[go: up one dir, main page]

SE9202984D0 - Halvledarkomponent - Google Patents

Halvledarkomponent

Info

Publication number
SE9202984D0
SE9202984D0 SE9202984A SE9202984A SE9202984D0 SE 9202984 D0 SE9202984 D0 SE 9202984D0 SE 9202984 A SE9202984 A SE 9202984A SE 9202984 A SE9202984 A SE 9202984A SE 9202984 D0 SE9202984 D0 SE 9202984D0
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
semiconductor chip
pct
date
transistor elements
drains
Prior art date
Application number
SE9202984A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9202984L (sv
SE500523C2 (sv
Inventor
S Trolle
Original Assignee
Trolle Sten
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trolle Sten filed Critical Trolle Sten
Priority to SE9202984A priority Critical patent/SE500523C2/sv
Publication of SE9202984D0 publication Critical patent/SE9202984D0/sv
Priority to AU52892/93A priority patent/AU5289293A/en
Priority to PCT/SE1993/000819 priority patent/WO1994009511A1/en
Priority to EP93923094A priority patent/EP0682808B1/en
Priority to US08/411,814 priority patent/US5625207A/en
Priority to DE69325181T priority patent/DE69325181T2/de
Publication of SE9202984L publication Critical patent/SE9202984L/sv
Publication of SE500523C2 publication Critical patent/SE500523C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
SE9202984A 1992-10-09 1992-10-09 Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden. SE500523C2 (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9202984A SE500523C2 (sv) 1992-10-09 1992-10-09 Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden.
AU52892/93A AU5289293A (en) 1992-10-09 1993-10-11 Semiconductor component
PCT/SE1993/000819 WO1994009511A1 (en) 1992-10-09 1993-10-11 Semiconductor component
EP93923094A EP0682808B1 (en) 1992-10-09 1993-10-11 Semiconductor component
US08/411,814 US5625207A (en) 1992-10-09 1993-10-11 Semiconductor component with conductors at different levels
DE69325181T DE69325181T2 (de) 1992-10-09 1993-10-11 Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9202984A SE500523C2 (sv) 1992-10-09 1992-10-09 Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9202984D0 true SE9202984D0 (sv) 1992-10-09
SE9202984L SE9202984L (sv) 1994-04-10
SE500523C2 SE500523C2 (sv) 1994-07-11

Family

ID=20387449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9202984A SE500523C2 (sv) 1992-10-09 1992-10-09 Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5625207A (sv)
EP (1) EP0682808B1 (sv)
AU (1) AU5289293A (sv)
DE (1) DE69325181T2 (sv)
SE (1) SE500523C2 (sv)
WO (1) WO1994009511A1 (sv)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5721144A (en) * 1995-04-27 1998-02-24 International Business Machines Corporation Method of making trimmable modular MOSFETs for high aspect ratio applications
US5814847A (en) * 1996-02-02 1998-09-29 National Semiconductor Corp. General purpose assembly programmable multi-chip package substrate
US6630715B2 (en) * 2001-10-01 2003-10-07 International Business Machines Corporation Asymmetrical MOSFET layout for high currents and high speed operation
TW573450B (en) * 2003-04-02 2004-01-21 Comchip Technology Co Ltd Process for fabricating a discrete circuit component on a substrate having fabrication stage clogged through-holes
JP4372046B2 (ja) * 2005-05-18 2009-11-25 株式会社東芝 半導体装置
DE102005047104B3 (de) * 2005-09-30 2007-05-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit miteinander verschalteten Zellstreifen
SE2050244A1 (en) 2020-03-04 2021-09-05 Powonics Ab High-current semiconductor components and systems

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4835778A (sv) * 1971-09-09 1973-05-26
US4636825A (en) * 1985-10-04 1987-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Distributed field effect transistor structure
US4847674A (en) * 1987-03-10 1989-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism
JPS63283040A (ja) * 1987-05-15 1988-11-18 Toshiba Corp 半導体装置
JP3022565B2 (ja) * 1988-09-13 2000-03-21 株式会社日立製作所 半導体装置
EP0393635B1 (en) * 1989-04-21 1997-09-03 Nec Corporation Semiconductor device having multi-level wirings
JP2965626B2 (ja) * 1990-06-25 1999-10-18 株式会社東芝 半導体集積回路
JP3074713B2 (ja) * 1990-09-18 2000-08-07 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH05136125A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Hitachi Ltd クロツク配線及びクロツク配線を有する半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO1994009511A1 (en) 1994-04-28
US5625207A (en) 1997-04-29
EP0682808B1 (en) 1999-06-02
SE9202984L (sv) 1994-04-10
DE69325181D1 (de) 1999-07-08
SE500523C2 (sv) 1994-07-11
EP0682808A1 (en) 1995-11-22
AU5289293A (en) 1994-05-09
DE69325181T2 (de) 1999-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK0527203T3 (da) Indretning og fremgangsmåde til udførelse af en transaktion mellem en første og mindst en anden databærer samt bærer til dette formål
DK0459771T3 (da) Elektrode til en vertikal felteffekttransistor og fremgangsmåde til fremstilling af denne
FR2670322B1 (fr) Modules de memoire a l'etat solide et dispositifs de memoire comportant de tels modules
TW349277B (en) Semiconductor integrated circuit
DE68918775D1 (de) Chip-auf-Chip-Verbindungsschema für integrierte Halbleiterschaltungen.
JPS648481A (en) Automatic circuit layout determination
TW247368B (en) Current regulating semiconductor integrate circuit device and fabrication method of the same
NL1013625A1 (nl) Laterale hoogspanning halfgeleiderinrichting.
DE3853764D1 (de) Zwischenschaltungssystem für integrierte Halbleiterschaltungen.
SE9500152L (sv) Förfarande för att åstadkomma en ohmsk kontakt jämte halvledarkomponent försedd med dylik ohmsk kontakt
DE3579675D1 (de) Kombinierter lateraler mos/bipolarer transistor hoher leitfaehigkeit.
SE9202984D0 (sv) Halvledarkomponent
DE69220690D1 (de) Stromregelungseinrichtung, insbesondere für Leistungsschaltungen in MOS-Technologie
JPS56162875A (en) Semiconductor device
KR960019703A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR970063275A (ko) 반도체집적회로 및 그것을 사용한 회로장치
IT8520951A0 (it) Dispositivo di protezione da scariche elettrostatiche, in particolare per circuiti integrati bipolari.
ES2043892T3 (es) Dispositivo que permite el restablecimiento de la corriente de linea en caso de fundido de uno o de varios elementos de un montaje en serie.
TW367611B (en) Pull-up circuit and semiconductor device using the same
DK0931321T3 (da) Kontaktgruppe med en koldleder
DE59701136D1 (de) Schaltungsanordnung mit einer testschaltung
TW327254B (en) An apparatus and method for electrostatic discharge protection with improved current dispersion
DE59209755D1 (de) Integrierte schaltung
ATE286572T1 (de) Steuerventileinrichtung sowie als bestandteil derselben geeignetes ventil
ATE253784T1 (de) Ausgangstreiberschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed