Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано дл формировани импульсов, амплитуда кото рых превышает напр жение источника питани . Известен фбрмирователь импульсов, содержащий входной транзистор и цепь умножени , состо щую из И последовательно включенных чеек, кажда из которых содержит транзистор, конденсатор и диод 1 В данном формирователе амплитуда выходного импульса не более, чем в VI +1 раз превышает напр жение, питающее формирователь. Известен формирователь который содержиг входной транзистор и П чеек, в каждую из которых | входит конденсатор диод, резисторы , а также .ключевой и управл ющий транзисторы. При этом эмит тер входного транзистора подключен непосредственно к заземленному полюсу ис точника питани , а коллектор через зар жающий резистор соединен с незаземленным полюсом источника питани , В каж- цой из. и чеек, кроме первой,- перва и втора обкладки конденсатора подключены соответственно через диод к первой обкладке конденсатора и непосредственно к коллектору ключевого транзистора, вход щих в предшествующую чейку. Перва и втора обкладки конденсатора, вход щеего в первую чейку, соответственно поа4 ключены через диод к незаземленному полюсу источника питани и непосредственно к коллектору входного транзистора. Коллектор управл юще го транзистора каждой, кроме первой, чейки подключен к базе ключевого транзистора этой же чейки. Эмиттер каждого такого управл ющего транзистора соединен с первой обкладкой конденсатора предшествующей чейки, , Коллектор управл ющего транзистора, вход щего в первую чейку, подключен через резистор к базе ключевого транзистора этой же чейки. Эмиттер управл ющего транзистора, вход щего в первую чейку, соединен непосредственно с незаземленным полюсом источника питани . 38 База управл ющего гранзисгора кажаой из h чеек, вход щих в формирователь импульсов, подключена через шунтирующий резистор к эмиттеру того же транзистора и через базовый резистор ко второй обкладке конденсатора, вход щего в ту же чейку. Эмиттер ключевосо тран- зистора каждой из И чеек подключен к эмиттеру входного транзистора, вход щего в ту же чейку. А коллектор каждого ключевого транзистора через ограничиваю щий резистор подключен к первой обкладк конденсатора той же чейки . Данный формирователь имеет недостаточный КПД. Целью изобретени вл етс увеличени КПД. Указанна цель достигаетс тем, что в формирователе импульсов, содержащем два выходных транзистора с базовыми резисторами и диод, а также И чеек, в каждую из которых вход т ключевой, зар дный и управл ющий транзисторы, два диода, конденсатор и резисторы, причем эмиттеры первого выходного и всех ключевых транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, амйттер каждого, кроме последнего, зар дного транзистора через конденсатор соединен с первым диодом той же чейки и с коллектором зар дного и эмиттером управл ющего транзисторов последующей чейки, эмиттер последнего транзистора через конденсатор подсоединен к первому диоду той же чей ки, а также к коллектору- и базовому резистору второго выходного транзистора, эмиттер которого через диод, а база непосредственно подключены к коллектору первого транзистора, коллектор зар дного и эмиттер управл ющего транзисторов пер вой чейки соединены с шиной питани , другой вывод первого диода каждой чейки подключен к коллектору зар дного тран зистора той же чейки, а базовый резистор ключевого транзистора каждой чейки подключен к коллектору управл ющего транзистора предыдущей чейки, в каждой чейке базовый резистор управл ющего транзистора подключен к базе зар дного и коллектору ключевого транзисторов, вто рой диод включен между базой зар дного транзистораи точкой соединени его г эмиттера с обкладкой конденсатора, друга обкладка которого через резистор сое динена с базой этого же транзистора, при этом базовый резистор первого выход ного транзистора подключен к коллектору управл ющего транзистора предпоследней чейки. 2 На чертеж.е приведена принципиальна схема формировател . Он содержит чейки 1 - 1 „ц , в которые вход т ключевые 2 зар дные 3 и 3) и управл- ющие 4/( - 4п-/ транзисторы первые 5,- 5 и вторые 6и , диоды, конденсаторы 7y, и резисторы 8 lO f1Оу . Кроме того, в формирователь вход т первый 11 и второй 12 выходные транзисторы, диод и резисторы 14 и 15. При этом эмиттеры транзистора 11 и каждого ключевого транзистора 2.- 2. подключены к шине нулевого потенциала. Эмиттер каждого, кроме последнего, зар дного транзистора через конденсатор соединен с первым диодом той же чейки, а также с коллектором зар дного S L-ft; и с эмиттером управл ющего 4.-) транзистора, вход щих в последующую чейку. Эмиттер последнего зар дного транзистора 3 у через конденсатор 7 подсоединен к первому диоду 5 | той же последней чейки. Кроме того, он подключен к коллектору транзистора 12 и к базовому резистору 14 этого транзистора. Эмиттер транзистора 12 через дирц 13, а база непосредственно подключены к коллектору транзистора 11. Коллектор транзистора 3 и эмиттер транзистора 4 первой чейки соединены с шиной питани 4. Другой вьгоод первого диода каждой чейки подключен к коллектору зар дного транзистора той же чейки, а базовый резистор ключевого транзистора каждой чейки подключен-к коллектору транзистора предыдущей чейки. В каждой, кроме последней, чейке базовый резистор 8 транзистора 4 подключен к базе транзистора и к коллектору транзистора 2 той же чейки. Второй диод в каждой чейке включен между базой транзистора 3 той же чейки и точкой соединени его эмиттера с обкладкой конденсатора 7 , друга обкладка которого через резистор 9 соединена с базой этого же транзистора. При этом базовый резистор 15 транзистора 11 подключен к коллектору транзистора 4, предпоследней чейки. Работает предлагаемый формирователь импульсов следующим образом. При наличии на базе транзистора 2 псхложительного потенциала он открыт и насыщен. В результате этого закрыт транзистор 3„ открыт и насыщен транзистор 4 -I . Последний поддерживает открытым и насыщенным транзистор , который, в свою очередь, нодцерживает закрытым транзистор и насыщенным транзистор При этом остальные транзисторы 2, 4 и транзистор 11 насыщены, а остал ные транзисторы 3 и транзист.рр 12 закрыты . Потенциал на эмиттере транзистора 12, т. е. на выходе формировател импульсов, поддерживаетс близким к О, а каждый конаенсатор 7 зар жен до напр жени , близкого к напр жению Е ис точника питани . При поступлении на базу транзистора 2 управл ющего сигнала (нулевого потенциала) этот транзистор закрываетс и потенциал базы транзистора 3 повышаетс , что приводит к открыванию тран зистора 3. При этом потенциал катодо всех диодов 5 становитс близок к 2Е, если выполн етс соотношение (1) п где С и R - емкость и сопротивление элементов устройства со ответственно; - коэффициент передачи то транзистором при включ нии его по схеме с общим эмиттером. Транзисторы 4. и закрываютс , U потенциал базы транзистора 3 начинает повышатьс , что приводит к открыьанию транзистора 3-2 . При этом потен 9-2 10-3 В.з ., . Рассужда подобным образом, .получаем , что амплитуда импульсов на коллекто ре транзистора 12 блиакч к Е 2 , если при всех j таких, что1 и выполн етс условие (3) и . 1-1 V I Т у VГ J -.jn 3- 1(М очпЬ-З VjNo4J4.)B,,.,,5 Ко., (). ) При этом амплитуда импульсов на нагрузке также близка к Е 2 если выполн етс условие (4) Следует отметить, что если скважность выходных импульсов достаточно мала, так что в промежутках между импульсами конденсаторы эазр жаютс лишь незначительно , то формирователь может функционировать описанным образом даже если условие (За) не выполн етс . На основании приведенных соотношений можно получить, что во врем подачи на нагрузку Рц импульса амплитудой Е 2 мощность, рассеиваема в формирователе , составл ет ( - ъ мощность, выдел ема в нагрузке при напр жении на ней, равном Е 2 . В промежутках между выходными импуль ,сами в рассматриваемом формирователе импульсов рассеиваетс мощность 25 Г в. J (ЛQQ-t)Ъ гп f I. w f 2. Из последнего выражени видно, что если обеспечить В,В (чего можно достичь , например, за счет того, что в качестве второго выходного транзистора и использовать составной транзистор), то Т8о а г На основании выражений (5) и (6) учаем дл КПД формировател следуюсоотношение: «и Л Q - скважность выходных импульсов формировател .