(54) ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ Изобретение относитс к гальванос тегии, в частности к электролитическому осаждению полупроводниковых пок рытий типа медь-халькоген, например сплав медь-сера состава Cu2. S, . Известен электролит дл осаждени покрытий типа медь-халькоген, например медь-селен, содержащий двухлористую медь, двуокись селена, хлори тый литий и муравьиную кислоту. Дан ный электролит позвол ет получать п рыти хороиего качества толщиной до 30 мкм 1 . Однако полученна пленка вл етс полупроводниковым соединением Cur.Se с шириной запрещенной зоны 1,2 эВ, что не позвол ет получать максимальную фото-ЭДС при использовании ее дл изготовлени солнечных фотоэлементов. Более широкой запрещенной зоной обладает полупроводниковое соединение , использование которого в солнечных фотоэлементах более целесообразно . наиболее близким к предлагаемому по составу компонентов вл етс электролит дл оса вдени покрытий на основе меди, содержащий сульфат НА ОСНОВЕ МЕДИ еди, тиосульфат натри , серную, кисоту и соединение никел Г2 . Однако данный электролит предназначен дл получени медного подсло перед блест щим никелированием стальных изделий. Наличие в электролите меднени тиосульфата натри приводит к образованию соединени Cu,S, но не в виде сплошной пленки,а в виде отдельных вкраплений в медное покрытие, вл ющихс центром кристаллизации со значительной примесью никел . Такие покрыти могут быть использованы в полупроводниковой электронике . Цель изобретени - получение сплошного покрыти состава Cu,.S , где GiX.1, Указанна цель достигаетс тем, что электролит содержчт указанные компоненты при следумцём соотношении , моль/л: Сульфат меди0,4-0,5 Тиосульфат натри 0,15-0,2 серна кислота1,5-2 Процесс осаждени провод т при 20-25 С, плотности тока 5-60 мА/см в течение 5-20 мин. В качестве катода используют платину, никель и нержавекадую сталь, в качестве анода - пла тину., Электролит обладает высокой элект ропроводностью, что очень важно дл нормального проведени ,п оцеоса элёкт ролиза. Указанное количество серной кислс/ты вл етс .оптимальнымдл обеспечени прочного сцеплени покрыти с основой. Стабильность электролита 1-2 А-ч/л, рассеивающа способность измеренна по методу непосредственно го изучени распределени тока и металла на поверхности катода в электролизерах с плоскопараллельными электродами при расположении катодов на различное рассто нии от анода, 71,3%. Из электролита получают плотгше, блест щие (отражательна способность, .60%) покрыти толщиной до 50 мкм с удельным сопротивлением О,2 10 Ом«см и содержанием серы до 34% следующего состава; CuS, Cu., S r.. . ft в таблице приведены состав и режим электролиза предлагаемого электролита . Таким образом, предлагаемый электролит позвол ет получать полупроводниковый сплав состава Си S в виде покрытий, имекнцих достаточно широкую ширину запрещенной зоны (1,62 ,0 эВ), что дает возможность использовать их в солнечных преобразовател х и элементах Пс1м ти,(54) ELECTROLYTE FOR DEPOSITION OF COATINGS The invention relates to galvanizing, in particular to the electrolytic deposition of copper-chalcogen-type semiconductor coatings, for example, copper-sulfur alloy of Cu2 composition. S,. An electrolyte is known for the deposition of copper-chalcogen type coatings, for example copper-selenium, containing copper chloride, selenium dioxide, lithium chloride, and formic acid. This electrolyte makes it possible to obtain good quality finishes up to 30 microns 1 thick. However, the resulting film is a semiconductor compound Cur.Se with a band gap of 1.2 eV, which does not allow to obtain the maximum photo-emf when used to make solar photovoltaic cells. A wider forbidden zone has a semiconductor compound, the use of which in solar cells is more appropriate. The closest to the composition proposed is an electrolyte for copper-based coatings wasp containing sulfate BASED ON COPPER, sodium thiosulfate, sulfuric acid, acidity, and the G2 nickel compound. However, this electrolyte is designed to produce a copper underlayer before brilliant nickel plating of steel products. The presence of sodium thiosulfate in the electrolyte leads to the formation of a Cu, S compound, but not in the form of a continuous film, but in the form of individual inclusions in the copper coating, which are the center of crystallization with a significant admixture of nickel. Such coatings can be used in semiconductor electronics. The purpose of the invention is to obtain a continuous coating of the composition Cu, .S, where GiX.1. This goal is achieved by the fact that the electrolyte contains these components at the following ratio, mol / l: Medium sulfate 0.4-0.5 Sodium thiosulfate 0.15-0 , 2 sulfuric acid 1.5-2 The deposition process is carried out at 20-25 ° C, current density 5-60 mA / cm for 5-20 minutes. Platinum, nickel and stainless steel are used as cathodes, and platinum is used as anode. The electrolyte has a high electrical conductivity, which is very important for normal operation, as well as electrosis. The indicated amount of sulfuric acid (s) is optimal for ensuring a strong adhesion of the coating to the substrate. The electrolyte stability is 1-2 Ah / L, the scattering power measured by the method of directly studying the current and metal distribution on the cathode surface in electrolyzers with plane-parallel electrodes when the cathodes are located at different distances from the anode, 71.3%. From the electrolyte, a plaster is obtained, brilliant (reflectivity, .60%) of a coating with a thickness of up to 50 µm with a specific resistance of 0.10 ohm "cm and a sulfur content of up to 34% of the following composition; CuS, Cu., Sr ... ft the table shows the composition and mode of electrolysis of the proposed electrolyte. Thus, the proposed electrolyte makes it possible to obtain a semiconductor alloy of the composition S S in the form of coatings and have a fairly wide band gap (1.62, 0 eV), which makes it possible to use them in solar converters and Psm cells,