TW201217516A - Surface treatment composition and surface treatment method using the same - Google Patents

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201217516 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種表面處理組成物，其主要使用於進行基 板之研磨、蝕刻、漂洗、洗淨等的表面處理用途。本發明又係 關於用以調製該表面處理組成物之套組、及使用該表面處理組 成物進行基板表面處理的方法。 【先前技術】 伴隨電腦所使用的ULSI等積體電路之高度積體化及高速 化’半導體襄置之設計規則的微細化年有進展。因此，半導體 基板上更微小尺寸之缺陷對半導體裝置之性能產生不良影 響，在目前，吾人則要求在先前技術不成為問題的奈米等級缺 陷之管理。 在半導體基板表面之缺陷管理，係使用表面缺陷檢查裝 置。在以表面缺陷檢查裝置所檢出之缺陷，包含無法以研磨步 驟、漂洗步驟及洗淨步驟除去的半導體基板上之異物及殘渣。 一般的，面缺陷檢查裝置’係將雷射光等光照射於半導體基板 表面，藉由將該反射光接收作為信號，予以解析，而檢出有鉦 缺陷及尺寸。 … 在以強光照射於在經最終加工成為鏡面的研磨後半導體 ^板表面時，因_於半導縣板表面上被狀漫射而會見到 莫糊。此麵糊稱為霧帅aze) ’雜可作為半導體基板表面 之尺度使用。在半導體基板表面產生霧值時，因霧值而 度射域為雜訊，而妨礙了因表面缺陷檢錢置所致缺 Ρ欢1因此，隨著欲檢出的缺陷之尺寸、亦即欲管理的缺陷 尺寸隻i而長1南務值專級之改善的必要性。又，已知半導 體基板表面之務值等級，亦強烈受到I虫刻所致影響。 你一在為了研磨或姓刻基板所使用之表面處理組成 田、、®又疋έ有用以颠刻基板表面之鹼性化合物。又，即使在 、你洗或洗净基板之表面處理組成物，為了提高漂洗或洗淨 201217516 效果，亦有包含鹼性化合物。但是，藉由混合鹼性化合物，而 使表面處雜成物之pH成為8以上時，因驗性化合物所致敍 刻作用，而會有在基板表面易於產生皸裂的問題。因此，使用 含有驗性化合物的pH為8以上之組成物，進行基板之表 理之情形，吾人要求藉由控制因鹼性化合物所致侧作用，而 可減低表面處理後基板表面之霧值。 在專利文獻1，有揭示-種研磨用組成物，主要目 ，研磨後半導縣絲狀紐，來混合有包含雜 ^丙烯之躲物之界面活_。但是，專敝獻丨記載之研磨 nt所致霧值雜效果，在肋f理奈料級之缺陷不能 明之充分。 【先行技術文獻】 【專利文獻1】曰本特開2005-85858號公報 【發明内容】 【發明欲解決課題】 让-τΓϋίί明之主要課題在於提供-種表面處理組成物， ^可^制基絲面之㈣，_之為藉由表面處理 其匕作用而產生的不均勾或過度酬，亦即 了更加減低基板表面之霧值。 【解決課題之手段】 活性劑、與第更 ==1第表二面界之= 而完成者。 虫刻作用。本發明係根據該真知灼見 亦即，為了解決上述課題，本發明一能 表面處理組成物，其係包含第_界面活性劑:第二界面活性 4 201217516 特徵為該，二界面活性劑之重量平均分子量為該第一界面 劑彳^合物及水，且pH為8以上之表面處理組成物，其 性巧，量平均分子量之1/2倍以下，且該第—界面活性 含星人δ玄第二界面活性劑之含量合計為0 _〇1至〇 1質 f本？^之第二態樣，係提供—種套組⑽），其係用以調 活 製該第一態樣之表面處理組成物 在本發明之第三態樣，係提供一種使用 處理組成物進行基板表面處理之方法。 筏之表面 【發明效果】 ，據本發明，提供—齡面處理組成物及表面處理 因鹼性化合物所致基板表面之侃_，4 ’ “iif表:之皸裂，並減低霧值。又’根據本發明亦可 祕-種套組，其可簡便地調製該等表面處理組成物。月打 【實施方式】 茲說明本發明之實施形態如下。 [1]本發明之表面處理組成物 <界面活性劑> ^ ® tlm ^ ^ - 重量平均分子量為第—界面活性劑^量性劑具有 以下。在第二界面活_之重量 =里之1/2倍 劑之重量平均分子量之1/2倍之=超出苐-界面活性 面之皸裂的充分效果。 月7 、彳”，、法獲得抑制基板表 ㈣ίί ifH財第—界面利蝴之含量*第1面活 ，之3里之合汁，必須為〇〇_ 里：、弟一界面活 貝量％以上。在第-界面活性劑m上，触為0.0001 片1、弟—界面活性劑含量之合計 201217516 小於0.00001質量％之情形，則無法獲得抑制基板表面之皸裂 的充分效果。 、 又’表面處理組成物中第一界面活性劑之含量與第二界面 生劑之含量之合計’必須為0.1質量％以下，較佳為0.05質 了。第一界面活性劑與第二界面活性劑含量之合計超過 2·ι負篁％之情形，不僅無法獲得抑制基板表面之皸裂的充分 效果，亦會產生表面處理組成物易於起泡的不便。 、、吾人尚未明瞭藉由組合使用第一界面活性劑與第二界面 活性劑，而可抑制基板表面皸裂的詳細機構，不過吾人推測如 下。亦即，第一界面活性劑與第二界面活性劑均吸附於基板表 面’並作用為來保護基板表面免於藉由鹼性化合物之作用而產 生的？均勻—或過賴刻’不過第-界面活性劑因分子量較大， 故相較於第，界面活性劑，保護基板表面之效果大，另一方 面:並無法毫無間隙的吸附於基板表面。一方面，分子量較小 活性劑’可以埋人第—界面活性劑不能充分吸附之 ^第-ίΓί!於基板表面。因此，藉由組合第—界面活性 性劑使用’則可緊密地讎板表面’並抑制 之總石炭數對第一#面活性劑之總碳數及 =界面活性劑之總碳數合計之比率，較佳為以上 反表面時’係作用作為吸附點，所S 性劑之效=5而 基板表面之⑽ 201217516 f H从下、再佳為75%以下、最佳為65%以下。該比率 二。/ °以下之情形，進一步說明，在85%以下、75%以下或 未二下，可更進一步抑制基板表面之皸裂。其理由ΐ 人可推測’其理由係保護基板表面之效果大的 第一界面活性劑之貢獻變大。 此外，第-界面活性劑之總碳數及 來树。自絲細喊财^面is ίΐΐί 性劑ί重量平均分子量來計算界面活性劑 性劑之分子鏈數ΐ，豕厥(av〇gadr〇)常數相乘來計算界面活 =====劑之每—分子鏈之平均碳數，對此將先前 算各界面活性劑之=顿數相乘。亦即’可由以下之式計 各界面活性劑之總碳數气界^^ ^ 罝K亞佛家厥常數） w <更里十均刀子 第-界面活性劑之重量平均分子量並— ί ί ΪΓ至基=權的效果，較佳為錢，_、更 了進-步提高抑制基板表面之被裂效了 而為 聊】、更佳為細至5，_、二 為至 活性劑，亦可性界面 陽離子性界面活性劑或陰離子性界面^H相較於使用 ^處理組成物之起泡，故在表面處理^^可抑制 時之處理變得容易。又，非離子性界面活時及使用 理組成物之pH改變’故在製造時及使用時，表面== 201217516 iiH，i制ΐ得容易。再者’非離子性界面活性劑生物分解性 之廣員處+，因對生物體之毒性弱，故對環境之影響小，處理上 表面處理組成物所使用之第—界面活性劑及第 知之種類’並無特別限定，具體例方面，可例舉聚 ΐ乙細_、聚氧乙烯絲苯驗、聚氧乙烯絲胺、聚乙嫌 ίίΐΐ 稀甘油輸_、聚氧乙烯山梨聚糖脂肪 二if ’聚氧丙烯之二嵌段型或三嵌段型、無規 i、父身型等的複數種類氧伸烧之共聚物。 ’’、、 梨聚為聚氧乙烯山 ίΠΤ乙賴伸聰:第丄“ 使用種’亦可組合二種以上使用。 可、商ϋΐ賊、聚氧乙稀山梨聚糖脂肪酸醋、及聚乙二醇 活性劑使用，其中以聚氧乙稀細、進- 第二界面活性劑可單獨使 m η第二T.面活性劑之HLB(親水-親油性平衡 L flance))值及第二界面活性劑之腦值 5 12 ^削次弟—界面活性劑之HLB值為12以上 表二又:二丄^^^^^界面活性劑難以殘留於基板 芬 ί 此= =合:方面’則有氧丙稀基、氧伸丁基、綱。 本發明之表面處理組成物係含有驗性化合物，藉由驗性化 8 201217516 合物之添加’而表面處理組成物之pH可調整於8以上。如先 刖所作说明’在表面處理組成物之pH為8以上之情形，進— 步说明，為9以上之情形，因鹼性化合物所致蝕刻作用強化之 結果，，基板表面易於產生皸裂。但是，因上述的第一界面活 性劑及第二界面活性劑之作用，而可抑制基板表面之皸裂。 十本發明之表面處理組成物所使用之鹼性化合物，並無特別 限定具，例方面，可例舉氨、氫氧化鉀、氫氧化納、氮氧化 四曱巧、，氧化四乙銨、碳酸氫銨、碳酸錄、碳酸氫鉀、碳酸 =^西文虱鈉、碳酸鈉、曱胺、二曱胺、三曱胺、乙胺、二乙 Ϊ田^胺、乙二胺、單乙醇胺、Ν·(Ρ_胺基乙基)乙醇胺、六 丄胺一乙撐二胺、三乙撐四胺、六氫吡酐、六氫吡 胺基乙基)六氮°比、及N_曱基六氫0比。驗性化 口物了早獨使用一種，亦可組合二種以上使用。 來理成物，經表面4理的基板祕晶圓之情 ^佳ϋ卩!it面處理後基板之金屬污染之目的，驗性化合物 ‘，更佳為鹼金屬鹽或四級贼氧化 四乙銨、石Hi山魏化納、氮氧化四甲銨、氫氧化 碳酸納，再d碳酸氣奸' 碳酸卸、碳酸氫鈉或 成物合物之含量’ ^要是絲處理組 理之基板在石夕晶圓之情形物，經表面處 至0.25質量％。鹼性化人f °^置/°、更佳為讀1質量％ 第一界面活性劑及第二0展而3里在上述範圍内之情形，藉由 所致_作用適度地i和觀乍用而可使鹼性化合物 <水:> ^之觀點’則貫用上有其優點。 又处理、且成物中水之作用’係溶解或分散表面處理組成 201217516 y ί ί ΐί 有阻礙其他成分之作用的雜 通過過濾斯去祕子後， 或蒸顧水。时乂換水、或者較佳為純水、超純水 <粒子成分> 基板粒子成分亦可。粒子成分之作用係將 簡二氧化一因可更減低基板之表： 將表面處理城物使躲半導縣板之研磨，尤i是 磨之情形，表面處理組成物中所含粒子成分$ ⑽或煙燒二氧切、更佳為膠態二氧化梦。在使 二悲-氧切或煙燻、二氧切，尤其是使用賴二氧化 2田可減少因研磨而發生於基板表面之擦傷。粒子成分可單 獨使用一種，亦可組合二種以上使用。 平 將表面處理組成物使用於半導體基板之研磨，尤其是使用 ，矽晶圓之研磨之情形，表面處理組成物中粒子成分，、自藉由 乳體吸附所致粉體之比表面積測定法(BET法)所測定的^表 面積所求得的平均初級粒徑較佳為5至100nm、更佳為1〇至 4〇nm ° 將表面處理組成物使用於半導體基板之研磨，尤其是使用 1矽晶圓之研磨之情形，表面處理組成物中粒子成分之含量， 較佳為0.01質董％以上、更佳為0 05質量％以上。粒子成分 之含量為0.01質量％以上，進一步說明為〇〇5質量％以上之 情形’可提高基板之研磨速度。 ' 又，表面處理組成物中粒子成分之含量較佳為5質量〇/〇以 下、更佳為1質量％以下。粒子成分之含量為5質量％以下、 201217516 則可提高表Φ處理組成物 進一步說明為1質量％以下之情形， 之分散穩定性。 <濕潤劑> 表面處理組成物可進一步含有濕潤劑。濕潤 面用以保持於親水性具有效果。若基板表面之濕 ^ = 則附著於基板上的異物無法藉由洗淨除去，而^ 在美 板上殘留異物時，會有基板表崎度降低H 在基 ^使用之濕潤劑之例’可例舉經乙基纖維素' 經丙基 素、竣甲基纖維料之纖維素魅物；聚乙烯 啶酮、聚-N-乙烯甲醯胺等之乙烯聚合物？ = ί 支鏈澱粉_啊等之多糖類；聚丙稀酿胺； Vf基丙稀m旨。在基絲面提供测性之能力高，又 去，因補留祕板上，故触域 特佳為g基麟素。 ，πηη=用之严潤劑之重量平均分子量，一般為3。，_至 '\ 。但疋，在將表面處理組成物使用於半導體基板之研 磨’ ^其是使用於石夕晶圓之研磨之情形，濕潤劑之重量平均分 子里較佳為50,000至1，〇〇〇,〇〇(^濕潤劑之重量平均分子量 之情形，可提高絲處理組成物之分散穩定性。 5G，_以上之情形，可充分發揮 权供基扳表面濕〉間性之作用。 。表，處理組成物中顯劑之含量…般料刪至i質量 %。但是將表面處理組成物使用於半導體基板之研磨，尤其是 使?於吩晶圓之研紅情形，濕_之含量較佳為。施至05 :里％。、濕濁劑之含量為〇.5冑量％以下之情形，可提高表面 处理組成物之分散穩定性。濕潤劑之含量為0 001質量％以上 之情形’可充分發揮提供基板表祕雕的作用。 々本發明之表©處理組成物，係將研磨、漂洗、洗淨、侧 等的表面處理在基板進行所細之物，其何適當個於基板 表面之皸裂制成為問題的最終研歸驟、漂洗步驟或洗淨步 201217516 驟中。 使用本么明之表面處理組成物經表面處理的 I1 交佳為藉由因鹼性化合物所致蝕刻而產生的表面。 ==導體基板或磁性體基板，進-步二= tilt' on insulat〇rMfe , 的侧之表面處財，本發明 外之 本發明之表面處理組成物具有以下之優點。 、本發明之表面處理組成物，含有第一界面活性劑 第二界面活性劑之重量平均分子量為第—界面活性 訓之重量平均分子量之1/2倍以下，且表面處 界面活性劑之含秘w t面處組成物中第一 n\ m里與第一界面活性劑之含量合計為_〇〇1至 面产==/ ’㈣本發明之表面處理組成物，可抑制表 面之皸裂。因此，本發明之表面處理組成物， 在將基板之表面研磨、漂洗、洗淨或綱之用途， 度的矽晶圓之表面予以最終研磨：用途i將 研磨後之基板表面予以漂洗之用途可適當使用。 ^發明之表面處理組成物’可相具體化作為下 施形態。 本發明之表面處理組成物可進一步含有螯合劑。在含 螯合劑之情形’可抑制目表面處理組成物賴基板之金屬污 染。可使肖的S合狀财面’可_例如絲誠系整 及有機膦酸系整合劑。在胺基叛酸系螯合劑，可例舉乙二胺四 乙酸、乙二胺四乙酸鈉、氮基三乙酸、氮基三乙酸納、氮 乙，銨、輕乙基乙二胺三乙酸'經乙基乙二胺三乙酸納、二乙 撐三胺五乙酸、二乙撐三胺五乙酸納、三乙撐四胺六乙酸及三 乙樓四胺六乙g_。有機膦酸祕合劑，可例舉2_胺基乙基鱗 201217516 酸、1-經亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞 曱基膦酸）、二乙撐三胺伍(亞曱基膦酸）、乙烷―丨丄―二膦酸、 乙烷-1，1，2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷小羥基 三膦酸、乙烧-1，2-二羧基-1，2-二膦酸、曱烷羥基膦酸、2-膦基 (phosphono)丁烷-l，2-二羧酸、1-膦基丁烷-2,3,4·三羧酸及α-曱 基膦基琥拍酸。 •本發明之表面處理組成物可依照需要進一步含有如防腐 劑般之周知添加劑。 [2]本發明之套組 本發明之套組，係用以調製本發明之表面處理組成物之 物。本發明之套組，含有：第一界面活性劑；第二界面活性劑， 其具有重量平均分子量為第一界面活性劑之重量平均分子量 之1/2倍以下；及驗性化合物。 套組之一形態方面，有可以水稀釋來調製表面處理組成物 的表面處理組成物之原液形態。只要是此種原液之形態’則作 為製品在流通時處理性優異。又，可以水稀釋的簡便方法，調 製表面處理組成物亦有其優點。 β ㈣ί、狀其他職方面，有區分表面處理組成物中各成分為 f予以包裝套組。多_套組可為將表面處理組成 物中之各成分各自分開包裝之物，亦職—部 其他成分混合的雜下包裝之物。 刀之叙“與 [3]本發明之表面處理方法 進扞法係使用本㈣之表錢理組成半 3 方法，更具體言之’係將基板予以研磨 之方法。本發明之表面處理組成物，可衫 ^板之絲處輯使狀餐相囉置及 態。本發明之表面處财法，亦可频化料下述般之實施开 201217516 用。所使用之㈣塾並無制限定，可為 矣而广^ ί明之表面處理方法來研磨或漂洗基板产开， 6’;。广里組成物之使用時溫度並無特別限定，較佳^至 ^發明之表面處理方法所致基板之研磨，可 ΐ以夕者最終加卫基板之表層的最終研磨二 用j改善基板之祕層之研磨的研磨時間，雖^ 而有不同，但一般為αι至1〇小時。最美木度 終研磨之研料間，通常為3G分^^。、加卫基板表層的最 •藉由本發明之表面處理方法，洗淨基板之 併使用概、伽㈣ti(cli_nd eke·)麵音7。亦可一 •在藉由本發明之表錢理方法洗淨基 理使用時溫度並無特別限定，較佳為Ϊ9〇ί面Ϊ 淨時間通常為1小時以下。 π ^y〇C。洗 【實施例】 接著，說明本發明之實施例及比較例。 將第一界面活性劑、第二界面活性劑、鹼 =劑之全部或—部分混合於離子交換水，g 3為HX2。勝態二氧化石夕之平均初_^^: 之1測定褒置FbwS〇rb 11 2300經測定 界面活性劑之i量==以 里^口Μ及第一界面活性劑之總碳數對第 14 201217516 一界面活性劑之總石厌數與第二界面活性劑之總碳數合計之比 率係如表1所示。 使用實施例1至15及比較例丨至1〇之各表面處理組成 物，將矽晶圓之表面在表2記載之條件下研磨。使用的矽晶 圓，係直徑200mm之圓盤狀’傳導型為p型、結晶方位為 <100>、電阻率為O.in.cm以上小於i〇〇Q.cm，使用Fujimi股 份有限公司製之研磨漿液(商品名GLANZ〇x 11〇4)，在預備研 磨之後使用。 使用實施例1至15及比較例丨至10之各表面處理組成 物’將研磨後矽晶圓之表面’以KLA.Tenc〇r公司製晶圓檢查 裝置Surfscan SP2”之DWO模式計測，根據此計測，評價研磨 後矽晶圓表面之霧值等級，結果如表丨之“霧值”攔所示。在同 攔中，“A”係表示相較於比較例2，霧值等級減低1〇%以上者； “B”係表示其為5%以上小於10%者；“c”係表示小於5% ; “D” 係表示與比較例2比較，無法確認霧值等級之減低者。 將傳導型為p型、結晶方位為<100>、電阻率為〇 ln.cm 以上小於lOOQ.cm，且60mm見方之矽晶圓表面，使用Fujimi 股份有限公司製之研磨漿液(商品名GLANZ〇x 11〇4)，進行預 備研磨之後’使用實施例1至15及比較例丨至1〇之各表面處 理組成在表3記載之條件下研磨。研磨後矽晶圓之表面以 7L/分流量之流水進行1〇秒漂洗，其後，將矽晶圓垂直立起並 靜置。接著，在經過30秒後，測定自各矽晶圓之周緣至矽晶 圓表面中濕潤部分為止之距離中最大者，根據此測定，評價研 磨後矽晶圓表面之濕潤性，結果如表丨之“濕潤性，，欄所示。、在 同襴中，“A”表示自矽晶圓之周緣至濕潤部分為止之最大之距 離為5mm以下者；“B”表示其超過5mm、4〇mm以下者；“c” 表示超過4〇mm者。 15 201217516 表1

第一界面活性劑 第二界面活性劑 _ _ δ搞蝥 結構 重量平均分子量 HLB值 結構 重量平均分子量 HLB值 ζο1 0s uL vB *4° 1 Ί 浓城 缀 W Μ 、1 姝 昶V0 1姝 浓硃 數之合計[%] 霧值 濕潤性 實施例1 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 52 A A 實施例2 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 62 A A 實施例3 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 69 A B 實施例4 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 73 A B 實施例5 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 77 A B 實施例6 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.001 40 A A 實施例7 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.001 50 A A 實施例8 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.001 73 A B 實施例9 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.001 67 A B 實施例10 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PEO5 378 12 0.001 50 A A C24PEO20 1308 15 實施例11 C24PEO20 1308 15 C10PE010 598 15 0.0002 31 A B 實施例12 C24PEO20 1308 15 C10PE010 598 15 0.0001 18 A B 實施例13 C10PE010 598 15 PEG 200 20 0.0002 6 B B 實施例14 C12PE015 846 15 C8PE06 394 13 0.0001 36 A B 實施例15 PEO-PPO-PEO 16000 17 C24PEO20 1308 15 0.001 43. B B 比較例1 - - - - - - - - D A 比較例2 PEO-PPO-PEO 9000 16 - - - 0.001 0 D A 比較例3 PEO-PPO-PEO 9000 16 - - - 0.003 0 D A 比較例4 - - - PEG 4000 20 0.0001 100 D A 比較例5 - - - C10PEO5 378 12 0.0001 100 C A 比較例6 C12PEO40 1956 18 C12PEO30 1506 17 0.0002 20 D C 比較例7 C12PEO40 1956 18 C16PEO20 1122 16 0.0001 10 D C 比較例8 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.000009 73 C A 比較例9 PEO-PPO-PEO 9000 16 C10PE010 598 15 0.13 80 D C 比較例10 C24PEO20 1308 15 C10PE010 598 15 0.001 93 D C PEO-PPO-PEO:聚氧乙烯聚氧丙烯之嵌段共聚物 C8PE06:聚氧乙稀¢)2-乙基己醚 C10PEO5:聚氧乙烯(5)癸醚 16 201217516 C10PE010:聚氧乙烯(10)癸喊 C12PE015:聚氧乙烯(15)月桂趟 C12PEO30:聚氧乙烯(3〇)月桂輕 C12PEO40:聚氧乙烯(4〇)月桂醚 Cl 6PEO20:聚氧乙烯(2〇)十六醚 C24PE⑽:單油酸聚氧乙烯(2〇)山梨聚糖酯 PEG:聚乙二醇 表2 5¾2(岡未工作機械製 研磨機：單片式研磨機 研磨負荷：15kPa

平台旋轉速率：30rpm 頭旋轉速率：30rpm 研磨時間：4分鐘 表面處理組成物之溫度：2(TC 表面處理組成物之供給速度：0.5升/分(使用自然排出 (free-flowing))

_表3__ 研磨機：卓上研磨機(日本Engis公司 研磨負荷：15kPa

平台旋轉速率：30rpm 頭旋轉速率：30rpm 研磨時間：1分鐘 表面處理組成物之溫度：2〇°c 出) 表面處理組成物之供給速度:0.25升/分(使用 如表1所示，可知在實施例1至15中相較於比較例i至 10，霧值等級低。 【圖式簡單說明】 201217516 無。 【主要元件符號說明】 無。

Claims (1)

1. 201217516 七、申請專利範圍： L —種表面處理組成物，其含右筮一r&、、工^七， 活性劑、鹼性化合物及水，且1以W、第二界面 該第二界面活性劑之重量 ，n為 性劑之重量平均分子量之1/2倍以下二 該第二界面活性劑含量之合計二 利Ϊ圍第1項之表面處理組成物，其例1 界面活性劑之總碳數合計的轉為丨至 …亥弟- 如申請專利範圍第1或2項# 〇 -界面活性劑之重量平均分子量為=勿，其中該第 如申請專利範圍第1或2項之表面广 ，〇〇〇。 圍第1或2項之表面處理組成物，其進一步 圍第5項之表面處理組成物，其中該粒子成 ::sr第1或2項之表面處理組成物，其進-步 二處或二之表面處理組成物，其係使用 ===二面處理組成物，其係使用 =套組，其係用以調製如申請 性劑之重量平均分子量f^ 2倍以:下·及』，、‘ ' 1面活 u. 一種表_方法，細_咖申物1=7或2 2. 3· 4. 5. 6. 8. 9. 10. 19 201217516 面處理組成物’將基板表面予以研磨、洗淨、漂洗 12 •:縣面處理方法，其触為餘壯巾請專概圍第工 或2項之表面處理組成物，來研磨或漂洗基板之 請專纖圍第U奴表面處理方法，其中該基板為石夕 20 201217516 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（無）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：