SU643473A1 - Frit - Google Patents
FritInfo
- Publication number
- SU643473A1 SU643473A1 SU772512110A SU2512110A SU643473A1 SU 643473 A1 SU643473 A1 SU 643473A1 SU 772512110 A SU772512110 A SU 772512110A SU 2512110 A SU2512110 A SU 2512110A SU 643473 A1 SU643473 A1 SU 643473A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- metal
- frit
- sapphire
- certificate
- ceramics
- Prior art date
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
Изобретение относитс к электронике , радиоэлектронике, машиностроению , приборостроению и другим облас т м техники, где используютс вакуумноплотные спаи корундовой керамики и сапфира с металлсм. Известна паста дл соединени корундовой керамики с сапфиром, в кото рую вход т компоненты (в вес.%) SiOj 21-38,8, МпО 57,5-26, Ае„О.12-35 , 2-0,1, Ср О 7-0,05 CUgO 0,05-0,15 EI. Однако эти пасты имеют высокую температуру вжигани (14рО-1650С) , из-за чего невозможно совместить процесс вжигани пасты непосредствен но с технологическим процессом пайки или сварки керамики с металлом. Кроме того, в р де случаев, например, при соединении металлов с тонкими (0,5-1 мм) керамическими пластинамиподложками , использование таких паст не приемлемо, так как их высокотемпе ратурное вжигание приводит к коробЛе нию. Наиболее близким к предложенному вл етс состав фритты, включающий (в вес.%) SiO 38-52, 3-7, 1-4, СаО 10-16, Mgro 0,1-4, МпО 20-31, Na,,O 3-10, KjjO 1-3, АО 1-4, 5-12, Г 3-7 2. КТР указанной фритты пор дка 10010 не обеспечивает соединение корундовой кер,аьшки или сапфира с металлом. Цель изобретени - получение спа корундовой керамики и сапфира с металлом при совмещении вжигани с пайкой или сваркой диэлектрика с металлом , что значительно упрощает и сокращает технологический процесс изготовлени металло-керамического узла в целом. Достигаетс это тем, что состав содержит (в BGC.%) SiO 35-46, 20-48, CaFj 2-8, йе„О, . 2-7, МпО 3-14, 1-4, BjOg 1-5, К„О Ре,0з О5-ЗГотов т шихту из окислов или компонентов , обеспечивающих получение в процессе обжига следующих ингредиентов , вес, %: SiOi 40, МпО 32, . 4, FejOg 2, Вд.Од 3, КдО 12, 3, CaFg (состав С-11). Шихту вар т при 1400-1450 0 в любой газовой атмосфере в течение 1-2 . После охлаждени стекло иэ.--1ельчают до удельной поверхности / ft Л f in С .ГЧ... Э ..о где зерна 3 мкThe invention relates to electronics, electronics, mechanical engineering, instrument making, and other areas of technology that use vacuum-tight junctions of corundum ceramics and sapphire to metals. The known paste is for combining corundum ceramics with sapphire, into which the components (in wt.%) SiOj 21-38.8, MpO 57.5-26, Ae „O.12-35, 2-0.1, Wed About 7-0.05 CUgO 0.05-0.15 EI. However, these pastes have a high firing temperature (14pO-1650C), which is why it is impossible to combine the paste firing process directly with the technological process of brazing or welding ceramics with metal. In addition, in a number of cases, for example, when metals are joined to thin (0.5–1 mm) ceramic plates with substrates, the use of such pastes is not acceptable, since their high temperature burning leads to warping. The closest to the proposed is the composition of the Frit, including (in wt.%) SiO 38-52, 3-7, 1-4, CaO 10-16, Mgro 0.1-4, MpO 20-31, Na ,, O 3-10, KjjO 1-3, AO 1-4, 5-12, G 3-7 2. The KTP of the specified frit of the order of 10010 does not provide a connection for a corundum core, aka or sapphire with a metal. The purpose of the invention is to obtain a spa of corundum ceramics and sapphire with a metal when combining heat with soldering or welding of a dielectric with a metal, which greatly simplifies and shortens the technological process of manufacturing the metal-ceramic assembly as a whole. This is achieved by the fact that the composition contains (in BGC.%) SiO 35-46, 20-48, CaFj 2-8, ye "O,. 2-7, MpO 3-14, 1-4, BjOg 1-5, K „O Re, 0z O5-ZGotov t mixture of oxides or components, providing the following ingredients in the firing process, weight,%: SiOi 40, MpO 32, 4, FejOg 2, Vd.od 3, KdO 12, 3, CaFg (composition C-11). The mixture is heated at 1400-1450 0 in any gas atmosphere for 1-2. After cooling, the glass ee .-- 1 is ground to a specific surface / ft L f in CHM ... E ..o where the grains are 3 microns
составл ют не менее 80%. Полученный порошок смешивают с органической св зкой и нанос т на поверхность диэлектрика {на поверхность керамики или сапфира) методами, известными в керамической технологии: пульверизацией , кисточкой, органической пленкой и т.д. Толщина нанесенного сло составл ет 10-30 мк.at least 80%. The resulting powder is mixed with an organic binder and applied to the surface of the dielectric {on the surface of a ceramic or sapphire) by methods known in the ceramic technology: spraying, brush, organic film, etc. The thickness of the applied layer is 10-30 microns.
Соединение диэлектрика с мет;1ллом производ т методом термокомпрессионной сварки (или пайкой под давлением)The connection of the dielectric with the metal; 1llom produced by the method of thermal compression welding (or by soldering under pressure)
при 1050°с. При этом совмещаетс процесс вжигани пасты в поверхность диэлектрика с процессом непосредственного соединени керамики с металлом.at 1050 ° C. This combines the process of burning paste into the surface of the dielectric with the process of direct joining of ceramics with metal.
Составы стеклоприпо. и некоторые физико-химические свойства приведены в таблице. Граничные значени компонентов, а также их промежуточные соотношени обеспечивают получение свойств со стабильными характеристиками .Glass Fiber Compositions. and some physical and chemical properties are given in the table. The boundary values of the components, as well as their intermediate ratios, provide properties with stable characteristics.
Металлокерамические узлы медькорундова керамика А-995 (ACjOj 5.99,9 вес.%), полученные методом термокомпрессионной сварки с использованием данного состава, имею повышенную механическую прочность на отрыв, превышающую примерно в 2,5 раза прочность аналогичных узлов, в которых паста не использовалась. При этом керамические пластины не короб тс , сохран ют свои исходные геометрические размеры. Достаточно высокий коэффициент линейного расширени стеклоприпо { вО-Ю 1/t) , обеспечивает надежное соединение корундового диэлектрика с металлс1ми, имеющими высокий ТКЛР например, с медью о Все это подтверждает достаточно высокую эффективность найденного технического решени .Metal-ceramic copper-corundum ceramics A-995 (ACjOj 5.99.9 wt.%), Obtained by the method of thermocompression welding using this composition, have an increased mechanical tensile strength exceeding about 2.5 times the strength of similar nodes in which the paste was not used. At the same time, the ceramic plates are not boxed, they retain their original geometrical dimensions. The sufficiently high linear expansion coefficient of the glass frit (WO-S1 / t) provides a reliable connection of a corundum dielectric with metals having a high thermal expansion coefficient, for example, with copper O. All this confirms the rather high efficiency of the found technical solution.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772512110A SU643473A1 (en) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Frit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772512110A SU643473A1 (en) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Frit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU643473A1 true SU643473A1 (en) | 1979-01-25 |
Family
ID=20719867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772512110A SU643473A1 (en) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Frit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU643473A1 (en) |
-
1977
- 1977-08-01 SU SU772512110A patent/SU643473A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3380838A (en) | Substances for producing crystalline heat-resistant coatings and fused layers | |
JPS6236978B2 (en) | ||
US2098812A (en) | Ceramic material | |
JPS60122797A (en) | Production of aluminum nitride single crystal | |
SU643473A1 (en) | Frit | |
KR20030004451A (en) | Material composite and production and use of the material composite | |
SU814988A1 (en) | Glass soldering material | |
JP2000016837A (en) | Crystallized glass-ceramic composite material and wiring substrate using the same and package provided with the wiring substrate | |
SU749817A1 (en) | Composition for joining ceramic parts | |
SU1004320A1 (en) | Paste for metadllizing aluminium oxide ceramics | |
JPH05148047A (en) | Joined material of silicon nitride ceramics | |
SU1724612A1 (en) | Glass cement | |
SU706378A1 (en) | Paste for ceramics metallization | |
SU1164228A1 (en) | Paste for depositing metal coating on ceramics | |
SU1004321A1 (en) | Paste for metallizing ceramics | |
JPS6154748B2 (en) | ||
SU1433949A1 (en) | Paste for metal-coating of ceramics | |
JPS6112870B2 (en) | ||
SU1759817A1 (en) | Ceramic soldering alloy | |
SU763297A1 (en) | Glass solder | |
SU1465430A1 (en) | Method of applying glass onto metal substrate | |
SU1110763A1 (en) | Glass solder | |
SU876611A1 (en) | Glass solder for joining metals | |
SU658097A1 (en) | Fusible glass | |
SU854914A1 (en) | Charge for producing piezoelectric ceramic material |