Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано дл формировани импульсов, амплитуда кото рых превышает напр жение источника питани . Известен фбрмирователь импульсов, содержащий входной транзистор и цепь умножени , состо щую из И последовательно включенных чеек, кажда из которых содержит транзистор, конденсатор и диод 1 В данном формирователе амплитуда выходного импульса не более, чем в VI +1 раз превышает напр жение, питающее формирователь. Известен формирователь который содержиг входной транзистор и П чеек, в каждую из которых | входит конденсатор диод, резисторы , а также .ключевой и управл ющий транзисторы. При этом эмит тер входного транзистора подключен непосредственно к заземленному полюсу ис точника питани , а коллектор через зар жающий резистор соединен с незаземленным полюсом источника питани , В каж- цой из. и чеек, кроме первой,- перва и втора обкладки конденсатора подключены соответственно через диод к первой обкладке конденсатора и непосредственно к коллектору ключевого транзистора, вход щих в предшествующую чейку. Перва и втора обкладки конденсатора, вход щеего в первую чейку, соответственно поа4 ключены через диод к незаземленному полюсу источника питани и непосредственно к коллектору входного транзистора. Коллектор управл юще го транзистора каждой, кроме первой, чейки подключен к базе ключевого транзистора этой же чейки. Эмиттер каждого такого управл ющего транзистора соединен с первой обкладкой конденсатора предшествующей чейки, , Коллектор управл ющего транзистора, вход щего в первую чейку, подключен через резистор к базе ключевого транзистора этой же чейки. Эмиттер управл ющего транзистора, вход щего в первую чейку, соединен непосредственно с незаземленным полюсом источника питани . 38 База управл ющего гранзисгора кажаой из h чеек, вход щих в формирователь импульсов, подключена через шунтирующий резистор к эмиттеру того же транзистора и через базовый резистор ко второй обкладке конденсатора, вход щего в ту же чейку. Эмиттер ключевосо тран- зистора каждой из И чеек подключен к эмиттеру входного транзистора, вход щего в ту же чейку. А коллектор каждого ключевого транзистора через ограничиваю щий резистор подключен к первой обкладк конденсатора той же чейки . Данный формирователь имеет недостаточный КПД. Целью изобретени вл етс увеличени КПД. Указанна цель достигаетс тем, что в формирователе импульсов, содержащем два выходных транзистора с базовыми резисторами и диод, а также И чеек, в каждую из которых вход т ключевой, зар дный и управл ющий транзисторы, два диода, конденсатор и резисторы, причем эмиттеры первого выходного и всех ключевых транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, амйттер каждого, кроме последнего, зар дного транзистора через конденсатор соединен с первым диодом той же чейки и с коллектором зар дного и эмиттером управл ющего транзисторов последующей чейки, эмиттер последнего транзистора через конденсатор подсоединен к первому диоду той же чей ки, а также к коллектору- и базовому резистору второго выходного транзистора, эмиттер которого через диод, а база непосредственно подключены к коллектору первого транзистора, коллектор зар дного и эмиттер управл ющего транзисторов пер вой чейки соединены с шиной питани , другой вывод первого диода каждой чейки подключен к коллектору зар дного тран зистора той же чейки, а базовый резистор ключевого транзистора каждой чейки подключен к коллектору управл ющего транзистора предыдущей чейки, в каждой чейке базовый резистор управл ющего транзистора подключен к базе зар дного и коллектору ключевого транзисторов, вто рой диод включен между базой зар дного транзистораи точкой соединени его г эмиттера с обкладкой конденсатора, друга обкладка которого через резистор сое динена с базой этого же транзистора, при этом базовый резистор первого выход ного транзистора подключен к коллектору управл ющего транзистора предпоследней чейки. 2 На чертеж.е приведена принципиальна схема формировател . Он содержит чейки 1 - 1 „ц , в которые вход т ключевые 2 зар дные 3 и 3) и управл- ющие 4/( - 4п-/ транзисторы первые 5,- 5 и вторые 6и , диоды, конденсаторы 7y, и резисторы 8 lO f1Оу . Кроме того, в формирователь вход т первый 11 и второй 12 выходные транзисторы, диод и резисторы 14 и 15. При этом эмиттеры транзистора 11 и каждого ключевого транзистора 2.- 2. подключены к шине нулевого потенциала. Эмиттер каждого, кроме последнего, зар дного транзистора через конденсатор соединен с первым диодом той же чейки, а также с коллектором зар дного S L-ft; и с эмиттером управл ющего 4.-) транзистора, вход щих в последующую чейку. Эмиттер последнего зар дного транзистора 3 у через конденсатор 7 подсоединен к первому диоду 5 | той же последней чейки. Кроме того, он подключен к коллектору транзистора 12 и к базовому резистору 14 этого транзистора. Эмиттер транзистора 12 через дирц 13, а база непосредственно подключены к коллектору транзистора 11. Коллектор транзистора 3 и эмиттер транзистора 4 первой чейки соединены с шиной питани 4. Другой вьгоод первого диода каждой чейки подключен к коллектору зар дного транзистора той же чейки, а базовый резистор ключевого транзистора каждой чейки подключен-к коллектору транзистора предыдущей чейки. В каждой, кроме последней, чейке базовый резистор 8 транзистора 4 подключен к базе транзистора и к коллектору транзистора 2 той же чейки. Второй диод в каждой чейке включен между базой транзистора 3 той же чейки и точкой соединени его эмиттера с обкладкой конденсатора 7 , друга обкладка которого через резистор 9 соединена с базой этого же транзистора. При этом базовый резистор 15 транзистора 11 подключен к коллектору транзистора 4, предпоследней чейки. Работает предлагаемый формирователь импульсов следующим образом. При наличии на базе транзистора 2 псхложительного потенциала он открыт и насыщен. В результате этого закрыт транзистор 3„ открыт и насыщен транзистор 4 -I . Последний поддерживает открытым и насыщенным транзистор , который, в свою очередь, нодцерживает закрытым транзистор и насыщенным транзистор При этом остальные транзисторы 2, 4 и транзистор 11 насыщены, а остал ные транзисторы 3 и транзист.рр 12 закрыты . Потенциал на эмиттере транзистора 12, т. е. на выходе формировател импульсов, поддерживаетс близким к О, а каждый конаенсатор 7 зар жен до напр жени , близкого к напр жению Е ис точника питани . При поступлении на базу транзистора 2 управл ющего сигнала (нулевого потенциала) этот транзистор закрываетс и потенциал базы транзистора 3 повышаетс , что приводит к открыванию тран зистора 3. При этом потенциал катодо всех диодов 5 становитс близок к 2Е, если выполн етс соотношение (1) п где С и R - емкость и сопротивление элементов устройства со ответственно; - коэффициент передачи то транзистором при включ нии его по схеме с общим эмиттером. Транзисторы 4. и закрываютс , U потенциал базы транзистора 3 начинает повышатьс , что приводит к открыьанию транзистора 3-2 . При этом потен 9-2 10-3 В.з ., . Рассужда подобным образом, .получаем , что амплитуда импульсов на коллекто ре транзистора 12 блиакч к Е 2 , если при всех j таких, что1 и выполн етс условие (3) и . 1-1 V I Т у VГ J -.jn 3- 1(М очпЬ-З VjNo4J4.)B,,.,,5 Ко., (). ) При этом амплитуда импульсов на нагрузке также близка к Е 2 если выполн етс условие (4) Следует отметить, что если скважность выходных импульсов достаточно мала, так что в промежутках между импульсами конденсаторы эазр жаютс лишь незначительно , то формирователь может функционировать описанным образом даже если условие (За) не выполн етс . На основании приведенных соотношений можно получить, что во врем подачи на нагрузку Рц импульса амплитудой Е 2 мощность, рассеиваема в формирователе , составл ет ( - ъ мощность, выдел ема в нагрузке при напр жении на ней, равном Е 2 . В промежутках между выходными импуль ,сами в рассматриваемом формирователе импульсов рассеиваетс мощность 25 Г в. J (ЛQQ-t)Ъ гп f I. w f 2. Из последнего выражени видно, что если обеспечить В,В (чего можно достичь , например, за счет того, что в качестве второго выходного транзистора и использовать составной транзистор), то Т8о а г На основании выражений (5) и (6) учаем дл КПД формировател следуюсоотношение: «и Л Q - скважность выходных импульсов формировател .The invention relates to a pulse technique and can be used to generate pulses whose amplitude exceeds the voltage of the power source. A pulse generator is known that contains an input transistor and a multiplication circuit consisting of AND series-connected cells, each of which contains a transistor, a capacitor and a diode 1. In this driver, the output pulse amplitude is no more than VI +1 times the voltage that feeds the driver . Known driver that contains the input transistor and P cells, in each of which | includes capacitor diode, resistors, as well as key and control transistors. In this case, the emitter of the input transistor is connected directly to the grounded pole of the power supply, and the collector is connected via an charging resistor to the ungrounded pole of the power supply, each of. and the cells, except for the first, - the first and second plates of the capacitor are connected respectively via a diode to the first plate of the capacitor and directly to the collector of the key transistor, included in the previous cell. The first and second plates of the capacitor entering the first cell, respectively, are connected via a diode to the ungrounded pole of the power source and directly to the collector of the input transistor. The collector of the control transistor of each but the first cell is connected to the base of the key transistor of the same cell. The emitter of each such control transistor is connected to the first capacitor plate of the preceding cell. The control transistor collector, which is connected to the first cell, is connected via a resistor to the base transistor of the same cell. The emitter of the control transistor, included in the first cell, is connected directly to the ungrounded pole of the power source. 38 The base of the controlling granisgor with each of the h cells included in the pulse shaper is connected via a shunt resistor to the emitter of the same transistor and through the base resistor to the second plate of the capacitor included in the same cell. The emitter of the key transistor of each of the I cells is connected to the emitter of the input transistor included in the same cell. And the collector of each key transistor through the limiting resistor is connected to the first capacitor plate of the same cell. This driver has insufficient efficiency. The aim of the invention is to increase efficiency. This goal is achieved by the fact that the pulse driver contains two output transistors with base resistors and a diode, as well as I cells, each of which includes key, charging and control transistors, two diodes, a capacitor and resistors, the emitters of the first the output and all the key transistors are connected to the zero potential bus, the emitter of each, except the last, charging transistor is connected via a capacitor to the first diode of the same cell and to the charging collector and emitter of the control transistor the next cell, the emitter of the last transistor through a capacitor is connected to the first diode of the same one, as well as to the collector and base resistor of the second output transistor, the emitter of which is through the diode, and the base is directly connected to the collector of the first transistor, the charging collector and the emitter of the control transistors of the first cell are connected to the power line, another output of the first diode of each cell is connected to the collector of the charging transistor of the same cell, and the base resistor of the key transistor of each cell Connected to the collector of the control transistor of the previous cell, in each cell the base resistor of the control transistor is connected to the base of the charging transducer and the collector of the key transistor, the second diode is connected between the base of the charging transistor and the point of connection of its emitter to the capacitor plate, the other is facing through a resistor This connection is connected to the base of the same transistor, and the base resistor of the first output transistor is connected to the collector of the control transistor of the last but one cell. 2 On the drawing. E shows the schematic diagram of the former. It contains 1–1 “s cells, which include key 2 charge 3 and 3) and control 4 / (–4π- / transistors first 5, –5 and second 6i, diodes, capacitors 7y, and resistors 8 lO f1Ou. In addition, the first 11 and second 12 output transistors, a diode and resistors 14 and 15 are included in the driver. At the same time, the emitters of transistor 11 and each key transistor 2.- 2. are connected to the zero potential bus. , the charge transistor is connected through a capacitor to the first diode of the same cell, as well as to the charge collector S L-ft; and to the emitter control 4.-) transistor included in the next cell. The emitter of the last charging transistor 3 y is connected through a capacitor 7 to the first diode 5 | the same last cell. In addition, it is connected to the collector of the transistor 12 and to the base resistor 14 of this transistor. The emitter of transistor 12 is through the conductor 13, and the base is directly connected to the collector of transistor 11. The collector of transistor 3 and the emitter of transistor 4 of the first cell are connected to the power line 4. Another terminal of the first diode of each cell is connected to the collector of the charge transistor of the same cell, and the base resistor The key transistor of each cell is connected to the collector of the transistor of the previous cell. In each, except the last cell, the base resistor 8 of transistor 4 is connected to the base of the transistor and to the collector of transistor 2 of the same cell. The second diode in each cell is connected between the base of the transistor 3 of the same cell and the connection point of its emitter with the capacitor plate 7, the other plate of which is connected through a resistor 9 to the base of the same transistor. In this case, the base resistor 15 of the transistor 11 is connected to the collector of the transistor 4, the penultimate cell. Works proposed pulse shaper as follows. In the presence of a potential potential on the base of transistor 2, it is open and saturated. As a result of this, the transistor 3 "is closed and the transistor 4 -I is open and saturated. The latter supports an open and saturated transistor, which, in turn, supports a closed transistor and a saturated transistor. The remaining transistors 2, 4 and transistor 11 are saturated, and the remaining transistors 3 and transistor p. 12 are closed. The potential at the emitter of transistor 12, i.e., at the output of the pulse generator, is maintained close to O, and each capacitor 7 is charged before a voltage close to the voltage E of the power supply. When a control signal (zero potential) arrives at the base of transistor 2, this transistor closes and the base potential of transistor 3 rises, which leads to the opening of transistor 3. At the same time, the cathode potential of all diodes 5 becomes close to 2E if relation (1) where C and R are the capacitance and resistance of the elements of the device, respectively; - transmission coefficient then the transistor when it is turned on according to the scheme with a common emitter. The transistors 4. and close, the U potential of the base of the transistor 3 begins to rise, which leads to the opening of the transistor 3-2. At the same time, potency 9-2 10-3 V.z.,. Arguing in a similar way, we obtain that the amplitude of the pulses on the collector of transistor 12 is close to E 2, if for all j such that 1 and condition (3) and is satisfied. 1-1 V I T at VГ J -.jn 3-1 (M ochb-3 VjNo4J4.) B ,,. ,, 5 Co., (). ) At the same time, the amplitude of the pulses on the load is also close to E 2 if condition (4) is fulfilled condition (For) is not met. Based on the above ratios, it can be obtained that at the time a pulse is applied to the load of the Rc by the amplitude E 2, the power dissipated in the former is (- ъ the power released in the load when the voltage across it is E 2. In the intervals between the output pulses , the power of 25 G in. J (LQQ-t) b h f I. wf is dissipated in the pulse shaper in question. From the last expression, it is clear that if you provide B, B (which can be achieved, for example, due to the fact that as the second output transistor and use the composite tra nsistor), T8o a g Based on expressions (5) and (6), we learn the following relation for the efficiency of the shaper: “and L Q is the duty cycle of the shaper pulses.