SU417961A3 - - Google Patents

Description

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА

1

Изобретение относитс  к способу изготовлени  фоточувствительиого электрографического материала.

Известен способ изготовлени  фоточувс1вительного электрофотографического материала, заключающий в образовании на подложке фотопроводникового сло  (иапример, из аморфного селена), фоточувствительного, задерживающего зар ды сло , обладающего свойством устойчивой внутренней пол ризации, и изол ционного сло  на одной стороне фоточувствительного .

Однако таким способом трудно изготовл ть материал, способный к эффективной задержке зар дов и улучщенной фоточувствительностью , так как материалы с большим числом уровней задержки зар дов, примен емые дл  образовани  фотопроводникового сло , имеют низкую фоточувствительность.

Целью предлагаемого изобретени   вл етс  изготовление фоточувствительного материала дл  электрофотографии, обладающего высокой степенью задержки зар дов и высокой фоточувствительностью.

Согласно изобретению, фоточувствительный материал, имеющий высокую чувствительность , изготовл ют образованием на подложке фотопроводникового сло  осаждением паров сплава селен - теллур, содержащего 40 мол.% теллура, образованием фоточувствительного задерживающего зар ды сло , обладающего свойством устойчивой внутренней 1юл рпзации между фотопроводниковым и изол ционным сло ми одновременным осаждением паров сплава селен - теллур, содержащего 16 мол.% теллура, и сплава селеп - теллур , содержащего 40 мол.% теллура, и последующим образованием сло  с высокими изол ционны .ми сво11ствамп на одной стороне фоточувствительпого сло .

На фиг. 1 показано строение фоточувствительпого материала насто щего изобретени ; на фиг. 2 дан график зависимости интенсивиости скрытого изображени  от величины экснозиции .

Как показано на фиг. 1, фоточувствительный материал содержит нодложку 1, котора  может быть металлической или из диэлектрика , фоточувствительный слой 2, который может быть получен нз известных высокочувствительных фотопроводниковых материалов, слой 3, полученный осаждением смеси паров материала с высокой степенью задержки зар дов, и изол ционный слой 4, которые расположены в указанном на рисунке пор дке и св заны в единую структуру.

Пример i. Дл  осаждени  паров используют резервуар со множеством раздельпых и нагреваемых лодочек. Сплав селена п теллура (порошок), содержащий 40 мол.% теллура и используемый в качестве высокочувствительного материала, помещают в многие одинаковые лодочки, и сплав селепа и теллура, содержащий 16 мол.% теллура и используемый в качестве материала с высокой степенью задержки зар да, помещают в одну лодочку. Б испарителе располагают подложку из алюминиевого листа, после удалени  воздуха все лодочки, содержащие сплав селен - теллур с 40 мол.% теллура, за исключением одной, используют последовательно с определеппым интервалом времени дл  образовани  однородного сло , содержащего некоторое количество теллура независимо от разности давлений паров селена и теллура. Получают слой пз сплава селей - теллур толщиной 30 мк с содержанием теллура 40 мол.%. После этого оставщиес  две лодочки (лодочку со сплавом, содержащим 16 мол.% теллура, и лодочку со сплавом, содерл.ащим 40 мол.% теллура), используют одновременно дл  образовани  сло  3 толщиной 1 мк, содержащего материал с высокой фоточувствительпостью и материал с высокой степенью задержки зар дов, на осажденном слое из сплава селен - теллур. Зате.ч подложку вынпмают из аппарата и на поверхности сло  3 образуют изол ционный слой из поликарбоната толщиной 10 мк. Осаждение паров сплавов селен - теллур осуществл ют при величине вакуума выше мм рт. ст. При этом температуру в лодочках тн.ательно регулируют таким образом, чтобы осалсденне проходило со скоростью менее 0,1 мк/мин. С увеличением содержани  теллура в сплаве необходимо увеличить температуру лодочки.

Дл  зар дки поверхности изол ционного сло  4 (величина зар да - 2000 в) используют коронный разр д. Зар дку поверхнос1и изол ционного сло  зар дом противоположной пол рности осуществл ют одновременно с экспонированием изображени  в течение 0,2 сек (освещенность 2 люкс на освещенных участках) с целью образовани  скрытого изображени  на поверхности изол ционного сло , соответствующего экспонированному изображению и имеющего потенциал -100 в па участках, соответствующих темпым участкам экспонированного изображени , и потепциал + 200 в на участках, соответствующих освещенным участкам экспонированного изображени . Скрытое изображение про вл ют зар женным нро вл ющим порошком и затем печатают путем переноса. После переноса поверхность фоточувствительного материала очищают, оставшеес  скрытое изображение удал ют известным способом.

На фиг. 2 показана зависимость между величиной экспозиции фоточувствительпого материала и интепсивностью скрытого изобрач ени . Крива  а показывает, что интепси15 (юсть скрытого изображени  достигает максимум при величине освещенности экспонируемого изобрал ;ени  примерно 3 люкс, и что дальнейшее увеличение освещенностп не приводит , к возрастанию интенсивностн скрытого

изображени .

Если слой 3 содержит только 16 мол.% теллура , то невозмолиш получить скрытое изображение сравнимой интенсивности без увеличении освещенности экспонируемого изображени  в несколько раз. С другой стороны, когда фоточувствительпый материал содержит фоточувствительный слой, сосю щий только из сплава селеп - теллур с содержанием теллура 40 мол.%, по не содержит фоточувствительного сло  из сплава с содержанием теллура 16 мол.%, разность в нанр жени х  рких и темных участков экспонированного изображени  мала и не может быть иснользована практически. Фоточувствительный слой

толщиной 1 мк, содерл ащий первый слой из сплава селен - теллур с содержанием 16 мол.% теллура и второй слой с содержанием 40 мол. % теллура, получеппый осаждением паров на новерхность нервого сло , и

фоточувствительный слой, содержащий первый слой из снлава селен - теллур с содержанием 40 .мол.% теллура и второй слой с содержанием 16 мол.% теллура, осажденный на одну новерхность нервого сло  до толщины

сло  1 мк, образуют скрытые изображени  с более низкой и 1тенсивностью, чем описанные выше слои. Более того, чувствительность последпего фоточувствителыюго материала низка и такой материал не может быть использова практически. Топкий осажденный слой смеси, имеющий толщину около 1 мк, показывает хорошие характеристики, потому что такой фоточувствительный материал, как сплав селен - теллур, обладает очень высокой способностью к поглощению света. Почти все световые лучи поглощаютс  в поверхностном слое, так что свободные носители зар дов , возбужденные поглощещп ьм светом, легко перемещаютс  па более далекое рассто ние . В св зи с этим толщину сло  3 смеси необходимо устанавливать в зависимости от степени поглощени  света.

Кроме того, увеличение интенсивности полученного скрытого изображени  можно достичь

облегчением перепоса носителей зар дов между частицами двух различных фоточувствительных материалов в смеси. Это может быть достигнуто термической обработкой.

Пример 2. Фоточувствительный материал,

изготовленный по примеру 1, подвергают термической обработке на воздухе при 65°С в течение 3 час. Скрытое изображение получают как в примере 1. Как показывает крива  б (см. фиг. 2), чувствительность скрытого изобралсени  увеличиваетс  в 1,7 раза и по вл етс  возможность улучнтени  репродукции промелсуточных тонов.

Термическа  обработка понижает барьерный эффект, существующий между частицами

различных фоточувствптельных материалов.

таким образом, способству  более легкомупереносу носителей зар дов. Следовательно, характеристики частиц двух различных материалов про вл ютс  эффективно. Установлено , что воздействие термической обработки более эффективно с увеличением различи  характеристик двух фоточувствительных материалов .

П f) с д .м с т н зебре т е и и  

1. Способ получени  фоточувствительпого материала путем нанесени  на подложку фотопроводникового сло , фоточувствительного, задерживающего зар ды сло , обладающего

,г Л

.- Г- r«.f-П-.. ,. ,3te:c;

. ,

риг./

I

1Ш )

,,§, Ш/7.

I

Claims (2)

1. I

   IJ

   д

   Ш5 j ti

   4

   и

   2Ю

   о о,г 1 л i 5 ,//-

   внутренне пол ризацией, и изол ционного сло  с высокими изол ционными свойствами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  фоточувствительности материала, нанесение на подлол.ку фотопроводникового сло  ведут осаждением паров сплава селен - теллур , содержаи1,его 40 мол.% последнего, а задерживающего зар ды - путем одповременного осаждени  на полученный материал паров сплава селен--теллур, содержащего 16 мол.% последнего, и наров сплава селен - теллур, содержащего 40 ,;ол.% теллура.
2. 2. Способ по п. 1, отличаю щ и и с   тем, что полученный в нрон,ессе материал нагревают нри темнературе 65°С не ,3 час.

   ,

   а.