[go: up one dir, main page]

SU457237A3 - Интегральна схема - Google Patents

Интегральна схема

Info

Publication number
SU457237A3
SU457237A3 SU1165909A SU1165909A SU457237A3 SU 457237 A3 SU457237 A3 SU 457237A3 SU 1165909 A SU1165909 A SU 1165909A SU 1165909 A SU1165909 A SU 1165909A SU 457237 A3 SU457237 A3 SU 457237A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
type
circuit
integrated circuit
region
Prior art date
Application number
SU1165909A
Other languages
English (en)
Inventor
Гоен Гене
Original Assignee
Рка Корпорейшн (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рка Корпорейшн (Фирма) filed Critical Рка Корпорейшн (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU457237A3 publication Critical patent/SU457237A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611—Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/613—Combinations of vertical BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/615—Combinations of vertical BJTs and one or more of resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
1
Насто щее изобретение относитс  к области микроэлектроники, а именно, к области полупроводниковых интегральных схем.
Известны полупроводниковые интегральные схемы, имеющие подложку /7-типа проводимости с высоким удельным сопротивлением, на которой выращен эпитаксиальный слой /г-типа проводимости, содержащий диффуционные области , образующие активные и пассивные компоненты схемы. Компоненты интегральной схемы объедин ютс  в функциональную схему посредством металлических проводников, расположенных на поверхности эпитаксиального сло  над маскирующим окислом.
Соединение различных точек цепи производитс  при помощи металлических провод щих дорожек, что приводит к наличию различных потенциалов ,в точках, так как размеры провод щих дорожек малы и на них наблюдаетс  значительное падение напр жени . Кроме того , наличие провод щих дорожек приводит к ограничению частотного диапазона работы устройств.
С целью повышени  надежности соединени  областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала, используютс  полупроводники одного типа проводимости, например, р и р+.
На чертеже приведена схема участка . Монолитна  полупроводникова  цепь содержит металлический слой 1, на котором установлена пластина, выполненна  из монокристалла кремни . Пластинка 2 содержит нижний слой 3 из материала /7-типа с низким сопротивлением . Этот слой обозначен р+ и имеет толщину 0,2 мм при удельном сопротивлении 0,1 ом/см. Промежуточный слой 4 из материала р-типа обладает высоким удельным сопротивлением от 2 до 50 ом/см, его толщипа 0,015 мм. Верхний слой выполнен из материала д-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элементы цепи расположены в слое 5. Одним из элементов  вл етс  транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 л-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находитс  -полость 10 из материала п+типа , котора  может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей . Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного /э/г/7-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, сло 
коллектора 5 п-типа и сло  3 р+-типа. Резистор 11 образуетс  областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей. Полость 13  +-типа может входить в состав сло  4 ниже резистора 11 и способствует устранению паразитных св зей. Области 14 и 15 / +-типа окружают составные элементы цепи, например транзистор 6, и служат дл  их электрической экранирОБКи. Поверхность сло  5 покрыта защитным слоем 16, за исключением входного контакта, который подходит к эмиттеру 8 транзистора 6. Поверх защитного сло  16 расположена металлическа  полоса 17, соедин юща  эмиттер 18 с изолирующей областью 14. Соединение 19 металла с областью 20 производитс  через отверстие в слое 16. Область изол ции 14,  вл юща с  составным элементом токопровод щей цепи между эмиттером 8 и слоем 3, проходит через слои 5 и 4. Транзистор имеет контакт базы 21 и контакт коллектора 22. Металлическа  полоса 23, проход ща  поверх сло  16, соедин ет контакт 24, к которому подключен резистор 11 с областью 15. Область 15, проход  через слои 4 и 5, соедин етс  со слоем 3. Второй контакт резистора 11 обозначен 25. Нижний слой 3 служит общей
1Б 9 77 7 8,з6 21 22 9 т 15 / / /// -
шиной, к которой может быть подключено желаемое количество элементов с общей потенциальной точкой.
Предмет изобретени 
Интегральна  схема, содержаща  высокоомную подложку лервого типа проводимости с расположенными на одной стороне первым слоем противоположного типа проводимости,
содержащим элементы схемы с электродами и диффузионные изолирующие области, и вторым низкоомным слоем первого типа проводимости на другой стороне и диффузионные изолирующие области первого типа проводимости , ироход щие от поверхности первого сло  до второго низкоомного сло , отличающа с  тем, что, с целью повышени  надежности соединени  областей, подлежащих подсоединению к точке общего потенциала,
участки изолирующих диффузионных областей , выход щие на поверхность, имеют контакты , соединенные проводниками с электродами элементов схемы.
23 2Ц- // J2 25 B 75
SU1165909A 1966-07-01 1967-06-21 Интегральна схема SU457237A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56216966A 1966-07-01 1966-07-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU457237A3 true SU457237A3 (ru) 1975-01-15

Family

ID=24245093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1165909A SU457237A3 (ru) 1966-07-01 1967-06-21 Интегральна схема

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3423650A (ru)
DE (1) DE1614373B1 (ru)
ES (1) ES342404A1 (ru)
FR (1) FR1523867A (ru)
GB (1) GB1154805A (ru)
NL (1) NL6709160A (ru)
SE (1) SE334678B (ru)
SU (1) SU457237A3 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3474308A (en) * 1966-12-13 1969-10-21 Texas Instruments Inc Monolithic circuits having matched complementary transistors,sub-epitaxial and surface resistors,and n and p channel field effect transistors
US3581165A (en) * 1967-01-23 1971-05-25 Motorola Inc Voltage distribution system for integrated circuits utilizing low resistivity semiconductive paths for the transmission of voltages
US3772097A (en) * 1967-05-09 1973-11-13 Motorola Inc Epitaxial method for the fabrication of a distributed semiconductor power supply containing a decoupling capacitor
GB1193465A (en) * 1967-08-09 1970-06-03 Associated Semiconductor Mft Improvements in Semiconductor Integrated Circuits
US3517280A (en) * 1967-10-17 1970-06-23 Ibm Four layer diode device insensitive to rate effect and method of manufacture
US3631311A (en) * 1968-03-26 1971-12-28 Telefunken Patent Semiconductor circuit arrangement with integrated base leakage resistance
US3638081A (en) * 1968-08-13 1972-01-25 Ibm Integrated circuit having lightly doped expitaxial collector layer surrounding base and emitter elements and heavily doped buried collector larger in contact with the base element
US3573509A (en) * 1968-09-09 1971-04-06 Texas Instruments Inc Device for reducing bipolar effects in mos integrated circuits
US3544863A (en) * 1968-10-29 1970-12-01 Motorola Inc Monolithic integrated circuit substructure with epitaxial decoupling capacitance
US3590342A (en) * 1968-11-06 1971-06-29 Hewlett Packard Co Mos integrated circuit with regions of ground potential interconnected through the semiconductor substrate
US3656028A (en) * 1969-05-12 1972-04-11 Ibm Construction of monolithic chip and method of distributing power therein for individual electronic devices constructed thereon
US3769105A (en) * 1970-01-26 1973-10-30 Ibm Process for making an integrated circuit with a damping resistor in combination with a buried decoupling capacitor
US4053336A (en) * 1972-05-30 1977-10-11 Ferranti Limited Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a conductive plane and a diffused network of conductive tracks
US3860836A (en) * 1972-12-01 1975-01-14 Honeywell Inc Stabilization of emitter followers
NL161301C (nl) * 1972-12-29 1980-01-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
US3866066A (en) * 1973-07-16 1975-02-11 Bell Telephone Labor Inc Power supply distribution for integrated circuits
US3974517A (en) * 1973-11-02 1976-08-10 Harris Corporation Metallic ground grid for integrated circuits
US4132573A (en) * 1977-02-08 1979-01-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a monolithic integrated circuit utilizing epitaxial deposition and simultaneous outdiffusion
JPS596514B2 (ja) * 1977-03-08 1984-02-13 日本電信電話株式会社 Ｐｎ接合分離法による低漏話モノリシツクｐｎｐｎスイツチマトリクス
US4261096A (en) * 1979-03-30 1981-04-14 Harris Corporation Process for forming metallic ground grid for integrated circuits
DE3213503A1 (de) * 1981-04-14 1982-12-02 Fairchild Camera and Instrument Corp., 94042 Mountain View, Calif. Ingetrierter schaltkreis
US4797720A (en) * 1981-07-29 1989-01-10 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Controlled breakover bidirectional semiconductor switch
JPS58157151A (ja) * 1982-03-15 1983-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH063840B2 (ja) * 1989-03-31 1994-01-12 株式会社東芝 半導体装置
US5479031A (en) * 1993-09-10 1995-12-26 Teccor Electronics, Inc. Four layer overvoltage protection device having buried regions aligned with shorting dots to increase the accuracy of overshoot voltage value
DE202009005474U1 (de) 2009-04-15 2010-09-02 Wellmann, Jürgen Zweighalter für Christbäume o.dgl. Dekorationselemente

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US360902A (en) * 1887-04-12 Perfume-receptacle

Also Published As

Publication number Publication date
FR1523867A (fr) 1968-05-03
US3423650A (en) 1969-01-21
ES342404A1 (es) 1968-07-16
GB1154805A (en) 1969-06-11
DE1614373C2 (ru) 1975-10-09
NL6709160A (ru) 1968-01-02
SE334678B (ru) 1971-05-03
DE1614373B1 (de) 1975-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU457237A3 (ru) Интегральна схема
US3440500A (en) High frequency field effect transistor
US3138747A (en) Integrated semiconductor circuit device
US2721965A (en) Power transistor
US3555374A (en) Field effect semiconductor device having a protective diode
US3999212A (en) Field effect semiconductor device having a protective diode
GB920628A (en) Improvements in semiconductive switching arrays and methods of making the same
GB945249A (en) Improvements in semiconductor devices
US3005132A (en) Transistors
US4261004A (en) Semiconductor device
US4396932A (en) Method for making a light-activated line-operable zero-crossing switch including two lateral transistors, the emitter of one lying between the emitter and collector of the other
US3488564A (en) Planar epitaxial resistors
US4161740A (en) High frequency power transistor having reduced interconnection inductance and thermal resistance
US3748547A (en) Insulated-gate field effect transistor having gate protection diode
US3624454A (en) Mesa-type semiconductor device
JPS58219763A (ja) 二端子過電流保護装置
US4000507A (en) Semiconductor device having two annular electrodes
US4438449A (en) Field effect semiconductor device having a protective diode with reduced internal resistance
GB1088795A (en) Semiconductor devices with low leakage current across junction
US3755722A (en) Resistor isolation for double mesa transistors
GB1336301A (en) Capacitor structure
US4864379A (en) Bipolar transistor with field shields
JP3412393B2 (ja) 半導体装置
EP0673072B1 (en) Semiconductor device comprising a lateral bipolar transistor
GB967365A (en) Semiconductor devices