SU957417A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Description

(5) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

1

Изобретение относитс  к импульсной технике и может использоватьс  в качестве источника импульсов дл  возбуждени  инжекционных полупроводниковых лазеров, мощных светодиодов, генераторных ламп и т.д.

Известен формирователь импульсов, содержащий лавинный транзистор с нагрузкой в цепи эмиттера, зар дный резистор и накопительный конденсатор l.

Это устройство не может генерировать короткие импульсы ( и ме- : нее не) повышенной амплитуды (50 ,100 и более вольт). Объ сн етс  это тем, что в релаксаторе на лавинном транзисторе повышенна  амплитуда, импульсов может быть получена только при большом значении емкости накопительного конденсатора С.ц. Однако увеличение емкости приводит к возрастанию ширины импульса, так как Длительность его среза определ етс  посто нной времени КцС, где R - сопротивление нагрузки. Поэтому дл  получени  коротких импульсов величину емкости необходимо уменьшить, что автоматически приводит к уменьшению амплитуды.

Известен также формирователь импульсов , содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера пер10 вого лавинного транзистора, зар дный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером ,5 которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора 2.

Оно позвол ет получить короткие импульсы ( ft 10-20 не). Однако полезна  амплитуда напр жени  на нагрузке

Claims (2)

1. 20 уменьшаетс  по величине примерно в два раза. Дл  увеличени  амплитуды импульсов вместо разр дной линии может использоватьс  накопительный конденсатор. Недостатками известного формировател . вл ютс  также низкие надежность и быстродействие. Цель изобретени  - повышение быст родействи  и надежности, Поставленна  цель достигаетс  тем что в формирователь импульсов, содер жащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, накопительный конденj;aтор и зар дный резистор в цепи коллектора второго лавинного транзистора , между базой и эмиттером которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора, введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катод подключен к общей шине. На чертеже изображено устройство, Устройство содержит задающий гене ратор 1, импульсный трансформатор 2, лавинный транзистор 3, накопительный конденсатор k, зар дный резистор 5 источник 6 питани , лавинный гранзистор 7, диод 8 и нагрузку 9. Устройство работает следующим образом . В исходном состо нии лавинные транзисторы 3 и 7 закрыты. Накопительный конденсатор зар жен до напр жени  UCQ, величина которого выбираетс  нескольким меньшим суммы значений напр жений включени  лавинных транзисторов 3 и 7. Значение (i устанавливаетс  величиной сопротивлени  резистора 5 и напр жени  источника 6 питани . Переход транзисторов 3 и 7 из закрытого состо ни  в открытое происходит при поступлении отпирающего импульса от задающего генератора 1, Включение лавинных транзисторов 3 и 7 носит регенеративный характер. В процессе их включени  мгновенные значени  токов в цепи эмиттера и базы транзистора лавинообразно нарастают во времени. Так как пр мое импульсное сопротивление диода 8 в первый момент велико, то основна  часть коллекторного тока транзисто-. ра 7 ответвл етс  в цепь, эмиттера и, следовательно, в нагрузку 9, С течен ем времени пр мое импульсное сопроти ление диода 8 спадает по величине, в результате чего сЬставл юща  тока базы транзистора 7 возрастает. Лоследнее приводит к увеличению эффекта шунтировани  эмиттерного перехода И уменьшению тока нагрузки. После достижени  пр мого импульсного сопротивлени  установившегос  значени  эмиттерный переход транзистора 7 оказываетс  практически полностью зашунтированным . Ток в нагрузке 9 спадет до нулевого значени . На этом заканчиваетс  формирование импульса в нагрузке 9. Накопленный в базе транзистора 7 зар д быстро рассасываетс  током диода 8, направление которого противоположно отпирающему току базы. Это приводит к запиранию лавинного транзистора 7 и, соответственно, транзистора 3. Высокочастотные точечные диоды имеют врем  установлени  импульсного пр мого сопротивлени  равное ,Q20 НС. Поэтому подключение диода 8 к базе транзистора 7 позвол ет формировать срез импульса, начина  с момента времени, соответствующего достижению током нагрузки пикового значени , т.е. значительно быстрее. Следует заметить что дл  нормальной работы схемы включение лавинных транзисторов 3 и 7 возможно в том случае, если отпирающий сигнал поступает на базу транзистора 3. Объ сн етс  это тем,что импульс задающего генератора 1, поданный на базу транзистора 7, оказывает вли ние на величину зар да, накапливаемого в базе диода 8, и, следовательно, на врем  установлени  его пр мого импульсного сопротивлени . Таким образом, амплитуда импульса напр жени  в нагрузке формировател  определ етс  величиной емкости накопительного конденсатора, тогда как длительность его среза определ етс  временем установлени  пр мого импульсного сопротивлени  диода, включенного в цепь базы лавинного транзистора . Благодар  этому длительность импульса в предлагаемом устройстве при такой же амплитуде заметно меньше, чем в известном. Формула изобретени  Формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора , зар дный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллекто pa второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора, отличающ и и с   тем, что, с целью повышени  быстродействи  и надежности, в него введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора , а катод подключен к общей шине. 957 5 76 Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Агахан н Т.Н., Гаври ов Л.Е., Мищенко 5.Г. Основы наносекундной техники. Атомиздат, 1976, с. 208.
2. 2.Frequenz 1970, 2k, К 1, S U, В. 16.