟，其係使上述圖案化步驟中進行圖案化所得之上述含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層結晶化而將其轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層；及第2透明電極層積層步驟，其係於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層上，成膜含有耐蝕刻性低於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層之透明電極材料的第2透明電極層，藉由光微影術選擇性地對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化。

如上所述，根據本發明，於反射電極層之上層成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層，對上述反射電極層及含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層統括地進行蝕刻，藉此，不會增加光微影術之次數，且可於上述反射電極層上，積層上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層。

又，根據上述方法，將含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電 極層，利用其與成膜於其之上方之第2透明電極層之耐蝕刻性之差異而積層透明電極層。

根據上述方法，藉由如此般於上述第2透明電極層之下層積層有耐蝕刻性高於上述第2透明電極層之含有多晶之透明電極材料的第1透明電極層，而當對成為上層之第2透明電極層進行蝕刻時，下層之第1透明電極層不被蝕刻。 而且，根據上述方法，藉由成膜上述第2透明電極層之前，於各子像素積層有上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層，可於任意之子像素積層上述第2透明電極層。

因此，根據上述方法，於各子像素之反射電極層上形成有透明電極層，並且作為為了變更各子像素中之透明電極層之合計膜厚而所需之光微影術之次數，可利用2次光微影術而針對每一子像素任意地變更上述透明電極層之合計膜厚。又，根據上述方法，即便包含反射電極層之蝕刻，亦可將光微影術之次數抑制為3次。

因此，根據上述方法，即便如上述般減少了光微影術之次數，亦可使任意之子像素中之第2透明電極層之膜厚獨立於其他子像素中之第2透明電極層之膜厚而設定。

即，即便不如專利文獻3般，為了堆積透明電極層而另外成膜具有結晶性之ITO層並將其圖案化，並且每當光微影術時於2個子像素形成相同膜厚之透明電極層之圖案，亦可利用2次光微影術而於各子像素之反射電極層上形成透明電極層，並且可針對顯示色不同之每一子像素而形成 上述反射電極層上之透明電極層之合計膜厚不同之電極。

因此，根據上述方法，可任意且容易地調整各子像素中之光徑長，而不會如專利文獻3般受光徑長之制約。因此，根據上述方法，可利用次數少於先前之光微影術，針對顯示色不同之子像素而任意地變更反射電極層上之透明電極層之膜厚。

其結果，可實現較先前成本降低及佔據面積減少。

又，於先前之方法中，由於抗蝕劑之剝離及烘烤步驟變多，故有反射電極層之表面粗糙或發生氧化而反射效率降低，或者因反射電極層之表面粗糙而發生電極間漏電而導致像素缺陷之虞。

然而，根據上述方法，由於可使曝光、顯影、抗蝕劑剝離處理等之次數減少，故不存在如上所述之擔憂。又，可縮短處理節拍。

又，根據反射電極材料之種類，若上述反射電極層處於暴露狀態(即露出狀態)，則有當例如為了提高抗蝕劑之濕潤性而進行紫外線照射時發生氧化而反射特性降低，或耐溶劑性較低而溶劑滲入之可能性。因此，於如上所述之反射電極層含有如上所述之反射電極材料之情形時，不理想的是反射電極層成為暴露狀態。

然而，根據上述方法，藉由於製造步驟中之早期階段，如上述般於各子像素中之反射電極層上形成上述多晶之透明電極層，可保護上述反射電極層免受有損壞該反射電極層之品質之虞之上述要因的影響。

又，於專利文獻3中，將反射電極層圖案化之後，於第1及第3子像素成膜具有結晶性之ITO並將其圖案化。

具有結晶性之ITO相對於反射電極層之蝕刻中使用之蝕刻液之溶解性較高。因此，當於反射電極層上直接成膜具有結晶性之ITO層並藉由光微影術而將其圖案化時，有反射電極層不為錐狀之虞。

然而，根據上述方法，成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層，並將其與反射電極層一併圖案化之後，將其轉化為多晶之透明電極層，藉此，亦不會產生如上所述之問題。

如此，根據上述方法，提供一種於各子像素中之反射電極層上積層有透明電極層，並且可於顯示色不同之子像素間任意地變更反射電極層上之透明電極層之膜厚之實用之顯示裝置之製造方法，並且可削減光微影術之次數。

又，為了解決上述課題，本發明之顯示裝置之特徵在於：各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，上述複數之透明電極層具有互不相同之組成，下層之透明電極層之耐蝕刻性高於上層之透明電極層之耐蝕刻性。

如上所述之顯示裝置可不將含有非結晶之透明電極材料之透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之透明電極 層，而利用下層之透明電極層與上層之透明電極層之耐蝕刻性之差異所致之蝕刻選擇性之差異，進行透明電極層之堆積。

因此，與如先前般堆積含有相同之透明電極材料之透明電極層之情形相比，可以較短之處理節拍任意且容易地調整各子像素中之光徑長。

因此，根據本發明，可提供一種針對顯示色不同之每一子像素而透明電極層之膜厚不同並且可利用實用之方法製造之顯示裝置。

如上所述，於本發明之顯示裝置之製造方法中，於反射電極層之上層成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層，對上述反射電極層及含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層統括地進行蝕刻。

因此，根據上述製造方法，不會增加光微影術之次數，且可於上述反射電極層上積層上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層。

又，於本發明之顯示裝置之製造方法中，將含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層，利用其與成膜於其之上方之第2透明電極層之耐蝕刻性之差異而積層透明電極層。

根據上述製造方法，藉由如此般於上述第2透明電極層之下層積層有耐蝕刻性高於上述第2透明電極層之含有多晶之透明電極材料的第1透明電極層，而當對成為上層之 第2透明電極層進行蝕刻時，下層之第1透明電極層不被蝕刻。而且，根據上述製造方法，於成膜上述第2透明電極層之前，於各子像素積層有上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層，藉此，可於任意之子像素積層上述第2透明電極層。

因此，根據上述製造方法，於各子像素之反射電極層上形成有透明電極層，並且作為為了變更各子像素中之透明電極層之合計膜厚而所需之光微影術之次數，可利用2次光微影術，針對每一子像素任意地變更上述透明電極層之合計膜厚。又，根據上述製造方法，即便包含反射電極層之蝕刻，亦可將光微影術之次數抑制為3次。

因此，根據上述製造方法，即便如上述般減少了光微影術之次數，亦可使任意之子像素中之第2透明電極層之膜厚獨立於其他子像素中之第2透明電極層之膜厚而設定。

因此，根據上述製造方法，可任意且容易地調整各子像素中之光徑長，而不會如專利文獻3般受光徑長之制約。因此，根據上述製造方法，可利用次數少於先前之光微影術，針對顯示色不同之每一子像素任意地變更反射電極層上之透明電極層之膜厚。

又，如上所述，本發明之顯示裝置係於反射電極層上設置有複數之透明電極層，且針對顯示色不同之每一子像素而上述透明電極層之整體之膜厚不同者，上述複數之透明電極層具有互不相同之組成，下層之透明電極層之耐蝕刻性高於上層之透明電極層之耐蝕刻性。

如上所述之顯示裝置可不將含有非結晶之透明電極材料之透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之透明電極層，而利用下層之透明電極層與上層之透明電極層之耐蝕刻性之差異所致之蝕刻選擇性之差異，進行透明電極層之堆積。

因此，與如先前般堆積含有相同之透明電極材料之透明電極層之情形相比，可以較短之處理節拍任意且容易地調整各子像素中之光徑長。

因此，根據本發明，可提供一種針對顯示色不同之每一子像素而透明電極層之膜厚不同並且可利用實用之方法製造之顯示裝置。

以下，對本發明之一實施形態進行詳細說明。

[實施形態1]

若根據圖1(a)~(i)至圖9(a)．(b)對本實施形態進行說明，則如下所述。

<有機EL顯示裝置之概略構成>

首先，對有機EL顯示裝置之概略構成進行說明。

圖2係表示本實施形態之有機EL顯示裝置100之主要部分之概略構成的分解剖面圖。

如圖2所示，本實施形態之有機EL顯示裝置100包含像素部101與電路部102。

像素部101包含有機EL顯示面板1(顯示面板)。又，電路部102包含設置有驅動有機EL顯示裝置100之驅動電路等之 電路基板或IC(積體電路：Integrated Circuits)晶片等。

有機EL顯示面板1具有於支撐基板10(被成膜基板、TFT基板)上依序設置有有機EL元件20及密封樹脂層41、填充樹脂層42、密封基板50之構成。

支撐基板10包含TFT基板等半導體基板，具有於例如絕緣基板11上設置有TFT(薄膜電晶體：Thin Film Transistor)12(參照圖5)等作為主動元件(驅動元件)之構成。

有機EL元件20連接於TFT12。於有機EL元件20上形成有含有乾燥劑之具有接著性之填充樹脂層42。構成填充樹脂層42之填充樹脂係填充於由支撐基板10、密封基板50及密封樹脂層41所包圍之空間內。

再者，有機EL顯示裝置100既可為自支撐基板10側射出光之底部發光型，亦可為自密封基板50側射出光之頂部發光型。

作為支撐基板10及密封基板50中使用之基底基板，可使用例如玻璃或塑膠等。作為一例，可使用例如無鹼玻璃基板等玻璃基板。

然而，並不限定於此，作為不射出光之側之基板，亦可使用金屬板等不透明材料。

於頂部發光型之情形時，作為密封基板50，亦可使用形成有CF(濾光片：Color Filter)層之基板。又，於底部發光型之情形時，亦可於支撐基板10側形成CF層。

於如此般併用CF層之情形時，可藉由CF層而對自有機EL元件20射出之光之光譜進行調整。

以下，於本實施形態中，列舉有機EL顯示裝置100為頂部發光型之情形為例進行說明。然而，本實施形態並不限定於此，如上所述，亦可為例如底部發光型。

如圖2所示，本實施形態之密封基板50具有於例如絕緣基板51上設置有CF層52及BM(黑矩陣：Black Matrix)53(參照圖5)等之構成。

有機EL元件20係藉由使積層有該有機EL元件20之支撐基板10經由設置於框狀之密封區域L之密封樹脂層41及填充樹脂層42而與密封基板50貼合，而封入於該等一對基板(支撐基板10、密封基板50)間，以使該有機EL元件20不因水分或氧而受損。

有機EL顯示面板1係藉由如此般將有機EL元件20封入於支撐基板10與密封基板50之間，可防止氧或水分自外部滲入有機EL元件20。

又，於支撐基板10中之框狀之密封區域L之外側設置有形成有電氣配線端子2(電性連接部、連接端子)等之端子部區域R3。

電氣配線端子2係連接電路部102之連接端子103之連接端子，由金屬等配線材料所形成。

於電路部102設置有例如撓性薄膜電纜(film cable)等配線或驅動器等驅動電路等。

如圖2所示，電路部102係經由設置於端子部區域R3之電氣配線端子2而與有機EL顯示面板1連接。

<支撐基板10之構成>

此處，以下參照圖3對包含端子部區域R3之支撐基板10中之各區域進行說明。

圖3係表示有機EL顯示裝置100中之支撐基板10之概略構成之俯視圖。

如圖3所示，於作為支撐基板10之主動面(主動元件形成面)之一個主面設置有顯示區域R1、第2電極連接區域R2、端子部區域R3及框狀之密封區域L。

<顯示區域R1>

顯示區域R1(顯示部)設置於支撐基板10之中央部，形成為例如矩形狀。於顯示區域R1形成有包含複數之子像素71(參照圖4及圖5)之像素陣列。再者，以下對顯示區域R1之構成進行詳細敍述。

<第2電極連接區域R2>

第2電極連接區域R2係連接有機EL元件20中之第2電極31(參照圖5)之區域。例如，第2電極連接區域R2係於顯示區域R1之2組成對之邊中一組成對之邊之外側，分別沿著對向之邊而形成。

於該等第2電極連接區域R2分別形成有連接部60(連接電極)。連接部60係連接第2電極31之部分，由金屬材料所形成。

<密封區域L>

如上所述，於密封區域L形成有用以將支撐基板10與密封基板50貼合之密封樹脂層41。

如圖3所示，密封區域L係以包圍顯示區域R1及第2電極 連接區域R2之方式形成為框狀。

<端子部區域R3>

如上所述，端子部區域R3係用於像素部101與電路部102之連接之區域。端子部區域R3係於框狀之密封區域L之外側，沿著該框狀之密封區域L而設置。

具體而言，如圖3所示，端子部區域R3係於各第2電極連接區域R2之外側，沿著各第2電極連接區域R2而形成。又，端子部區域R3係於顯示區域R1中之未設置有上述第2電極連接區域R2之另一組成對之邊之外側，分別沿著對向之邊而形成。

再者，端子部區域R3無需存在於所有邊，例如，亦可僅集中形成於任一邊。

<顯示區域R1之構成>

繼而，對顯示區域R1之構成進行說明。

圖4係表示支撐基板10中之顯示區域R1之主要部分之構成的俯視圖，圖5係表示沿著圖4所示之A-A線切斷有機EL顯示面板1時之有機EL顯示面板1之概略構成的剖面圖。

如圖4及圖5所示，顯示區域R1係由形成有有機EL元件20之複數之像素70構成。

各像素70各自包含複數之子像素71。有機EL顯示裝置100係全彩之主動矩陣型之有機EL顯示裝置，例如如圖5所示，由發出紅(R)色之光之子像素71(以下，記作「子像素71R」)、發出綠(G)色之光之子像素71(以下，記作「子像素71G」)、發出藍(B)色之光之子像素71(以下，記作「子 像素71B」)之3個子像素71R．71G．71B構成1個像素70。

於顯示區域R1中，包含具有該等R、G、B之各色之發光色之有機EL元件20的各色之子像素71呈矩陣狀排列。於本實施形態中，各子像素71R．71G．71B係以如下之方式排列：於支撐基板10之主動面中之X軸方向(橫向)及Y軸方向(縱向)中之一個方向(例如X軸方向)上，相同發光色之子像素71相鄰，於另一個方向(例如Y軸方向)上，不同發光色之子像素71相鄰。

如圖4及圖5所示，於顯示區域R1中，於X軸方向及Y軸方向上配置有複數之信號線14(配線)。

信號線14包含例如選擇像素之複數根線(閘極線)、寫入資料之複數根線(源極線)、對有機EL元件20供給電力之複數根線(電源線)等。

再者，閘極線係沿著例如X軸方向敷設，源極線係以與閘極線交叉之方式，沿著例如Y軸方向敷設。

又，於閘極線連接有驅動閘極線之未圖示之閘極線驅動電路，於源極線連接有驅動源極線之未圖示之資料線驅動電路。

各子像素71排列於由該等信號線14所包圍之區域中。即，由該等信號線14所包圍之區域為1個子像素71，針對每一子像素71，形成有各色之發光區域72。

該等信號線14係於顯示區域R1外，與電路部102之外部電路連接。藉由自電路部102對信號線14輸入電氣信號，可使配置於信號線14之交叉部之有機EL元件20驅動(發 光)。

於各子像素71R．71G．71B分別設置有連接於有機EL元件20中之第1電極21之TFT12。

信號線14連接於設置於該等各子像素71之TFT12。於主動矩陣型之情形時，於各子像素71配置有至少1個TFT12。

再者，亦可進而於各子像素71形成保持所寫入之電壓之電容器或用以補償TFT12之特性變動之補償電路。

各子像素71之發光強度係由信號線14及TFT12之掃描及選擇而決定。有機EL顯示裝置100係使用TFT12，選擇性地使有機EL元件20以所期望之亮度發光，藉此實現圖像顯示。

<支撐基板10之剖面構成>

如圖4及圖5所示，支撐基板10包含絕緣基板11作為基底基板。

如圖5所示，於顯示區域R1中，支撐基板10具有於玻璃基板等透明之絕緣基板11上形成有TFT12(開關元件)及信號線14、層間絕緣膜13(平坦化膜)、邊罩(edge cover)15等之構成。

於絕緣基板11上設置有信號線14，並且對應於各子像素71R．71G．71B而分別設置有TFT12。再者，先前已熟知TFT之構成。又，TFT12係利用既知之方法而製作。因此，省略TFT12中之各層之圖示以及說明。

層間絕緣膜13係以覆蓋各子像素71R．71G．71B及信號線14之方式，遍及絕緣基板11之整個區域而積層於絕緣基板 11上。

於層間絕緣膜13上形成有有機EL元件20中之第1電極21。

又，於層間絕緣膜13設置有用以將有機EL元件20中之第1電極21電性連接於TFT12之接觸孔13a。藉此，TFT12係經由接觸孔13a而電性連接於有機EL元件20。

邊罩15係用以防止於第1電極21之端部(圖案端部)，因下述之有機EL層43變薄或發生電場集中而有機EL元件20中之第1電極21與第2電極31發生短路的絕緣層(障壁)。

邊罩15係以被覆第1電極21之端部(圖案端部)之方式形成於層間絕緣膜13上。

於邊罩15，針對每一子像素71R．71G．71B而設置有開口部15R．15G．15B。藉此，第1電極21係如圖5所示，於不存在邊罩15之部分(開口部15R．15G．15B)露出。該露出部分成為各子像素71R．71G．71B之發光區域72。

<有機EL元件20之構成>

於本實施形態中，藉由使用發光色為白(W)色之發光層，對各子像素71導入微空腔構造，而如上所述，實現全彩之圖像顯示。

此時，藉由如上述般併用CF層52，而可利用CF層52對自有機EL元件20射出之光之光譜進行調整。

有機EL元件20係可利用低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光元件，其依序積層有第1電極21、有機EL層43、第2電極31。

第1電極21係具有對上述有機EL層43注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21係經由接觸孔13a而與TFT12連接。

又，第2電極31係具有對上述有機EL層43注入(供給)電子之功能之層。

於如此般組合W發光之發光層與CF層52之情形時，經由載子產生層而積層載子傳輸層(電洞傳輸層、電子傳輸層)及發光層。

具體而言，於第1電極21與第2電極31之間，如圖5所示，作為有機EL層43，而自第1電極21側起，依序形成有電洞注入層22、電洞傳輸層23、第1發光層24、電子傳輸層25、載子產生層26、電洞傳輸層27、第2發光層28、電子傳輸層29及電子注入層30。再者，第1發光層24及第2發光層28之發光色不同，藉由其等發光色之重合，而獲得W發光。

作為上述發光色之組合，可列舉例如藍色光與黃色(更佳為使綠色與紅色具有峰值強度之黃色(橙色))光之組合、藍色光與黃色光之組合等。又，如下所述，於除第1發光層24及第2發光層28以外，亦積層第3發光層，藉此利用3色之發光色之重合而獲得W發光之情形時，作為上述發光色之組合，可列舉紅色光、藍色光、綠色光之組合。

再者，於本實施形態中，形成藍色之發光色之發光層作為第1發光層24，形成橙色之發光色之發光層作為第2發光層28。

於如此般積層第1發光層24及第2發光層28作為發光層之 情形時，藉由有機EL元件20而獲得對自第1發光層24及第2發光層28射出之光之混合添加微空腔效應所得之光。又，藉由利用設置於密封基板50之CF層52調整上述光，可將具有所期望之光譜之光提取至外部。藉由如此般組合W發光之發光層、微空腔效應及CF層52，可提高色純度。

電洞注入層22係具有提高自第1電極21向有機EL層43之電洞注入效率之功能之層。另一方面，電子注入層30係具有提高自第2電極31向有機EL層43之電子注入效率之功能之層。

又，電洞傳輸層23係具有提高對於第1發光層24之電洞傳輸效率之功能之層，電洞傳輸層27係具有提高對於第2發光層28之電洞傳輸效率之功能之層。

另一方面，電子傳輸層25係具有提高對於第1發光層24之電子傳輸效率之功能之層，電子傳輸層29係具有提高對於第2發光層28之電子傳輸效率之功能之層。

第1發光層24及第2發光層28分別為具有使自第1電極21側注入之電洞與自第2電極31側注入之電子再結合而射出光之功能之層。第1發光層24及第2發光層28分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料所形成。

又，載子產生層26係用以對第1發光層24側供給電子，且對第2發光層28側供給電洞之層。

即，若將電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層考慮為1個單元，則第1發光層24側之單元與第2發光層28側之單元經由載子產生層26而連接。

於如此般組合有W發光之發光層(例如第1發光層24及第2發光層28)與CF層52之有機EL顯示裝置100中，由於利用微空腔效應、CF層52或其他方法而變更各子像素71之發光色，故無需針對每一子像素71分塗發光層。

因此，於本實施形態中，如圖5所示，電洞注入層22、電洞傳輸層23、第1發光層24、電子傳輸層25、載子產生層26、電洞傳輸層27、第2發光層28、電子傳輸層29、電子注入層30及第2電極31係以覆蓋第1電極21及邊罩15之方式，遍及支撐基板10中之顯示區域R1之整個表面同樣地形成。

再者，於圖5中，列舉於將電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層設為1個單元時第1發光層24側之單元與第2發光層28側之單元經由載子產生層26而連接之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。

例如，亦可同樣地積層包含第3發光層之單元，亦可積層4個以上之單元。

又，亦可具有直接積層有第2發光層與第3發光層之積層構造。

進而，雖未進行圖示，但亦可視需要，插入阻止電洞、電子等載子之流動之載子阻擋層。例如，藉由在發光層與電子傳輸層之間追加電洞阻擋層作為載子阻擋層，可阻止電洞穿過電子傳輸層，而提高發光效率。同樣地，藉由在發光層與電洞傳輸層之間追加電子阻擋層作為載子阻擋層，可阻止電子穿過電洞傳輸層。

又，亦可於電子傳輸層與載子產生層之間插入電子注入層。

作為有機EL元件20之構成之一例，例如，可採用如下述(1)~(8)所示之層構成及該等層之組合。

(1)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電子傳輸層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第2發光層)/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(2)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電子傳輸層/電子注入層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第2發光層)/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(3)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第2發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(4)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第1發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/載子產生層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第2發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(5)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電子傳輸層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第2發光層)/電子傳輸層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第3發光層)/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(6)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第1發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/載子產生層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第2發光層)/電洞阻 擋層/電子傳輸層/電子注入層/載子產生層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第3發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(7)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電子傳輸層/載子產生層/電洞傳輸層/發光層(第2發光層)/發光層(第3發光層)/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(8)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第1發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/載子產生層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層(第2發光層)/發光層(第3發光層)/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

又，於本實施形態中，列舉如下之情形為例進行了說明：經由載子產生層而設置載子傳輸層(電洞傳輸層、電子傳輸層)及W發光之發光層(第1發光層24、第2發光層28)，設置有第1發光層24及第2發光層28之至少2個發光層作為W發光之發光層。

然而，發光層以外之有機層並非為有機EL層43所必需之層，又，發光層設置至少1個即可。有機EL層43之構成根據所要求之有機EL元件20之特性適當形成即可。

因此，作為一例，上述有機EL元件20亦可具有例如(9)所示之層構成。

(9)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層(第1發光層)/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

又，一個層亦可具有複數之功能，例如，電洞注入層與電洞傳輸層既可如上述般作為相互獨立之層而形成，亦可 相互一體化地設置。即，亦可設置電洞注入層與電洞傳輸層一體化之電洞注入層兼電洞傳輸層，作為電洞注入層及電洞傳輸層。

同樣地，電子傳輸層與電子注入層既可如上述般作為相互獨立之層而形成，亦可作為電子傳輸層兼電子注入層而相互一體化地設置。

再者，上述積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極31設為陰極。於將第1電極21設為陰極，將第2電極31設為陽極之情形時，有機EL層43之積層順序反轉。

再者，藉由將第1電極21設為半透明電極，將第2電極31設為反射電極，而形成底部發光型之有機EL元件20。

另一方面，藉由將第1電極21設為反射電極，將第2電極31設為半透明電極，而形成頂部發光型之有機EL元件20。

再者，有機EL元件20之構成並不限定於上述例示之層構成，亦可根據所要求之有機EL元件20之特性而探用所期望之層構成。

<圖像顯示方法>

圖6係對本實施形態之有機EL顯示裝置100之圖像顯示方法進行說明之模式圖。再者，於圖6中，簡化表示有機EL元件20之光徑之主要部分之構成。

本實施形態之有機EL元件20具有微空腔構造。

所謂微空腔，係指藉由發出之光於陽極與陰極之間進行多次反射並發生共振，而發射光譜變陡，且波峰波長之發光強度被放大之現象。

微空腔效應可藉由例如將陽極或陰極之反射率及膜厚、有機層之膜厚等設計為最佳而獲得。

本實施形態之有機EL元件20係頂部發光型之有機EL元件，如圖6所示，為陰極且提取發光之側之第2電極31係作為半透明電極(半穿透反射電極)而發揮功能，為陽極且未提取發光之側之第1電極21係藉由包含反射電極層111而作為反射電極來發揮功能。

因此，自設置於第1電極21與第2電極31之間之有機EL層43中之發光層(圖5所示之例中為第1發光層24及第2發光層28)發出之光係於第1電極21中之反射電極層111與第2電極31之間重複進行反射。

此時，如圖6所示，針對每一發光色，改變各子像素71R．71G．71B中之有機EL元件20之光徑長73R．73G．73B，藉此，自上述發光層發出之光於第1電極21之反射層與第2電極31之間往返，而特定波長之光之強度被放大。

於本實施形態中，於反射電極層111上設置透明電極層121，針對每一子像素71R．71G．71B變更該透明電極層121之膜厚，藉此，變更各子像素71R．71G．71B中之有機EL元件20之光徑長73R．73G．73B。

具體而言，於本實施形態中，如圖5及圖6所示，於子像素71B中僅利用反射電極層111形成第1電極21，將子像素71R．71G設為反射電極層111與透明電極層121之積層構造，利用1層或2層構成子像素71R．71G中之反射電極層111上之透明電極層121，藉此，變更各子像素71R．71G．71B中 之透明電極層121之膜厚。

藉由如此般變更各子像素71R．71G．71B中之透明電極層121之膜厚，可使微空腔效應發生變化而調整發光色。

各子像素71R．71G．71B中之有機EL元件20之光徑長73R．73G．73B、即各子像素71R．71G．71B中之微空腔構造內之光徑之光學距離係以與應發生共振之光之波長具有固定關係之方式設定。

即，藉由如上述般對各子像素71R．71G．71B中之第1電極21之反射電極層111與第2電極31之間的距離進行調整而使光徑長一致之波長之光之強度藉由共振得到加強，而僅波長一致之光自第2電極31側射出。另一方面，除此以外之光徑長發生偏移之波長之光之強度較弱。

因此，該等光徑長73R．73G．73B設定為與來自第2電極31之發射光之色相對應之光學長。

如本實施形態所示，例如，於子像素71中之顯示色為R、G、B之情形時，各光徑長73R．73G．73B係為了與該等R、G、B之各色之發射光譜峰波長一致，而以各光徑長73R．73G．73B按照光徑長73R>光徑長73G>光徑長73B之順序變短之方式設定各子像素71R．71G．71B中之透明電極層121之膜厚。

然而，由於各光之適於共振之光徑長存在複數個，故亦可不一定按照光徑長73R>光徑長73G>光徑長73B之順序變短，亦可具有除此以外之關係。

即，與R光之有機EL層43重疊之透明電極層121設定為 適於R光之共振之厚度，與G光之有機EL層43重疊之透明電極層121設定為適於G光之共振之厚度，與B光之有機EL層43重疊之透明電極層121設定為適於B光之共振之厚度。藉此，可發射色純度較高之光，而可提高有機EL顯示裝置100之色再現性。

<有機EL顯示裝置100之製造方法>

繼而，對本實施形態之有機EL顯示裝置100之製造方法進行說明。

首先，對有機EL元件20中之各層之材料及積層方法之概略進行說明。

<有機EL元件20中之各層之材料及積層方法之概略>

第1電極21係利用濺鍍法等形成電極材料之後，藉由光微影術技術及蝕刻等，對應於各個子像素71R．71G．71B而圖案形成。

作為第1電極21，可使用多種導電性材料，但於如上述般向絕緣基板11側放射光之底部發光型之有機EL元件20之情形時，必需為半透明。

另一方面，於自絕緣基板11之相反側放射光之頂部發光型之有機EL元件20之情形時，第2電極31必需為半透明。

於有機EL元件20為頂部發光型之情形時，理想的是對第1電極21中之反射電極層111使用不透明之電極。作為反射電極層111中使用之反射電極材料，可使用例如Ag(銀)、Ag合金、Al(鋁)、Al合金及包含含有該等電極材料之層之積層體(積層膜)。

又，作為透明電極層121中使用之透明電極材料，可使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)、氧化鋅鎵(GZO，Gallium Zinc Oxide)等。

另一方面，理想的是對第2電極31使用半透明電極。作為半透明電極，可使用例如金屬之半透明電極單質、金屬之半透明電極層與透明電極層之積層體，但就反射率．穿透率之觀點而言，較佳為銀。

又，作為第1電極21及第2電極31之積層方法，可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD(chemical vapor deposition、化學蒸鍍)法、電漿CVD法、印刷法等。

於本實施形態中，為了利用光徑長之差而控制所射出之發光色，藉由對子像素71R．71G．71B變更第1電極21或第2電極31(圖5及圖6所示之例中為第1電極21)中之透明電極層121之厚度，而對子像素71R．71G．71B導入微空腔構造。

再者，以下對如此般藉由變更透明電極層121之厚度而對子像素71R．71G．71B導入微空腔構造之方法進行詳細敍述。

作為有機EL層43之材料，可使用既知之材料。

作為電洞注入層、電洞傳輸層或電洞注入層兼電洞傳輸層之材料，可列舉例如蒽、氮雜聯伸三苯、茀酮、腙、茋、聯伸三苯、苯炔、苯乙烯基胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、二唑、噁唑、多芳基烷烴、苯二胺、芳基胺及該等之衍生物、噻吩系化合物、聚矽烷系化合物、乙烯 咔唑系化合物、苯胺系化合物等鏈狀式或雜環式共軛系之單體、低聚物或聚合物等。

作為電子傳輸層、電子注入層或電子傳輸層兼電子注入層之材料，可列舉例如三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹噁啉衍生物、噻咯衍生物等。

作為發光層之材料，可使用低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料。可列舉例如蒽、萘、茚、菲、芘、稠四苯、聯伸三苯、苝、苉、丙二烯合茀、乙烯合菲、戊芬、稠五苯、蔻、丁二烯、香豆素、吖啶、茋及該等之衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(苯并羥基喹啉)鈹錯合物、三(二苯甲醯基甲基)啡啉銪錯合物、二甲苯甲醯基乙烯基聯苯、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑等。

再者，對於發光層，既可分別使用單一之材料，亦可使用以某材料為主體材料，將其他材料作為客體材料或摻雜劑而混入之混合材料。

作為載子產生層之材料，可列舉氧化鉬或五氧化釩等金屬氧化物、或將其等與芳香族烴或咔唑衍生物等共蒸鍍所得者、Au或Ag之金屬薄膜、IZO或ITO等透明導電層(透明電極層)等。

<有機EL顯示裝置100之製造方法>

繼而，對有機EL顯示裝置100之製造方法進行說明。

然而，本實施形態中記載之各構成要素之尺寸、材質、形狀等始終只是一實施形態，不應由此而限定解釋本發明 之範圍。

首先，參照圖7，對有機EL顯示裝置100之製造步驟之流程之概要進行說明。

圖7係按步驟表示有機EL顯示裝置100之製造步驟之一例之流程圖。

又，如上所述，本實施形態中記載之積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極31設為陰極，於將第1電極21設為陰極，將第2電極31設為陽極之情形時，於第1電極21與第2電極31中，其材料以及厚度反轉。

首先，於步驟S1中，利用既知之方法，如圖5所示，於絕緣基板11之顯示區域R1上形成TFT12、信號線14、層間絕緣膜13及接觸孔13a。

於如本實施形態般製造頂部發光型之有機EL顯示裝置100之情形時，作為絕緣基板11，使用例如板厚0.7~1.1 mm之無鹼玻璃基板等玻璃基板或塑膠基板。

再者，絕緣基板11之X軸方向及Y軸方向之大小根據用途等適當設定即可，並無特別限定。再者，於本實施形態中，使用板厚0.7 mm之無鹼玻璃基板。

層間絕緣膜13及接觸孔13a係藉由利用公知之技術於形成有TFT12以及信號線14等之絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，並利用光微影術技術進行圖案化而形成。

再者，作為層間絕緣膜13，可使用既知之感光性樹脂。作為上述感光性樹脂，可列舉例如丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂等。作為層間絕緣膜13之膜厚，只要能夠補償由 TFT12所引起之階差即可，並無特別限定。於本實施形態中，例如，將丙烯酸樹脂成膜為約2 μm之膜厚。

再者，於該步驟中，以將用以驅動TFT12之閘極線及源極線等信號線14抽出至端子部區域R3為止之方式圖案形成。又，於該步驟中，例如如圖3所示，於第2電極連接區域R2圖案形成連接部60。

繼而，於步驟S2中，針對每一子像素71R．71G．71B製作厚度不同之第1電極21。再者，以下對如上所述有機EL顯示裝置100為頂部發光型之情形時之第1電極21之製作方法進行詳細敍述。

然後，於步驟S3中，於層間絕緣膜13上被覆第1電極21之端部(圖案端部)，並且如圖4所示，針對每一子像素71R．71G．71B以形成開口部15R．15G．15B之方式製作邊罩15。

與層間絕緣膜13同樣地，對於邊罩15，可使用既知之感光性樹脂。作為上述感光性樹脂，可列舉例如丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹脂等。

邊罩15係為了補償由相鄰之子像素71中之第1電極21之層厚之差異而引起之階差，並且防止於上述第1電極21之端部，第1電極21與第2電極31發生短路，而將自第1電極21之膜厚最厚之子像素71R中之第1電極21之表面起之高度設定為例如約1 μm。

於本實施形態中，以自子像素71R中之第1電極21之表面起之高度成為約1 μm之方式，圖案化形成自層間絕緣膜13 之表面起之高度約為1.2 μm之含有丙烯酸樹脂之邊罩15。

藉由以上步驟，製作形成有第1電極21及邊罩15之支撐基板10。

繼而，於步驟S4中，對經由如上所述之步驟而獲得之支撐基板10實施用於脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理之後，如圖5所示，以被覆第1電極21及邊罩15之方式，於支撐基板10之顯示區域R1之整個表面製作有機EL層43。再者，以下對有機EL層43之製作方法進行具體說明。

然後，於步驟S5中，利用既知之方法形成第2電極31。具體而言，為了於顯示區域R1之整個表面形成第2電極31，並且與第2電極連接區域R2之連接部60電性連接，而以使其等區域露出之方式，利用例如使用蒸鍍用之遮罩之蒸鍍法而圖案形成。再者，對於第2電極31之製作，可使用與有機EL層43相同之方法。

第2電極31之膜厚較佳為10~30 nm。於第2電極31之膜厚未達10 nm之情形時，有無法充分進行光之反射，而無法充分獲得微空腔效應之虞。另一方面，於第2電極31之膜厚超過30 nm之情形時，有光之穿透率下降而亮度降低之虞。於本實施形態中，形成膜厚為20 nm之Ag而作為第2電極31。

藉此，於支撐基板10上形成包含第1電極21、有機EL層43及第2電極31之有機EL元件20。

繼而，於步驟S6中，如圖2所示，利用密封樹脂層41將 形成有有機EL元件20之支撐基板10與密封基板50貼合，而進行有機EL元件20之封入。

又，有機EL元件20之封入可以例如如下之方式進行。

首先，如圖2所示，於包圍圖3所示之支撐基板10中之顯示區域R1及第2電極連接區域R2之框狀之密封區域L形成密封樹脂層41。

繼而，於由支撐基板10與密封樹脂層41所包圍之空間內，以覆蓋第2電極31之方式，填充含有乾燥劑之具有接著性之填充樹脂層42作為防止氧或水分自外部滲入有機EL元件20內之保護膜。

對於填充樹脂層42，使用例如環氧樹脂等。填充樹脂層42之膜厚為例如1~20 μm。

然後，經由該密封樹脂層41，將支撐基板10與密封基板50貼合。

藉此，利用支撐基板10、密封基板50、密封樹脂層41及填充樹脂層42而將有機EL元件20密封。

作為密封基板50，使用例如具有0.4~1.1 mm之板厚之玻璃基板或塑膠基板等絕緣基板。再者，於本實施形態中，使用板厚0.7 mm之無鹼玻璃基板。

然後，於步驟S7中，如圖2所示，經由例如未圖示之ACF(Anisotropic Conductive Film：各向異性導電膜)，將電路部102之連接端子103連接於支撐基板10之端子部區域R3之電氣配線端子2。如此，製造有機EL顯示裝置100。

再者，密封基板50之X軸方向及Y軸方向之大小亦可根 據作為目的之有機EL顯示裝置100之尺寸而適當調整，亦可使用與支撐基板10中之絕緣基板11大致相同之尺寸之絕緣基板，密封有機EL元件20之後，依據作為目的之有機EL顯示裝置100之尺寸而分斷。

<有機EL層43之製作步驟之流程>

繼而，列舉具有圖5所示之構成之有機EL顯示裝置100為例，對步驟S4中之有機EL層43之製作步驟之流程之概要進行說明。

圖8係按步驟表示有機EL層43之製作步驟之一例之流程圖。

其中，圖8所示之積層順序係將第1電極21設為陽極，將第2電極31設為陰極，於將第1電極21設為陰極，將第2電極31設為陽極之情形時，有機EL層43之積層順序反轉。

於圖7所示之步驟S4中，對實施了用於脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理之支撐基板10，如圖8所示，首先，以被覆第1電極21及邊罩15之方式，於支撐基板10之顯示區域R1之整個表面藉由蒸鍍而圖案形成電洞注入層22(步驟S11)。

對於上述圖案形成，使用例如真空蒸鍍法。於真空蒸鍍法中，使密接固定有顯示區域R1之整個表面開口之遮罩(開放遮罩)之支撐基板10之被蒸鍍面與蒸鍍源對向，使來自蒸鍍源之蒸鍍粒子(成膜材料)通過遮罩之開口而蒸鍍於被蒸鍍面。藉此，使自蒸鍍源飛散之蒸鍍粒子通過開放遮罩之開口部而均勻地蒸鍍於顯示區域R1之整個表面。

再者，關於上述蒸鍍，例如，既可於使顯示區域R1之整個表面開口之開放遮罩相對於支撐基板10進行對準調整後將其密接貼合，一面使支撐基板10與開放遮罩一併旋轉，一面使自蒸鍍源飛散之蒸鍍粒子通過開放遮罩之開口部而蒸鍍於顯示區域R1，亦可使用上述開放遮罩，進行於支撐基板10與開放遮罩密接固定之狀態下掃描蒸鍍源而蒸鍍般之掃描蒸鍍。

再者，此處，所謂對顯示區域R1之整個表面進行蒸鍍，係指遍及鄰接之色不同之子像素間不間斷地進行蒸鍍。

對於上述蒸鍍，可使用與先前相同之真空蒸鍍裝置。因此，此處，對真空蒸鍍裝置以及蒸鍍方法之詳細情況省略說明以及圖示。

再者，於如上述般使用真空蒸鍍裝置而成膜蒸鍍膜之情形時，理想的是該真空蒸鍍裝置藉由真空泵而設定為1.0×10^-4 Pa以上之真空極限率。換言之，理想的是真空室內之壓力設定為1.0×10^-4 Pa以下。

為了成為高於1.0×10^-3 Pa之真空度，蒸鍍粒子之平均自由徑必需獲得充分之值。另一方面，若真空度低於1.0×10^-3 Pa，則該平均自由徑變短，從而蒸鍍粒子散射，對於被成膜基板即支撐基板10之到達效率降低，或蒸鍍粒子附著於不需要之區域。因此，理想的是真空室設定為上述真空極限率。

繼而，於步驟S12中，使用開放遮罩，以被覆電洞注入層22之方式，以與電洞注入層22相同之圖案，以與電洞注 入層22相同之方式，於顯示區域R1之整個表面圖案形成(蒸鍍)電洞傳輸層23。

然後，使用開放遮罩，以被覆上述電洞傳輸層23之方式，以與電洞注入層22及電洞傳輸層23相同之圖案，以與電洞注入層22及電洞傳輸層23相同之方式，於顯示區域R1之整個表面，於各步驟中，依序同樣地圖案形成(蒸鍍)第1發光層24(步驟S13)、電子傳輸層25(步驟S14)、載子產生層26(步驟S15)、電洞傳輸層27(步驟S16)、第2發光層28(步驟S17)、電子傳輸層29(步驟S18)、電子注入層30(步驟S19)。

該等有機EL層43之膜厚設定為例如與先前相同。

再者，電洞注入層22與電洞傳輸層23既可如上述般作為獨立之層而形成，亦可如上述般一體化。作為各自之膜厚，例如為1~100 nm。又，電洞注入層22與電洞傳輸層23之合計膜厚為例如2~200 nm。

又，電子傳輸層29與電子注入層30既可如上述般作為獨立之層而形成，亦可如上述般一體化。

作為電子傳輸層25、電子傳輸層29、電子注入層30各自之膜厚，例如為1~100 nm。又，電子傳輸層29與電子注入層30之合計膜厚為例如20~200 nm。

第1發光層24及第2發光層28各自之膜厚為例如10~100 nm。

又，載子產生層26之膜厚為例如1~30 nm。

於本實施形態中，成膜膜厚為2 nm之酞菁銅作為電洞注 入層22。又，成膜膜厚為30 nm之NPB(4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯)作為電洞傳輸層23。

又，分別成膜膜厚為40 nm之二唑衍生物作為電子傳輸層25及電子傳輸層29。又，成膜膜厚為1 nm之氟化鋰作為電子注入層30。

又，分別將以銥錯合物為客體材料，共蒸鍍作為主體材料之CBP(4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯)而得者成膜為膜厚30 nm，而作為第1發光層24及第2發光層28。又，將共蒸鍍氧化鉬與NPB所得者成膜為膜厚10 nm，而作為載子產生層26。

再者，於積層包含第3發光層之單元之情形時，例如，於步驟S18與步驟S19之間，如兩點劃線所示，依序同樣地圖案形成(蒸鍍)載子產生層(步驟S21)、電洞傳輸層(步驟S22)、第3發光層(步驟S23)、電子傳輸層(步驟S24)。

作為此情形時之載子產生層、電洞傳輸層、第3發光層、電子傳輸層之材料及膜厚，例如，與包含第2發光層28之單元同樣地設定即可。

於如上所述之有機EL顯示裝置100中，當藉由來自信號線14之信號輸入而使TFT12導通(ON)時，自第1電極21向有機EL層43注入電洞(hole)。另一方面，當自第2電極31對有機EL層43注入電子，電洞與電子於各發光層內再結合，再結合所得之電洞及電子使能量失活時，作為光而射出。

於本實施形態中，第1發光層24及第2發光層28係不同之發光色之發光層，藉由有機EL元件20而獲得自第1發光層 24及第2發光層28射出之光之混合受到微空腔效應所得之光。

<第1電極21之製作方法>

繼而，對頂部發光型之有機EL顯示裝置100中之第1電極21之製作方法(即，針對每一子像素71而光徑長均不同之電極之製作方法)進行說明。

圖1(a)~(i)係按步驟表示步驟S2所示之頂部發光型之有機EL顯示裝置100中之第1電極21之製作方法之一例的剖面圖。

首先，於形成有圖5所示之層間絕緣膜13及接觸孔13a之支撐基板10上，如圖1(a)所示，利用濺鍍法等依序成膜作為透明電極層之非晶質(amorphous)之ITO(以下，記作「a-ITO」)層110、含有金屬材料等反射電極材料之反射電極層111、作為透明電極層之a-ITO層112(第1透明電極層)。

繼而，於上述a-ITO層112上，針對每一子像素71R．71G．71B，藉由光微影術而形成抗蝕圖案201R．201G．201B。然後，將各抗蝕圖案201R．201G．201B作為遮罩，如圖1(b)所示，對a-ITO層110、反射電極層111及a-ITO層112進行蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗該等抗蝕圖案201R．201G．201B。

藉此，如圖1(b)所示，以針對各色之每一子像素71R．71G．71B而將a-ITO層110、反射電極層111及a-ITO層112分離之方式進行圖案化。即，針對各色之每一子像素71R．71G．71B而形成經圖案化之a-ITO層110、反射電極層 111及a-ITO層112。

作為上述反射電極層111中使用之反射電極材料，較佳為與a-ITO不發生電蝕反應之反射電極材料，可使用例如選自由Ag、Ag合金及Al合金所組成之群之任一種。

又，反射電極層111之厚度設定為例如50~200 nm。於本實施形態中，成膜電極厚度為100 nm之銀合金作為反射電極層111。

又，a-ITO層110之膜厚設定為例如200 nm以下(0~200 nm)。a-ITO層112之膜厚設定為例如5~50 nm。於本實施形態中，成膜電極厚度為100 nm之a-ITO層110及電極厚度為20 nm之a-ITO層112。

再者，對於上述蝕刻，使用利用例如磷酸．硝酸．醋酸之混合液或氯化鐵等蝕刻液作為蝕刻液之濕式蝕刻。又，對於抗蝕劑剝離液，使用例如單異丙醇胺等。

然後，藉由對上述支撐基板10進行熱處理(退火)，而如圖1(c)所示，使a-ITO層110．112結晶化。

再者，上述熱處理中之處理溫度以及處理時間係以能夠使a-ITO層110．112結晶化之方式適當設定即可，並無特別限定。

於本實施形態中，於200℃下進行熱處理1小時。藉此，a-ITO轉化為結晶性之ITO(以下，記作「p-ITO」)。其結果，如圖1(c)所示，各子像素71R．71G．71B中之a-ITO層110．112轉化為p-ITO層113．114。

再者，於自a-ITO向p-ITO之轉化中，不存在膜厚之減少 等，而維持a-ITO之成膜時之膜厚。

繼而，如圖1(d)所示，於上述支撐基板10上，以覆蓋上述p-ITO層113、反射電極層111及p-ITO層114(第1透明電極層)之方式，藉由例如濺鍍而成膜作為透明電極層之a-ITO層115(第2透明電極層)。

a-ITO層115之膜厚設定為例如40~120 nm。於本實施形態中，成膜電極厚度為80 nm之a-ITO層115。

繼而，如圖1(d)所示，於子像素71R中之a-ITO層115上，藉由光微影術，以俯視時覆蓋經圖案化之上述p-ITO層113、反射電極層111及p-ITO層114之方式形成抗蝕圖案202R。

此時，抗蝕圖案202R係以俯視時覆蓋反射電極層111之下層之p-ITO層113之圖案端部之方式，形成為較子像素71R中之p-ITO層113之圖案寬。

換言之，抗蝕圖案202R係俯視時與上述反射電極層111及p-ITO層113重疊，且形成為俯視時較上述反射電極層111及p-ITO層113大。

再者，俯視時抗蝕圖案202R自p-ITO層113之圖案端部起之突出量分別設定為2 μm。

然後，將抗蝕圖案202R作為遮罩，使用蝕刻液，如圖1(e)所示，對未由抗蝕圖案202R遮罩之a-ITO層115進行濕式蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗抗蝕圖案202R。

作為上述蝕刻液，使用例如草酸。藉此，可選擇性地對 a-ITO層115進行蝕刻。又，對於抗蝕劑剝離液，可使用與圖1(b)所示之蝕刻中使用之抗蝕劑剝離液相同之抗蝕劑剝離液。

此時，p-ITO層113．114及反射電極層111未被上述蝕刻液(草酸)蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，p-ITO層113．114及反射電極層111係藉由上述蝕刻未被去除而殘留。

藉此，如圖1(e)所示，僅將由抗蝕圖案202R遮罩之子像素71R之a-ITO層115以外之a-ITO層115去除。

然後，藉由對上述支撐基板10進行熱處理，而如圖1(f)所示，使a-ITO層115結晶化。

再者，上述熱處理中之處理溫度以及處理時間係以能夠使a-ITO層115結晶化之方式適當設定即可，並無特別限定。

於本實施形態中，與圖1(c)所示之步驟同樣地，於200℃進行熱處理1小時。藉此，a-ITO轉化為p-ITO。其結果，如圖1(f)所示，子像素71R中之a-ITO層115轉化為p-ITO層116。

繼而，如圖1(g)所示，於上述支撐基板10上，以覆蓋各子像素71R．71G．71B中之各透明電極層及反射電極層111之方式，藉由例如濺鍍而成膜作為透明電極層之a-ITO層117。

a-ITO層117之膜厚設定為例如20~60 nm。於本實施形態中，如下所述，由於在圖1(h)所示之步驟中藉由蝕刻而將子像素71R中之a-ITO層117去除，故以a-ITO層117之膜厚 小於p-ITO層116之膜厚(子像素71R中之光徑長73R)之方式成膜a-ITO層117。因此，將a-ITO層117之膜厚設定為小於p-ITO層116之膜厚之40 nm。

繼而，如圖1(g)所示，於子像素71G中之a-ITO層117上，藉由光微影術，以俯視時覆蓋經圖案化之上述p-ITO層113、反射電極層111及a-ITO層117之方式形成抗蝕圖案202G。

此時，抗蝕圖案202G係以俯視時覆蓋反射電極層111之下層之p-ITO層113之圖案端部之方式，形成為較子像素71G中之p-ITO層113之圖案寬。

即，抗蝕圖案202G俯視時亦與上述反射電極層111及p-ITO層113重疊，且形成為俯視時較上述反射電極層111及p-ITO層113大。

再者，俯視時抗蝕圖案202G自p-ITO層113之圖案端部起之突出量與抗蝕圖案202R同樣地，分別設定為2 μm。

然後，將抗蝕圖案202G作為遮罩，使用蝕刻液，如圖1(h)所示，對未由抗蝕圖案202G遮罩之a-ITO層117進行濕式蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗抗蝕圖案202G。

再者，對於上述蝕刻液及剝離液，可使用與圖1(e)所示之蝕刻中使用之蝕刻液及剝離液相同之蝕刻液及剝離液。藉此，可選擇性地對a-ITO層117進行蝕刻。

此時，p-ITO層113．114．116及反射電極層111未被上述蝕刻液(草酸)蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，p-ITO層 113．114．116及反射電極層111係藉由上述蝕刻未被去除而殘留。

藉此，如圖1(h)所示，僅將由抗蝕圖案202G遮罩之子像素71G之a-ITO層117以外之a-ITO層117去除。

然後，藉由對上述支撐基板10進行熱處理，而如圖1(i)所示，使a-ITO層117結晶化。

再者，上述熱處理中之處理溫度以及處理時間係以能夠使a-ITO層117結晶化之方式適當設定即可，並無特別限定。

此處，亦與圖1(c)所示之步驟同樣地，於200℃下進行熱處理1小時。藉此，如圖1(i)所示，子像素71G中之a-ITO層117轉化為p-ITO層118。

藉此，於子像素71R形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114．116包圍之第1電極21。

再者，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114．116係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71R中，以p-ITO層113．116之合計膜厚成為子像素71R之光徑長73R之方式設定各p-ITO層113．116之膜厚。

又，於子像素71G形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層 111之上層之透明電極層之p-ITO層114及膜厚小於p-ITO層116之p-ITO層118包圍之第1電極21。

於子像素71G中，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114．118係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71G中，以p-ITO層114．118之合計膜厚成為子像素71G之光徑長73G之方式設定各p-ITO層114．118之膜厚。

又，於子像素71B形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114夾持之第1電極21。

於子像素71B中，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71B中，以p-ITO層114之膜厚成為子像素71G之光徑長73G之方式設定p-ITO層114之膜厚。

然而，本實施形態並不限定於此，亦可具有於各子像素71R．71G．71B進而積層有未圖示之p-ITO層或如IZO層般組成與ITO層不同之透明電極層之構成。

如上所述，根據本實施形態，藉由如上述般重複進行a-ITO層之成膜步驟、藉由光微影術對上述a-ITO層進行蝕刻而將其圖案化之圖案化步驟、及將進行圖案化所得之a-ITO層轉化為p-ITO層之結晶化步驟，可對任意之子像素積層任意數量之p-ITO層。

藉由經由以上之處理，如圖1(i)所示，可針對不同色之每一子像素71R．71G．71B，改變透明電極層121之膜厚。

於本實施形態中，如此般形成第1電極21之後，如步驟S3所示，製作邊罩15。

圖9(a)係模式性地表示於步驟S3中於第1電極21上製作有邊罩15時之第1電極21之概略構成的剖面圖，圖9(b)係模式性地表示於步驟S3中於第1電極21上製作有邊罩15時之第1電極21之概略構成的俯視圖。

於本實施形態中，如圖1(d)所示，使抗蝕圖案202R以俯視時覆蓋反射電極層111之下層之p-ITO層113之圖案端部之方式形成為較子像素71R中之p-ITO層113之圖案寬。

因此，於本實施形態中，藉由圖1(e)所示之步驟中之蝕刻，由抗蝕圖案202R覆蓋之p-ITO層113之周圍之a-ITO層115未被蝕刻去除，而如圖9(a)．(b)所示，以覆蓋經圖案化之反射電極層111及p-ITO層113之方式殘留。

又，於本實施形態中，如圖1(g)所示，抗蝕圖案202G係以俯視時覆蓋反射電極層111之下層之p-ITO層113之圖案端部之方式形成為較子像素71G中之各p-ITO層113之圖案寬。

因此，於本實施形態中，藉由圖1(h)所示之步驟中之蝕刻，由抗蝕圖案202G覆蓋之p-ITO層113之周圍之a-ITO層117未被蝕刻去除，而如圖9(a)．(b)所示，以覆蓋經圖案化之反射電極層111及p-ITO層113之方式殘留。

因此，於本實施形態中，於圖1(e)或圖1(h)所示之步驟 後，於各子像素71R．71G中，不僅反射電極層111之上層不露出，其側面亦不露出。

再者，於圖1(a)~(i)所示之步驟中，於子像素71R．71G中之反射電極層111上積層有複數層p-ITO層，勿庸置疑，藉由變更形成抗蝕圖案之子像素，可於任意之子像素中之反射電極層111上積層複數層p-ITO層。

又，於使在反射電極層111上積層之p-ITO層之積層數增加之情形時，以與圖1(d)或圖1(g)所示之步驟相同之方式，於子像素71B上形成p-ITO層，藉此，不僅於子像素71R．71G中，於子像素71B中，亦可獲得反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114．116包圍之第1電極21。

<效果>

如上所述，於本實施形態中，於反射電極層111之上層(例如反射電極層111上)成膜a-ITO層112(第1透明電極層)作為含有非晶質之透明電極材料之透明電極層並統括地進行蝕刻之後，將該a-ITO層112轉化為含有多晶之透明電極材料之透明電極層(即p-ITO層114)，利用其與成膜於其之上方之透明電極層即a-ITO層115．117(第2透明電極層)之耐蝕刻性之差異而積層透明電極層，藉此於各子像素71R．71G．71B間變更上述透明電極層之合計膜厚。

如上所述，根據本實施形態，藉由如上述般於反射電極層111之上層成膜a-ITO層112，並統括地對反射電極層111 及a-ITO層112進行蝕刻，而不會增加光微影術之次數，且可於反射電極層111上積層p-ITO層114。

又，根據本實施形態，於成膜耐蝕刻性低於p-ITO層114(第1透明電極層)之透明電極層(第2透明電極層)即a-ITO層115．117之前，於各子像素71R．71G．71B預先積層有a-ITO層112，藉此，可對任意之子像素71積層上述第2透明電極層。

因此，即便不如專利文獻3般，為了堆積透明電極層而另外成膜具有結晶性之ITO層並將其圖案化，並且每當光微影術時於2個子像素形成相同膜厚之透明電極層之圖案，亦可利用2次光微影術，針對顯示色不同之每一子像素71R．71G．71B，形成反射電極層111上之透明電極層之合計膜厚(即透明電極層121之膜厚)不同之第1電極21。

即，根據本實施形態，如圖1(d)．(g)所示，作為為了針對每一子像素71R．71G．71B而變更透明電極層之膜厚(積層數)所需之光微影術之次數，可利用2次光微影術而針對每一子像素71R．71G．71B任意地變更反射電極層111上之透明電極層121之膜厚。又，根據本實施形態，即便包含反射電極層111之蝕刻，亦可將光微影術之次數抑制為3次。

因此，根據本實施形態，即便如上述般減少了光微影術之次數，亦可使任意之子像素71中之第2透明電極層之膜厚獨立於其他子像素71中之第2透明電極層之膜厚而設定。

據此，於本實施形態中，如上所述，利用含有非結晶之 透明電極材料之透明電極層與含有多晶之透明電極材料之透明電極層之蝕刻選擇性之差異(例如如上所述，a-ITO層與p-ITO層之蝕刻選擇性之差異)，進行各色單層中之透明電極層之堆積。

根據本實施形態，藉由將非結晶之透明電極材料轉化為多晶之透明電極材料，可提高對於蝕刻液之耐蝕刻性。

因此，根據本實施形態，可任意且容易地調整各子像素71R．71G．71B中之光徑長73R．73G．73B，而不會如專利文獻3般受光徑長之制約。

因此，根據本實施形態，可利用次數少於先前之光微影術，針對顯示色不同之每一子像素71任意地變更第1電極21之膜厚、換言之、有機EL元件20之光徑長。

因此，可實現較先前成本降低及佔據面積減少。

又，如上所述，於先前之方法中，由於抗蝕劑之剝離及烘烤步驟變多，故有反射電極層之表面粗糙或發生氧化而反射效率降低，或因反射電極之表面粗糙而發生電極間漏電而導致像素缺陷之虞。

然而，根據本實施形態，由於可減少曝光、顯影、抗蝕劑剝離處理等之次數，故不存在如上所述之擔憂，而可提高作為有機EL用基板之支撐基板10之品質。又，可縮短處理節拍。

又，於反射電極層111或信號線14之端子部由Ag所形成之情形時，若Ag處於暴露狀態(即露出狀態)，則當例如為了提高抗蝕劑之濕潤性而對支撐基板10進行紫外線照射 時，暴露之Ag發生氧化而成為氧化銀。

因此，於反射電極層111或信號線14之端子部由Ag所形成之情形時，不理想的是於進行紫外線照射之情形時，當紫外線照射時Ag處於暴露狀態。

又，於反射電極層111或信號線14之端子部由Al所形成之情形時，亦有Al之耐溶劑性較低，而溶劑通過IZO層滲入之可能性。

因此，於任一情形時，理想的是反射電極層111及信號線14之端子部如上述般由p-ITO層覆蓋。

根據本實施形態，形成於反射電極層111之下層或上層之p-ITO層係藉由於a-ITO層之成膜步驟中，亦於源極線等信號線14之端子部上成膜a-ITO層，而可用作覆蓋源極線等信號線14之端子部之保護膜。

再者，對於積層於反射電極層111上之其他透明電極層，藉由將該等透明電極層積層於源極線等信號線14之端子部上，亦可用作覆蓋信號線14之端子部之保護膜。

又，根據本實施形態，藉由反射電極層111及信號線14之端子部於製造步驟中之早期階段由p-ITO層113．114覆蓋，例如可減少該等反射電極層111及信號線14之端子部被浸於顯影液中之次數或區域等，可保護上述反射電極層111免受有損壞該反射電極層111之品質之虞之上述要因的影響。

又，如上述般將抗蝕圖案202R．202G形成為俯視時較各子像素71R．71G中之p-ITO層113之圖案寬，如上述般利用 p-ITO層夾持或者利用p-ITO層密封反射電極層111，藉此可獲得相同之效果。

再者，p-ITO不僅可藉由對a-ITO進行熱處理而獲得，亦可直接藉由成膜裝置而形成p-ITO。然而，當直接成膜p-ITO時，容易因成膜中之結晶粒之成長而膜之平坦性降低，或容易產生結晶間之針孔。若膜之平坦性變低，則有機EL元件20容易因第1電極21與第2電極31之短路而受損。又，若產生針孔，則有蝕刻液或顯影液等自上述針孔滲入，而使下層之膜受損之虞。因此，p-ITO層理想的是於成膜a-ITO層之後，進行圖案化而轉化為p-ITO層。

又，如圖1(b)~(j)所示，第1電極21係藉由使用適於電極層材料之蝕刻液而形成為錐狀。藉由將第1電極21形成為錐狀，不易發生第1電極21中之各層之膜剝落或膜破裂。

於專利文獻3中，將反射電極層圖案化之後，對第1及第3子像素成膜具有結晶性之ITO並將其圖案化。然而，具有結晶性之ITO相對於反射電極層之蝕刻中使用之蝕刻液之溶解性較高。

因此，若於反射電極層上直接成膜具有結晶性之ITO層並藉由光微影術而將其圖案化，則有反射電極層不為錐狀之虞。

另一方面，若為了避免上述問題點而分別將反射電極層與具有結晶性之ITO層圖案化，則光微影術之次數增加。

然而，根據本實施形態，由於如上述般成膜a-ITO層110．112並將其與反射電極層111一併圖案化，然後，將a- ITO層110．112轉化為p-ITO層113．114，故亦不會產生如上所述之問題。

<光微影術之變化例>

再者，於本實施形態中，列舉如下之情形為例進行了說明：如圖1(g)所示，使a-ITO層117之膜厚小於p-ITO層116之膜厚(即子像素71R中之光徑長73R)，於圖1(h)所示之步驟中藉由蝕刻而將子像素71R中之a-ITO層117去除。

然而，本實施形態並不限定於此。於在圖1(g)所示之步驟中對子像素71R．71G之兩者形成抗蝕圖案，在圖1(h)所示之步驟中不將子像素71R中之a-ITO層117蝕刻去除而直接殘留之情形時，並不一定需要將a-ITO層117之膜厚設定為小於p-ITO層116之膜厚。

於此情形時，於子像素71R．71G分別形成使a-ITO層117結晶化而成之相同膜厚之p-ITO層118。

然而，於本實施形態中，於圖1(d)所示之步驟中僅對子像素71R形成抗蝕圖案202R，藉此，如圖1(e)所示，將子像素71R以外之a-ITO層115去除，而僅於子像素71R堆積有a-ITO層115。

因此，根據本實施形態，以獲得所期望之光徑長73B之方式設定a-ITO層112之膜厚，將a-ITO層117之膜厚設定為自所期望之光徑長73G中減去a-ITO層112之膜厚(換言之，p-ITO層114之膜厚)所得之膜厚，將a-ITO層115之膜厚設定為自所期望之光徑長73R中減去a-ITO層112之膜厚與a-ITO層117之膜厚所得之膜厚，藉此，可任意且容易地設定．變 更各子像素71R．71G．71B之光徑長73R．73G．73B。

再者，於本實施形態中，作為具體例，列舉將a-ITO層112(p-ITO層114)之電極厚度設為20 nm，將a-ITO層115(p-ITO層116)之電極厚度設為80 nm，將a-ITO層117(p-ITO層118)之電極厚度設為40 nm之情形為例進行了說明，但上述具體例始終只是一例，本實施形態並不限定於此。

例如，亦可根據有機EL層43之膜厚設計等設計，而進一步增大a-ITO層112(p-ITO層114)之電極厚度。

<有機EL元件20之密封方法之變化例>

又，於本實施形態中，如上所述，列舉如下之情形為例進行了說明：藉由於有機EL元件20上形成含有乾燥劑之接著性之填充樹脂層42，而進行支撐基板10與密封基板50之貼合以及有機EL元件20之封入。

然而，本實施形態並不限定於此。亦可代替於由支撐基板10、密封基板50及密封樹脂層41所包圍之空間內填充密封樹脂，而設為於上述空間內封入有惰性氣體之中空構造。又，除此以外，亦可具有於中空構造內塗佈或貼附有乾燥劑之構造。然而，於自密封基板50側射出光之情形時，必需使光不被乾燥劑遮蔽。

又，於本實施形態中，列舉具有於支撐基板10上依序設置有有機EL元件20及密封樹脂層41、填充樹脂層42、密封基板50之構成之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。

例如，為了進一步提高有機EL元件20之密封性能，亦可 於有機EL元件20上積層未圖示之無機膜或有機．無機之混合積層膜等。

進而，若僅藉由無機膜或有機．無機之混合積層膜等而有機EL元件20之密封性能充分，則亦可省略密封樹脂層41或密封基板50、填充樹脂層42。

又，於本實施形態中，列舉經由形成為框狀之密封樹脂層41而將支撐基板10與密封基板50貼合，藉此進行有機EL元件20之密封之情形為例進行了說明。

然而，有機EL元件20之密封方法並不限定於此，例如亦可代替密封樹脂而將粉狀玻璃(粉末玻璃)形成為框狀，進行有機EL元件20之密封。

<像素構成之變化例>

又，於本實施形態中，列舉1個像素70包含R、G、B之3色之子像素71R．71G．71B之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。1個像素70亦可包含青色(C)、紫紅色(M)、黃色(Y)等R、G、B以外之3色之子像素71。

又，例如，亦可包含對R、G、B添加Y等之4色之子像素71等4色以上之子像素71。

根據本實施形態，如上所述，利用成為下層之p-ITO(第1透明電極層)與其上層之a-ITO層(第2透明電極層)之蝕刻選擇性之差異，進行例如各色單層中之透明電極層之堆積，藉此可對任意之子像素71形成任意膜厚之透明電極層。

再者，於本實施形態中，反射電極層111上之透明電極 層之積層數並無特別限定，可任意設定。

於任一情形時，根據本實施形態，若與積層相同數量之透明電極層之情形相比，則可利用次數少於先前之光微影術，於顯示色不同之子像素間，變更反射電極層上之透明電極層之積層數或合計膜厚。

又，於本實施形態中，如上所述，列舉於各子像素71形成有TFT12之主動矩陣型之有機EL顯示裝置100為例。然而，本實施形態並不限定於此，只要不受有機EL元件20之驅動方式影響，則亦可將本發明應用於未形成有TFT之被動矩陣型之有機EL顯示裝置之製造。

<有機EL層43之製作方法之變化例>

又，於本實施形態中，列舉利用真空蒸鍍法製作有機EL層43之情形為例進行了說明。然而，勿庸置疑，有機EL層43之製作方法並不限定於此，亦可適當選擇．採用噴墨法、雷射轉印法等先前公知之有機膜之成膜方法。

<顯示裝置之變化例>

又，於本實施形態中，作為本實施形態中製造之顯示裝置，列舉對發光元件使用有機EL元件之顯示裝置為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此，亦可廣泛應用於使用可作為例如如無機EL元件般之微小共振器而構成之發光元件之顯示裝置。

[實施形態2]

若主要根據圖10(a)~(h)對本實施形態進行說明，則如下所述。

再者，於本實施形態中，主要對與實施形態1之不同點進行說明，對具有與實施形態1中使用之構成要素相同之功能之構成要素標註相同之編號，並省略其說明。

本實施形態之有機EL顯示裝置100係第1電極21之積層構造及步驟S2所示之第1電極21之製作方法與實施形態1不同，除此以外，與實施形態1相同。因此，於本實施形態中，對步驟S2所示之第1電極21之其他製作方法及積層構造進行說明。

<第1電極21之製作方法>

圖10(a)~(h)係按步驟表示自步驟S2所示之頂部發光型之有機EL顯示裝置100中之第1電極21之製作直至步驟S3所示之邊罩之製作為止之步驟之一例的剖面圖。

於本實施形態中，圖10(a)~(c)所示之步驟係與圖1(a)~(c)所示之步驟相同。因此，對圖10(a)~(c)所示之步驟省略說明。

於本實施形態中，於圖10(c)所示之步驟後，如圖10(d)所示，於上述支撐基板10上，以覆蓋上述p-ITO層113、反射電極層111及p-ITO層114(第1透明電極層)之方式，藉由例如濺鍍而成膜作為透明電極層之IZO層131(第2透明電極層)。

IZO層131之膜厚設定為例如20~60 nm。於本實施形態中，成膜膜厚40 nm之IZO層131。

繼而，如圖10(d)所示，於子像素71R中之IZO層131上，藉由光微影術，以俯視時覆蓋上述p-ITO層113、反射電極 層111及p-ITO層114之方式形成抗蝕圖案202R。

然後，將抗蝕圖案202R作為遮罩，使用蝕刻液，對未由抗蝕圖案202R遮罩之IZO層131進行濕式蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗抗蝕圖案202R。

再者，對於上述蝕刻液及剝離液，可使用與圖1(e)所示之蝕刻步驟中使用之蝕刻液及剝離液相同之蝕刻液及剝離液。對於上述蝕刻液，使用例如草酸。藉此，可選擇性地對IZO層131進行蝕刻。

此時，p-ITO層113．114及反射電極層111未被上述蝕刻液(草酸)蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，p-ITO層113．114及反射電極層111係藉由上述蝕刻未被去除而殘留。

藉此，如圖10(e)所示，僅將由抗蝕圖案202R遮罩之子像素71R之IZO層131以外之IZO層131去除。

繼而，如圖10(f)所示，於上述支撐基板10上，以覆蓋各子像素71R．71G．71B中之各透明電極層及反射電極層111之方式，藉由例如濺鍍而成膜作為透明電極層之IZO層132。

IZO層132之膜厚設定為例如20~60 nm。於本實施形態中，將IZO層132之膜厚設為40 nm。

繼而，如圖10(f)所示，於子像素71R．71G中之IZO層132上，藉由光微影術，以俯視時覆蓋經圖案化之上述各透明電極層及反射電極層111之方式形成抗蝕圖案203R．203G。

此時，抗蝕圖案203G係以俯視時覆蓋反射電極層111之下層之p-ITO層113之圖案端部之方式形成為較子像素71R．71G中之p-ITO層113之圖案寬。

再者，俯視時抗蝕圖案203G自p-ITO層113之圖案端部起之突出量係與抗蝕圖案202R相同，分別設定為2 μm。

又，抗蝕圖案203R係以俯視時覆蓋IZO層131之圖案端部之方式，形成為較子像素71R．71G中之IZO層131之圖案寬。

再者，俯視時抗蝕圖案203G自IZO層131之圖案端部起之突出量分別設定為2 μm。

然後，將抗蝕圖案203R．203G作為遮罩，使用蝕刻液，如圖10(g)所示，對未由抗蝕圖案203R．203G遮罩之IZO層132進行濕式蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離液而剝離清洗抗蝕圖案203R．203G。

再者，對於上述蝕刻液及剝離液，可使用與圖10(e)所示之蝕刻中使用之蝕刻液及剝離液相同之蝕刻液及剝離液。藉此，可選擇性地對IZO層132進行蝕刻。

此時，如上所述，p-ITO層113．114及反射電極層111未被上述蝕刻液(草酸)蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，p-ITO層113．114及反射電極層111係藉由上述蝕刻未被去除而殘留。

藉此，如圖10(g)所示，僅將由抗蝕圖案203R．203G遮罩之子像素71R．71G之IZO層132以外之IZO層132去除。

藉此，如圖10(g)所示，於子像素71R形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114及IZO層131．132包圍之第1電極21。

又，於子像素71G形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114及IZO層132包圍之第1電極21。

又，於子像素71B形成反射電極層111由作為反射電極層111之下層之透明電極層之p-ITO層113與作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114夾持之第1電極21。

然後，如圖10(h)所示，於步驟S3中，於上述各子像素71R．71G．71B中之第1電極21上製作邊罩15。

於本實施形態中，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114及IZO層131．132係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71R中，以p-ITO層114及IZO層131．132之合計膜厚成為子像素71R之光徑長73R之方式設定p-ITO層114及IZO層131．132之膜厚。

又，於子像素71G中，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114及IZO層132係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71G中，以p-ITO層114及IZO層132之合計膜厚成為子像素71G之光徑長73G之方式設定p-ITO層114及IZO層132之膜厚。

又，於子像素71B中，作為反射電極層111之上層之透明電極層之p-ITO層114係作為形成微空腔之透明電極層121而發揮功能。

因此，於子像素71B中，以p-ITO層114之膜厚成為子像素71G之光徑長73G之方式設定p-ITO層114之膜厚。

如上所述，根據本實施形態，如上述般使a-ITO層112結晶化而將其轉化為p-ITO層114之後，於p-ITO層114上成膜IZO層作為耐蝕刻性低於p-ITO層114之透明電極層，藉由光微影術選擇性地對該IZO層進行蝕刻而將其圖案化，藉此，可對任意之子像素堆積IZO層。

藉此，可於至少2個子像素間變更透明電極層之積層數。

又，根據本實施形態，藉由重複進行成膜耐蝕刻性低於p-ITO層114之IZO層，並利用光微影術選擇性地對該IZO層進行蝕刻而將其圖案化之步驟，可對所期望之子像素堆積IZO層。

<變化例>

然而，本實施形態並不限定於此，亦可具有於各子像素71R．71G．71B進一步積層有未圖示之p-ITO層或如IZO層般之透明電極層之構成。

例如，於本實施形態中，於圖10(d)所示之步驟中以單層積層IZO層131，但此時，亦可進行耐蝕刻性低於p-ITO層114之包含IZO層131之複數之透明電極層之成膜。

例如，於圖10(d)所示之步驟中，既可於IZO層131上進一步成膜a-ITO層之後，於子像素71R形成抗蝕圖案202R，亦可於IZO層131上進一步依序成膜a-ITO層及IZO層之後，於子像素71R形成抗蝕圖案202R。

再者，於如上述般形成a-ITO層作為耐蝕刻性低於p-ITO層114之透明電極層之情形時，如實施形態1般，於將抗蝕圖案202R作為遮罩之濕式蝕刻後，進行熱處理，將上述a-ITO層轉化為p-ITO層即可。

再者，勿庸置疑，相同之方法亦可應用於圖10(e)及圖10(f)所示之步驟，除此以外，勿庸置疑，藉由進一步於圖10(g)所示之步驟與圖10(h)所示之步驟之間，積層單層或複數層耐蝕刻性低於p-ITO層之層，以與上述相同之方式進行濕式蝕刻，可進一步堆積透明電極層。

於任一情形時，根據本實施形態，若與積層相同數量之透明電極層之情形相比，則可利用次數少於先前之光微影術，於顯示色不同之子像素間，變更反射電極層上之透明電極層之積層數或合計膜厚。

<效果>

於本實施形態中，利用含有多晶之透明電極材料之透明電極層與形成於該含有多晶之透明電極材料之透明電極層上之透明電極層之蝕刻選擇性之差異、例如如上所述p-ITO層與IZO層(及a-ITO層)之蝕刻選擇性之差異，進行透明電極層之堆積。

再者，於圖10(g)所示之例中，於子像素71R．71G分別形成有相同膜厚之IZO層132。

然而，於本實施形態中，於圖10(d)所示之步驟中僅於子像素71R形成抗蝕圖案202R，藉此，如圖10(e)所示，將子像素71R以外之IZO層131去除，而僅於子像素71R堆積 有IZO層131。

因此，根據本實施形態，以獲得所期望之光徑長73B之方式設定a-ITO層112之膜厚，將IZO層131之膜厚設定為自所期望之光徑長73G中減去a-ITO層112之膜厚(換言之，p-ITO層114之膜厚)所得之膜厚，將IZO層132之膜厚設定為自所期望之光徑長73R中減去a-ITO層112之膜厚與IZO層131之膜厚所得之膜厚，藉此，可任意且容易地設定．變更各子像素71R．71G．71B之光徑長73R．73G．73B。

因此，於本實施形態中，亦可利用2次光微影術，任意且容易地調整各子像素71R．71G．71B中之光徑長73R．73G．73B，而不會如專利文獻3般受光徑長之制約。

因此，於本實施形態中，如圖10(d)．(g)所示，作為為了針對每一子像素71R．71G．71B變更透明電極層之膜厚(積層數)而所需之光微影術之次數，可利用2次光微影術，針對每一子像素71任意且容易地變更第1電極21之厚度。

又，於本實施形態中，如上所示，即便包含反射電極層111之蝕刻，亦可將光微影術之次數抑制為3次。而且，不會增加光微影術之次數，且亦可於光徑長最短之子像素71B之反射電極層111上形成p-ITO層114作為透明電極層。

因此，可利用次數少於先前之光微影術，針對每一子像素71任意地變更第1電極21之膜厚、換言之、有機EL元件20之光徑長。

而且，根據本實施形態，可不將含有非結晶之透明電極材料之透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之透明 電極層，而如上所述，利用含有多晶之透明電極材料之透明電極層與形成於該含有多晶之透明電極材料之透明電極層上之透明電極層之蝕刻選擇性之差異、例如如上所述p-ITO層與IZO層之蝕刻選擇性之差異，進行透明電極層之堆積。因此，可進一步縮短處理節拍。

又，於本實施形態中，形成於反射電極層111之下層或上層之p-ITO層係藉由於a-ITO層之成膜步驟中，亦於源極線等信號線14之端子部上成膜a-ITO層，而可用作覆蓋源極線等信號線14之端子部之保護膜。

又，對於積層於反射電極層111上之其他透明電極層，藉由將該等透明電極層積層於源極線等信號線14之端子部上，亦可用作覆蓋信號線14之端子部之保護膜。

[實施形態3]

若主要根據圖11及圖12對本實施形態進行說明，則如下所述。

再者，於本實施形態中，主要對與實施形態1、2之不同點進行說明，對具有與實施形態1、2中使用之構成要素相同之功能之構成要素標註相同之編號，並省略其說明。

圖11係表示本實施形態之有機EL顯示面板1之概略構成的剖面圖。再者，表示本實施形態之有機EL顯示裝置100之主要部分之概略構成的分解剖面圖與圖2相同，表示有機EL顯示裝置100中之支撐基板10之概略構成的俯視圖與圖3相同。又，表示支撐基板10中之顯示區域R1之主要部分之構成的俯視圖與圖4相同。圖11相當於表示沿圖4所示 之A-A線切斷有機EL顯示面板1時之有機EL顯示面板1之概略構成的剖面圖。

於實施形態1、2中，如上所述，列舉藉由積層複數層發光層並使發光色重合而獲得W發光之情形為例進行了說明。

然而，實施形態1、2所示之第1電極21之形成方法亦可同樣地應用於如下之情形：藉由使用針對發光層之每一種顏色進行蒸鍍之分塗方式，而於同一平面內形成發光色不同之複數層發光層。

於使用分塗方式之全彩之有機EL顯示裝置100中，如圖11所示，設有例如RGB之各色之發光層82R．82G．82B之有機EL元件20係以子像素71R．71G．71B之形式排列形成於支撐基板10上。於如上所述之有機EL顯示裝置100中，使用TFT12，選擇性地使該等有機EL元件20以所期望之亮度發光，藉此進行彩色圖像顯示。

於本實施形態中，藉由如此般於同一平面內形成發光色不同之複數層發光層82R．82G．82B，並且對發光色不同之各子像素71R．71G．71B導入微空腔構造，而如上所述，進行全彩之圖像顯示。

又，於本實施形態中，如圖11所示，藉由併用CF層52，亦可利用CF層52而調整自有機EL元件20射出之光之光譜。

如圖11所示，本實施形態之有機EL顯示裝置100係有機EL元件20中之有機EL層43之積層構造不同，除此以外， 具有與圖5所示之有機EL顯示裝置100相同之構成。

以下，對本實施形態之有機EL元件20之構成進行說明。

<有機EL元件20之構成>

於圖11所示之有機EL顯示裝置100中，具有如下之構成：於第1電極21與第2電極31之間，作為有機EL層43，而自第1電極21側起，依序形成有例如電洞注入層兼電洞傳輸層81、發光層82R．82G．82B、電子傳輸層兼電子注入層83。

再者，關於電洞注入層兼電洞傳輸層及電子傳輸層兼電子注入層，係如實施形態1中說明所述，此處，省略電洞注入層兼電洞傳輸層81及電子傳輸層兼電子注入層83之說明。

如圖11所示，電洞注入層兼電洞傳輸層81係以覆蓋第1電極21及邊罩15之方式，遍及支撐基板10中之顯示區域R1之整個表面而同樣地形成。

於電洞注入層兼電洞傳輸層81上，分別對應於子像素71R．71G．71B而形成有發光層82R．82G．82B。

發光層82R．82G．82B係使自第1電極21側注入之電洞與自第2電極31側注入之電子再結合而射出光。於本實施形態中，發光層82R．82G．82B亦分別由低分子螢光色素、金屬錯合物等發光效率較高之材料所形成。

電子傳輸層兼電子注入層83係以覆蓋發光層82R．82G．82B及電洞注入層兼電洞傳輸層81之方式，於該等發光層82R．82G．82B及電洞注入層兼電洞傳輸層81上遍 及支撐基板10中之顯示區域R1之整個表面而同樣地形成。

再者，於本實施形態中，如上所述，列舉設置有電洞注入層兼電洞傳輸層81作為電洞注入層及電洞傳輸層之情形為例而進行圖示，並且列舉設置有電子傳輸層兼電子注入層83作為電子傳輸層及電子注入層之情形為例而進行圖示。然而，本實施形態並不限定於此，電洞注入層與電洞傳輸層亦可作為相互獨立之層而形成。同樣地，電子傳輸層與電子注入層亦可作為相互獨立之層而形成。

再者，發光層82R．82G．82B以外之有機層並非為有機EL層43所必需之層，根據所要求之有機EL元件20之特性適當形成即可。

又，如電洞注入層兼電洞傳輸層81及電子傳輸層兼電子注入層83般，一個層亦可具有複數之功能。

又，亦可視需要，對有機EL層43追加載子阻擋層。例如，藉由於發光層82R．82G．82B與電子傳輸層兼電子注入層83之間追加電洞阻擋層作為載子阻擋層，可阻止電洞穿過電子傳輸層兼電子注入層83，而提高發光效率。

於本實施形態中，適當插入第1電極21(陽極)、第2電極31(陰極)及發光層82R．82G．82B以外之層即可。

作為上述有機EL元件20之構成，可採用例如如下述(1)~(8)所示之層構成。

(1)第1電極/發光層/第2電極

(2)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/第2電極

(3)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/ 第2電極

(4)第1電極/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(5)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(6)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/第2電極

(7)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

(8)第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層/發光層/電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極

再者，於本實施形態中，上述積層順序亦將第1電極21設為陽極，將第2電極31設為陰極。於本實施形態中，於將第1電極21設為陰極，將第2電極31設為陽極之情形時，有機EL層43之積層順序亦反轉。

<有機EL顯示裝置100之製造方法>

繼而，對本實施形態之有機EL顯示裝置100之製造方法進行說明。

於本實施形態中，有機EL顯示裝置100之製造步驟之流程之概要亦如使用圖7進行說明所述。再者，於本實施形態中，於將第1電極21設為陰極，將第2電極31設為陽極之情形時，於第1電極21與第2電極31中，其材料以及厚度亦反轉。

以下，列舉具有圖11所示之構成之有機EL顯示裝置100 為例，對步驟S4中之圖7所示之有機EL層43之製作步驟之流程之概要進行說明。

<有機EL層43之製作步驟之流程>

圖12係按步驟表示圖11所示之有機EL層43之製作步驟之一例的流程圖。

於本實施形態中，首先，於圖7所示之步驟S4中，對實施了用於脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理之支撐基板10，如圖12所示，首先，以覆蓋第1電極21及邊罩15之方式，於支撐基板10之顯示區域R1之整個表面，利用真空蒸鍍法而圖案形成電洞注入層兼電洞傳輸層81(電洞注入層．電洞傳輸層)(步驟S31)。

再者，如上所述，電洞注入層兼電洞傳輸層81係遍及支撐基板10中之顯示區域R1之整個表面而同樣地形成。因此，與實施形態1中之電洞注入層22及電洞傳輸層23同樣地，將顯示區域R1之整個表面開口之開放遮罩用作蒸鍍用之遮罩而進行成膜。

另一方面，於如本實施形態般使用分塗方式之全彩之有機EL顯示裝置100中，如上所述，使用TFT12而選擇性地使有機EL元件20以所期望之亮度發光，藉此進行彩色圖像顯示。

因此，為了製造上述有機EL顯示裝置100，必需針對每一有機EL元件20以特定之圖案而成膜含有發出各色之光之有機發光材料之發光層82R．82G．82B。

因此，對於發光層82R．82G．82B之成膜，將僅使所期望 之顯示色之發光材料蒸鍍之區域開口之精準遮罩用作蒸鍍用之遮罩，利用真空蒸鍍法而進行分塗蒸鍍(步驟S32)。藉此，形成與各子像素71R．71G．71B相對應之圖案膜。

然後，於形成有發光層82R．82G．82B之支撐基板10上，將顯示區域R1之整個表面開口之開放遮罩用作蒸鍍用之遮罩，利用真空蒸鍍法，依序於像素區域整個表面形成電子傳輸層兼電子注入層83(電子傳輸層．電子注入層)(步驟S33)、第2電極31(步驟S5)。

再者，於本實施形態中，對於上述蒸鍍，可使用與先前相同之真空蒸鍍裝置。再者，對於較佳之真空極限率等條件，係如實施形態1中說明所述。因此，對真空蒸鍍裝置以及蒸鍍方法之詳細情況省略說明以及圖示。

又，於本實施形態中，作為用作電洞注入層兼電洞傳輸層81及電子傳輸層兼電子注入層83之電洞注入層兼電洞傳輸層及電子傳輸層兼電子注入層之材料以及膜厚，係如實施形態1中說明所述。

又，對於用作發光層82R．82G．82B之發光層之材料，係如實施形態1中說明所述。再者，對於發光層82R．82G．82B，既可分別使用發光色不同之單一之材料，亦可使用以某材料為主體材料，將其他材料作為客體材料或摻雜劑而混入之混合材料。

再者，作為此情形時之發光層82R．82G．82B之膜厚，為例如10~100 nm。

於本實施形態中，如圖11所示，與實施形態1同樣地， 藉由將第1電極21設為反射電極層111與透明電極層121之積層構造，而對有機EL元件20導入微空腔構造。

因此，於本實施形態中，將各發光層82R．82G．82B之膜厚設定為相同之膜厚。因此，以與實施形態1、2相同之方式設定光徑長73R．73G．73B。

因此，電洞注入層兼電洞傳輸層81、電子傳輸層兼電子注入層83、發光層82R．82G．82B之材料及膜厚可設定為與先前相同。因此，於本實施形態中，省略關於該等電洞注入層兼電洞傳輸層81、電子傳輸層兼電子注入層83、發光層82R．82G．82B之具體之材料以及膜厚之說明。

<效果>

如上所述，於本實施形態中，與實施形態1同樣地，藉由將第1電極21設為反射電極層111與透明電極層121之積層構造，而對有機EL元件20導入微空腔構造。

因此，於本實施形態中，為了對有機EL元件20導入微空腔構造，無需針對每一發光色而變更各發光層82R．82G．82B之膜厚。

因此，於本實施形態中，與如實施形態1~7般使用W發光之發光層之情形同樣地，亦可將各發光層82R．82G．82B之膜厚成膜為一樣薄，故可縮短處理節拍。

又，於本實施形態中，藉由有機EL元件20而獲得對自各發光層82R．82G．82B射出之光之混合添加微空腔效應所得之光。又，藉由利用設置於密封基板50之CF層52調整上述光，可將具有所期望之光譜之光提取至外部。因此，於本 實施形態中，藉由如此般組合使用分塗方式之發光層82R．82G．82B、微空腔效應及CF層52，可提高色純度。

又，勿庸置疑，於本實施形態中，藉由以與實施形態1、2相同之方式針對每一子像素71R．71G．71B變更第1電極21中之透明電極層121之膜厚，亦獲得與實施形態1、2相同之效果。

<要點概要>

如上所述，本發明之一態樣之顯示裝置之製造方法係如下之方法：於反射電極層之上層成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層並統括地進行蝕刻之後，將含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層，利用其與成膜於其之上方之第2透明電極層之耐蝕刻性之差異而積層透明電極層，藉此，於子像素間變更上述透明電極層之合計膜厚。

因此，本發明之一態樣之顯示裝置之製造方法係如下之顯示裝置之製造方法：各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，該顯示裝置之製造方法包含如下步驟：成膜反射電極層；第1透明電極層成膜步驟，其係於上述反射電極層之上層，成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層；圖案化步驟，其係藉由光微影術對上述含有非晶質之透明電極材料之第1 透明電極層及上述反射電極層統括地進行蝕刻而將其等圖案化；第1透明電極層結晶化步驟，其係使上述圖案化步驟中經圖案化之上述含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層結晶化，而轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層；及第2透明電極層積層步驟，其係於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層上，成膜含有耐蝕刻性低於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層之透明電極材料的第2透明電極層，並藉由光微影術選擇性地對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化。

根據上述方法，可提供一種於各子像素中之反射電極層上積層有透明電極層，並且可於顯示色不同之子像素間任意地變更反射電極層上之透明電極層之膜厚之實用之顯示裝置之製造方法，並且可削減光微影術之次數。

又，於上述顯示裝置之製造方法中，較佳為上述第2透明電極層積層步驟係變更形成抗蝕圖案之子像素而進行複數次，並且包含下述步驟：於藉由光微影術選擇性地對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化時，僅於1個子像素形成抗蝕圖案，將該抗蝕圖案作為遮罩而對上述第2透明電極層進行蝕刻，藉此，僅於上述1個子像素形成上述第2透明電極層之圖案。

根據上述方法，如上所述，作為為了變更透明電極層之合計膜厚而所需之光微影術之次數，可利用2次光微影術針對每一子像素任意地變更上述透明電極層之合計膜厚，且可使任意之子像素中之第2透明電極層之膜厚獨立於其 他子像素中之第2透明電極層之膜厚而設定。

根據上述方法，如上所述，藉由包含僅於上述1個子像素形成上述第2透明電極層之圖案之步驟，可任意且容易地調整各子像素中之光徑長，而不會如專利文獻3般受光徑長之制約。

又，上述顯示裝置之製造方法較佳為上述第2透明電極層為含有非晶質之透明電極材料之透明電極層，上述第2透明電極層積層步驟包含如下步驟：第2透明電極層成膜步驟，其係成膜上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層；第2透明電極層圖案化步驟，其係藉由光微影術對上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化；及第2透明電極層結晶化步驟，其係使進行圖案化所得之上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層結晶化而轉化為含有多晶之透明電極材料之第2透明電極層；於上述第2透明電極層積層步驟中，藉由重複進行上述第2透明電極層成膜步驟、第2透明電極層圖案化步驟及第2透明電極層結晶化步驟，對任意之子像素積層任意數量之含有多晶之透明電極材料之透明電極層。

根據上述方法，如上所述，利用含有非晶質之透明電極材料之透明電極層與含有多晶之透明電極材料之透明電極層之蝕刻選擇性之差異而進行透明電極層之堆積。

根據上述方法，可使各透明電極層之膜厚獨立於其他子像素中之透明電極層之膜厚而設定，可任意且容易地調整 各子像素中之光徑長。

又，於上述顯示裝置之製造方法中，較佳為上述第1及第2透明電極層為氧化銦錫。

非晶質之氧化銦錫可藉由熱處理而容易地轉化為多晶之氧化銦錫。多晶之氧化銦錫係耐蝕刻性高於非結晶之氧化銦錫，於非結晶之氧化銦錫之蝕刻步驟(第2透明電極層圖案化步驟、第2透明電極層積層步驟)中，其未被蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，於非結晶之氧化銦錫之蝕刻步驟中，可選擇性地僅對非結晶之氧化銦錫進行蝕刻。

又，於上述第2透明電極層圖案化步驟中，較佳為於上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層上形成抗蝕圖案，該抗蝕圖案俯視時與上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層重疊，且形成為俯視時較上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層大，將該抗蝕圖案作為遮罩對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化。

根據反射電極材料之種類，若上述反射電極層處於暴露狀態(即露出狀態)，則有當例如為了提高抗蝕劑之濕潤性而進行紫外線照射時發生氧化而反射特性降低，或耐溶劑性較低而溶劑滲入之可能性。因此，於如上所述之反射電極層含有如上所述之反射電極材料之情形時，不理想的是反射電極層成為暴露狀態。

然而，根據上述構成，由於可利用含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層及第2透明電極層包圍上述反射電極 層，故於製造上述顯示裝置時，可保護上述反射電極層免受有損壞該反射電極層之品質之虞之上述要因的影響。

又，於上述顯示裝置之製造方法中，較佳為上述第2透明電極層為含有組成與上述第1透明電極層不同之透明電極材料之層。

根據上述方法，可不將含有非結晶之透明電極材料之透明電極層轉化為含有多晶之透明電極材料之透明電極層，而利用含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層與上述第2透明電極層之耐蝕刻性之差異所致之蝕刻選擇性之差異，進行透明電極層之堆積。

於此情形時，較佳為上述第1透明電極層為氧化銦錫，上述第2透明電極層為氧化銦鋅。

非晶質之氧化銦錫可藉由熱處理而容易地轉化為多晶之氧化銦錫。多晶之氧化銦錫係耐蝕刻性高於氧化銦鋅，當於第2透明電極層之蝕刻步驟(第2透明電極層積層步驟)中對氧化銦鋅進行蝕刻時，其未被蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，於第2透明電極層之蝕刻步驟中，僅含有氧化銦鋅之第2透明電極層被選擇性地蝕刻。

又，於上述第2透明電極層積層步驟中，較佳為將抗蝕圖案用作遮罩而對上述第2透明電極層進行蝕刻，該抗蝕圖案俯視時與上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層重疊，且形成為俯視時較上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層大。

於此情形時，可利用含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層及第2透明電極層包圍上述反射電極層。

又，於上述顯示裝置之製造方法中，較佳為上述反射電極層含有選自由銀、銀合金及鋁合金所組成之群之任一種。

該等材料係於與非晶質之透明電極層之間不發生電蝕反應。因此，適於上述反射電極層中之反射電極材料。

又，於上述顯示裝置之製造方法中，較佳為上述成對電極為陽極及陰極，上述一個電極為陽極，並且以利用上述陽極與陰極夾持有機電致發光層之方式形成上述陽極、陰極及有機電致發光層。

根據上述方法，可針對發光色不同之每一子像素容易地變更利用上述陽極與陰極夾持有機電致發光層而成之有機電致發光元件之光徑長。

因此，根據上述方法，可獲得具有微空腔構造之有機電致發光元件。因此，藉由微空腔效應，可提高使用上述有機電致發光元件之顯示裝置中之色純度、發光色度、發光效率等。

又，如上所述，本發明之一態樣之顯示裝置係如下之顯示裝置：各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，且上述複數之透明電極層具 有互不相同之組成，下層之透明電極層之耐蝕刻性高於上層之透明電極層之耐蝕刻性。

根據上述構成，可提供一種針對顯示色不同之每一子像素而透明電極層之膜厚不同，並且可利用實用之方法製造之顯示裝置。

又，上述顯示裝置較佳為上述下層之透明電極層含有多晶之氧化銦錫，上述上層之透明電極層含有氧化銦鋅。

非晶質之氧化銦錫可藉由熱處理而容易地轉化為多晶之氧化銦錫。多晶之氧化銦錫係耐蝕刻性高於氧化銦鋅，當對氧化銦鋅進行蝕刻時，其未被蝕刻或蝕刻速度明顯較慢。因此，可選擇性地僅對含有氧化銦鋅之透明電極層進行蝕刻。

因此，根據上述構成，可提供一種針對顯示色不同之每一子像素而透明電極層之膜厚不同，並且可利用實用之方法製造之顯示裝置。

又，於上述顯示裝置中，較佳為上述反射電極層含有選自由銀、銀合金及鋁合金所組成之群之任一種。

於如上述般對下層之透明電極層與上層之透明電極層使用具有互不相同之組成且耐蝕刻性不同之透明電極材料之情形時，根據上述透明電極材料與反射電極材料之組合，有發生電蝕反應之虞。

然而，於上述反射電極層含有上述反射電極材料之情形時，不存在如上所述之擔憂。因此，上述反射電極材料適於上述反射電極層中之反射電極材料。

又，於上述顯示裝置中，較佳為上述上層之透明電極層覆蓋上述下層之透明電極層之表面及上述反射電極層之側面。

根據反射電極材料之種類，若上述反射電極層處於暴露狀態(即露出狀態)，則有當例如為了提高抗蝕劑之濕潤性而進行紫外線照射時發生氧化而反射特性降低，或耐溶劑性較低而溶劑滲入之可能性。因此，於如上所述之反射電極層含有如上所述之反射電極材料之情形時，不理想的是反射電極層成為暴露狀態。

然而，根據上述構成，於製造上述顯示裝置時，可保護上述反射電極層免受有損壞該反射電極層之品質之虞之上述要因的影響。

因此，根據上述構成，可提供一種包含反射特性優異之反射電極層之顯示裝置。

本發明並不限定於上述各實施形態，可於技術方案所示之範圍內進行多種變更，對於適當組合不同之實施形態中分別揭示之技術手段而獲得之實施形態，亦包含於本發明之技術範圍中。

[產業上之可利用性]

本發明可較佳地用於使用可作為如有機EL元件或無機EL元件般之微小共振器而構成之發光元件之顯示裝置及其製造方法。

1‧‧‧有機EL顯示面板

2‧‧‧電氣配線端子

10‧‧‧支撐基板

11‧‧‧絕緣基板

12‧‧‧TFT

13‧‧‧層間絕緣膜

13a‧‧‧接觸孔

14‧‧‧信號線

15‧‧‧邊罩

15R‧‧‧開口部

15G‧‧‧開口部

15B‧‧‧開口部

20‧‧‧有機EL元件

21‧‧‧第1電極

22‧‧‧電洞注入層

23‧‧‧電洞傳輸層

24‧‧‧第1發光層

25‧‧‧電子傳輸層

26‧‧‧載子產生層

27‧‧‧電洞傳輸層

28‧‧‧第2發光層

29‧‧‧電子傳輸層

30‧‧‧電子注入層

31‧‧‧第2電極

41‧‧‧密封樹脂層

42‧‧‧填充樹脂層

43‧‧‧有機EL層

50‧‧‧密封基板

51‧‧‧絕緣基板

52‧‧‧CF層

53‧‧‧BM

60‧‧‧連接部

70‧‧‧像素

71‧‧‧子像素

71B‧‧‧子像素

71G‧‧‧子像素

71R‧‧‧子像素

72‧‧‧發光區域

73B‧‧‧光徑長

73G‧‧‧光徑長

73R‧‧‧光徑長

81‧‧‧電洞注入層兼電洞傳輸層

82B‧‧‧發光層

82G‧‧‧發光層

82R‧‧‧發光層

83‧‧‧電子傳輸層兼電子注入層

100‧‧‧有機EL顯示裝置

101‧‧‧像素部

102‧‧‧電路部

103‧‧‧連接端子

110‧‧‧a-ITO層

111‧‧‧反射電極層

112‧‧‧a-ITO層

113‧‧‧p-ITO層

114‧‧‧p-ITO層

115‧‧‧a-ITO層

116‧‧‧p-ITO層

117‧‧‧a-ITO層

118‧‧‧p-ITO層

121‧‧‧透明電極層

131‧‧‧IZO層

132‧‧‧IZO層

201B‧‧‧抗蝕圖案

201G‧‧‧抗蝕圖案

201R‧‧‧抗蝕圖案

202G‧‧‧抗蝕圖案

202R‧‧‧抗蝕圖案

211B‧‧‧抗蝕圖案

211G‧‧‧抗蝕圖案

211R‧‧‧抗蝕圖案

L‧‧‧密封區域

R1‧‧‧顯示區域

R2‧‧‧第2電極連接區域

R3‧‧‧端子部區域

圖1(a)~(i)係按步驟表示實施形態1之頂部發光型之有機 EL顯示裝置中之第1電極之製作方法之一例的剖面圖。

圖2係表示實施形態1之有機EL顯示裝置之主要部分之概略構成的分解剖面圖。

圖3係表示實施形態1之有機EL顯示裝置中之支撐基板之概略構成的俯視圖。

圖4係表示圖3所示之支撐基板中之顯示區域之主要部分之構成的俯視圖。

圖5係表示沿著圖4所示之A-A線切斷實施形態1之有機EL顯示面板時之有機EL顯示面板之概略構成的剖面圖。

圖6係對實施形態1之有機EL顯示裝置之圖像顯示方法進行說明之模式圖。

圖7係按步驟表示實施形態1之有機EL顯示裝置之製造步驟之一例之流程圖。

圖8係按步驟表示實施形態1之有機EL層之製作步驟之一例之流程圖。

圖9(a)．(b)係模式性地表示於圖1(i)所示之第1電極上製作有邊罩時之第1電極之概略構成的圖，(a)為剖面圖，(b)為俯視圖。

圖10(a)~(h)係按步驟表示自實施形態2之頂部發光型之有機EL顯示裝置00中之第1電極之製作直至邊罩之製作為止之步驟之一例的剖面圖。

圖11係表示實施形態3之有機EL顯示面板之概略構成之剖面圖。

圖12係按步驟表示圖11所示之有機EL層之製作步驟之一 例之流程圖。

圖13(a)~(f)係按步驟表示針對每一子像素而變更陽極之反射電極層上之透明電極層之合計膜厚之方法之一例的剖面圖。

10‧‧‧支撐基板

71B‧‧‧子像素

71G‧‧‧子像素

71R‧‧‧子像素

110‧‧‧a-ITO層

111‧‧‧反射電極層

112‧‧‧a-ITO層

113‧‧‧p-ITO層

114‧‧‧p-ITO層

115‧‧‧a-ITO層

116‧‧‧p-ITO層

117‧‧‧a-ITO層

118‧‧‧p-ITO層

121‧‧‧透明電極層

201B‧‧‧抗蝕圖案

201G‧‧‧抗蝕圖案

201R‧‧‧抗蝕圖案

202G‧‧‧抗蝕圖案

202R‧‧‧抗蝕圖案

Claims (14)

1. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於：該顯示裝置中各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，該顯示裝置之製造方法包含如下步驟：成膜反射電極層；第1透明電極層成膜步驟，其係於上述反射電極層之上層成膜含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層；圖案化步驟，其係藉由光微影術對上述含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層及上述反射電極層統括地進行蝕刻而將其等圖案化；第1透明電極層結晶化步驟，其係使上述圖案化步驟中經圖案化之上述含有非晶質之透明電極材料之第1透明電極層結晶化，而轉化為含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層；及第2透明電極層積層步驟，其係於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層上成膜含有耐蝕刻性低於上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層之透明電極材料的第2透明電極層，並藉由光微影術選擇性地對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化。
2. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中上述第2透明電極層積層步驟係變更形成抗蝕圖案之子像素而進行複數次，並且包含如下步驟：於藉由光微影術選擇性地對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化時，僅於1個子像素形成抗蝕圖案，並將該抗蝕圖案作為遮罩而對上述第2透明電極層進行蝕刻，藉此僅於上述1個子像素形成上述第2透明電極層之圖案。
3. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其中上述第2透明電極層係含有非晶質之透明電極材料之透明電極層，上述第2透明電極層積層步驟包含如下步驟：第2透明電極層成膜步驟，其係成膜上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層；第2透明電極層圖案化步驟，其係藉由光微影術對上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化；及第2透明電極層結晶化步驟，其係使經圖案化之上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層結晶化而轉化為含有多晶之透明電極材料之第2透明電極層；於上述第2透明電極層積層步驟中，藉由重複進行上述第2透明電極層成膜步驟、第2透明電極層圖案化步驟及第2透明電極層結晶化步驟，對任意之子像素積層任意數量之含有多晶之透明電極材料之透明電極層。
4. 如請求項3之顯示裝置之製造方法，其中上述第1及第2透明電極層為氧化銦錫。
5. 如請求項3或4之顯示裝置之製造方法，其中於上述第2透明電極層圖案化步驟中，於上述含有非晶質之透明電極材料之第2透明電極層上形成抗蝕圖案，該抗蝕圖案俯視時與上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層重疊且形成為俯視時較上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層大，將該抗蝕圖案作為遮罩對上述第2透明電極層進行蝕刻而將其圖案化。
6. 如請求項1或2之顯示裝置之製造方法，其中上述第2透明電極層係含有組成與上述第1透明電極層不同之透明電極材料之層。
7. 如請求項6之顯示裝置之製造方法，其中上述第1透明電極層為氧化銦錫，上述第2透明電極層為氧化銦鋅。
8. 如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中於上述第2透明電極層積層步驟中，將抗蝕圖案用作遮罩而對上述第2透明電極層進行蝕刻，上述抗蝕圖案係俯視時與上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層重疊且形成為俯視時較上述反射電極層及上述含有多晶之透明電極材料之第1透明電極層大。
9. 如請求項1至8中任一項之顯示裝置之製造方法，其中上述反射電極層包含選自由銀、銀合金及鋁合金所組成之群中之任一種。
10. 如請求項1至9中任一項之顯示裝置之製造方法，其中上述成對電極為陽極及陰極，且上述一個電極為陽極， 並且以利用上述陽極與陰極夾持有機電致發光層之方式形成上述陽極、陰極及有機電致發光層。
11. 一種顯示裝置，其特徵在於：各子像素中之形成電場之成對電極中，一個電極包含反射電極層及形成於該反射電極層上之至少一層透明電極層，並且於至少1個子像素中之反射電極層上形成有複數層上述透明電極層，於顯示色不同之子像素間上述透明電極層之整體之膜厚不同，上述複數之透明電極層具有互不相同之組成，下層之透明電極層之耐蝕刻性高於上層之透明電極層之耐蝕刻性。
12. 如請求項11之顯示裝置，其中上述下層之透明電極層含有多晶之氧化銦錫，上述上層之透明電極層含有氧化銦鋅。
13. 如請求項11或12之顯示裝置，其中上述反射電極層包含選自由銀、銀合金及鋁合金所組成之群中之任一種。
14. 如請求項11至13中任一項之顯示裝置，其中上述上層之透明電極層覆蓋上述下層之透明電極層之表面及上述反射電極層之側面。