[go: up one dir, main page]

SU1138797A1 - Low-voltage reference element - Google Patents

Low-voltage reference element Download PDF

Info

Publication number
SU1138797A1
SU1138797A1 SU833538749A SU3538749A SU1138797A1 SU 1138797 A1 SU1138797 A1 SU 1138797A1 SU 833538749 A SU833538749 A SU 833538749A SU 3538749 A SU3538749 A SU 3538749A SU 1138797 A1 SU1138797 A1 SU 1138797A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
collector
effect transistor
field
low
emitter
Prior art date
Application number
SU833538749A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Герман Сергеевич Сергеев
Original Assignee
Базовая Лаборатория N8 Научно-Исследовательского Технологического Института
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Базовая Лаборатория N8 Научно-Исследовательского Технологического Института filed Critical Базовая Лаборатория N8 Научно-Исследовательского Технологического Института
Priority to SU833538749A priority Critical patent/SU1138797A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1138797A1 publication Critical patent/SU1138797A1/en

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

НИЗКОВОЛЬТНЬП ОПОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ , содержащий резистор, полевой транзистор и бипол рный транзистор, коллектор и эмиттер которого соединены с первым и вторым выводами элемента , отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона опорных напр жений, канал полевого транзистора и резистор включены соответственно параллельно базо-эмиттерному и базо-коллекторному переходам бипол рного транзистора, коллектор которого соединен с затвором полевого транзистора.A LOW-VOLTAGE SUPPORT ELEMENT containing a resistor, a field-effect transistor and a bipolar transistor whose collector and emitter are connected to the first and second terminals of the element, characterized in that the channel of the field-effect transistor and the resistor are connected in parallel to the base-emitter and the base-collector junction of the bipolar transistor, the collector of which is connected to the gate of the field-effect transistor.

Description

4four

оtPotP

о00 o00

0000

sjsj

;о ;about

Claims (1)

НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ОПОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий резистор, полевой транзистор и биполярный транзистор, коллектор и эмиттер которого соединены с первым и вторым выводами элемента, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона опорных напряжений, канал полевого транзистора и резистор включены соответственно параллельно базо-эмиттерному и базо-коллекторному переходам биполярного транзистора, коллектор которого соединен с затвором полевого транзистора.A LOW VOLTAGE REFERENCE ELEMENT comprising a resistor, a field effect transistor and a bipolar transistor, the collector and emitter of which are connected to the first and second terminals of the element, characterized in that, in order to expand the range of the reference voltages, the channel of the field effect transistor and the resistor are connected in parallel to the base-emitter and base -collector junctions of a bipolar transistor, the collector of which is connected to the gate of the field-effect transistor. SU.nl 138797SU.nl 138797 1 1138797 21 1138797 2
SU833538749A 1983-01-10 1983-01-10 Low-voltage reference element SU1138797A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833538749A SU1138797A1 (en) 1983-01-10 1983-01-10 Low-voltage reference element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833538749A SU1138797A1 (en) 1983-01-10 1983-01-10 Low-voltage reference element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1138797A1 true SU1138797A1 (en) 1985-02-07

Family

ID=21044999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833538749A SU1138797A1 (en) 1983-01-10 1983-01-10 Low-voltage reference element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1138797A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент US К 4.012.684, кл. G 05 F 1/00, 1977. 2. Патент JP № 55-22810, кл. G 05 F 1/56, 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860004483A (en) Heterojunction bipolar transistor
DE3855603D1 (en) Integrated high voltage bipolar power transistor and low voltage MOS transistor structure in emitter switching configuration and manufacturing process
KR900003711A (en) Voltage-to-current transducer
KR910007240A (en) Current mirror circuit
KR890700270A (en) Heterojunction bipolar transistor
DE3785483D1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A BIPOLAR TRANSISTOR AND FIELD EFFECT TRANSISTORS.
DE3576243D1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A BIPOLAR TRANSISTOR AND WITH A FET WITH INSULATING GATE.
KR860007777A (en) Amplifier Units and Push-Pull Amplifiers
FR2606214B1 (en) BIPOLAR HETEROJUNCTION TRANSISTOR
ES8301391A1 (en) A HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR SWITCH
SU1138797A1 (en) Low-voltage reference element
SE7907853L (en) switching circuit
KR900015441A (en) Current amplifier
GB1408985A (en) Constant current circuits
KR870001504A (en) Current meter circuit
KR830006990A (en) Constant current circuit
KR860006870A (en) Current mirror circuit
ES428240A1 (en) Current attenuator
KR880008516A (en) Amplifier
KR900702642A (en) Broadband amplifier
JPS58207672A (en) Semiconductor device
KR910006819A (en) Current mirror
JPS56137717A (en) Current miller circuit
DE3774686D1 (en) CURRENT MIRROR SWITCHING.
SU476660A1 (en) Push-pull amplifier