[go: up one dir, main page]

SU957417A1 - Pulse shaper - Google Patents

Pulse shaper Download PDF

Info

Publication number
SU957417A1
SU957417A1 SU813251262A SU3251262A SU957417A1 SU 957417 A1 SU957417 A1 SU 957417A1 SU 813251262 A SU813251262 A SU 813251262A SU 3251262 A SU3251262 A SU 3251262A SU 957417 A1 SU957417 A1 SU 957417A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
avalanche
pulse
base
diode
Prior art date
Application number
SU813251262A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Станислав Иванович Зиенко
Вячеслав Васильевич Брытков
Original Assignee
Смоленский Филиал Московского Ордена Ленина Энергетического Института
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Смоленский Филиал Московского Ордена Ленина Энергетического Института filed Critical Смоленский Филиал Московского Ордена Ленина Энергетического Института
Priority to SU813251262A priority Critical patent/SU957417A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU957417A1 publication Critical patent/SU957417A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

(5) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ(5) PULSE FORMER

1one

Изобретение относитс  к импульсной технике и может использоватьс  в качестве источника импульсов дл  возбуждени  инжекционных полупроводниковых лазеров, мощных светодиодов, генераторных ламп и т.д.The invention relates to a pulse technique and can be used as a source of pulses for driving injection semiconductor lasers, high power LEDs, generator lamps, etc.

Известен формирователь импульсов, содержащий лавинный транзистор с нагрузкой в цепи эмиттера, зар дный резистор и накопительный конденсатор l.A pulse shaper is known that contains an avalanche transistor with a load in the emitter circuit, a charging resistor and a storage capacitor l.

Это устройство не может генерировать короткие импульсы ( и ме- : нее не) повышенной амплитуды (50 ,100 и более вольт). Объ сн етс  это тем, что в релаксаторе на лавинном транзисторе повышенна  амплитуда, импульсов может быть получена только при большом значении емкости накопительного конденсатора С.ц. Однако увеличение емкости приводит к возрастанию ширины импульса, так как Длительность его среза определ етс  посто нной времени КцС, где R - сопротивление нагрузки. Поэтому дл  получени  коротких импульсов величину емкости необходимо уменьшить, что автоматически приводит к уменьшению амплитуды.This device can not generate short pulses (and me - it is not) of increased amplitude (50, 100 or more volts). This is explained by the fact that in the relaxator on the avalanche transistor increased amplitude, pulses can be obtained only with a large value of the storage capacitor S.ts. However, an increase in capacitance leads to an increase in the width of the pulse, since the duration of its cutoff is determined by the time constant CcS, where R is the load resistance. Therefore, in order to obtain short pulses, the capacitance value needs to be reduced, which automatically leads to a decrease in amplitude.

Известен также формирователь импульсов , содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера пер10 вого лавинного транзистора, зар дный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером ,5 которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора 2.A pulse shaper is also known that contains two series-connected avalanche transistors with a load in the emitter circuit of the first avalanche transistor, a charging resistor and a storage capacitor in the collector circuit of the second avalanche transistor, between the base and the emitter of the pulse transformer 2.

Оно позвол ет получить короткие импульсы ( ft 10-20 не). Однако полезна  амплитуда напр жени  на нагрузке It allows you to get short pulses (ft 10-20 no). However, the load voltage amplitude is helpful.

Claims (2)

20 уменьшаетс  по величине примерно в два раза. Дл  увеличени  амплитуды импульсов вместо разр дной линии может использоватьс  накопительный конденсатор. Недостатками известного формировател . вл ютс  также низкие надежность и быстродействие. Цель изобретени  - повышение быст родействи  и надежности, Поставленна  цель достигаетс  тем что в формирователь импульсов, содер жащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, накопительный конденj;aтор и зар дный резистор в цепи коллектора второго лавинного транзистора , между базой и эмиттером которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора, введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катод подключен к общей шине. На чертеже изображено устройство, Устройство содержит задающий гене ратор 1, импульсный трансформатор 2, лавинный транзистор 3, накопительный конденсатор k, зар дный резистор 5 источник 6 питани , лавинный гранзистор 7, диод 8 и нагрузку 9. Устройство работает следующим образом . В исходном состо нии лавинные транзисторы 3 и 7 закрыты. Накопительный конденсатор зар жен до напр жени  UCQ, величина которого выбираетс  нескольким меньшим суммы значений напр жений включени  лавинных транзисторов 3 и 7. Значение (i устанавливаетс  величиной сопротивлени  резистора 5 и напр жени  источника 6 питани . Переход транзисторов 3 и 7 из закрытого состо ни  в открытое происходит при поступлении отпирающего импульса от задающего генератора 1, Включение лавинных транзисторов 3 и 7 носит регенеративный характер. В процессе их включени  мгновенные значени  токов в цепи эмиттера и базы транзистора лавинообразно нарастают во времени. Так как пр мое импульсное сопротивление диода 8 в первый момент велико, то основна  часть коллекторного тока транзисто-. ра 7 ответвл етс  в цепь, эмиттера и, следовательно, в нагрузку 9, С течен ем времени пр мое импульсное сопроти ление диода 8 спадает по величине, в результате чего сЬставл юща  тока базы транзистора 7 возрастает. Лоследнее приводит к увеличению эффекта шунтировани  эмиттерного перехода И уменьшению тока нагрузки. После достижени  пр мого импульсного сопротивлени  установившегос  значени  эмиттерный переход транзистора 7 оказываетс  практически полностью зашунтированным . Ток в нагрузке 9 спадет до нулевого значени . На этом заканчиваетс  формирование импульса в нагрузке 9. Накопленный в базе транзистора 7 зар д быстро рассасываетс  током диода 8, направление которого противоположно отпирающему току базы. Это приводит к запиранию лавинного транзистора 7 и, соответственно, транзистора 3. Высокочастотные точечные диоды имеют врем  установлени  импульсного пр мого сопротивлени  равное ,Q20 НС. Поэтому подключение диода 8 к базе транзистора 7 позвол ет формировать срез импульса, начина  с момента времени, соответствующего достижению током нагрузки пикового значени , т.е. значительно быстрее. Следует заметить что дл  нормальной работы схемы включение лавинных транзисторов 3 и 7 возможно в том случае, если отпирающий сигнал поступает на базу транзистора 3. Объ сн етс  это тем,что импульс задающего генератора 1, поданный на базу транзистора 7, оказывает вли ние на величину зар да, накапливаемого в базе диода 8, и, следовательно, на врем  установлени  его пр мого импульсного сопротивлени . Таким образом, амплитуда импульса напр жени  в нагрузке формировател  определ етс  величиной емкости накопительного конденсатора, тогда как длительность его среза определ етс  временем установлени  пр мого импульсного сопротивлени  диода, включенного в цепь базы лавинного транзистора . Благодар  этому длительность импульса в предлагаемом устройстве при такой же амплитуде заметно меньше, чем в известном. Формула изобретени  Формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора , зар дный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллекто pa второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторична  обмотка импульсного трансформатора, отличающ и и с   тем, что, с целью повышени  быстродействи  и надежности, в него введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора , а катод подключен к общей шине. 957 5 76 Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Агахан н Т.Н., Гаври ов Л.Е., Мищенко 5.Г. Основы наносекундной техники. Атомиздат, 1976, с. 208. 20 is approximately halved. To increase the amplitude of the pulses, a storage capacitor can be used instead of the discharge line. The disadvantages of the famous shaper. reliability and performance are also low. The purpose of the invention is to increase speed and reliability. The goal is achieved by the fact that a pulse generator containing two series-connected avalanche transistors with a load in the emitter circuit of the first avalanche transistor, an accumulator and a charging resistor in the collector circuit of the second avalanche transistor The base and emitter of which includes the secondary winding of the pulse transformer, a diode is inserted, the anode of which is connected to the base of the first avalanche transistor, and the cathode is connected to the common busbar e. The drawing shows a device, the device contains a master generator 1, a pulse transformer 2, an avalanche transistor 3, a storage capacitor k, a charging resistor 5, a power source 6, a avalanche granulator 7, a diode 8 and a load 9. The device operates as follows. In the initial state, the avalanche transistors 3 and 7 are closed. The storage capacitor is charged up to a voltage UCQ, the value of which is chosen to be slightly smaller than the sum of the avalanche transistors 3 and 7. The value (i is set by the resistance of the resistor 5 and the voltage of the power source 6. Transition of the transistors 3 and 7 from closed state the open occurs when a trigger pulse arrives from the master oscillator 1, the inclusion of avalanche transistors 3 and 7 is regenerative in nature. In the process of turning them on, instantaneous currents in the emitter and base circuit The razistor is growing like an avalanche in time. Since the direct impulse resistance of diode 8 is large at the first moment, the main part of the collector current of transistor 7 is branched into the circuit, emitter and, consequently, into the load 9. The resistance of diode 8 decreases in magnitude, as a result of which the base current of transistor 7 increases, the latter increases the effect of shunting the emitter junction and decreases the load current. After reaching a direct pulse impedance of a steady-state value, the emitter junction of the transistor 7 becomes almost completely shunted. The current in load 9 drops to zero. This completes the formation of a pulse in the load 9. The charge accumulated in the base of the transistor 7 is quickly absorbed by the current of the diode 8, the direction of which is opposite to the unlocking base current. This leads to the locking of the avalanche transistor 7 and, accordingly, of the transistor 3. High-frequency dot diodes have the time to establish the impulse direct resistance equal to, Q20 HC. Therefore, the connection of the diode 8 to the base of the transistor 7 makes it possible to form a pulse cutoff, starting from the moment of time corresponding to the current reaching the peak value, i.e. much faster. It should be noted that for normal operation of the circuit, the inclusion of avalanche transistors 3 and 7 is possible if the unlocking signal arrives at the base of transistor 3. This is explained by the fact that the pulse of the master oscillator 1 applied to the base of transistor 7 affects the value charge accumulated in the base of the diode 8, and, therefore, at the time of establishing its direct impulse resistance. Thus, the amplitude of the voltage pulse in the load of the driver is determined by the capacitance of the storage capacitor, while the duration of its cut-off is determined by the establishment time of the direct pulse impedance of the diode connected to the avalanche transistor base circuit. Due to this, the pulse duration in the proposed device with the same amplitude is noticeably less than in the known one. The invention The pulse shaper containing two series-connected avalanche transistors with a load in the emitter circuit of the first avalanche transistor, a charging resistor and a storage capacitor in the collector circuit pa of the second avalanche transistor, between which the secondary winding of the pulse transformer is connected, and that, in order to increase speed and reliability, a diode is inserted into it, the anode of which is connected to the base of the first avalanche transistor, and the cathode is connected to the common bus e. 957 5 76 Sources of information taken into account during the examination 1.Agahan, N.N., Gavri ov L.E., Mishchenko 5.G. Basics of nanosecond technology. Atomizdat, 1976, p. 208. 2.Frequenz 1970, 2k, К 1, S U, В. 16.2.Frequenz 1970, 2k, K 1, S U, V. 16.
SU813251262A 1981-02-24 1981-02-24 Pulse shaper SU957417A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813251262A SU957417A1 (en) 1981-02-24 1981-02-24 Pulse shaper

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813251262A SU957417A1 (en) 1981-02-24 1981-02-24 Pulse shaper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU957417A1 true SU957417A1 (en) 1982-09-07

Family

ID=20944217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813251262A SU957417A1 (en) 1981-02-24 1981-02-24 Pulse shaper

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU957417A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1475101A (en) Method of and apparatus for producing a subnanosecond pulse
US4177393A (en) Drive circuit for a television deflection output transistor
US4629993A (en) Pockels cell driver
SU957417A1 (en) Pulse shaper
US3787738A (en) Pulse producing circuit
US4352152A (en) High speed non-saturating inverter
SU458090A1 (en) Pulse shaper
CN221226815U (en) Semiconductor laser driving complementary output circuit based on mosfets
SU744945A1 (en) Pulse stretcher
SU1619388A1 (en) Generator of short-duration video pulses
SU1450082A1 (en) Pulser
JPH09140122A (en) Igbt driving reverse bias circuit
SU1714801A1 (en) Transistor switch
SU428503A1 (en) RELAXATION IMPULSE FORMER
SU1698942A1 (en) Device for control over high-voltage thyristor turn-off rectifier
SU450340A1 (en) Pulse modulator
SU443463A1 (en) Pulse generator
SU752760A1 (en) Pulser
SU1320889A1 (en) Transistor switch
SU813734A1 (en) Pulse delay shaper
SU1034153A1 (en) Multivibrator
SU1368970A1 (en) Signal shaper
SU942135A2 (en) Current shaper for magnetic storage device
SU508915A1 (en) Stress Generator
SU748804A1 (en) Multivibrator