RU2754540C1 - Electric arc method for producing ti2mnal ingots - Google Patents
Electric arc method for producing ti2mnal ingots Download PDFInfo
- Publication number
- RU2754540C1 RU2754540C1 RU2021103784A RU2021103784A RU2754540C1 RU 2754540 C1 RU2754540 C1 RU 2754540C1 RU 2021103784 A RU2021103784 A RU 2021103784A RU 2021103784 A RU2021103784 A RU 2021103784A RU 2754540 C1 RU2754540 C1 RU 2754540C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ingots
- melting
- ti2mnal
- mixture
- producing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/16—Remelting metals
- C22B9/20—Arc remelting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C14/00—Alloys based on titanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl.The invention relates to the field of metallurgy, in particular to the production of a Heusler alloy in the form of ingots suitable for studying the properties of a spin-polarized gapless semiconductor Ti 2 MnAl.
В области разработки новых материалов в настоящее время большой интерес представляют тройные сплавы Гейслера. Занимая промежуточное положение между бинарными интерметаллидами (фазы Юм-Розери, фазы Лавеса и др.) и высокоэнтропийными сплавами, сплавы Гейслера представляют большой интерес в физике твердого тела благодаря многообразию физических свойств, связанных с особенностями электронной структуры и магнитоупругих взаимодействий, обусловленных симметрией кристаллической решетки, что, в соответствии с принципом Кюри, приводит к наблюдению многообразных физических явлений: магнитной памяти формы, обменному смещению, магнитокалорическим эффектам, магнитосопротивлению и большим эффектам Холла [Manna, K., Sun, Y., Muechler, L. et al. Heusler, Weyl and Berry. Nat Rev Mater 3, 244-256 (2018)]. Исследование этих явлений невозможно без развития технологии получения слитков высокого структурного совершенства, получение которых является нетривиальной задачей. Поэтому поиск, развитие и совершенствование способов получения слитков является важным направлением прецизионной металлургии и служит основой для понимания физики магнитных явлений этого класса соединений.In the field of developing new materials, Heusler ternary alloys are currently of great interest. Occupying an intermediate position between binary intermetallics (Hume-Rothery phases, Laves phases, etc.) and high-entropy alloys, Heusler alloys are of great interest in solid state physics due to the variety of physical properties associated with the features of the electronic structure and magnetoelastic interactions caused by the symmetry of the crystal lattice. which, in accordance with the Curie principle, leads to the observation of a variety of physical phenomena: magnetic shape memory, exchange bias, magnetocaloric effects, magnetoresistance and large Hall effects [Manna, K., Sun, Y., Muechler, L. et al. Heusler, Weyl and Berry. Nat Rev Mater 3, 244-256 (2018)]. The study of these phenomena is impossible without the development of technology for producing ingots of high structural perfection, the production of which is a non-trivial task. Therefore, the search, development and improvement of methods for producing ingots is an important area of precision metallurgy and serves as the basis for understanding the physics of magnetic phenomena of this class of compounds.
Известен способ получения Ti2MnAl [Борисенко Д.Н., Девятое Э.В., Егоркин М.И., Есин В.Д., Колесников Н.Н., Швецов О.О. // Патент РФ №2725229 от 30.06.2020. Бюл. №19] - прототип. Задачей данного изобретения является получение Ti2MnAl в виде слитков. Технический результат достигается за счет того, что навески марганца и алюминия помещают в капсулу из титана, закрывают крышкой из титана, и затем подвергают плавке во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева в атмосфере инертного газа при температуре от 1700 до 1730°С в течение от 15 до 20 мин, причем кристаллизация расплава осуществляется путем закалки до комнатной температуры. Слитки объемом не более 1 см3 имеют однородный состав и однородную мелкокристаллическую структуру. Недостатком предложенного способа получения является наличие в материале больших закалочных напряжений, что затрудняет его дальнейшую обработку и приводит к выкрашиванию при подготовке образцов, и требует проведение высокотемпературного отжига в течение нескольких часов. Стоит отметить, что применение левитационной плавки ограничивает масштабируемость процесса в силу эмпирического правила: на каждый 1 см3 слитка требуется до 30 кВт подводимой мощности. Такая плотность мощности делает предложенный способ получения Ti2MnAl очень энергозатратным и не позволяет получать слитки без закалочных напряжений, так как при небольшом снижении мощности для равномерной кристаллизации капля расплава сразу падает вниз и подвергается закалке.A known method of producing Ti 2 MnAl [Borisenko DN, Devyatoe EV, Egorkin MI, Esin VD, Kolesnikov NN, Shvetsov OO. // RF Patent No. 2725229 dated 06/30/2020. Bul. No. 19] - a prototype. The object of this invention is to obtain Ti 2 MnAl in the form of ingots. The technical result is achieved due to the fact that the weighed portions of manganese and aluminum are placed in a titanium capsule, closed with a titanium lid, and then subjected to suspension melting using high-frequency induction heating in an inert gas atmosphere at temperatures from 1700 to 1730 ° C for from 15 to 20 minutes, and the crystallization of the melt is carried out by quenching to room temperature. Ingots with a volume of not more than 1 cm 3 have a homogeneous composition and a homogeneous fine-crystalline structure. The disadvantage of the proposed method of obtaining is the presence in the material of high quenching stresses, which complicates its further processing and leads to chipping during the preparation of samples, and requires high-temperature annealing for several hours. It should be noted that the use of levitation smelting limits the scalability of the process due to the rule of thumb: for every 1 cm 3 of the ingot, up to 30 kW of input power is required. This power density makes the proposed method for producing Ti 2 MnAl very energy-consuming and does not allow producing ingots without quenching stresses, since with a slight decrease in power for uniform crystallization, a drop of the melt immediately falls down and is quenched.
Задачей настоящего изобретения является разработка электродугового способа получения слитков Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.The objective of the present invention is to develop an electric arc method for producing Ti 2 MnAl ingots with uniform crystallization.
Технический результат достигается тем, что процесс получения слитков Ti2MnAl проводят электродуговой плавкой в атмосфере гелия в гарнисаже из смеси алюминия, марганца и титана, с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации.The technical result is achieved by the fact that the process of obtaining Ti 2 MnAl ingots is carried out by electric arc melting in an atmosphere of helium in a skull made of a mixture of aluminum, manganese and titanium, with a gradual decrease in power to zero for uniform crystallization.
Способ получения слитков Ti2MnAl включает в себя подготовку смеси алюминия, марганца и титана, которую засыпают в тигель и нагревают до плавления в гарнисаже плазмой дугового разряда в атмосфере инертного газа с образованием слитков Ti2MnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Режимы получения подобраны экспериментально.The method for producing Ti 2 MnAl ingots includes preparing a mixture of aluminum, manganese and titanium, which is poured into a crucible and heated to melting in the skull by arc discharge plasma in an inert gas atmosphere to form Ti 2 MnAl ingots with a gradual decrease in power to zero for uniform crystallization. The production modes are selected experimentally.
Пример 1. В тигель, расположенный в герметичной камере, позволяющей вести процесс в гарнисаже, в контролируемой атмосфере, засыпают смесь из титана, марганца и алюминия. Над тиглем помещают электрод для создания электрической дуги. Плавку проводят в атмосфере аргона при давлении 0,5 атм, напряжении 50 В и токе 8 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс прерывается, плавления нет. Слиток Ti2MnAl получить не удалось.Example 1. A mixture of titanium, manganese and aluminum is poured into a crucible located in a sealed chamber, which allows the process to be carried out in a skull, in a controlled atmosphere. An electrode is placed over the crucible to create an electric arc. Melting is carried out in an argon atmosphere at a pressure of 0.5 atm, a voltage of 50 V and a current of 8 A. The duration of the process is 20 minutes. The process is interrupted, there is no melting. The ingot of Ti 2 MnAl could not be obtained.
Пример 2. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере аргона при давлении 1 атм, напряжении 65 В и токе 10 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс идет неустойчиво, плавления нет. Слиток Ti2MnAl получить не удалось.Example 2. The same as in example 1, but the melting is carried out in an argon atmosphere at a pressure of 1 atm, a voltage of 65 V and a current of 10 A. The duration of the process is 20 minutes. The process is unstable, there is no melting. The ingot of Ti 2 MnAl could not be obtained.
Пример 3. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере аргона при давлении 1,5 атм, напряжении 70 В и токе 10 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс не идет. Слиток Ti2MnAl получить не удалось.Example 3. The same as in example 1, but the melting is carried out in an argon atmosphere at a pressure of 1.5 atm, a voltage of 70 V and a current of 10 A. The duration of the process is 20 minutes. The process is not going on. The ingot of Ti 2 MnAl could not be obtained.
Пример 4. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 1,5 атм, напряжении 70 В и токе 10 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс прерывается, нет плавления. Слиток Ti2MnAl получить не удалось.Example 4. The same as in example 1, but the melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 1.5 atm, voltage 70 V and current 10 A. The duration of the process is 20 minutes. The process is interrupted, there is no melting. The ingot of Ti 2 MnAl could not be obtained.
Пример 5. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 0,9 атм, напряжении 68 В и токе 9 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс плавления идет устойчиво. Плавным снижением мощности до нуля удается получить слиток Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.Example 5. The same as in example 1, but the melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 0.9 atm, a voltage of 68 V and a current of 9 A. The duration of the process is 20 minutes. The melting process is stable. By smoothly reducing the power to zero, it is possible to obtain a Ti 2 MnAl ingot with uniform crystallization.
Пример 6. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 0,8 атм, напряжении 65 В и токе 9 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс плавления идет устойчиво. Плавным снижением мощности до нуля удается получить слиток Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.Example 6. The same as in example 1, but the melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 0.8 atm, a voltage of 65 V and a current of 9 A. The duration of the process is 20 minutes. The melting process is stable. By smoothly reducing the power to zero, it is possible to obtain a Ti 2 MnAl ingot with uniform crystallization.
Пример 7. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 1 атм, напряжении 65 В и токе 8 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс плавления идет устойчиво. Плавным снижением мощности до нуля удается получить слиток Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.Example 7. The same as in example 1, but the melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 1 atm, a voltage of 65 V and a current of 8 A. The duration of the process is 20 minutes. The melting process is stable. By smoothly reducing the power to zero, it is possible to obtain a Ti 2 MnAl ingot with uniform crystallization.
Пример 8. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 1 атм, напряжении 70 В и токе 10 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс плавления идет устойчиво. Плавным снижением мощности до нуля удается получить слиток Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.Example 8. The same as in example 1, but the melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 1 atm, a voltage of 70 V and a current of 10 A. The duration of the process is 20 minutes. The melting process is stable. By smoothly reducing the power to zero, it is possible to obtain a Ti 2 MnAl ingot with uniform crystallization.
Пример 9. То же по примеру 1, но плавку проводят в атмосфере гелия при давлении 0,8 атм, напряжении 55 В и токе 8 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс не идет. Слиток Ti2MnAl получить не удалось.Example 9. The same as in example 1, but melting is carried out in a helium atmosphere at a pressure of 0.8 atm, a voltage of 55 V and a current of 8 A. The duration of the process is 20 minutes. The process is not going on. A Ti 2 MnAl ingot could not be obtained.
Таким образом, предложенный способ получения слитков Ti2MnAl по примерам 5, 6, 7 и 8 является перспективным направлением прецизионной металлургии для создания сплавов Гейслера. На фиг. 1 представлен тигель (1) с гарнисажем (2) и слитки Ti2MnAl (3). На фиг. 2 представлены результаты рентгено-спектрального микроанализа (ат.%) в 5 точках, полученного слитка Ti2MnAl.Thus, the proposed method for producing Ti 2 MnAl ingots according to examples 5, 6, 7 and 8 is a promising direction of precision metallurgy for the creation of Heusler alloys. FIG. 1 shows a crucible (1) with a skull (2) and Ti 2 MnAl ingots (3). FIG. 2 shows the results of X-ray spectral microanalysis (at.%) At 5 points of the obtained Ti 2 MnAl ingot.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021103784A RU2754540C1 (en) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Electric arc method for producing ti2mnal ingots |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021103784A RU2754540C1 (en) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Electric arc method for producing ti2mnal ingots |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2754540C1 true RU2754540C1 (en) | 2021-09-03 |
Family
ID=77669977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021103784A RU2754540C1 (en) | 2021-02-15 | 2021-02-15 | Electric arc method for producing ti2mnal ingots |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2754540C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2776576C1 (en) * | 2022-02-24 | 2022-07-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Electric arc method for producing precision alloy ti2mnal |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2364643C2 (en) * | 2004-12-24 | 2009-08-20 | Сова Денко К.К. | Method of obtaining thermoelectric semiconductor alloy, module of thermoelectric treansformation and thermoelectric device for electric energy generation |
RU2637845C1 (en) * | 2016-12-26 | 2017-12-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING COMPOSITE TARGET CONTAINING HEUSLER ALLOY PHASE OF CO2FeSi |
RU2678354C1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-01-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | METHOD FOR PRODUCING SPRAYABLE COMPOSITE TARGET FROM Co2MnSi HEUSLER ALLOY |
RU2725229C1 (en) * | 2019-12-03 | 2020-06-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Method of producing ti2mnal |
RU2735069C1 (en) * | 2020-04-21 | 2020-10-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Magnetoresistive element |
-
2021
- 2021-02-15 RU RU2021103784A patent/RU2754540C1/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2364643C2 (en) * | 2004-12-24 | 2009-08-20 | Сова Денко К.К. | Method of obtaining thermoelectric semiconductor alloy, module of thermoelectric treansformation and thermoelectric device for electric energy generation |
RU2637845C1 (en) * | 2016-12-26 | 2017-12-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING COMPOSITE TARGET CONTAINING HEUSLER ALLOY PHASE OF CO2FeSi |
RU2678354C1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-01-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | METHOD FOR PRODUCING SPRAYABLE COMPOSITE TARGET FROM Co2MnSi HEUSLER ALLOY |
RU2725229C1 (en) * | 2019-12-03 | 2020-06-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Method of producing ti2mnal |
RU2735069C1 (en) * | 2020-04-21 | 2020-10-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Magnetoresistive element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2776576C1 (en) * | 2022-02-24 | 2022-07-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Electric arc method for producing precision alloy ti2mnal |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4198055B2 (en) | Method for manufacturing a device for direct thermoelectric energy conversion | |
JP2009068077A (en) | Alloy material, magnetic material, method for producing magnetic material, and magnetic material produced by the method | |
CN113373366B (en) | Multi-element refractory high-entropy alloy and preparation method thereof | |
CN106048355B (en) | The preparation method of Nb Si based ultra-high temperature alloy pigs | |
Kliemt et al. | Crystal growth by Bridgman and Czochralski method of the ferromagnetic quantum critical material YbNi4P2 | |
RU2754540C1 (en) | Electric arc method for producing ti2mnal ingots | |
CN111020704B (en) | Method for growing high-temperature and refractory alloy spherical single crystal under electrostatic suspension condition | |
JP5418832B2 (en) | Method for producing Cu-In-Ga-Se quaternary alloy sputtering target | |
JPS61139637A (en) | Target for sputter and its manufacture | |
CN105543952B (en) | A kind of Rapid Directional Solidification equipment and Rapid Directional Solidification method | |
CN108300881B (en) | Method for realizing wide-temperature-zone giant negative thermal expansion in MnCoGe-based alloy | |
CN110640138B (en) | A ZrNiSn-based Half-Heusler thermoelectric material and method for its preparation and regulation of transposition defects | |
RU2725229C1 (en) | Method of producing ti2mnal | |
CN116005061B (en) | Magnetic control memory alloy with gradient tissue structure and controllable magnetic performance and preparation method thereof | |
CN111850327A (en) | A kind of preparation method and product of porous NiTi alloy based on selective dissolution | |
KR100851930B1 (en) | Method of Making Doped Superconducting Materials | |
Lin et al. | Development of high purity niobium used in SRF accelerating cavity | |
CN100581692C (en) | Fabricating method of Mg base thermoelectricity material | |
JP5725135B2 (en) | Method for producing Cu-In-Ga-Se quaternary alloy powder | |
KR101679157B1 (en) | Method for producing sic single crystal | |
CN107299252A (en) | A kind of preparation method of high intensity, high-ductility Ni Mn Ga Nb memorial alloys | |
Riley et al. | Tricadmium Digermanium Tetraarsenide: A New Crystalline Phase Made with a Double‐Containment Ampoule Method | |
CN107675258B (en) | A kind of pyrite structure iron-based ternary chalcogen single crystal material and preparation method thereof | |
RU2700896C1 (en) | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb | |
RU2776576C1 (en) | Electric arc method for producing precision alloy ti2mnal |